JPH05190250A

JPH05190250A - 電気デバイスの製造方法

Info

Publication number: JPH05190250A
Application number: JP4171482A
Authority: JP
Inventors: Joseph A Abys; アンソニーアビスジョセフ; Igor V Kadija; ヴェリコカジャイゴア; Jr Joseph J Maisano; ジョンメサノジュニアジョセフ; Shohei Nakahara; ナカハラショーヘイ
Original assignee: American Telephone and Telegraph Co Inc
Current assignee: AT&T Corp
Priority date: 1991-07-22
Filing date: 1992-06-08
Publication date: 1993-07-30
Anticipated expiration: 2012-05-07
Also published as: EP0524760A3; CA2069363C; TW208046B; JP2607002B2; KR930003459A; EP0524760B1; US5180482A; SG43778A1; DE69210704T2; KR950004992B1; CA2069363A1; HK179096A; DE69210704D1; EP0524760A2

Abstract

(57)【要約】【目的】亀裂欠陥を有しない電着導電領域を含む電気
的デバイスの製造方法を提供する。【構成】合金の導電ストライプが電気メッキされた金
属ストリップからデバイスの接点部分を製造する場合、
型打ちおよび二次成形作業の際に、ストライプに亀裂部
分が発生する。一般的に、銅ブロンズ材料のような金属
ストリップ上のストライプ被膜はニッケル層、パラジウ
ムとニッケル、コバルト、砒素または銀との合金層およ
び硬質金のフラッシュメッキ層などである。型打ちおよ
び二次成形作業の前に、メッキストリップをアニーリン
グ処理することにより亀裂欠陥の発生を防止することが
できる。加熱処理後、ストライプには亀裂は全く存在せ
ず、また、ストライプとストリップとの連続層間の剥が
れも全く無かった。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電気メッキされたパラジ
ウム合金に関し、特に、電気装置における接点の製造に
使用される、“ストライプ−オン−ストリップ”状の電
気メッキパラジウム合金に関する。

【０００２】

【従来の技術】パラジウムおよびパラジウム合金は化学
的に不活性であり、硬度、優れた耐摩耗性、光沢のある
仕上面および高い導電性などにより、広範な用途に使用
されている。更に、パラジウムおよびパラジウム合金
は、表面接触抵抗を増大させるような酸化物表面被膜を
生成しない。特に魅力的なパラジウム合金の用途は、電
気的コネクタ、リレー接点、スイッチなどのような電気
分野における電気的な接点表面である。

【０００３】電気的な接点を製造する場合、便利な“ス
トライプ−オン−ストリップ(stripe-on-strip) ”加工
法が使用されている。金属ストリップ（例えば、銅ブロ
ンズ材料）を金属のストライプで被覆する。貴金属の出
費を軽減するために、電気的コネクタに製造されたとき
長期間の摩耗を受け、優れた電気的接続特性が必要な対
応するストリップ部分にだけストライプを形成する。ス
トライプ形成後、金属ストリップを型打ちし、そして、
二次成形作業にかける。

【０００４】ストリップに接点金属のストライプを被覆
する加工処理は、インレイ法および電気メッキ法などの
ような幾つかの方法により実施することができる。イン
レイ法は、金属基板に貴金属また合金の象眼（インレ
イ）を被着しなければならない。インレイ法では、基板
金属のストリップに合金ストライプをインレイし、続い
て、金でキャッピングする。例えば、銅−ブロンズ合金
のストリップに、厚さが約９０マイクロインチの４０／
６０Ａｇ／Ｐｄ合金をインレイし、続いて、厚さ１０マ
イクロインチのＡｕでキャッピングする。インレイされ
たストリップを型打ちし、そして、コネクタに製造す
る。この合金材料は高価であり、また、摩耗し易い。

