JP2010003915A - エッチング装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】プロセス条件やマスク条件を変えることなく、容易にエッチング形状を制御することができるエッチング装置及び半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】真空チャンバ10内に、被処理物20を載置するステージ22が設けられている。真空チャンバ10内のステージ22の上方に、ICP電極24(第1の電極)が設けられている。ICP電極24と真空チャンバ10の天井12の間に、平面状電極26(第2の電極)が設けられている。真空チャンバ10内に処理ガスを導入するガス供給手段16が設けられている。高周波電源32が、ICP電極24に接続され、かつ可変コンデンサ36(可変容量素子)を介して平面状電極26にも接続されている。高周波電源32がICP電極24及び平面状電極26に高周波電力を供給することで、真空チャンバ10内に処理ガスの誘導結合プラズマが発生する。
【選択図】図1
【解決手段】真空チャンバ10内に、被処理物20を載置するステージ22が設けられている。真空チャンバ10内のステージ22の上方に、ICP電極24(第1の電極)が設けられている。ICP電極24と真空チャンバ10の天井12の間に、平面状電極26(第2の電極)が設けられている。真空チャンバ10内に処理ガスを導入するガス供給手段16が設けられている。高周波電源32が、ICP電極24に接続され、かつ可変コンデンサ36(可変容量素子)を介して平面状電極26にも接続されている。高周波電源32がICP電極24及び平面状電極26に高周波電力を供給することで、真空チャンバ10内に処理ガスの誘導結合プラズマが発生する。
【選択図】図1
Description
本発明は、誘導結合プラズマ(ICP: Inductively Coupled Plasma)を発生させるエッチング装置と、そのエッチング装置を用いた半導体装置の製造方法に関するものである。
半導体装置の製造工程において、パターニングされたレジストをマスクとして、エピタキシャル層などの薄膜のドライエッチングが行われる。このようなドライエッチングにおいて、誘導結合プラズマを発生させるエッチング装置が用いられる(例えば、特許文献1参照)。
特開平8−316210号公報
半導体装置の電気特性はエッチング形状に大きく左右される。しかし、イオンエネルギーやラジカル量などのプロセス条件、マスク材料や形状などのマスク条件を変えることなくエッチング形状を制御することは非常に困難であった。
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、プロセス条件やマスク条件を変えることなく、容易にエッチング形状を制御することができるエッチング装置及び半導体装置の製造方法を得るものである。
第1の発明は、真空チャンバと、前記真空チャンバ内に設けられ、被処理物を載置するステージと、前記真空チャンバ内の前記ステージの上方に設けられた第1の電極と、前記第1の電極と前記真空チャンバの天井の間に設けられた第2の電極と、前記真空チャンバ内に処理ガスを導入するガス供給手段と、前記第2の電極に接続された可変容量素子と、前記第1の電極に接続され、かつ前記可変容量素子を介して前記第2の電極に接続された高周波電源とを備え、前記高周波電源が前記第1の電極及び前記第2の電極に高周波電力を供給することで、前記真空チャンバ内に前記処理ガスの誘導結合プラズマが発生することを特徴とするエッチング装置である。
第2の発明は、真空チャンバと、前記真空チャンバ内に設けられ、被処理物を載置するステージと、前記真空チャンバ内の前記ステージの上方に設けられた第1の電極と、前記第1の電極と前記真空チャンバの天井の間に設けられた第2の電極と、前記真空チャンバ内に処理ガスを導入するガス供給手段と、前記第1の電極に接続された第1の高周波電源と、前記第2の電極に接続された第2の高周波電源とを備え、前記第1の高周波電源が前記第1の電極に高周波電力を供給し、前記第2の高周波電源が前記第2の電極に高周波電力を供給することで、前記真空チャンバ内に前記処理ガスの誘導結合プラズマが発生することを特徴とするエッチング装置である。
