JPH05221704A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH05221704A JPH05221704A JP4069047A JP6904792A JPH05221704A JP H05221704 A JPH05221704 A JP H05221704A JP 4069047 A JP4069047 A JP 4069047A JP 6904792 A JP6904792 A JP 6904792A JP H05221704 A JPH05221704 A JP H05221704A
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- Japan
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- porcelain
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- ceramic
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低温で焼成することができ、誘電率が大きく
しかも機械的強度に優れた磁器を得ることができる、誘
電体磁器組成物を提供する。 【構成】 この誘電体磁器組成物は、Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎ
ｂ2/3 ）Ｏ3 −ＰｂＴｉＯ3 を５０モル％以上含有した
鉛系複合ペロブスカイト誘電体磁器組成物において、一
般式Ａ（Ｂy Ｂ′1-y ）Ｏ3 で表したときに、ＡがＰｂ
であり、ＢおよびＢ′が同じまたは異なる２〜６価の金
属であり、（Ｂy Ｂ′1-y ）が４価であり、Ａ／Ｂの値
が０．９９〜１．００である組成物に、ＳｉをＳｉＯ2
に換算して重量比で１００〜２００００ｐｐｍ含有し
た、誘電体磁器組成物である。
しかも機械的強度に優れた磁器を得ることができる、誘
電体磁器組成物を提供する。 【構成】 この誘電体磁器組成物は、Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎ
ｂ2/3 ）Ｏ3 −ＰｂＴｉＯ3 を５０モル％以上含有した
鉛系複合ペロブスカイト誘電体磁器組成物において、一
般式Ａ（Ｂy Ｂ′1-y ）Ｏ3 で表したときに、ＡがＰｂ
であり、ＢおよびＢ′が同じまたは異なる２〜６価の金
属であり、（Ｂy Ｂ′1-y ）が４価であり、Ａ／Ｂの値
が０．９９〜１．００である組成物に、ＳｉをＳｉＯ2
に換算して重量比で１００〜２００００ｐｐｍ含有し
た、誘電体磁器組成物である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は誘電体磁器組成物に関
し、特に鉛を主成分とし、たとえば積層磁器コンデンサ
の誘電体材料に用いられる、誘電体磁器組成物に関す
る。
し、特に鉛を主成分とし、たとえば積層磁器コンデンサ
の誘電体材料に用いられる、誘電体磁器組成物に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来から、高誘電率磁器コンデンサの誘
電体材料として、ＢａＴｉＯ3 を主体としこれにシフタ
ーとしてＣａＴｉＯ3 ，ＢａＳｎＯ3 ，ＣａＺｒＯ3 ，
ＳｒＴｉＯ3 などを添加した磁器組成物が使用されてき
た。これらの磁器組成物からなる磁器は、室温での誘電
率が２０００〜１５０００と高い。しかしながら、これ
らの磁器組成物は、その焼成温度がいずれも１３００℃
〜１４００℃と高い欠点を有していた。そのため、それ
らの磁器組成物は、焼成コストが高くつく。さらに、そ
れらの磁器組成物を積層磁器コンデンサに用いる場合に
は、それらの磁器組成物からなるセラミックグリーンシ
ート上に電極材料を予め形成したものが複数重ねてから
焼成されるので、電極材料としては、１３００℃以上の
高温で溶融したり酸化したり誘電体と反応したりするこ
とのない、たとえば白金やパラジウムなどの高融点の貴
金属類を用いなければならなかった。
電体材料として、ＢａＴｉＯ3 を主体としこれにシフタ
ーとしてＣａＴｉＯ3 ，ＢａＳｎＯ3 ，ＣａＺｒＯ3 ，
ＳｒＴｉＯ3 などを添加した磁器組成物が使用されてき
た。これらの磁器組成物からなる磁器は、室温での誘電
率が２０００〜１５０００と高い。しかしながら、これ
らの磁器組成物は、その焼成温度がいずれも１３００℃
