JPS63229690A - メモリ周辺回路 - Google Patents

メモリ周辺回路

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JPS63229690A
JPS63229690A JP62064670A JP6467087A JPS63229690A JP S63229690 A JPS63229690 A JP S63229690A JP 62064670 A JP62064670 A JP 62064670A JP 6467087 A JP6467087 A JP 6467087A JP S63229690 A JPS63229690 A JP S63229690A
Authority
JP
Japan
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memory
circuit
address
signal
precharge
Prior art date
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JP62064670A
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English (en)
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JPH0561714B2 (ja
Inventor
Yasushi Takahashi
康 高橋
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NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Publication date
Application filed by NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd filed Critical NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/30Hydrogen technology
    • Y02E60/50Fuel cells

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はメモリ周辺回路、特に、アドレスデコーダとメ
モリ共にプリチャージ方式を採用したメモリ周辺回路に
関する。
〔従来の技術〕
従来、この種のメモリ周辺回路は、アドレスデコーダに
入力するプリチャージ信号線を遅延回路の入力端子に接
続し、この遅延回路の出力線の信号をメモリのプリチャ
ージ信号入力端子に接続する構成になっていた。
第3図はこのような従来構成の一例を示す図である。
第3図において、アドレスデコーダ4に入力するプリチ
ャージ信号線1は、アドレスデコーダ4のプリチャージ
信号入力端子とインバータ8の入力端子に接続しており
、インバータ8の出力線は抵抗9を介してインバータ1
0の入力端子に接続しており、又インバータ10の入力
端子と接地電位との間にコンデンサ11が接続している
。さらに、インバータ10の出力であるROMのプリチ
ャージ信号線3はROM6のプリチャージ信号入力端子
に接続している。
−Bに、アドレスデコーダとメモリ共にプリチャージ方
式を採用したメモリでは、メモリアクセス動作を保証す
るためには、アドレスデコーダの出力が安定してからメ
モリのプリチャージを解除する必要があるので、アドレ
スデコーダに入力するプリチャージは、アドレスデコー
ダの遅延時間だけ遅延させてメモリに供給する必要があ
る。
第3図に示した例では、このための遅延回路をインバー
タ8.10と抵抗つとコンデンサ11で構成している。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のメモリ周辺回路は、メモリに供給される
プリチャージ信号に与えるべき遅延を、インバータ、抵
抗、コンデンサ等から成る遅延回路によって発生させて
いるため、得られた遅延時間は、抵抗、コンデンサ容量
、インバータのスレッショルドの各値によって決まる。
一方、メモリに供給されるプリチャージ信号の遅延時間
はアドレスデコーダの遅延時間と同じであるのが最適で
あるが、遅延時間のバラツキを考慮すると、遅延回路で
得られる遅延時間をアドレスデコーダの遅延時間の少な
くとも2倍以上に設計せざるを得ないことが経験的に結
論的にわかる。
しかしながら、メモリのプリチャージ信号を必要以上に
遅らせる事は、アドレスデコーダのプリチャージを解除
してから、メモリのプリチャージ解除し、メモリのアク
セス動作(読み出し動作又は書き込み動作)に要する時
間を増大させる事につながり、メモリを高速に動作させ
る事が出来なくなるという重大な問題を発生させる。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のメモリ周辺回路は、外部から入力するプリチャ
ージ信号に応答してアドレス選択信号をメモリに供給す
るアドレスデコーダと、アドレス選択信号を検出するゲ
ート回路と、上記プリチャージ信号とゲート回路の出力
信号に応答してそれぞれセットとリセットがされる順序
回路 とを設け、順序回路の出力をメモリに対するプリチャー
ジ信号としたことを特徴とする。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の回路図である。
第1図を参照すると、本実施例はROM6.アドレスデ
コーダ4.順序回路12およびゲート回路7で構成され
ていることがわかる。
アドレスデコーダ4に入力するプリチャージ信号線1は
、アドレスデコーダ4のプリチャージ信号入力端子と順
序回路12のセット入力端子に接続しており、アドレス
デコーダ4の出力線、すなわちアドレス選択信号線5は
、ROM6のアドレス選択信号入力端子とゲート回路7
の入力端子に接続している。又ゲート回路7の出力信号
線は順序回路12のセット入力端子に接続しており、順
序回路12の出力信号線、すなわちROM6のプリチャ
ージ信号線3は、ROM6のプリチャージ信号入力端子
に接続している。
次に、第2図を用いて、本実施例の動作について説明す
る。
アドレスデコーダ4がプリチャージ信号線1の信号が“
1′′になると、アドレス選択信号線5の信号は全て1
″になる。この為、ゲート回路7の出力線の信号は“0
′″になり、順序回路12のリセット入力端子の信号は
パ0′”になる。
一方、順序回路12のセット入力端子の信号が1″であ
るため、順序回路12の出力信号線、すなわちROM6
のプリチャージ信号線3の信号は“1°“になり、RO
M6はプリチャージされる。
次に、アドレスデコーダ4のプリチャージ信号線1の信
号が゛0パになると、アドレスデコーダ4はプリチャー
ジを解除され、アドレス入力信号線2の信号状態により
、アドレス選択信号線5の内、1本の信号がアドレスデ
コーダ4の動作遅延時間をもって°“0″になる。これ
により、ゲート回路7の出力線の信号は“1°゛になり
、順序回路12はリセットされ、ROM6のプリチャー
ジ信号線3の信号は“0”になり、ROM6はプリチャ
ージを解除される。
すなわち、ROM6は、アドレスデコーダ4のプリチャ
ージ信号1の信号が“1″になるとただちにプリチャー
ジされ、アドレスデコーダ4のプリチャージ信号1の信
号が“′0″になるとアドレス選択信号線5に出力信号
が出た事をゲート回路7で検知してからプリチャージが
解除されることになる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明はアドレスデコーダからア
ドレス信号が出た事をゲート回路により検知してから、
メモリのプリチャージを解除する構成としたため、遅延
回路が不要になり、メモリを高速に動作させる事が出来
る効果がある。
さらに、IC化設計に関しては、(抵抗やコンデンサか
ら成る)遅延回路の設計が不要になるため、素子の設計
が容易になり、又、素子の配置・配線(レイアウト設計
)上も特に注意を払う必要が無い為、設計が極めて容易
になるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図は本実施例
の動作タイミング図および第3図は従来例をそれぞれ示
す。 1.3・・・プリチャージ信号線、2・・・アドレス入
力信号線、4・・・アドレスデコーダ、5・・・アドレ
ス選択信号線、6・・・ROM、7・・・ゲート回路、
8゜10・・・インバータ、9・・・抵抗、11・・・
コンデンサ、12・・・順序回路、pc、pc’・・・
プリチャージ入て拘1フ ブ L≧(コ 第2図 第5区

