TW201830522A - 有機層蝕刻中垂直輪廓之產生方法 - Google Patents

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商駿 趙
史蒂芬 莊
胥辰 黃
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Abstract

提供在一含矽硬遮罩下方之一有機碳基層之蝕刻方法。提供一蝕刻氣體，其包含氧氣及一含鹵素成分，及一鈍化成分，其中該蝕刻氣體之總流動速率對該含鹵素成分之流動速率的體積比率係介於10,000:1到10:1之間。將該蝕刻氣體形成為電漿，其中該有機碳基層及該含矽硬遮罩被暴露於該電漿，且其中該電漿相對於該含矽硬遮罩選擇性地蝕刻該有機碳基層。

Description

有機層蝕刻中垂直輪廓之產生方法
本揭露書係關於形成半導體元件於半導體晶圓上之方法。更具體地說，本揭露書係關於在一含矽硬遮罩下方之一有機層中蝕刻特徵部。 [相關申請案的交互參照]
本申請案主張2016年11月29日提交的美國臨時專利申請案第62/427,408號的優先權，在此為一切目的以參照的方法引入。
在半導體元件之形成中，蝕刻層可被蝕刻以形成特徵部。在一些處理中，可利用一含矽硬遮罩以蝕刻一有機層。經圖案化之有機層可作為用於隨後的底部層蝕刻之遮罩。
為了實現前述及符合本揭露書之目的，提供在一含矽硬遮罩下方之一有機碳基層之蝕刻方法。提供一蝕刻氣體，其包含氧氣及一含鹵素成分，以及一鈍化成分，其中該蝕刻氣體之總流動速率對該含鹵素成分之流動速率的體積比率係介於10,000:1到10:1之間。將該蝕刻氣體形成為電漿，其中該有機碳基層及該含矽硬遮罩被暴露於該電漿，且其中該電漿相對於該含矽硬遮罩選擇性地蝕刻該有機碳基層。
本揭露書上述及其他特徵將在以下的實施方式中並結合以下圖式加以詳述。
本揭露書將參照較佳實施例及舉例性附圖詳細敘述。為了提供對此發明的徹底理解，在以下的敘述中，說明了大量的特定細節。然而對於熟悉本技藝者係可清楚了解，在毋須若干或全部此等特定細節之情況下即可實行本揭露內容。在其他的例子中，為了不使本揭露書晦澀難懂，習知的製程步驟及/或結構不會有詳細敘述。
圖1係一實施例之高階流程圖。在此實施例中，提供一堆疊體，其中該堆疊體具有一有機碳基層及一含矽遮罩(步驟104)。提供一蝕刻氣體，其包含氧氣、一含鹵素成分、以及一鈍化成分(步驟108)。將該蝕刻氣體形成為電漿，其透過該含矽遮罩以蝕刻該有機碳基層(步驟112)。脈衝該含鹵素成分(步驟116)。 實施例
在一較佳實施例中，提供一堆疊體，其中該堆疊體具有一有機碳基層及一含矽遮罩(步驟104)。圖2A係一堆疊體200之示意橫剖面圖，其具有一基板204於一有機碳基層208之下方，有機碳基層208在一含矽遮罩之下方。在此例子中，該含矽遮罩包含一矽遮罩212於藉由原子層沉積所沉積之氧化矽遮罩216之下方。在此例子中該有機碳基層208係一非晶碳層。基板204與有機碳基層208之間可有一層或多層，且有機碳基層208與含矽遮罩之間可有一層或多層。例如，在有機碳基層208與基板204之間可有一蝕刻層，其中經蝕刻之有機碳基層208繼而作為用於蝕刻該蝕刻層之遮罩。