〜１４００℃と高い欠点を有していた。そのため、それ
らの磁器組成物は、焼成コストが高くつく。さらに、そ
れらの磁器組成物を積層磁器コンデンサに用いる場合に
は、それらの磁器組成物からなるセラミックグリーンシ
ート上に電極材料を予め形成したものが複数重ねてから
焼成されるので、電極材料としては、１３００℃以上の
高温で溶融したり酸化したり誘電体と反応したりするこ
とのない、たとえば白金やパラジウムなどの高融点の貴
金属類を用いなければならなかった。
【０００３】上述の欠点を解決するために、低温で焼成
が可能な鉛を主体とした鉛系複合ペロブスカイト誘電体
磁器組成物の研究がなされている。鉛系複合ペロブスカ
イト誘電体磁器組成物においては、焼成温度が１０５０
℃以下で比誘電率が１００００以上になる磁器組成物
が、既に知られている。また、鉛系複合ペロブスカイト
誘電体磁器組成物に過剰の鉛を加えると、高誘電率が得
られ、直流バイアス特性が向上することが知られてい
る。
が可能な鉛を主体とした鉛系複合ペロブスカイト誘電体
磁器組成物の研究がなされている。鉛系複合ペロブスカ
イト誘電体磁器組成物においては、焼成温度が１０５０
℃以下で比誘電率が１００００以上になる磁器組成物
が、既に知られている。また、鉛系複合ペロブスカイト
誘電体磁器組成物に過剰の鉛を加えると、高誘電率が得
られ、直流バイアス特性が向上することが知られてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の鉛を主成分とした磁器組成物は、それを積層磁器コン
デンサに用いた場合、機械的強度が小さく、割れたり欠
けたりクラックが発生したりしやすいという不都合を有
する。特に、鉛を過剰に加えた磁器組成物では、機械的
強度がさらに小さくなる。また、積層磁器コンデンサ中
にクラックやボイドが生じると、空気中の水分が内部に
浸透し、コンデンサの信頼性を大きく低下させる原因と
なる。特に、鉛を主成分とした磁器組成物を用いた積層
磁器コンデンサでは、大容量を得るためには、形状が大
きくなるので、機械的ストレスおよび熱的ストレスの影
響が大きくなる。したがって、積層磁器コンデンサにお
いて、その機械的強度の向上が望まれている。
の鉛を主成分とした磁器組成物は、それを積層磁器コン
デンサに用いた場合、機械的強度が小さく、割れたり欠
けたりクラックが発生したりしやすいという不都合を有
する。特に、鉛を過剰に加えた磁器組成物では、機械的
強度がさらに小さくなる。また、積層磁器コンデンサ中
にクラックやボイドが生じると、空気中の水分が内部に
浸透し、コンデンサの信頼性を大きく低下させる原因と
なる。特に、鉛を主成分とした磁器組成物を用いた積層
磁器コンデンサでは、大容量を得るためには、形状が大
きくなるので、機械的ストレスおよび熱的ストレスの影
響が大きくなる。したがって、積層磁器コンデンサにお
いて、その機械的強度の向上が望まれている。
【０００５】それゆえに、この発明の主たる目的は、低
温で焼成することができ、誘電率が大きくしかも機械的
強度に優れた磁器を得ることができる、誘電体磁器組成
物を提供することである。
温で焼成することができ、誘電率が大きくしかも機械的
強度に優れた磁器を得ることができる、誘電体磁器組成
物を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、Ｐｂ（Ｍｇ
1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 −ＰｂＴｉＯ3 を５０モル％以上含
有した鉛系複合ペロブスカイト誘電体磁器組成物におい
て、一般式Ａ（Ｂy Ｂ′1-y ）Ｏ3 で表したときに、Ａ
がＰｂであり、ＢおよびＢ′が同じまたは異なる２〜６
価の金属であり、（Ｂy Ｂ′1-y ）が４価であり、Ａ／
Ｂの値が０．９９〜１．００である組成物に、ＳｉをＳ
ｉＯ2 に換算して重量比で１００〜２００００ｐｐｍ含
有した、誘電体磁器組成物である。
1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 −ＰｂＴｉＯ3 を５０モル％以上含
有した鉛系複合ペロブスカイト誘電体磁器組成物におい
て、一般式Ａ（Ｂy Ｂ′1-y ）Ｏ3 で表したときに、Ａ
がＰｂであり、ＢおよびＢ′が同じまたは異なる２〜６
価の金属であり、（Ｂy Ｂ′1-y ）が４価であり、Ａ／
Ｂの値が０．９９〜１．００である組成物に、ＳｉをＳ
ｉＯ2 に換算して重量比で１００〜２００００ｐｐｍ含
有した、誘電体磁器組成物である。
