JPH0511450A - フオトレジスト - Google Patents
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- JPH0511450A JPH0511450A JP3353047A JP35304791A JPH0511450A JP H0511450 A JPH0511450 A JP H0511450A JP 3353047 A JP3353047 A JP 3353047A JP 35304791 A JP35304791 A JP 35304791A JP H0511450 A JPH0511450 A JP H0511450A
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Abstract
度を越える構造物(溝又は孔)の製造を可能とし、高い
透過性を有し、UV線、電子線及びX線に対して敏感で
あり、高い感度(DUV領域で)並びにサブミクロン範
囲でも高い解像能を有するフォトレジストを提供する。 【構成】 無水カルボン酸官能基及びカルボン酸−第3
ブチルエステル基を有するポリマー成分と、露光時に酸
を遊離する光開始剤及び適当な溶剤を含む。
Description
物を製造するためのフォトレジストに関する。
細書からサブミクロン範囲の構造物を製造するための水
性アルカリ性現像可能の高解像能のフォトレジストが公
知である。このレジストは現像可能のベースポリマー及
び光活性成分(並びに場合によっては他の常用の添加
物)からなるが、その際ベースポリマーは現像可能な、
従って溶解を助ける基として無水官能基を有する。DU
V透過性でありまた一層法にも二層法にも適している無
水物含有ベースポリマーは有利には10〜55モル%の
無水マレイン酸を含み、アリルトリメチルシラン及びス
チロール並びに場合によっては他のモノマー、例えばマ
レインイミドと共又は三重合することによって得られ
る。
ジアゾケトン誘導体を含むこの種のベースポリマーを有
するフォトレジストは、例えば波長248nmでのDU
V露光に際して寸法通りに露光するには約70〜80m
J/cm2の線量を必要とする。この比較的高い線量
は、例えば高集積マイクロエレクトロニクスデバイスの
製造ラインの場合僅かな装填量では経費のかさむ露光装
置(ステッパ)を長時間保持する必要があるという欠点
を有する。従ってこの製造には一般に<20mJ/cm
2 の感度が必要である。二層法において上記形式の珪素
含有レジストを使用する場合には、酸素プラズマ中での
構造物転移後にボトムレジスト中に、トップレジスト中
の構造物に比べて10%以上寸法を欠いたサブミクロン
構造物が得られるという問題が生じる。これは製造上許
容し得ないことである。
書からは、サブミクロン構造物のフォトリソグラフィー
転移を二層法で行う光構造化法が公知である。この方法
では無水物含有ベースポリマー又はレジストの長所を利
用しまた同時に寸法通りの転移が可能である。すなわち
二層法でボトムレジストに正確なマスク寸法を再生する
ことができる。これはトップレジスト中の無水物含有構
造物を、酸素プラズマ中での構造物転移に際して生じる
寸法損失に正確に一致する範囲で、化学的に拡大するこ
とによって得られる。しかしこの方法の場合にもトップ
レジストの構造化には比較的高い線量、すなわち約90
mJ/cm2 (DUV領域で)を必要とする。
用されるリソグラフィー法の物理的解像限度によって設
定されるよりも小さい構造物寸法を製造する可能性が開
かれた。すなわちフォトレジスト構造物中においてその
溝幅は解像限度以下にまで縮小される。これは無水物含
有レジスト構造物をほぼ数ナノメータから数ミクロメー
タにまで化学的に拡大することによって達成され、これ
により相応する溝の狭窄化がもたらされる。一層法でも
また二層法でも可能なこの処理方法の場合、光活性成分
としてジアゾケトン誘導体を有するレジストを使用する
