JPH05197148A - 感光性ポリアミック・アルキル・エステル組成物およびその使用方法 - Google Patents
感光性ポリアミック・アルキル・エステル組成物およびその使用方法Info
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- JPH05197148A JPH05197148A JP4206386A JP20638692A JPH05197148A JP H05197148 A JPH05197148 A JP H05197148A JP 4206386 A JP4206386 A JP 4206386A JP 20638692 A JP20638692 A JP 20638692A JP H05197148 A JPH05197148 A JP H05197148A
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- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、基板上にポリイミドの画像を形成
するための感光性ネガおよびポジ階調組成物を提供する
ことを目的とする。 【構成】 本発明の感光性ネガ階調組成物は、ポリアミ
ック アルキル エステルおよび感光性塩基発生剤を含
む。本発明の感光性ポジ階調生成物は、ポリアミック
アルキル エステル塩基もしくは塩基前駆体および感光
性酸発生剤を含む。
するための感光性ネガおよびポジ階調組成物を提供する
ことを目的とする。 【構成】 本発明の感光性ネガ階調組成物は、ポリアミ
ック アルキル エステルおよび感光性塩基発生剤を含
む。本発明の感光性ポジ階調生成物は、ポリアミック
アルキル エステル塩基もしくは塩基前駆体および感光
性酸発生剤を含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上にポリイミドの
画像を形成するための感光性ネガおよびポジ階調組成物
に関する。この組成物は集積回路形成における誘電絶縁
材料として有用である。
画像を形成するための感光性ネガおよびポジ階調組成物
に関する。この組成物は集積回路形成における誘電絶縁
材料として有用である。
【０００２】
【従来の技術】ポリイミドが、チップ（例えば配線を有
するチップ後部）を含む集積回路、薄膜パッケージおよ
び印刷回路板の製造において使用されていることは、業
界に公知である。ポリイミドは、誘電体中間層、パッシ
ベーション層、α粒子バリアおよびストレスバッファの
形成に有用である。感光性ポリイミドは、マルチチップ
モジュール上のチップを接続する導体配線を絶縁するた
めの層間絶縁材料として特に有用である。これは、薄膜
配線として公知である。マルチチップモジュールは、チ
ップと回路基板間の実装の中間レベルのものである。マ
ルチチップモジュールは、業界公知である。マルチチッ
プモジュールは、多重出力層、信号面および接地面から
構成されており、これは電力をチップに送り、次いでモ
ジュール上のチップ間に入力（又は出力）信号を分配す
るか、又は回路基板へ（又はから）該信号を分配する。
するチップ後部）を含む集積回路、薄膜パッケージおよ
び印刷回路板の製造において使用されていることは、業
界に公知である。ポリイミドは、誘電体中間層、パッシ
ベーション層、α粒子バリアおよびストレスバッファの
形成に有用である。感光性ポリイミドは、マルチチップ
モジュール上のチップを接続する導体配線を絶縁するた
めの層間絶縁材料として特に有用である。これは、薄膜
配線として公知である。マルチチップモジュールは、チ
ップと回路基板間の実装の中間レベルのものである。マ
ルチチップモジュールは、業界公知である。マルチチッ
プモジュールは、多重出力層、信号面および接地面から
構成されており、これは電力をチップに送り、次いでモ
ジュール上のチップ間に入力（又は出力）信号を分配す
るか、又は回路基板へ（又はから）該信号を分配する。
【０００３】感光性ポリイミドは、又マルチモジュール
としてシリコン担体上の導体配線を絶縁するための絶縁
材料としても使用できる。感光性ポリイミドを用い、こ
れらの薄膜配線図に必要なポリイミドパターン形成のた
めの簡易な方法が得られる。以下の内容は重要である。
すなわち、パターン化されたポリイミドの最終特性が、
マルチモジュール形成においても使用される非感光性ポ
リイミドと比較して、著しく変わっていないということ
である。
としてシリコン担体上の導体配線を絶縁するための絶縁
材料としても使用できる。感光性ポリイミドを用い、こ
れらの薄膜配線図に必要なポリイミドパターン形成のた
めの簡易な方法が得られる。以下の内容は重要である。
すなわち、パターン化されたポリイミドの最終特性が、
マルチモジュール形成においても使用される非感光性ポ
リイミドと比較して、著しく変わっていないということ
である。
【０００４】マルチチップモジュール内の導体配線に対
する絶縁中間層として有用な感光性ポリイミドは、業界
公知である。クレイグによる、「ポリイミド コーティ
ング」（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｈ
ａｎｄｂｏｏｋ，第１巻）には、ネガ階調感光性ポリア
ミック酸エステルが記載されており、このエステル部分
は、ポリマー骨格に共有結合しており、更にアクリレー
ト又はメタクリレートの形態の不飽和結合を有してい
る。露光すると、これらの基は適当なフォトパッケージ
（光開始剤および増感剤）と一緒になって、遊離基機構
を介して架橋し、露光および未露光領域間で溶解性の相
違を形成する。引き続き適当な溶剤系で現像し、次いで
適当な硬化によりネガ階調に画像形成されたポリイミド
絶縁中間層を形成する。しかし、硬化中に未露光領域内
のフォトパッケージの成分が揮発し、ポリイミド中間層
の過剰収縮をもたらす。
する絶縁中間層として有用な感光性ポリイミドは、業界
公知である。クレイグによる、「ポリイミド コーティ
ング」（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｈ
ａｎｄｂｏｏｋ，第１巻）には、ネガ階調感光性ポリア
ミック酸エステルが記載されており、このエステル部分
は、ポリマー骨格に共有結合しており、更にアクリレー
ト又はメタクリレートの形態の不飽和結合を有してい
る。露光すると、これらの基は適当なフォトパッケージ
（光開始剤および増感剤）と一緒になって、遊離基機構
を介して架橋し、露光および未露光領域間で溶解性の相
違を形成する。引き続き適当な溶剤系で現像し、次いで
適当な硬化によりネガ階調に画像形成されたポリイミド
絶縁中間層を形成する。しかし、硬化中に未露光領域内
のフォトパッケージの成分が揮発し、ポリイミド中間層
の過剰収縮をもたらす。
【０００５】ヨダ等（「新規な感光性高温ポリマー（Ｎ
ｅｗ Ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｅ Ｈｉｇｈ Ｔｅ
ｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ ｆｏｒ Ｅｌ
ｅｃｔｒｉｃ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ）」、Ｊ．Ｍ
ａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｃｉ−Ｃｈｅｍ．，Ａ２１（１３お
よび１４），１６４１（１９８４））は、感光性基とし
てアンモニウム塩を配合することを含む同様の方法を開
示している。アンモニウム塩は、適当なポリ（アミック
酸）とアクレート又はメタクリレートの形で不飽和基を
有する第三アミンとの反応により形成される。しかし、
未露光領域の成分は、再びポリイミドの硬化中に揮発
し、一般的にポリイミドの過剰収縮を形成する。
ｅｗ Ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｅ Ｈｉｇｈ Ｔｅ
ｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ ｆｏｒ Ｅｌ
ｅｃｔｒｉｃ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ）」、Ｊ．Ｍ
ａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｃｉ−Ｃｈｅｍ．，Ａ２１（１３お
よび１４），１６４１（１９８４））は、感光性基とし
てアンモニウム塩を配合することを含む同様の方法を開
示している。アンモニウム塩は、適当なポリ（アミック
酸）とアクレート又はメタクリレートの形で不飽和基を
有する第三アミンとの反応により形成される。しかし、
未露光領域の成分は、再びポリイミドの硬化中に揮発
し、一般的にポリイミドの過剰収縮を形成する。
【０００６】Ｊ．ファイフェル等、「完全にイミド化さ
れた溶剤可溶性ポリイミドの直接光像形成（Ｄｉｒｅｃ
ｔ Ｐｈｏｔｏｉｍａｇｉｎｇ ｏｆ Ｆｕｌｌｙ Ｉ
ｍｉｄａｉｚｅｄ Ｓｏｌｖｅｎｔ−Ｓｏｌｕｂｌｅ
Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ）」，Ｐｒｏｃ．Ｓｅｃｏｎｄ
Ｉｎｔｅｒｎ．Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｐｏｌｙ
ｉｍｉｄｅｓ，エレンビル，ニューヨーク（１９８
５））は、露光すると架橋する基を有するような十分に
イミド化されたポリイミドをベースにした感光性ポリイ
ミドを開示している。露光すると、架橋反応はポリイミ
ドフィルム内で異なる溶解性をもたらし、次いでこのフ
ィルムは有機溶剤で現像できる。十分にイミド化された
感光性ポリイミド系は、現像パターンの収縮は少ないけ
れども、それらの系は熱的安定性、機械的性質、および
ポリイミドの溶解性に起因する溶剤誘発ストレス−クラ
ッキングの範囲で実際欠点を生じる。従って、集積回路
を製造するために用いる適当な感光性ポリイミド系に対
する必要性が未だ存在している。
れた溶剤可溶性ポリイミドの直接光像形成（Ｄｉｒｅｃ
ｔ Ｐｈｏｔｏｉｍａｇｉｎｇ ｏｆ Ｆｕｌｌｙ Ｉ
ｍｉｄａｉｚｅｄ Ｓｏｌｖｅｎｔ−Ｓｏｌｕｂｌｅ
Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ）」，Ｐｒｏｃ．Ｓｅｃｏｎｄ
Ｉｎｔｅｒｎ．Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｐｏｌｙ
ｉｍｉｄｅｓ，エレンビル，ニューヨーク（１９８
５））は、露光すると架橋する基を有するような十分に
イミド化されたポリイミドをベースにした感光性ポリイ
ミドを開示している。露光すると、架橋反応はポリイミ
ドフィルム内で異なる溶解性をもたらし、次いでこのフ
ィルムは有機溶剤で現像できる。十分にイミド化された
感光性ポリイミド系は、現像パターンの収縮は少ないけ
れども、それらの系は熱的安定性、機械的性質、および
ポリイミドの溶解性に起因する溶剤誘発ストレス−クラ
ッキングの範囲で実際欠点を生じる。従って、集積回路
を製造するために用いる適当な感光性ポリイミド系に対
する必要性が未だ存在している。
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、集積
回路を製造するために用いられる感光性ポリイミドを提
供することにある。
回路を製造するために用いられる感光性ポリイミドを提
供することにある。
【０００７】他の目的および利点は、以下の記載から明
らかであろう。
らかであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、ポリアミック
アルキル エステルおよび感光性塩基発生剤を含んで
なる感光性ネガ階調組成物に関する。露光すると、露光
領域内の感光性塩基発生剤は、遊離塩基を発生する。こ
れは、ポリアミック アルキル エステルを不溶性の、
部分イミド化ポリイミドにイミド化する触媒として作用
する。次いで、ネガ階調組成物は、当業者に公知の技
術、例えば適当な溶剤又は溶剤混合物を用い、溶解性の
相違に基づいて現像できる。
アルキル エステルおよび感光性塩基発生剤を含んで
なる感光性ネガ階調組成物に関する。露光すると、露光
領域内の感光性塩基発生剤は、遊離塩基を発生する。こ
れは、ポリアミック アルキル エステルを不溶性の、
部分イミド化ポリイミドにイミド化する触媒として作用
する。次いで、ネガ階調組成物は、当業者に公知の技
術、例えば適当な溶剤又は溶剤混合物を用い、溶解性の
相違に基づいて現像できる。
【０００９】本発明は又、ポリアミック アルキル エ
ステル塩基もしくは塩基前駆体および感光性酸発生剤を
含んでなる感光性ポジ階調組成物に関する。露光する
と、ポジ階調組成物中の感光性酸発生剤は、酸を発生
し、これはフィルムの露光領域内で塩基を捕捉する。引
き続き、ポジ階調組成物を低温度に加熱すると、フィル
ムの未露光領域の部分イミド化が塩基触媒により生じ
る。次いで、ポジ階調組成物は、当業者に公知の技術に
より例えば適当な溶剤を用いて現像できる。
ステル塩基もしくは塩基前駆体および感光性酸発生剤を
含んでなる感光性ポジ階調組成物に関する。露光する
と、ポジ階調組成物中の感光性酸発生剤は、酸を発生
し、これはフィルムの露光領域内で塩基を捕捉する。引
き続き、ポジ階調組成物を低温度に加熱すると、フィル
ムの未露光領域の部分イミド化が塩基触媒により生じ
る。次いで、ポジ階調組成物は、当業者に公知の技術に
より例えば適当な溶剤を用いて現像できる。
【００１０】本発明は、又本発明の組成物を用い、ネガ
およびポジ階調像を形成する方法並びにこれらの方法を
用いて得られる集積回路にも関する。
およびポジ階調像を形成する方法並びにこれらの方法を
用いて得られる集積回路にも関する。
【００１１】
【実施例】本発明は、ポリアミック アルキル エステ
ルおよび感光性塩基発生剤、好ましくは感光性アミン発
生剤を含んでなるネガ階調組成物に関する。本発明は
又、ポリアミック アルキル エステル、感光性酸発生
剤および熱的に活性化された塩基又は熱的に発生する塩
基から選ばれる塩基起源を含んでなるポジ階調組成物に
も関する。
ルおよび感光性塩基発生剤、好ましくは感光性アミン発
生剤を含んでなるネガ階調組成物に関する。本発明は
又、ポリアミック アルキル エステル、感光性酸発生
剤および熱的に活性化された塩基又は熱的に発生する塩
基から選ばれる塩基起源を含んでなるポジ階調組成物に
も関する。
【００１２】露光すると、ネガ階調組成物中の感光性塩
基発生剤は、遊離塩基を発生する。これはポリアミック
アルキル エステルが不溶性の部分イミド化（１０〜
７０％）ポリイミドにイミド化する触媒として作用す
る。組成物を露光後、所望により、低温度に加熱して、
露光領域内での塩基触媒によるイミド化を加速すること
ができ、これによってより有効な現像が可能となる。次
いで、ネガ階調組成物は、当業者に公知の技術により、
例えば適当な極性溶剤、例えば極性の非プロトン性溶剤
を用いて現像することができる。
基発生剤は、遊離塩基を発生する。これはポリアミック
アルキル エステルが不溶性の部分イミド化（１０〜
７０％）ポリイミドにイミド化する触媒として作用す
る。組成物を露光後、所望により、低温度に加熱して、
露光領域内での塩基触媒によるイミド化を加速すること
ができ、これによってより有効な現像が可能となる。次
いで、ネガ階調組成物は、当業者に公知の技術により、
例えば適当な極性溶剤、例えば極性の非プロトン性溶剤
を用いて現像することができる。
【００１３】露光すると、ポジ階調組成物中の感光性酸
発生剤は、遊離酸を発生し、これはフィルムの露光領域
内で塩基を捕捉する。引き続き、ポジ階調組成物を低温
度で加熱すると、塩基の活性（又は発生）をもたらし次
いでフィルムの未露光領域のイミド化が塩基の触媒作用
によりおこる。次いで、ポジ階調組成物は、当業者に公
知の技術により例えば適当な極性溶剤、例えば極性の非
プロトン性溶剤を用いて現像することもできる。
発生剤は、遊離酸を発生し、これはフィルムの露光領域
内で塩基を捕捉する。引き続き、ポジ階調組成物を低温
度で加熱すると、塩基の活性（又は発生）をもたらし次
いでフィルムの未露光領域のイミド化が塩基の触媒作用
によりおこる。次いで、ポジ階調組成物は、当業者に公
知の技術により例えば適当な極性溶剤、例えば極性の非
プロトン性溶剤を用いて現像することもできる。
【００１４】本発明のポジ階調組成物の別の態様は、ポ
リアミック アルキル エステル、感光性塩基発生剤お
よび感光性酸発生剤を含んでなる。塩基発生剤および酸
発生剤は、それらが種々の光の周波数で感光性であるよ
うに選択される。ポジ階調像を形成する方法は、第一の
周波数でブランケット露光して遊離塩基を発生させ、第
二の周波数で露光して遊離酸を発生させ、次いで適当な
溶剤を用いて現像する工程を含む。あるいは又、他のプ
ロセスは、第一の周波数で露光して遊離酸を発生させ、
第二の周波数でブランケット露光して遊離塩基を発生さ
せ、次いで現像する工程を含む。この第二の手順は、活
性塩基および活性ポリアミックアルキル エステルに対
して好ましい。所望により、双方のプロセスは、現像を
促進するための露光後加熱工程を含む。
リアミック アルキル エステル、感光性塩基発生剤お
よび感光性酸発生剤を含んでなる。塩基発生剤および酸
発生剤は、それらが種々の光の周波数で感光性であるよ
うに選択される。ポジ階調像を形成する方法は、第一の
周波数でブランケット露光して遊離塩基を発生させ、第
二の周波数で露光して遊離酸を発生させ、次いで適当な
溶剤を用いて現像する工程を含む。あるいは又、他のプ
ロセスは、第一の周波数で露光して遊離酸を発生させ、
第二の周波数でブランケット露光して遊離塩基を発生さ
せ、次いで現像する工程を含む。この第二の手順は、活
性塩基および活性ポリアミックアルキル エステルに対
して好ましい。所望により、双方のプロセスは、現像を
促進するための露光後加熱工程を含む。
【００１５】本発明は又、基板上にポリイミドのネガお
よびポジ階調像を形成する方法にも関する。基板上にポ
