DE4244615C2 - IC-Gehäuse und Verfahren zur Kapselung eines IC-Chips in einem solchen IC-Gehäuse - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein IC-Gehäuse und auf ein Verfahren zur Kapselung eines IC-Chips in einem solchen IC-Gehäuse.

Neuerdings kann durch Verbesserungen in der Prozeß- und der Schaltungstechnologie ein LSI, welcher ein IC mit einer größeren Anzahl von Schaltungselementen ist, durch Ausbildung von CMOS- (Complementary Metal-Oxid Semiconductor)Vorrichtungen unter Benutzung von PMOS-FET's und NMOS-FET's und bipolaren Transi­ storen auf einem einzigen Chip, hergestellt werden, wodurch dem LSI das Ausführen verschiedener Funktionen ermöglicht wird. Zum Beispiel bei einem BiCMOS-Gate-Array, wie in NEC GIHO, 1990, Vol. 43, No. 12, pp. 119-121 beschrieben, mit aus CMOS-Vor­ richtungen und bipolaren Transistoren bestehenden logischen Schaltungen kann die Funktion des LSI durch Ausbildung von ECL- (Emitter Coupled Logic)Vorrichtungen, welche mit hoher Geschwindigkeit auf einem einzelnen Chip zusätzlich zu konventionellen TTL(Transistor-Transistor Logic)-Vorrichtungen betrieben werden können, erweitert werden.

Fig. 1 zeigt die Struktur eines Beispiels eines Gate-Arrays, wie es in der oben genannten Druckschrift beschrieben ist, welches Schnittstellen mit Eingabe- und Ausgabepegeln einer TTL- Vorrichtung aufweist. In dem Gate-Array aus Fig. 1 sind ein TTL- Eingabepuffer 21, welcher die Eingabe einer TTL-Vorrichtung an das Innere eines LSI überträgt, ein internes Gate 22, welches eine Schaltungslogik mit BiCMOS(oder CMOS)-Vorrichtungen bildet, und ein TTL-Ausgabepuffer 23, welcher ein Signal des internen Gate 22 empfängt und es auf einem TTL-Pegel ausgibt, in Serie geschaltet. Der TTL-Eingabepuffer 21 ist mit TTL-Eingabeanschluß TI und der TTL-Ausgabepuffer 23 ist mit einem TTL-Ausgabean­ schluß TO verbunden. Der LSI-Chip ist mit einem positiven Stromversorgungsanschluß VCC und außerdem mit einem Erdanschluß GND verbunden und eine positive Spannung (gewöhnlich 5 V) ist an dem LSI-Chip angelegt. Bei dem so konfigurierten Gate-Array ist eine einzelne Stromversorgungsspannung an den IC-Chip angelegt.

Fig. 2 zeigt die Struktur eines Beispiels eines Gate-Array, wie es in der oben genannten Druckschrift beschrieben ist, welches Schnittstellen mit Eingabe- und Ausgabepegeln einer TTL- Vorrichtung und einer ECL-Vorrichtung aufweist. In Fig. 2 sind Teile, die mit den gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 1 be­ zeichnet sind, identisch mit den in Fig. 1. In der Figur be­ zeichnet 24 einen ECL-Eingabepuffer, welcher an einem ECL-Ein­ gabeanschluß EI angeschlossen ist und die die Eingabe einer ECL- Vorrichtung an das Innere eines LSI überträgt, und 25 einen ECL- Ausgabepuffer, welcher an einen ECL-Ausgabeanschluß EO ange­ schlossen ist und ein Signal des internen Gates 22 erhält und es auf ECL-Pegel ausgibt. Pegelkonvertierer 26 und 27, welche den TTL-Pegel auf den logischen Pegel des internen Gates 22 konver­ tieren sind mit dem TTL-Eingabepuffer 21 bzw. dem TTL-Ausgabe­ puffer 23 verbunden. Der LSI-Chip ist außerdem mit einem nega­ tiven Stromversorgungsanschluß VEE, zusätzlich zu dem positiven Stromversorgungsanschluß VCC und dem Erdanschluß GND, verbunden, so daß eine negative Spannung (gewöhnlich -5 V oder -4,5 V) zusammen mit der positiven Spannung an den LSI-Chip angelegt ist. In dem so konfigurierten Gate-Array werden zwei Arten von Stromversorgungsspannungen (postive und negative Spannungen) an den IC-Chip angelegt.