【０００５】電気メッキ法は、銅ブロンズ基板のストリ
ップに保護被膜のストライプを電気メッキ（例えば、Ｎ
ｉまたはＣｏとＰｄとの合金を電着）し、続いて、Ａｕ
キャッピング（例えば、リール・ツー・リール操作で行
う）することからなる。水溶液からパラジウムまたはパ
ラジウム合金を電気メッキする好適な方法は多数の米国
特許明細書に開示されている。例えば、米国特許第４４
６８２９６号明細書、米国特許第４４８６２７４号明細
書、米国特許第４９１１７９８号明細書および米国特許
第４９１１７９９号明細書などに開示されている。スト
ライプが被覆されたストリップを次いで型打ちし、そし
て、二次成形作業にかける。電気メッキ法により堆積さ
れる貴金属の総量は少ないので、電気メッキ法はインレ
イ法よりも安価な方法である。従って、電気メッキされ
たストライプから製造された電気接点を有するデバイス
は、その他の点で同等であったとしても、インレイされ
たストライプから製造された電気接点を有するデバイス
よりも安価である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記のような
デバイスの製造に必要な二次成形作業にかけたとき、合
金類（例えば、硬質金、パラジウムニッケルまたはパラ
ジウムコバルト合金）の電着膜は望ましからざる亀裂欠
陥を生じる。

【０００７】従って、本発明の目的は電着パラジウム合
金ストライプのこのような亀裂欠陥の発生を軽減するこ
とである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、亀裂欠陥を有
しない電着導電領域を含む電気的デバイスの製造に関す
る。合金の導電ストライプが電気メッキされた金属スト
リップからデバイスの接点部分を製造する場合、型打ち
および二次成形作業の際に、ストライプに亀裂部分が発
生する。一般的に、銅ブロンズ材料のような金属ストリ
ップ上のストライプ被膜はニッケル層、パラジウムとニ
ッケル、コバルト、砒素または銀との合金層および硬質
金のフラッシュメッキ層などである。型打ちおよび二次
成形作業の前に、メッキストリップをアニーリング処理
することにより亀裂欠陥の発生を防止することができ
る。加熱処理後、ストライプには亀裂は全く存在せず、
また、ストライプとストリップとの連続層間の剥がれも
全く無かった。

【０００９】

【実施例】以下、図面を参照しながら本発明を更に詳細
に説明する。

【００１０】図１はコネクタ本体２と嵌合ピン３を有す
るを有する電気コネクタ１の概要斜視図である。ピンと
嵌合するコネクタ本体の面４は、パラジウム合金および
硬質金のオーバーレイからなる金属が電気メッキされて
いる。

【００１１】図２はコネクタピン６の概要斜視図であ
る。ピンの一部分は円筒形状７に成形されており、その
端部の内面は電気メッキ金属８で被覆されている。この
メッキ金属はパラジウム合金および硬質金のオーバーレ
イからなる。

【００１２】電気コネクタを製造する場合、厚さ５０〜
７０マイクロインチのニッケル層（一般的に、スルファ
ミン酸ニッケル浴から電気メッキされる）が設けられた
銅−ニッケル−錫合金Ｎｏ．７２５（８８．２Ｃｕ，
９．５Ｎｉ，２．３Ｓｎ；ＡＳＴＭ仕様Ｎｏ．Ｂ１２
２）のようなストリップベース金属を、厚さ２０〜３０
マイクロインチのパラジウム合金層を被覆し、続いて、
厚さ３〜５マイクロインチの硬質金フラッシュメッキ層
で被覆する。この硬質金フラッシュメッキ層は例えば、
シアン化金、クエン酸コバルトおよびクエン酸緩衝剤か
らなる僅かに酸性の溶液から電気メッキされたニッケル
硬質化金である。パラジウム合金は、米国特許第４９１
１７９９号明細書に記載されたような浴および条件下で
電気メッキされる。一般的に、この用途に適するパラジ
ウム合金は２０〜８０モル％のパラジウムからなり、残
りはニッケル、コバルト、砒素または銀である。合金用
金属としては、ニッケルおよびコバルトが好ましい。ニ
ッケルが最も好ましい。

