JPH05183064A - Icパッケージ及びその実装方法 - Google Patents

Icパッケージ及びその実装方法

Info

Publication number
JPH05183064A
JPH05183064A JP4000902A JP90292A JPH05183064A JP H05183064 A JPH05183064 A JP H05183064A JP 4000902 A JP4000902 A JP 4000902A JP 90292 A JP90292 A JP 90292A JP H05183064 A JPH05183064 A JP H05183064A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
package
chip
power supply
positive
metal wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP4000902A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2766920B2 (ja
Inventor
Masahiro Ueda
昌弘 植田
Shuichi Matsue
秀一 松江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP4000902A priority Critical patent/JP2766920B2/ja
Priority to US07/997,756 priority patent/US5554824A/en
Priority to DE4244615A priority patent/DE4244615C2/de
Publication of JPH05183064A publication Critical patent/JPH05183064A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2766920B2 publication Critical patent/JP2766920B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/485Adaptation of interconnections, e.g. engineering charges, repair techniques
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H01L23/057Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads being parallel to the base
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49822Multilayer substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48233Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a potential ring of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01022Titanium [Ti]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01023Vanadium [V]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015Shape
    • H01L2924/1016Shape being a cuboid
    • H01L2924/10162Shape being a cuboid with a square active surface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15153Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1517Multilayer substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15312Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/163Connection portion, e.g. seal
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/163Connection portion, e.g. seal
    • H01L2924/16315Shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 単一電源で動作するICチップと正負二電源
で動作するICチップとを、パッケージ内の配線パター
ンを変えることなく共通のパッケージにて実装する。 【構成】 パッケージ本体1上に2種類の蓋付け用の金
属配線パターン2,11を形成し、蓋の大きさによりIC
チップ4に印加される複数の電源端子の短絡の有無を制
御する。単一電源で動作するICチップ4を実装する場
合には、両金属配線パターン2,11に接触する大きい蓋
を被せて金属配線パターン2,11を短絡させ、正負二電
源で動作するICチップ4を実装する場合には、金属配
線パターン2のみに接触する小さい蓋を被せて金属パタ
ーン配線2,11を短絡させない。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、単一電源で使用される
ICチップ及び正負二電源で使用されるICチップを実
装できるICパッケージ及びその実装方法に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】近年、ICの中で回路素子数が多数であ
るLSIは、製造及び回路技術の改良により、PMOS
FET及びNMOSFETを用いたCMOS(相補型金
属酸化膜半導体)とバイポーラトランジスタとを1つの
チップ上に形成することで色々な機能を実現できるよう
になってきている。例えば1990年NEC技報Vol.43 No.
12 pp.119 〜121 に記載されているような、CMOSと
バイポーラトランジスタとで論理回路を構成するBiC
MOSゲートアレイでは、従来のTTL(Transistor T
ransistor Logic)に加え、高速動作が可能なECL(Em
itter Coupled Logic)を1つのチップ上に構成させるこ
とにより、LSIの機能を高めることが可能になってい
る。
【0003】図1は、TTLの入出力レベルとのインタ
ーフェースが可能であるゲートアレイの構成の一例を示
す。図1においてゲートアレイは、TTLの入力をLS
I内部に伝えるためのTTL入力バッファ21と、BiC
MOS(またはCMOS)にて論理を構成した内部ゲー
ト22と、内部ゲート22の信号を受けてTTLレベルで出
力するためのTTL出力バッファ23とを直列接続させた
構成をなす。TTL入力バッファ21はTTL入力端子T
Iに接続され、TTL出力バッファ23はTTL出力端子
TOに接続されている。また、LSIチップは正の電源
端子VCC及び接地端子GNDに接続され、LSIチッ
プには正電圧(通常は5V)が印加される。上述の構成
のゲートアレイでは、ICチップに印加される電源は単
一電源である。
【0004】図2は、TTL及びECLの入出力レベル
とのインターフェースが可能であるゲートアレイの構成
の一例を示す。図2において図1と同番号を付した部分
は同一部分を示す。図中24, 25は夫々、ECL入力端子
EIに接続されてECLの入力をLSI内部に伝えるた
めのECL入力バッファ, ECL出力端子EOに接続さ
れて内部ゲート22の信号を受けてECLレベルで出力す
るためのECL出力バッファである。また、TTL入力
バッファ21及びTTL出力バッファ23には、TTLを内
部ゲート22の論理レベルに変換するためのレベル変換回
路26及び27が夫々接続されている。LSIチップは正の
電源端子VCC及び接地端子GNDに加えて負の電源端
子VEEにも接続され、LSIチップには正電圧に加え
て負電圧(通常は−5Vまたは−4.5 V)が印加され
る。上述の構成のゲートアレイでは、ICチップに印加
される電源は正負二電源である。
【0005】図1及び図2の構成は、何れも同じマスタ
チップを用いて形成されるが、通常、ゲートアレイでは
ICチップを載せるパッケージは共通化されている。例
えば、図3に示すようなファインセラミックで作られた
セラミックパッケージにICチップを載せる方法が知ら
れている。なお、図4は図3のIV─IV線における断面図
である。
【0006】図3,4において、1はファインセラミッ