Die beiden Konfigurationen aus Fig. 1 und 2 können aus dem gleichen Standardchip erhalten werden. Im Bereich der Gate- Arrays sind generell die Gehäuse in welchem die IC-Chips gekapselt werden dieselben wie bei allen IC-Chips. Zum Beispiel ist es aus der JP 63-81956 (A) bekannt, daß ein IC-Chip in einem keramischen Gehäuse, welches aus feiner Keramik gemacht ist, wie es in Fig. 3 gezeigt ist, gekapselt wird. Fig. 4 ist eine Schnittansicht entlang der Linie IV-IV aus Fig. 3.

In den Fig. 3 und 4 bezeichnet das Bezugszeichen 1 einen Gehäu­ sekörper, welcher aus feiner Keramik gemacht ist. Auf der Ober­ fläche des Gehäusekörpers 1 ist ein ringförmiges metallisches Verdrahtungsmuster 2 ausgebildet. Ein Deckel 10 zur Versiegelung eines IC-Chips 4 in dem Gehäuse ist mit dem metallischen Ver­ drahtungsmuster 2 durch Verlöten oder ähnliches verbunden. In Fig. 3 ist die Darstellung des Deckels 10 weggelassen. In einem Chipbondingbereich 6, welcher der durch das metallische Verdrahtungsmuster 2 umgebene Zentralbereich ist, ist der IC- Chip 4, der eine Mehrzahl von Kontaktierungsinseln 7, welche in der Peripherie des Chips angeordnet sind, aufweist, mit dem Gehäusekörper 1 kontaktiert. Eine Mehrzahl von internen Ver­ drahtungselektroden 3 des Gehäuses sind in dem Bereich zwischen den metallischen Verdrahtungsmuster 2 und dem Chipbondingbereich 6 ausgebildet und mit den entsprechenden Kontaktierungsinseln 7 über Drähte 5 verbunden. Viele externe Anschlüsse 8, welche dem positiven Stromversorgungsanschluß VCC bzw. dem negativen Stromversorgungsanschluß VEE, dem Erdanschluß GND, usw. ent­ sprechen, sind aus dem Gehäusekörper 1 herausgeführt. Die Verbindungen zwischen den externen Anschlüssen 8 für den positiven Stromversorgungsanschluß VCC und den Erdanschluß GND und den entsprechenden internen Verdrahtungselektroden 3, und zwischen dem externen Anschluß 8 für den negativen Stromversorgungsanschluß VEE und dem Chipbondingbereich 6 werden durch Drähte 9, welche in dem Gehäusekörper 1 ausgebildet sind, hergestellt. In einem Gehäuse eines bestimmten Typs sind generell die Stromversorgungsanschlußstifte für den positiven Stromversorgungsanschluß VCC, den negativen Stromversorgungs­ anschluß VEE und den Erdanschluß GND vorbestimmten externen Anschlußpositionen zugewiesen.

Wenn ein Gehäuse mit der obenbeschriebenen konventionellen Struktur herkömmlich zur Kapselung eines IC-Chips mit einer einzelnen Stromversorgung, wie, in Fig. 1 gezeigt, und eines IC- Chips mit positiver und negativer Stromversorgung verwendet wird, dann tritt das folgende Problem auf. Für den Fall, daß der IC-Chip mit einer einzelnen Stromversorgung gekapselt wird, wird der externe Anschluß 8 für den negativen Stromversorgungs­ anschluß VEE, nicht benutzt und daher ein nutzloser Anschluß. Mehr noch, der Chipbondingbereich 6, welcher für den Fall, daß, ein IC-Chip mit positiven und negativen Stromversorgungsan­ schlüssen gekapselt wird, mit dem negativen Stromversorgungs­ anschluß VEE verbunden wird, muß mit dem Erdanschluß (Masseanschluß) GND oder dem positiven Stromversorgungsanschluß VCC verbunden werden, so daß das Potential des Bereiches festgelegt ist. Das erfordert die Durchführung eines weiteren Verdrahtungsschrittes.

Dieses Problem könnte durch die getrennte Vorbereitung eines Gehäuses für den IC-Chip mit einer einzelnen Stromversorgung und eines für den IC-Chip mit positiven und negativen Stromversor­ gungen gelöst werden. Jedoch führt diese Maßnahme zu dem Problem, daß die Vorbereitung dieser Gehäuse so vielfältig ist, daß die Kosten für die Entwicklung dieser Gehäuse hoch werden.

