JPS6327439B2 - - Google Patents
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- JPS6327439B2 JPS6327439B2 JP55146233A JP14623380A JPS6327439B2 JP S6327439 B2 JPS6327439 B2 JP S6327439B2 JP 55146233 A JP55146233 A JP 55146233A JP 14623380 A JP14623380 A JP 14623380A JP S6327439 B2 JPS6327439 B2 JP S6327439B2
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- palladium
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- electrical contact
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- plating
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Landscapes
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
本発明は電気接触子の製造方法に関し、更に詳
しく述べるならば、コネクタ、スイツチ等の摺動
接触を伴う機構部品に使用する電気接触子を電気
めつきにより、これにパラジウムを被覆して製造
する方法に関する。 コネクタやスイツチなどに用いる電気接触子
は、従来、下地金属として一般に銅合金からなる
バネ材料を用い、この下地金属上に順次にニツケ
ルめつき、金めつきを施すことにより、あるいは
錫めつき又は錫―鉛合金めつきを施すことにより
製造されていた。しかし、これらの接触子におい
ては、金めつきでは接触性能は安定であるが非常
に高価となり、銀めつきでは耐硫化性に劣り、錫
系のめつきではコネクタなどの挿抜力に直接関係
する摩擦係数（μs）が大きくなり摩耗しやすい等
の欠点があつた。 最近になつて、これらの欠点をカバーする電気
接触子として、下地金属上にパラジウムめつきを
施したパラジウムめつき接触子又はパラジウムめ
つきを施した後その上に表面改良のため薄膜の金
めつきを施したパラジウム―金めつき接触子が提
案され、実用化されつつある。しかし、このよう
なパラジウムめつき系接触子の表面にはクラツク
が発生しやすいという欠点がある。また、ニツケ
ルめつきを施した上にパラジウムめつきを施すこ
とも提案されているが、この場合にはニツケルめ
つき層とパラジウムめつき層との密着性が悪いと
いう欠点がある。 本発明の目的は、前述した如き従来の電気接触
子の欠点を解消して、クラツクが発生しにくく密
着性に極めて優れたパラジウムめつき層を有する
電気接触子を提供することのできる方法を提供す
ることにある。 本発明によれば即ち下地金属上にパラジウムを
成分とする層を含む層を設けた如き構成の電気め
つき電気接触子の製造方法が提供されるのであつ
て、この方法は所定の電気めつきの後、この電気
接触子に対して100〜200℃の熱処理を施すことを
特徴とする。 即ち、本発明の目的は、下地金属上に常法によ
りパラジウムめつき層を形成した後、これを100
〜200℃で熱処理することにより達成されるので
ある。本発明者の検討によれば、かかる熱処理に
よりパラジウムめつき層におけるクラツクの発生
が顕著に減少するとともに、このめつき層の密着
性が著るしく改善されるということが、図らずも
見出されたのである。 本発明により得られるかかる優れた効果は次の
如き理由によるものと考えられる。即ち、パラジ
ウムめつき層は電気めつきの間に発生する水素を
多量にその内部に吸蔵するために非常に脆くなる
とともに内部応力も大きくなつて下地金属との密
着性が悪く、剥離しやすくなる。しかしこれを熱
処理するとパラジウムめつき層中に吸蔵されてい
た水素が放出されて減少し、そのために内部応力
も小さくなり、したがつてクラツクが発生しにく
くなるとともに下地金属との密着性が向上するの
である。パラジウムめつき層中に吸蔵されていた
水素は加熱により動きやすいものとなり、外部に
放散されて減少することとなる。その結果パラジ
ウムめつき層の内部応力は減少し、このめつき層
の脆さが改善されて塑性加工の可能なものとな
る。なお本発明において熱処理を行なう際の雰囲
気は、窒素などの不活性ガス、大気中、あるいは
真空中などいずれの場合でも、パラジウムめつき
層中に吸蔵された水素ガスの放出がありうるもの
である。したがつて水素ガス以外の雰囲気で熱処
理すれば、いずれの雰囲気も同様の効果と見なす
ことができる。 以下、本発明を実施例により更に詳しく説明す
る。 実施例 １ 下地金属として燐青銅角線（PBW―H0.6×0.6
mm角）を使用し、この燐青銅角線に1.5μmの厚さ
のニツケルめつきを行ない、その上にパラジウム
めつきを厚さ0.6μmで行つて、電気接触子を製造
した。この操作において、パラジウムめつきは日
本エレクトロプレイテイングエンジニアーズ(株)の
パラデツクスNo.16浴を使用し、浴温度60℃、PH
8.8、電流密度0.5A／dm2の条件により行つた。
このようにして得られた電気接触子を窒素ガス雰
囲気中、それぞれ100゜、150゜、200゜及び300℃の温
度で１時間熱処理を行つた。 この電気接触子を、第１１図に示す治具によ
り、90゜V曲げ加工（内側半径２mm）を行ない、
電気接触子の側面より見た曲げ加工部分の外側近
傍（引張り応力の最大部分近傍）における表面ク
ラツク発生状態及びめつき層剥離状態を光学顕微