【００１３】錯生成剤の水溶液にパラジウム源と合金化
剤（例えば、ＰｄＣｌ₂ およびＮｉＣｌ₂ ）をそれぞれ
添加し、攪拌し、場合によっては加熱し、濾過し、そし
て、この溶液を所望の濃度にまで希釈することによりパ
ラジウム合金メッキ浴を調製することができる。浴中の
パラジウムのモル濃度は一般的に、０．００１から飽和
濃度まで変動する。０．０１〜１．０が好ましい。０．
１〜０．５が最も好ましい。この溶液に、緩衝剤（例え
ば、等モル量のＫ₃ ＰＯ₄ またはＮＨ₄ Ｃｌ）を添加
し、ＫＯＨを添加する（上昇）か、または、Ｈ₃ ＰＯ₄
またはＨＣｌを添加する（低下）ことによりｐＨを調節
する。その他の緩衝剤およびｐＨ調節剤も当業者に周知
の通りに使用することができる。

【００１４】一般的に、浴のｐＨ値は５〜１４であり、
７〜１２の範囲内が好ましく、７．５〜１０の範囲内が
最も好ましい。

【００１５】２００，５００ＡＳＦ程度の、あるいは高
速メッキ用の２０００ＡＳＦのような電流密度における
メッキは、０．０１〜５０、または場合によっては、低
速メッキに一般的に使用される１００〜２００ＡＦＳの
低電流密度で得られる結果よりも優れた結果をもたら
す。

【００１６】パラジウム源はＰｄＣｌ₂ ，ＰｄＢｒ₂ ，
ＰｄＩ₂ ，ＰｄＳＯ₄ ，Ｐｄ（ＮＦ₃ ）₂ Ｃｌ₂ ，Ｐｄ
（ＮＨ₃ ）₂ Ｂｒ₂ ，Ｐｄ（ＮＨ₃ ）₂ Ｉ₂ およびテト
ラクロロパラデス（例えば、Ｋ₂ ＰｄＣｌ₄ ）から選択
される。ＰｄＣｌ₂ が好ましい。

【００１７】錯生成剤はアンモニアおよびアルキルジア
ミン類（例えば、炭素原子を５０個まで、好ましくは２
５個まで、最も好ましくは１０個まで有するアルキルヒ
ドロキシアミン類）から選択される。アルキルヒドロキ
シアミン類のうち、ビス（ヒドロキシメチル）アミノメ
タン、トリス（ヒドロキシメチル）アミノメタン、ビス
（ヒドロキシエチル）アミノメタンおよびトリス（ヒド
ロキシエチル）アミノメタンから選択されるアルキルヒ
ドロキシアミン類が最も好ましい。

【００１８】通常、電気メッキ析出層は優れた密着性と
延性を示す。しかし、特定の二次成形作業条件下では、
電気メッキＰｄＮｉ合金被膜は意外にも亀裂を生じるこ
とが発見された。二次成形作業条件は、電気メッキスト
リップの屈曲を含む。これにより、接点の外面（例え
ば、図１における面４）上の電気メッキ被膜の伸び率は
１０％以上になるか、または、成形接点部分（図２参
照）の内径は２ｍｍ未満となる。

【００１９】この問題は、下記に詳細に説明するよう
に、二次成形作業の前に、電気メッキストリップをアニ
ール処理することにより軽減される。アニール中に、電
気メッキＰｄＮｉ合金は再結晶作用を受ける。電気メッ
キされたような被膜中の結晶はサイズが５〜１０ｎｍ程
度であるが、熱処理された材料中の結晶はサイズが数μ
ｍ程度にまで増大し、結果的に、電着層の硬度を殆ど損
なうことなく、電気メッキされた材料の延性が向上す
る。アニール処理されたＰｄＮｉ合金メッキ被膜は、型
打ちおよび二次成形作業にかけられても亀裂欠陥は全く
発生しない。熱処理されなかった材料には亀裂欠陥が発
生する。アニールは、下部の基板の特性（例えば、弾
性）がアニールにより損なわれないように行われる。