第3の発明は、基板上に薄膜を形成する工程と、前記薄膜上にレジストを形成し、前記レジストをパターニングする工程と、第1の発明のエッチング装置を用いて、前記レジストをマスクとして前記薄膜をドライエッチングする工程とを備え、前記可変容量素子の静電容量を変えることで、前記薄膜のエッチング形状を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
第4の発明は、基板上に薄膜を形成する工程と、前記薄膜上にレジストを形成し、前記レジストをパターニングする工程と、第2の発明のエッチング装置を用いて、前記レジストをマスクとして前記薄膜をドライエッチングする工程とを備え、前記第2の高周波電源が前記第2の電極に供給する高周波電力を変えることで、前記薄膜のエッチング形状を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
本発明により、プロセス条件やマスク条件を変えることなく、容易にエッチング形状を制御することができる。
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1に係るエッチング装置を示す図である。真空チャンバ10の天井12は、透明な石英ガラスにより構成されている。真空チャンバ10の天井12の上方にレーザ光干渉型終点検出装置14が設けられている。真空チャンバ10内に処理ガスを導入するガス供給手段16と、真空チャンバ10の排気を行うガス排気手段18が設けられている。
図1は、本発明の実施の形態1に係るエッチング装置を示す図である。真空チャンバ10の天井12は、透明な石英ガラスにより構成されている。真空チャンバ10の天井12の上方にレーザ光干渉型終点検出装置14が設けられている。真空チャンバ10内に処理ガスを導入するガス供給手段16と、真空チャンバ10の排気を行うガス排気手段18が設けられている。
真空チャンバ10内に、被処理物20を載置するステージ22が設けられている。真空チャンバ10内のステージ22の上方に、ICP電極24(第1の電極)が設けられている。ICP電極24と真空チャンバ10の天井12の間に、複数のアンテナが放射状に広がった平面状電極26(第2の電極)が設けられている。
高周波電源28が、マッチングボックス30を介してステージ22に接続されている。高周波電源32が、マッチングボックス34を介してICP電極24に接続されている。この高周波電源32は、マッチングボックス34及び可変コンデンサ36(可変容量素子)を介して平面状電極26にも接続されている。可変コンデンサ36の静電容量は、例えば10pF〜1Fの範囲で変えることができる。
上記のエッチング装置の動作について説明する。高周波電源28がステージ22に高周波電力を供給し、高周波電源32がICP電極24及び平面状電極26に高周波電力を供給することで、真空チャンバ10内に処理ガスの誘導結合プラズマが発生する。そして、ICP電極24で発生させたプラズマにより、被処理物20をドライエッチングする。このエッチング中に、レーザ光干渉型終点検出装置14はレーザ干渉法によりエッチングの終点を検出する。
エッチングにより生成された反応生成物が真空チャンバ10の内壁に付着する。特に、真空チャンバ10の天井12に付着した反応生成物は、光吸収の原因となるため、レーザ光干渉型終点検出装置14による検出の妨げとなる。そこで、平面状電極26で発生させたプラズマにより、天井12に付着した反応生成物をスパッタする。このスパッタされた反応生成物は、被処理物20のエッチング側壁に再付着し、被処理物20のエッチング形状(サイドエッチング量)に寄与する。
可変コンデンサ36の静電容量を変えることで、平面状電極26へ供給される電力が変わり、真空チャンバ10の天井12に付着した反応生成物のスパッタ量も変わる。従って、可変コンデンサ36の静電容量を変えることで、被処理物20のエッチング形状を制御することができる。