リイミドのネガ階調像を形成する方法は、次の工程：
（ａ）ポリアミック アルキル エステルおよび感光性
塩基発生剤（これは好都合には有機溶剤中に溶解してい
る）を含んでなるフィルムで基板をコートする工程；
（ｂ）フィルムを放射線に像露光する工程；および
（ｃ）公知の技術、例えば溶剤を用いる処理により像を
現像する工程を含んでなる。このプロセスは、又好まし
くは現像を促進するための露光後加熱工程も含むであろ
う。基板上にポリイミドのポジ階調像を形成する方法
は、次の工程（ａ）ポリアミック アルキル エステ
ル、感光性酸発生剤および熱塩基発生剤もしくは熱活性
化塩基を含んでなるフィルムで基板をコートする工程；
（ｂ）フィルムを放射線に像露光する工程；（ｃ）フィ
ルムは約５０℃〜約２５０℃に加熱して該フィルムの未
露光領域内のポリアミック アルキル エステルの遊離
塩基および塩基触媒イミド化の発生（又は活性化）を生
ぜしめる工程；および（ｄ）公知の技術、例えば溶剤を
用いて像を現像する工程を含んでなる。
よびポジ階調像を形成する方法にも関する。基板上にポ
リイミドのネガ階調像を形成する方法は、次の工程：
（ａ）ポリアミック アルキル エステルおよび感光性
塩基発生剤（これは好都合には有機溶剤中に溶解してい
る）を含んでなるフィルムで基板をコートする工程；
（ｂ）フィルムを放射線に像露光する工程；および
（ｃ）公知の技術、例えば溶剤を用いる処理により像を
現像する工程を含んでなる。このプロセスは、又好まし
くは現像を促進するための露光後加熱工程も含むであろ
う。基板上にポリイミドのポジ階調像を形成する方法
は、次の工程（ａ）ポリアミック アルキル エステ
ル、感光性酸発生剤および熱塩基発生剤もしくは熱活性
化塩基を含んでなるフィルムで基板をコートする工程；
（ｂ）フィルムを放射線に像露光する工程；（ｃ）フィ
ルムは約５０℃〜約２５０℃に加熱して該フィルムの未
露光領域内のポリアミック アルキル エステルの遊離
塩基および塩基触媒イミド化の発生（又は活性化）を生
ぜしめる工程；および（ｄ）公知の技術、例えば溶剤を
用いて像を現像する工程を含んでなる。
【００１６】別の態様において、ポジ階調像を形成する
本発明の方法は、次の工程（ａ）ポリアミック アルキ
ル エステル、感光性酸発生剤および感光性塩基発生剤
を含んでなるフィルムで基板をコートする工程；（ｂ）
第一の周波数で放射線にフィルムを露光して遊離酸を発
生させる工程；（ｃ）第二の周波数で放射線にフィルム
をブランケット露光（又は広域帯の露光）して遊離塩基
を発生させる工程；および（ｄ）公知の技術により像を
現像する工程を含んでなる。工程（ｂ）および工程
（ｃ）の順序は、もちろん、逆にすることもできる。プ
ロセスは、所望により現像を促進するため露光後加熱工
程を含むこともできる。
本発明の方法は、次の工程（ａ）ポリアミック アルキ
ル エステル、感光性酸発生剤および感光性塩基発生剤
を含んでなるフィルムで基板をコートする工程；（ｂ）
第一の周波数で放射線にフィルムを露光して遊離酸を発
生させる工程；（ｃ）第二の周波数で放射線にフィルム
をブランケット露光（又は広域帯の露光）して遊離塩基
を発生させる工程；および（ｄ）公知の技術により像を
現像する工程を含んでなる。工程（ｂ）および工程
（ｃ）の順序は、もちろん、逆にすることもできる。プ
ロセスは、所望により現像を促進するため露光後加熱工
程を含むこともできる。
【００１７】本発明の組成物は、ポリアミック アルキ
ル エステルを含んでなる。ポリアミック アルキル
エステル ポリマーは、次の一般式：
ル エステルを含んでなる。ポリアミック アルキル
エステル ポリマーは、次の一般式：
【００１８】
【化１】
【００１９】で表される繰り返し単位を有する。ここで
式中、Ｒ，Ｒ′，およびＲ″は、各々互いに独立にアル
キル、又はアリールから選ばれそして、所望により、イ
ミド化を妨害しないか又はポリイミドの最終性質を妨害
しないような適当な置換基で置換される。一般に、Ｒお
よびＲ′は、同一であり、好ましくは低級アルキル又は
ハロアルキル、例えばメチル、エチル又は２，２，２−
トリフルオロエチル、アルキル グリコール等である。
適当なＲ″は、アルキル、もしくはアリールから選ば
れ、更に所望により、イミド化を妨害しないか又はポリ
イミドの最終性質を妨害しない適当な置換基により置換
される。適当なＲ″基は、一般に単環式もしくは多環式
二価芳香族基を含んでなり、この基における芳香環は、
芳香族、複素環式、又は直接に結合した環、例えばビフ
ェニレンおよびナフタレンであってよい。適当なＲ″は
次の基：
式中、Ｒ，Ｒ′，およびＲ″は、各々互いに独立にアル
キル、又はアリールから選ばれそして、所望により、イ
ミド化を妨害しないか又はポリイミドの最終性質を妨害
しないような適当な置換基で置換される。一般に、Ｒお
よびＲ′は、同一であり、好ましくは低級アルキル又は
ハロアルキル、例えばメチル、エチル又は２，２，２−
トリフルオロエチル、アルキル グリコール等である。
適当なＲ″は、アルキル、もしくはアリールから選ば
れ、更に所望により、イミド化を妨害しないか又はポリ
イミドの最終性質を妨害しない適当な置換基により置換
される。適当なＲ″基は、一般に単環式もしくは多環式
二価芳香族基を含んでなり、この基における芳香環は、
芳香族、複素環式、又は直接に結合した環、例えばビフ
ェニレンおよびナフタレンであってよい。適当なＲ″は
次の基：
【００２０】
【化２】
【００２１】から選ばれる。ここにおいて、Ｘは１〜３
個の炭素原子又はハロ炭素原子を有するアルキレン鎖、
カルボニル，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ2 −，および
個の炭素原子又はハロ炭素原子を有するアルキレン鎖、
カルボニル，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ2 −，および
【００２２】
【化３】
【００２３】アルキルから選ばれる基である。芳香族基
は、所望により多種の置換基、例えばアルキル、ハロア
ルキル（トリフルオロメチル）、ハロ等により置換され
得る。適当なＲ″には、以下の基：
は、所望により多種の置換基、例えばアルキル、ハロア
ルキル（トリフルオロメチル）、ハロ等により置換され
得る。適当なＲ″には、以下の基：
【００２４】
【化４】
【００２５】が含まれる。
【００２６】適当なＱ基は、一般にシクロアルキル、芳
香環および芳香複素環式（ここにおいて、芳香環はベン
ゼノイド不飽和によって特徴づけられた少なくとも６個
の炭素原子を有し、更に４原子価は、別個の隣接炭素原
子上で対によって固定されている）から選ばれた４価の
有機基を含んでなる。芳香基が、一緒になって連結した
幾つかの環を含む場合、結合要素は、例えば単結合又
は、次の原子又は群である：
香環および芳香複素環式（ここにおいて、芳香環はベン
ゼノイド不飽和によって特徴づけられた少なくとも６個
の炭素原子を有し、更に４原子価は、別個の隣接炭素原
子上で対によって固定されている）から選ばれた４価の
有機基を含んでなる。芳香基が、一緒になって連結した
幾つかの環を含む場合、結合要素は、例えば単結合又
は、次の原子又は群である：
【００２７】
【化５】
【００２８】適当なＱ基には、以下の基：
【００２９】
【化６】
【００３０】が含まれる。他の適当なＱ基は、当業者に
公知である。Ｑは又、イミド化を妨害しないか又はポリ
イミドの最終性質を妨害しない適当な当業者に公知の多
様の置換基により置換され得る。ポリアミック エステ
ルおよび部分イミド化ポリアミック エステル（例え
ば、制御された熱的イミド化により調製される）のコポ
リマーは、又本発明の方法に用いることもできる。
公知である。Ｑは又、イミド化を妨害しないか又はポリ
イミドの最終性質を妨害しない適当な当業者に公知の多
様の置換基により置換され得る。ポリアミック エステ
ルおよび部分イミド化ポリアミック エステル（例え
ば、制御された熱的イミド化により調製される）のコポ
リマーは、又本発明の方法に用いることもできる。
【００３１】ＱおよびＲ″の性質は、フィルムにより放
射線の吸収更に又ポリイミドフィルムの性質にインパク
トを与えるであろう。一般に、エステルは、２５０〜５
００ｎｍの範囲の光を伝達し、そして現像中レジストの
膨潤およびクラッキングに抵抗するため硬い骨格を有す
るポリイミドを形成することが好ましい。このような性
質を得るための適当なＱおよびＲ″基は、先に開示され
ており、更に当業者は、これらの性質を得るため他の適
当なＱおよびＲ″基を知っているであろう。適当なポリ
アミック アルキル エステルは、約５，０００〜約１
００，０００、好ましくは約１０，０００〜約５０，０
００の分子量を有する。ポリアミックアルキル エステ
ルは、本発明の組成物の約８０〜約９９重量％を一般に
含有する。
射線の吸収更に又ポリイミドフィルムの性質にインパク
トを与えるであろう。一般に、エステルは、２５０〜５
００ｎｍの範囲の光を伝達し、そして現像中レジストの