が、しかしこのレジストは感度に関して製造要件を満足
するものではない。
書(又はこれに相当する米国特許第4491628号明
細書)からポジ型又はネガ型のレジスト組成物が公知で
あり、この場合従来のレジストの不十分な感度に関する
問題はいわゆる化学的強化の構想で対処している。更に
このレジスト組成物は、酸に不安定な基を含むポリマー
及び露光時に酸を遊離する光開始剤を有している。この
場合アルカリ可溶性基、例えば(ビニルフェノール−ポ
リマー中の)フェノール性OH基を有するベースポリマ
ーを使用するが、これは酸分解可能の基、例えば第3ブ
チル基又は第3ブトキシカルボニル基によってブロック
されている。従ってこのポリマーはまずアルカリ不溶性
である。DUV線、電子線又はX線で露光した際に強酸
を生じる光開始剤(又は光酸)としてはいわゆるクリベ
ロ(Crivello)塩、すなわちトリフェニルスル
ホニウム−ヘキサフルオロホスフェートのようなオニウ
ム塩を使用する。
光に続く熱処理(post ex−posure ba
ke)で、露光時に光酸から製造された唯一のプロトン
が、従って1個の光子によって触媒的に多くの酸分解可
能の基を分解する、すなわち多数のアルカリ可溶性基を
遊離するということによって説明することができる。こ
れに対して(光活性成分として)ジアゾ化合物を有する
従来のレジストは1光子当り最高で1個のアルカリ可溶
性の酸基を製造し得るに過ぎない。上記レジスト組成物
に関しては、UV露光で5〜55mJ/cm2 に達する
か又は電子線露光では10μC/cm2 である感度が示
される。更にこの組成物は高いコントラストを示す。し
かしこれらの系の場合寸法通りの構造物転移が不可能な
こと、幅の狭い溝、すなわち解像限度よりも小さい幅の
溝を製造することはできないことまたDUV透過性又は
基板エッチング処理に対する耐食性が極めて小さいこと
が欠点である。
書(又はこれに相当する米国特許第4837124号及
び同第4912018号明細書)から、DUV及びエキ
シマレーザ−リソグラフィー用フォトレジスト組成物は
公知であるが、この場合も同様に化学的強化の構想によ
り作業する。そのためにレジスト組成物は潜在光酸1〜
50%及び膜形成可能のイミド基含有ポリマー50〜9
9%を、共に溶剤中に溶解して有している。この場合十
分な数のイミド基が、このポリマーをアルカリ不溶性に
するために酸不安定性基でブロックされている。この種
の基はオキシカルボニル基、特に第3ブトキシカルボニ
ル基である。酸不安定性基は光酸により先に記載したよ
うにして分解され、その結果ポリマーは、その際生じる
イミド基によってアルカリ可溶性となる。このレジスト
組成物の利点は改良された解像能にあるが、しかしこれ
は欧州特許出願公開第0102450号明細書によるレ
ジスト組成物と同じ欠点を有する。更に重合類似の反応
による酸不安定性基の導入は制御不能でありまた再生不
能に進行し、従って定量的に行われないという欠点を有
する。
法で寸法通りの構造物転移をまた解像限度を越える構造
物(溝又は孔)の製造を可能とし、高い透過性を有し、
UV線、電子線及びX線に対して敏感であり、高い感度
(DUV領域で<20mJ/cm2 の)並びにサブミク
ロン範囲でも高い解像能を有するフォトレジストを提供
することにある。
ば、フォトレジストが無水カルボン酸官能基及びカルボ
ン酸−第3ブチルエステル基を有するポリマ−成分、露
光時に酸を遊離する光開始剤及び適当な溶剤を含むこと
によって解決される。
ポリマー成分が2種の官能基、すなわち無水物官能基及
び第3ブチルエステル基を有することが重要である。そ
の際この2つの基は異なるポリマーに存在していてもよ
いが、同一のポリマー中に存在していることが有利であ
る。
のが有利である。この種の他の化合物は例えば無水イタ
コン酸である。これらのポリマーは環状の無水物官能基
(これらは主鎖又は側鎖中に配置されていてもよい)を