Aus der US 5 036 163 ist ein universelles Halbleiterchipgehäuse bekannt, bei dem verschiedene Versorgungsspannungen an den zu kapselnden Chip angelegt werden können. Das Gehäuse weist eine Mehrzahl von übereinander angeordneten Schichten auf, von denen eine ensprechend der gewünschten Versorgung des Chips mit unter­ schiedlichen Spannungen entworfen werden muß. Alternativ kann bei Weglassen dieser separat entworfenen Schicht eine entsprechende Verdrahtung wie bei den oben beschriebenen Gehäusen durchgeführt werden.

Aus der US 4 153 998 ist ein Gehäuse für eine integrierte Halbleiterschaltung bekannt, bei dem durch einen geerdeten Ge­ häusedeckel eine Verbindung mehrerer Masseanschlüsse des Ge­ häuses erreicht werden kann.

Es ist Aufgabe der Erfindung, ein IC-Gehäuse und ein Verfahren zur Kapselung eines IC-Chips in einem solchen IC-Gehäuse zu ermöglichen, bei dem die Kapselung eines IC-Chips mit einer oder mehreren Stromversorgungen einfacher möglich ist.

Diese Aufgabe wird gelöst durch ein IC-Gehäuse nach Anspruch 1 oder ein Verfahren nach Anspruch 7.

Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen ge­ kennzeichnet.

In dem IC-Gehäuse sind zwei oder mehrere Arten von Verdrahtungsmustern auf dem Gehäusekörper ausgebildet, so daß verschiedene an IC-Chips anzulegende Spannungen entsprechend an zwei oder mehr Arten von Mustern angelegt werden. Wenn die zwei Arten von Mustern, an welche verschiedene an IC-Chips anzule­ gende Spannungen angelegt werden, kurzgeschlossen werden, kann das IC-Gehäuse für einen IC-Chip mit einer einzelnen Stromver­ sorgung verwendet werden. Im Gegensatz dazu, wenn die zwei Arten von Verdrahtungsmuster nicht kurzgeschlossen sind, können ver­ schiedene Spannungen entsprechend an die Verdrahtungsmuster angelegt werden, wodurch der Gebrauch des IC-Gehäuses für einen IC-Chip mit verschiedenen Stromversorgungen ermöglicht wird.

Die Verdrahtungsmuster sind verschieden voneinander ausgebildet, so daß, wenn verschiedene Arten von Deckeln aufgesetzt werden, verschiedene Kontaktierungen erreicht werden. Abhängig von der Anzahl der an den IC-Chip anzulegenden Stromversorgungen wird selektiv einer der Deckel mit verschiedenen Größen benutzt. Das Vorsehen der oben erwähnten Kurzschlußleiterbahn kann durch den selektiven Gebrauch von einer der zwei oder mehreren Arten von Deckeln verschiedenen Größen gesteuert werden. Darum kann das vorliegende IC-Gehäuse nur durch das Ersetzen des Deckels des Gehäuses durch einen anderen und ohne Änderung der Verdrahtung in dem Gehäuse modifiziert werden, so daß entweder ein IC-Chip mit einer einzelnen Stromversorgung oder ein IC-Chip mit posi­ tiven und negativen Stromversorgungen in dem Gehäuse gekapselt werden kann.

Es folgt die Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren.

Von den Figuren zeigen:

Fig. 1 eine Darstellung eines im Stand der Technik beschriebenen Beispiels eines LSI-Chips, der eine TTL-Vorrichtung mit einer einzelnen Stromversorgung bildet;

Fig. 2 eine Darstellung eines im Stand der Technik beschriebenen Beispiels eines LSI-Chips, der eine TTL- und ECL-Vorrichtung mit positiven und negativen Stromversorgungen bildet;

Fig. 3 eine Draufsicht eines im Stand der Technik beschriebenen IC-Gehäuses;

Fig. 4 eine Schnittansicht entlang der Linie IV-IV aus Fig. 3;

Fig. 5 eine Draufsicht eines IC-Gehäuses entsprechend einer Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 6 eine Schnittansicht entlang der Linie A-A' aus Fig. 5, in der ein IC-Gehäuse, in welchem ein IC-Chip mit einer einzelnen Stromversorgung gekapselt ist, gezeigt wird;

Fig. 7 eine Schnittansicht entlang der Linie A-A' aus Fig. 5, in der ein IC-Gehäuse, in welchem ein IC-Chip mit positiven und negativen Stromversorgungen gekapselt ist, gezeigt wird;

Fig. 8 eine Schnittansicht entlang der Linie A-A' aus Fig. 5, in der ein IC-Gehäuse, in welchem eine positive Spannung an einem IC-Chip angelegt wird, gezeigt ist; und

Fig. 9 eine Schnittansicht entlang der Linie A-A' aus Fig. 5, in der ein IC-Gehäuse, in welchem zwei Arten von positiven Spannungen an einem IC-Chip angelegt werden, gezeigt ist.

