JPH05326903A - オンチップレンズ構造の固体撮像素子および撮影装置 - Google Patents
オンチップレンズ構造の固体撮像素子および撮影装置Info
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- JPH05326903A JPH05326903A JP4148590A JP14859092A JPH05326903A JP H05326903 A JPH05326903 A JP H05326903A JP 4148590 A JP4148590 A JP 4148590A JP 14859092 A JP14859092 A JP 14859092A JP H05326903 A JPH05326903 A JP H05326903A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、オンチップレンズ構造の固体撮像
素子において、集光レンズの焦点距離を可変にして、光
センサ部に入射する光量の最適化を図る。また撮影装置
の絞りに連動させて集光レンズの屈折率を決定して光セ
ンサ部に入射する光量の最適化を図る。 【構成】 複数の光センサ部12上に集光レンズとなる
液晶レンズ21を設けたオンチップレンズ構造の固体撮
像素子1である。また各液晶レンズ21上に偏光層15
または当該液晶レンズ21の液晶分子の配向方向と直交
する液晶分子の配向方向を有する液晶セル(図示せず)
を設けたものである。また上記固体撮像素子1を搭載し
た撮影装置(図示せず)であって、撮影装置の絞り値に
対応して各液晶レンズ21に印加する電圧値を決定し、
その電圧値の電圧を各液晶レンズ21に印加する屈折率
可変システム(図示せず)を備えたものである。
素子において、集光レンズの焦点距離を可変にして、光
センサ部に入射する光量の最適化を図る。また撮影装置
の絞りに連動させて集光レンズの屈折率を決定して光セ
ンサ部に入射する光量の最適化を図る。 【構成】 複数の光センサ部12上に集光レンズとなる
液晶レンズ21を設けたオンチップレンズ構造の固体撮
像素子1である。また各液晶レンズ21上に偏光層15
または当該液晶レンズ21の液晶分子の配向方向と直交
する液晶分子の配向方向を有する液晶セル(図示せず)
を設けたものである。また上記固体撮像素子1を搭載し
た撮影装置(図示せず)であって、撮影装置の絞り値に
対応して各液晶レンズ21に印加する電圧値を決定し、
その電圧値の電圧を各液晶レンズ21に印加する屈折率
可変システム(図示せず)を備えたものである。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、オンチップレンズ構造
の固体撮像素子および撮影装置に関するものである。
の固体撮像素子および撮影装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】固体撮像素子には、感度を向上させる手
段として、例えば各光センサ部上に集光レンズを設け
た、いわゆるオンチップレンズ構造のものがある。上記
オンチップレンズ構造の固体撮像素子の一例を、図9の
概略構成断面図により説明する。図に示すように、半導
体基板91に複数の光センサ部92が形成されている。
各光センサ部92上には、透光性の保護膜93を介して
集光レンズ94が設けられている。各集光レンズ94
は、例えば透光性の樹脂で形成されている。なお図では
電荷転送部,チャネルストッパー領域等の図示は省略し
た。上記の如くに、オンチップレンズ構造の固体撮像素
子90は構成されている。
段として、例えば各光センサ部上に集光レンズを設け
た、いわゆるオンチップレンズ構造のものがある。上記
オンチップレンズ構造の固体撮像素子の一例を、図9の
概略構成断面図により説明する。図に示すように、半導
体基板91に複数の光センサ部92が形成されている。
各光センサ部92上には、透光性の保護膜93を介して
集光レンズ94が設けられている。各集光レンズ94
は、例えば透光性の樹脂で形成されている。なお図では
電荷転送部,チャネルストッパー領域等の図示は省略し
た。上記の如くに、オンチップレンズ構造の固体撮像素
子90は構成されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成のオンチップレンズ構造の固体撮像素子では、集光レ
ンズが透光性の樹脂で形成されているので、集光レンズ
の形状や屈折率を露光量に対応して変化させることがで
きない。そのため、被写体の明るさに応じて撮影装置の
絞り値を変えると、固体撮像素子の光センサ部に被写体
像の光が効率的に集光されないことが生じる。
成のオンチップレンズ構造の固体撮像素子では、集光レ
ンズが透光性の樹脂で形成されているので、集光レンズ
の形状や屈折率を露光量に対応して変化させることがで
きない。そのため、被写体の明るさに応じて撮影装置の
絞り値を変えると、固体撮像素子の光センサ部に被写体
像の光が効率的に集光されないことが生じる。
【0004】すなわち、図10に示すように、例えば、
非常に明るい被写体を撮影する場合には、絞り81を絞