【０００７】
【発明の効果】この発明によれば、９００℃〜１１００
℃以下の低温で焼成することができ、誘電率が１０００
０以上と大きくしかも機械的強度に優れた磁器を得るこ
とができる、誘電体磁器組成物が得られる。
℃以下の低温で焼成することができ、誘電率が１０００
０以上と大きくしかも機械的強度に優れた磁器を得るこ
とができる、誘電体磁器組成物が得られる。
【０００８】したがって、この発明にかかる誘電体磁器
組成物を用いれば、積層磁器コンデンサの電極材料とし
て、比較的安価な銀や銀合金を用いることができる。し
かも、この発明にかかる誘電体磁器組成物を用いれば、
機械的強度に優れた積層磁器コンデンサが得られる。
組成物を用いれば、積層磁器コンデンサの電極材料とし
て、比較的安価な銀や銀合金を用いることができる。し
かも、この発明にかかる誘電体磁器組成物を用いれば、
機械的強度に優れた積層磁器コンデンサが得られる。
【０００９】また、この発明にかかる誘電体磁器組成物
を用いれば、絶縁抵抗値が高く、高温での信頼性に優れ
た磁器コンデンサが得られる。
を用いれば、絶縁抵抗値が高く、高温での信頼性に優れ
た磁器コンデンサが得られる。
【００１０】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【００１１】
実施例１ 出発原料として工業用のＰｂＯ，ＭｇＯ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，
ＴｉＯ2 およびＺｎＯを用い、表１に示す組成比の磁器
組成物が最終的に得られるように各原料を秤量した。な
お、表１中、Ａ／Ｂは、Ｐｂと、Ｔｉ，（Ｍｇ1/3 Ｎｂ
2/3 ）および（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）との比の値である。
また、表１中、＊を付したものは、この発明の比較例で
あり、この発明の範囲外である。
ＴｉＯ2 およびＺｎＯを用い、表１に示す組成比の磁器
組成物が最終的に得られるように各原料を秤量した。な
お、表１中、Ａ／Ｂは、Ｐｂと、Ｔｉ，（Ｍｇ1/3 Ｎｂ
2/3 ）および（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）との比の値である。
また、表１中、＊を付したものは、この発明の比較例で
あり、この発明の範囲外である。
【００１２】
【表１】
【００１３】各秤量原料を１００ｇとし、混合した後、
７００℃で２時間仮焼し、ボールミルで粉砕した。この
粉砕した混合物に表１に示す割合でＳｉＯ2 を添加し、
再度ボールミルで湿式混合した後、水分を蒸発させて、
磁器原料粉末を得た。
７００℃で２時間仮焼し、ボールミルで粉砕した。この
粉砕した混合物に表１に示す割合でＳｉＯ2 を添加し、
再度ボールミルで湿式混合した後、水分を蒸発させて、
磁器原料粉末を得た。
【００１４】上記の磁器原料粉末にポリビニルブチラー
ル系バインダーおよびエタノールなどの有機バインダー
を加えてからボールミルで湿式混合して、セラミックス
ラリーを調整した。その後、セラミックスラリーをドク
ターブレード法によってシート状に成形して、厚み２０
μｍの矩形のセラミックグリーンシートを得た。次に、
得られたセラミックグリーンシート上に銀を主成分とす
る導電ペーストを印刷して、内部電極を構成するための
導電ペースト層を形成した。
ル系バインダーおよびエタノールなどの有機バインダー
を加えてからボールミルで湿式混合して、セラミックス
ラリーを調整した。その後、セラミックスラリーをドク
ターブレード法によってシート状に成形して、厚み２０
μｍの矩形のセラミックグリーンシートを得た。次に、
得られたセラミックグリーンシート上に銀を主成分とす
る導電ペーストを印刷して、内部電極を構成するための
導電ペースト層を形成した。
【００１５】そして、導電ペースト層が形成されたセラ
ミックグリーンシートを複数枚積層して、積層体を得
た。
ミックグリーンシートを複数枚積層して、積層体を得
た。
【００１６】それから、得られた積層体を、空気中で表
２に示す温度で２時間焼成して、磁器焼結体を得た。な
お、表２中、＊を付したものは、この発明の比較例であ
り、この発明の範囲外である。
２に示す温度で２時間焼成して、磁器焼結体を得た。な
お、表２中、＊を付したものは、この発明の比較例であ
り、この発明の範囲外である。
【００１７】
【表２】
【００１８】得られた磁器焼結体の両端面に、それぞ
れ、銀からなる電極材料を塗布して空気中で７５０℃の
温度で焼き付け、内部電極に電気的に接続された外部電
極を形成して、試料となる積層磁器コンデンサを得た。
れ、銀からなる電極材料を塗布して空気中で７５０℃の
温度で焼き付け、内部電極に電気的に接続された外部電
極を形成して、試料となる積層磁器コンデンサを得た。
【００１９】試料となる積層磁器コンデンサ外径寸法
は、幅が１．６ｍｍで、長さが３．２ｍｍで、厚みが
１．２ｍｍであり、内部電極間の誘電体磁器層の厚みが
１３μｍであった。また、有効な誘電体磁器層の総数は
１０層であり、１層あたりの対向面積は２．１ｍｍ2 で
あった。
は、幅が１．６ｍｍで、長さが３．２ｍｍで、厚みが
１．２ｍｍであり、内部電極間の誘電体磁器層の厚みが
１３μｍであった。また、有効な誘電体磁器層の総数は
１０層であり、１層あたりの対向面積は２．１ｍｍ2 で
あった。
【００２０】これらの試料について、外部電極間に自動
ブリッジ式測定機で１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓの電圧を印加
して、２０℃における静電容量Ｃおよび誘電損失ｔａｎ
δを測定した。そして、静電容量Ｃなどから誘電率εを
求めた。
ブリッジ式測定機で１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓの電圧を印加
して、２０℃における静電容量Ｃおよび誘電損失ｔａｎ
δを測定した。そして、静電容量Ｃなどから誘電率εを
求めた。
【００２１】さらに、これらの試料について、−２５℃
および８０℃における静電容量をそれぞれ測定し、２０
℃における静電容量Ｃを基準とした−２５℃および８０
℃における静電容量の変化率Ｔｃｃ（％）をそれぞれ求
めた。
および８０℃における静電容量をそれぞれ測定し、２０
℃における静電容量Ｃを基準とした−２５℃および８０
℃における静電容量の変化率Ｔｃｃ（％）をそれぞれ求
めた。
【００２２】次に、これらの試料について、外部電極間
に絶縁抵抗計で１６Ｖの電圧を２分間印加して、２０℃
における絶縁抵抗Ｒを測定した。そして、後述の耐湿試
験前における静電容量Ｃと絶縁抵抗Ｒとの積、すなわち
ＣＲ積を求めた。
に絶縁抵抗計で１６Ｖの電圧を２分間印加して、２０℃
における絶縁抵抗Ｒを測定した。そして、後述の耐湿試
験前における静電容量Ｃと絶縁抵抗Ｒとの積、すなわち
ＣＲ積を求めた。
【００２３】さらに、これらの試料について、温度８０
℃、湿度９５％の雰囲気中で１０００時間の耐湿試験を
行ってから、耐湿試験後における静電容量Ｃおよび絶縁
抵抗Ｒを測定し、耐湿試験後におけるＣＲ積を求めた。
℃、湿度９５％の雰囲気中で１０００時間の耐湿試験を
行ってから、耐湿試験後における静電容量Ｃおよび絶縁
抵抗Ｒを測定し、耐湿試験後におけるＣＲ積を求めた。
【００２４】また、これらの試料について、抗折強度を
図１に示す抗折強度測定装置１０を用いて測定した。図
１において、１２は試料である被試験積層磁器コンデン
サであり、１４は試料保持台である。試料保持台１４上
に置かれた積層磁器コンデンサ１２は、加圧ピン１６に
よって加圧される。そして、加圧された圧力が、置き針
付きテンションゲージ１８によって表示される。この測
定に際して、試料保持台１４の治具の間隔は２ｍｍとし
た。
図１に示す抗折強度測定装置１０を用いて測定した。図
１において、１２は試料である被試験積層磁器コンデン
サであり、１４は試料保持台である。試料保持台１４上
に置かれた積層磁器コンデンサ１２は、加圧ピン１６に
よって加圧される。そして、加圧された圧力が、置き針
付きテンションゲージ１８によって表示される。この測
定に際して、試料保持台１４の治具の間隔は２ｍｍとし
た。
【００２５】以上の結果を表２に示す。
【００２６】実施例２ 純度９９．９％以上のＰｂＯ，ＮｉＯ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，Ｔ
ｉＯ2 ，ＺｎＯ，ＷＯ3 およびＭｇＯを出発原料とし、
表３に示す組成比の磁器組成物が最終的に得られるよう
に各原料を秤量した。なお、表３中、Ａ／Ｂは、Ｐｂ
と、Ｔｉ，（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ），（Ｎｉ1/3 Ｎ
ｂ2/3 ）および（Ｚｎ1/2 Ｗ1/2 ）との比の値である。
また、表３中、＊を付したものは、この発明の比較例で
あり、この発明の範囲外である。
ｉＯ2 ，ＺｎＯ，ＷＯ3 およびＭｇＯを出発原料とし、
