JPH0561714B2 - - Google Patents

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JPH0561714B2
JPH0561714B2 JP62064670A JP6467087A JPH0561714B2 JP H0561714 B2 JPH0561714 B2 JP H0561714B2 JP 62064670 A JP62064670 A JP 62064670A JP 6467087 A JP6467087 A JP 6467087A JP H0561714 B2 JPH0561714 B2 JP H0561714B2
Authority
JP
Japan
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precharge
signal
memory
circuit
address decoder
Prior art date
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Application number
JP62064670A
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English (en)
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JPS63229690A (ja
Inventor
Yasushi Takahashi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Original Assignee
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd filed Critical NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Priority to JP62064670A priority Critical patent/JPS63229690A/ja
Publication of JPS63229690A publication Critical patent/JPS63229690A/ja
Publication of JPH0561714B2 publication Critical patent/JPH0561714B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/30Hydrogen technology
    • Y02E60/50Fuel cells

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  • Static Random-Access Memory (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はメモリ周辺回路、特に、アドレスデコ
ーダとメモリ共にプリチヤージ方式を採用したメ
モリ周辺回路に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種のメモリ周辺回路は、アドレスデ
コーダに入力するプリチヤージ信号線を遅延回路
の入力端子に接続し、この遅延回路の出力線の信
号をメモリのプリチヤージ信号入力端子に接続す
る構成になつていた。
第3図はこのような従来構成の一例を示す図で
ある。
第3図において、アドレスデコーダ4に入力す
るプリチヤージ信号線1は、アドレスデコーダ4
のプリチヤージ信号入力端子とインバータ8の入
力端子に接続しており、インバータ8の出力線は
抵抗9を介してインバータ10の入力端子に接続
しており、又インバータ10の入力端子と接地電
位との間にコンデンサ11が接続している。さら
に、インバータ10の出力であるROMのプリチ
ヤージ信号線3はROM6のプリチヤージ信号入
力端子に接続している。
一般に、アドレスデコーダとメモリ共にプリチ
ヤージ方式を採用したメモリでは、メモリアクセ
ス動作を保証するためには、アドレスデコーダの
出力が安定してからメモリのプリチヤージを解除
する必要があるので、アドレスデコーダに入力す
るプリチヤージは、アドレスデコーダの遅延時間
だけ遅延させてメモリに供給する必要がある。
第3図に示した例では、このための遅延回路を
インバータ8,10と抵抗9とコンデンサ11で
構成している。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のメモリ周辺回路は、メモリに供
給されるプリチヤージ信号に与えるべき遅延を、
インバータ、抵抗、コンデンサ等から成る遅延回
路によつて発生させているため、得られた遅延時
間は、抵抗、コンデンサ容量、インバータのスレ
ツシヨルドの各値によつて決まる。
一方、メモリに供給されるプリチヤージ信号の
遅延時間はアドレスデコーダの遅延時間と同じで
あるのが最適であるが、遅延時間のバラツキを考
慮すると、遅延回路で得られる遅延時間をアドレ
スデコーダの遅延時間の少なくとも2倍以上に設
計せざるを得ないことが経験的に結論的にわか
る。
しかしながら、メモリのプリチヤージ信号を必
要以上に遅らせる事は、アドレスデコーダのプリ
チヤージを解除してから、メモリのプリチヤージ
解除し、メモリのアクセス動作(読み出し動作又
は書き込み動作)に要する時間を増大させる事に
つながり、メモリを高速に動作させる事が出来な
くなるという重大な問題を発生させる。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のメモリ周辺回路は、外部から入力する
プリチヤージ信号に応答してアドレス選択信号を
メモリに供給するアドレスデコーダと、 アドレス選択信号を検出するゲート回路と、 上記プリチヤージ信号とゲート回路の出力信号
に応答してそれぞれセツトとリセツトがされる順
序回路 とを設け、順序回路の出力をメモリに対するプリ
チヤージ信号としたことを特徴とする。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
