JPH05171470A - エッチングあるいはコーティング装置 - Google Patents
エッチングあるいはコーティング装置Info
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- JPH05171470A JPH05171470A JP3165369A JP16536991A JPH05171470A JP H05171470 A JPH05171470 A JP H05171470A JP 3165369 A JP3165369 A JP 3165369A JP 16536991 A JP16536991 A JP 16536991A JP H05171470 A JPH05171470 A JP H05171470A
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- electrodes
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
Abstract
(57)【要約】
【目的】 出来るだけ構造がコンパクトで、従来の欠点
を除去したエッチングあるいはコーティング装置を得る
事を目的とする。 【構成】 真空レシーバー（１）とレシーバー（１）内
に容量的にプラズマを発生させる互いに離れた１対の電
極（５、９）とを有するエッチングあるいはコーティン
グ装置において、レシーバーを包み込む壁（３）が互い
に絶縁された（７）２つの部分（５、９）に分割され、
両部分は内側に位置し電極面（ＦA 、ＦB）として用い
られる面に電気的に信号を伝達するのに用いられ、その
場合にレシーバーの壁（３）の分割によってどの電極
（５、９）がエッチングされ、ないしはどれがコーティ
ングされるかが制御され、並びにプラズマ放電の点火あ
るいは間欠的駆動が行われる。
を除去したエッチングあるいはコーティング装置を得る
事を目的とする。 【構成】 真空レシーバー（１）とレシーバー（１）内
に容量的にプラズマを発生させる互いに離れた１対の電
極（５、９）とを有するエッチングあるいはコーティン
グ装置において、レシーバーを包み込む壁（３）が互い
に絶縁された（７）２つの部分（５、９）に分割され、
両部分は内側に位置し電極面（ＦA 、ＦB）として用い
られる面に電気的に信号を伝達するのに用いられ、その
場合にレシーバーの壁（３）の分割によってどの電極
（５、９）がエッチングされ、ないしはどれがコーティ
ングされるかが制御され、並びにプラズマ放電の点火あ
るいは間欠的駆動が行われる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空レシーバーとレシ
ーバー内でＡＣプラズマ放電を容量的に発生させる互い
に離れた１対の電極とを有する純粋に物理的なプロセス
とプラズマ支援の化学的プロセスＰＥＣＶＤのためのエ
ッチングあるいはコーティング装置、プラズマ放電の点
火を行う方法、及び同装置を間欠的に駆動する方法に関
するものである。
ーバー内でＡＣプラズマ放電を容量的に発生させる互い
に離れた１対の電極とを有する純粋に物理的なプロセス
とプラズマ支援の化学的プロセスＰＥＣＶＤのためのエ
ッチングあるいはコーティング装置、プラズマ放電の点
火を行う方法、及び同装置を間欠的に駆動する方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】上記種類及び類似の種類のスパッタリン
グ装置は次の文献から公知である。ＤＥ−ＯＳ１７９０
１７８、ＤＥ−ＯＳ２０２２９５７、３７０６６９８、
ＥＰ−Ａ−０２７１３４１、ＵＳ−Ａ−４５７２７５
９、４２７８５２８、４６３２７１９、４６５７６１
９、４１３２６１３、４５５７８１９、４４６６８７
２、４５５２６３９、４５８１１１８、４１６６０１
８、ＧＢ−Ａ−１５８７５６６、１５６９１１７、１３
５８４１１、１１１１９１０、１２５８３０１、２１５
７７１５。この場合に一般には、例えばＥＰ−Ａ０２７
１３４１から明らかなように、容量的にプラズマを発生
させる２つの電極をレシーバー壁を通る絶縁された通過
部を通して駆動するか、あるいは単に一方の電極のみを
駆動し、その場合にはレシーバー壁全体を第２の電極と
して使用し、例えば特に「アノード」としてアースに接
続する。
グ装置は次の文献から公知である。ＤＥ−ＯＳ１７９０
１７８、ＤＥ−ＯＳ２０２２９５７、３７０６６９８、
ＥＰ−Ａ−０２７１３４１、ＵＳ−Ａ−４５７２７５
９、４２７８５２８、４６３２７１９、４６５７６１
９、４１３２６１３、４５５７８１９、４４６６８７
２、４５５２６３９、４５８１１１８、４１６６０１
８、ＧＢ−Ａ−１５８７５６６、１５６９１１７、１３
５８４１１、１１１１９１０、１２５８３０１、２１５
７７１５。この場合に一般には、例えばＥＰ−Ａ０２７
１３４１から明らかなように、容量的にプラズマを発生
させる２つの電極をレシーバー壁を通る絶縁された通過
部を通して駆動するか、あるいは単に一方の電極のみを
駆動し、その場合にはレシーバー壁全体を第２の電極と
して使用し、例えば特に「アノード」としてアースに接
続する。
【０００３】いわゆるＡＣあるいは特にＨＦスプレイ技
術の物理に関しては、次の文献に記載されている。Ｈ．
Ｒ．ＫｏｅｎｉｇとＬ．Ｉ．ＭａｉｓｓｅｌのＩＢＭ
Ｊ．Ｒｅｓ．Ｄｅｖｅｌｏｐ．１４、１９７０年３月、
第１６８頁以降、Ｂａｌｚｅｒｓ社のＦａｃｈｂｅｒｉ
ｃｈｔ ＢＢ８０００１５ＤＤ（８４０４）、Ｋ．Ｈｏ
ｅｆｌｅｒとＫ．Ｗｅｌｌｅｒｄｉｅｃｋ、及びＫ．Ｗ
ｅｌｌｅｒｄｉｅｃｋの学位論文「スプレイ技術の高周
波放電における電位の分布」１９８８、カールスルーエ
大学。
術の物理に関しては、次の文献に記載されている。Ｈ．
Ｒ．ＫｏｅｎｉｇとＬ．Ｉ．ＭａｉｓｓｅｌのＩＢＭ
Ｊ．Ｒｅｓ．Ｄｅｖｅｌｏｐ．１４、１９７０年３月、
第１６８頁以降、Ｂａｌｚｅｒｓ社のＦａｃｈｂｅｒｉ
ｃｈｔ ＢＢ８０００１５ＤＤ（８４０４）、Ｋ．Ｈｏ
ｅｆｌｅｒとＫ．Ｗｅｌｌｅｒｄｉｅｃｋ、及びＫ．Ｗ
ｅｌｌｅｒｄｉｅｃｋの学位論文「スプレイ技術の高周
波放電における電位の分布」１９８８、カールスルーエ
大学。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】これまで知られている
方法、すなわち両方の電極を駆動するか、あるいはレシ
ーバー壁の一方のみを電気的に絶縁して通過部を介して
駆動するという方法は、次のような欠点を有する。 レ
シーバー壁を通して絶縁された真空密の少なくとも１つ
の通過部を設けることが必要である。さらにレシーバー
壁と反対側の少なくとも１つの電極がプロセス室のかな
りの部分を占めてしまい、そのためにレシーバーが大型
になってしまう。
方法、すなわち両方の電極を駆動するか、あるいはレシ
ーバー壁の一方のみを電気的に絶縁して通過部を介して
駆動するという方法は、次のような欠点を有する。 レ
シーバー壁を通して絶縁された真空密の少なくとも１つ
の通過部を設けることが必要である。さらにレシーバー
壁と反対側の少なくとも１つの電極がプロセス室のかな