有していてもまた非環状の、すなわち線状の無水物官能
基を有していてもよい。一連の相応するモノマー、例え
ば無水アクリル酸又は無水メタクリル酸及び無水ビニル
フタル酸は欧州特許出願公開第0388484号明細書
から公知である。
ルエステル並びにマレイン酸−及びフマル酸−第3ブチ
ルエステルはカルボン酸−第3ブチルエステル基を有す
るものが有利である。この種の他の化合物は例えばビニ
ル安息香酸−第3ブチルエステル及び桂皮酸−第3ブチ
ルエステルである。
とのできる、カルボン酸−第3ブチルエステルと無水カ
ルボン酸とからなるコポリマーはドイツ連邦共和国特許
出願公開第4041000号明細書の対象である。この
場合このコポリマーは(上記形式の)コポリマーとして
のみではなくターポリマーとしても構成することができ
る。この種のポリマーには付加的に不飽和化合物、例え
ばスチロール、α−メチルスチロール及びビニルナフタ
リンのような不飽和芳香族化合物が組み込まれている。
ポリマーに有利に組み込むことのできる他の不飽和化合
物は例えばアリルトリメチルシランである。
ル酸−又はメタクリル酸−第3ブチルエステル/無水マ
レイン酸−コポリマーを使用するのが有利である。しか
し例えば不飽和カルボン酸の第3ブチルエステル、無水
マレイン酸及びアリルトリメチルシラン又はスチロール
を含むモノマー混合物から製造されるターポリマーを使
用することも有利である。重合は有利にはラジカル法で
開始される。これらのポリマーは近UV領域でもまた遠
UV領域でもその高い透過性によって特徴づけられ、従
って高コントラストDUVフォトレジストでの使用に、
例えばKrFキシマレーザ露光装置(波長248nm)
での露光に極めて適している。
光酸としても表現されている光開始剤としてそれ自体は
公知の化合物を使用することができる(これに関しては
例えば欧州特許出願公開第0102450号及び同第0
234327号明細書参照)。光開始剤の選択に関して
重要なことは、露光時に酸を遊離するという必要な特性
のみである。この場合露光をUV線又は電子線又はX線
で行うが、その際有利には強酸が形成される。次いで、
すなわち露光に続く熱処理に際してこの酸はカルボン酸
−第3ブチルエステル基から第3ブチルエステルを脱離
させる。この酸で触媒された脱ブロック化により当初ア
ルカリ不溶性のポリマーはアルカリ可溶性になる。
利にはオニウム塩である。クリベロ塩とも称されるこの
種の化合物は例えばジフェニルヨードニウム−及びトリ
フェニルスルホニウム−トリフレート(トリフレートは
トリフルオロメタンスルホニル基を表す)である。他の
使用可能の光開始剤は例えばトリアジン誘導体である。
この光開始剤は一般に、無水のフォトレジスト、すなわ
ち溶剤を含まないレジスト組成物に対して1〜20重量
%の濃度で使用される。
剤を使用する。溶剤の選択に当たって重要なことは、ポ
リマー成分並びに光開始剤をも溶解する必要のあること
が要求されることだけである。更に公知の被覆法で欠陥
のないレジスト層を基板上に、例えばシリコンウェハ上
に又はボトムレジストで被覆されたウェハ上に形成させ
なければならない。溶剤としてはシクロヘキサノン又は
酢酸メトキシプロピルが有利であるが、その他に例えば
ジエチレングリコールジメチルエーテルも使用すること
ができる。
/cm2 の感度を有する。上記成分の他に本発明による
フォトレジストは他の添加物を含んでいてもよい。この
種の添加物は例えば増感剤であるが、これによりレジス
トは近UV領域での露光に対して例えば365nmで感
光可能にされる。この場合適当な増感剤は特にペリレン
である。
及びネガ型構造物を製造することができる。更にこのレ
ジストは一層レジスト法(湿式現像)でもまた二層レジ
スト法(湿式及び乾式現像)でも使用することができ
る。
びカルボン酸−第3ブチルエステル基の他に付加的に更
に芳香族基を有するポリマーを使用する。この種のポリ
マーは簡単な方法で、例えば無水マレイン酸及び第3ブ