【００２０】アニールは様々な方法により実施できる。
例えば、電気メッキ金属のリールを、ストライプをアニ
ールするのに十分な時間にわたって、アニール炉中に配
置することにより実施できる。しかし、この方法では、
アニールを上手くコントロールできない。例えば、リー
ルの内側の層はリールの外側の層よりも所望の温度に加
熱されるまで長時間を要し、その結果、外側の層の基板
材料の弾性を損なう可能性がある。

【００２１】効果的な方法は、リール・ツー・リール(r
eel-to-reel)（巻出−巻取）作業によりストリップを炉
内で前進させる。これにより、ストリップの各部分は炉
内に次々と進入し、ストリップの温度は所望のアニール
温度にまで上昇され、電気メッキ析出層のアニールを完
了するのに十分な時間にわたって炉内に留められ、そし
て、炉外へ出るにつれて室温にまで放冷される。

【００２２】一層好都合な方法は、メッキストリップの
熱処理をメッキラインの出口に配置された炉内で行う。
その結果、メッキ工程とアニール工程は連続的に行われ
る。炉内をストリップが前進している間にメッキストリ
ップの熱処理を行うことができるように釣り合わされ
た、長さが数フィートの加熱ゾーンを有する細長の管状
炉をこの目的に使用することができる。ストリップが炉
内を前進する速度、同様に、アニール処理速度は、メッ
キ浴内のストリップの前進速度と一致するようにプログ
ラムされる。アニール工程後、ストリップは炉外へ出さ
れ、そして、室温にまで放冷される。

【００２３】アニールは予備加熱または昇温工程を含
む。この工程中に、温度は室温またはメッキ浴温度から
最適なアニール温度レベルにまで上昇する。また、アニ
ールは保持工程を含む。この工程中に、予備加熱ストリ
ップは所定の時間にわたって最適なアニール温度レベル
に保持される。続いて、アニールは冷却工程を含む。こ
の工程中に、アニールストリップは室温にまで放冷され
る。アニールおよび冷却工程は窒素、アルゴンまたはヘ
リウムのような不活性ガス雰囲気中で実施される。

【００２４】要するに、アニールの全時間は、室温また
はメッキ浴温度か保持温度にまでメッキ析出層の温度を
上昇させる昇温時間と、析出層のアニールが完了するま
で物品を保持温度に維持している保持時間とからなる。
不十分なアニールは不十分な延性を有し、そのため、型
打ちおよび二次成形作業の後に亀裂を発生するストライ
プメッキ層を生じる。一方、過剰なアニールは基板の弾
性を損なうこととなる。従って、基板金属のアニールに
より基板金属の弾性が損なわれないようにしながら、ス
トライプ析出層のアニールが完全に行われるように、ア
ニール処理しなければならない。コネクタの弾性はコネ
クタカップルの他の部分（例、図１の接触部分４とピン
３との間の接点）との緊密な接触を維持するために必要
である。

【００２５】実施例では、加熱処理は“ストライプオ
ンストリップ”被覆材料について行われた。この“ス
トライプオンストリップ”被覆材料は、膜厚が５０
〜７０マイクロインチのニッケル層、膜厚が２０〜３０
マイクロインチのパラジウム−ニッケル合金（２０〜８
０％パラジウム（好ましくは８０％パラジウム）残りは
ニッケル）層および膜厚が３〜５マイクロインチの硬質
金フラッシュメッキ被膜を有する、銅−ニッケル−錫合
金７２５（８８．２Ｃｕ，９．５Ｎｉ，２．３Ｓｎ；Ａ
ＳＴＭ仕様Ｎｏ．Ｂ１２２）のストリップベース金属か
らなる。