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  外部から入力するプリチャージ信号に応答してアドレ
    ス選択信号をメモリに供給するアドレスデコーダと、 前記アドレス選択信号を検出するゲート回路と、前記プ
    リチャージ信号と前記ゲート回路の出力信号に応答して
    それぞれセットとリセットがされる順序回路 とを設け、該順序回路の出力を前記メモリに対するプリ
    チャージ信号としたことを特徴とするメモリ周辺回路。
JP62064670A 1987-03-18 1987-03-18 メモリ周辺回路 Granted JPS63229690A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62064670A JPS63229690A (ja) 1987-03-18 1987-03-18 メモリ周辺回路

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JP62064670A JPS63229690A (ja) 1987-03-18 1987-03-18 メモリ周辺回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63229690A true JPS63229690A (ja) 1988-09-26
JPH0561714B2 JPH0561714B2 (ja) 1993-09-06

Family

ID=13264851

Family Applications (1)

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JP (1) JPS63229690A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04157698A (ja) * 1990-10-19 1992-05-29 Nec Corp Cmosスタチックメモリ
KR100309466B1 (ko) * 1999-05-21 2001-09-26 김영환 메모리의 어드레스천이검출제어장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04157698A (ja) * 1990-10-19 1992-05-29 Nec Corp Cmosスタチックメモリ
JP2663702B2 (ja) * 1990-10-19 1997-10-15 日本電気株式会社 Cmosスタチックメモリ
KR100309466B1 (ko) * 1999-05-21 2001-09-26 김영환 메모리의 어드레스천이검출제어장치

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JPH0561714B2 (ja) 1993-09-06

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