膨潤およびクラッキングに抵抗するため硬い骨格を有す
るポリイミドを形成することが好ましい。このような性
質を得るための適当なＱおよびＲ″基は、先に開示され
ており、更に当業者は、これらの性質を得るため他の適
当なＱおよびＲ″基を知っているであろう。適当なポリ
アミック アルキル エステルは、約５，０００〜約１
００，０００、好ましくは約１０，０００〜約５０，０
００の分子量を有する。ポリアミックアルキル エステ
ルは、本発明の組成物の約８０〜約９９重量％を一般に
含有する。
【００３２】組成物は、一般に適当な有機溶剤に溶解し
て薄膜として基板にコートされる。組成物用の適当な有
機溶剤には、Ｎ−メチルピロリドン（「ＮＭＰ」）、γ
−ブチロラクトンおよびジメチルアセトアミドが含まれ
る。他の適当な有機溶剤は、当業者に公知であろう。溶
液は、一般に組成物の約５〜５０重量％を含む。本発明
で用いられるポリアミック アルキル エステルは、公
知の技術、例えばボルケン等「ポリアミック アルキル
エステル：改良された誘電性被膜用可転性ポリイミド
前駆体（Ｐｏｌｙａｍｉｃ Ａｌｋｙｌ Ｅｓｔｅｒ
ｓ： Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ Ｐｒ
ｅｃｕｒｓｏｒｓ ｆｏｒ Ｉｍｐｒｏｖｅｄ Ｄｉｅ
ｌｅｃｔｒｉｃ Ｃｏａｔｉｎｇｓ）」（４１ｓｔ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ ａｎｄ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ Ｐｒｏ
ｃｅｅｄｉｎｇｓ ５７２頁（１９９１年５月））に開
示された技術（これは本明細書において参照されたい）
により容易に調製される。本発明の方法により調製され
るポリイミドの例には、ポリ（ｐ−フェニレン ビフェ
ニルテトラカルボキシミド）、ポリ（ｐ−オキシジフェ
ニン ピロメリチミド）、ポリ［ビス（トリフルオロメ
チル ビフェニレン）ピロメリチミド］、ポリ［ビス
（トリフルオロメチル ビフェニレン）ビフェニルテト
ラカルボキシミド］、ポリ（オキシジフェニレン ビフ
ェニル テトラカルボキシミド）、およびポリ（ｐ−フ
ェニレン オキシジフタルイミド）、ポリ（ヘキサフル
オロイソプロピリデン ジフェニレン ビフェニル テ
トラカルボキシミド）およびそれらのコポリマーが含ま
れる。
て薄膜として基板にコートされる。組成物用の適当な有
機溶剤には、Ｎ−メチルピロリドン（「ＮＭＰ」）、γ
−ブチロラクトンおよびジメチルアセトアミドが含まれ
る。他の適当な有機溶剤は、当業者に公知であろう。溶
液は、一般に組成物の約５〜５０重量％を含む。本発明
で用いられるポリアミック アルキル エステルは、公
知の技術、例えばボルケン等「ポリアミック アルキル
エステル：改良された誘電性被膜用可転性ポリイミド
前駆体（Ｐｏｌｙａｍｉｃ Ａｌｋｙｌ Ｅｓｔｅｒ
ｓ： Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ Ｐｒ
ｅｃｕｒｓｏｒｓ ｆｏｒ Ｉｍｐｒｏｖｅｄ Ｄｉｅ
ｌｅｃｔｒｉｃ Ｃｏａｔｉｎｇｓ）」（４１ｓｔ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ ａｎｄ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ Ｐｒｏ
ｃｅｅｄｉｎｇｓ ５７２頁（１９９１年５月））に開
示された技術（これは本明細書において参照されたい）
により容易に調製される。本発明の方法により調製され
るポリイミドの例には、ポリ（ｐ−フェニレン ビフェ
ニルテトラカルボキシミド）、ポリ（ｐ−オキシジフェ
ニン ピロメリチミド）、ポリ［ビス（トリフルオロメ
チル ビフェニレン）ピロメリチミド］、ポリ［ビス
（トリフルオロメチル ビフェニレン）ビフェニルテト
ラカルボキシミド］、ポリ（オキシジフェニレン ビフ
ェニル テトラカルボキシミド）、およびポリ（ｐ−フ
ェニレン オキシジフタルイミド）、ポリ（ヘキサフル
オロイソプロピリデン ジフェニレン ビフェニル テ
トラカルボキシミド）およびそれらのコポリマーが含ま
れる。
【００３３】イミド化の触媒として作用するための適当
な塩基は、アミンおよびブレンステズ（Ｂｒｏｎｓｔｅ
ｄ）塩基である。適当なブレンステズ塩基の陰イオンに
は、水酸化物、フッ化物、およびカルボン酸塩の陰イオ
ンが含まれる。適当な感光性ブレンステズ塩基には、
４，４′−ビス（ジメチルアミノ）トリフェニルメタン
ロイコ水酸化物、フッ化物又はシアン化物および金属錯
体、例えばクロム／コバルト（トリアミノ）フッ化物が
含まれる。他の適当な感光性ブレンステズ塩基は、当業
者に公知であろう。イミド化の触媒として作用するため
の適当なアミンは（ｉ）直鎖もしくは環状アルキル ア
ミン、（ii）ジアミン、および（iii ）多機能性アミン
である。好ましくは、アミンは比較的に非揮発性、例え
ばシクロヘキシルアミン、メチレン ジシクロヘキシル
アミン又は高分子量のアミン、例えばドデシルアミンで
ある。芳香族でかつ立体障害アミンは、室温で満足でき
る速度で反応を進行させるためのイミド化反応の十分な
触媒作用をなさないであろう。
な塩基は、アミンおよびブレンステズ（Ｂｒｏｎｓｔｅ
ｄ）塩基である。適当なブレンステズ塩基の陰イオンに
は、水酸化物、フッ化物、およびカルボン酸塩の陰イオ
ンが含まれる。適当な感光性ブレンステズ塩基には、
４，４′−ビス（ジメチルアミノ）トリフェニルメタン
ロイコ水酸化物、フッ化物又はシアン化物および金属錯
体、例えばクロム／コバルト（トリアミノ）フッ化物が
含まれる。他の適当な感光性ブレンステズ塩基は、当業
者に公知であろう。イミド化の触媒として作用するため
の適当なアミンは（ｉ）直鎖もしくは環状アルキル ア
ミン、（ii）ジアミン、および（iii ）多機能性アミン
である。好ましくは、アミンは比較的に非揮発性、例え
ばシクロヘキシルアミン、メチレン ジシクロヘキシル
アミン又は高分子量のアミン、例えばドデシルアミンで
ある。芳香族でかつ立体障害アミンは、室温で満足でき
る速度で反応を進行させるためのイミド化反応の十分な
触媒作用をなさないであろう。
【００３４】好ましい感光性塩基発生剤は、感光性アミ
ン発生剤であり、適当な感光性アミン発生剤には、ベン
ジル カルバメート（例えばベンジルオキシカルボニル
置換基により保護されたアミン）、ベンジル スルフォ
ンアミド、ベンジル四級アンモニウム塩、イミン、イミ
ニウム塩、およびコバルト−アミン錯体が含まれる。本
発明の組成物で使用するのに適した他の感光性アミン発
生剤は、当業者に公知であり、例えば「像形成材料にお
ける塩基触媒（Ｂａｓｅ Ｃａｔａｌｙｓｉｓｉｎ Ｉ
ｍａｇｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）」（Ｊ．フレケッ
ト等による、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９０，５５，
５９１９）；「塩基の光化学発生を用いたポジ型光レジ
ストの酸硬化（Ａｃｉｄ Ｈａｒｄｅｎｉｎｇ ｐｏｓ
ｉｔｉｖｅ Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ Ｕｓｉｎｇ Ｐ
ｈｏｔｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｏ
ｆ Ｂａｓｅ）」（ウィンケル等による、Ｊ．ｏｆ Ｐ
ｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉ．ａｎｄ Ｔｅｃｈ．
３，１９９０，４１９，）および「合成有機光化学（Ｓ
ｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｐｈｏｔｏｃｈｅ
ｍｉｓｔｒｙ）」（ホスルプールによる、プレナムプレ
ス、１９８−）に記載される発生剤であり、これらの開
示は、本明細書において参照されたい。好都合には、感
光性アミン発生剤は、２５０〜５００ｎｍ領域の光を吸
収して先に記載したアミンを発生する。
ン発生剤であり、適当な感光性アミン発生剤には、ベン
ジル カルバメート（例えばベンジルオキシカルボニル
置換基により保護されたアミン）、ベンジル スルフォ
ンアミド、ベンジル四級アンモニウム塩、イミン、イミ
ニウム塩、およびコバルト−アミン錯体が含まれる。本
発明の組成物で使用するのに適した他の感光性アミン発
生剤は、当業者に公知であり、例えば「像形成材料にお
ける塩基触媒（Ｂａｓｅ Ｃａｔａｌｙｓｉｓｉｎ Ｉ
ｍａｇｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）」（Ｊ．フレケッ
ト等による、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９０，５５，
５９１９）；「塩基の光化学発生を用いたポジ型光レジ
ストの酸硬化（Ａｃｉｄ Ｈａｒｄｅｎｉｎｇ ｐｏｓ