In Fig. 5 bezeichnet das Bezugszeichen 1 einen Gehäusekörper, welcher aus feiner Keramik gemacht ist. Auf der Oberfläche des Gehäusekörpers 1 ist ein doppeltes Verdrahtungsmuster ausge­ bildet. Genauer sind zwei ringförmige metallische Verdrah­ tungsmuster 2 und 11 auf der Oberfläche in solcher Weise ausgebildet, daß das metallische Verdrahtungsmuster 11 in einem Bereich außerhalb des metallischen Verdrahtungsmuster 2 ausgebildet ist und dieses umgibt. In einem Chipbondingbereich 6, welcher der durch das metallische Verdrahtungsmuster 2 umgebene Zentralbereich ist, ist ein IC-Chip 4 mit einer Mehrzahl von Kontaktierungsinseln 7, welche in der Peripherie des Chips angeordnet sind, mit dem Gehäusekörper 1 verdrahtet bzw. gebondet. Eine Mehrzahl von internen Verdrahtungselektroden 3 des Gehäuses sind in dem Bereich zwischen dem metallischen Verdrahtungsmuster 2 und dem Chipbondingbereich 6 ausgebildet und mit den entsprechenden Kontaktierungsinseln 7 durch Drähte 5 verbunden. Das IC-Gehäuse aus Fig. 5 unterscheidet sich von dem IC-Gehäuse des Standes der Technik aus Fig. 3 dadurch, daß das andere metallische Verdrahtungsmuster 11 zusätzlich außerhalb des metallischen Verdrahtungsmusters 2 ausgebildet ist.

Die Fig. 6 und 7 sind Schnittansichten entlang der Linie A-A' aus Fig. 5. Fig. 6 zeigt das IC-Gehäuse, in welchem ein IC-Chip mit einer einzelnen Stromversorgung gekapselt ist, und Fig. 7 zeigt das IC-Gehäuse, in welchem ein IC-Chip mit positiven und negativen Stromversorgungen gekapselt ist. In den IC-Gehäusen aus Fig. 6 und 7 sind viele externe Anschlüsse 8, welche einem positiven Stromversorgungsanschluß VCC, bzw. einem negativen Stromversorgungsanschluß VEE, einem Erdanschluß GND, usw. ent­ sprechen, aus dem Gehäusekörper 1 gezogen. Der externe Anschluß 8 für den positiven Stromversorgungsanschluß VCC ist mit der entsprechenden internen Verdrahtungselektrode 3 durch eine in dem Gehäusekörper 1 ausgebildete Verdrahtung 9 verbunden. Der externe Anschluß 8 für den Erdanschluß GND ist mit der entspre­ chenden internen Verdrahtungselektrode 3 und dem inneren me­ tallischen Verdrahtungsmuster 2 durch eine in dem Gehäusekörper 1 ausgebildete Verdrahtung 9 verbunden. Der externe Anschluß 8 für den negativen Stromversorgungsanschluß VEE ist mit dem Chipbondingbereich 6 und dem äußeren metallischen Verdrah­ tungsmuster 11 durch eine in dem Gehäusekörper 1 ausgebildete Verdrahtung 9 verbunden. In der Konfiguration aus Fig. 6 ist ein Deckel 10 zum Versiegeln des IC-Chip in dem Gehäuse mit den me­ tallischen Verdrahtungsmustern 2 und 11 durch Verlötung oder ähnliches verbunden. Im Gegensatz dazu ist in der Konfiguration von Fig. 7 ein Deckel 10, dessen Größe kleiner als die des in der Konfiguration aus Fig. 6 benutzten Deckels 10 ist, nur mit dem metallischen Verdrahtungsmuster 2 durch Verlötung oder ähnliches verbunden. Die Konfigurationen der Fig. 6 und 7 unterscheiden sich von der Konfiguration des Standes der Technik aus Fig. 4 dadurch, daß der negative Stromversorgungsanschluß VEE und der Erdanschluß GND entsprechend innerhalb des Gehäuses durch metallische Verdrahtungsmuster 11 und 2, welche auf der Oberfläche des Gehäusekörper 1 ausgebildet sind, verbunden sind.