ク製のパッケージ本体であり、パッケージ本体1の表面
上には環状の金属配線パターン2が形成されている。金
属配線パターン2には、ICチップを内部に封止するた
めの蓋10が半田等により接続されている。なお、図3で
はこの蓋10の図示を省略している。金属配線パターン2
に囲まれた中央の領域であるダイボンド領域6におい
て、その周縁部に多数のパッド7を並設させたICチッ
プ4がパッケージ本体1に固定されている。金属配線パ
ターン2とダイボンド領域6との間の領域には、パッケ
ージ側の多数の内側配線電極3が形成されており、対応
する内側配線電極3とパッド7とはワイヤ線5にて接続
されている。パッケージ本体1からは、正電源端子VC
C,負電源端子VEE,接地端子GND等に夫々対応す
る多数の外部リード8が引き出されている。正電源端子
VCC,接地端子GNDの各外部リード8と内側配線電
極3、及び負電源端子VEEとダイボンド領域6とはパ
ッケージ内の配線9により接続されている。なお、正電
源端子VCC,負電源端子VEE,接地端子GNDの電
源ピンは、通常、1種類のパッケージに対して予め決ま
った外部リードピン位置に割り当てられている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
パッケージ構造では、図1に示したような単一電源の構
成のICチップと図2に示したような正負二電源の構成
のICチップとを共用させて実装した場合に、以下に述
べるような不都合がある。単一電源の構成のICチップ
を実装した場合には、負電源端子VEEの外部リード8
が使われずに無駄である。また、正負二電源の構成のI
Cチップの場合には負電源端子VEEに接続されている
ダイボンド領域6を、単一電源の構成のICチップを実
装する際には接地端子GNDまたは正電源端子VCCに
接続して電位的に固定する必要があるので、そのための
ワイヤ配線を施さなければならない。
【0008】このような不都合を解消すべく、単一電源
の構成のICチップ,正負二電源の構成のICチップ夫
々に対してパッケージを個別に用意しておく方法が考え
られるが、この方法では、用意すべきパッケージの種類
が多く、パッケージの開発コストが多くかかるという問
題がある。
【0009】本発明は斯かる事情に鑑みてなされたもの
であり、単一電源及び正負二電源の両方の構成のICチ
ップに対して、何れの構成にあっても電源ピンを有効に
利用でき、共通のワイヤ配線にて単一電源及び正負二電
源の両方のICチップの実装が可能であるICパッケー
ジ及びその実装方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本願の第1発明に係るI
Cパッケージは、パッケージ本体に2種類以上の配線パ
ターンを設け、各配線パターン夫々にICチップに印加
される異なる電圧を印加するように構成したことを特徴
とする。
【0011】本願の第2発明に係るICパッケージは、
第1発明において、複数の蓋との接触状態が異なるよう
に、各配線パターンを異ならせたことを特徴とする。
【0012】本願の第3発明に係るICパッケージの実
装方法は、第1発明のICパッケージを用い、ICチッ
プに印加させる電源の数に応じて、大きさが異なる蓋を
使い分けるようにすることを特徴とする。
【0013】
【作用】第1発明では、ICチップに印加されるべき異
なる電圧が印加される2種類の配線パターンを短絡させ
ると、単一電源の構成のICチップに適用でき、一方、
この2種類の配線パターンを短絡させない場合には、各
々に独立した電圧が印加されて正負二電源の構成のIC
チップに適用できる。
【0014】第2,第3発明では、上述したような短絡
の発生の有無を大きさが異なる2種類以上の蓋を使い分
けることにより制御する。よって、パッケージの蓋を取
り替えることにより、パッケージ内の配線構造を変える
ことなく、単一電源と正負二電源との両方のICチップ
を実装できる。
【0015】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
いて具体的に説明する。
【0016】図5は本発明に係るICパッケージの構成
を示す平面図である。図5において、1はファインセラ
ミック製のパッケージ本体であり、パッケージ本体1の
表面上には環状の金属配線パターン2,11が二重に形成
されている。金属配線パターン11は、金属配線パターン
2を囲むようにその外側の領域に形成されている。金属
配線パターン2に囲まれた中央の領域であるダイボンド
領域6において、その周縁部に多数のパッド7を並設さ
せたICチップ4がパッケージ本体1に固定されてい
る。金属配線パターン2とダイボンド領域6との間の領
域には、パッケージ側の多数の内側配線電極3が形成さ
れており、対応する内側配線電極3とパッド7とはワイ
ヤ線5にて接続されている。図5において、図3(従来
例)と異なる点は、金属配線パターン2の外側にこれと
は別の金属配線パターン11を追加形成していることであ
る。
【0017】図6,図7は図5のA−A′線における断
面図であり、図6は単一電源のICチップを実装した場
合を示し、図7は正負二電源のICチップを実装した場
合を示している。図6,図7において、パッケージ本体
1からは、正電源端子VCC,負電源端子VEE,接地
端子GND等に夫々対応する多数の外部リード8が引き
出されている。正電源端子VCCの外部リード8と内側
配線電極3とは、パッケージ内の配線9により接続され
ている。また、接地端子GNDのの外部リード8と内側
配線電極3及び内側の金属配線パターン2とは、パッケ
ージ内の配線9により接続されている。更に、負電源端
子VEEの外部リード8とダイボンド領域6及び外側の
金属配線パターン11とは、パッケージ内の配線9により
接続されている。図6では、ICチップを内部に封止す
るための蓋10が、金属配線パターン2,11に半田等によ
り接続されている。一方、図7では、図6における蓋10
に比べて一回り小さい同様の蓋10が、金属配線パターン
2にのみ半田等により接続されている。図6,図7にお
いて、図4(従来例)と異なる点は、負電源端子VE
E,接地端子GNDが、パッケージ本体1表面の金属配
線パターン11,2とパッケージ内で結線されていること
である。
【0018】次に、図6,図7を参照して、単一電源,
正負二電源の両方のタイプのICチップを実装する機構
について説明する。
【0019】図6に示すように、金属配線パターン2,
11を短絡させるような大きな蓋10を使用した場合には、
負電源端子VEEと接地端子GNDとが短絡されるの
で、単一電源のICチップの実装に適用できる。
【0020】一方、図7に示すように、金属配線パター
ン2だけを覆うような小さな蓋10を使用した場合には、
負電源端子VEEと結線された金属配線パターン11は接
地端子GNDと独立しているので、正負二電源のICチ
ップの実装に適用できる。
【0021】なお、上述の実施例では、負電源端子VE
Eと接地端子GNDとを蓋10により短絡させたが、金属
配線パターン11を正電源端子VCCと結線させた場合に
は、単一電源として負電圧が印加されるようなICチッ
プの実装も可能である。
【0022】また、上述した実施例の変形例として、金
属配線パターン2,11に加えて更に別の金属配線パター
ンを金属配線パターン11の外側または内側に形成し、こ
の金属配線パターンを正電源端子VCCと結線させるよ
うな構成も考えられる。このような場合には、大きさが
異なる3種類の蓋を使い分けるようにすることは言うま
でもない。
【0023】
【発明の効果】以上のように第1発明では、パッケージ
本体に2種類以上の配線パターンを設け、各配線パター
ンにICチップに印加される異なる電圧を印加するよう
にしたので、2種類の配線パターンの短絡の有無によ
り、単一電源,正負二電源で動作する両方のICチップ
をパッケージ内の配線パターンを変えることなく容易に
実装することができる。
【0024】第2,第3発明では、大きさが異なる蓋を
用いて2種類の配線パターンの短絡の有無を制御したの
で、単に蓋を取り替えるだけで、単一電源,正負二電源
で動作する両方のICチップの実装が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】単一電源のTTLを構成するLSIチップの一
例を示す図である。
【図2】正負二電源のTTL及びECLを構成するLS
Iチップの一例を示す図である。
【図3】従来のICパッケージを示す平面図である。
【図4】図3のIV−IV線における断面図である。
【図5】本発明のICパッケージを示す平面図である。
【図6】単一電源のICチップを実装する場合の図5の
A−A′線における断面図である。
【図7】正負二電源のICチップを実装する場合の図5
のA−A′線における断面図である。
【符号の説明】
1 パッケージ本体 2,11 金属配線パターン 4 ICチップ 8 外部リード 9 パッケージ内の配線 10 蓋