ってF値を小さくしても、対応できない場合がある。例
えば、絞り81より入射した光191(実線の斜線で示
す部分)は集光レンズ94により集光されて光センサ部
92の一部分に入射する。このため、必要以上の光が光
センサ部92の一部分に照射されることになる。この結
果、光センサ部92における像は露光オーバな状態の像
になる。
非常に明るい被写体を撮影する場合には、絞り81を絞
ってF値を小さくしても、対応できない場合がある。例
えば、絞り81より入射した光191(実線の斜線で示
す部分)は集光レンズ94により集光されて光センサ部
92の一部分に入射する。このため、必要以上の光が光
センサ部92の一部分に照射されることになる。この結
果、光センサ部92における像は露光オーバな状態の像
になる。
【0005】一方図11に示すように、例えば、非常に
暗い被写体を撮影する場合には、絞り81を開放にして
F値を大きくしても、対応できない場合がある。例え
ば、絞り81より入射した光192は集光レンズ94に
より集光されるが、集光された一部の光193(実線の
斜線で示す部分)が光センサ部92に入射し、集光され
た残りの光194(破線の斜線で示す部分)は光センサ
部92に入射しない。この結果、光センサ部92に入射
する光量が減少するので、固体撮像素子90の感度は低
下する。したがって、光センサ部92における像は露光
不足な状態の像になる。
暗い被写体を撮影する場合には、絞り81を開放にして
F値を大きくしても、対応できない場合がある。例え
ば、絞り81より入射した光192は集光レンズ94に
より集光されるが、集光された一部の光193(実線の
斜線で示す部分)が光センサ部92に入射し、集光され
た残りの光194(破線の斜線で示す部分)は光センサ
部92に入射しない。この結果、光センサ部92に入射
する光量が減少するので、固体撮像素子90の感度は低
下する。したがって、光センサ部92における像は露光
不足な状態の像になる。
【0006】本発明は、適性な露光状態で撮像できかつ
感度に優れたオンチップレンズ構造の固体撮像素子およ
び撮影装置を提供することを目的とする。
感度に優れたオンチップレンズ構造の固体撮像素子およ
び撮影装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたオンチップレンズ構造の固体撮像
素子である。すなわち、固体撮像素子の各光センサ部上
のそれぞれに設けた集光レンズを液晶レンズで形成した
ものである。
成するためになされたオンチップレンズ構造の固体撮像
素子である。すなわち、固体撮像素子の各光センサ部上
のそれぞれに設けた集光レンズを液晶レンズで形成した
ものである。
【0008】あるいは、各液晶レンズ上に偏光層を設け
たものである。または各液晶レンズ上に、透光性の膜を
介して、当該液晶レンズの液晶分子の配向方向と直交す
る液晶分子の配向方向を有する液晶セルを設けたもので
ある。
たものである。または各液晶レンズ上に、透光性の膜を
介して、当該液晶レンズの液晶分子の配向方向と直交す
る液晶分子の配向方向を有する液晶セルを設けたもので
ある。
【0009】上記オンチップレンズ構造の固体撮像素子
を搭載した撮影装置であって、撮影装置の絞り値に対応
してオンチップレンズ構造の固体撮像素子の各液晶レン
ズに印加する電圧値を決定し、その電圧値の電圧を各液
晶レンズに印加する屈折率可変システムを備えたもので
ある。
を搭載した撮影装置であって、撮影装置の絞り値に対応
してオンチップレンズ構造の固体撮像素子の各液晶レン
ズに印加する電圧値を決定し、その電圧値の電圧を各液
晶レンズに印加する屈折率可変システムを備えたもので
ある。
【0010】
【作用】上記固体撮像素子では、集光レンズを液晶レン
ズで形成したことにより、集光レンズは屈折率を変える
ことが可能になる。このため、光センサ部には適性な光
量の光が照射される。また上記撮影装置では、撮影装置
の絞り値に対応して集光レンズの屈折率を印加電圧によ
って変える屈折率可変システムを設けたので、絞り値に
対応した受光量が光センサ部に照射される。
ズで形成したことにより、集光レンズは屈折率を変える
ことが可能になる。このため、光センサ部には適性な光
量の光が照射される。また上記撮影装置では、撮影装置
の絞り値に対応して集光レンズの屈折率を印加電圧によ
って変える屈折率可変システムを設けたので、絞り値に
対応した受光量が光センサ部に照射される。
【0011】
【実施例】本発明の第1の実施例を、図1の概略構成断
面図により説明する。図に示すように、半導体基板11
には複数の光センサ部12(図では代表して一つの光セ
ンサ部を示す)が形成されている。各光センサ部12上
には、透光性の絶縁膜13を介して集光レンズになる液
晶レンズ21が形成されている。この液晶レンズ21
は、上記透光性の絶縁膜13の上面に形成した第1の透
明電極22と、上記第1の透明電極22上に形成したも
ので、光センサ部12上が平凸レンズ状に形成された液
晶層23と、上記液晶層23の表面に形成した第2の透
明電極24とよりなる。また上記液晶レンズ21の第2
の透明電極24上には透光性の膜14が形成されてい
