JP2000150008A - リフローＳｎめっき材及び前記リフローＳｎめっき材を用いた端子、コネクタ、又はリード部材 - Google Patents
リフローＳｎめっき材及び前記リフローＳｎめっき材を用いた端子、コネクタ、又はリード部材Info
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- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
Abstract
(57)【要約】
【課題】 端子、コネクタ、又はリード部材に適した、
耐摩耗性、半田付性、及び耐食性に優れるリフローＳｎ
めっき材を提供する。 【解決手段】 導電性基体上に設けられたＳｎ層上に、
Ｂｉ層又は／及びＡｇ層が置換析出法により０．０１μ
ｍ以上０．５μｍ未満の厚さに設けられたのちリフロー
処理が施されて前記Ｓｎ層の表面及び表面近傍がＢｉ層
又は／及びＡｇ層により合金化されたリフローＳｎめっ
き材。 【効果】 本発明のリフローＳｎめっき材は、表面及び
表面近傍が合金化により硬化して耐摩耗性に優れ、また
耐食性も向上する。さらに前記表面及び表面近傍は合金
化により低融点化して半田付性が改善される。また基体
と合金化された表面近傍との間のＳｎ層により基体成分
の表面への拡散が抑制されて半田付性及び耐食性の低下
が防止される。
耐摩耗性、半田付性、及び耐食性に優れるリフローＳｎ
めっき材を提供する。 【解決手段】 導電性基体上に設けられたＳｎ層上に、
Ｂｉ層又は／及びＡｇ層が置換析出法により０．０１μ
ｍ以上０．５μｍ未満の厚さに設けられたのちリフロー
処理が施されて前記Ｓｎ層の表面及び表面近傍がＢｉ層
又は／及びＡｇ層により合金化されたリフローＳｎめっ
き材。 【効果】 本発明のリフローＳｎめっき材は、表面及び
表面近傍が合金化により硬化して耐摩耗性に優れ、また
耐食性も向上する。さらに前記表面及び表面近傍は合金
化により低融点化して半田付性が改善される。また基体
と合金化された表面近傍との間のＳｎ層により基体成分
の表面への拡散が抑制されて半田付性及び耐食性の低下
が防止される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は耐摩耗性、半田付
性、及び耐食性に優れるリフローＳｎめっき材及び前記
リフローＳｎめっき材を用いた端子、コネクタ、又はリ
ード部材に関する。
性、及び耐食性に優れるリフローＳｎめっき材及び前記
リフローＳｎめっき材を用いた端子、コネクタ、又はリ
ード部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｓｎめっき材は、銅合金などの導電性基
体上にＳｎ層を設けたもので、銅合金などの持つ高強度
高導電性とＳｎ層の持つ良好な耐食性と半田付性とを具
備した高性能導体であり、コンデンサや半導体のリード
線、端子、コネクタ、電線、ケーブルなどに広く用いら
れている。ところで、前記Ｓｎ層は、通常、純Ｓｎを電
気めっきして設けるが、この場合は、電気めっきした
ものは内部応力が大きいためＳｎウイスカーが発生し易
く短絡事故の危険がある、組織が緻密なため基体成分
がＳｎ層表面に拡散して耐食性や半田付性が低下する、
Ｓｎは軟質なため耐摩耗性に劣り、さらに接合相手の
表面が同じＳｎの場合は、凝着摩耗とアブレシブ摩耗が
起きて動摩擦係数が大きくなり耐摩耗性が低下する、な
どの問題がある。一方、Ｓｎ層をＳｎ合金で構成する
と、Ｓｎウイスカーは発生せず、また耐摩耗性も向上す
るが、Ｓｎ層を設ける方法に問題がある。即ち、電気め
っき法では組成のバラツキが大きく、溶融めっき法では
めっき厚さの制御が困難である。
体上にＳｎ層を設けたもので、銅合金などの持つ高強度
高導電性とＳｎ層の持つ良好な耐食性と半田付性とを具
備した高性能導体であり、コンデンサや半導体のリード
線、端子、コネクタ、電線、ケーブルなどに広く用いら
れている。ところで、前記Ｓｎ層は、通常、純Ｓｎを電