Bezugnehmend auf Fig. 6 und 7 wird der Mechanismus der Verkap­ selung beider Typen von IC-Chips - mit einzelner Stromversorgung und positiven und negativen Stromversorgungen - beschrieben.

Wenn der Deckel 10, welcher eine zum Kurzschließen der metalli­ schen Verdrahtungsmuster 2 und 11 ausreichende Größe aufweist, wie in Fig. 6 gezeigt, benutzt wird, werden der negative Strom­ versorgungsanschluß VEE und der Erdanschluß GND kurzgeschlossen, wodurch der Gebrauch dieser Konfiguration in der Kapselung eines IC-Chips mit einer einzelnen positiven Stromversorgung möglich wird.

Im Gegensatz dazu ist, falls ein kleiner und nur das metallische Verdrahtungsmuster 2 bedeckender Deckel 10, wie in Fig. 7 gezeigt, benutzt wird, das mit dem negativen Stromversorgungs­ anschluß VEE verbundene metallische Verdrahtungsmuster 11 elektrisch von dem Erdanschluß GND isoliert, wodurch der Ge­ brauch dieser Konfiguration in der Kapselung eines IC-Chips mit positiven und negativen Stromversorgungen möglich wird.

In der oben beschriebenen Ausführungsform werden der negative Stromversorgungsanschluß VEE und der Erdanschluß GND durch den Deckel 10 kurzgeschlossen. Alternativ kann das metallische Ver­ drahtungsmuster 11 mit dem positiven Stromversorgungsanschluß VCC verbunden sein. In diesem Fall kann ein IC-Chip mit einer einzelnen negativen Stromversorgung in diesem Gehäuse gekapselt werden.

Als nächstes wird auf Fig. 8 und 9 Bezug genommen und eine andere Ausführungsform der Erfindung beschrieben. Es gibt Fälle, bei denen bei einer bestimmten Gelegenheit eine positive Spannung an einem IC-Chip und bei einer anderen Gelegenheit zwei Arten von positiven Spannungen an denselben IC-Chip angelegt werden. Entsprechend der Erfindung können selbst in solchen Fällen beide Spannungsversorgungsfälle in einem einzelnen IC- Gehäuse realisiert werden. Ein in solchen Fällen nützliches IC- Gehäuse hat dieselbe Konfiguration wie das der oben beschrie­ benen Ausführungsform (siehe Fig. 5).

Wenn der Deckel 10 eine für das Kurzschließen der in Fig. 8 gezeigten metallischen Verdrahtungsmuster 2 und 11 ausreichende Größe aufweist, werden ein positiver Stromversorgungsanschluß VCC2 und der Erdanschluß GND kurzgeschlossen, wodurch das An­ legen einer positiven Spannung an den IC-Chip 4 nur durch einen anderen positiven Stromversorgungsanschluß VCC1 möglich ist.

Im Gegensatz dazu ist, wenn ein Fig. 9 gezeigter kleiner und nur das metallische Verdrahtungsmuster 2 bedeckender Deckel 10 be­ nutzt wird, das metallische Verdrahtungsmuster 11, welches mit den positiven Stromversorgungsanschluß VCC2 verbunden ist, elektrisch von dem Erdanschluß GND isoliert, wodurch zwei Arten von positiven Spannungen durch die positiven Stromversorgungs­ anschlüsse VCC1 und VCC2 entsprechend an dem IC-Chip 4 angelegt werden können.

In der oben beschriebenen Ausführungsform wird entweder das An­ legen einer positiven Spannung oder das von zwei Arten von positiven Spannungen ausgeführt. Alternativ können die positiven Stromversorgungsanschlüsse durch negative Stromversorgungsan­ schlüsse ersetzt werden. Genauso kann in dieser Konfiguration entweder das Anschließen einer negativen Spannung oder das von zwei Arten von negativen Spannungen in derselben Art und Weise durchgeführt werden.

Als eine Modifikation der oben beschriebenen Ausführungsformen kann das Gehäuse so ausgeführt sein, daß ein weiteres metalli­ sches Verdrahtungsmuster zusätzlich zu den metallischen Ver­ drahtungsmustern 2 und 11 in einer Position innerhalb oder außerhalb des metallischen Verdrahtungsmusters 11 ausgebildet wird und dieses zusätzliche metallische Verdrahtungsmuster 11 mit dem positiven Stromversorgungsanschluß VCC verbunden ist. Es ist unnötig zu erwähnen, daß in diesem Fall einer von drei ver­ schiedenen Arten von Deckeln mit verschiedenen Größen selektiv benutzt wird.