りの部分を占めてしまい、そのためにレシーバーが大型
になってしまう。
【０００５】一方の電極にレシーバー壁を通して真空か
つ絶縁状態で給電を行い、この壁を全体として第２の電
極として例えばアース電位に接続して使用する場合に
は、レシーバー内部側の電極面の面積比の構成が著しく
限定されててしまう。その場合には一般に、レシーバー
壁全体によって形成される電極の面積を通過部を有する
電極の面積よりも著しく大きくする。
つ絶縁状態で給電を行い、この壁を全体として第２の電
極として例えばアース電位に接続して使用する場合に
は、レシーバー内部側の電極面の面積比の構成が著しく
限定されててしまう。その場合には一般に、レシーバー
壁全体によって形成される電極の面積を通過部を有する
電極の面積よりも著しく大きくする。
【０００６】エッチングすべき工作物は面積の小さい方
の電極に配置しなければならず（Ｋｏｅｎｉｇの面／電
圧の規則）、従ってこの場合には通過部を有する電極の
方へ配置しなければならず、通常ＡＣ電位に接続される
のはこの電極であって、レシーバーハウジングないしレ
シーバー壁ではないので、この場合にはエッチングすべ
き工作物が電位に接続される。その場合には電位は必ず
しもＡＣ電位だけではない。というのはこの小さい方の
電極は放電によってＤＣ電位（自己バイアス電位）も発
生するからである。電位に接続される工作物（通過部を
有する小さい方の電極上で基準電位に接続される）は、
どんな形式の自動処理にもとっても著しく煩雑なものに
なってしまう。
の電極に配置しなければならず（Ｋｏｅｎｉｇの面／電
圧の規則）、従ってこの場合には通過部を有する電極の
方へ配置しなければならず、通常ＡＣ電位に接続される
のはこの電極であって、レシーバーハウジングないしレ
シーバー壁ではないので、この場合にはエッチングすべ
き工作物が電位に接続される。その場合には電位は必ず
しもＡＣ電位だけではない。というのはこの小さい方の
電極は放電によってＤＣ電位（自己バイアス電位）も発
生するからである。電位に接続される工作物（通過部を
有する小さい方の電極上で基準電位に接続される）は、
どんな形式の自動処理にもとっても著しく煩雑なものに
なってしまう。
【０００７】従って、要約すると、レシーバー内部に、
レシーバー壁から局地的に分離され、かつそれから電気
的に絶縁して駆動される電極が占める空間をレシーバー
の設計の際に考慮しなければならず、さらにレシーバー
壁を通して真空密の通過部を形成することが必要であ
り、さらにこの種の電極によって大／小の電極面（Ｋｏ
ｅｎｉｇ）基準電位／ＤＣ浮遊電位に関して柔軟性が限
定されてしまう。本発明の課題は、できるだけ構造がコ
ンパクトで、上述の欠点を除去した上述の種類の装置を
提供することである。
レシーバー壁から局地的に分離され、かつそれから電気
的に絶縁して駆動される電極が占める空間をレシーバー
の設計の際に考慮しなければならず、さらにレシーバー
壁を通して真空密の通過部を形成することが必要であ
り、さらにこの種の電極によって大／小の電極面（Ｋｏ
ｅｎｉｇ）基準電位／ＤＣ浮遊電位に関して柔軟性が限
定されてしまう。本発明の課題は、できるだけ構造がコ
ンパクトで、上述の欠点を除去した上述の種類の装置を
提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そのために、本発明は基
本的には以下の様な技術構成を採用するものである。即
ち、真空レシーバー（１、２０）と、真空レシーバー内
で容量的にプラズマ放電を発生させる互いに離れた１対
の電極（５、９；１７、１９；１７ａ、１９ａ、１７
ｂ、１９ｂ）とを備えたエッチングあるいはコーティン
グ装置において、レシーバーを包囲する壁（３）が互い
に絶縁された（７）２つの部分（５、９）に分割され、
両者が電極面（ＦA 、ＦB ）として用いられる内側の面
に電気的に信号を伝達するのに用いられ、どちらの電極
（５、９）がエッチングされるか、ないしはどちらの電
極がコーティングされるか、がレシーバーの壁（３）の
分割と共に制御されるエッチングあるいはコーティング
装置である。
本的には以下の様な技術構成を採用するものである。即
ち、真空レシーバー（１、２０）と、真空レシーバー内
で容量的にプラズマ放電を発生させる互いに離れた１対
の電極（５、９；１７、１９；１７ａ、１９ａ、１７
ｂ、１９ｂ）とを備えたエッチングあるいはコーティン
グ装置において、レシーバーを包囲する壁（３）が互い
に絶縁された（７）２つの部分（５、９）に分割され、
両者が電極面（ＦA 、ＦB ）として用いられる内側の面
に電気的に信号を伝達するのに用いられ、どちらの電極
（５、９）がエッチングされるか、ないしはどちらの電
極がコーティングされるか、がレシーバーの壁（３）の
分割と共に制御されるエッチングあるいはコーティング
装置である。
【０００９】
【作用】本発明に於ける請求項１に記載された態様に於
いては、レシーバーハウジングないしその壁が２つの電
極を形成することによって、一方の電極を自由状態で設
けるために必要なレシーバー内部空間を省くことがで
き、絶縁された電気的な通過部も同様であって、そのた
めに電極面積の比を所定の大きさに設定する上述の壁面
の分配が可能であり、それによってレシーバーの大きさ
が著しく変化することはない。
いては、レシーバーハウジングないしその壁が２つの電
極を形成することによって、一方の電極を自由状態で設
けるために必要なレシーバー内部空間を省くことがで
き、絶縁された電気的な通過部も同様であって、そのた
めに電極面積の比を所定の大きさに設定する上述の壁面
の分配が可能であり、それによってレシーバーの大きさ
が著しく変化することはない。
【００１０】本発明を請求項２に記載のように形成する
場合には、ここに述べられている電極にも真空通過部を
省くことができる。この種の電極は壁の一部を形成し、
さらに直接ＤＣ電位を減結合する容量性の電極として形
成することができ、そのために前段に減結合コンデンサ
を設ける必要はない。 内側に向いた誘電性の層を設け
ることによって、直流的に放電区間から外側に位置する
ｎ型導通面への減結合がもたらされる。さらにレシーバ
ー壁を任意の割合でこの種の「容量的」な電極面として
利用することができ、それによってＫｏｅｎｉｇの公式
を考慮して装置を所望に設定する上で最大の柔軟性を得
ることができる。
場合には、ここに述べられている電極にも真空通過部を
省くことができる。この種の電極は壁の一部を形成し、
さらに直接ＤＣ電位を減結合する容量性の電極として形
成することができ、そのために前段に減結合コンデンサ
を設ける必要はない。 内側に向いた誘電性の層を設け
ることによって、直流的に放電区間から外側に位置する
ｎ型導通面への減結合がもたらされる。さらにレシーバ
ー壁を任意の割合でこの種の「容量的」な電極面として
利用することができ、それによってＫｏｅｎｉｇの公式
を考慮して装置を所望に設定する上で最大の柔軟性を得
ることができる。
【００１１】また、ＵＳ−Ａ−４５７２７５９に記載さ
れているように、本発明によれば誘電層はプロセスで使