気めっきして設けるが、この場合は、電気めっきした
ものは内部応力が大きいためＳｎウイスカーが発生し易
く短絡事故の危険がある、組織が緻密なため基体成分
がＳｎ層表面に拡散して耐食性や半田付性が低下する、
Ｓｎは軟質なため耐摩耗性に劣り、さらに接合相手の
表面が同じＳｎの場合は、凝着摩耗とアブレシブ摩耗が
起きて動摩擦係数が大きくなり耐摩耗性が低下する、な
どの問題がある。一方、Ｓｎ層をＳｎ合金で構成する
と、Ｓｎウイスカーは発生せず、また耐摩耗性も向上す
るが、Ｓｎ層を設ける方法に問題がある。即ち、電気め
っき法では組成のバラツキが大きく、溶融めっき法では
めっき厚さの制御が困難である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようなことから、
本発明者等は耐食性、半田付性、及び耐摩耗性に優れる
Ｓｎめっき材について研究を進め、Ｓｎ層上にＢｉ層を
薄く設け、これにリフロー処理を施してＳｎ層の表面及
び表面近傍をＢｉで合金化したＳｎめっき材は、耐摩耗
性、半田付性などに優れることを知見し、さらに研究を
進めて本発明を完成させるに至った。本発明は、耐摩耗
性、半田付性、及び耐食性に優れるリフローＳｎめっき
材及び前記リフローＳｎめっき材を用いた端子、コネク
タ、又はリード部材の提供を目的とする。
本発明者等は耐食性、半田付性、及び耐摩耗性に優れる
Ｓｎめっき材について研究を進め、Ｓｎ層上にＢｉ層を
薄く設け、これにリフロー処理を施してＳｎ層の表面及
び表面近傍をＢｉで合金化したＳｎめっき材は、耐摩耗
性、半田付性などに優れることを知見し、さらに研究を
進めて本発明を完成させるに至った。本発明は、耐摩耗
性、半田付性、及び耐食性に優れるリフローＳｎめっき
材及び前記リフローＳｎめっき材を用いた端子、コネク
タ、又はリード部材の提供を目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
導電性基体上に設けられたＳｎ層上に、Ｂｉ層又は／及
びＡｇ層が置換析出法により０．０１μｍ以上０．５μ
ｍ未満の厚さに設けられたのちリフロー処理が施されて
前記Ｓｎ層の表面及び表面近傍が前記Ｂｉ層又は／及び
Ａｇ層により合金化されていることを特徴とするリフロ
ーＳｎめっき材である。
導電性基体上に設けられたＳｎ層上に、Ｂｉ層又は／及
びＡｇ層が置換析出法により０．０１μｍ以上０．５μ
ｍ未満の厚さに設けられたのちリフロー処理が施されて
前記Ｓｎ層の表面及び表面近傍が前記Ｂｉ層又は／及び
Ａｇ層により合金化されていることを特徴とするリフロ
ーＳｎめっき材である。
【０００５】請求項２記載の発明は、請求項１記載のリ
フローＳｎめっき材が用いられていることを特徴とする
端子、コネクタ、又はリード部材である。
フローＳｎめっき材が用いられていることを特徴とする
端子、コネクタ、又はリード部材である。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明は、導電性基体上に設けら
れたＳｎ層の表面及び表面近傍がＢｉ又は／及びＡｇに
より合金化されているリフローＳｎめっき材である。例
えば、導電性基体上に設けられたＳｎ層上にＢｉ層又は
／及びＡｇ層が設けられたのちリフロー処理が施され
て、前記Ｓｎ層の表面及び表面近傍が前記Ｂｉ層又は／
及びＡｇ層により合金化されたもので、表面及び表面近
傍が合金化されて硬いため耐摩耗性に優れ、また前記表
面及び表面近傍は合金化により融点が低くなり、半田付
けが良好になされる。さらに基体と表面近傍間のＳｎ層
が基体成分が表面に拡散するのを抑止するので耐食性に
優れる。前記Ｓｎ層の表面及び表面近傍がＢｉ層又は／
及びＡｇ層により合金化されていない場合は電食が起き
て耐食性が著しく低下する。
れたＳｎ層の表面及び表面近傍がＢｉ又は／及びＡｇに
より合金化されているリフローＳｎめっき材である。例
えば、導電性基体上に設けられたＳｎ層上にＢｉ層又は
／及びＡｇ層が設けられたのちリフロー処理が施され
