JPH05122036A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH05122036A JPH05122036A JP3280043A JP28004391A JPH05122036A JP H05122036 A JPH05122036 A JP H05122036A JP 3280043 A JP3280043 A JP 3280043A JP 28004391 A JP28004391 A JP 28004391A JP H05122036 A JPH05122036 A JP H05122036A
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- resistor
- emitter
- main
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体装置に関し、半導体装置の外部にフィル
ターを設ける必要がなく、その分コンパクト化を図るこ
とを目的とする。 【構成】共通のコレクタ領域１と、前記コレクタ領域１
に設けられた共通のベース領域３と、前記ベース領域３
にそれぞれ独立して設けられたメインエミッタ領域５及
びセンスエミッタ領域６とからなる電流検出機能付トラ
ンジスタＴを半導体チップにて構成した半導体装置であ
って、前記半導体チップ上には絶縁層４を介して第１セ
ンス抵抗ＲS と第２抵抗ＲF を形成するとともに、前記
絶縁層４上にコンデンサＣF を構成する下部電極層と絶
縁層８及び上部電極層を形成し、前記第１センス抵抗Ｒ
S と第２抵抗ＲF との間を前記センスエミッタ領域６に
接続し、更には前記メインエミッタ領域５とコンデンサ
ＣF 及び第１センス抵抗ＲSをメインエミッタ端子Ｅに
接続し、前記コンデンサＣF と第２抵抗ＲF との間には
センスエミッタ端子Ｓを接続した。
ターを設ける必要がなく、その分コンパクト化を図るこ
とを目的とする。 【構成】共通のコレクタ領域１と、前記コレクタ領域１
に設けられた共通のベース領域３と、前記ベース領域３
にそれぞれ独立して設けられたメインエミッタ領域５及
びセンスエミッタ領域６とからなる電流検出機能付トラ
ンジスタＴを半導体チップにて構成した半導体装置であ
って、前記半導体チップ上には絶縁層４を介して第１セ
ンス抵抗ＲS と第２抵抗ＲF を形成するとともに、前記
絶縁層４上にコンデンサＣF を構成する下部電極層と絶
縁層８及び上部電極層を形成し、前記第１センス抵抗Ｒ
S と第２抵抗ＲF との間を前記センスエミッタ領域６に
接続し、更には前記メインエミッタ領域５とコンデンサ
ＣF 及び第１センス抵抗ＲSをメインエミッタ端子Ｅに
接続し、前記コンデンサＣF と第２抵抗ＲF との間には
センスエミッタ端子Ｓを接続した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電流検出機能付トランジ
スタが構成された半導体装置に関するものである。
スタが構成された半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、図５に示すように半導体装置とな
る電流検出機能付トランジスタＴは、メイントランジス
タ２０とセンストランジスタ２１とによって構成されて
いる。そして、前記メイントランジスタ２０及びセンス
トランジスタ２１のコレクタ２３は共通となり、同様に
メイントランジスタ２０及びセンストランジスタ２１の
ベース２４は共通となっている。又、メイントランジス
タ２０及びセンストランジスタ２１のエミッタはメイン
エミッタ２５とセンスエミッタ２６とによりそれぞれ独
立して構成されている。又、前記センスエミッタ２６と
メインエミッタ２５との間にはポリシリコン層によって
形成された第１センス抵抗ＲS が接続されている。
る電流検出機能付トランジスタＴは、メイントランジス
タ２０とセンストランジスタ２１とによって構成されて
いる。そして、前記メイントランジスタ２０及びセンス
トランジスタ２１のコレクタ２３は共通となり、同様に
メイントランジスタ２０及びセンストランジスタ２１の
ベース２４は共通となっている。又、メイントランジス
タ２０及びセンストランジスタ２１のエミッタはメイン
エミッタ２５とセンスエミッタ２６とによりそれぞれ独
立して構成されている。又、前記センスエミッタ２６と
メインエミッタ２５との間にはポリシリコン層によって
形成された第１センス抵抗ＲS が接続されている。