用される保護層（揮発性の反応製品を形成する）として
でなく、容量を形成する重要な層として使用される。そ
の場合に請求項３に記載のように誘電層をレシーバー内
部に対して露出させる場合には、さらに次のような利点
が得られる。
れているように、本発明によれば誘電層はプロセスで使
用される保護層（揮発性の反応製品を形成する）として
でなく、容量を形成する重要な層として使用される。そ
の場合に請求項３に記載のように誘電層をレシーバー内
部に対して露出させる場合には、さらに次のような利点
が得られる。
【００１２】公知のように、エッチングとコーティング
の比はすでに説明したように、電極の面積比によって決
まる。一方の電極と他方の電極の比が大きいほど、大き
い方の電極のエッチングは少なくなり、小さい方のコー
ティングも少なくなる。しかしその場合には効果は平衡
し、大きい方の電極も常にエッチングされる。一方の工
作物のみをエッチングしようとし、従って小さい方の電
極の領域に配置する場合には、大きい方の電極のエッチ
ングが必ずしも全部阻止されないことによって、エッチ
ングすべき工作物のミスコーティングが生じる。
の比はすでに説明したように、電極の面積比によって決
まる。一方の電極と他方の電極の比が大きいほど、大き
い方の電極のエッチングは少なくなり、小さい方のコー
ティングも少なくなる。しかしその場合には効果は平衡
し、大きい方の電極も常にエッチングされる。一方の工
作物のみをエッチングしようとし、従って小さい方の電
極の領域に配置する場合には、大きい方の電極のエッチ
ングが必ずしも全部阻止されないことによって、エッチ
ングすべき工作物のミスコーティングが生じる。
【００１３】工作物をコーティングしようとして、従っ
て大きい方の電極の領域に配置し、小さい方の電極の領
域で見てエッチングされるターゲット材料によってコー
ティングを行おうとする場合でも、場合によっては大き
い方の電極のエッチングないしスパッタリングによって
ミスコーティングが発生することがある。
て大きい方の電極の領域に配置し、小さい方の電極の領
域で見てエッチングされるターゲット材料によってコー
ティングを行おうとする場合でも、場合によっては大き
い方の電極のエッチングないしスパッタリングによって
ミスコーティングが発生することがある。
【００１４】この種の障害は、それに関与する材料のプ
ロセスが一致していない場合に、すなわちコーティング
すべき材料の場合には、大きい方の電極によるミスコー
ティングが工作物のベースあるいは所望のコーティング
材料と等しくない材料で行われる場合、あるいはエッチ
ングすべき材料の場合には、大きい方の電極によるミス
コーティングが例えば工作物ベース材料で行われない場
合に、問題が生じる。前記請求項３によれば、誘電材料
からなる内側の電極層が選択されることによって、この
誘電材料として工作物ベースに相当する材料あるいは処
理プロセスないしその結果に影響を与えない材料を選択
することができる。例えばＳｉＯ２からなるベースある
いはＳｉＯ２表面を有する工作物の場合にはＳｉＯ２が
選択される。従って、請求項２に記載の１つあるいは２
つの電極で請求項１によって形成された装置の一方ある
いは両方の電極を形成することができる。
ロセスが一致していない場合に、すなわちコーティング
すべき材料の場合には、大きい方の電極によるミスコー
ティングが工作物のベースあるいは所望のコーティング
材料と等しくない材料で行われる場合、あるいはエッチ
ングすべき材料の場合には、大きい方の電極によるミス
コーティングが例えば工作物ベース材料で行われない場
合に、問題が生じる。前記請求項３によれば、誘電材料
からなる内側の電極層が選択されることによって、この
誘電材料として工作物ベースに相当する材料あるいは処
理プロセスないしその結果に影響を与えない材料を選択
することができる。例えばＳｉＯ２からなるベースある
いはＳｉＯ２表面を有する工作物の場合にはＳｉＯ２が
選択される。従って、請求項２に記載の１つあるいは２
つの電極で請求項１によって形成された装置の一方ある
いは両方の電極を形成することができる。
【００１５】少なくとも１つの電極を請求項２に記載の
ように形成する場合には、さらに、ｎ型導通面を請求項
４の記載に従ってレシーバー壁の真空負荷を吸収する金
属部分で形成することが提案されている。その場合に
は、ｎ型導通材料は層厚が大きい場合だけ大面積で上記
負荷を吸収することができ、層厚が増加するにつれて固
有容量が減少することが考慮される。従って多くの場合
に、できるだけ薄い層を使用するようにして、例えばで
きるだけ損失を少なくしてこの層を介してできるだけ多
くのＡＣエネルギをプロセス室へ伝達することができる
ようにしている。
ように形成する場合には、さらに、ｎ型導通面を請求項
４の記載に従ってレシーバー壁の真空負荷を吸収する金
属部分で形成することが提案されている。その場合に
は、ｎ型導通材料は層厚が大きい場合だけ大面積で上記
負荷を吸収することができ、層厚が増加するにつれて固
有容量が減少することが考慮される。従って多くの場合
に、できるだけ薄い層を使用するようにして、例えばで
きるだけ損失を少なくしてこの層を介してできるだけ多
くのＡＣエネルギをプロセス室へ伝達することができる
ようにしている。
【００１６】請求項５の記載のよれば、さらにＫｏｅｎ
ｉｇの公式によって与えられる指示を徹底して用いてい
る。さらに、容量的にプラズマを発生する場合には、一
方の電極をディスクリートな容量を介してＤＣ電位に関
して減結合し、ないしは自由浮遊状態で駆動しなければ
ならず、それによって自己バイアス電位が発生する場合
があることが知られている。
ｉｇの公式によって与えられる指示を徹底して用いてい
る。さらに、容量的にプラズマを発生する場合には、一
方の電極をディスクリートな容量を介してＤＣ電位に関
して減結合し、ないしは自由浮遊状態で駆動しなければ
ならず、それによって自己バイアス電位が発生する場合
があることが知られている。
【００１７】請求項６の記載に従って少なくとも一方の
電極を２層あるは多層すなわちサンドイッチ構造に形成
することによって、次のようになる。この電極を外側に
ある金属面とレシーバー内部に対して露出している誘電
層とから形成する場合には、この外側の金属面と、それ
に連続する誘電層及びそれに接する自由な電荷担体を有
するプロセス室によって、直列に接続されたディスクリ
ートなコンデンサを有する公知の金属電極と等しいコン
デンサが形成される。本発明により形成された電極はさ
らに、ＤＣ減結合コンデンサの役割も果たす。
電極を２層あるは多層すなわちサンドイッチ構造に形成
することによって、次のようになる。この電極を外側に
ある金属面とレシーバー内部に対して露出している誘電
層とから形成する場合には、この外側の金属面と、それ
に連続する誘電層及びそれに接する自由な電荷担体を有
するプロセス室によって、直列に接続されたディスクリ
ートなコンデンサを有する公知の金属電極と等しいコン
デンサが形成される。本発明により形成された電極はさ
らに、ＤＣ減結合コンデンサの役割も果たす。