る。
面図により説明する。図に示すように、半導体基板11
には複数の光センサ部12(図では代表して一つの光セ
ンサ部を示す)が形成されている。各光センサ部12上
には、透光性の絶縁膜13を介して集光レンズになる液
晶レンズ21が形成されている。この液晶レンズ21
は、上記透光性の絶縁膜13の上面に形成した第1の透
明電極22と、上記第1の透明電極22上に形成したも
ので、光センサ部12上が平凸レンズ状に形成された液
晶層23と、上記液晶層23の表面に形成した第2の透
明電極24とよりなる。また上記液晶レンズ21の第2
の透明電極24上には透光性の膜14が形成されてい
る。
【0012】上記液晶レンズ21は異常光成分のみに有
効に作用するので、上記各液晶レンズ21の上方には、
透光性の膜14を介して、異常光成分のみを透過させる
性質の偏光層15が設けられている。さらに上記第1の
透明電極22と第2の透明電極24とには電圧可変電源
16が接続されている。上記の如くに、オンチップレン
ズ構造の固体撮像素子1は形成されている。
効に作用するので、上記各液晶レンズ21の上方には、
透光性の膜14を介して、異常光成分のみを透過させる
性質の偏光層15が設けられている。さらに上記第1の
透明電極22と第2の透明電極24とには電圧可変電源
16が接続されている。上記の如くに、オンチップレン
ズ構造の固体撮像素子1は形成されている。
【0013】上記固体撮像素子1では、集光レンズを液
晶レンズ21で形成したことにより、液晶レンズ21に
印加する電圧を変化させることによって、液晶層23の
屈折率を変えることが可能になる。このため、液晶レン
ズ21の屈折率が変化して、光センサ部12には適性な
光量の光が照射される。
晶レンズ21で形成したことにより、液晶レンズ21に
印加する電圧を変化させることによって、液晶層23の
屈折率を変えることが可能になる。このため、液晶レン
ズ21の屈折率が変化して、光センサ部12には適性な
光量の光が照射される。
【0014】すなわち、図2に示すように、例えば、非
常に明るい被写体を撮影する場合には、絞り81を絞っ
てF値を小さくしても、対応できない場合がある。例え
ば絞り81より入射する光111は液晶レンズ21によ
り集光される。そして集光された光112(破線の斜線
で示す部分)は光センサ部12の一部分に集中的に照射
される。このため、光センサ部12の一部分に、非常に
強い光が照射されることになる。そこで液晶レンズ21
の屈折率を変えることにより、集光後の光の拡がり角を
変えて、光センサ部12に入射する光113(実線の斜
線で示す部分)を得る。この結果、光センサ部12に入
射する光強度が調節されて、光センサ部12における像
の明るさが最適な状態になる。なお図2において、各構
成部品を示すハッチングは、図面を見やすくするために
省略する。
常に明るい被写体を撮影する場合には、絞り81を絞っ
てF値を小さくしても、対応できない場合がある。例え
ば絞り81より入射する光111は液晶レンズ21によ
り集光される。そして集光された光112(破線の斜線
で示す部分)は光センサ部12の一部分に集中的に照射
される。このため、光センサ部12の一部分に、非常に
強い光が照射されることになる。そこで液晶レンズ21
の屈折率を変えることにより、集光後の光の拡がり角を
変えて、光センサ部12に入射する光113(実線の斜
線で示す部分)を得る。この結果、光センサ部12に入
射する光強度が調節されて、光センサ部12における像
の明るさが最適な状態になる。なお図2において、各構
成部品を示すハッチングは、図面を見やすくするために
省略する。
【0015】また図3に示すように、例えば、非常に暗
い被写体を撮影する場合には、絞り81を開放にしてF
値を大きくしても対応できない場合がある。例えば、絞
り81より入射する光114は液晶レンズ21により集
光されるが、集光された一部の光115(破線の斜線で
示す部分)が光センサ部12に入射し、集光された残り
の光116(2点鎖線の斜線で示す部分)は光センサ部
12には入射しない。この結果、露光不足な状態の像し
か得られない。そこで液晶レンズ21の屈折率を変える
ことにより、光センサ部12に入射する光117(実線
の斜線で示す部分)を得る。このように、光センサ部1
2の受光面のほぼ全域に光センサ部12に入射する光1
17が照射されるので、光センサ部12に入射する光量
が増加する。この結果、光センサ部12における像の明
るさが最適な状態になる。上記のようにして、固体撮像
素子1の感度は向上する。なお図3において、各構成部
品を示すハッチングは、図面を見やすくするために省略
する。
い被写体を撮影する場合には、絞り81を開放にしてF
値を大きくしても対応できない場合がある。例えば、絞
り81より入射する光114は液晶レンズ21により集
光されるが、集光された一部の光115(破線の斜線で
示す部分)が光センサ部12に入射し、集光された残り
の光116(2点鎖線の斜線で示す部分)は光センサ部
12には入射しない。この結果、露光不足な状態の像し
か得られない。そこで液晶レンズ21の屈折率を変える