ｉｔｉｖｅ Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ Ｕｓｉｎｇ Ｐ
ｈｏｔｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｏ
ｆ Ｂａｓｅ）」（ウィンケル等による、Ｊ．ｏｆ Ｐ
ｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉ．ａｎｄ Ｔｅｃｈ．
３，１９９０，４１９，）および「合成有機光化学（Ｓ
ｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｐｈｏｔｏｃｈｅ
ｍｉｓｔｒｙ）」（ホスルプールによる、プレナムプレ
ス、１９８−）に記載される発生剤であり、これらの開
示は、本明細書において参照されたい。好都合には、感
光性アミン発生剤は、２５０〜５００ｎｍ領域の光を吸
収して先に記載したアミンを発生する。
【００３５】本発明の組成物中で用いられる適当な熱塩
基発生剤は、熱的に除去できる保護基を有する塩基であ
る。塩基を、約７５〜１５０℃の高温に加熱すると、遊
離塩基が放出され、次いでこれはイミド化反応の触媒と
して作用し得る。適当な熱塩基発生剤には、ｔ−ブチル
カルバメートおよび有機四級アンモニウム塩が含まれ
る。他の熱塩基発生剤は、当業者に公知であろう。
基発生剤は、熱的に除去できる保護基を有する塩基であ
る。塩基を、約７５〜１５０℃の高温に加熱すると、遊
離塩基が放出され、次いでこれはイミド化反応の触媒と
して作用し得る。適当な熱塩基発生剤には、ｔ−ブチル
カルバメートおよび有機四級アンモニウム塩が含まれ
る。他の熱塩基発生剤は、当業者に公知であろう。
【００３６】本発明の組成物で用いられる適当な熱的に
活性な塩基には、立体障害第三アミンおよび芳香族アミ
ンが含まれる。これらのアミンは、一般に温度を室温か
ら約７５〜２００℃の高温に昇温した場合にポリアミッ
ク酸エステルの著しいイミド化の触媒作用する。適当な
熱的に活性なアミンには、アニリン、ジエチル−ｔ−ブ
チル アミンおよびジイソプル エチル アミンが含ま
れる。他の適当な熱的に活性な塩基は、当業者に公知で
あろう。
活性な塩基には、立体障害第三アミンおよび芳香族アミ
ンが含まれる。これらのアミンは、一般に温度を室温か
ら約７５〜２００℃の高温に昇温した場合にポリアミッ
ク酸エステルの著しいイミド化の触媒作用する。適当な
熱的に活性なアミンには、アニリン、ジエチル−ｔ−ブ
チル アミンおよびジイソプル エチル アミンが含ま
れる。他の適当な熱的に活性な塩基は、当業者に公知で
あろう。
【００３７】本発明の組成物中で用いられる感光性酸発
生剤には、トリフェニル スルホニウム ヘキサフルオ
ロアンチモネート、ニトロベンジル トシレート、ヒド
ロキシベンゾフェノンのメタンスルフォネート エステ
ル、ジアリールヨードニウム塩、ジフェニル−４−チオ
フェノキシフェニルスルフォニウム塩、２，４，６−
（トリクロロメチル）トリアジンおよびトリス（２，３
−ジブロモプロピル）イソシアヌレートが含まれる。他
の酸発生剤は、当業者に公知であろう。好ましくは感光
性酸発生剤は、２５０〜４００ｎｍ領域のスペクトルの
光を吸収するであろう。酸発生剤による吸収は、好都合
には、エステルを通る光の伝搬周波数と関連している。
生剤には、トリフェニル スルホニウム ヘキサフルオ
ロアンチモネート、ニトロベンジル トシレート、ヒド
ロキシベンゾフェノンのメタンスルフォネート エステ
ル、ジアリールヨードニウム塩、ジフェニル−４−チオ
フェノキシフェニルスルフォニウム塩、２，４，６−
（トリクロロメチル）トリアジンおよびトリス（２，３
−ジブロモプロピル）イソシアヌレートが含まれる。他
の酸発生剤は、当業者に公知であろう。好ましくは感光
性酸発生剤は、２５０〜４００ｎｍ領域のスペクトルの
光を吸収するであろう。酸発生剤による吸収は、好都合
には、エステルを通る光の伝搬周波数と関連している。
【００３８】本発明の組成物は又、光増感剤を含むこと
ができる。光増感剤は、フィルム内で、感光性成分によ
り吸収される波長よりも一般には長い異なる波長の放射
線の吸収を可能とする。次いで、吸収エネルギーは、感
光性アミンおよび酸発生剤又はそのいずれか一方に伝達
される。本発明の組成物で用いられるアミン発生剤用の
好ましい光増感剤には、ケトクマリン、フルオレノン、
チオキサントン（ｔｈｉｏｘａｎｔｈｏｎｅ）、アント
ラキノン、ナフチアゾリン、ビアセチルおよびベンジル
およびそれらの誘導体が含まれる。酸発生剤用の適当な
光増感剤には、ペリレンおよび置換アントラセンが含ま
れる。他の有用な光増感剤は当業者に公知であろう。
ができる。光増感剤は、フィルム内で、感光性成分によ
り吸収される波長よりも一般には長い異なる波長の放射
線の吸収を可能とする。次いで、吸収エネルギーは、感
光性アミンおよび酸発生剤又はそのいずれか一方に伝達
される。本発明の組成物で用いられるアミン発生剤用の
好ましい光増感剤には、ケトクマリン、フルオレノン、
チオキサントン（ｔｈｉｏｘａｎｔｈｏｎｅ）、アント
ラキノン、ナフチアゾリン、ビアセチルおよびベンジル
およびそれらの誘導体が含まれる。酸発生剤用の適当な
光増感剤には、ペリレンおよび置換アントラセンが含ま
れる。他の有用な光増感剤は当業者に公知であろう。
【００３９】ポリイミドのネガ階調像を形成するプロセ
スには三工程が含まれる。第一の工程は、適当なポリア
ミック アルキル エステルおよび光塩基発生剤（双方
とも適当な溶剤に溶解されている）を含んでなるフィル
ムで基板をコートする工程を含む。適当な基板は、シリ
コン、セラミックス、ポリマー等から構成される。フィ
ルムは、公知の技術、例えばスピンもしくはスプレーコ
ーティング、又はドクターブレード法を用いて基板上に
コートできる。プロセスの第二工程において、フィルム
を適当には約２５０〜５００ｎｍの波長で放射線に露光
する。適当な放射線源には、水銀、水銀／キセノン、お
よびキセノンランプ、ｘ線又は電子線ビームが含まれ
る。放射線は感光性塩基発生剤によって吸収され、露光
領域内で遊離塩基を生成する。遊離塩基は、露光領域内
でポリアミック アルキル エステルのイミド化の触媒
として作用する。次いで、好ましくは、フィルムを約５
０℃〜２００℃の低温に加熱し、露光領域内の急速なイ
ミド化および不溶化を促進する。未露光領域の幾分のイ
ミド化は、損うことなく発生するかもしれない。但し、
該領域が現像工程に対し可溶性のままで存在する場合で
ある。第三の工程は、適当な溶剤を用いて像を現像する
工程を含む。適当な溶剤には、極性溶剤、好ましくは非
プロトン性の極性溶剤、例えばジメチル ホルムアミ
ド、Ｎ−メチルピロリドン又はこれらの混合物が含まれ
る。溶剤は、更にポリイミドによる溶剤吸収を避けるた
め、グリム又はジグリムの如きポリマー非溶剤と混合す
ることもできる。フィルムを現像後、所望によりこれを
高温（例えば３５０℃以上）に加熱して十分にイミド化
することができる。所望により、フィルムを高温に加熱
する前に、そのまま又は溶液中塩基と接触させて更にフ
ィルムをイミド化させることができ、これにより加熱に
より発生し得る変形を最小化することができる。
スには三工程が含まれる。第一の工程は、適当なポリア
ミック アルキル エステルおよび光塩基発生剤（双方
とも適当な溶剤に溶解されている）を含んでなるフィル
ムで基板をコートする工程を含む。適当な基板は、シリ
コン、セラミックス、ポリマー等から構成される。フィ
ルムは、公知の技術、例えばスピンもしくはスプレーコ
ーティング、又はドクターブレード法を用いて基板上に
コートできる。プロセスの第二工程において、フィルム
を適当には約２５０〜５００ｎｍの波長で放射線に露光
する。適当な放射線源には、水銀、水銀／キセノン、お
よびキセノンランプ、ｘ線又は電子線ビームが含まれ
る。放射線は感光性塩基発生剤によって吸収され、露光
領域内で遊離塩基を生成する。遊離塩基は、露光領域内
でポリアミック アルキル エステルのイミド化の触媒
として作用する。次いで、好ましくは、フィルムを約５
０℃〜２００℃の低温に加熱し、露光領域内の急速なイ
ミド化および不溶化を促進する。未露光領域の幾分のイ
ミド化は、損うことなく発生するかもしれない。但し、
該領域が現像工程に対し可溶性のままで存在する場合で
ある。第三の工程は、適当な溶剤を用いて像を現像する
工程を含む。適当な溶剤には、極性溶剤、好ましくは非
プロトン性の極性溶剤、例えばジメチル ホルムアミ
ド、Ｎ−メチルピロリドン又はこれらの混合物が含まれ
る。溶剤は、更にポリイミドによる溶剤吸収を避けるた
め、グリム又はジグリムの如きポリマー非溶剤と混合す
ることもできる。フィルムを現像後、所望によりこれを
高温（例えば３５０℃以上）に加熱して十分にイミド化
することができる。所望により、フィルムを高温に加熱
する前に、そのまま又は溶液中塩基と接触させて更にフ
ィルムをイミド化させることができ、これにより加熱に
より発生し得る変形を最小化することができる。
【００４０】基板上にポリイミドのポジ階調像を形成す