て、前記Ｓｎ層の表面及び表面近傍が前記Ｂｉ層又は／
及びＡｇ層により合金化されたもので、表面及び表面近
傍が合金化されて硬いため耐摩耗性に優れ、また前記表
面及び表面近傍は合金化により融点が低くなり、半田付
けが良好になされる。さらに基体と表面近傍間のＳｎ層
が基体成分が表面に拡散するのを抑止するので耐食性に
優れる。前記Ｓｎ層の表面及び表面近傍がＢｉ層又は／
及びＡｇ層により合金化されていない場合は電食が起き
て耐食性が著しく低下する。
【０００７】本発明において、導電性基体には、Ｃｕ、
Ｃｕ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｆｅ、Ｆｅ合金などが用い
られる。前記基体上に設けられるＳｎ層にはＳｎ（純Ｓ
ｎ）が用いられる。
Ｃｕ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｆｅ、Ｆｅ合金などが用い
られる。前記基体上に設けられるＳｎ層にはＳｎ（純Ｓ
ｎ）が用いられる。
【０００８】本発明において、Ｂｉ層又は／及びＡｇ層
の厚さを０．０１μｍ以上０．５μｍ未満に規定する理
由は、０．０１μｍ未満では厚さが薄いため、耐摩耗性
が改善されず、０．５μｍ以上になるとＳｎ層全体が合
金化してＳｎ層による基体成分の拡散防止効果（バリヤ
効果）が減じて耐食性などが低下するためである。Ｂｉ
層又は／及びＡｇ層の特に望ましい厚さは０．０５〜
０．２μｍである。
の厚さを０．０１μｍ以上０．５μｍ未満に規定する理
由は、０．０１μｍ未満では厚さが薄いため、耐摩耗性
が改善されず、０．５μｍ以上になるとＳｎ層全体が合
金化してＳｎ層による基体成分の拡散防止効果（バリヤ
効果）が減じて耐食性などが低下するためである。Ｂｉ
層又は／及びＡｇ層の特に望ましい厚さは０．０５〜
０．２μｍである。
【０００９】本発明のリフローＳｎめっき材は、例え
ば、表面を脱脂及び酸洗により活性化した導電性基体上
にＳｎ層を、直接又はＮｉやＣｕなどを下地めっきした
のち、電気めっきし、次いでこれをＢｉイオンを含む置
換液中に浸漬して前記Ｓｎ層上にＢｉ層を置換析出さ
せ、次いでリフロー処理が施されて製造される。このリ
フロー処理によりＳｎ層表面がＢｉ層により合金化さ
れ、その表面は光沢のある平滑面に仕上げられる。
ば、表面を脱脂及び酸洗により活性化した導電性基体上
にＳｎ層を、直接又はＮｉやＣｕなどを下地めっきした
のち、電気めっきし、次いでこれをＢｉイオンを含む置
換液中に浸漬して前記Ｓｎ層上にＢｉ層を置換析出さ
せ、次いでリフロー処理が施されて製造される。このリ
フロー処理によりＳｎ層表面がＢｉ層により合金化さ
れ、その表面は光沢のある平滑面に仕上げられる。
【００１０】本発明において、Ｂｉ層又はＡｇ層を置換
析出法により設ける理由は、置換析出法は電気めっきの
ように種々の添加剤を入れて液を高精度に管理しなくて
も、薄い被膜を簡単に形成でき、さらに設備費及びラン
ニングコストが安いためである。
析出法により設ける理由は、置換析出法は電気めっきの
ように種々の添加剤を入れて液を高精度に管理しなくて
も、薄い被膜を簡単に形成でき、さらに設備費及びラン
ニングコストが安いためである。
【００１１】本発明において、Ｂｉを含有する置換液に
は塩化ビスマス、硝酸ビスマス、メタスルホン酸ビスマ
スなどの水溶液が用いられ、Ａｇを含有する置換液には
硝酸銀などの水溶液が用いられる。置換析出の条件は特
に規定しないが、置換液中のＢｉ又はＡｇの濃度は０．
１〜２０％、処理温度は室温〜８０℃、処理時間は１秒
〜１０分程度が適当である。リフロー処理条件は、特に
限定しないが、４００〜８００℃の温度で０．５〜１０
秒程度加熱する条件が適当である。
は塩化ビスマス、硝酸ビスマス、メタスルホン酸ビスマ
スなどの水溶液が用いられ、Ａｇを含有する置換液には
硝酸銀などの水溶液が用いられる。置換析出の条件は特
に規定しないが、置換液中のＢｉ又はＡｇの濃度は０．
１〜２０％、処理温度は室温〜８０℃、処理時間は１秒