次に、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法について説明する。
まず、図2に示すように、MOCVD結晶成長装置又はMBE結晶成長装置を用いて、GaAs基板38(基板)上に、n−AlGaInPクラッド層40、多重量子井戸活性層42、AlGaInP検出層44及びp−AlGaInPクラッド層46(薄膜)を順次積層する。
まず、図2に示すように、MOCVD結晶成長装置又はMBE結晶成長装置を用いて、GaAs基板38(基板)上に、n−AlGaInPクラッド層40、多重量子井戸活性層42、AlGaInP検出層44及びp−AlGaInPクラッド層46(薄膜)を順次積層する。
次に、図3に示すように、p−AlGaInPクラッド層46上にレジスト48を形成し、レジスト48をフォトリソグラフィ等によりパターニングする。
次に、図1のエッチング装置を用いて、図4に示すように、レジスト48をマスクとしてp−AlGaInPクラッド層46をドライエッチングして、リッジ50を形成する。ここで、レーザ光干渉型終点検出装置14がAlGaInP検出層44を検出すると、エッチングを停止する。その後、レジスト48を除去し、表面電極や裏面電極を形成することで、半導体装置が製造される。
本実施の形態では、ドライエッチングにおいて、可変コンデンサ36の静電容量を変えることで、リッジ50のエッチング形状、即ちリッジ50の側壁のテーパー角度を制御する。具体的には、可変コンデンサ36の静電容量を大きくすると、図5に示すようにリッジ50は順テーパー形状となる。一方、可変コンデンサ36の静電容量を小さくすると、図6に示すようにリッジ50は逆テーパー形状となる。また、エッチングの途中で静電容量を小さくすると、図7に示すようにリッジ50は垂直形状から逆テーパー形状に変化する。
図8は、エッチングしたリッジの幅の測定結果を示す図である。図9は、リッジのボトムの幅からトップの幅を引いた値を示す図である。ウェハ中央とウェハ外周の素子について、それぞれリッジのトップとボトムについて幅を測定した。また、可変コンデンサの容量を50pF、100pF、400pF、500pF、600pFに設定した場合、可変コンデンサが無い場合について測定した。また、平面状電極のアンテナの本数が多くて高密度の場合と、アンテナの本数が少なくて低密度の場合について測定した。この結果、可変コンデンサの静電容量を変えることで、リッジのエッチング形状を制御できることが確認された。
以上説明したように、本実施の形態により、プロセス条件やマスク条件を変えることなく、容易にエッチング形状を制御することができる。また、半導体装置の電気特性はリッジの側壁のテーパー角度に依存するため、エッチング形状を制御することで所望の電気特性を得ることができる。
実施の形態2.
図10は、本発明の実施の形態2に係るエッチング装置を示す図である。可変容量素子として、実施の形態1の可変コンデンサ36の代わりに、並列に接続された複数の固定コンデンサ52a,52b,52cと、各固定コンデンサ52a,52b,53cにそれぞれ直列に接続された複数のスイッチ54a,54b,54cとが設けられている。その他の構成は、実施の形態1と同様である。スイッチ54a,54b,54cを切替えることで可変容量素子の静電容量を変えることができ、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
図10は、本発明の実施の形態2に係るエッチング装置を示す図である。可変容量素子として、実施の形態1の可変コンデンサ36の代わりに、並列に接続された複数の固定コンデンサ52a,52b,52cと、各固定コンデンサ52a,52b,53cにそれぞれ直列に接続された複数のスイッチ54a,54b,54cとが設けられている。その他の構成は、実施の形態1と同様である。スイッチ54a,54b,54cを切替えることで可変容量素子の静電容量を変えることができ、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
実施の形態3.