る方法は、ネガ階調像プロセスと一般的に類似してい
る。しかし、フィルムは、（ａ）ブランケット露光もし
くは加熱して遊離アミンを発生させるか、又は（ｂ）約
５０℃〜２５０℃の温度に加熱してイミド化反応の塩基
触媒の活性化を促進する。いずれの場合も、露光により
発生する遊離酸は、露光領域内の遊離塩基を捕捉してポ
リアミック アルキルエステルのイミド化を防止する。
従って、ポリアミック アルキル エステルのイミド化
は、フィルムの未露光領域内でのみ発生する。
る方法は、ネガ階調像プロセスと一般的に類似してい
る。しかし、フィルムは、（ａ）ブランケット露光もし
くは加熱して遊離アミンを発生させるか、又は（ｂ）約
５０℃〜２５０℃の温度に加熱してイミド化反応の塩基
触媒の活性化を促進する。いずれの場合も、露光により
発生する遊離酸は、露光領域内の遊離塩基を捕捉してポ
リアミック アルキルエステルのイミド化を防止する。
従って、ポリアミック アルキル エステルのイミド化
は、フィルムの未露光領域内でのみ発生する。
【００４１】本発明は又、本発明の方法によって製造さ
れるマルチチップモジュール回路チップ又は回路板の如
き集積回路にも関する。好ましい集積回路は、以下の工
程：（ａ）ポリアミック アルキル エステルおよび光
塩基発生剤を含んでなるフィルムを基板にコートする工
程；（ｂ）フィルムを放射線に像露光する工程；（ｃ）
基板を全体的に露光するために像を現像する工程および
（ｄ）基板上の現像フィルム内に回路を形成する工程に
よって基板上の像形成ポリイミドフィルム内に形成した
回路を含んでなる。一般に、回路を形成する前に、パタ
ーン化ポリイミドを、加熱して低分子量種を揮発せしめ
る。
れるマルチチップモジュール回路チップ又は回路板の如
き集積回路にも関する。好ましい集積回路は、以下の工
程：（ａ）ポリアミック アルキル エステルおよび光
塩基発生剤を含んでなるフィルムを基板にコートする工
程；（ｂ）フィルムを放射線に像露光する工程；（ｃ）
基板を全体的に露光するために像を現像する工程および
（ｄ）基板上の現像フィルム内に回路を形成する工程に
よって基板上の像形成ポリイミドフィルム内に形成した
回路を含んでなる。一般に、回路を形成する前に、パタ
ーン化ポリイミドを、加熱して低分子量種を揮発せしめ
る。
【００４２】基板を露光後、回路パターンは、基板を導
電材料、例えば導電性金属を用い、当業者に公知の技
術、例えば蒸発、スパッタ法、蒸着、化学的気相成長法
又はレーザ誘導成長法によってコートすることにより露
光領域内に形成できる。フィルムの表面を削って過剰の
導電材料を除去することができる。絶縁材料は又、回路
を製造するプロセス中で同様の手段により成膜できる。
無機イオン、例えばホウ素、リン、又はヒ素を、ｐもし
くはｎ型回路トランジスタを製造するプロセスにおいて
基板内に打込むことができる。回路を形成する他の手段
は、当業者に周知である。
電材料、例えば導電性金属を用い、当業者に公知の技
術、例えば蒸発、スパッタ法、蒸着、化学的気相成長法
又はレーザ誘導成長法によってコートすることにより露
光領域内に形成できる。フィルムの表面を削って過剰の
導電材料を除去することができる。絶縁材料は又、回路
を製造するプロセス中で同様の手段により成膜できる。
無機イオン、例えばホウ素、リン、又はヒ素を、ｐもし
くはｎ型回路トランジスタを製造するプロセスにおいて
基板内に打込むことができる。回路を形成する他の手段
は、当業者に周知である。
【００４３】本発明の好ましい態様は、信号および電力
の流れを複数の集積回路チップに供給するための集積回
路パッケージ構造（マルチチップモジュール）に関し、
これは（ｉ）回路板に接続するための電気的接続手段を
有する基板、（ii）基板上に設けられた複数の交互の電
気絶縁層および導電層であって、導電層の少なくとも１
層は本発明の方法によって製造されたネガ階調像形成ポ
リイミドフィルムを含んでなる、および（iii ）電気接
続手段、導電層および集積回路チップを電気的に相互に
接続するための複数のバイアを含んでなる。
の流れを複数の集積回路チップに供給するための集積回
路パッケージ構造（マルチチップモジュール）に関し、
これは（ｉ）回路板に接続するための電気的接続手段を
有する基板、（ii）基板上に設けられた複数の交互の電
気絶縁層および導電層であって、導電層の少なくとも１
層は本発明の方法によって製造されたネガ階調像形成ポ
リイミドフィルムを含んでなる、および（iii ）電気接
続手段、導電層および集積回路チップを電気的に相互に
接続するための複数のバイアを含んでなる。
【００４４】集積回路パッケージ構造は、集積回路チッ
プと回路板間の実装の中間レベルである。集積回路チッ
プは、集積回路パッケージ構造体上に搭載され、この構
造体は一方、回路板上に搭載される。
プと回路板間の実装の中間レベルである。集積回路チッ
プは、集積回路パッケージ構造体上に搭載され、この構
造体は一方、回路板上に搭載される。
【００４５】パッケージ構造体の基板は、一般に不活性
基板、例えばガラス、シリコン又はセラミックである。
基板は所望によりその中に配設した集積回路を有するこ
ともできる。基板は、パッケージ構造体を回路板に電気
的に接続するための接続手段、例えば入力／出力ピン
（Ｉ／Ｏピン）を備えている。複数の電気絶縁層および
電気導電層（絶縁材料内に配設された導電回路を有する
層）は、交互に基板上に積層される。複数の層は、一般
にレイヤーバイレイヤープロセスにより基板上に形成さ
れ、ここにおいて各層は別個のプロセス工程で形成され
る。少なくとも１層の導電層は、本発明の方法によって
形成されたネガ型像形成ポリイミドフィルム内に形成さ
れた集積回路を含んでなる。
基板、例えばガラス、シリコン又はセラミックである。
基板は所望によりその中に配設した集積回路を有するこ
ともできる。基板は、パッケージ構造体を回路板に電気
的に接続するための接続手段、例えば入力／出力ピン
（Ｉ／Ｏピン）を備えている。複数の電気絶縁層および
電気導電層（絶縁材料内に配設された導電回路を有する
層）は、交互に基板上に積層される。複数の層は、一般
にレイヤーバイレイヤープロセスにより基板上に形成さ
れ、ここにおいて各層は別個のプロセス工程で形成され
る。少なくとも１層の導電層は、本発明の方法によって
形成されたネガ型像形成ポリイミドフィルム内に形成さ
れた集積回路を含んでなる。
【００４６】パッケージ構造体は又、集積回路チップを
収容する収容手段を含んでなる。適当な収容手段には、
チップＩ／Ｏピン又はチップへのはんだ接続用の金属パ
ッドを収容するピンボードを含む。一般に、パッケージ
構造体は、又Ｉ／Ｏピン、導電層および収容手段内に配
置された集積回路チップを電気的に接続するために一般
に垂直に配列された複数の電気的ビアを含んでなる。集
積回路パッケージ構造体の機能、構造および製法は、米
国特許第４，４８９，３６４号；第４，５０８，９８１
号，第４，６２８，４１１号および第４，８１１，０８
２号の各明細書（これらの記載は、本明細書において参
照されたい）に開示される如く当業者に周知である。
収容する収容手段を含んでなる。適当な収容手段には、
チップＩ／Ｏピン又はチップへのはんだ接続用の金属パ
ッドを収容するピンボードを含む。一般に、パッケージ
構造体は、又Ｉ／Ｏピン、導電層および収容手段内に配
置された集積回路チップを電気的に接続するために一般
に垂直に配列された複数の電気的ビアを含んでなる。集
積回路パッケージ構造体の機能、構造および製法は、米
国特許第４，４８９，３６４号；第４，５０８，９８１
号，第４，６２８，４１１号および第４，８１１，０８
２号の各明細書（これらの記載は、本明細書において参
照されたい）に開示される如く当業者に周知である。
【００４７】例１ ６．０６８ｇ（０．０３０３モル）の昇華ｐ，ｐ′−オ
キシジアニリンおよび４．８０ｇ（０．０６０７モル）
の乾燥蒸留ピリジンおよび１２０ｍｌの新たに調製した
Ｎ−メチルピロリドンを、機械的攪拌器、熱電対ウェル
およびアルゴンバブラーを備えた２５０ｍｌの三つ口フ
ラスコに装入した。重合混合物を攪拌し、均質な溶液を
得、次いで約−５℃に外部冷却した。この時点で、約２
５ｍｌの乾燥テトラヒドロフランに溶解した１３．９０
ｇ（０．０３００モル）の塩化ｍ−ジ（エチルグリコリ
ル）ピロメリテイト ジアシルを、溶液が決して０℃を
越えないように滴下した。塩化アシルの添加が完結した
ら、重合混合物を室温になるまで放置し、次いで少なく
とも更に３時間攪拌した。次いで、ウォ−リングブレン
ダーを用い蒸留水に沈殿せしめてポリマーを単離した。
淡黄色粉末を濾過し次いで蒸留水で２回以上抽出し、次
いでメタノールを用い、最後に酢酸エチルで抽出した。
次いでメタノールを５０℃で２４時間真空乾燥し、ｍ−
ジ（エチルグリコリル）ピロメリテートおよびｐ，ｐ′
−オキシジアニリンをベースにしたポリ（アミック ア
ルキル エステル）１３．８５ｇ（９６．９％）を得
た。
キシジアニリンおよび４．８０ｇ（０．０６０７モル）
の乾燥蒸留ピリジンおよび１２０ｍｌの新たに調製した
Ｎ−メチルピロリドンを、機械的攪拌器、熱電対ウェル