ことにより、光センサ部12に入射する光117(実線
の斜線で示す部分)を得る。このように、光センサ部1
2の受光面のほぼ全域に光センサ部12に入射する光1
17が照射されるので、光センサ部12に入射する光量
が増加する。この結果、光センサ部12における像の明
るさが最適な状態になる。上記のようにして、固体撮像
素子1の感度は向上する。なお図3において、各構成部
品を示すハッチングは、図面を見やすくするために省略
する。
【0016】次に上記液晶レンズ21とは別の構造の液
晶レンズ31を、図4の概略構成断面図により説明す
る。図では上記図1で説明した構成部品と同様の構成部
品には同一符号を付す。図に示すように、半導体基板1
1には複数の光センサ部12(図では代表して一つの光
センサ部を示す)が形成されている。各光センサ部12
上には透光性の絶縁膜13を介して液晶レンズ31が形
成されている。各液晶レンズ31は、透光性の絶縁膜1
3の上面に形成した第1の透明電極32と、上記第1の
透明電極32上に形成した液晶層33と、上記液晶層3
3上に形成した第2の透明電極34とよりなる液晶セル
35と、上記液晶セル35上に形成した平凸レンズ36
とよりなる。
晶レンズ31を、図4の概略構成断面図により説明す
る。図では上記図1で説明した構成部品と同様の構成部
品には同一符号を付す。図に示すように、半導体基板1
1には複数の光センサ部12(図では代表して一つの光
センサ部を示す)が形成されている。各光センサ部12
上には透光性の絶縁膜13を介して液晶レンズ31が形
成されている。各液晶レンズ31は、透光性の絶縁膜1
3の上面に形成した第1の透明電極32と、上記第1の
透明電極32上に形成した液晶層33と、上記液晶層3
3上に形成した第2の透明電極34とよりなる液晶セル
35と、上記液晶セル35上に形成した平凸レンズ36
とよりなる。
【0017】上記液晶レンズ31も異常光成分のみに有
効に作用するので、上記各液晶レンズ31の上方には、
透光性の膜14を介して、異常光成分のみを透過させる
性質の偏光層15が設けられている。さらに上記第1の
透明電極32と第2の透明電極34とには電圧可変電源
16が接続されている。
効に作用するので、上記各液晶レンズ31の上方には、
透光性の膜14を介して、異常光成分のみを透過させる
性質の偏光層15が設けられている。さらに上記第1の
透明電極32と第2の透明電極34とには電圧可変電源
16が接続されている。
【0018】上記液晶レンズ31では、第1,第2の透
明電極32,34に印加する電圧を変化させることによ
って、液晶層33の屈折率を変えることが可能になる。
このため、液晶レンズ31の屈折率を変化させて、光セ
ンサ部12に適性な光量の光を照射することが可能にな
る。
明電極32,34に印加する電圧を変化させることによ
って、液晶層33の屈折率を変えることが可能になる。
このため、液晶レンズ31の屈折率を変化させて、光セ
ンサ部12に適性な光量の光を照射することが可能にな
る。
【0019】次に第2の実施例を、図5の概略構成断面
図により説明する。図に示す構成部品のうち、上記第1
の実施例で説明した構成部品と同様のものには同一符号
を付す。
図により説明する。図に示す構成部品のうち、上記第1
の実施例で説明した構成部品と同様のものには同一符号
を付す。
【0020】図に示すように、半導体基板11には複数
の光センサ部12(図では代表して一つの光センサ部を
示す)が形成されている。各光センサ部12上には、透
光性の絶縁膜13を介して集光レンズになる液晶レンズ
41が形成されている。この液晶レンズ41は、各光セ
ンサ部12上の上記透光性の絶縁膜13の上層に形成し
た湾曲面状の凹状部42と、上記凹状部42の内面と透
光性の絶縁膜13の上面とに沿って形成した第1の透明
電極43と、上記第1の透明電極43の上面に形成した
第1の液晶層44と、上記第1の液晶層44の上面に形
成した第2の透明電極45とよりなる。この液晶レンズ
41上には透光性の膜14が形成されている。また上記
第1の透明電極43と第2の透明電極45とには電圧可
変電源16が接続されている。
の光センサ部12(図では代表して一つの光センサ部を
示す)が形成されている。各光センサ部12上には、透
光性の絶縁膜13を介して集光レンズになる液晶レンズ
41が形成されている。この液晶レンズ41は、各光セ
ンサ部12上の上記透光性の絶縁膜13の上層に形成し
た湾曲面状の凹状部42と、上記凹状部42の内面と透
光性の絶縁膜13の上面とに沿って形成した第1の透明
電極43と、上記第1の透明電極43の上面に形成した
第1の液晶層44と、上記第1の液晶層44の上面に形
成した第2の透明電極45とよりなる。この液晶レンズ
41上には透光性の膜14が形成されている。また上記
第1の透明電極43と第2の透明電極45とには電圧可
変電源16が接続されている。
【0021】さらに上記透光性の膜14の上面には、異
常光成分のみを透過させる性質を有する液晶セル46が
形成されている。この液晶セル46は、上記透光性の膜
14の上面に形成した第3の透明電極47と、第3の透
明電極47の上面に形成した第2の液晶層48と、この