【０００３】そして、センスエミッタ２６に流れるセン
ス電流ＩS の検出に基づいてコレクタ２３に流れるメイ
ン電流ＩC を検出するようになっている。つまり、前記
センスエミッタ２６に流れるセンス電流ＩS に基づいて
前記第１センス抵抗ＲS の両端にセンス電圧ＶS が発生
する。このセンス電圧ＶS をセンスエミッタ端子Ｓ、メ
インエミッタ端子Ｅ間を介して検出することによりメイ
ン電流ＩC を検出す
ス電流ＩS の検出に基づいてコレクタ２３に流れるメイ
ン電流ＩC を検出するようになっている。つまり、前記
センスエミッタ２６に流れるセンス電流ＩS に基づいて
前記第１センス抵抗ＲS の両端にセンス電圧ＶS が発生
する。このセンス電圧ＶS をセンスエミッタ端子Ｓ、メ
インエミッタ端子Ｅ間を介して検出することによりメイ
ン電流ＩC を検出す
【０００４】る。
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図６に
示すように、前記メイン及びセンストランジスタ２０，
２１のオン又はオフ時にはセンストランジスタ２１のセ
ンスエミッタ２６に過渡的にセンス電流ＩS が過大に流
れる。そのため、第１センス抵抗ＲS の両端にサージ電
圧ＶZ が含まれたセンス電圧ＶS が発生するので、高精
度なメイン電流ＩC の検出を行うことができない。
示すように、前記メイン及びセンストランジスタ２０，
２１のオン又はオフ時にはセンストランジスタ２１のセ
ンスエミッタ２６に過渡的にセンス電流ＩS が過大に流
れる。そのため、第１センス抵抗ＲS の両端にサージ電
圧ＶZ が含まれたセンス電圧ＶS が発生するので、高精
度なメイン電流ＩC の検出を行うことができない。
【０００５】これを防止する目的で、前記センスエミッ
タ端子Ｓとメインエミッタ端子Ｅとの間には第１センス
抵抗ＲS とコンデンサＣF とから構成されるフィルター
２７を接続する。これにより、サージ電圧ＶZ はフィル
ター２７によって吸収され、サージ電圧ＶZ が出力され
なくなる。従って、高精度なメイン電流ＩC の検出を行
うことができるが、前記フィルター２７は電流検出機能
付トランジスタＴを構成する半導体装置の外部に取付ら
れることになる。これにより、フィルター２７の分だけ
大型化してしまうという問題がある。
タ端子Ｓとメインエミッタ端子Ｅとの間には第１センス
抵抗ＲS とコンデンサＣF とから構成されるフィルター
２７を接続する。これにより、サージ電圧ＶZ はフィル
ター２７によって吸収され、サージ電圧ＶZ が出力され
なくなる。従って、高精度なメイン電流ＩC の検出を行
うことができるが、前記フィルター２７は電流検出機能
付トランジスタＴを構成する半導体装置の外部に取付ら
れることになる。これにより、フィルター２７の分だけ
大型化してしまうという問題がある。
【０００６】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、その目的は半導体装置の外部にフィ
ルターを設ける必要がなく、その分コンパクト化を図る
ことができる半導体装置を提供することにある。
れたものであって、その目的は半導体装置の外部にフィ
ルターを設ける必要がなく、その分コンパクト化を図る
ことができる半導体装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決するため、共通のコレクタと、前記コレクタに設けら
れた共通のベースと、前記ベースにそれぞれ独立して設
けられたメインエミッタ及びセンスエミッタとからなる
電流検出機能付トランジスタを半導体チップにて構成し
た半導体装置であって、前記半導体チップ上には絶縁層
を介してセンス用抵抗とフィルター用抵抗を形成すると
ともに、前記絶縁層上にフィルター用コンデンサを構成
する下部電極層を絶縁層及び上部電極層を形成し、前記
センス用抵抗とフィルター用抵抗との間と前記センスエ
ミッタに接続し、更には前記メインエミッタとコンデン
サ及びセンス用抵抗とをメインエミッタ端子に接続し、
前記コンデンサとフィルター用抵抗との間にはセンス端
子を接続したことをその要旨とする。
決するため、共通のコレクタと、前記コレクタに設けら
れた共通のベースと、前記ベースにそれぞれ独立して設
けられたメインエミッタ及びセンスエミッタとからなる
電流検出機能付トランジスタを半導体チップにて構成し
た半導体装置であって、前記半導体チップ上には絶縁層
を介してセンス用抵抗とフィルター用抵抗を形成すると