Claims (9)

1. IC-Gehäuse zur Kapselung eines IC-Chips, an den eine Spannung anzulegen ist, mit
einem Gehäusekörper (1) mit mindestens zwei Verdrahtungsmu­ stern (2, 11) auf der Oberfläche des Gehäusekörpers (1), die mit verschiedenen Anschlüssen (8) verbunden sind, wobei die Anschlüsse jeweils mit entsprechenden internen Verdrahtungs­ elektroden (3) des Chips (4) verbunden sind,
einem aus einer Mehrzahl von Deckeln (10), die voneinander verschiedene Größen aufweisen, ausgewählten Deckeln (10), der auf die Oberfläche des Gehäusekörpers (1) mit den Verdrah­ tungsmustern (2, 11) des IC-Gehäuses gesetzt ist,
wobei durch die Größe des Deckels (10) bestimmt ist, ob die Verdrahtungsmuster (2, 11) in elektrischem Kontakt miteinander sind oder nicht.

2. IC-Gehäuse nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch
einen ersten Anschluß (8), der aus dem Gehäusekörper (1) her­ ausgeführt ist und einem positiven Stromversorgungsanschluß entspricht;
einen zweiten Anschluß (8), der aus dem Gehäusekörper (1) her­ ausgeführt ist und einem negativen Stromversorgungsanschluß entspricht;
einen dritten Anschluß (8), der aus dem Gehäusekörper (1) her­ ausgeführt ist und einem Masseanschluß entspricht.

3. IC-Gehäuse nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch einen vierten Anschluß (8), der aus dem Gehäusekörper (1) her­ ausgeführt ist und einem zweiten positiven Stromversorgungsan­ schluß entspricht.

4. IC-Gehäuse nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen ersten Anschluß (8), der aus dem Gehäusekörper (1) herausge­ führt ist und einem ersten positiven Stromversorgungsanschluß entspricht;
einen zweiten Anschluß (8), der aus dem Gehäusekörper (1) her­ ausgeführt ist und einem zweiten positiven Stromversorgungsan­ schluß entspricht; und
einen dritten Anschluß (8), der aus dem Gehäusekörper (1) her­ ausgeführt ist und einem Masseanschluß entspricht.

5. IC-Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeich­ net durch einen ersten Deckel (10), der auf den Gehäusekörper (1) ge­ setzt ist, so daß ein Anschluß (8) und ein weiterer Anschluß (8) kurzgeschlossen werden.

6. IC-Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeich­ net durch einen zweiten Deckel (10), der auf den Gehäusekörper (1) ge­ setzt ist, so daß ein Anschluß (8) und ein weiterer Anschluß (8) nicht kurzgeschlossen werden.

7. IC-Kapselungsverfahren zur Kapselung eines IC-Chips in einem IC-Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 6, mit den Schritten:
Vorbereiten eines Gehäusekörpers (1) mit mindestens zwei Ver­ drahtungsmustern (2, 11) auf einer Oberfläche des Gehäusekör­ pers (1),
Vorbereiten einer Mehrzahl von Deckeln (10), die sich vonein­ ander durch die Größe unterscheiden,
Auswählen eines aus der Mehrzahl der vorbereiteten Deckel (10) entsprechend der Spezifikation eines zu verkapselnden IC-Chips (4), und
Setzen des ausgewählten Deckels (10) auf den Gehäusekörper (1), wodurch der IC-Chip (4) gekapselt wird und die Verdrah­ tungsmuster (2, 11) entsprechend der Spezifikation des zu ver­ kapselnden Chips (4) je nach Größe des ausgewählten Deckels (10) verbunden werden oder nicht.

8. IC-Kapselungsverfahren nach Anspruch 7, dadurch gekenn­ zeichnet, daß abhängig davon, ob der IC-Chip (4) mit einer einzelnen Stromversorgung oder mit positiven und negativen Stromversorgungen gekapselt werden soll, ein Deckel (10) ent­ sprechender Größe ausgewählt wird.

9. IC-Kapselungsverfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß abhängig davon, ob die Anzahl der Arten von positiven Spannungen, welche an den zu kapselnden IC-Chip (4) anzulegen sind, ein- oder mehrzahlig ist, ein Deckel (10) entsprechender Größe ausgewählt wird.