【００１８】レシーバー内部側の電極面を金属面として
形成することが提案される場合には、この金属面と、こ
の金属面に関して外側に接続された誘電層は、やはり外
側に接続された金属面と共に上述のＤＣ減結合コンデン
サを形成する。さらに、請求項７の記載によれば、レシ
ーバー内面全体を工作物及びプロセスに適合した誘電材
料によって形成することが提案され、それによって上述
の混交の危険が完全に除去される。 多くの場合に、レ
シーバー壁の前面を電極面として使用するのではなく、
請求項８の記載によれば、電極間に配置されたレシーバ
ー壁部分にレシーバー内部に向けて設置された誘電層が
設けられる。その場合に、請求項９の記載によれば、こ
の層のその部分の厚みをレシーバー壁のその部分がこの
誘電層から形成されるようにすることができる。これ
は、この種の中間部分においては電気的エネルギを伝達
する必要がないからである。
形成することが提案される場合には、この金属面と、こ
の金属面に関して外側に接続された誘電層は、やはり外
側に接続された金属面と共に上述のＤＣ減結合コンデン
サを形成する。さらに、請求項７の記載によれば、レシ
ーバー内面全体を工作物及びプロセスに適合した誘電材
料によって形成することが提案され、それによって上述
の混交の危険が完全に除去される。 多くの場合に、レ
シーバー壁の前面を電極面として使用するのではなく、
請求項８の記載によれば、電極間に配置されたレシーバ
ー壁部分にレシーバー内部に向けて設置された誘電層が
設けられる。その場合に、請求項９の記載によれば、こ
の層のその部分の厚みをレシーバー壁のその部分がこの
誘電層から形成されるようにすることができる。これ
は、この種の中間部分においては電気的エネルギを伝達
する必要がないからである。
【００１９】従来容量的に発生されると説明されてきた
プラズマのプラズマ密度を高めて、その際同時にイオン
エネルギを減少させるために、請求項１０の記載のよれ
ば、プラズマ内に誘導エネルギを結合するためにコイル
装置を設けることが提案されており、そのために上述の
誘電中間層は特に優れている。というのはレシーバーの
内部に誘導磁場を発生させるためにコイル装置を設ける
場合には、コイルとレシーバー内部間の壁部分を誘電性
に形成し、あるいはコイルをレシーバー内部に対して露
出するようい配置することが絶対に必要だからである。
プラズマのプラズマ密度を高めて、その際同時にイオン
エネルギを減少させるために、請求項１０の記載のよれ
ば、プラズマ内に誘導エネルギを結合するためにコイル
装置を設けることが提案されており、そのために上述の
誘電中間層は特に優れている。というのはレシーバーの
内部に誘導磁場を発生させるためにコイル装置を設ける
場合には、コイルとレシーバー内部間の壁部分を誘電性
に形成し、あるいはコイルをレシーバー内部に対して露
出するようい配置することが絶対に必要だからである。
【００２０】さらに、設けたコイル装置がレシーバー内
部側面がｎ型導通のコイル装置であることを考慮する場
合には、この種のコイル装置の内側に接する誘電層が、
容量性の電極として提案されている請求項２の記載と同
じ構造を形成し、あるいはレシーバー内部に対して露出
された金属の壁部分を形成できることが明かである。
部側面がｎ型導通のコイル装置であることを考慮する場
合には、この種のコイル装置の内側に接する誘電層が、
容量性の電極として提案されている請求項２の記載と同
じ構造を形成し、あるいはレシーバー内部に対して露出
された金属の壁部分を形成できることが明かである。
【００２１】従って、上述の面積比の設定に関する柔軟
性を得るために、コイルを容量的にプラズマを発生させ
る一方の電極と導電接続することが容易にでき、請求項
２に記載の本発明電極の場合には、請求項１１に示すよ
うに、コイルと隣接の誘電層から形成される構造をさら
にこの種の容量的な電極の面として使用することができ
る。
性を得るために、コイルを容量的にプラズマを発生させ
る一方の電極と導電接続することが容易にでき、請求項
２に記載の本発明電極の場合には、請求項１１に示すよ
うに、コイルと隣接の誘電層から形成される構造をさら
にこの種の容量的な電極の面として使用することができ
る。
【００２２】その場合に、請求項１２の記載によればさ
らに、この部分において金属のコイル装置がレシーバー
壁の真空負荷の少なくとも１つの重要な部分を吸収する
ことが提案されている。レシーバーを包囲するコイルを
フラットなバンド材料から形成することは容易であっ
て、それによって径方向の負荷の力に関して大きな機械
的な安定性を得ることができ、レシーバー内部側面積を
大きくすることができる。
らに、この部分において金属のコイル装置がレシーバー
壁の真空負荷の少なくとも１つの重要な部分を吸収する
ことが提案されている。レシーバーを包囲するコイルを
フラットなバンド材料から形成することは容易であっ
て、それによって径方向の負荷の力に関して大きな機械
的な安定性を得ることができ、レシーバー内部側面積を
大きくすることができる。
【００２３】本発明の基礎となっている課題に関して、
付加的に設けたコイル装置を容量的な電極の面として使
用する場合には、コイル装置を設けることによってレシ
ーバーの組立高さをさらに大きくする必要がないことは
明かである。請求項１３の記載によれば、さらに真空レ
シーバー内でプラズマ放電を点火する方法が記載されて
おり、その方法は次のような特徴を有する。すなわち、
まずプラズマを容量的に点火し、その後誘導的に強化す
る。この種の点火方法は、もちろん上述の本発明装置の
点火に適しており、点火補助手段を必要としない。
付加的に設けたコイル装置を容量的な電極の面として使
用する場合には、コイル装置を設けることによってレシ
ーバーの組立高さをさらに大きくする必要がないことは
明かである。請求項１３の記載によれば、さらに真空レ
シーバー内でプラズマ放電を点火する方法が記載されて
おり、その方法は次のような特徴を有する。すなわち、
まずプラズマを容量的に点火し、その後誘導的に強化す
る。この種の点火方法は、もちろん上述の本発明装置の
点火に適しており、点火補助手段を必要としない。
【００２４】さらに、請求項１４の記載のよれば、真空
レシーバー内でプラズマ放電を間欠的に駆動する方法が
提案されており、同方法においては、プロセスを停止さ
せるために容量的な電極を電気的に非能動化するだだけ
で、プロセス室内で誘導的に発生されたプラズマを維持
し、その後容量的な電極を再度能動化することによって
プロセスが再開される。
レシーバー内でプラズマ放電を間欠的に駆動する方法が
提案されており、同方法においては、プロセスを停止さ
せるために容量的な電極を電気的に非能動化するだだけ
で、プロセス室内で誘導的に発生されたプラズマを維持
し、その後容量的な電極を再度能動化することによって
プロセスが再開される。
【００２５】それによれば、本発明による点火、ないし
は間欠的駆動を好ましくは組み合わせて使用することに
よって、別に点火装置を設けずに、装置に点火し、かつ
間欠的に駆動することができる。 請求項１５には、誘
導的にプラズマを発生するために設けられているコイル