チルエステルをスチロールのような芳香族モノマーとま
た場合によっては1個又は複数個の他のモノマー、例え
ばビニルナフタリンとラジカル重合させることによって
得ることができる。しかしまた例えば欧州特許出願公開
第0388484号明細書から公知であるような他の芳
香族モノマーも使用することができる。この場合各モノ
マーの混合比によって、ポリマー中における第3ブチル
エステルのモル量並びにまた他のモノマーのモル量も容
易にかつ再生可能に制御することができる。一層法では
無水マレイン酸10〜55モル%、第3ブチルエステル
10〜55モル%及びスチロール10〜70モル%から
なるターポリマーを使用するのが有利である。その際個
々の成分の量は合計して100%になる量である。
びカルボン酸−第3ブチルエステル基の他に付加的に更
に珪素含有基を有するポリマーを使用する。この種のポ
リマーは簡単な方法で、例えば無水マレイン酸及び第3
ブチルエステルをアリルトリメチルシランのような珪素
含有モノマーとまた場合によっては1個又は複数個の他
のモノマー、例えばスチロールとラジカル重合させるこ
とによって得ることができる。しかしまた例えば欧州特
許出願公開第0388484号明細書から公知であるよ
うな他の珪素含有モノマーも使用することができる。こ
の場合各モノマーの混合比によって、ポリマー中におけ
る第3ブチルエステルのモル量並びにまた他のモノマー
のモル量も容易にかつ再生可能に制御することができ
る。二層法では無水マレイン酸10〜55モル%、第3
ブチルエステル10〜55モル%及びアリルトリメチル
シラン10〜55モル%からなるターポリマーを使用す
るのが有利である。その際個々の成分の量は合計して1
00%になる量である。
許出願公開第0395917号明細書から公知である光
構造化法、すなわちフォトレジスト構造物の幅を変える
方法で有利に使用することができる。これは二層法での
寸法通りの構造物転移並びに解像限度を越える構造物の
製造である。両方法の場合レジストポリマーを選択する
に当たって重要なことは、ポリマーが無水物含有基を有
していることである。しかしこの場合特に予想外であっ
たのは、ポリマーがこの方法でいわゆる拡大試薬として
使用されるアミノシロキサンと極めて迅速に反応し、
(すでに僅かな層厚で)極めて耐食性のある層を生じる
という事実である。更にO2 /RIEでの乾式エッチン
グ処理により極めて急勾配の側面を有する高解像構造物
が得られる。その他に本発明によるフォトレジストは高
い処理確実性をもたらす。
造物の製法は以下に記載する経過で進行する。 1.基板へのレジストの塗布 レジストは露光波長に対して透過性でなければならず、
基板のエッチング工程に対する耐食性は不要である。 2.レジストの乾燥 3.画像に応じての露光 この場合露光された範囲に強酸が生じる。 4.熱処理(post exposure bake) この場合ホットプレート上での温度/時間−組合わせ
を、露光された範囲でポリマー中に第3ブチルエステル
基の酸触媒による分解が生じまたこれ によりレジスト
が現像可能に調整されるように選択する。 5.アルカリ現像 6.化学的後処理 この場合レジスト線の拡大、すなわちレジスト溝又は孔
の狭窄化が生じる。芳香族化合物を含む拡大試薬の使用
により基板エッチング工程に対する耐食性が得られる。
板上にまずボトムレジストを施す、すなわち遠心塗布す
る。基板エッチング工程に対して耐性でなければならな
いこのボトムレジストは、一般にノボラックをベースと
する芳香族化合物含有ポリマーを有する。遠心塗布後ボ
トムレジストを加熱する。その際ポリマーが交叉結合
し、それによりポリマーはトップレジスト溶剤に対して
不溶性となる。加熱した後ボトムレジスト上にトップレ
ジストを施す。これは露光波長に対して透過性でなけれ
ばならず、従って酸素プラズマ中での乾式現像に対して
の耐食性は不要である。トップレジストの乾燥後(前述
のようにして)画像に応じた露光、熱処理、アルカリ現