ともに、前記絶縁層上にフィルター用コンデンサを構成
する下部電極層を絶縁層及び上部電極層を形成し、前記
センス用抵抗とフィルター用抵抗との間と前記センスエ
ミッタに接続し、更には前記メインエミッタとコンデン
サ及びセンス用抵抗とをメインエミッタ端子に接続し、
前記コンデンサとフィルター用抵抗との間にはセンス端
子を接続したことをその要旨とする。
【０００８】
【作用】センス用抵抗はセンスエミッタとメインエミッ
タとの間に設けられ、前記センス用抵抗にはフィルター
用抵抗とコンデンサとにより構成されるフィルターが接
続される。前記センス電圧はフィルターを通してセンス
端子及びメインエミッタ端子間に出力される。このセン
ス電圧を検出することによりコレクタに流れるコレクタ
電流を間接的に検出することができる。
タとの間に設けられ、前記センス用抵抗にはフィルター
用抵抗とコンデンサとにより構成されるフィルターが接
続される。前記センス電圧はフィルターを通してセンス
端子及びメインエミッタ端子間に出力される。このセン
ス電圧を検出することによりコレクタに流れるコレクタ
電流を間接的に検出することができる。
【０００９】又、ベース電流が入力されてコレクタ電流
が流れ始めるとき、あるいはベース電流によりコレクタ
電流が遮断されるときにセンストランジスタに過渡電流
が流れる。この過度電流はフィルターによって吸収され
るため、センス端子及びメインエミッタ端子間からはサ
ージ電圧が出力されない。従って、前記センス用抵抗、
フィルター用抵抗及びコンデンサを半導体装置内に設け
た分だけ半導体装置周辺が集約される。
が流れ始めるとき、あるいはベース電流によりコレクタ
電流が遮断されるときにセンストランジスタに過渡電流
が流れる。この過度電流はフィルターによって吸収され
るため、センス端子及びメインエミッタ端子間からはサ
ージ電圧が出力されない。従って、前記センス用抵抗、
フィルター用抵抗及びコンデンサを半導体装置内に設け
た分だけ半導体装置周辺が集約される。
【００１０】
【実施例】以下、本発明をマルチエミッタ式のバイポー
ラトランジスタに具体化した一実施例を図１〜図３に従
って説明する。
ラトランジスタに具体化した一実施例を図１〜図３に従
って説明する。
【００１１】図１，２に示すように、電流検出機能付ト
ランジスタＴのコレクタ領域１となるＮ型のシリコン基
板（チップ）２上には、Ｐ型のベース領域３が形成され
ている。ベース領域３にはＮ+ 層からなる複数のメイン
エミッタ領域５とセンスエミッタ領域６とがそれぞれ形
成されている。従って、前記コレクタ領域１、ベース領
域３及び複数のメインエミッタ領域５により電流検出機
能付トランジスタＴの一部を構成するメイントランジス
タＴｒ１が構成され、コレクタ領域１、ベース領域３及
びセンスエミッタ領域６により電流検出機能付トランジ
スタＴの一部を構成するセンストランジスタＴｒ２が構
成されている。
ランジスタＴのコレクタ領域１となるＮ型のシリコン基
板（チップ）２上には、Ｐ型のベース領域３が形成され
ている。ベース領域３にはＮ+ 層からなる複数のメイン
エミッタ領域５とセンスエミッタ領域６とがそれぞれ形
成されている。従って、前記コレクタ領域１、ベース領
域３及び複数のメインエミッタ領域５により電流検出機
能付トランジスタＴの一部を構成するメイントランジス
タＴｒ１が構成され、コレクタ領域１、ベース領域３及
びセンスエミッタ領域６により電流検出機能付トランジ
スタＴの一部を構成するセンストランジスタＴｒ２が構
成されている。
【００１２】前記エミッタ領域５，６が形成されていな
い前記ベース領域３の略中央には、絶縁層としてのシリ
コン酸化膜４が形成されている。前記シリコン酸化膜４
の上面にはセンス用抵抗としての第１センス抵抗Ｒs 及
びフィルター用抵抗としての第２抵抗ＲF を構成し、下
部電極層を兼ねるポリシリコン層７が形成されている。
そして、前記ポリシリコン層７の一部上面にはコンデン
サＣF を構成するシリコン酸化膜８が形成されている。
尚、前記シリコン酸化膜８の上面は上部電極層である。
い前記ベース領域３の略中央には、絶縁層としてのシリ
コン酸化膜４が形成されている。前記シリコン酸化膜４
の上面にはセンス用抵抗としての第１センス抵抗Ｒs 及
びフィルター用抵抗としての第２抵抗ＲF を構成し、下
部電極層を兼ねるポリシリコン層７が形成されている。
そして、前記ポリシリコン層７の一部上面にはコンデン
サＣF を構成するシリコン酸化膜８が形成されている。