〜１０分程度が適当である。リフロー処理条件は、特に
限定しないが、４００〜８００℃の温度で０．５〜１０
秒程度加熱する条件が適当である。
【００１２】
【実施例】以下に本発明を実施例により詳細に説明す
る。 （実施例１）定速で走行する厚さ０．３ｍｍの６５／３
５黄銅条の表面に純Ｓｎを電気めっきし、その上にＢｉ
層又は／及びＡｇ層を本発明規定値内に置換析出させ、
次いでリフロー処理を施してリフローＳｎめっき材を製
造し、これをコイルに巻取った。工程及び条件を下記に
示す。 〔工程〕電解脱脂→水洗→酸洗→水洗→下地Ｃｕめっき
→水洗→Ｓｎ電気めっき→水洗→Ｂｉ水溶液によるＢｉ
の置換析出→水洗→Ａｇ水溶液によるＡｇの置換析出→
水洗→熱風乾燥→リフロー処理。 〔電解脱脂〕電解液：水１リットルにクリーナー＃１６
０Ｓ（メルテックス製）を６０ｇ溶かした水溶液。 液温：６０℃。通電電流：２Ａ／ｄｍ2 。通電時間：１
０sec 。 〔酸洗〕酸洗液：水１リットルにＨ2 ＳＯ4 を１００ｇ
溶かした水溶液。 保持時間：１０sec 。 〔下地Ｃｕめっき〕電解液：水１リットルにＣｕＳＯ4
を２５０ｇ、Ｈ2 ＳＯ4を６０ｇ、ＨＣｌを３０ｍｌ溶
かした水溶液。 液温：５０℃。通電電流：５Ａ／ｄｍ2 。通電時間：３
０sec 。めっき厚さ：０．５μｍ。 〔Ｓｎ電気めっき〕電解液：水１リットルにＳｎＳＯ4
を８０ｇ、Ｈ2 ＳＯ4 を８０ｇ、５１３Ｙ（石原薬品
製）を３０ｃｃ溶かした水溶液。 液温：２０℃。通電電流：５Ａ／ｄｍ2 。通電時間：４
０sec 。めっき厚さ：１．２μｍ。 〔Ｂｉ置換析出〕置換液：水１リットルに硝酸ビスマス
を３０ｇ溶かした水溶液。液温：３０℃。保持時間：２
〜３０sec 。〔Ａｇ置換析出〕置換液：水１リットルに
硝酸銀を１０ｇ溶かした水溶液。 液温：３０℃。保持時間：２〜３０sec 。
る。 （実施例１）定速で走行する厚さ０．３ｍｍの６５／３
５黄銅条の表面に純Ｓｎを電気めっきし、その上にＢｉ
層又は／及びＡｇ層を本発明規定値内に置換析出させ、
次いでリフロー処理を施してリフローＳｎめっき材を製
造し、これをコイルに巻取った。工程及び条件を下記に
示す。 〔工程〕電解脱脂→水洗→酸洗→水洗→下地Ｃｕめっき
→水洗→Ｓｎ電気めっき→水洗→Ｂｉ水溶液によるＢｉ
の置換析出→水洗→Ａｇ水溶液によるＡｇの置換析出→
水洗→熱風乾燥→リフロー処理。 〔電解脱脂〕電解液：水１リットルにクリーナー＃１６
０Ｓ（メルテックス製）を６０ｇ溶かした水溶液。 液温：６０℃。通電電流：２Ａ／ｄｍ2 。通電時間：１
０sec 。 〔酸洗〕酸洗液：水１リットルにＨ2 ＳＯ4 を１００ｇ
溶かした水溶液。 保持時間：１０sec 。 〔下地Ｃｕめっき〕電解液：水１リットルにＣｕＳＯ4
を２５０ｇ、Ｈ2 ＳＯ4を６０ｇ、ＨＣｌを３０ｍｌ溶
かした水溶液。 液温：５０℃。通電電流：５Ａ／ｄｍ2 。通電時間：３
０sec 。めっき厚さ：０．５μｍ。 〔Ｓｎ電気めっき〕電解液：水１リットルにＳｎＳＯ4
を８０ｇ、Ｈ2 ＳＯ4 を８０ｇ、５１３Ｙ（石原薬品
製）を３０ｃｃ溶かした水溶液。 液温：２０℃。通電電流：５Ａ／ｄｍ2 。通電時間：４
０sec 。めっき厚さ：１．２μｍ。 〔Ｂｉ置換析出〕置換液：水１リットルに硝酸ビスマス
を３０ｇ溶かした水溶液。液温：３０℃。保持時間：２
〜３０sec 。〔Ａｇ置換析出〕置換液：水１リットルに
硝酸銀を１０ｇ溶かした水溶液。 液温：３０℃。保持時間：２〜３０sec 。
【００１３】（比較例１）Ｂｉ層の厚さを本発明規定値
外とした他は、実施例１と同じ方法によりリフローＳｎ
めっき材を製造した。
外とした他は、実施例１と同じ方法によりリフローＳｎ
めっき材を製造した。
【００１４】（比較例２）実施例１でリフロー処理を施
さなかった。
さなかった。
【００１５】実施例１及び比較例１、２で得られた各々
のリフローＳｎめっき材について、動摩擦係数及び恒温
恒湿試験前後の半田付性を下記方法により調べた。動摩
擦係数は耐摩耗性の良否を判定する基準となるもので、
動摩擦係数が小さいほどコネクタにおける挿入力及び挿
抜力が小さくなり耐摩耗性が優れることになる。結果を
表１、２に示す。 〔動摩擦係数〕荷重：９８ｍＮ（１０ｇｆ）。摺動距
離：１０ｍｍ。摺動回数：１００回。使用プローブ：リ
フローＳｎめっき条にダボ（凹凸）加工（先端５Ｒ）を
施したもの。 〔半田付性〕メニスコグラフ法（MIL-STD-883 M2022,IE
C68-2-54に基づく濡れ性試験）によりゼロクロスタイム
を求めて判定した。ゼロクロスタイムが小さいほど半田
付性に優れる。恒温恒湿試験条件：温度６０℃、相対湿
度９５ＲＨ、暴露時間５００ｈｒ。半田：融点２３０℃
の共晶半田。浸漬時間：１０sec 。浸漬速度：２５ｍｍ
/sec。浸漬深さ：８ｍｍ。フラックス：２５％ロジン／
メタノール。
のリフローＳｎめっき材について、動摩擦係数及び恒温
恒湿試験前後の半田付性を下記方法により調べた。動摩
擦係数は耐摩耗性の良否を判定する基準となるもので、
動摩擦係数が小さいほどコネクタにおける挿入力及び挿
抜力が小さくなり耐摩耗性が優れることになる。結果を
表１、２に示す。 〔動摩擦係数〕荷重：９８ｍＮ（１０ｇｆ）。摺動距
離：１０ｍｍ。摺動回数：１００回。使用プローブ：リ
フローＳｎめっき条にダボ（凹凸）加工（先端５Ｒ）を
施したもの。 〔半田付性〕メニスコグラフ法（MIL-STD-883 M2022,IE
C68-2-54に基づく濡れ性試験）によりゼロクロスタイム
を求めて判定した。ゼロクロスタイムが小さいほど半田
付性に優れる。恒温恒湿試験条件：温度６０℃、相対湿
度９５ＲＨ、暴露時間５００ｈｒ。半田：融点２３０℃
の共晶半田。浸漬時間：１０sec 。浸漬速度：２５ｍｍ
/sec。浸漬深さ：８ｍｍ。フラックス：２５％ロジン／
メタノール。
【００１６】
【表１】 （注）No.7〜9 は基体上にＢｉ層その上にＡｇ層を設けた。
【００１７】
【表２】 （注）No.10,11：比較例１、No.12,13：比較例２。
【００１８】表１、２より明らかなように、本発明例の
No.1〜9 はいずれも動摩擦係数が小さく耐摩耗性に優
れ、また半田濡れ性にも優れた。この半田濡れ性は恒温
恒湿試験後も良好で、本発明例品は耐食性にも優れた。
これに対し、比較例のNo.10 はＢｉ層が薄かったため動
摩擦係数が大きく耐摩耗性に劣った。 No.11はＢｉ層が
厚かったため耐食性に劣った。比較例の No.12は表面及
び表面近傍がＢｉ層のため耐摩耗性は問題なかったが、
リフロー処理を施さなかったため、融点(271℃) が高く
半田付性に劣り、また耐食性にも劣った。 No.13は表面
及び表面近傍がＡｇ層のため耐摩耗性に劣り、またリフ
ロー処理を施さなかったため耐食性にも劣った。従来材
のNo.14,15は、耐摩耗性及び耐食性に劣り、特にNo.15
はリフロー処理を施さなかったため半田付性に劣った。
No.1〜9 はいずれも動摩擦係数が小さく耐摩耗性に優
れ、また半田濡れ性にも優れた。この半田濡れ性は恒温
恒湿試験後も良好で、本発明例品は耐食性にも優れた。
これに対し、比較例のNo.10 はＢｉ層が薄かったため動
摩擦係数が大きく耐摩耗性に劣った。 No.11はＢｉ層が
厚かったため耐食性に劣った。比較例の No.12は表面及
び表面近傍がＢｉ層のため耐摩耗性は問題なかったが、
リフロー処理を施さなかったため、融点(271℃) が高く
半田付性に劣り、また耐食性にも劣った。 No.13は表面
及び表面近傍がＡｇ層のため耐摩耗性に劣り、またリフ
ロー処理を施さなかったため耐食性にも劣った。従来材
のNo.14,15は、耐摩耗性及び耐食性に劣り、特にNo.15
はリフロー処理を施さなかったため半田付性に劣った。
【００１９】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明のリフロー
Ｓｎめっき材は、例えば、導電性基体上に設けられたＳ
ｎ層上にＢｉ層又は／及びＡｇ層が設けられたのちリフ
ロー処理が施されて前記Ｓｎ層の表面及び表面近傍が合
金化されたものであり、従って前記表面及び表面近傍は
合金化により硬化して耐摩耗性に優れ、また耐食性も向
上する。さらに前記表面及び表面近傍は合金化により低
融点化して半田付性が改善される。また基体と合金化さ
れた表面近傍との間のＳｎ層により基体成分の表面への
拡散が抑制されて半田付性及び耐食性の低下が防止され
る。依って、工業上顕著な効果を奏する。
Ｓｎめっき材は、例えば、導電性基体上に設けられたＳ
ｎ層上にＢｉ層又は／及びＡｇ層が設けられたのちリフ
ロー処理が施されて前記Ｓｎ層の表面及び表面近傍が合
金化されたものであり、従って前記表面及び表面近傍は
合金化により硬化して耐摩耗性に優れ、また耐食性も向
上する。さらに前記表面及び表面近傍は合金化により低
融点化して半田付性が改善される。また基体と合金化さ
れた表面近傍との間のＳｎ層により基体成分の表面への
拡散が抑制されて半田付性及び耐食性の低下が防止され
る。依って、工業上顕著な効果を奏する。
Claims (2)
- 【請求項１】 導電性基体上に設けられたＳｎ層上に、
Ｂｉ層又は／及びＡｇ層が置換析出法により０．０１μ
ｍ以上０．５μｍ未満の厚さに設けられたのちリフロー
処理が施されて前記Ｓｎ層の表面及び表面近傍が前記Ｂ
ｉ層又は／及びＡｇ層により合金化されていることを特
徴とするリフローＳｎめっき材。 - 【請求項２】 請求項１記載のリフローＳｎめっき材が
用いられていることを特徴とする端子、コネクタ、又は
リード部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31669198A JP4014739B2 (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | リフローＳｎめっき材及び前記リフローＳｎめっき材を用いた端子、コネクタ、又はリード部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31669198A JP4014739B2 (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | リフローＳｎめっき材及び前記リフローＳｎめっき材を用いた端子、コネクタ、又はリード部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150008A true JP2000150008A (ja) | 2000-05-30 |
| JP4014739B2 JP4014739B2 (ja) | 2007-11-28 |
Family
ID=18079835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31669198A Expired - Fee Related JP4014739B2 (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | リフローＳｎめっき材及び前記リフローＳｎめっき材を用いた端子、コネクタ、又はリード部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4014739B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080061908A1 (en) * | 2006-09-13 | 2008-03-13 | Fujitsu Limited | Coaxial connector and method for manufacturing the same, and superconductor device and method for manufacturing the same |
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1998
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