第2の液晶層48の上面に形成した第4の透明電極49
とよりなる。上記第2の液晶層48は、上記第1の液晶
層44の配向方向とは90°異なる配向方向を有する。
上記第3の透明電極47と第4の透明電極49とには電
圧可変電源17が接続されている。上記の如くに、オン
チップレンズ構造の固体撮像素子2は形成されている。
常光成分のみを透過させる性質を有する液晶セル46が
形成されている。この液晶セル46は、上記透光性の膜
14の上面に形成した第3の透明電極47と、第3の透
明電極47の上面に形成した第2の液晶層48と、この
第2の液晶層48の上面に形成した第4の透明電極49
とよりなる。上記第2の液晶層48は、上記第1の液晶
層44の配向方向とは90°異なる配向方向を有する。
上記第3の透明電極47と第4の透明電極49とには電
圧可変電源17が接続されている。上記の如くに、オン
チップレンズ構造の固体撮像素子2は形成されている。
【0022】上記固体撮像素子2では、集光レンズを液
晶レンズ41で形成したことにより、集光レンズの屈折
率を変えることが可能になる。このため、光センサ部1
2には適性な光量の光が照射される。また上記液晶レン
ズ31も異常光成分のみに有効に作用するので、異常光
成分のみを透過させる性質の液晶セル46を形成したこ
とにより、第1の実施例で説明した偏光層(15)を用
いた場合よりも透過率が2倍程度向上する。
晶レンズ41で形成したことにより、集光レンズの屈折
率を変えることが可能になる。このため、光センサ部1
2には適性な光量の光が照射される。また上記液晶レン
ズ31も異常光成分のみに有効に作用するので、異常光
成分のみを透過させる性質の液晶セル46を形成したこ
とにより、第1の実施例で説明した偏光層(15)を用
いた場合よりも透過率が2倍程度向上する。
【0023】次に上記液晶セル46とは別の構造の液晶
セル51を、図6の概略構成断面図により説明する。図
では上記図5で説明した構成部品と同様の構成部品には
同一符号を付す。図に示すように、半導体基板11には
複数の光センサ部12(図では代表して一つの光センサ
部を示す)が形成されている。各光センサ部12上に
は、透光性の絶縁膜13を介して上記図3により説明し
たと同様の液晶レンズ41が形成されている。上記液晶
レンズ41の第1の透明電極43と第2の透明電極45
とには、電圧可変電源16が接続されている。上記液晶
レンズ41の上面には透光性の膜14が形成されてい
る。
セル51を、図6の概略構成断面図により説明する。図
では上記図5で説明した構成部品と同様の構成部品には
同一符号を付す。図に示すように、半導体基板11には
複数の光センサ部12(図では代表して一つの光センサ
部を示す)が形成されている。各光センサ部12上に
は、透光性の絶縁膜13を介して上記図3により説明し
たと同様の液晶レンズ41が形成されている。上記液晶
レンズ41の第1の透明電極43と第2の透明電極45
とには、電圧可変電源16が接続されている。上記液晶
レンズ41の上面には透光性の膜14が形成されてい
る。
【0024】さらに上記透光性の膜14の上面には液晶
セル51が形成されている。この液晶セル51は、上記
透光性の膜14の上面に形成した第3の透明電極52
と、第3の透明電極52の上面に形成した第2の液晶層
53と、この第2の液晶層53の上面に形成した第4の
透明電極54とよりなる。上記第2の液晶層53は、光
センサ部12上において例えば平凸レンズ形状に形成さ
れていて、上記液晶レンズ41の第1の液晶層44の配
向方向とは90°異なる配向方向を有する。上記第3の
透明電極47と第4の透明電極49とには、電圧可変電
源17が接続されている。上記の如くに、オンチップレ
ンズ構造の固体撮像素子2は形成されている。
セル51が形成されている。この液晶セル51は、上記
透光性の膜14の上面に形成した第3の透明電極52
と、第3の透明電極52の上面に形成した第2の液晶層
53と、この第2の液晶層53の上面に形成した第4の
透明電極54とよりなる。上記第2の液晶層53は、光
センサ部12上において例えば平凸レンズ形状に形成さ
れていて、上記液晶レンズ41の第1の液晶層44の配
向方向とは90°異なる配向方向を有する。上記第3の
透明電極47と第4の透明電極49とには、電圧可変電
源17が接続されている。上記の如くに、オンチップレ
ンズ構造の固体撮像素子2は形成されている。
【0025】上記固体撮像素子2では、集光レンズを液
晶レンズ41で形成したことにより、当該液晶レンズ4
1の屈折率を変えることが可能になる。このため、光セ
ンサ部12には適性な光量の光が照射される。また液晶
セル51を形成したことにより、第1の実施例で説明し
た偏光層(15)を用いた場合よりも透過率が2倍程度
向上するとともに、光センサ部12に集光される光量の
調節が広範囲な光強度に対して行うことが可能になる。
晶レンズ41で形成したことにより、当該液晶レンズ4
1の屈折率を変えることが可能になる。このため、光セ
ンサ部12には適性な光量の光が照射される。また液晶
セル51を形成したことにより、第1の実施例で説明し