第1図は本発明の一実施例の回路図である。
第1図を参照すると、本実施例はROM6、ア
ドレスデコーダ4、順序回路12およびゲート回
路7で構成されていることがわかる。
アドレスデコーダ4に入力するプリチヤージ信
号線1は、アドレスデコーダ4のプリチヤージ信
号入力端子と順序回路12のセツト入力端子に接
続しており、アドレスデコーダ4の出力線、すな
わちアドレス選択信号線5は、ROM6のアドレ
ス選択信号入力端子とゲート回路7の入力端子に
接続している。又ゲート回路7の出力信号線は順
序回路12のセツト入力端子に接続しており、順
序回路12の出力信号線、すなわちROM6のプ
リチヤージ信号線3は、ROM6のプリチヤージ
信号入力端子に接続している。
次に、第2図を用いて、本実施例の動作につい
て説明する。
アドレスデコーダ4がプリチヤージ信号線1の
信号が“1”になると、アドレス選択信号線5の
信号は全て“1”になる。この為、ゲート回路7
の出力線の信号は“0”になり、順序回路12の
リセツト入力端子の信号は“0”になる。
一方、順序回路12のセツト入力端子の信号が
“1”であるため、順序回路12の出力信号線、
すなわちROM6のプリチヤージ信号線3の信号
は“1”になり、ROM6はプリチヤージされ
る。
次に、アドレスデコーダ4のプリチヤージ信号
線1の信号が“0”になると、アドレスデコーダ
4はプリチヤージを解除され、アドレス入力信号
線2の信号状態により、アドレス選択信号線5の
内、1本の信号がアドレスデコーダ4の動作遅延
時間をもつて“0”になる。これにより、ゲート
回路7の出力線の信号は“1”になり、順序回路
12はリセツトされ、ROM6のプリチヤージ信
号線3の信号は“0”になり、ROM6はプリチ
ヤージを解除される。
すなわち、ROM6は、アドレスデコーダ4の
プリチヤージ信号1の信号が“1”になるとただ
ちにプリチヤージされ、アドレスデコーダ4のプ
リチヤージ信号1の信号が“0”になるとアドレ
ス選択信号線5に出力信号が出た事をゲート回路
7で検知してからプリチヤージが解除されること
になる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明はアドレスデコー
ダからアドレス信号が出た事をゲート回路により
検知してから、メモリのプリチヤージを解除する
構成としたため、遅延回路が不要になり、メモリ
を高速に動作させる事が出来る効果がある。
さらに、IC化設計に関しては、(抵抗やコンデ
ンサから成る)遅延回路の設計が不要になるた
め、素子の設計が容易にあり、又、素子の配置・
配線(レイアウト設計)上も特に注意を払う必要
が無い為、設計が極めて容易になるという効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図は
本実施例の動作タイミング図および第3図は従来
例をそれぞれ示す。 1,3…プリチヤージ信号線、2…アドレス入
力信号、4…アドレスデコーダ、5…アドレス選
択信号線、6…ROM、7…ゲート回路、8,1
0…インバータ、9…抵抗、11…コンデンサ、
12…遅延回路、PC,PC′…プリチヤージ入力端
子。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 外部から入力するプリチヤージ信号に応答し
    てアドレス選択信号をメモリ供給するアドレスデ
    コーダと、 前記アドレス選択信号を検出するゲート回路
    と、 前記プリチヤージ信号と前記ゲート回路の出力
    信号に応答してそれぞれセツトとリセツトがされ
    る順序回路 とを設け、該順序回路の出力を前記メモリに対す
    るプリチヤージ信号としたことを特徴とするメモ
    リ周辺回路。
JP62064670A 1987-03-18 1987-03-18 メモリ周辺回路 Granted JPS63229690A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62064670A JPS63229690A (ja) 1987-03-18 1987-03-18 メモリ周辺回路

Applications Claiming Priority (1)

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JP62064670A JPS63229690A (ja) 1987-03-18 1987-03-18 メモリ周辺回路

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Publication Number Publication Date
JPS63229690A JPS63229690A (ja) 1988-09-26
JPH0561714B2 true JPH0561714B2 (ja) 1993-09-06

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ID=13264851

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JP62064670A Granted JPS63229690A (ja) 1987-03-18 1987-03-18 メモリ周辺回路

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2663702B2 (ja) * 1990-10-19 1997-10-15 日本電気株式会社 Cmosスタチックメモリ
KR100309466B1 (ko) * 1999-05-21 2001-09-26 김영환 메모리의 어드레스천이검출제어장치

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Publication number Publication date
JPS63229690A (ja) 1988-09-26

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