可放置該堆疊體200於電漿處理腔室以執行蝕刻。圖3係一可用於一實施例之電漿處理腔室之示意圖。在一個或多個實施例中，電漿處理腔室300包含一提供氣體入口之氣體散佈板306及一靜電夾盤(ESC)308於以腔室牆350包圍之處理腔室349內。在處理腔室349內，放置該堆疊體200於該靜電夾盤308之上。該靜電夾盤308可由ESC電源348提供一偏壓。一氣體源310經由氣體散佈板306被連接至處理腔室349。在此實施例中，該氣體源310包含一O2 氣體源315、一鈍化氣體源316、以及一鹵素成分氣體源318。該氣體源310可具有額外之氣體源。每個氣體源可包含複數氣體源。ESC溫度控制器351被連接至靜電夾盤308，且提供靜電夾盤308之溫度控制。在此例子中，第一連接313用以提供功率給內加熱器311以加熱靜電夾盤308之內部區域，以及第二連接314用以提供功率給外加熱器312以加熱靜電夾盤308之外部區域。射頻(RF)源330提供RF功率給下電極334及/或上電極(在此實施例中即為氣體散佈板306)。在一較佳實施例中，2 MHz、60 MHz、及可選擇性地，27 MHz電源組成射頻源330及ESC電源348。在此實施例中，提供一產生器用於各頻率。在其他實施例中，複數之產生器可位於各別的射頻源中，或各自的射頻產生器可被連接至不同的電極。舉例而言，上電極可具有連接至不同射頻源之內電極與外電極。射頻源及電極之其他配置可被用於其他實施例中，例如另一實施例中可使上電極接地。控制器335係可控制地被連接至ESC溫度控制器351、射頻源330、ESC電源348、排氣泵320、及氣體源310。此蝕刻腔室之例子係加州費利蒙的蘭姆研究公司所製造的Exelan FlexTM 蝕刻系統。該處理腔室可係CCP(電容耦合式電漿)反應器或ICP(電感耦合式電漿)反應器。ICP反應器可提供更多偏壓控制，其可提供經改善之蝕刻處理。
圖4係展示一電腦系統400的高階方塊圖，其適合實現用於本揭露書之實施例中之控制器335。該電腦系統400可以有很多實體型式，從積體電路、印刷電路板和小型手持裝置，到大型超級電腦不等。該電腦系統400包含一或多個處理器402，更可包含一電子顯示裝置404(用以顯示圖像、文字和其他資料)、一主記憶體406(例如:隨機存取記憶體(RAM))、儲存裝置408(例如:硬碟)、移動式儲存裝置410(例如:光碟機)、使用者介面裝置412(例如:鍵盤、觸控面板、鍵板、滑鼠或其他指向裝置等)、以及一通訊介面414(例如:無線網路介面)。該通訊介面414可容許軟體及資料藉由一連結在電腦系統400與外部裝置之間作傳輸。該系統也可包含一通訊基礎設施416(例如:通訊匯流排、交叉柵或網路)，前述的裝置或模組皆連接至此設施。
經由通訊介面414所傳輸的資訊可為例如以下之訊號形式:可透過一通訊連結(其攜帶訊號且可使用電線或電纜、光纖、電話線、手機連結、射頻連結，及/或其他通訊通道來實行)而被通訊介面414接收的電子、電磁、光學或其他訊號。藉由如此的通訊介面，可預期的是該一或多個處理器402可在進行前述方法的步驟中從網路接收資訊，或輸出資訊到網路。此外，方法實施例可單獨於處理器上執行或可通過網路執行，例如網際網路，其與遠端處理器一起分擔一部份處理工作。
用語「非暫態電腦可讀取媒介」通常用於指涉媒介如主記憶體、次級記憶體、移動式儲存器、和儲存裝置，例如:硬碟、快閃記憶體、磁碟機記憶體、CD-ROM 和其他形式之持久型記憶體，且不應被解釋為其涵蓋了暫態的型體，例如:載波或訊號。電腦代碼的例子包含機器碼，例如由編譯器所產生，以及利用直譯器由電腦執行之含有較高階代碼的檔案。電腦可讀取媒介也可係以包含於載波中之電腦資料訊號傳送、且代表可由處理器執行的指令序列之電腦代碼。
在將堆疊體放置到電漿處理腔室300中之後，藉由提供包含氧氣、一含鹵素成分、以及一鈍化成分之蝕刻氣體之氣流進入處理腔室349以啟動蝕刻處理(步驟108)。在此例子中，該蝕刻氣體包含35 sccm CH4 、21 sccm COS、2 sccm CH3 F、100 sccm N2 、及100 sccm O2 。提供20 mTorr之壓力。轉化該蝕刻氣體為電漿，以蝕刻該有機碳基層208(步驟112)。在此例子中，提供於60 MHz、介於500 Watts到1090 Watts之間、以20%工作週期脈衝之射頻，以轉化蝕刻氣體為電漿。脈衝該射頻提供了輪廓的改善。高峰值功率對於開通底部臨界尺寸係有利的，但換來的係彎曲現象(bowing)之增加。藉由在較低功率及較高功率之間脈衝，提供充分的側壁鈍化，以在仍可達到較大的底部臨界尺寸之同時避免寬大的弓弧臨界尺寸。將有機碳基層208暴露於臨場(in-situ )電漿達55秒。圖2B係在蝕刻完成之後的堆疊體200之示意橫剖面圖。特徵部220已被蝕刻進入到有機碳基層208。該特徵部220具有實質上垂直之側壁。
在一些實施例中，可脈衝含鹵素成分(步驟116)。含鹵素成分之脈衝可週期性地停止含鹵素成分之流動。在其他實施例中，含鹵素成分之脈衝可改變含鹵素成分之流動速率。
吾人已意外發現蝕刻氣體中具有少量鹵素成分能夠修整再沉積之矽，以提供經改善之垂直輪廓。過多的鹵素會蝕刻掉矽基硬遮罩，其將導致不規則的特徵部。蝕刻氣體按體積之總流動速率對鹵素成分按體積之流動速率的比率(例如按以sccm為單位的流率之比率)，較佳係按體積介於10,000:1到10:1之間。蝕刻氣體之總流動速率對鹵素成分之流動速率的比率，更佳係介於300:1到20:1之間。實驗已發現鹵素成分在總蝕刻氣體中按體積介於0.5%到4%之間可用於一實施例。此實施例具有的蝕刻氣體之總流動速率對鹵素成分之流動速率的比率係介於200:1到25:1之間。若脈衝含鹵素成分，含鹵素成分之平均流動速率較佳係在總蝕刻氣體之流動速率對含鹵素成分之流動速率的較佳比率範圍之內。
在一些實施例中，鹵素成分可使用其他鹵素成分以代替CH3 F。一些其他鹵素成分可為Cl2 、CH2 F2 、或HBr。鹵素成分必須係在最小化矽遮罩損耗的同時緩慢移除再沉積之矽之濃度。因此鹵素含量及流動速率受限於獲得最佳弓弧輪廓及最小化矽遮罩損耗之間之對抗。
較佳的情況為，維持低壓以減少側面的蝕刻。該低壓較佳係小於40 mTorr。不受理論所束縛，吾人相信，較高的壓力會因增加之氧自由基而導致彎曲現象增加。預期較高的壓力會顯現出增加之弓弧臨界尺寸及增加之底部臨界尺寸之間的較大取捨問題。此外，較高之壓力可能會因較高的鹵素成分分壓或較多的遮罩之等向性蝕刻而降低遮罩保真度。鈍化成分較佳係不含鹵素。在一些實施例中，鈍化成分包含COS及CH4 。在一些實施例中，鈍化成分包含COS及CH4 其中至少一者。在一些實施例中，鈍化成分實質上由COS、CH4 、及N2 所組成。含矽硬遮罩較佳係形成30 nm以下之特徵部。含矽硬遮罩更佳係形成20 nm以下之特徵部。較佳的情況為，特徵部具有之高度對寬度之深寬比係大於3:1。一些實施例可被用於遮罩之開啟。在30 nm以下，在遮罩之開啟期間具有小空間供遮罩變形。許多實施例能在相較於其他處理有較少變形的情況下開啟遮罩，其提供了無彎曲現象之垂直輪廓。此特徵部尺寸及缺少變形對於形成記憶體元件係有用的，例如動態隨機存取記憶體(DRAM)。
在其他實施例中，含矽硬遮罩可係Si、SiO2 、SiN、Si-ARC、SiON、或含矽抗反射膜。在許多實施例中，含矽硬遮罩可係用於雙重圖案化處理之遮罩。
圖5係利用先前技術所處理之堆疊體500之示意橫剖面圖，其具有一基板504於一有機碳基層508之下方，有機碳基層508在一含矽遮罩之下方。在此例子中，該含矽遮罩包含一矽遮罩512於藉由原子層沉積所沉積之氧化矽遮罩516之下方。在此例子中該有機碳基層508係一非晶碳層。在先前技術之此例子中，包含氧氣、不包含鹵素成分且不包含鈍化成分之蝕刻氣體被用於單一蝕刻步驟。來自蝕刻氣體之離子導致含矽遮罩中的矽濺射且再沉積於含矽遮罩之側邊上，以形成再沉積之側壁520。再沉積之側壁520使得隙縫的寬度變窄，由於垂直指向之離子526僅可經由較狹窄的間隙通過，導致特徵部524之底部變得尖細，如圖所示。此外，再沉積之側壁520係呈彎曲，其導致離子528變成為偏轉離子532，其被導向至特徵部的側壁，導致側壁吹蝕(blowout)，如圖所示。
另一先前技術之處理提供一循環處理，其除了上述先前技術中的蝕刻處理以外，還提供一修整處理，其中該修整及蝕刻處理依序地重複複數次。該修整處理會蝕刻掉再沉積之側壁。吾人發現此循環處理沒有充分地避免側壁之吹蝕或尖細化。
半導體業藉由不斷地縮小元件尺寸及密度，致力於改善元件性能。縮小元件的垂直及側面尺寸限制了蝕刻輪廓上的允許誤差(或裕度)。在20 nm以下節點，傳統光微影技術不足以建立用於介層孔蝕刻之遮罩。取而代之地，多重圖案化係必須的，其中傾斜地產生線之兩層(通常為含矽層)以形成遮罩圖案。首要目的係轉移此圖案至底層之有機層。
隨著元件尺寸縮小，孔洞尺寸及條紋臨界尺寸亦縮小。因此，使有機層中可被容許之最大彎曲現象降低。寬大弓弧可因孔洞合併、圖案保真度降低、局部孔洞非均勻性、及有機遮罩圖案轉移至基底層之進一步限制而降低元件良率。
可將先前技術之蝕刻性能於彎曲現象及條紋臨界尺寸成長之限制縮小至三個主要影響。第一，如前述所提及，增加之元件密度對於最小條紋臨界尺寸造成限制以維持圖案完整性；此亦限制彎曲容許度。第二，化學失衡可導致高等向性或基於化學作用之蝕刻。例如，若有過多化學蝕刻劑，例如高量之氧氣，此將造成有機層之等向性蝕刻，導致嚴重的基蝕(undercut)或彎曲現象。然而，若為太少蝕刻劑，蝕刻速率及產能將受到影響。通常可藉由經控制之蝕刻物質、鈍化物質、及稀釋物質之流動以最佳化化學作用。在記憶體應用中，用於有機層蝕刻之一常用處理包含O2 、COS、及N2 ，其各別滿足蝕刻劑、鈍化劑、及稀釋劑之角色。
第三個對於條紋臨界尺寸成長及彎曲現象之影響來自於離子轟擊及離子偏轉。由於離子轟擊，頂部遮罩(通常為含矽之單層或多層)被濺射及再沉積。因為習知化學性質不足以移除經濺射之矽，此導致條紋臨界尺寸之成長。隨著頂部遮罩之條紋臨界尺寸成長，越來越多離子被偏轉到有機層之側壁。條紋臨界尺寸之成長亦使頂端遮罩之間隙臨界尺寸縮小，而限制了底部臨界尺寸。此導致弓弧臨界尺寸與底部臨界尺寸之間的取捨問題。在先前技術中，為了獲得寬大底部臨界尺寸，對於弓弧臨界尺寸之妥協係必須的。
一實施例提出一種新的電漿處理以蝕刻在含矽遮罩下之有機層。其藉由引入一修整氣體以移除再沉積之含矽材料，以克服習知處理之取捨。特別係，在此處理中，加入CH3 F之小量流動。氟物質蝕刻掉再沉積之矽，其避免了不樂見之含矽遮罩之條紋臨界尺寸成長。由於減少了來自頂部遮罩之離子偏轉，使得有機層之弓弧臨界尺寸縮小且輪廓更加垂直。
在有機層中產生之垂直輪廓係備受期望的，且對於隨後的圖案轉移具有重要意義。舉例而言，在先前技術處理中，在有機層中之寬大弓弧臨界尺寸及頂部含矽層之寬大條紋臨界尺寸可能導致許多顧慮。在氧化物蝕刻期間，當有嚴重彎曲現象時，遮罩外型會從上到下大幅改變。首先，由於頂部遮罩之寬大條紋臨界尺寸，間隙圖案係非常小的。此可導致潛在的未開啟之顧慮，其中在氧化物層中一些渠溝或孔洞係堵塞的或未成形的。隨著頂部矽遮罩及有機層被慢慢地消耗，有機層中之間隙臨界尺寸擴大而條紋臨界尺寸縮小。此可導致潛在的缺陷，其包含孔洞橋接(bridging)、遮罩保真度、及非均勻性。在該蝕刻期間，氧化物蝕刻經歷多種遮罩輪廓，其使得氧化物蝕刻處理難以調整及最佳化。並且，由於彎曲現象及非垂直/傾斜輪廓，有相當多由有機層側壁到氧化物側壁上之離子偏轉。另一方面，在許多實施例中，由於有機層中產生之垂直輪廓，上述的所有顧慮被緩解。在一實施例中，在介層孔圖案蝕刻期間，20 nm以下節點提供一垂直側壁輪廓。吾人應注意到，在習知方法中介層孔間隙臨界尺寸大幅地改變，而在許多實施例中該改變被減少。其次，在習知方法中，存在斷線(line breakage)及圖案保真度問題。這些保真度問題未存在於許多實施例中。最後，在許多實施例中改善了孔洞臨界尺寸均勻性。利用習知處理時，在存在斷線之處，孔洞間隙臨界尺寸係較大的且更加不規則形的。
許多實施例不限於堆疊中之一特定遮罩圖案，或特定一組材料。在具有上覆矽基硬遮罩圖案之有機層之電漿蝕刻期間，許多實施例增加一修整氣體以移除經濺射及再沉積的矽基材料。許多實施例對於精確控制臨界尺寸及有機層蝕刻之輪廓係關鍵性的。
實施例可被用於更高深寬比之蝕刻，其需要更高的離子能量處理。更高的離子能量處理增加了來自矽硬遮罩之濺射及再沉積。並且，需要更長的處理時間以蝕刻得更深，而因此，遮罩濺射及再沉積、及彎曲現象將會增加。此外，可調整鹵素含量，以獲得在彎曲現象受限之輪廓及遮罩高度受限之輪廓之間的折衷方案。因此，此修整處理提供可獨立調整之控制參數以調整蝕刻性能。
吾人已發現許多實施例對於20 nm以下節點縮小條紋臨界尺寸，同時以多於40%將產能提升。彎曲現象減少超過4 nm。底部對弓弧之比率由75%改善至85%。這些改善容許元件密度之增加。
雖然本揭露書已以數個較佳實施例敘述，但其變化、排列、修改和各種替代相等物均包含於本揭露書之範圍內。應當注意的是，有很多替代方式以執行本揭露書之方法及儀器。因此擬以隨附的申請專利範圍，應釋為包含所有變化、排列及各種替代均等物均包含於本揭露書之精神及範圍之內。
104‧‧‧提供具有有機層及遮罩之堆疊體
108‧‧‧流動鹵素及鈍化蝕刻氣體
112‧‧‧將蝕刻氣體形成為電漿以蝕刻有機層
116‧‧‧脈衝鹵素成分
200‧‧‧堆疊體
204‧‧‧基板
208‧‧‧有機碳基層
212‧‧‧矽遮罩
216‧‧‧氧化矽遮罩
220‧‧‧特徵部
300‧‧‧電漿處理腔室
306‧‧‧氣體散佈板
308‧‧‧靜電夾盤
310‧‧‧氣體源
311‧‧‧內加熱器
312‧‧‧外加熱器
313‧‧‧第一連接
314‧‧‧第二連接
315‧‧‧O2 氣體源
316‧‧‧鈍化氣體源
318‧‧‧鹵素成分氣體源
320‧‧‧排氣泵
330‧‧‧射頻源
334‧‧‧下電極
335‧‧‧控制器
348‧‧‧ESC電源
349‧‧‧處理腔室
350‧‧‧腔室牆
351‧‧‧ESC溫度控制器
400‧‧‧電腦系統
402‧‧‧處理器
404‧‧‧顯示裝置
406‧‧‧記憶體
408‧‧‧儲存裝置
410‧‧‧移動式儲存裝置
412‧‧‧使用者介面裝置
414‧‧‧通訊介面
416‧‧‧通訊基礎設施
500‧‧‧堆疊體
504‧‧‧基板
508‧‧‧有機碳基層
512‧‧‧矽遮罩
516‧‧‧氧化矽遮罩
520‧‧‧再沉積之側壁
524‧‧‧特徵部
526‧‧‧垂直指向之離子
528‧‧‧離子
532‧‧‧偏轉離子