像及び化学的後処理を行う。化学的後処理に際してトッ
プレジスト線が拡大される。すなわちトップレジストの
溝及び孔は狭窄化する。珪素含有拡大試薬の使用により
同時に酸素プラズマ中での乾式現像に対する耐食性が形
成される。引続き更に異方性酸素プラズマ中でボトムレ
ジスト内への構造物転移を行う。
その際以下に記載する出発物質又は試薬を使用する。
タクリル酸−第3ブチルエステル及び無水マレイン酸を
開始剤としてのアゾイソ酪酸ニトリルとラジカル重合す
ることにより製造した、この2種のモノマーからなるコ
ポリマー。
クリル酸−第3ブチルエステル及び無水マレイン酸を開
始剤としてのアゾイソ酪酸ニトリルとラジカル重合する
ことにより製造した、この2種のモノマーからなるコポ
リマー。
形成する化合物である。適当な酸形成剤は特にクリベロ
塩として公知のオニウム化合物並びにトリアジン誘導体
である。ここではトリフェニルスルホニウムトリフルオ
ロメタン−スルホネートを使用する。
フェニルヨードニウム−トリフルオロメタン−スルホネ
ートである。
ォトレジスト現像剤NMD−W2.38%(Tokyo
Ohka Kogyo Co.社製)の形の水性アル
カリ反応性溶液。
アニソール34重量部からなる混合物の形の有機媒体。
これにより極めて選択的に未露光の非極性範囲を現像す
ることができるが、露光された極性範囲は変化されな
い。
4重量部、イソプロパノール45.7重量部及びエタノ
ール50.3重量部からなる水性有機溶液。有利には特
に2個の末端位のアミノプロピル基及び2〜20個の珪
素原子を鎖中に有するα、ωアミノ官能性シロキサン、
例えば市販製品の商品名Tegomer A−Si21
20(ゴールドシュミット(Goldschmidt)
社製)を使用する。このシロキサンの溶剤としては有利
には水性アルコール媒体を、特にイソプロパノール又は
エタノールを有するものを使用するが、その際必要に応
じて更にシリル化速度を高める添加剤を混合してもよ
い。それには特にポリエチレングリコール及びそのエー
テルを選択する。
(商品名TegomerA−Si 2120)2重量
部、イソプロパノール95重量部及び水3重量部からな
る水性有機溶液。
4重量部、イソプロパノール75重量部、ジエチレング
リコールジメチルエーテル15重量部及び水6重量部か
らなる水性有機溶液。
スト商品名TSMR8900(Tokyo Ohka
Kogyo Co.社製)を遠心塗布し、90℃で1分
間乾燥した。次いで240℃の循環空気炉中で35分間
加熱した。加熱後平面化層として使用するレジストの厚
さは1.3μmであった。
重量部、光活性成分(1)0.6重量部及び酢酸メトキ
シプロピル88重量部からなるフォトレジストを遠心塗
布した。ホットプレート上で90℃で60秒間乾燥した
後、このトップレジストの層厚は0.32μmであっ
た。次いでレジストを3mJ/cm2 でマスクを介して
接触露光し(装置MJB3、カール・ジュス(Karl
Suess)社製、λ=250nm)、ホットプレー
ト上で90℃で60秒間焼結した。その後露光された範
囲を市販のパドル現像装置(CEM 2000型、コン
ヴァック(Convac)社製)内で現像液(1)を用
いて室温及び常圧下に90秒間処理し、溶出し、次いで
水で30秒間洗浄した。引続き同じ条件(室温、常圧)
下で残留構造物を同様に市販のパドル現像装置(CEM
2000−U型、コンヴァック(Convac)社
製)中でシリル化溶液(1)を用いて(120秒間)処
理することによりシリル化し、次いでイソプロパノール
で30秒間洗浄した。引続きシリコンウェハをプラズマ
エッチング装置(MIE 720型、マテリアル・リサ
ーチ・コーポレーション(Material Rese
arch Corporation)社製)に配置し、
レジストを酸素プラズマ中で乾式現像した(O2 /RI
E:ガス圧1.9mトル、バイアス電圧40V、出力
0.9kW、磁石使用、期間80秒間)。脚部/溝比