【００２６】この材料から電気コネクタを製造すると、
図１に示されたデバイスの外側被膜が１０％以上延伸す
る。しかし、一般的にメッキされたようなＰｄＮｉ合金
は６〜１０％の範囲内でしか延伸できない。１０％以上
延伸させると亀裂が発生する。この材料における亀裂欠
陥は、メッキ析出層を３８０℃以上の温度でアニールす
ることにより除去できる。この温度で行われる示差測熱
は、その発熱反応により検出できる、再結晶と焼なまし
を起こす。代表的な温度上昇速度は５℃／分である。従
って、総アニール時間は約７０分間になる。

【００２７】しかし、この加工速度は、一般的に６〜１
２ｍ／分（０．１〜０．２ｍ／秒）のメッキ速度で行わ
れるメッキ処理には適さない。従って、アニールは短時
間熱アニール（ＲＴＡ）加熱処理により最も迅速に行う
ことができる。短時間熱アニール（ＲＴＡ）加熱処理で
は、昇温時間および保持時間を含めた総加熱処理時間は
一般的に、１分間以下に制限される。この方法を使用す
れば、温度が初期温度から最適アニール温度にまで上昇
する速度にもよるが、１〜３０秒間程度の短時間内に最
適アニール温度に達することができる。そして、析出層
をこの温度で１〜３０秒間保持する。ＲＴＡが急速上昇
温度で行われる、すなわち、メッキストリップの温度か
ら最適アニール温度までの時間間隔あたり段々に上昇す
るように行うと、被膜のアニール処理が最も効率的に行
われる。一般的に、アニール温度まで急速に上昇する短
時間の昇温時間は、長い昇温時間よりも、ＰｄＮｉ被膜
の適切なアニールを極めて首尾よく行うことができる。

【００２８】ＰｄＮｉ合金の加熱アニールにおける時間
と温度の関係を図３および図４に示す。図中の実線の曲
線は、伸び率の能力が６〜１０％となるように電気メッ
キされたＰｄＮｉ電気メッキ合金の微細結晶（境界の左
側または下側）と１０％以上（例えば、１０〜２０％）
の伸び率能力を有する倍尺結晶（境界の右側または上
側）よの間の境界を示す。この曲線により画成される境
界上の共通部分により示される、総加熱時間にわたって
所定の温度で加熱処理されたＰｄＮｉ合金は亀裂を有し
ない。この境界線よりも上側では、合金は亀裂を有しな
い状態を維持する。しかし、この基板材料の作業領域を
示す温度および時間の限界を超えて加熱された場合、基
板材料はその弾性を喪失し始める。

【００２９】５００℃以下では、ＰｄＮｉ合金被膜のア
ニール処理を完了するのに要する時間は数分間以上にな
る。この処理時間はバッチ操作には好適であるが、この
ような条件はインラインメッキおよびメッキ製品のアニ
ール処理には不適切である。アニール処理は、室温から
保持温度（例えば、５００℃）まで昇温させ、次いで、
この温度で本体を保持することからなる。例えば、５０
０℃で必要な総時間は約１２０秒間である。本体の温度
を５００℃にまで昇温させるのに１０秒間要した場合、
この温度における残り１１０秒間はＰｄＮｉ析出層を完
全にアニールするのに必要である。４００℃では、メッ
キ析出層が無亀裂になるのに、総処理時間として約３０
０秒間必要である。

【００３０】５７５℃〜７２５℃の範囲内では、ＲＴＡ
に極めて適した暴露時間（昇温時間と保持時間の合計）
のゾーンが存在する。６００℃では、総暴露温度時間は
２５〜３０秒間であるが、これよりも高い温度（例、７
２５℃）では数秒間にまで低下する。７２５℃よりも高
い温度では、処理時間が非常に短時間になるため、アニ
ール処理が殆ど実施不能になる。このような高温度にお
ける加熱処理は、基板と被膜の両方を極めて迅速にアニ
ールし、その結果、基板の弾性を喪失させ、製品を不良
品にする。

【００３１】図５〜図９は、６００，６２５，６５０，
７２５および８００℃における銅−ニッケル−錫合金７
２５基板の作業領域を示す特性図である。これらの特性
図における時間の上限は、基板材料が弾性を喪失し始め
る前に、図３の境界曲線を超えた選択温度でデバイスを
アニールする許容時間を示唆している。同様な作業領域
は、簡単な試行錯誤により他の温度および他の基板材料
についても創り出すことができる。

【００３２】７２５銅合金基板に電気メッキされたＰｄ
Ｎｉ合金（８０Ｐｄ−２０Ｎｉ）の性能に対するＲＴＡ
アニールの効果を下記の表１に示す。

【００３３】

【表１】表１ＰｄＮｉメッキ膜性能に対するＲＴＡ処理の効果温度昇温時間保持時間伸び率（℃）（秒）（秒）亀裂の有無弾性の有無（％） 500 10 20 有有 20 20 有有 30 10 有有 30 30 有有 5.1-9.3 600 10 20 無有 20 20 無有 625 1 10 有／僅少有 1 20 有／僅少有 1 30 無有 10.7-16.9 5 5 有有 5 10 無有 5 15 無有 10 10 無有 650 1 5 有有 1 10 有／僅少有 1 15 無有 1 20 無有 12.7-20.2 5 5 有有 5 10 有／僅少有 5 15 無有 700 1 5 無喪失／僅少 1 10 無喪失 10 10 無喪失 800 1 1 無喪失／僅少 1 2 無喪失 1 3 無喪失

【００３４】

【発明の効果】以上説明したように、銀、砒素、ニッケ
ルおよびコバルトからなる群から選択された少なくとも
一種類の金属と共に合金化されたパラジウム合金の導電
ストライプが電気メッキされた金属ストリップからデバ
イスの接点部分を製造する場合、型打ちおよび二次成形
作業を行う前に、メッキストリップをアニーリング処理
することにより亀裂欠陥の発生を防止することができ
る。加熱処理後、ストライプには亀裂は全く存在せず、
また、ストライプとストリップとの連続層間の剥がれも
全く発生しない。

【図面の簡単な説明】

【図１】コネクタと嵌合ピンからなり、嵌合接触面はパ
ラジウム合金からなる金属で電気メッキされている電気
コネクタの概要斜視図である。

【図２】一端の内側がパラジウム合金からなる電気メッ
キ金属で被覆されているコネクタピンの概要斜視図であ
る。

【図３】対数目盛りの時間（秒）対３００〜１０００℃
の範囲内の温度（℃）によるＰｄＮｉメッキ膜結晶性転
移を示す特性図である。

【図４】対数目盛りの時間（秒）対５００〜９００℃の
範囲内の温度（℃）によるＰｄＮｉメッキ膜結晶性転移
を示す特性図である。

【図５】６００℃におけるＰｄＮｉ合金のＲＴＡに関す
る温度（℃）対時間（秒）による作業領域の特性図であ
る。

【図６】６２５℃におけるＰｄＮｉ合金のＲＴＡに関す
る温度（℃）対時間（秒）による作業領域の特性図であ
る。

【図７】６５０℃におけるＰｄＮｉ合金のＲＴＡに関す
る温度（℃）対時間（秒）による作業領域の特性図であ
る。

【図８】７２５℃におけるＰｄＮｉ合金のＲＴＡに関す
る温度（℃）対時間（秒）による作業領域の特性図であ
る。

【図９】８００℃におけるＰｄＮｉ合金のＲＴＡに関す
る温度（℃）対時間（秒）による作業領域の特性図であ
る。

【符号の説明】

１電気コネクタ２コネクタ本体３嵌合ピン４ピンと嵌合するコネクタ本体の面６コネクタピン７円筒形状部分８電気メッキ金属被膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者ジョセフアンソニーアビスアメリカ合衆国 07059 ニュ−ジャ−ジ − ウオーレン、マウンテンビューロード 80 (72)発明者イゴアヴェリコカジャアメリカ合衆国 07450 ニュ−ジャ−ジ − リッジウッド、シャアウッドロード 118 (72)発明者ジョセフジョンメサノジュニアアメリカ合衆国 07866 ニュ−ジャ−ジ − デンヴィル、ウッドストーンロード 88 (72)発明者ショーヘイナカハラアメリカ合衆国 07060 ニュ−ジャ−ジ − ノースプレインフィールド、グリーンブルックロード 328

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】パラジウム合金からなる層を金属ベース
の少なくとも一部分に電気メッキし、そして、メッキさ
れたベース金属を所望の形状に成形し、前記パラジウム
合金は、銀、砒素、ニッケルおよびコバルトからなる群
から選択された少なくとも一種類の金属と共に合金化さ
れたパラジウムからなり；前記成形工程の前に、少なく
ともメッキ部分をアニール処理し、該アニール処理は、
メッキ析出層をアニールすることにより成形工程に基づ
く析出層の亀裂の発生を排除するのに十分であるが、金
属ベースの弾性を損なうことのない時間にわたって行わ
れ、その後、サンプルを室温にまで放冷させる；ことか
らなる、導電性領域を含む少なくとも１個の接点を有す
る電気デバイスの製造方法。
【請求項２】前記合金は２０〜８０％のパラジウムと
残りがニッケルからなる請求項１の製造方法。
【請求項３】前記アニール温度は３８０〜１０００℃
の範囲内である請求項２の製造方法。
【請求項４】前記パラジウムニッケル合金は金属ベー
ス上のニッケル層の表面にメッキされる請求項２の製造
方法。
【請求項５】導電性領域は、金属ベースから連続的
に、ニッケル層、パラジウムニッケル合金層および金フ
ッラシュメッキ被膜からなる請求項２の製造方法。
【請求項６】前記金属ベースは銅・ニッケル・錫合金
からなり、前記ニッケル層の厚さは５０〜７０マイクロ
インチであり、前記パラジウムニッケル合金層の厚さは
２０〜３０マイクロインチであり、そして、前記金フッ
ラシュメッキ被膜の厚さは３〜５マイクロインチである
請求項５の製造方法。
【請求項７】前記アニールは短時間熱アニール（ＲＴ
Ａ）加熱処理であり、該短時間熱アニール（ＲＴＡ）加
熱処理は、メッキ部分をメッキ温度から５７５〜８００
℃の範囲内の温度にまで１秒〜３０秒間の間に昇温さ
せ、メッキ部分を前記保持温度で１〜３０秒間維持し、
そして、アニールされた物体を室温にまで放冷させるこ
とからなる請求項２の製造方法。
【請求項８】金属ベースは銅・ニッケル・錫合金から
なる請求項１の製造方法。
【請求項９】前記成形工程は、パラジウム合金析出層
を少なくとも１０％延伸させるために、金属ベースのメ
ッキ部分を屈曲させる工程を含む請求項１の製造方法。
【請求項１０】前記成形工程は、メッキされたパラジ
ウム合金が巻締部分の内側にくるように、直径２ｍｍ未
満のマンドレルの周囲でメッキ部分をローリングする工
程を含む請求項１の製造方法。
【請求項１１】前記アニールおよび冷却工程は不活性
雰囲気中で行われる請求項１の製造方法。
【請求項１２】前記不活性雰囲気は、窒素、アルゴ
ン、ヘリウムおよびキセノンからなる群から選択される
少なくとも一種類のガスからなる請求項１１の製造方
法。