本揭露書係藉由舉例的方式(且非限制性地)描繪於隨附圖式之圖形中，其中類似的參考符號代表相似的元件，及其中
圖1係一實施例之高階流程圖。
圖2A-B係根據一實施例所處理的一堆疊體之示意橫剖面圖。
圖3係可用於一實施例之電漿處理腔室之示意圖。
圖4係可用於實行一實施例之電腦系統之示意圖。
圖5係根據先前技術所處理的一堆疊體之示意橫剖面圖。

Claims (16)

  1. 一種在一含矽硬遮罩下方之一有機碳基層之蝕刻方法，其包含: 提供一蝕刻氣體，其包含氧氣、及一含鹵素成分、及一鈍化成分，其中該蝕刻氣體之總流動速率對該含鹵素成分之流動速率的體積比率係介於10,000:1到10:1之間；以及 將該蝕刻氣體形成為電漿，其中該有機碳基層及該含矽硬遮罩被暴露於該電漿，且其中該電漿相對於該含矽硬遮罩選擇性地蝕刻該有機碳基層。
  2. 如申請專利範圍第1項之在一含矽硬遮罩下方之一有機碳基層之蝕刻方法，其中該鈍化成分係不含鹵素。
  3. 如申請專利範圍第1項之在一含矽硬遮罩下方之一有機碳基層之蝕刻方法，其中該電漿蝕刻該有機碳基層中之特徵部、以及鈍化該特徵部之側壁、以及由該含矽硬遮罩濺射出矽，其中該矽再沉積於該含矽硬遮罩之側壁上，且其中該電漿修整在該含矽硬遮罩之側壁上之再沉積之矽。
  4. 如申請專利範圍第1項之在一含矽硬遮罩下方之一有機碳基層之蝕刻方法，更包含脈衝該含鹵素成分。
  5. 如申請專利範圍第1項之在一含矽硬遮罩下方之一有機碳基層之蝕刻方法，其中該含矽硬遮罩係基於Si、SiO2 、SiN、Si-ARC或SiON其中至少一者。
  6. 如申請專利範圍第1項之在一含矽硬遮罩下方之一有機碳基層之蝕刻方法，其中該含鹵素成分係基於CH3 F、CH2 F2 、Cl2 或HBr其中至少一者。
  7. 如申請專利範圍第1項之在一含矽硬遮罩下方之一有機碳基層之蝕刻方法，其中該鈍化成分包含COS及CH4 。
  8. 如申請專利範圍第1項之在一含矽硬遮罩下方之一有機碳基層之蝕刻方法，其中該鈍化成分包含COS及CH4 其中至少一者。
  9. 如申請專利範圍第1項之在一含矽硬遮罩下方之一有機碳基層之蝕刻方法，其中該含矽硬遮罩形成30 nm以下之特徵部。
  10. 如申請專利範圍第1項之在一含矽硬遮罩下方之一有機碳基層之蝕刻方法，更包含當提供該蝕刻氣體時維持一壓力於40 mTorr以下。
  11. 如申請專利範圍第1項之在一含矽硬遮罩下方之一有機碳基層之蝕刻方法，其中將該蝕刻氣體形成為電漿包含提供RF功率給該蝕刻氣體。
  12. 如申請專利範圍第11項之在一含矽硬遮罩下方之一有機碳基層之蝕刻方法，其中該RF功率係經脈衝。
  13. 如申請專利範圍第1項之在一含矽硬遮罩下方之一有機碳基層之蝕刻方法，更包含利用該有機碳基層作為一遮罩以蝕刻在該有機碳基層下方之一蝕刻層。
  14. 如申請專利範圍第1項之在一含矽硬遮罩下方之一有機碳基層之蝕刻方法，其中該蝕刻氣體之總流動速率對該含鹵素成分之流動速率的體積比率係介於300:1到20:1之間。
  15. 如申請專利範圍第1項之在一含矽硬遮罩下方之一有機碳基層之蝕刻方法，其中該蝕刻氣體之總流動速率對該含鹵素成分之流動速率的體積比率係介於200:1到25:1之間。
  16. 如申請專利範圍第1項之在一含矽硬遮罩下方之一有機碳基層之蝕刻方法，其中該有機碳基層及該含矽硬遮罩被暴露於該電漿，且其中該電漿相對於該含矽硬遮罩選擇性地蝕刻該有機碳基層，且導致具有大於3:1之深寬比之蝕刻特徵部之形成。
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