1:1及び垂直な側面を有する0.4μmまでのポジ型
構造物(高さ1.6μm)が得られた。
ての露光はDUVステッパ(キャノン−エキシマレーザ
ステッパ FPA 4500;λ=248nm、NA=
0.37)を使用して18mJ/cm2 で行った。注意
すべきことは、1:1結像に必要な線量はこのステッパ
を使用した場合、例1に相応する接触露光によるよりも
常に明らかに高かったことである。プラズマエッチング
装置(Precision 5000)内で乾式現像
(O2 /RIE:O2 流量20sccm、出力300
W、50G磁石、期間180秒間)した後、脚部/溝比
1:1を有する0.3μmまでのポジ型構造物(高さ
1.6μm)及び0.4μmまでの寸法通りのスルーホ
ールが得られた。構造物及びスルーホールは90゜の側
面を有する。
グ装置(MIE 720型、マテリアル・リサーチ・コ
ーポレーション(Material Research
Corporation)社製)内での乾式現像は2
段階エッチング法で行った。その際まず酸素及びテトラ
フルオロメタンからなるガス混合物で6秒間エッチング
し(O2 流量70sccm、CF2 流量90sccm、
総ガス圧8.1mトル、バイアス電圧40V、磁石使
用)、次いで例1に相応して純粋な酸素プラズマ中で乾
式現像した(O2 −RIE:ガス圧1.9mトル、バイ
アス電圧40V、出力0.9kW、磁石使用、期間80
秒間)。垂直な側面及び脚部/溝比1:1を有する0.
4μmまでのポジ型構造物が得られた。
像した後残留する構造物をシリル化溶液(1)で200
秒間処理した。その際この延長されたシリル化により
(例2に記載した酸素プラズマ中での乾式現像後に)溝
及びスルーホールは明かに狭窄化した。その結果例えば
それぞれ0.3μm幅の脚部及び溝配列の代わりに0.
45μm幅の脚部及び0.15μm幅の溝からなる配列
が得られた。製造されたポジ型構造物及びスルーホール
はやはり垂直な側面を有する。
(2)1.05重量部及びジエチレングリコールジメチ
ルエーテル85重量部からなるレジストを、平面化層上
に例1に相応して遠心塗布し、100℃で60秒間乾燥
した。このトップレジストは厚さ0.32μmを有す
る。マスクを介して6mJ/cm2 でレジストを露光し
た後(キャノン−エキシマレーザ ステッパ FPA
4500;λ=248nm、NA=0.37)、110
℃で60秒間焼結し、次いで露光範囲をパドル現像装置
(CEM 200型、コンヴァック(Convac)社
製)内で室温及び常圧で60秒間現像液(1)で処理す
ることにより溶出し、引続き水で30秒間洗浄した。残
留構造物をパドル現像装置(CEM 2000−U型、
コンヴァック(Convac)社製)内で室温及び常圧
でシリル化溶液(2)を用いて60秒間処理し、イソプ
ロパノールで30秒間洗浄した。このレジストをプラズ
マエッチング装置(Precision 5000)内
で乾式現像した後(O2 /RIE:02 流量20scc
m、出力300W、50G磁石、期間180秒間)、
0.3μmまでのポジ型構造物(脚部/溝比1:1)及
び垂直な側面を有する寸法通りの0.4μm−スルーホ
ールが得られた。
内での)シリル化期間を100秒に延長した。これによ
り溝は相応する乾式現像後(例5による結果と比較し
て)狭窄化された。すなわち0.4μmのスルーホール
の代わりに垂直な側面を有する0.3μmのスルーホー
ルが得られた。
平面化層上に遠心塗布し、乾燥した。1.8mJ/cm
2 でマスクを介して接触露光した後(装置MJB3、カ
ール・ジュス(Karl Suess)社製;λ=25
0nmで)、110℃で60秒間焼結した。現像液
(2)で60秒間処理することにより(例1に相応する
パドル現像装置、室温、常圧で)、未露光範囲を選択的
に溶出した。次いでイソプロパノールで30秒間洗浄し
た。引続き同じ装置内でまた同じ外部条件下に残留する
ネガ型構造物をシリル化溶液(3)で60秒間処理し、