た偏光層(15)を用いた場合よりも透過率が2倍程度
向上するとともに、光センサ部12に集光される光量の
調節が広範囲な光強度に対して行うことが可能になる。
【0026】次に第3の実施例を、図7の概略構成断面
図により説明する。図に示す構成部品のうち、上記第1
の実施例で説明した構成部品と同様のものには同一符号
を付す。
図により説明する。図に示す構成部品のうち、上記第1
の実施例で説明した構成部品と同様のものには同一符号
を付す。
【0027】図に示すように、半導体基板11には複数
の光センサ部12(図では代表して一つの光センサ部を
示す)が形成されている。各光センサ部12上には、透
光性の絶縁膜13を介して集光レンズになる液晶レンズ
61が形成されている。この液晶レンズ61は、上記透
光性の絶縁膜13の上面に形成した第1の透明電極62
と、上記第1の透明電極62上に液晶層63を介して形
成した第2の透明電極64とよりなる。この第2の透明
電極64の液晶層63側には、当該第2の透明電極64
と同質の材料よりなる環状凸部65が形成されている。
この環状凸部65の中心は光センサ部12の中心上方に
配置されている。上記液晶レンズ61の上面には透光性
の膜14が形成されている。さらに上記第1の透明電極
62と第2の透明電極64とには電圧可変電源16が接
続されている。上記の如くに、オンチップレンズ構造の
固体撮像素子3は形成されている。
の光センサ部12(図では代表して一つの光センサ部を
示す)が形成されている。各光センサ部12上には、透
光性の絶縁膜13を介して集光レンズになる液晶レンズ
61が形成されている。この液晶レンズ61は、上記透
光性の絶縁膜13の上面に形成した第1の透明電極62
と、上記第1の透明電極62上に液晶層63を介して形
成した第2の透明電極64とよりなる。この第2の透明
電極64の液晶層63側には、当該第2の透明電極64
と同質の材料よりなる環状凸部65が形成されている。
この環状凸部65の中心は光センサ部12の中心上方に
配置されている。上記液晶レンズ61の上面には透光性
の膜14が形成されている。さらに上記第1の透明電極
62と第2の透明電極64とには電圧可変電源16が接
続されている。上記の如くに、オンチップレンズ構造の
固体撮像素子3は形成されている。
【0028】上記各液晶レンズ61は異常光成分のみに
有効に作用するので、前記第1の実施例で説明したと同
様に、上記各液晶レンズ61の上方には、透光性の膜1
4を介して、異常光成分のみを透過させる性質の偏光層
15を設けることが好ましい。あるいは前記第2の実施
例で説明したと同様に、上記各液晶レンズ61の上方に
は、透光性の膜14を介して、異常光成分のみを透過さ
せる性質の液晶セル(図示せず)を設けることもでき
る。
有効に作用するので、前記第1の実施例で説明したと同
様に、上記各液晶レンズ61の上方には、透光性の膜1
4を介して、異常光成分のみを透過させる性質の偏光層
15を設けることが好ましい。あるいは前記第2の実施
例で説明したと同様に、上記各液晶レンズ61の上方に
は、透光性の膜14を介して、異常光成分のみを透過さ
せる性質の液晶セル(図示せず)を設けることもでき
る。
【0029】上記固体撮像素子3では、集光レンズを液
晶レンズ61で形成したことにより、液晶レンズ61に
印加する電圧を変化させることによって、第1,第2の
透明電極62,64間に軸対称状の電界を発生する。こ
のため、液晶層63の液晶分子の配向が変化して、液晶
層63の屈折率が同心円状に変化する。よって、液晶層
63にレンズ効果が生じる。すなわち、液晶レンズ61
の屈折率を変えることにより、光センサ部12には適性
な光量の光が照射される。
晶レンズ61で形成したことにより、液晶レンズ61に
印加する電圧を変化させることによって、第1,第2の
透明電極62,64間に軸対称状の電界を発生する。こ
のため、液晶層63の液晶分子の配向が変化して、液晶
層63の屈折率が同心円状に変化する。よって、液晶層
63にレンズ効果が生じる。すなわち、液晶レンズ61
の屈折率を変えることにより、光センサ部12には適性
な光量の光が照射される。
【0030】次に第4の実施例を、図8のシステム構成
図により説明する。図では、一例として、前記第1の実
施例の図1で説明した固体撮像素子1を搭載した撮影装
置4の液晶レンズ21の屈折率可変システム71を説明
する。図に示すように、撮影装置4の絞り81には、絞
り値に対応して液晶レンズ21の分子の配向方向を決定
する電圧設定器72が接続されている。上記電圧設定器
72には電圧可変電源73が接続されている。この電圧
可変電源73には、固体撮像素子1の液晶レンズ21の
第1の透明電極22と第2の透明電極24とが接続され
ている。
図により説明する。図では、一例として、前記第1の実
施例の図1で説明した固体撮像素子1を搭載した撮影装
置4の液晶レンズ21の屈折率可変システム71を説明
する。図に示すように、撮影装置4の絞り81には、絞
り値に対応して液晶レンズ21の分子の配向方向を決定
する電圧設定器72が接続されている。上記電圧設定器
72には電圧可変電源73が接続されている。この電圧