鏡により観察した。その結果を後記の第１表に示
すとともに、表面状態の顕微鏡写真（320倍）を
第１〜５図に示す。第１図は熱処理なしのもの、
そして第２図は100℃、第３図は150℃、第４図は
200℃、第５図は300℃で熱処理したものである。 実施例 ２ パラジウムめつきの電流密度を2.0A／dm2にし
た以外は実施例１と同じ操作により電気接触子を
製造した。この電気接触子について、実施例１と
同様にして熱処理及び90゜のＶ曲げ加工を行ない、
クラツクの発生状態などを観察した。結果を第１
表に併記するとともに、表面状態の顕微鏡写真
（320倍）を第６〜第１０図に示す。第６図は熱処
理なしのもの、そして第７図は100℃、第８図は
150℃、第９図は200℃、第１０図は300℃で熱処
理したものである。
しく述べるならば、コネクタ、スイツチ等の摺動
接触を伴う機構部品に使用する電気接触子を電気
めつきにより、これにパラジウムを被覆して製造
する方法に関する。 コネクタやスイツチなどに用いる電気接触子
は、従来、下地金属として一般に銅合金からなる
バネ材料を用い、この下地金属上に順次にニツケ
ルめつき、金めつきを施すことにより、あるいは
錫めつき又は錫―鉛合金めつきを施すことにより
製造されていた。しかし、これらの接触子におい
ては、金めつきでは接触性能は安定であるが非常
に高価となり、銀めつきでは耐硫化性に劣り、錫
系のめつきではコネクタなどの挿抜力に直接関係
する摩擦係数（μs）が大きくなり摩耗しやすい等
の欠点があつた。 最近になつて、これらの欠点をカバーする電気
接触子として、下地金属上にパラジウムめつきを
施したパラジウムめつき接触子又はパラジウムめ
つきを施した後その上に表面改良のため薄膜の金
めつきを施したパラジウム―金めつき接触子が提
案され、実用化されつつある。しかし、このよう
なパラジウムめつき系接触子の表面にはクラツク
が発生しやすいという欠点がある。また、ニツケ
ルめつきを施した上にパラジウムめつきを施すこ
とも提案されているが、この場合にはニツケルめ
つき層とパラジウムめつき層との密着性が悪いと
いう欠点がある。 本発明の目的は、前述した如き従来の電気接触
子の欠点を解消して、クラツクが発生しにくく密
着性に極めて優れたパラジウムめつき層を有する
電気接触子を提供することのできる方法を提供す
ることにある。 本発明によれば即ち下地金属上にパラジウムを
成分とする層を含む層を設けた如き構成の電気め
つき電気接触子の製造方法が提供されるのであつ
て、この方法は所定の電気めつきの後、この電気
接触子に対して100〜200℃の熱処理を施すことを
特徴とする。 即ち、本発明の目的は、下地金属上に常法によ
りパラジウムめつき層を形成した後、これを100
〜200℃で熱処理することにより達成されるので
ある。本発明者の検討によれば、かかる熱処理に
よりパラジウムめつき層におけるクラツクの発生
が顕著に減少するとともに、このめつき層の密着
性が著るしく改善されるということが、図らずも
見出されたのである。 本発明により得られるかかる優れた効果は次の
如き理由によるものと考えられる。即ち、パラジ
ウムめつき層は電気めつきの間に発生する水素を
多量にその内部に吸蔵するために非常に脆くなる
とともに内部応力も大きくなつて下地金属との密
着性が悪く、剥離しやすくなる。しかしこれを熱
処理するとパラジウムめつき層中に吸蔵されてい
た水素が放出されて減少し、そのために内部応力
も小さくなり、したがつてクラツクが発生しにく
くなるとともに下地金属との密着性が向上するの
である。パラジウムめつき層中に吸蔵されていた
水素は加熱により動きやすいものとなり、外部に
放散されて減少することとなる。その結果パラジ
ウムめつき層の内部応力は減少し、このめつき層
の脆さが改善されて塑性加工の可能なものとな
る。なお本発明において熱処理を行なう際の雰囲
気は、窒素などの不活性ガス、大気中、あるいは
真空中などいずれの場合でも、パラジウムめつき
層中に吸蔵された水素ガスの放出がありうるもの
である。したがつて水素ガス以外の雰囲気で熱処
理すれば、いずれの雰囲気も同様の効果と見なす
ことができる。 以下、本発明を実施例により更に詳しく説明す
る。 実施例 １ 下地金属として燐青銅角線（PBW―H0.6×0.6
mm角）を使用し、この燐青銅角線に1.5μmの厚さ
のニツケルめつきを行ない、その上にパラジウム
めつきを厚さ0.6μmで行つて、電気接触子を製造
した。この操作において、パラジウムめつきは日
本エレクトロプレイテイングエンジニアーズ(株)の
パラデツクスNo.16浴を使用し、浴温度60℃、PH
8.8、電流密度0.5A／dm2の条件により行つた。
このようにして得られた電気接触子を窒素ガス雰
囲気中、それぞれ100゜、150゜、200゜及び300℃の温
度で１時間熱処理を行つた。 この電気接触子を、第１１図に示す治具によ
り、90゜V曲げ加工（内側半径２mm）を行ない、
電気接触子の側面より見た曲げ加工部分の外側近
傍（引張り応力の最大部分近傍）における表面ク
ラツク発生状態及びめつき層剥離状態を光学顕微
鏡により観察した。その結果を後記の第１表に示
すとともに、表面状態の顕微鏡写真（320倍）を
第１〜５図に示す。第１図は熱処理なしのもの、
そして第２図は100℃、第３図は150℃、第４図は
200℃、第５図は300℃で熱処理したものである。 実施例 ２ パラジウムめつきの電流密度を2.0A／dm2にし
た以外は実施例１と同じ操作により電気接触子を
製造した。この電気接触子について、実施例１と
同様にして熱処理及び90゜のＶ曲げ加工を行ない、
クラツクの発生状態などを観察した。結果を第１
表に併記するとともに、表面状態の顕微鏡写真
（320倍）を第６〜第１０図に示す。第６図は熱処
理なしのもの、そして第７図は100℃、第８図は