およびアルゴンバブラーを備えた２５０ｍｌの三つ口フ
ラスコに装入した。重合混合物を攪拌し、均質な溶液を
得、次いで約−５℃に外部冷却した。この時点で、約２
５ｍｌの乾燥テトラヒドロフランに溶解した１３．９０
ｇ（０．０３００モル）の塩化ｍ−ジ（エチルグリコリ
ル）ピロメリテイト ジアシルを、溶液が決して０℃を
越えないように滴下した。塩化アシルの添加が完結した
ら、重合混合物を室温になるまで放置し、次いで少なく
とも更に３時間攪拌した。次いで、ウォ−リングブレン
ダーを用い蒸留水に沈殿せしめてポリマーを単離した。
淡黄色粉末を濾過し次いで蒸留水で２回以上抽出し、次
いでメタノールを用い、最後に酢酸エチルで抽出した。
次いでメタノールを５０℃で２４時間真空乾燥し、ｍ−
ジ（エチルグリコリル）ピロメリテートおよびｐ，ｐ′
−オキシジアニリンをベースにしたポリ（アミック ア
ルキル エステル）１３．８５ｇ（９６．９％）を得
た。
【００４８】例２ 例１のポリ（アミック アルキル エステル）０．８３
ｇを、アミン光発生剤である２−ニトロαメチル ベン
ジル シクロヘキシルカルバメート０．１７ｇと共にＮ
−メチルピロリドン（ＮＭＰ）に溶解して処方液を調製
した。溶液をシリコン基板にスピンコート法により適用
して１．０μｍ厚以上に成膜し、次いでホットプレート
上でプリベークして溶剤を除去した。ウェハをマスクを
通して２５０〜３１０ｎｍの光の広帯域放射線に露光し
た。照射後、基板を１０分間１００℃に加熱しイミド化
を促進した。Ｎ−メチルピロリドン中に浸漬して現像
し、２μｍの解像度を有するネガ像を得た。
ｇを、アミン光発生剤である２−ニトロαメチル ベン
ジル シクロヘキシルカルバメート０．１７ｇと共にＮ
−メチルピロリドン（ＮＭＰ）に溶解して処方液を調製
した。溶液をシリコン基板にスピンコート法により適用
して１．０μｍ厚以上に成膜し、次いでホットプレート
上でプリベークして溶剤を除去した。ウェハをマスクを
通して２５０〜３１０ｎｍの光の広帯域放射線に露光し
た。照射後、基板を１０分間１００℃に加熱しイミド化
を促進した。Ｎ−メチルピロリドン中に浸漬して現像
し、２μｍの解像度を有するネガ像を得た。
【００４９】例３ 例１のポリ（アミック アルキル エステル）０．７２
ｇを、３，３′−カルボニル ビス（７−メトキシ ケ
トクマリン）０．１５ｇおよび２−ニトロベンジルαメ
チル シクロヘキシルカルバメート０．１３ｇと共にＮ
−メチルピロリドンに溶解して溶液を調製した。溶液を
基板上にスピンコートし、次いでホットプレート上でプ
リベークして溶剤を除去し１μｍのフィルムを得た。こ
のフィルムにマスクを通した４０４ｎｍの光を２．４ジ
ュール／ｃｍ2 露光し、次いで１００℃で１０分間ベー
クした。Ｎ−メチルピロリドン中に浸漬して現像を行っ
た。このフィルムに関し４μｍの解像度が得られた。
ｇを、３，３′−カルボニル ビス（７−メトキシ ケ
トクマリン）０．１５ｇおよび２−ニトロベンジルαメ
チル シクロヘキシルカルバメート０．１３ｇと共にＮ
−メチルピロリドンに溶解して溶液を調製した。溶液を
基板上にスピンコートし、次いでホットプレート上でプ
リベークして溶剤を除去し１μｍのフィルムを得た。こ
のフィルムにマスクを通した４０４ｎｍの光を２．４ジ
ュール／ｃｍ2 露光し、次いで１００℃で１０分間ベー
クした。Ｎ−メチルピロリドン中に浸漬して現像を行っ
た。このフィルムに関し４μｍの解像度が得られた。
【００５０】例４ 例１のポリ（アミック アルキル エステル）０．８３
ｇを、光アミン発生剤であるｎ−シクロヘキシル １−
（４，５−ジメトキシ−２−ニトロフェニル）エチルカ
ルバメート０．１７ｇと共にＮ−メチルピロリドン中に
溶解して溶液を調製した。溶液をスピンコートし、次い
でプリベークして溶剤を除去し６．５μｍ厚のフィルム
を得た。露光は、広帯域の放射線を用いマスクを通して
行った。次いで、１２０℃で１０分間ホットプレート上
で加熱した。ジグリムの１０％Ｎ−メチルピロリドンを
用いて現像を行った。このフィルムに関し８．０μｍの
解像度が得られた。
ｇを、光アミン発生剤であるｎ−シクロヘキシル １−
（４，５−ジメトキシ−２−ニトロフェニル）エチルカ
ルバメート０．１７ｇと共にＮ−メチルピロリドン中に
溶解して溶液を調製した。溶液をスピンコートし、次い
でプリベークして溶剤を除去し６．５μｍ厚のフィルム
を得た。露光は、広帯域の放射線を用いマスクを通して
行った。次いで、１２０℃で１０分間ホットプレート上
で加熱した。ジグリムの１０％Ｎ−メチルピロリドンを
用いて現像を行った。このフィルムに関し８．０μｍの
解像度が得られた。
【００５１】例５ オキシービス（トリフルオロエチル フタレート）およ
びｐ，ｐ′−オキシジアニリンから得られるポリ（アミ
ック アルキル エステル）０．８３ｇを、例２の光ア
ミン発生剤０．１７ｇと共にＮ−メチルピロリドンに溶
解して溶液を調製した。溶液をスピンコートし、次いで
プリベークして溶剤を除去しフィルムを得た。このフィ
ルムをマスクを通して広帯域の放射線に露光し、次いで
１２０℃で１０分間ベークしてイミド化を加速せしめ
た。エタノールに溶解した５０％のシクロヘキサンを用
いて現像を行い、１．０μｍ厚のフィルムに対し、２．
０μｍ像の解像度が可能であった。この系のリソグラフ
ィ定数は１．１であった。
びｐ，ｐ′−オキシジアニリンから得られるポリ（アミ
ック アルキル エステル）０．８３ｇを、例２の光ア
ミン発生剤０．１７ｇと共にＮ−メチルピロリドンに溶
解して溶液を調製した。溶液をスピンコートし、次いで
プリベークして溶剤を除去しフィルムを得た。このフィ
ルムをマスクを通して広帯域の放射線に露光し、次いで
１２０℃で１０分間ベークしてイミド化を加速せしめ
た。エタノールに溶解した５０％のシクロヘキサンを用
いて現像を行い、１．０μｍ厚のフィルムに対し、２．
０μｍ像の解像度が可能であった。この系のリソグラフ
ィ定数は１．１であった。
【００５２】例６ ｐ−ジエチル ピロメリテートおよびｐ，ｐ′−オキシ
ジアニリンから誘導されたポリ（アミック アルキル
エステル）２．０ｇを、例２の光アミン発生剤０．１ｇ
と共にＮ−メチルピロリドン中に溶解して溶液を調製し
た。溶液をスピンコートし、次いで１５０℃で４５秒間
プリベークして溶剤を除去し４μｍ厚のフィルムを得
た。このフィルムをマスクを通して光帯域の水銀光源に
露光し、次いで１５０℃で１０分間ベークした。ジグリ
ムに溶解した１０％Ｎ−メチルピロリドンを用いて現像
を行った。４μｍの解像度が得られた。
ジアニリンから誘導されたポリ（アミック アルキル
エステル）２．０ｇを、例２の光アミン発生剤０．１ｇ
と共にＮ−メチルピロリドン中に溶解して溶液を調製し
た。溶液をスピンコートし、次いで１５０℃で４５秒間
プリベークして溶剤を除去し４μｍ厚のフィルムを得
た。このフィルムをマスクを通して光帯域の水銀光源に
露光し、次いで１５０℃で１０分間ベークした。ジグリ
ムに溶解した１０％Ｎ−メチルピロリドンを用いて現像
を行った。４μｍの解像度が得られた。
【００５３】例７ 例１のポリ（アミック アルキル エステル）１ｇを、
例４の光アミン発生剤０．１５ｇおよびＰｈ3 ＳＳｂＦ
6 ０．１ｇと共にＮＭＰに溶解して処方液を調製し、次
いで基板上にスピンコートして約０．３μｍ厚のフィル
ムを形成した。このフィルムを８０℃で１分間プリベー
クし、３６５ｎｍで２００秒間投光露光し次いでマスク
を通して広帯域のｄｅｅｐ ＵＶ放射線に露光する。照
射後、基板を１３０℃に２分間加熱した。ＮＭＰ中に浸
漬して現像し、ポジ階調像を得た。
例４の光アミン発生剤０．１５ｇおよびＰｈ3 ＳＳｂＦ
6 ０．１ｇと共にＮＭＰに溶解して処方液を調製し、次
いで基板上にスピンコートして約０．３μｍ厚のフィル
ムを形成した。このフィルムを８０℃で１分間プリベー
クし、３６５ｎｍで２００秒間投光露光し次いでマスク
を通して広帯域のｄｅｅｐ ＵＶ放射線に露光する。照
射後、基板を１３０℃に２分間加熱した。ＮＭＰ中に浸
漬して現像し、ポジ階調像を得た。
【００５４】例８ ジエチルビフェニル テトラカルボキシレートおよび
１，４−フェニレンジアミンから誘導されたポリ（アミ
ック アルキル エステル）１．０ｇを、Ｎ−シクロヘ
キシル１−（４，５−ジメトキシ−２−ニトロフェニ
ル）エチルカルバメート０．１ｇと共にＮ−メチルピロ
リドン７．５ｇ中に溶解して溶液を調製した。濾過した
溶液をスピンコート法によりシリコン基板上に適用し、
次いで８０℃で１０分間ベークした。このようにして４
μｍ厚のフィルムを得た。このフィルムをマスクを通し
て水銀光源からの広帯域放射線に１００秒間露光した。
露光後１５０℃で１０分間ベークした。ジグリムに溶解
した２０％Ｎ−メチルピロリドンを１分間フィルム上に
パッドリングして現像を行った。３μｍ厚の像が得られ
た。
１，４−フェニレンジアミンから誘導されたポリ（アミ
ック アルキル エステル）１．０ｇを、Ｎ−シクロヘ
キシル１−（４，５−ジメトキシ−２−ニトロフェニ
ル）エチルカルバメート０．１ｇと共にＮ−メチルピロ