次いでイソプロパノールで30秒間洗浄した。プラズマ
エッチング装置(MIE 720型、マテリアル・リサ
ーチ・コーポレーション(Material Rese
arch Corporation)社製)内でレジス
トを乾式現像した後(O2 /RIE:ガス圧2mトル、
バイアス電圧50V、出力0.9kW、磁石使用)、垂
直な側面及び脚部/溝比1:1を有する0.4μmまで
のネガ型構造物が得られた。この構造物は1.6μmの
高さを有する。
(1)1.15重量部及び酢酸メトキシプロピル77重
量部からなるレジストをシリコンウェハ上に遠心塗布
し、90℃で60秒間乾燥した。その後レジストを、前
述のような露光をすることなく例1に相応してパドル現
像装置(室温、常圧)内でシリル化溶液(1)を用いて
360秒間処理し、次いでイソプロパノールで30秒間
洗浄し、乾燥した。引続きこのウェハをプラズマエッチ
ング装置(MIE 720型、マテリアル・リサーチ・
コーポレーション(Material Researc
h Corporation)社製)に配置し、酸素プ
ラズマ中で200秒間乾式エッチングした(O2 /RI
E:ガス圧1.9mトル、バイアス電圧40V、出力
0.9kW、磁石使用)。エッチング前及び後の層厚寸
法からシリル化層の損傷率は0.73nm/秒と算出さ
れた。その際未露光のレジストをシリル化前に現像液
(1)で処理したか否かによっては何ら影響されること
はなかった。
開第0388484号及び同第0395917号明細書
参照)ようなレジストを、そこに記載されているように
シリル化し(相応する各実施例を参照)、シリル化した
層を上記条件下にエッチングした場合、シリル化層にお
いてすべての場合に0.95〜1.05nm/秒の損傷
率が測定された。本発明の枠内で製造された珪素含有層
は先行技術のものに比べて一般に酸素プラズマ(O2 /
RIE)中での乾式現像で約30%高い耐食性を示す。
Claims (10)
- 【請求項1】 サブミクロン範囲の構造物を製造するた
めのフォトレジストにおいて、無水カルボン酸官能基及
びカルボン酸−第3ブチルエステル基を有するポリマ−
成分、露光時に酸を遊離する光開始剤及び適当な溶剤を
含んでいることを特徴とするフォトレジスト。 - 【請求項2】 無水カルボン酸官能基を有するものが無
水マレイン酸であることを特徴とする請求項1記載のフ
ォトレジスト。 - 【請求項3】 カルボン酸−第3ブチルエステル基を有
するものがアクリル酸−、メタクリル酸−、マレイン酸
−及びフマル酸−第3ブチルエステルであることを特徴
とする請求項1記載のフォトレジスト。 - 【請求項4】 ポリマー成分がアクリル酸−又はメタク
リル酸−第3ブチルエステル/無水マレイン酸−コポリ
マーであることを特徴とする請求項1ないし3の1つに
記載のフォトレジスト。 - 【請求項5】 ポリマー成分が不飽和カルボン酸の第3
ブチルエステル、無水マレイン酸及びアリルトリメチル
シラン又はスチロールからなるターポリマーであること
を特徴とする請求項1ないし3の1つに記載のフォトレ
ジスト。 - 【請求項6】 光開始剤がオニウム塩であることを特徴
とする請求項1ないし5の1つに記載のフォトレジス
ト。 - 【請求項7】 溶剤がシクロヘキサノン又は酢酸メトキ
シプロピルであることを特徴とする請求項1ないし6の
1つに記載のフォトレジスト。 - 【請求項8】 付加的に増感剤を含むことを特徴とする
請求項1ないし7の1つに記載のフォトレジスト。 - 【請求項9】 一層法で使用することを特徴とする請求
項1ないし8の1つに記載のフォトレジスト。 - 【請求項10】 二層法で寸法通りに構造物を転移させ
るために又は解像限度を越えた構造物を製造するために
使用することを特徴とする請求項1ないし8の1つに記
載のフォトレジスト。
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