装置を容量的にプラズマを発生するために設けられた電
極とを本発明により導電接続することが記載されてお
り、それによれば、レシーバーの大きさをよりよく利用
することができ、ないしは縮小することができる。
は間欠的駆動を好ましくは組み合わせて使用することに
よって、別に点火装置を設けずに、装置に点火し、かつ
間欠的に駆動することができる。 請求項１５には、誘
導的にプラズマを発生するために設けられているコイル
装置を容量的にプラズマを発生するために設けられた電
極とを本発明により導電接続することが記載されてお
り、それによれば、レシーバーの大きさをよりよく利用
することができ、ないしは縮小することができる。
【００２６】
【実施例】以下、図面を用いて本発明を詳細に説明す
る。図１には、真空レシーバー１が概略図示されてい
る。真空レシーバーの壁３はレシーバー内部空間Ｉを包
囲しており、かつ壁３には当然のことながら真空ポンプ
（不図示）と、アルゴンなどの作業ガスの入口及び／あ
るいは反応ガスの出口などが接続されている。この壁３
には金属からなる第１の部分５と第２の金属部分９が設
けられており、部分９は中間絶縁体７を介して第１の部
分から分離されている。金属部分５と９は、容量的にプ
ラズマを発生させる２つの電極のそれぞれ一方を形成す
る。
る。図１には、真空レシーバー１が概略図示されてい
る。真空レシーバーの壁３はレシーバー内部空間Ｉを包
囲しており、かつ壁３には当然のことながら真空ポンプ
（不図示）と、アルゴンなどの作業ガスの入口及び／あ
るいは反応ガスの出口などが接続されている。この壁３
には金属からなる第１の部分５と第２の金属部分９が設
けられており、部分９は中間絶縁体７を介して第１の部
分から分離されている。金属部分５と９は、容量的にプ
ラズマを発生させる２つの電極のそれぞれ一方を形成す
る。
【００２７】例えば上方の部分５は減結合コンデンサＣ
を介して高周波発電機（一般にＡＣ発電機と称する）に
接続され、図示の例で電極として作用する第２の部分９
は基準電圧φｏ（例えばアース電位）に接続される。部
分５の内壁は電極面ＦA を形成し、部分９の内壁は第２
の電極面ＦB を形成し、レシーバー１のプロセス室ない
し内部空間Ｉに向いている。
を介して高周波発電機（一般にＡＣ発電機と称する）に
接続され、図示の例で電極として作用する第２の部分９
は基準電圧φｏ（例えばアース電位）に接続される。部
分５の内壁は電極面ＦA を形成し、部分９の内壁は第２
の電極面ＦB を形成し、レシーバー１のプロセス室ない
し内部空間Ｉに向いている。
【００２８】図から明らかなように、このようなレシー
バー１の実施例は、２つの面ＦA 、ＦB の割合をどのよ
うに選択するかについて最大の柔軟性を有する。工作物
をエッチングするために、工作物は符号１２で点線で示
すように、電極部分９すなわち小さい方の電極面ＦB を
形成する部分９上に載置され、工作物をコーティングす
る場合には符号１３で示すように、大きい方の電極面Ｆ
A を形成する電極部分５上に載置される。その場合には
好ましくは大きい方の電極、従ってここでは部分５も基
準電位φｏで駆動される。
バー１の実施例は、２つの面ＦA 、ＦB の割合をどのよ
うに選択するかについて最大の柔軟性を有する。工作物
をエッチングするために、工作物は符号１２で点線で示
すように、電極部分９すなわち小さい方の電極面ＦB を
形成する部分９上に載置され、工作物をコーティングす
る場合には符号１３で示すように、大きい方の電極面Ｆ
A を形成する電極部分５上に載置される。その場合には
好ましくは大きい方の電極、従ってここでは部分５も基
準電位φｏで駆動される。
【００２９】図２には本発明による第２の装置ないしレ
シーバー装置が示されている。本図では一部のみ示すレ
シーバー１の例えば金属の壁部分１５には、容量的にプ
ラズマを発生する第１の電極（不図示）が設けられる。
この電極は図１の理念によればレシーバーの壁の一部と
することもできるが、従来のようにレシーバー壁を通し
て絶縁状態で真空密で案内されることにより駆動される
電極とすることもできる。図２には本発明により形成さ
れた電極が示されている。電極の基本構造にはｎ型導通
の金属層１７がレシーバーの内部空間Ｉに関して外側に
設けられ、かつ内部空間に対して誘電性の材料からなる
層１９によって覆われている。
シーバー装置が示されている。本図では一部のみ示すレ
シーバー１の例えば金属の壁部分１５には、容量的にプ
ラズマを発生する第１の電極（不図示）が設けられる。
この電極は図１の理念によればレシーバーの壁の一部と
することもできるが、従来のようにレシーバー壁を通し
て絶縁状態で真空密で案内されることにより駆動される
電極とすることもできる。図２には本発明により形成さ
れた電極が示されている。電極の基本構造にはｎ型導通
の金属層１７がレシーバーの内部空間Ｉに関して外側に
設けられ、かつ内部空間に対して誘電性の材料からなる
層１９によって覆われている。
【００３０】レシーバー内部空間Ｉ内を支配する真空に
よってもたらされるレシーバー壁３の負荷を吸収するた
めに、ｎ型導通の層１７は比較的厚い寸法で形成されて
おり、それによりこの層によって負荷を吸収することが
できる。誘電性の層１９は任意の薄さで形成することが
できる。真空レシーバー１に設けられた、基本的に外側
にあるｎ型導通の層１７と誘電層１９から形成される電
極は、後述するようにＤＣ減結合コンデンサを形成す
る。
よってもたらされるレシーバー壁３の負荷を吸収するた
めに、ｎ型導通の層１７は比較的厚い寸法で形成されて
おり、それによりこの層によって負荷を吸収することが
できる。誘電性の層１９は任意の薄さで形成することが
できる。真空レシーバー１に設けられた、基本的に外側
にあるｎ型導通の層１７と誘電層１９から形成される電
極は、後述するようにＤＣ減結合コンデンサを形成す
る。
【００３１】プラズマを維持するるプロセス室内には、
自由な電荷担体が存在する。従って、誘電層１９の内側
に接しているプロセス室は、層１７に対して逆容量プレ
ートを形成する。ｎ型導通層１７と、誘電層１９とそれ
に接するプロセス室の配置は、図２に示すように、プロ
セスインピーダンス＠ＺP と、誘電層１９及びｎ型導通
層１７を有し前記プロセスインピーダンスに直列に接続
された電極容量によって簡単に示すことができる。
自由な電荷担体が存在する。従って、誘電層１９の内側
に接しているプロセス室は、層１７に対して逆容量プレ
ートを形成する。ｎ型導通層１７と、誘電層１９とそれ
に接するプロセス室の配置は、図２に示すように、プロ
セスインピーダンス＠ＺP と、誘電層１９及びｎ型導通
層１７を有し前記プロセスインピーダンスに直列に接続
された電極容量によって簡単に示すことができる。
【００３２】図２に示すように、レシーバー内で容量的
にプラズマを発生するこの電極は基準電位φｏに接続さ
れ、あるいはまたＡＣ発電機、特にＤＣ減結合コンデン
サＣと接続される。図１に示す実施例の場合に設けら
れ、従って電極部分５が自己バイアス電位をとることが
できるＤＣ減結合コンデンサＣは、層１７とプロセス室