150℃、第９図は200℃、第１０図は300℃で熱処
理したものである。
【表】
以上の結果から、パラジウムめつき層の曲げ加
工によるクラツクの発生は100〜200℃での熱処理
により、著るしく減少することが判る。また、こ
の温度における熱処理により剥離も発生しにくく
なることも明らかである。尚、150℃の熱処理に
おいては、パラジウム層の接触低抗（Rc）及び
耐食性は熱処理をしないものと比較しても全く差
違は認められなかつた。
工によるクラツクの発生は100〜200℃での熱処理
により、著るしく減少することが判る。また、こ
の温度における熱処理により剥離も発生しにくく
なることも明らかである。尚、150℃の熱処理に
おいては、パラジウム層の接触低抗（Rc）及び
耐食性は熱処理をしないものと比較しても全く差
違は認められなかつた。
第１〜５図は実施例１で得られた電気接触子の
表面状態を示す顕微鏡写真であり、第１図は熱処
理なし、第２図は100℃、第３図は150℃、第４図
は200℃、第５図は300℃で熱処理したものを示
す。第６〜第１０図は実施例２で得られた電気接
触子の表面状態を示す顕微鏡写真であり、第６図
は熱処理なし、第７図は100℃、第８図は150℃、
第９図は200℃、第１０図は300℃で熱処理したも
のを示す。また、第１１図は90゜V曲げ加工に使
用する治具の主要部を示す図である。 １…上型、２…下型、３…電気接触子。
表面状態を示す顕微鏡写真であり、第１図は熱処
理なし、第２図は100℃、第３図は150℃、第４図
は200℃、第５図は300℃で熱処理したものを示
す。第６〜第１０図は実施例２で得られた電気接
触子の表面状態を示す顕微鏡写真であり、第６図
は熱処理なし、第７図は100℃、第８図は150℃、
第９図は200℃、第１０図は300℃で熱処理したも
のを示す。また、第１１図は90゜V曲げ加工に使
用する治具の主要部を示す図である。 １…上型、２…下型、３…電気接触子。
Claims (1)
- １ 下地金属上にパラジウムを主成分とする層を
含む層を設けた如き構成の電気めつき電気接触子
を製造するに際して、所定の電気めつきの後、こ
の電気接触子に対して100〜200℃の熱処理を施す
ことを特徴とする電気接触子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14623380A JPS5772284A (en) | 1980-10-21 | 1980-10-21 | Method of producing electric contactor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14623380A JPS5772284A (en) | 1980-10-21 | 1980-10-21 | Method of producing electric contactor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5772284A JPS5772284A (en) | 1982-05-06 |
| JPS6327439B2 true JPS6327439B2 (ja) | 1988-06-02 |
Family
ID=15403111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14623380A Granted JPS5772284A (en) | 1980-10-21 | 1980-10-21 | Method of producing electric contactor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5772284A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6486448A (en) * | 1987-08-20 | 1989-03-31 | Sanyo Electric Co | Hydrogen absorption electrode |
| US5180482A (en) * | 1991-07-22 | 1993-01-19 | At&T Bell Laboratories | Thermal annealing of palladium alloys |
| US6559212B1 (en) | 1995-12-29 | 2003-05-06 | Monsanto Company | Plasticized polyvinyl butyral and sheet |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5134833A (en) * | 1974-09-18 | 1976-03-24 | Toyota Motor Co Ltd | Metsukihimaku no mitsuchakuryokuokojosuruhoho |
-
1980
- 1980-10-21 JP JP14623380A patent/JPS5772284A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5134833A (en) * | 1974-09-18 | 1976-03-24 | Toyota Motor Co Ltd | Metsukihimaku no mitsuchakuryokuokojosuruhoho |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5772284A (en) | 1982-05-06 |
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