尚、前記シリコン酸化膜８の上面は上部電極層である。
【００１３】そして、前記接続点Ｓ１と接続点Ｓ２との
間のポリシリコン層７によって前記第１センス抵抗ＲS
が形成され、接続点Ｓ２と接続点Ｓ３との間のポリシリ
コン層７によって第２抵抗ＲF が形成されている。又、
前記シリコン酸化膜８の上面には接続点Ｓ４が設けら
れ、前記接続点Ｓ３と接続点Ｓ４との間に介在するシリ
コン酸化膜８によって前記コンデンサＣF が形成されて
いる。
間のポリシリコン層７によって前記第１センス抵抗ＲS
が形成され、接続点Ｓ２と接続点Ｓ３との間のポリシリ
コン層７によって第２抵抗ＲF が形成されている。又、
前記シリコン酸化膜８の上面には接続点Ｓ４が設けら
れ、前記接続点Ｓ３と接続点Ｓ４との間に介在するシリ
コン酸化膜８によって前記コンデンサＣF が形成されて
いる。
【００１４】前記接続点Ｓ１，Ｓ４と複数のメインエミ
ッタ領域５はアルミ配線にてメインエミッタ端子Ｅに接
続されている。従って、前記第１センス抵抗ＲS の一端
及びコンデンサＣF の一端がメインエミッタ領域５とと
もにメインエミッタ端子Ｅに接続されている。又、接続
点Ｓ２とセンスエミッタ領域６とが接続されている。こ
れにより、センスエミッタ領域６は第１センス抵抗ＲS
と第２抵抗ＲF との間に接続されている。そして、前記
接続点Ｓ３はセンスエミッタ端子Ｓに接続されている。
又、前記ベース領域３にはベース端子Ｂが、コレクタ領
域となる基板２にはコレクタ端子Ｃがそれぞれ接続され
ている。
ッタ領域５はアルミ配線にてメインエミッタ端子Ｅに接
続されている。従って、前記第１センス抵抗ＲS の一端
及びコンデンサＣF の一端がメインエミッタ領域５とと
もにメインエミッタ端子Ｅに接続されている。又、接続
点Ｓ２とセンスエミッタ領域６とが接続されている。こ
れにより、センスエミッタ領域６は第１センス抵抗ＲS
と第２抵抗ＲF との間に接続されている。そして、前記
接続点Ｓ３はセンスエミッタ端子Ｓに接続されている。
又、前記ベース領域３にはベース端子Ｂが、コレクタ領
域となる基板２にはコレクタ端子Ｃがそれぞれ接続され
ている。
【００１５】従って、メインエミッタ領域５とセンスエ
ミッタ領域６との間には、第１センス抵抗ＲS が接続さ
れている。又、センスエミッタ領域６とセンスエミッタ
端子Ｓとの間に第２抵抗ＲF が設けられ、更にセンスエ
ミッタ端子Ｓとメインエミッタ端子Ｅとの間にコンデン
サＣF が設けられた状態となっている。そして、この第
２抵抗ＲF とコンデンサＣF とにより、フィルター９が
構成されている。
ミッタ領域６との間には、第１センス抵抗ＲS が接続さ
れている。又、センスエミッタ領域６とセンスエミッタ
端子Ｓとの間に第２抵抗ＲF が設けられ、更にセンスエ
ミッタ端子Ｓとメインエミッタ端子Ｅとの間にコンデン
サＣF が設けられた状態となっている。そして、この第
２抵抗ＲF とコンデンサＣF とにより、フィルター９が
構成されている。
【００１６】次に、上記のように構成された電流検出機
能付トランジスタＴの作用について説明する。ベース電
流ＩB が電流検出機能付トランジスタＴのベース端子を
介してベース領域３に入力されると、メイントランジス
タＴｒ１及びセンストランジスタＴｒ２がそれぞれオン
する。これにより、コレクタ領域１にはメイン電流ＩC
が流れ、コレクタ端子Ｃに接続された図示しない負荷が
動作する。又、前記センストランジスタＴｒ２がオンす
ることからセンスエミッタ領域６にもセンス電流ＩS が
流れる。
能付トランジスタＴの作用について説明する。ベース電
流ＩB が電流検出機能付トランジスタＴのベース端子を
介してベース領域３に入力されると、メイントランジス
タＴｒ１及びセンストランジスタＴｒ２がそれぞれオン
する。これにより、コレクタ領域１にはメイン電流ＩC
が流れ、コレクタ端子Ｃに接続された図示しない負荷が
動作する。又、前記センストランジスタＴｒ２がオンす
ることからセンスエミッタ領域６にもセンス電流ＩS が
流れる。
【００１７】定常状態においては、前記センス電流ＩS
は抵抗ＲS を流れ、該抵抗ＲS の両端にはセンス電圧Ｖ
S が発生する。このセンス電圧ＶS はフィルター９を通
してセンスエミッタ端子Ｓ及びメインエミッタ端子Ｅ間
から出力される。このセンス電圧ＶS に基づいて図示し
ない保護装置がメイン電流ＩC を検出する。そして、前
記センス電圧ＶSが所定レベルを越えると、図示しない
保護装置はメイン電流ＩC が過負荷電流となっていると