Ｉ間の上述の容量によって形成することができる。
にプラズマを発生するこの電極は基準電位φｏに接続さ
れ、あるいはまたＡＣ発電機、特にＤＣ減結合コンデン
サＣと接続される。図１に示す実施例の場合に設けら
れ、従って電極部分５が自己バイアス電位をとることが
できるＤＣ減結合コンデンサＣは、層１７とプロセス室
Ｉ間の上述の容量によって形成することができる。
【００３３】誘電層１９は好ましくは、工作物の処理プ
ロセスと互換性を有する材料から形成され、それは特に
この層材料の搬出がプロセスの結果に悪い影響を与えな
いためである。従ってＳｉＯ２表面を有する工作物を処
理する場合には、層１９は好ましくはＳｉＯ２から形成
される。
ロセスと互換性を有する材料から形成され、それは特に
この層材料の搬出がプロセスの結果に悪い影響を与えな
いためである。従ってＳｉＯ２表面を有する工作物を処
理する場合には、層１９は好ましくはＳｉＯ２から形成
される。
【００３４】図２を用いて示す電極は、レシーバー３の
任意の大きさの領域にわたって設けることができ、それ
によって大きい電極面と小さい電極面との比をどのよう
に設定するかに関してここでも大きな柔軟性が得られ
る。
任意の大きさの領域にわたって設けることができ、それ
によって大きい電極面と小さい電極面との比をどのよう
に設定するかに関してここでも大きな柔軟性が得られ
る。
【００３５】図３には本発明のレシーバー１が例示され
ており、容量的にプラズマを発生する２つの電極は図１
と２に示すのと同様に構成される。従って図から明らか
なように、レシーバー内部全体を最大の純度の要請を満
たすためにプロセス互換性を有する誘電工作物から形成
することもできる。 図４にはレシーバー２０が概略図
示されており、その部分２２と２８は公知のように基準
電位φｏ、例えばアース電位と接続される。この部分２
２は容量的にプラズマを発生する電極の１つとして作用
する。その第２の電極２４は、公知のようにレシーバー
２０の金属壁２８を通る絶縁体２６を介して駆動され
る。レシーバー壁の中間部分３０にはレシーバーを巻回
してコイル３３が設けられている。コイルはＡＣ発電機
と接続され、それによってコイル電流を供給される。コ
イル３３によってレシーバー内部Ｉないしプロセス室の
電極２４と２２／２８間にもたらされる誘導磁場の作用
によってプラズマ密度が増大し、イオンエネルギが減少
するので、容量的にだけ発生されるプラズマと比較し
て、工作物をより均一にかつ「やさしく」コーティング
ないしエッチングすることができる。
ており、容量的にプラズマを発生する２つの電極は図１
と２に示すのと同様に構成される。従って図から明らか
なように、レシーバー内部全体を最大の純度の要請を満
たすためにプロセス互換性を有する誘電工作物から形成
することもできる。 図４にはレシーバー２０が概略図
示されており、その部分２２と２８は公知のように基準
電位φｏ、例えばアース電位と接続される。この部分２
２は容量的にプラズマを発生する電極の１つとして作用
する。その第２の電極２４は、公知のようにレシーバー
２０の金属壁２８を通る絶縁体２６を介して駆動され
る。レシーバー壁の中間部分３０にはレシーバーを巻回
してコイル３３が設けられている。コイルはＡＣ発電機
と接続され、それによってコイル電流を供給される。コ
イル３３によってレシーバー内部Ｉないしプロセス室の
電極２４と２２／２８間にもたらされる誘導磁場の作用
によってプラズマ密度が増大し、イオンエネルギが減少
するので、容量的にだけ発生されるプラズマと比較し
て、工作物をより均一にかつ「やさしく」コーティング
ないしエッチングすることができる。
【００３６】図４から明らかなように、本発明によれば
コイル３０の内面はレシーバー内部Ｉに対して露出して
いる。コイル電流を供給するＡＣ発電機は真空密に封入
されたコイル３３と直列に接続され、次に一方の電極と
して作用するレシーバー部分２２と接続され、この部分
２２には基準電位φｏが印加される。従ってコイル３３
はＤＣで基準電位φｏに接続され、それによって内側が
露出されたコイル面はレシーバー部分２２の電極面の一
部となる。それによって、コイル３３を設けているけれ
ども、電極面ＦA 、ＦB の比が一定である場合にコイル
３３を設けない場合とほぼ同じようにレシーバーをコン
パクトに形成することができる。
コイル３０の内面はレシーバー内部Ｉに対して露出して
いる。コイル電流を供給するＡＣ発電機は真空密に封入
されたコイル３３と直列に接続され、次に一方の電極と
して作用するレシーバー部分２２と接続され、この部分
２２には基準電位φｏが印加される。従ってコイル３３
はＤＣで基準電位φｏに接続され、それによって内側が
露出されたコイル面はレシーバー部分２２の電極面の一
部となる。それによって、コイル３３を設けているけれ
ども、電極面ＦA 、ＦB の比が一定である場合にコイル
３３を設けない場合とほぼ同じようにレシーバーをコン
パクトに形成することができる。
【００３７】コイル３３を基準電位に接続された部分２
２ないし基準電位に接続された電極と導電接続しないで
駆動する場合には、図４に点線で示すように、コイル３
３は例えば分離変圧器Ｔｒを介してＡＣ発電機３５と接
続され、電極２４と導電接続されない。それによってコ
イル３３は自己バイアス電位をとることができると共
に、発電機１１によって駆動され、変圧結合されて発電
機３５によって駆動される。
２ないし基準電位に接続された電極と導電接続しないで
駆動する場合には、図４に点線で示すように、コイル３
３は例えば分離変圧器Ｔｒを介してＡＣ発電機３５と接
続され、電極２４と導電接続されない。それによってコ
イル３３は自己バイアス電位をとることができると共
に、発電機１１によって駆動され、変圧結合されて発電
機３５によって駆動される。
【００３８】その場合にはコイル３３は容量的にプラズ
マを発生するための電極２４の面積に貢献する。 図５
においては、図４に示す誘導的にプラズマを発生するた
めに設けられたコイルの面を充分に利用する技術が、図
２に示す容量的にプラズマを発生する少なくとも一方の
電極と共に使用されている。図示の例においては、容量
的にプラズマを発生する電極の一方はレシーバー１の金
属部分３９によって形成される。この部分は、例えば基
準電位φｏに接続される。容量的にプラズマを発生する
第２の電極は図２に示す実施例と同様に、レシーバー内
部Ｉ側に誘電層１９ｂを有するｎ型導通層１７ｂ（金属
部分）によって形成される。この金属層１７ｂは、図２
による電極の回路構成の実施例に示すように、他のＤＣ
減結合なしにＡＣ発電機１１と接続されている。
マを発生するための電極２４の面積に貢献する。 図５
においては、図４に示す誘導的にプラズマを発生するた
めに設けられたコイルの面を充分に利用する技術が、図
２に示す容量的にプラズマを発生する少なくとも一方の
電極と共に使用されている。図示の例においては、容量
的にプラズマを発生する電極の一方はレシーバー１の金
属部分３９によって形成される。この部分は、例えば基
準電位φｏに接続される。容量的にプラズマを発生する