可変電源73には、固体撮像素子1の液晶レンズ21の
第1の透明電極22と第2の透明電極24とが接続され
ている。
【0031】次に上記屈折率可変システム71の作用を
説明する。上記電圧設定器72は、絞り81の絞り値を
読み取って、液晶レンズ21に印加する電圧値を電圧可
変電源73に指示する。上記電圧可変電源73は、電圧
設定器72によって指示された電圧値に基ついて、第1
の透明電極22と第2の透明電極24とに電圧を印加す
る。第1の透明電極22と第2の透明電極24とに電圧
が印加されると、液晶層23の液晶分子の配向が変化し
て、液晶層23の屈折率が変化する。このようにして、
絞り81の絞り値に連動して、液晶レンズ21の屈折率
を変えることが可能になる。この結果、絞り値に対応し
た受光量が固体撮像素子1の各光センサ部12に照射さ
れる。
説明する。上記電圧設定器72は、絞り81の絞り値を
読み取って、液晶レンズ21に印加する電圧値を電圧可
変電源73に指示する。上記電圧可変電源73は、電圧
設定器72によって指示された電圧値に基ついて、第1
の透明電極22と第2の透明電極24とに電圧を印加す
る。第1の透明電極22と第2の透明電極24とに電圧
が印加されると、液晶層23の液晶分子の配向が変化し
て、液晶層23の屈折率が変化する。このようにして、
絞り81の絞り値に連動して、液晶レンズ21の屈折率
を変えることが可能になる。この結果、絞り値に対応し
た受光量が固体撮像素子1の各光センサ部12に照射さ
れる。
【0032】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の固体撮像
素子によれば、集光レンズを液晶レンズで形成したこと
により、集光レンズは屈折率を変えることができる。こ
のため、光センサ部には適性な光量の光が照射できる。
よって、固体撮像素子の感度の向上が図れる。また上記
撮影装置では、撮影装置の絞り値に対応して集光レンズ
の屈折率を変える屈折率可変システムを設けたので、絞
り値に対応した受光量を光センサ部に照射できる。よっ
て、被写体像の明暗に影響されることがなくなるので、
被写体像を適性露出な状態に撮影することができる。
素子によれば、集光レンズを液晶レンズで形成したこと
により、集光レンズは屈折率を変えることができる。こ
のため、光センサ部には適性な光量の光が照射できる。
よって、固体撮像素子の感度の向上が図れる。また上記
撮影装置では、撮影装置の絞り値に対応して集光レンズ
の屈折率を変える屈折率可変システムを設けたので、絞
り値に対応した受光量を光センサ部に照射できる。よっ
て、被写体像の明暗に影響されることがなくなるので、
被写体像を適性露出な状態に撮影することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施例の概略構成断面図である。
【図2】第1の実施例におけるF値と入射光との関係を
説明する図である。
説明する図である。
【図3】第1の実施例におけるF値と入射光との関係を
説明する図である。
説明する図である。
【図4】別の液晶レンズを搭載した固体撮像素子の概略
構成断面図である。
構成断面図である。
【図5】第2の実施例の概略構成断面図である。
【図6】別の液晶セルを搭載した固体撮像素子の概略構
成断面図である。
成断面図である。
【図7】第3の実施例の概略構成断面図である。
【図8】第4の実施例の概略構成図である。
【図9】従来例の概略構成断面図である。
【図10】F値と入射光との関係を説明する図である。
【図11】F値と入射光との関係を説明する図である。
1 固体撮像素子 2 固体撮像素子 3 固体撮像素子 4 撮影装置 12 光センサ部 14 透光性の膜 15 偏光層 21 液晶レンズ 31 液晶レンズ 41 液晶レンズ 46 液晶セル 51 液晶セル 61 液晶レンズ 71 屈折率可変システ ム 81 絞り
Claims (4)
- 【請求項1】 複数の光センサ部を有するもので各光セ
ンサ部上に集光レンズを設けたオンチップレンズ構造の
固体撮像素子において、 前記各集光レンズを液晶レンズで形成したことを特徴と
するオンチップレンズ構造の固体撮像素子。 - 【請求項2】 請求項1記載のオンチップレンズ構造の
固体撮像素子において、 前記固体撮像素子に形成した各液晶レンズ上に偏光層を
設けたことを特徴とするオンチップレンズ構造の固体撮
像素子。 - 【請求項3】 請求項1記載のオンチップレンズ構造の
固体撮像素子において、 前記固体撮像素子に形成した各液晶レンズ上に、透光性
の膜を介して、当該液晶レンズの液晶分子の配向方向と
直交する液晶分子の配向方向を有する液晶セルを設けた
ことを特徴とするオンチップレンズ構造の固体撮像素
子。 - 【請求項4】 請求項1,請求項2または請求項3記載
のオンチップレンズ構造の固体撮像素子を搭載した撮影
装置であって、 撮影装置の絞り値に対応して前記オンチップレンズ構造
の固体撮像素子の各液晶レンズに印加する電圧値を決定
し、当該電圧値の電圧を各液晶レンズに印加する屈折率