判断する。従って、保護装置はベース電流ＩBを遮断し
て電流検出機能付トランジスタＴをオフする。これによ
り、電流検出機能付トランジスタＴを保護する。
は抵抗ＲS を流れ、該抵抗ＲS の両端にはセンス電圧Ｖ
S が発生する。このセンス電圧ＶS はフィルター９を通
してセンスエミッタ端子Ｓ及びメインエミッタ端子Ｅ間
から出力される。このセンス電圧ＶS に基づいて図示し
ない保護装置がメイン電流ＩC を検出する。そして、前
記センス電圧ＶSが所定レベルを越えると、図示しない
保護装置はメイン電流ＩC が過負荷電流となっていると
判断する。従って、保護装置はベース電流ＩBを遮断し
て電流検出機能付トランジスタＴをオフする。これによ
り、電流検出機能付トランジスタＴを保護する。
【００１８】一方、ベース電流ＩB に基づく電流検出機
能付トランジスタＴの立ち上がり又は立下がりにおいて
は、前記センスエミッタには過渡的にセンス電流ＩS が
多く流れる。
能付トランジスタＴの立ち上がり又は立下がりにおいて
は、前記センスエミッタには過渡的にセンス電流ＩS が
多く流れる。
【００１９】しかし、過渡電流はフィルター９によって
吸収され、サージ電圧ＶZ 分を吸収したセンス電圧ＶS
がセンスエミッタ端子Ｓ及びメインエミッタ端子Ｅ間か
ら出力される。従って、図示しない保護装置はサージ電
圧ＶZ が含まれないセンス電圧ＶS を検出するため、高
精度なメイン電流Ｉc の検出を行うことができる。
吸収され、サージ電圧ＶZ 分を吸収したセンス電圧ＶS
がセンスエミッタ端子Ｓ及びメインエミッタ端子Ｅ間か
ら出力される。従って、図示しない保護装置はサージ電
圧ＶZ が含まれないセンス電圧ＶS を検出するため、高
精度なメイン電流Ｉc の検出を行うことができる。
【００２０】しかも、第２抵抗ＲF 及びコンデンサＣF
とからなるフィルター９を電流検出機能付トランジスタ
Ｔとともに半導体チップ上に構成したので、半導体装置
の外部にフィルター９を設ける必要がなくなる。そのた
め、フィルター９を外部に設ける必要がなくなる分だけ
装置をコンパクト化することができる。
とからなるフィルター９を電流検出機能付トランジスタ
Ｔとともに半導体チップ上に構成したので、半導体装置
の外部にフィルター９を設ける必要がなくなる。そのた
め、フィルター９を外部に設ける必要がなくなる分だけ
装置をコンパクト化することができる。
【００２１】又、本実施例においては、発熱の少ないフ
ィルター９の第２抵抗ＲF を構成するポリシリコン層７
及びコンデンサＣF を構成するシリコン酸化膜８を基板
２の略中央に配置し、発熱の多いメイントランジスタＴ
ｒ１及びセンストランジスタＴｒ２をその周辺に配置し
たことにより、メイントランジスタＴｒ１及びセンスト
ランジスタＴｒ２の放熱性を向上させることができる。
ィルター９の第２抵抗ＲF を構成するポリシリコン層７
及びコンデンサＣF を構成するシリコン酸化膜８を基板
２の略中央に配置し、発熱の多いメイントランジスタＴ
ｒ１及びセンストランジスタＴｒ２をその周辺に配置し
たことにより、メイントランジスタＴｒ１及びセンスト
ランジスタＴｒ２の放熱性を向上させることができる。
【００２２】尚、本実施例においては、１つのポリシリ
コン層７によって第１センス抵抗ＲS 及び第２抵抗ＲF
を構成したが、図４に示すように独立させたポリシリコ
ン層７ａ，７ｂによって第１センス抵抗Ｒs 及び第２抵
抗ＲF をそれぞれ構成してもよい。
コン層７によって第１センス抵抗ＲS 及び第２抵抗ＲF
を構成したが、図４に示すように独立させたポリシリコ
ン層７ａ，７ｂによって第１センス抵抗Ｒs 及び第２抵
抗ＲF をそれぞれ構成してもよい。
【００２３】本実施例においては、マルチエミッタトラ
ンジスタに具体化したが、マルチソースとなるＭＯＳト
ランジスタや静電誘導形トランジスタに適用することも
可能である。
ンジスタに具体化したが、マルチソースとなるＭＯＳト
ランジスタや静電誘導形トランジスタに適用することも
可能である。
【００２４】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、半
導体装置の外部にフィルターを設ける必要がなく、その
分コンパクト化を図ることができる優れた効果がある。
導体装置の外部にフィルターを設ける必要がなく、その
分コンパクト化を図ることができる優れた効果がある。
【図１】本発明に係る半導体装置の概略斜視図である。
【図２】半導体装置の構造を示す断面図である。