リドン７．５ｇ中に溶解して溶液を調製した。濾過した
溶液をスピンコート法によりシリコン基板上に適用し、
次いで８０℃で１０分間ベークした。このようにして４
μｍ厚のフィルムを得た。このフィルムをマスクを通し
て水銀光源からの広帯域放射線に１００秒間露光した。
露光後１５０℃で１０分間ベークした。ジグリムに溶解
した２０％Ｎ−メチルピロリドンを１分間フィルム上に
パッドリングして現像を行った。３μｍ厚の像が得られ
た。
【００５５】例９ ジエチル ピロメリテートおよび２，２′−ビス（トリ
フルオロメチル）ベンジンから誘導されたポリ（アミッ
ク アルキル エステル）０．８１ｇを、Ｎ−シクロヘ
キシル１−（４，５−ジメトキシ−２−ニトロフェニ
ル）エチルカルバメート０．０８ｇと共にＮ−メチルピ
ロリドン４．６ｇに溶解して溶液を調製した。濾過した
溶液をシリコン基板上にスピンコートし、次いで８０℃
で１０分間ベークした。このようにして２．５μｍ厚の
フィルムを得た。このフィルムをマスクを通して水銀光
源からの広帯域放射線に露光した。フィルムを次いで２
００℃で２．５分間ベークした。イソブチルメチルケト
ンに溶解した２％Ｎ−メチルピロリドンを用いて現像し
た。２．０μｍのフィルム厚を有する像が観察された。
フルオロメチル）ベンジンから誘導されたポリ（アミッ
ク アルキル エステル）０．８１ｇを、Ｎ−シクロヘ
キシル１−（４，５−ジメトキシ−２−ニトロフェニ
ル）エチルカルバメート０．０８ｇと共にＮ−メチルピ
ロリドン４．６ｇに溶解して溶液を調製した。濾過した
溶液をシリコン基板上にスピンコートし、次いで８０℃
で１０分間ベークした。このようにして２．５μｍ厚の
フィルムを得た。このフィルムをマスクを通して水銀光
源からの広帯域放射線に露光した。フィルムを次いで２
００℃で２．５分間ベークした。イソブチルメチルケト
ンに溶解した２％Ｎ−メチルピロリドンを用いて現像し
た。２．０μｍのフィルム厚を有する像が観察された。
【００５６】
【発明の効果】本発明は、基板上にポリイミドの画像を
形成するための感光性ネガ及びポジ階調組成物を提供す
ることができる。
形成するための感光性ネガ及びポジ階調組成物を提供す
ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 (72)発明者 デニス・リチャード・マッキーン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 クパ チノ アムレット プレイス 10677 (72)発明者 ウィリー・フォルクセン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 サン ノゼ エルポータル ウェイ 372 (72)発明者 グレゴリー・マイケル・ウォーラフ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 モー ガン ヒルデル モンテ アベニュー 16925
Claims (12)
- 【請求項１】ポリアミック アルキル エステルおよび
感光性塩基発生剤を含んでなるネガ階調組成物。 - 【請求項２】ポリアミック アルキル エステル、塩基
および感光性酸発生剤を含んでなるポジ階調組成物。 - 【請求項３】ポリアミック アルキル エステル、熱塩
基発生剤および感光性酸発生剤を含んでなるポジ階調組
成物。 - 【請求項４】ポリアミック アルキル エステル、感光
性塩基発生剤および感光性酸発生剤を含んでなるポジ階
調組成物。 - 【請求項５】基板上にポリイミドのネガ階調像を形成す
る方法であって、次の工程：（ａ）ポリアミック アル
キル エステルおよび感光性塩基発生剤を含んでなるフ
ィルムで基板をコートする工程；（ｂ）フィルムを放射
線に像露光する工程；および（ｃ）像を現像する工程；
を含んでなる方法。 - 【請求項６】基板上にポリイミドのポジ階調像を形成す
る方法であって、次の工程（ａ）ポリアミック アルキ
ル エステル、感光性酸発生剤および塩基を含んでなる
フィルムを基板にコートする工程；（ｂ）フィルムを放
射線に像露光する工程；（ｃ）フィルムを加熱して、該
フィルムの未露光領域内のポリアミック アルキルエス
テルの塩基触媒イミド化を行う工程；および（ｄ）像を
現像する工程を含んでなる方法。 - 【請求項７】基板上にポリイミドのポジ階調像を形成す
る方法であって、次の工程（ａ）ポリアミック アルキ
ル エステル、感光性酸発生剤および熱塩基発生剤を含
んでなるフィルムを基板にコートする工程；（ｂ）フィ
ルムを放射線に像露光する工程；（ｃ）フィルムを加熱
して遊離塩基を発生させ、該フィルムの未露光領域内の
ポリアミック アルキル エステルのアミン触媒イミド
化を行い；および（ｄ）像を現像する工程を含んでなる
方法。 - 【請求項８】基板上にポリイミドのポジ階調像を形成す
る方法であって、次の工程（ａ）ポリアミック アルキ
ル エステル、感光性塩基発生剤および感光性酸発生剤
を含んでなるフィルムを基板にコートする工程；（ｂ）
遊離酸を発生させるため、フィルムを放射線に像露光す
る工程；（ｃ）遊離塩基を発生させるため、フィルムを
放射線にブランケット（ｂｌａｎｋｅｔ）露光する工
程；および（ｄ）像を現像する工程を含んでなる方法。 - 【請求項９】以下の工程（ａ）ポリアミック アルキル
エステルおよび感光性塩基発生剤を含んでなるフィル
ムで基板をコートする工程；（ｂ）フィルムを放射線に
像露光する工程；（ｃ）像を現像する工程；および
（ｄ）基板上の現像フィルム内に回路を形成する工程；
により基板上の像形成ポリイミドフィルム内に形成した
回路を含んでなる集積回路。 - 【請求項１０】以下の工程（ａ）ポリアミック アルキ
ル エステルおよび感光性酸発生剤および塩基を含んで
なるフィルムで基板をコートする工程；（ｂ）フィルム
を放射線に像露光する工程；（ｃ）フィルムを加熱し
て、該フィルムの未露光領域内のポリアミック アルキ
ル エステルの塩基触媒イミド化を行う工程；（ｄ）像
を現像する工程；および（ｅ）基板上の現像フィルム内
に回路を形成する工程により基板上の像形成ポリイミド
フィルム内に形成した回路を含んでなる集積回路。 - 【請求項１１】以下の工程：（ａ）ポリアミック アル
キル エステルおよび感光性酸発生剤および熱塩基発生
剤を含んでなるフィルムで基板をコートする工程；
（ｂ）フィルムを放射線に像露光する工程；（ｃ）フィ
ルムを加熱して、遊離塩基を発生させ次いで該フィルム
の未露光領域内のポリアミック アルキル エステルの
塩基触媒イミド化を行う工程；（ｄ）像を現像する工
程；および（ｅ）基板上の現像フィルム内に回路を形成
する工程により基板上の像形成ポリイミドフィルム内に
形成した回路を含んでなる集積回路。 - 【請求項１２】以下の工程（ａ）ポリアミック アルキ
ル エステルおよび感光性塩基発生剤および感光性酸発
生剤を含んでなるフィルムで基板をコートする工程；
（ｂ）フィルムを放射線に像露光して遊離酸を発生させ
る工程；（ｃ）フィルムを放射線にブランケット露光し
て遊離塩基を発生させる工程；（ｄ）像を現像する工
程；および（ｅ）基板上の現像フィルム内に回路を形成
する工程により基板上の像形成ポリイミドフィルム内に
形成した回路を含んでなる集積回路。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US74557591A | 1991-08-14 | 1991-08-14 | |
| US745575 | 1991-08-14 | ||
| US07/850,623 US5206117A (en) | 1991-08-14 | 1992-03-13 | Photosensitive polyamic alkyl ester composition and process for its use |
| US850623 | 2004-05-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05197148A true JPH05197148A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=27114479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4206386A Pending JPH05197148A (ja) | 1991-08-14 | 1992-08-03 | 感光性ポリアミック・アルキル・エステル組成物およびその使用方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5206117A (ja) |
| EP (1) | EP0532183A3 (ja) |
| JP (1) | JPH05197148A (ja) |
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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