第２の電極は図２に示す実施例と同様に、レシーバー内
部Ｉ側に誘電層１９ｂを有するｎ型導通層１７ｂ（金属
部分）によって形成される。この金属層１７ｂは、図２
による電極の回路構成の実施例に示すように、他のＤＣ
減結合なしにＡＣ発電機１１と接続されている。
【００３９】コイル装置４１はレシーバーの領域４３に
設けられ、レシーバー内部Ｉ側は誘電層の他の実施例と
同様の誘電材料で覆われている。図示の実施例において
は、コイル装置４１のレシーバー内部Ｉ側の面は部分１
７ｂによって形成される層の延長面として作用させるの
で、コイル４１は分離変圧器Ｔｒを介してＡＣ発電機３
５と接続され、さらに部分１７と導電接続されている。
設けられ、レシーバー内部Ｉ側は誘電層の他の実施例と
同様の誘電材料で覆われている。図示の実施例において
は、コイル装置４１のレシーバー内部Ｉ側の面は部分１
７ｂによって形成される層の延長面として作用させるの
で、コイル４１は分離変圧器Ｔｒを介してＡＣ発電機３
５と接続され、さらに部分１７と導電接続されている。
【００４０】その場合に領域４３においては好ましくは
コイル４１の本体は機械的な真空負荷を吸収し、レシー
バー内部に向いてできるだけ大きな有効面を形成するた
めに、図示のようにフラットな巻き線として形成されて
いる。図２に示す電極の本発明実施例に戻って、内部側
に金属の層を設けた方が好ましい場合には、この装置に
レシーバー内部に向いた金属の第３の層を設けることが
できるのは言うまでもないことである。その場合に図か
ら明らかなように、符号４５を付して点線で示すこの種
の金属層あるいは適当な金属体はそれぞれそれぞれ所望
の材料に従って容易に交換することができ、それぞれの
プロセスに適合させることができる。
コイル４１の本体は機械的な真空負荷を吸収し、レシー
バー内部に向いてできるだけ大きな有効面を形成するた
めに、図示のようにフラットな巻き線として形成されて
いる。図２に示す電極の本発明実施例に戻って、内部側
に金属の層を設けた方が好ましい場合には、この装置に
レシーバー内部に向いた金属の第３の層を設けることが
できるのは言うまでもないことである。その場合に図か
ら明らかなように、符号４５を付して点線で示すこの種
の金属層あるいは適当な金属体はそれぞれそれぞれ所望
の材料に従って容易に交換することができ、それぞれの
プロセスに適合させることができる。
【００４１】真空レシーバー、容量的にプラズマを発生
する１対の電極及びさらに誘導的にプラズマを発生する
コイル装置を有する装置（基本的には図４に示されてい
るが、図４を用いて示すコイル面の特殊な利用とは無関
係）は、本発明によれば、まずプラズマを容量的に形成
し、次に誘導的に強化することによって点火される。す
なわち、例えば図４に示す実施例の場合には、点火する
ためにまずＡＣ１１発電機が駆動され、その後コイル電
流を供給するＡＣ発電機が駆動される。
する１対の電極及びさらに誘導的にプラズマを発生する
コイル装置を有する装置（基本的には図４に示されてい
るが、図４を用いて示すコイル面の特殊な利用とは無関
係）は、本発明によれば、まずプラズマを容量的に形成
し、次に誘導的に強化することによって点火される。す
なわち、例えば図４に示す実施例の場合には、点火する
ためにまずＡＣ１１発電機が駆動され、その後コイル電
流を供給するＡＣ発電機が駆動される。
【００４２】レシーバー内部で実施するエッチングある
いはコーティングプロセスを間欠的に駆動し、従って間
欠的に停止させるためには、容量的なプラズマ発生すな
わち図４の例で見ればＡＣ発電機１１が停止され、コイ
ル電流を供給する発電機３５は電気的に能動化されたま
まになる。プロセスを再開するためには、誘導性の成分
が能動化されたままになっている場合には、単に発電機
１１をオンにすることによって容量的なプロセスが実施
される。
いはコーティングプロセスを間欠的に駆動し、従って間
欠的に停止させるためには、容量的なプラズマ発生すな
わち図４の例で見ればＡＣ発電機１１が停止され、コイ
ル電流を供給する発電機３５は電気的に能動化されたま
まになる。プロセスを再開するためには、誘導性の成分
が能動化されたままになっている場合には、単に発電機
１１をオンにすることによって容量的なプロセスが実施
される。
【００４３】すでに説明したように、本発明のレシーバ
ーにおいて、エッチングの場合には処理すべき工作物は
レシーバー内部側に向いた小さい面を有する電極の領域
に配置され、その場合にはさらにこの小さい電極の領域
にエッチングすべき工作物を保持する保持装置が設けら
れる。この種の保持装置は図１において符号１２ａで概
略的に図示されている。同様に、コーティングすべき工
作物については図１に符号１３ａで概略的に示すよう大
きい面を有する方の電極に工作物保持装置が設けられ
る。
ーにおいて、エッチングの場合には処理すべき工作物は
レシーバー内部側に向いた小さい面を有する電極の領域
に配置され、その場合にはさらにこの小さい電極の領域
にエッチングすべき工作物を保持する保持装置が設けら
れる。この種の保持装置は図１において符号１２ａで概
略的に図示されている。同様に、コーティングすべき工
作物については図１に符号１３ａで概略的に示すよう大
きい面を有する方の電極に工作物保持装置が設けられ
る。
【００４４】この場合にも公知のように、プラズマ密度
を部分的に所望に高め、ないしはプラズマ分布を制御す
るために、放電室内で磁場を作用させることができるこ
とはもちろんである。この種の磁場は好ましくは室の外
部に配置された永久磁石及び／あるいは電磁磁石によっ
て発生され、静的に配置され、あるいは移動される。
を部分的に所望に高め、ないしはプラズマ分布を制御す
るために、放電室内で磁場を作用させることができるこ
とはもちろんである。この種の磁場は好ましくは室の外
部に配置された永久磁石及び／あるいは電磁磁石によっ
て発生され、静的に配置され、あるいは移動される。
【００４５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、レシーバーハウジングないしその壁が２つの
電極を形成することによって、一方の電極を自由状態で
設けるために必要なレシーバー内部空間を省くことがで
き、絶縁された電気的な通過部も同様であって、そのた
めに電極面積の比を所定の大きさに設定する上述の壁面
の分配が可能であり、それによってレシーバーの大きさ
が著しく変化することはなく、従って出来るだけ構造が
コンパクトで、上述した従来の欠点を除去したエッチン
グあるいはコーティング装置が得られるのである。
によれば、レシーバーハウジングないしその壁が２つの
電極を形成することによって、一方の電極を自由状態で
設けるために必要なレシーバー内部空間を省くことがで
き、絶縁された電気的な通過部も同様であって、そのた
めに電極面積の比を所定の大きさに設定する上述の壁面
の分配が可能であり、それによってレシーバーの大きさ
が著しく変化することはなく、従って出来るだけ構造が
コンパクトで、上述した従来の欠点を除去したエッチン
グあるいはコーティング装置が得られるのである。