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電圧が印加されるICチップを実装する
    ICパッケージにおいて、その表面に少なくとも2種類
    の配線パターンを有するパッケージ本体を備え、前記少
    なくとも2種類の各配線パターンへ相異なる電圧を印加
    すると共に、前記相異なる電圧を前記ICチップへ印加
    すべく構成したことを特徴とするICパッケージ。
  2. 【請求項2】 大きさが相異なった各別に被せられる少
    なくとも2種類の蓋との接触状態が異なるように、前記
    少なくとも2種類の配線パターンが異なることを特徴と
    する請求項1記載のICパッケージ。
  3. 【請求項3】 前記少なくとも2種類の配線パターンと
    の接触状態が異なるように、大きさが相異なる少なくと
    も2種類の蓋を請求項1記載のICパッケージに対して
    使い分けることを特徴とするICパッケージの実装方
    法。
JP4000902A 1992-01-07 1992-01-07 Icパッケージ及びその実装方法 Expired - Fee Related JP2766920B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4000902A JP2766920B2 (ja) 1992-01-07 1992-01-07 Icパッケージ及びその実装方法
US07/997,756 US5554824A (en) 1992-01-07 1992-12-30 IC package and packaging method for the same
DE4244615A DE4244615C2 (de) 1992-01-07 1992-12-31 IC-Gehäuse und Verfahren zur Kapselung eines IC-Chips in einem solchen IC-Gehäuse