【図３】半導体装置の電気的構成を示す電気回路図であ
る。
る。
【図４】半導体装置の別例を示す断面図である。
【図５】従来の半導体装置の電気的構成を示す電気回路
図である。
図である。
【図６】抵抗の両端に発生するサージ電圧を含んだセン
ス電圧を示す特性図である。
ス電圧を示す特性図である。
１…コレクタ領域、２…チップ（基板）、３…ベース領
域、４…絶縁層としてのシリコン酸化膜、５…メインエ
ミッタ領域、６…センスエミッタ領域、ＣF …コンデン
サ、ＲS …センス用抵抗としての第１センス抵抗、Ｒ…
フィルター用抵抗としての第２抵抗、Ｔ…電流検出機能
付トランジスタ
域、４…絶縁層としてのシリコン酸化膜、５…メインエ
ミッタ領域、６…センスエミッタ領域、ＣF …コンデン
サ、ＲS …センス用抵抗としての第１センス抵抗、Ｒ…
フィルター用抵抗としての第２抵抗、Ｔ…電流検出機能
付トランジスタ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成３年１１月１３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】そして、センスエミッタ２６に流れるセン
ス電流ＩS の検出に基づいてコレクタ２３に流れるメイ
ン電流ＩC を検出するようになっている。つまり、前記
センスエミッタ２６に流れるセンス電流ＩS に基づいて
前記第１センス抵抗ＲS の両端にセンス電圧ＶS が発生
する。このセンス電圧ＶS をセンスエミッタ端子Ｓ、メ
インエミッタ端子Ｅ間を介して検出することによりメイ
ン電流ＩC を検出する。
ス電流ＩS の検出に基づいてコレクタ２３に流れるメイ
ン電流ＩC を検出するようになっている。つまり、前記
センスエミッタ２６に流れるセンス電流ＩS に基づいて
前記第１センス抵抗ＲS の両端にセンス電圧ＶS が発生
する。このセンス電圧ＶS をセンスエミッタ端子Ｓ、メ
インエミッタ端子Ｅ間を介して検出することによりメイ
ン電流ＩC を検出する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図６に
示すように、前記メイン及びセンストランジスタ２０，
２１のオン又はオフ時にはセンストランジスタ２１のセ
ンスエミッタ２６に過渡的にセンス電流ＩS が過大に流
れる。そのため、第１センス抵抗ＲS の両端にサージ電
圧ＶZ が含まれたセンス電圧ＶS が発生するので、高精
度なメイン電流ＩC の検出を行うことができない。
示すように、前記メイン及びセンストランジスタ２０，
２１のオン又はオフ時にはセンストランジスタ２１のセ
ンスエミッタ２６に過渡的にセンス電流ＩS が過大に流
れる。そのため、第１センス抵抗ＲS の両端にサージ電
圧ＶZ が含まれたセンス電圧ＶS が発生するので、高精
度なメイン電流ＩC の検出を行うことができない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決するため、共通のコレクタと、前記コレクタに設けら
れた共通のベースと、前記ベースにそれぞれ独立して設
けられたメインエミッタ及びセンスエミッタとからなる
電流検出機能付トランジスタを半導体チップにて構成し
た半導体装置であって、前記半導体チップ上には絶縁層
を介してセンス用抵抗とフィルター用抵抗を形成すると
ともに、前記絶縁層上にフィルター用コンデンサを構成
する下部電極層と絶縁層及び上部電極層を形成し、前記
センス用抵抗とフィルター用抵抗との間を前記センスエ
ミッタに接続し、更には前記メインエミッタとコンデン
サ及びセンス用抵抗とをメインエミッタ端子に接続し、
前記コンデンサとフィルター用抵抗との間にはセンス端
子を接続したことをその要旨とする。 ─────────────────────────────────────────────────────
決するため、共通のコレクタと、前記コレクタに設けら
れた共通のベースと、前記ベースにそれぞれ独立して設
けられたメインエミッタ及びセンスエミッタとからなる
電流検出機能付トランジスタを半導体チップにて構成し
た半導体装置であって、前記半導体チップ上には絶縁層
を介してセンス用抵抗とフィルター用抵抗を形成すると
ともに、前記絶縁層上にフィルター用コンデンサを構成
する下部電極層と絶縁層及び上部電極層を形成し、前記
センス用抵抗とフィルター用抵抗との間を前記センスエ
ミッタに接続し、更には前記メインエミッタとコンデン
サ及びセンス用抵抗とをメインエミッタ端子に接続し、