【図１】本発明のエッチングあるいはコーティング装置
の概略を示すものであって、レシーバーが容量的にプラ
ズマを発生する２つの電極を形成している。
の概略を示すものであって、レシーバーが容量的にプラ
ズマを発生する２つの電極を形成している。
【図２】レシーバーの一部を概略的に示すものであっ
て、本発明の第２の方法によってプラズマを容量的に発
生させる電極の一方の実施例が示されている。
て、本発明の第２の方法によってプラズマを容量的に発
生させる電極の一方の実施例が示されている。
【図３】装置のレシーバーの概略を示すものであって、
容量的にプラズマを発生させる２つの電極は図２の実施
例に従って形成されており、さらに図１に示す実施例に
よるレシーバーはほぼ電極面によって形成されている。
容量的にプラズマを発生させる２つの電極は図２の実施
例に従って形成されており、さらに図１に示す実施例に
よるレシーバーはほぼ電極面によって形成されている。
【図４】容量的にプラズマを発生させる電極を有する公
知の装置のレシーバーに基づいて、プラズマ内に誘導的
にエネルギを結合するコイル装置の実施例が示されてお
り、本発明によれば、コイルの面が容量的にプラズマを
発生させる一方の電極の面の一部として利用されてい
る。
知の装置のレシーバーに基づいて、プラズマ内に誘導的
にエネルギを結合するコイル装置の実施例が示されてお
り、本発明によれば、コイルの面が容量的にプラズマを
発生させる一方の電極の面の一部として利用されてい
る。
【図５】請求項２に従って形成された容量的にプラズマ
を発生する電極の１つと、コイル装置とを有する本発明
装置のレシーバーが示されており、コイル装置の面は図
２に示す電極の一部を形成している。
を発生する電極の１つと、コイル装置とを有する本発明
装置のレシーバーが示されており、コイル装置の面は図
２に示す電極の一部を形成している。
１…真空レシーバー ３…壁 ５、９…電極 ＦA 、ＦB …電極面
Claims (15)
- 【請求項１】 真空レシーバー（１、２０）と、真空レ
シーバー内で容量的にプラズマ放電を発生させる互いに
離れた１対の電極（５、９；１７、１９；１７ａ、１９
ａ、１７ｂ、１９ｂ）とを備えたエッチングあるいはコ
ーティング装置において、レシーバーを包囲する壁
（３）が互いに絶縁された（７）２つの部分（５、９）
に分割され、両者が電極面（ＦA 、ＦB ）として用いら
れる内側の面に電気的に信号を伝達するのに用いられ、
どちらの電極（５、９）がエッチングされるか、ないし
はどちらの電極がコーティングされるか、がレシーバー
の壁（３）の分割と共に制御されることを特徴とするエ
ッチングあるいはコーティング装置。 - 【請求項２】 真空レシーバー（１）と、容量的にプラ
ズマ放電を発生させる互いに離れた１対の電極（１７
ａ、ｂ、１９ａ、ｂ）を有する、場合によっては請求項
１に記載のエッチングあるいはコーティング装置におい
て、少なくとも一方の電極が、レシーバー内部空間
（Ｉ）に対して外側にある少なくとも１つのｎ型導通面
（１７）と内側に接続された少なくとも１つの誘電層
（１９）によって形成されることを特徴とするエッチン
グあるいはコーティング装置。 - 【請求項３】 誘電層（１９）の内側が露出しているこ
とを特徴とする請求項２に記載の装置。 - 【請求項４】 ｎ型導通面（１７）が、レシーバーの壁
の真空負荷を吸収する部分によって形成されることを特
徴とする請求項２あるいは３に記載の装置。 - 【請求項５】 エッチングすべき工作物（１２）を収容
する収容部（１２ａ）が一方の電極（９）の少なくとも
近傍に配置されており、そのレシーバー内部（Ｉ）側の
面（ＦB ）が、他の電極の同様な面（ＦA ）よりずっと
小さく、コーティングすべき工作物の場合（１３ａ、１
３）にはその逆であることを特徴とする請求項１から４
のいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項６】 少なくとも１つの電極が２層あるいはサ
ンドイッチ構造で形成され、少なくとも１つの金属層が
レシーバー壁の機械的な真空負荷を吸収することを特徴
とする請求項２から５のいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項７】 レシーバー内部壁（少なくともその大部
分）が誘電材料から形成されることを特徴とする請求項
１から６のいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項８】 レシーバー壁の電極間に位置する部分
が、レシーバー内部（Ｉ）に対して設けられた誘電層を
有することを特徴とする請求項２から７のいずれか１項
に記載の装置。 - 【請求項９】 レシーバー壁の電極間に位置する部分が
誘電材料から形成されることを特徴とする請求項１から
８のいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項１０】 部分（３０、４３）にコイル装置（３
３、４１）が設けられ、電極間のプラズマに誘導性のエ
ネルギ結合を行うことを特徴とする請求項８あるいは９
に記載の装置。 - 【請求項１１】 コイル装置（３３、４１）が容量的に
プラズマを発生させる一方の電極と導電接続され、レシ
ーバー内部（Ｉ）側のコイル面がこの電極の面に貢献す
ることを特徴とする請求項１０に記載の装置。 - 【請求項１２】 コイル装置がレシーバーの壁部分の真
空負荷の大部分を吸収することを特徴とする請求項１０
に記載の装置。 - 【請求項１３】 容量的にプラズマを発生させる互いに
離れた１対の電極とプラズマ内に誘導性のエネルギを結
合するコイル装置とを備えた三極管エッチングあるいは
コーティング装置を点火する方法において、まず電極間
でプラズマが容量的に発生され、その後さらに誘導エネ
ルギが結合されることを特徴とする三極管エッチングあ
るいはコーティング装置を点火する方法。 - 【請求項１４】 容量的にプラズマを発生させる互いに
離れた１対の電極と、プラズマ内に誘導的にエネルギを
結合するコイル装置とを有するエッチングあるいはコー
ティング装置を間欠的に駆動する方法において、処理プ
ロセスを停止させるために、容量的にプラズマを発生す
る互いに離れた電極が電気的に非能動化され、その際に
プラズマは誘導的に維持され、かつプロセスを再開する
ために容量的にプラズマを発生させる電極が電気的に再
び能動化されることを特徴とするエッチングあるいはコ
ーティング装置を間欠的に駆動する方法。 - 【請求項１５】 容量的にプラズマを発生させる互いに
離れた１対の電極とプラズマ内に誘導的にエネルギを結
合するコイル装置とを有するエッチングないしコーティ
ング装置において、コイル装置が容量的にプラズマを発
生させる２つの電極の一方と導電接続され、それによっ
てコイル装置のプラズマ側の面が、容量的にプラズマを
発生させる前記電極の面として作用することを特徴とす
るエッチングあるいはコーティング装置。
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |