JPH056214B2 - - Google Patents

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JPH056214B2
JPH056214B2 JP62218972A JP21897287A JPH056214B2 JP H056214 B2 JPH056214 B2 JP H056214B2 JP 62218972 A JP62218972 A JP 62218972A JP 21897287 A JP21897287 A JP 21897287A JP H056214 B2 JPH056214 B2 JP H056214B2
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    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F13/00Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1006Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/04Arrangements for selecting an address in a digital store using a sequential addressing device, e.g. shift register, counter

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Use Of Switch Circuits For Exchanges And Methods Of Control Of Multiplex Exchanges (AREA)
  • Communication Control (AREA)
  • Memory System (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> この発明は、デジタル回路において、データ遅
延器として使用されるシーケンシヤルアクセスメ
モリに関する。
<従来の技術> 従来、このようなシーケンシヤルアクセスメモ
リとしては第5図に示すようなものがある。この
シーケンシヤルアクセスメモリは、第4図1に示
すデータ数がm語のa部とデータ数がl語のb部
から構成された入力信号列を入力し、第4図2に
示すa部が2単位、b部が1単位上記入力信号列
から遅延した出力信号列を出力するようになつて
いる。
第5図において、51はm×2語の記憶容量を
持つたm×2語メモリ52とm×2進の計数を行
うm×2進カウンタ53とで構成されたa部2単
位遅延器であり、55はl語の記憶容量を持つた
l語メモリ56とl進の計数を行うl進カウンタ
57とで構成されたb部1単位遅延器である。
上記m×2進カウンタ53およびl進カウンタ
57はそれぞれクロツク入力53aおよびクロツ
ク入力57aと、カウントイネーブル端子53b
およびカウントイネーブル端子57bを有してい
る。上記カウントイネーブル端子53bおよび5
7bにはa/b切換入力が入力され、このa/b
切換入力がa部のときはクロツク入力53aにク
ロツクの入力を許可し、このクロツクの入力によ
りm×2進カウンタ53がカウントアツプしてア
ドレスをm×2語メモリ52に出力する。一方、
上記a/b切換入力がb部のときはクロツク入力
57aにクロツクの入力を許可し、このクロツク
の入力によりl進カウンタ57がカウントアツプ
してアドレスをl語メモリ56に出力する。
上語m×2語メモリ52およびl語メモリ56
はそれぞれm×2進カウンタ53とl進カウンタ
57からのアドレスをうけて、そのアドレスにあ
るデータが読み出されると共に、そのアドレスに
データが書き込まれる。すなわち、上記m×2進
カウンタ53およびl進カウンタ57は読み出し
と書き込みに共用しているので読み出しと書き込
みが同時に行われるが、読み出しはその時点で書
き込まれるデータでなく1回前の書き込みデータ
が読み出される。したがつて、a部についてはメ
モリ52のある番地に書き込まれたデータはm×
2進カウンタ53が再び同じ番地に戻つてくる時
読み出されるが、それにはm×2個のクロツクを
必要とする。b部については、l個のクロツクを
必要とする。上記m×2語メモリ52やl語メモ
リ56から読み出されたデータは出力切換器58
を通つて出力されるようになつている。この出力
切換器58には上記a/b切換入力が入力され、
このa/b切換入力がa部のときは上記m×2語
メモリ52からのデータが出力切換器58を通つ
て出力される一方、a/b切換入力がb部のとき
は上記l語メモリ56のデータが出力切換器58
を通つて出力される。
上記m×2語メモリ52のある番地に書き込ま
れたデータは、m×2進カウンタ53が再び上記
番地のアドレスを発生したときに読み出される
が、上記データを書き込んでから読み出すまでに
m×2個のクロツクを必要とする。a部がm語で
あるのに対して、そのメモリ52のアドレスを発
生するカウンタ53は2×m進で、かつa/b切
換入力がb部の期間は上記m×2進カウンタ53
は動作しないため、a部のデータは2単位遅延さ
れて出力される。一方、l語メモリ56のある番
地にデータを読み込んでからそのデータを読み出
すまでにl個のクロツクが必要となる。b部がl
語であるのに対して、そのメモリ56のアドレス
を発生するカウンタ57はl進で、かつa/b切
換入力がa部の期間はl進カウンタ57は動作し
ないためb部のデータは1単位遅延されて出力さ
れる。
このようにして、第4図1に示す入力信号列を
遅延させて第4図2に示す出力信号列として出力
することができる。
<発明が解決しようとする問題点> しかしながら、上記従来のシーケンシヤルアク
セスメモリは、a部のデータとb部のデータにつ
いてそれぞれ別々にメモリとカウンタが必要であ
り、また、上記2つのメモリの出力を切換える出
力切換器が必要であるため、回路が複雑となり高
価になるという問題がある。
そこで、この発明の目的は、出力切換器を必要
とせず、したがつて素子数、配線数を簡略化で
き、第4図1に示す入力信号列を遅延させて第4
図2に示す出力信号列として出力することができ
るシーケンシヤルアクセスメモリを提供すること
にある。
<問題点を解決するための手段> 上記目的を達成するため、この発明は、第1,
2,4図に例示するように、記憶部とその記憶部
のアドレスを発生する計数器とを備えて、m語か
らなるa部とl語からなるb部との2系列のデー
タを上記計数器の制御の下で入力して、所定の遅
延タイミングで出力するシーケンシヤルアクセス
メモリにおいて、上記記憶部は(m×2+l)語
のデータを記憶できるようになつており、上記計
数器は(m×2+l×2)進で、上記記憶部の1
番地から順に(m×2+l)番地までのアドレス
を発生した後、(m+1)番地に戻り、(m+1)
番地から順に(m+l)番地までのアドレスを発
生した後、再び1番地のアドレスを発生し、上記
同様の計数動作を繰り返すようになつていること
を特徴としている。
<作用> 記憶部にデータが書き込まれていない状態で、
計数器が上記記憶部の1番号から順に(m×2+
l)番地までのアドレスを発生すると、上記記憶
部にm語からなる最初のa部のデータa1とl語か
らなる最初のb部のデータb1と2番目のa部のデ
ータa2が順に書き込まれる。次に上記計数器が
(m+1)番地に戻り、(m+1)番地から順に
(m+l)番地までのアドレスを発生すると、こ
の(m+1)番地から(m+l)番地までに書き
込まれた上記データb1が読み出されると共に、こ
の同じ番地にb部の2番目のデータb2が書き込ま
れる。その後、上記計数器が1番地に戻り、再び
1番地から順に(m×2+l)番地までのアドレ
スを発生すると、先に書き込まれたデータa1
b2,a2が読み出されると共に、次のデータa3
b3,a4が書き込まれる。以下同様にしてデータの
入出力をくり返すことにより、第4図1に示すm
語からなるa部とl後からなるb部との2系列の
入力信号列が第4図2に示すa部が2単位、b部
が1単位遅延した出力信号列として得られる。
<実施例> 以下、この発明を図示の実施例により詳細に説
明する。
第1図はこの発明の一実施例の回路構成を示す
ブロツク図であり、1は(m×2+l)語のデー
タを記憶する(m×2+l)語のメモリであり、
2は(m×2+l×2)進カウンタである。第2
図は上記(m×2+l×2)進カウンタ2のカウ
ント方法を示す図であり、第3図は上記(m×2
+l×2)進カウンタ2のm=3,l=2の場合
の具体的な回路例を示す図である。
第3図において最初に初期リセツト入力30が
“L”レベルになると、アンドゲート46の出力
が“L”レベルとなつて、全フリツプフロツプ3
1〜40はの入力が“L”レベルとなつてリセ
ツトされ、Q出力は“L”レベル、出力は
“H”レベルとなる。この時1番地のフリツプフ
ロツプ31の出力が“H”レベルになり1番地
をカウンタが示している。他の番地はすべて
“L”レベルである。次にクロツク入力が一つく
るたびに1番地から順に2番地、3番地〜8番地
まで“H”レベルがシフトし番地が順に変化して
いく。8番地までシフトした時、フリツプフロツ
プ38のQ出力からフリツプフロツプ40のCK
入力にクロツクが入力され、そのQ出力は“H”
レベルになる。次のクロツクでフリツプフロツプ
38の“H”レベルであるQ出力はオアゲート4
7を通して4番地へシフトし4番地が示される。
次に5番地へシフトし5番地出力44が“H”レ
ベルとなる。すでにフリツプフロツプ40のQ出
力41も“H”レベルのため、この出力41と4
4から入力されるアンドゲート48の出力である
フリツプフロツプ39のD入力43は“H”レベ
ルとなり次のクロツク入力で出力45が“L”
となりリセツトが有効となり、最初の状態に戻
る。このように、このカウンタは1,2,3,…
7,8→4→5とカウントした後1に戻り同じカ
ウントをくり返す。m=3,l=2であるからm
×2+l=8,m+1=4,m+l=5となり第
2図のカウント方法を満足する。
任意のm,lに関しても同様にm部(1)、l部、
m部(2)の段数を変えることにより実用出来る。こ
のように構成された第1図に示す(m×2+l×
2)進カウンタ2は、第4図(1)の入力信号列のa
部の最初のデータの先頭の部分で初期リセツトを
かけ、つづいて順次データを(m×2+l)語メ
モリ1に書き込んでいく。このとき、(m×2+
l)語メモリ1にはデータがないためデータは出
力されない。次に(m×2+l+1)番目のクロ
ツクでカウンタ2は(m+1)番地に戻る。この
(m+1)番地から(m+l)番地まではすでに
1単位前のb部が書き込まれており、そのデータ
が順次読み出されていくためb部のデータは1単
位分遅延されて出力される。このデータの読み出
しと同時にデータの書き込みが行われる。そし
て、lコのクロツクでm+lまでカウントされる
と1番地に戻る。この1番地にはa部のデータが
かきこまれているが1番地からカウントを1周し
て再度1番地に戻つてくるまでには(m×2+l
×2)個のクロツクを必要とする。このクロツク
は2単位分のクロツクであり1〜m番地のデータ
は2単位遅延されて出力される。また、(m+l
=1)〜(m+l+m)番地のa部データも同様
に2単位遅延されて出力される。このとき、(m
+1)〜(m+l)番地のデータは前サイクルで
(m×2+l×2)番地から(m+1)番地に戻
つた時にb部が書き換えられているために1単位
だけ遅延して出力される。以下、同様の動作を繰
り返すことにより第4図1の入力信号列をa部に
ついて2単位、b部につて1単位遅延させて第4
図2の出力信号列を得ることができる。
上記実施例では、カウンタはフリツプフロツプ
で構成したが、ソフトウエアで構成してもよい。
<発明の効果> 以上より明らかなように、この発明のシーケン
シヤルアクセスメモリは、(m×2+l)語のデ
ータを記憶できる記憶部と、(m×2+l×2)
進で、上記記憶部の1番地ら順に(m×2+l)
番地までのアドレスを発生した後、(m+1)番
地に戻り、(m+1)番地から順に(m+l)番
地までのアドレスを発生した後、再び1番地のア
ドレスを発生し、上記同様の計数動作を繰り返す
計数器を備えているので、出力切換器を必要とし
ない簡単、安価な回路でm語からなるa部とl語
からなるb部との2系列のデータを所定の遅延タ
イミングで出力することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明のシーケンシヤルアクセスメ
モリの一実施例の回路構成を示すブロツク図、第
2図は上記実施例における(m×2+l×2)進
カウンタのカウント方法を示す図、第3図は上記
実施例におけるm=3,l=2の場合のカウンタ
の具体的な回路を示す図、第4図はm語からなる
a部とl語からなるb部との2系列の入力信号列
とこの入力信号列をa部について2単位、b部に
ついて1単位遅延させて得られる出力信号列を示
す図、第5図は従来のシーケンシヤルアクセスメ
モリの回路構成を示すブロツク図である。 1……(m×2+l)語メモリ、2……(m×
2+l×2)進カウンタ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 記憶部とその記憶部のアドレスを発生する計
    数器とを備えて、m語からなるa部とl語からな
    るb部との2系列のデータを上記計数器の制御の
    下で入力して、所定の遅延タイミングで出力する
    シーケンシヤルアクセスメモリにおいて、 上記記憶部は(m×2+l)語のデータを記憶
    できるようになつており、 上記計数器は(m×2+l×2)進で、上記記
    憶部の1番地から順に(m×2+l)番地までの
    アドレスを発生した後、(m+1)番地に戻り、
    (m+1)番地から順に(m+l)番地までのア
    ドレスを発生した後、再び1番地のアドレスを発
    生し、上記同様の計数動作を繰り返すようになつ
    ていることを特徴とするシーケンシヤルアクセス
    メモリ。
JP62218972A 1987-08-31 1987-08-31 Sequential access memory Granted JPS6461835A (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62218972A JPS6461835A (en) 1987-08-31 1987-08-31 Sequential access memory
CA000575205A CA1315010C (en) 1987-08-31 1988-08-19 Sequential access memory
US07/238,241 US4935902A (en) 1987-08-31 1988-08-30 Sequential access memory
KR1019880011230A KR910009296B1 (ko) 1987-08-31 1988-08-31 순차접근 기억장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62218972A JPS6461835A (en) 1987-08-31 1987-08-31 Sequential access memory

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Publication Number Publication Date
JPS6461835A JPS6461835A (en) 1989-03-08
JPH056214B2 true JPH056214B2 (ja) 1993-01-26

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JP62218972A Granted JPS6461835A (en) 1987-08-31 1987-08-31 Sequential access memory

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US (1) US4935902A (ja)
JP (1) JPS6461835A (ja)
KR (1) KR910009296B1 (ja)
CA (1) CA1315010C (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2765719B1 (fr) * 1997-07-04 1999-10-01 Sgs Thomson Microelectronics Perfectionnement aux memoires a acces sequentiels
JPH11126473A (ja) * 1997-10-24 1999-05-11 Fujitsu Ltd 半導体集積回路

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4153951A (en) * 1976-09-24 1979-05-08 Itek Corporation Event marker having extremely small bit storage requirements
JPS5538603A (en) * 1978-09-04 1980-03-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor memory device

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Publication number Publication date
CA1315010C (en) 1993-03-23
JPS6461835A (en) 1989-03-08
KR910009296B1 (ko) 1991-11-09
US4935902A (en) 1990-06-19
KR890004238A (ko) 1989-04-20

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