表３に示す組成比の磁器組成物が最終的に得られるよう
に各原料を秤量した。なお、表３中、Ａ／Ｂは、Ｐｂ
と、Ｔｉ，（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ），（Ｎｉ1/3 Ｎ
ｂ2/3 ）および（Ｚｎ1/2 Ｗ1/2 ）との比の値である。
また、表３中、＊を付したものは、この発明の比較例で
あり、この発明の範囲外である。
【００２７】
【表３】
【００２８】各秤量原料を１００ｇとし、混合した後、
７５０℃で２時間仮焼し、ボールミルで粉砕した。この
粉砕した混合物に表３に示す割合でＳｉＯ2 を添加し、
再度ボールミルで湿式混合した後、水分を蒸発させて、
磁器原料粉末を得た。
７５０℃で２時間仮焼し、ボールミルで粉砕した。この
粉砕した混合物に表３に示す割合でＳｉＯ2 を添加し、
再度ボールミルで湿式混合した後、水分を蒸発させて、
磁器原料粉末を得た。
【００２９】上記の磁器原料粉末にポリビニルブチラー
ル系バインダーおよびエタノールなどの有機バインダー
を加えてからボールミルで湿式混合して、セラミックス
ラリーを調整した。その後、セラミックスラリーをドク
ターブレード法によってシート状に成形して、厚み２０
μｍの矩形のセラミックグリーンシートを得た。次に、
得られたセラミックグリーンシート上に銀を主成分とす
る導電ペーストを印刷して、内部電極を構成するための
導電ペースト層を形成した。
ル系バインダーおよびエタノールなどの有機バインダー
を加えてからボールミルで湿式混合して、セラミックス
ラリーを調整した。その後、セラミックスラリーをドク
ターブレード法によってシート状に成形して、厚み２０
μｍの矩形のセラミックグリーンシートを得た。次に、
得られたセラミックグリーンシート上に銀を主成分とす
る導電ペーストを印刷して、内部電極を構成するための
導電ペースト層を形成した。
【００３０】そして、導電ペースト層が形成されたセラ
ミックグリーンシートを複数枚積層して、積層体を得
た。
ミックグリーンシートを複数枚積層して、積層体を得
た。
【００３１】それから、得られた積層体を、空気中で表
４に示す温度で２時間焼成して、磁器焼結体を得た。な
お、表４中、＊を付したものは、この発明の比較例であ
り、この発明の範囲外である。
４に示す温度で２時間焼成して、磁器焼結体を得た。な
お、表４中、＊を付したものは、この発明の比較例であ
り、この発明の範囲外である。
【００３２】
【表４】
【００３３】得られた磁器焼結体の両端面に、それぞ
れ、銀からなる電極材料を塗布して空気中で７５０℃の
温度で焼き付け、内部電極に電気的に接続された外部電
極を形成して、試料となる積層磁器コンデンサを得た。
れ、銀からなる電極材料を塗布して空気中で７５０℃の
温度で焼き付け、内部電極に電気的に接続された外部電
極を形成して、試料となる積層磁器コンデンサを得た。
【００３４】試料となる積層磁器コンデンサ外径寸法
は、幅が１．６ｍｍで、長さが３．２ｍｍで、厚みが
１．２ｍｍであり、内部電極間の誘電体磁器層の厚みが
１３μｍであった。また、有効な誘電体磁器層の総数は
１０層であり、１層あたりの対向面積は２．１ｍｍ2 で
あった。
は、幅が１．６ｍｍで、長さが３．２ｍｍで、厚みが
１．２ｍｍであり、内部電極間の誘電体磁器層の厚みが
１３μｍであった。また、有効な誘電体磁器層の総数は
１０層であり、１層あたりの対向面積は２．１ｍｍ2 で
あった。
【００３５】これらの試料について、実施例１と同様に
して、誘電率ε、誘電体損失ｔａｎδ、２０℃における
静電容量を基準とした−２５℃および８０℃における静
電容量の変化率Ｔｃｃ、耐湿試験前後におけるＣＲ積、
および抗析強度を求めた。
して、誘電率ε、誘電体損失ｔａｎδ、２０℃における
静電容量を基準とした−２５℃および８０℃における静
電容量の変化率Ｔｃｃ、耐湿試験前後におけるＣＲ積、
および抗析強度を求めた。
【００３６】以上の結果を表４に示す。
【００３７】表２および表４の結果から明らかなよう
に、この発明の範囲内の誘電体磁器組成物は、焼成温度
が１１００℃以下と低温で焼成することができる。しか
も、この発明の範囲内の誘電体磁器組成物からなる磁器
は、誘電率が１００００以上と高く、優れた耐湿性を示
し、しかも機械的強度に優れていることがわかる。
に、この発明の範囲内の誘電体磁器組成物は、焼成温度
が１１００℃以下と低温で焼成することができる。しか
も、この発明の範囲内の誘電体磁器組成物からなる磁器