可変システムを備えたことを特徴とする撮影装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4148590A JPH05326903A (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | オンチップレンズ構造の固体撮像素子および撮影装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4148590A JPH05326903A (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | オンチップレンズ構造の固体撮像素子および撮影装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05326903A true JPH05326903A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15456157
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4148590A Pending JPH05326903A (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | オンチップレンズ構造の固体撮像素子および撮影装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05326903A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001332711A (ja) * | 2000-05-18 | 2001-11-30 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
WO2001069651A3 (en) * | 2000-03-17 | 2002-08-08 | Symagery Microsystems Inc | Cmos imager frame capture |
JP2006324934A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Nikon Corp | 固体撮像装置 |
JP2006344752A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置及びそれを用いたカメラ |
JP2010009584A (ja) * | 2008-05-29 | 2010-01-14 | Sony Corp | 表示装置 |
KR100949000B1 (ko) * | 2007-12-21 | 2010-03-23 | 주식회사 동부하이텍 | Cmos 이미지 센서 |
US7968888B2 (en) | 2005-06-08 | 2011-06-28 | Panasonic Corporation | Solid-state image sensor and manufacturing method thereof |
-
1992
- 1992-05-15 JP JP4148590A patent/JPH05326903A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001069651A3 (en) * | 2000-03-17 | 2002-08-08 | Symagery Microsystems Inc | Cmos imager frame capture |
JP2001332711A (ja) * | 2000-05-18 | 2001-11-30 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2006324934A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Nikon Corp | 固体撮像装置 |
JP2006344752A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置及びそれを用いたカメラ |
US7968888B2 (en) | 2005-06-08 | 2011-06-28 | Panasonic Corporation | Solid-state image sensor and manufacturing method thereof |
JP4713953B2 (ja) * | 2005-06-08 | 2011-06-29 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及びそれを用いたカメラ |
KR100949000B1 (ko) * | 2007-12-21 | 2010-03-23 | 주식회사 동부하이텍 | Cmos 이미지 센서 |
JP2010009584A (ja) * | 2008-05-29 | 2010-01-14 | Sony Corp | 表示装置 |
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