KR970018188A - 반도체 웨이퍼의 드라이에칭용 플라즈마 처리장치 - Google Patents

반도체 웨이퍼의 드라이에칭용 플라즈마 처리장치 Download PDF

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도시로오 마에가와
사또미 하마다
고오지 오노
아쯔시 시게따
마사꼬 고데라
가즈요시 요시다
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이데이 노부유키
소니 가부시기가이샤
마에다 시게루
가부시키가이샤 에바라 세사쿠쇼
니시무로 다이조오
가부시키가이샤 도시바
가네꼬 히사시
닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
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Abstract

여기에 기재된 것은 전자파가 반응용기로 도입되어 그 내부에서 플라즈마를 여기시키는 유전부재를 갖는 플라즈마 처리장치이다. 금속저항판(3)이 유전부재에 매입되어 플라즈마 내의 용량결합성분을 감소시키며 전자파투과 및 가열 부재로서 작용한다. 금속저항판(3)은 제어된 직류를 금속저항판에 공급하기 위한 DC 전원(5)과 전류 제어기(7)를 구비하여 유전부재(2)의 온도를 승온시키며 제어한다. 유전부재의 스퍼터링은 용량결합 성분의 감소를 방지하며, 반면에 유전체 상에 에칭생성물을 증착시키는 것은 유전제의 제어된 가열에 의해 억제되어 오염입자 생성이라는 문제점을 경감시키며 에칭조건 안정성을 증가시킨다.

Description

반도체 웨이퍼의 드라이에칭용 플라즈마 처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 개략적인 단면도.

Claims (12)

  1. 진공반응용기로서 외부와 상기 진공반응용기의 내부를 분리하는 벽을 갖고 상기 벽은 유전체부 및 전기적으로 접지된 도체부를 갖는 진공반응용기와, 상기 진공반응용기 밖에서 상기 유전체부에 인접하여 배치되는 평평상의 전기 코일과, 제1튜닝기구를 통해 상기 코일에 고주파 전류를 공급하는 제1고주파 전원과, 상기 진공반응용기의 상기 내부에 복수의 처리가스를 공급하는 수단과, 상기 진공반응용기의 상기 내부에 배치되어 상기 유전체부에 면하고 위에 처리될 시료를 놓을수 있는 하부전극과, 튜닝기구를 통해 상기 하부전극에 고주파전압을 공급하는 제2고주파 전원과, 상기 유전체부의 내부에 매입되고 전자파를 투과시킬 수 있는 금속판을 가지며, 또한 상기 유전체부의 온도를 승온시킬 수 있는 전자파 투과·가열부재와, 전자파를 차단할 수 있는 필터를 통해 상기 전자파 투과·가열부재에 직류를 공급하는 DC 전원과, 상기 유전체부의 온도를 측정하는 온도측정수단과, 상기 온도측정수단에 의해 측정된 온도에 의하여 상기 DC 전원으로부터 상기 전자파 투과·가열부재에 공급되는 전류를 제어하는 제어기를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전자파 투과·가열부재는 일 매의 금속저항판인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전자파 투과·가열부재는 전자파를 투과시킬 수 있는 금속판과 가열판을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  4. 제2항에 있어서, 복수개의 전자파 투과슬릿이 상기 금속저항판에서 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  5. 제2항에 있어서, 복수개의 전자파 투과슬릿이 상기 금속저항판에서 형성되며, 상기 슬릿은 방사상으로 배열되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  6. 제2항에 있어서, 복수개의 전자파 투과슬릿이 상기 금속저항판에서 형성되며, 상기 슬릿은 동심적으로 배열되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  7. 제3항에 있어서, 복수개의 전자파 투과슬릿이 상기 금속저항판과 상기 금속판 중 하나 이상에 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  8. 제3항에 있어서, 복수개의 전자파 투과슬릿이 상기 금속저항판과 상기 금속판 중 하나 이상에 형성되며, 상기 슬릿은 방사상으로 배열되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  9. 제3항에 있어서, 복수개의 전자파 투과슬릿이 상기 금속저항판과 금속판 중 하나 이상에 형성되며, 상기 슬릿은 동심적으로 배열되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  10. 제2항에 있어서, 상기 금속저항판은 전자파를 투과시킬 수 있는 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  11. 제3항에 있어서, 상기 금속저항판과 상기 금속판 중 하나 이상은 전자파를 투과시킬 수 있는 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 평평상의 전기코일은 나선형 코일인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960040424A 1995-09-28 1996-09-17 반도체 웨이퍼의 건식 에칭용 플라즈마 처리장치 KR100235931B1 (ko)

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