は、誘電率が１００００以上と高く、優れた耐湿性を示
し、しかも機械的強度に優れていることがわかる。
【００３８】しかしながら、この発明の範囲外では、次
のような特性を示すことが分かる。
のような特性を示すことが分かる。
【００３９】試料番号６および１６のようにＡ／Ｂの値
が０．９９未満であると、焼成温度が１１００℃を超
え、誘電率も低下する。試料番号７および１７のように
Ａ／Ｂの値が１．００を超えると、焼成温度は低下する
が、抗折強度が極端に低下する。試料番号８，９，１８
および１９のようにＳｉＯ2 の添加量が１００ｐｐｍ未
満になると、抗折強度および耐湿性がともに低下する。
試料番号１０および２０のようにＳｉＯ2 の添加量が２
００００ｐｐｍを超える場合には、抗折強度が高くなる
が、誘電率（ε）が１００００以下になる。
が０．９９未満であると、焼成温度が１１００℃を超
え、誘電率も低下する。試料番号７および１７のように
Ａ／Ｂの値が１．００を超えると、焼成温度は低下する
が、抗折強度が極端に低下する。試料番号８，９，１８
および１９のようにＳｉＯ2 の添加量が１００ｐｐｍ未
満になると、抗折強度および耐湿性がともに低下する。
試料番号１０および２０のようにＳｉＯ2 の添加量が２
００００ｐｐｍを超える場合には、抗折強度が高くなる
が、誘電率（ε）が１００００以下になる。
【００４０】以上のように、この発明にかかる誘電体磁
器組成物を用いた積層磁器コンデンサは、誘電体層を形
成する磁器の誘電率が１００００以上の値を示し、ま
た、焼成温度が低いため内部電極の材料として比較的安
価な銀や銀合金を用いることができ、しかも、絶縁抵抗
が高く、機械的強度に優れ、高温度での信頼性に優れ
る。
器組成物を用いた積層磁器コンデンサは、誘電体層を形
成する磁器の誘電率が１００００以上の値を示し、ま
た、焼成温度が低いため内部電極の材料として比較的安
価な銀や銀合金を用いることができ、しかも、絶縁抵抗
が高く、機械的強度に優れ、高温度での信頼性に優れ
る。
【図１】試料の抗析強度を測定するための抗析強度測定
装置を示す図解図である。
装置を示す図解図である。
１０ 抗析強度測定装置 １２ 積層磁器コンデンサ １４ 試料保持台 １６ 加圧ピン １８ 置き針付テンションゲージ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂 部 行 雄 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 −ＰｂＴ
ｉＯ3 を５０モル％以上含有した鉛系複合ペロブスカイ
ト誘電体磁器組成物において、 一般式Ａ（Ｂy Ｂ′1-y ）Ｏ3 で表したときに、ＡがＰ
ｂであり、ＢおよびＢ′が同じまたは異なる２〜６価の
金属であり、（Ｂy Ｂ′1-y ）が４価であり、Ａ／Ｂの
値が０．９９〜１．００である組成物に、ＳｉをＳｉＯ
2 に換算して重量比で１００〜２００００ｐｐｍ含有し
たことを特徴とする、誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06904792A JP3468245B2 (ja) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06904792A JP3468245B2 (ja) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05221704A true JPH05221704A (ja) | 1993-08-31 |
| JP3468245B2 JP3468245B2 (ja) | 2003-11-17 |
Family
ID=13391280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06904792A Expired - Lifetime JP3468245B2 (ja) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3468245B2 (ja) |
-
1992
- 1992-02-17 JP JP06904792A patent/JP3468245B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3468245B2 (ja) | 2003-11-17 |
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