前記コンデンサとフィルター用抵抗との間にはセンス端
子を接続したことをその要旨とする。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成３年１１月１３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
Claims (1)
- 【請求項１】 共通のコレクタと、前記コレクタに設け
られた共通のベースと、前記ベースにそれぞれ独立して
設けられたメインエミッタ及びセンスエミッタとからな
る電流検出機能付トランジスタを半導体チップにて構成
した半導体装置であって、 前記半導体チップ上には絶縁層を介してセンス用抵抗と
フィルター用抵抗を形成するとともに、前記絶縁層上に
フィルター用コンデンサを構成する下部電極層を絶縁層
及び上部電極層を形成し、前記センス用抵抗とフィルタ
ー用抵抗との間と前記センスエミッタに接続し、更には
前記メインエミッタとコンデンサ及びセンス用抵抗とを
メインエミッタ端子に接続し、前記コンデンサとフィル
ター用抵抗との間にはセンス端子を接続した半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3280043A JPH05122036A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3280043A JPH05122036A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05122036A true JPH05122036A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17619507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3280043A Pending JPH05122036A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05122036A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001063765A1 (fr) * | 2000-02-25 | 2001-08-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Module de puissance |
| JP2016162898A (ja) * | 2015-03-02 | 2016-09-05 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
| JP2020036530A (ja) * | 2016-05-20 | 2020-03-05 | 株式会社デンソー | スイッチング素子の駆動制御装置 |
-
1991
- 1991-10-25 JP JP3280043A patent/JPH05122036A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001063765A1 (fr) * | 2000-02-25 | 2001-08-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Module de puissance |
| JP2016162898A (ja) * | 2015-03-02 | 2016-09-05 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
| CN105938830A (zh) * | 2015-03-02 | 2016-09-14 | 丰田自动车株式会社 | 半导体装置 |
| JP2020036530A (ja) * | 2016-05-20 | 2020-03-05 | 株式会社デンソー | スイッチング素子の駆動制御装置 |
| US11095283B2 (en) | 2016-05-20 | 2021-08-17 | Denso Corporation | Drive control apparatus for driving a switching element including a sense element |
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