図11は、本発明の実施の形態3に係るエッチング装置を示す図である。高周波電源32(第1の高周波電源)が、マッチングボックス34を介してICP電極24に接続されている。また、高周波電源56(第2の高周波電源)が、マッチングボックス58を介して平面状電極26に接続されている。高周波電源28がステージ22に高周波電力を供給し、高周波電源32がICP電極24に高周波電力を供給し、高周波電源56が平面状電極26に高周波電力を供給することで、真空チャンバ10内に処理ガスの誘導結合プラズマが発生する。その他の構成は実施の形態1と同様である。高周波電源56が平面状電極26に供給する高周波電力を変えることで、被処理物20のエッチング形状を制御することができる。従って、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
図11は、本発明の実施の形態3に係るエッチング装置を示す図である。高周波電源32(第1の高周波電源)が、マッチングボックス34を介してICP電極24に接続されている。また、高周波電源56(第2の高周波電源)が、マッチングボックス58を介して平面状電極26に接続されている。高周波電源28がステージ22に高周波電力を供給し、高周波電源32がICP電極24に高周波電力を供給し、高周波電源56が平面状電極26に高周波電力を供給することで、真空チャンバ10内に処理ガスの誘導結合プラズマが発生する。その他の構成は実施の形態1と同様である。高周波電源56が平面状電極26に供給する高周波電力を変えることで、被処理物20のエッチング形状を制御することができる。従って、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
また、本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造方法では、高周波電源56が平面状電極26に供給する高周波電力を変えることで、被処理物20のエッチング形状を制御する。その他の構成は実施の形態1と同様であり、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
なお、実施の形態として、GaAs系化合物半導体装置を製造する場合について説明した。しかし、これに限らず、GaN系化合物半導体装置やInP系化合物半導体装置を製造する場合や、絶縁膜を加工する場合にも、同様に本発明を適用することができる。
10 真空チャンバ
12 天井
16 ガス供給手段
20 被処理物
22 ステージ
24 ICP電極(第1の電極)
26 平面状電極(第2の電極)
32 高周波電源(第1の高周波電源)
36 可変コンデンサ(可変容量素子)
38 GaAs基板(基板)
46 p−AlGaInPクラッド層(薄膜)
48 レジスト
52a,52b,52c 固定コンデンサ(可変容量素子)
54a,54b,54c スイッチ(可変容量素子)
56 高周波電源(第2の高周波電源)
12 天井
16 ガス供給手段
20 被処理物
22 ステージ
24 ICP電極(第1の電極)
26 平面状電極(第2の電極)
32 高周波電源(第1の高周波電源)
36 可変コンデンサ(可変容量素子)
38 GaAs基板(基板)
46 p−AlGaInPクラッド層(薄膜)
48 レジスト
52a,52b,52c 固定コンデンサ(可変容量素子)
54a,54b,54c スイッチ(可変容量素子)
56 高周波電源(第2の高周波電源)
Claims (4)
- 真空チャンバと、
前記真空チャンバ内に設けられ、被処理物を載置するステージと、
前記真空チャンバ内の前記ステージの上方に設けられた第1の電極と、
前記第1の電極と前記真空チャンバの天井の間に設けられた第2の電極と、
前記真空チャンバ内に処理ガスを導入するガス供給手段と、
前記第2の電極に接続された可変容量素子と、
前記第1の電極に接続され、かつ前記可変容量素子を介して前記第2の電極に接続された高周波電源とを備え、
前記高周波電源が前記第1の電極及び前記第2の電極に高周波電力を供給することで、前記真空チャンバ内に前記処理ガスの誘導結合プラズマが発生することを特徴とするエッチング装置。 - 真空チャンバと、
前記真空チャンバ内に設けられ、被処理物を載置するステージと、
前記真空チャンバ内の前記ステージの上方に設けられた第1の電極と、
前記第1の電極と前記真空チャンバの天井の間に設けられた第2の電極と、
前記真空チャンバ内に処理ガスを導入するガス供給手段と、
前記第1の電極に接続された第1の高周波電源と、
前記第2の電極に接続された第2の高周波電源とを備え、
前記第1の高周波電源が前記第1の電極に高周波電力を供給し、前記第2の高周波電源が前記第2の電極に高周波電力を供給することで、前記真空チャンバ内に前記処理ガスの誘導結合プラズマが発生することを特徴とするエッチング装置。 - 基板上に薄膜を形成する工程と、
前記薄膜上にレジストを形成し、前記レジストをパターニングする工程と、
請求項1に記載のエッチング装置を用いて、前記レジストをマスクとして前記薄膜をドライエッチングする工程とを備え、
前記可変容量素子の静電容量を変えることで、前記薄膜のエッチング形状を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板上に薄膜を形成する工程と、
前記薄膜上にレジストを形成し、前記レジストをパターニングする工程と、
請求項2に記載のエッチング装置を用いて、前記レジストをマスクとして前記薄膜をドライエッチングする工程とを備え、
前記第2の高周波電源が前記第2の電極に供給する高周波電力を変えることで、前記薄膜のエッチング形状を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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