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4000902A JP2766920B2 (ja) 1992-01-07 1992-01-07 Icパッケージ及びその実装方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05183064A true JPH05183064A (ja) 1993-07-23
JP2766920B2 JP2766920B2 (ja) 1998-06-18

Family

ID=11486615

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4000902A Expired - Fee Related JP2766920B2 (ja) 1992-01-07 1992-01-07 Icパッケージ及びその実装方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5554824A (ja)
JP (1) JP2766920B2 (ja)
DE (1) DE4244615C2 (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5798909A (en) * 1995-02-15 1998-08-25 International Business Machines Corporation Single-tiered organic chip carriers for wire bond-type chips
JP3014029B2 (ja) * 1995-06-16 2000-02-28 日本電気株式会社 半導体素子の実装方法
US5933026A (en) * 1997-04-11 1999-08-03 Intel Corporation Self-configuring interface architecture on flash memories
US6111199A (en) * 1998-04-07 2000-08-29 Integrated Device Technology, Inc. Integrated circuit package using a gas to insulate electrical conductors
US6242814B1 (en) 1998-07-31 2001-06-05 Lsi Logic Corporation Universal I/O pad structure for in-line or staggered wire bonding or arrayed flip-chip assembly
US6140698A (en) * 1998-12-21 2000-10-31 Nortel Networks Corporation Package for microwave and mm-wave integrated circuits
TWI321342B (en) * 2004-11-05 2010-03-01 Altus Technology Inc An integrate circuit chip encapsulation and the method of manufacturing it
CN100454523C (zh) * 2004-11-06 2009-01-21 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 集成电路晶片封装及其制造方法
TWI284394B (en) * 2005-05-12 2007-07-21 Advanced Semiconductor Eng Lid used in package structure and the package structure of having the same
CN104201165B (zh) * 2014-09-15 2017-02-15 西安理工大学 一种双环硅通孔结构及其制造方法
US10804188B2 (en) 2018-09-07 2020-10-13 Intel Corporation Electronic device including a lateral trace

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4153988A (en) * 1977-07-15 1979-05-15 International Business Machines Corporation High performance integrated circuit semiconductor package and method of making
JPS58446U (ja) * 1981-06-25 1983-01-05 富士通株式会社 混成集積回路装置
CA1320006C (en) * 1986-06-02 1993-07-06 Norio Hidaka Package for integrated circuit
US5036163A (en) * 1989-10-13 1991-07-30 Honeywell Inc. Universal semiconductor chip package
JP3074003B2 (ja) * 1990-08-21 2000-08-07 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置
EP0547807A3 (en) * 1991-12-16 1993-09-22 General Electric Company Packaged electronic system

Also Published As

Publication number Publication date
DE4244615A1 (en) 1993-07-08
JP2766920B2 (ja) 1998-06-18
DE4244615C2 (de) 2000-06-29
US5554824A (en) 1996-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8829968B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
EP0180776A2 (en) Chip-on-chip semiconductor device
JP2766920B2 (ja) Icパッケージ及びその実装方法
JP2560805B2 (ja) 半導体装置
JP2531827B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH01117520A (ja) レベル変換回路
US6646342B2 (en) Semiconductor chip and multi-chip module
JPS59193046A (ja) 半導体集積回路装置
JPS63314847A (ja) マスタ−スライス型半導体装置
JP2749185B2 (ja) 複合論理回路
JP3711027B2 (ja) 半導体装置
JP3711139B2 (ja) 半導体装置
US6833286B2 (en) Semiconductor device with variable pin locations
JPS6159762A (ja) 半導体装置
EP0929107A1 (en) Semiconductor photocoupler using MOS transistors
JP2915319B2 (ja) 半導体装置
JPH0427159A (ja) 半導体装置
JPS6251231A (ja) 半導体集積回路装置
JPH0194637A (ja) 半導体集積回路
JPH0750392A (ja) 半導体集積回路装置
JP3036459B2 (ja) Ecl/cmos混在型半導体集積回路装置
JPH0360061A (ja) 集積回路パッケージ
JP2003318263A (ja) 半導体装置
JPH042150A (ja) 半導体集積回路
JPH07297290A (ja) 半導体集積回路装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees