JPH0499011A - チップ形固体電解コンデンサ - Google Patents
チップ形固体電解コンデンサInfo
- Publication number
- JPH0499011A JPH0499011A JP2208507A JP20850790A JPH0499011A JP H0499011 A JPH0499011 A JP H0499011A JP 2208507 A JP2208507 A JP 2208507A JP 20850790 A JP20850790 A JP 20850790A JP H0499011 A JPH0499011 A JP H0499011A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- anode lead
- anode
- lead
- electrolytic capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 24
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 21
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 32
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 14
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010024229 Leprosy Diseases 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 amine compound Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007739 conversion coating Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- YPTUAQWMBNZZRN-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoboron Chemical compound [B]N(C)C YPTUAQWMBNZZRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
- H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はチップ形固体電解コンデンサに関し、特に陽極
端子の接続信頼性を改善した電極構造に関する。
端子の接続信頼性を改善した電極構造に関する。
従来、この種のチップ形固体電解コンデンサは、例えば
第2図に示す如く、公知の技術により銀ペースト層まで
形成したコンデンサ素子に外部陰極端子12を導電性接
着剤により接続し、導出した陽極リード線に外部陽極端
子11を溶接により接続した後、陽・陰極端子の一部を
含むモールド外装置3を行い、外部陽・陰極端子をそれ
ぞれL字型に折り曲げたモールド外装チップ形固体電解
コンデンサがある。
第2図に示す如く、公知の技術により銀ペースト層まで
形成したコンデンサ素子に外部陰極端子12を導電性接
着剤により接続し、導出した陽極リード線に外部陽極端
子11を溶接により接続した後、陽・陰極端子の一部を
含むモールド外装置3を行い、外部陽・陰極端子をそれ
ぞれL字型に折り曲げたモールド外装チップ形固体電解
コンデンサがある。
また、特公昭61−31609に提案されているように
、体積効率を高めるため第3図に示す如く、銀ペースト
等の導電体層14a14bを素子の両端部に形成した後
陽極リードに刻み目を設け、導電体層、陽極リード及び
その刻み目に順次ニッケル等の無電解めっき層15a・
15b、はんだ層16a・16bを形成し、エージング
処理した後陽極リードを折り曲げて刻み目から切断して
なるチップ形固体電解コンデンサがある。
、体積効率を高めるため第3図に示す如く、銀ペースト
等の導電体層14a14bを素子の両端部に形成した後
陽極リードに刻み目を設け、導電体層、陽極リード及び
その刻み目に順次ニッケル等の無電解めっき層15a・
15b、はんだ層16a・16bを形成し、エージング
処理した後陽極リードを折り曲げて刻み目から切断して
なるチップ形固体電解コンデンサがある。
しかしながら上述した従来のチップ形固体電解コンデン
サは下記に述べる欠点がある。
サは下記に述べる欠点がある。
すなわち、モールド外装したチップ形固体電解コンデン
サは外部陰極端子を導電性接着剤にて素子に接続した後
モールド外装するため、外部陰極端子と導電性接着剤の
肉厚分だけ厚くなること、外部陰極端子をモールド樹脂
側面に沿って折り曲げる際の機械的応力が素子に加わる
のを緩和するため素子と外部陰極端子折り曲げ部まであ
る程度の距離が必要になり、この分だけ形状が長くなる
ことにより薄形化、小形化が困難であった。またモール
ド外装のため、樹脂注入時の圧力により漏れ電流が劣化
したり、設計変更に際しては高価なモールド金型を作成
しなければならないという欠点もある。
サは外部陰極端子を導電性接着剤にて素子に接続した後
モールド外装するため、外部陰極端子と導電性接着剤の
肉厚分だけ厚くなること、外部陰極端子をモールド樹脂
側面に沿って折り曲げる際の機械的応力が素子に加わる
のを緩和するため素子と外部陰極端子折り曲げ部まであ
る程度の距離が必要になり、この分だけ形状が長くなる
ことにより薄形化、小形化が困難であった。またモール
ド外装のため、樹脂注入時の圧力により漏れ電流が劣化
したり、設計変更に際しては高価なモールド金型を作成
しなければならないという欠点もある。
さらに外部陰極端子と素子を高価な導電性接着剤で接着
していることによるコストアップ、および導電性接着剤
塗布量のバラツキによる接続信頼性の問題等がある。
していることによるコストアップ、および導電性接着剤
塗布量のバラツキによる接続信頼性の問題等がある。
一方、特公昭61−31609記載のチップ形固体電解
コンデンサの製造方法はモールド状タイプより薄形化、
小形化が可能になるが、陽極リードの突出部が長いため
、部品装着機を用いてプリント配線板等に部品を装着す
る場合、装着機のツメで部品をはね飛ばしてしまう欠点
がある。これは切断刃により刻み目を入れる方法では、
切断刃の機械的強度を保持する為に、切断刃を薄くする
ことに限界があり、この厚さ寸法以下に切断することが
できないためである。また、切断時の機械的応力による
、陽極リード上に形成された導電層の剥離防止のために
も切断寸法を長くとる必要があるからである。
コンデンサの製造方法はモールド状タイプより薄形化、
小形化が可能になるが、陽極リードの突出部が長いため
、部品装着機を用いてプリント配線板等に部品を装着す
る場合、装着機のツメで部品をはね飛ばしてしまう欠点
がある。これは切断刃により刻み目を入れる方法では、
切断刃の機械的強度を保持する為に、切断刃を薄くする
ことに限界があり、この厚さ寸法以下に切断することが
できないためである。また、切断時の機械的応力による
、陽極リード上に形成された導電層の剥離防止のために
も切断寸法を長くとる必要があるからである。
また、陽極リードとニッケル等の無電解めっき層とがフ
ァンデルワース力で接続されているため部品装着時の機
械的、熱的ストレスにより接続強度が弱まり誘電体損失
の正接(以下tanδと略称)が増大するという欠点も
ある。これを改善するために、例えば特開昭59−83
25に開示の如く、陽極リードにサンドブラスト法等よ
り凹凸部を形成した後無電解めっき層を形成し密着強度
を高める方法が提案さとているがプロセスが複雑になる
こと、ブラスティング時の衝撃により化成皮膜が損傷を
受は漏れ電流が増大するという問題がある。
ァンデルワース力で接続されているため部品装着時の機
械的、熱的ストレスにより接続強度が弱まり誘電体損失
の正接(以下tanδと略称)が増大するという欠点も
ある。これを改善するために、例えば特開昭59−83
25に開示の如く、陽極リードにサンドブラスト法等よ
り凹凸部を形成した後無電解めっき層を形成し密着強度
を高める方法が提案さとているがプロセスが複雑になる
こと、ブラスティング時の衝撃により化成皮膜が損傷を
受は漏れ電流が増大するという問題がある。
本発明の目的は、陽極端子の接続信頼性が向上するだけ
でなく、陽極リードを短かく切断し、陽極端子面を平坦
化でき、その結果部品実装時の実装トラブルを低減でき
るチップ形固体電解コンデンサを提供することにある。
でなく、陽極リードを短かく切断し、陽極端子面を平坦
化でき、その結果部品実装時の実装トラブルを低減でき
るチップ形固体電解コンデンサを提供することにある。
本発明のチップ形固体電解コンデンサは、陽極リードを
有する弁作用金属からなる陽極体に順次酸化皮膜層、半
導体層、陰極金属層を形成し、陽極リード導出面の対向
面の陰極金属層が露出する様に絶縁外装した後、露出し
た陰極層とその周辺部及び導出する陽極リードとその周
辺部に順次めっき層、はんだ層を形成し、陽極リードを
切断してなるチップ形固体電解コンデンサにおいて、陽
極リード切断部に陽極リード材とめっき層及びはんだ層
からなる合金層を有することを特徴として構成される。
有する弁作用金属からなる陽極体に順次酸化皮膜層、半
導体層、陰極金属層を形成し、陽極リード導出面の対向
面の陰極金属層が露出する様に絶縁外装した後、露出し
た陰極層とその周辺部及び導出する陽極リードとその周
辺部に順次めっき層、はんだ層を形成し、陽極リードを
切断してなるチップ形固体電解コンデンサにおいて、陽
極リード切断部に陽極リード材とめっき層及びはんだ層
からなる合金層を有することを特徴として構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明によるチップ形固体電解コンデンサの一
実施例の断面図である。
実施例の断面図である。
第1図に示すように、弁作用を有する金属の1つである
タンタル粉末が加圧成型され、真空焼結された陽極体1
にはタンタル材の陽極リード2が導出され、陽極体1の
外周面には酸化皮膜層3゜二酸化マンガン層4が形成さ
れ、その外側にグラファイト層、ニッケルめっき層から
なる陽極金属層5が形成される。
タンタル粉末が加圧成型され、真空焼結された陽極体1
にはタンタル材の陽極リード2が導出され、陽極体1の
外周面には酸化皮膜層3゜二酸化マンガン層4が形成さ
れ、その外側にグラファイト層、ニッケルめっき層から
なる陽極金属層5が形成される。
次に、陽極リード導出面の対向面以外の陽極体全外周面
に絶縁樹脂層6が形成された後、陽極リード導出面の対
向面上に金属触媒粉末を付着させてニッケルめっき層7
aを形成した後、はんだ層8aを形成し、陰極端子が形
成される。更に、陽極リード導出面及びその周辺の絶縁
樹脂層6上及び陽極リード2上に金属触媒の有機化合物
を付着させてニッケルめっき層7b、はんだ層8bから
なる陽極端子が形成され、最後にレーザー照射にて陽極
リード2が切断されチップ形固体電解コンデンサが構成
される。すなわち本発明の陽極端子はレーザー照射によ
り陽極リード2を溶断するので切断部に接続強度の大き
いタンタル、ニッケル、はんだの合金層9が形成される
。
に絶縁樹脂層6が形成された後、陽極リード導出面の対
向面上に金属触媒粉末を付着させてニッケルめっき層7
aを形成した後、はんだ層8aを形成し、陰極端子が形
成される。更に、陽極リード導出面及びその周辺の絶縁
樹脂層6上及び陽極リード2上に金属触媒の有機化合物
を付着させてニッケルめっき層7b、はんだ層8bから
なる陽極端子が形成され、最後にレーザー照射にて陽極
リード2が切断されチップ形固体電解コンデンサが構成
される。すなわち本発明の陽極端子はレーザー照射によ
り陽極リード2を溶断するので切断部に接続強度の大き
いタンタル、ニッケル、はんだの合金層9が形成される
。
次に、この様な構成のチップ形タンタル固体電解コンデ
ンサの製造工程について説明する。
ンサの製造工程について説明する。
まず、加圧成型されたタンタル粉末が高温で真空焼結さ
れ、タンタル材の陽極リード2が導出された陽極体1は
燐酸水溶液中で化成電圧100V印加により陽極酸化さ
れ、全外周面にタンタル酸化膜層3が形成され、次に硝
酸マンガン溶液中に浸せきされ硝酸マンガンの付着後2
50〜300℃の雰囲気中で熱分解され二酸化マンガン
層4が形成される。この浸せき及び熱分解は均一な二酸
化マンガン層を得るために複数回行なわれる。
れ、タンタル材の陽極リード2が導出された陽極体1は
燐酸水溶液中で化成電圧100V印加により陽極酸化さ
れ、全外周面にタンタル酸化膜層3が形成され、次に硝
酸マンガン溶液中に浸せきされ硝酸マンガンの付着後2
50〜300℃の雰囲気中で熱分解され二酸化マンガン
層4が形成される。この浸せき及び熱分解は均一な二酸
化マンガン層を得るために複数回行なわれる。
次に、水溶性高分子材の水溶液にグラファイト粉末を懸
濁したグラファイト溶液中に二酸化マンガン層が形成さ
れた陽極体lが浸せきされ、150〜200℃の雰囲気
中で乾燥されてグラファイト層が形成される。次にグラ
ファイト層上にパラジウム粉末からなるめっき触媒金属
を付着させた後、無電解めっきの手法により無電解めっ
き層を形成する。めっき液としては例えばジメチルアミ
ノボランを還元剤とする無電解ニッケルめっき液を使用
し、65℃で40分のめっきが行なわれ約4〜5μmの
ニッケルめっき層が形成される。この様にしてグラファ
イト層、めっき層からなる陰極金属層5が形成される。
濁したグラファイト溶液中に二酸化マンガン層が形成さ
れた陽極体lが浸せきされ、150〜200℃の雰囲気
中で乾燥されてグラファイト層が形成される。次にグラ
ファイト層上にパラジウム粉末からなるめっき触媒金属
を付着させた後、無電解めっきの手法により無電解めっ
き層を形成する。めっき液としては例えばジメチルアミ
ノボランを還元剤とする無電解ニッケルめっき液を使用
し、65℃で40分のめっきが行なわれ約4〜5μmの
ニッケルめっき層が形成される。この様にしてグラファ
イト層、めっき層からなる陰極金属層5が形成される。
次に、陽極リード導出面の対向面にマスキングをした状
態で粉体状エポキシ樹脂を素子外周面に静電塗装し、1
00〜200℃の雰囲気中で約30秒間仮硬化させた後
、マスキングを除去し、100〜200℃の雰囲気中で
30〜60分間加熱し完全硬化させると、絶縁樹脂層6
が形成される。
態で粉体状エポキシ樹脂を素子外周面に静電塗装し、1
00〜200℃の雰囲気中で約30秒間仮硬化させた後
、マスキングを除去し、100〜200℃の雰囲気中で
30〜60分間加熱し完全硬化させると、絶縁樹脂層6
が形成される。
次に、陽極リード導出面及びその周辺の絶縁樹脂層6及
び陽極リード2上にパラジウムのアミン化合物の酢酸ブ
チル溶液を塗布し、200℃30分の条件で熱分解させ
て、粒径約0.1ミクロンのパラジウム粉末を析出させ
る。陽極リード導出面の対向面とその周辺の絶縁樹脂層
6上にも同様にパラジウム粉末を析出させる。
び陽極リード2上にパラジウムのアミン化合物の酢酸ブ
チル溶液を塗布し、200℃30分の条件で熱分解させ
て、粒径約0.1ミクロンのパラジウム粉末を析出させ
る。陽極リード導出面の対向面とその周辺の絶縁樹脂層
6上にも同様にパラジウム粉末を析出させる。
次に、素子を前出の無電解ニッケルめっき液に陽極リー
ド2まで浸せきして無電解めっきを行いめっき層7a、
7bを形成する。この時、パラジウム粉末を付着した部
分以外の絶縁樹脂層6上にはめっき層は形成されない。
ド2まで浸せきして無電解めっきを行いめっき層7a、
7bを形成する。この時、パラジウム粉末を付着した部
分以外の絶縁樹脂層6上にはめっき層は形成されない。
更に、素子をフラックスに浸せきした後260℃の共晶
はんだ浴に浸せきし、めっき層7a、7b上にはんだ層
8a、8bが形成され陽極端子、陰極端子を完成させる
。
はんだ浴に浸せきし、めっき層7a、7b上にはんだ層
8a、8bが形成され陽極端子、陰極端子を完成させる
。
次に、陽極リード導出面の絶縁樹脂層端面から0、1
mmの位置にレーザービームを照射し陽極リードを切断
し、チップ形固体電解コンデンサが形成される。レーザ
ーの条件は、例えばレーザーパルス幅2.5m5ec、
出力5ジユール、単発照射にて切断される。このレーザ
ービームによる切断により、切断部から0.05mm<
らいまではレーザービーム照射の熱エネルギーにより、
タンタル材、ニッケル、はんだが瞬時に溶融し3種類の
金属元素からなる接続強度の強い合金層9が形成されて
いることがX線分析により明らかとなった。
mmの位置にレーザービームを照射し陽極リードを切断
し、チップ形固体電解コンデンサが形成される。レーザ
ーの条件は、例えばレーザーパルス幅2.5m5ec、
出力5ジユール、単発照射にて切断される。このレーザ
ービームによる切断により、切断部から0.05mm<
らいまではレーザービーム照射の熱エネルギーにより、
タンタル材、ニッケル、はんだが瞬時に溶融し3種類の
金属元素からなる接続強度の強い合金層9が形成されて
いることがX線分析により明らかとなった。
なお、レーザービーム照射時には照射部に窒素ガス等の
不活性ガスが吹きつけられタンタル。
不活性ガスが吹きつけられタンタル。
ニッケル、はんだの酸化を防止する。不活性ガスの吹き
つけがないと切断部に黒色の酸化物が形成され部品実装
時のはんだ漏れが著るしく阻害される。
つけがないと切断部に黒色の酸化物が形成され部品実装
時のはんだ漏れが著るしく阻害される。
第4図(a)にこの様にして作成したチップタンタルコ
ンデンサの陽極切断寸法を変えた時の陽極端子接続信頼
性を評価した結果を示す。なお第4図(b)は切断寸法
の説明図である。比較例とじて特公昭61−31609
で開示されている銀ペースト等の導電体層をめっき触媒
に用いて切断刃により陽極リードを切断して形成された
チップタンタルコンデンサの評価結果を第5図に示す。
ンデンサの陽極切断寸法を変えた時の陽極端子接続信頼
性を評価した結果を示す。なお第4図(b)は切断寸法
の説明図である。比較例とじて特公昭61−31609
で開示されている銀ペースト等の導電体層をめっき触媒
に用いて切断刃により陽極リードを切断して形成された
チップタンタルコンデンサの評価結果を第5図に示す。
温度サイクル試験は、−55℃←125℃、各雰囲気中
に30分間放置する条件で100サイクルまで行い、陽
極リード線と陽極端子層の接続信頼性を評価する尺度と
して誘電体損失の正接(以下tanδと略称)を測定し
た。
に30分間放置する条件で100サイクルまで行い、陽
極リード線と陽極端子層の接続信頼性を評価する尺度と
して誘電体損失の正接(以下tanδと略称)を測定し
た。
本発明の実施例量は陽極リードの切断寸法を0、05
mmまで短かく切断してもtanδの劣化は全くみられ
なかったが、特公昭61−31609で開示されている
方法で製造した従来例のコンデンサは切断寸法が0.5
闘で劣化がみられ、0.2 nonの切断寸法ではn=
50個全数のオープン不良が発生した。また、切断刃の
厚みのため0.2mm未満の切断!はできなかった。不
良品を解析したところ陽極リードと銀ペーストの界面が
剥離していることが判った。従来品は、切断寸法を短か
くすると、陽極リードと陽極端子層界面の接続が陽極リ
ートと銀ペースト層との接続になるが、本発明の実施例
量は陽極リードとパラジウム粒子を介したニッケルめっ
き層との接続になり熱膨張係数がほぼ同じ金属の接合に
なる金属と金属の接続になるタンタル、ニッケル、はん
だからなる接続強度の大きい合金層が得られる等の理由
により熱衝撃によるtanδの劣化は現われない。一方
従来品のめっき触媒である銀ペースト層と陽極リードと
は金属よりはるかに大きい熱膨張係数を持つ銀ペースト
中に含まれるバインダー樹脂により接続が保たれている
ので、熱衝撃により銀ペーストが剥離し、オーブン不良
が発生するものと思われる。
mmまで短かく切断してもtanδの劣化は全くみられ
なかったが、特公昭61−31609で開示されている
方法で製造した従来例のコンデンサは切断寸法が0.5
闘で劣化がみられ、0.2 nonの切断寸法ではn=
50個全数のオープン不良が発生した。また、切断刃の
厚みのため0.2mm未満の切断!はできなかった。不
良品を解析したところ陽極リードと銀ペーストの界面が
剥離していることが判った。従来品は、切断寸法を短か
くすると、陽極リードと陽極端子層界面の接続が陽極リ
ートと銀ペースト層との接続になるが、本発明の実施例
量は陽極リードとパラジウム粒子を介したニッケルめっ
き層との接続になり熱膨張係数がほぼ同じ金属の接合に
なる金属と金属の接続になるタンタル、ニッケル、はん
だからなる接続強度の大きい合金層が得られる等の理由
により熱衝撃によるtanδの劣化は現われない。一方
従来品のめっき触媒である銀ペースト層と陽極リードと
は金属よりはるかに大きい熱膨張係数を持つ銀ペースト
中に含まれるバインダー樹脂により接続が保たれている
ので、熱衝撃により銀ペーストが剥離し、オーブン不良
が発生するものと思われる。
従来品の切断寸法を長くした場合は、第3図かられかる
様に陽極リードと陽極端子層が陽極リードと銀ペースト
層、陽極リードとニッケルめっき層の2つの接続部を有
し、陽極リードとニッケルめっき層との接続信頼性が高
いので熱衝撃試験でtanδの劣化がなかったものと思
われる。
様に陽極リードと陽極端子層が陽極リードと銀ペースト
層、陽極リードとニッケルめっき層の2つの接続部を有
し、陽極リードとニッケルめっき層との接続信頼性が高
いので熱衝撃試験でtanδの劣化がなかったものと思
われる。
以上説明したように本発明は陽極リードをレーザービー
ムの照射にて切断し、切断部に接続強度の大きい合金層
を形成することにより、陽極端子の接続信頼性が向上す
るだけでなく、陽極リードを短かく切断し、陽極端子面
を平坦化できるので部品実装時の実装トラブルを低減で
きるという効果を有する。
ムの照射にて切断し、切断部に接続強度の大きい合金層
を形成することにより、陽極端子の接続信頼性が向上す
るだけでなく、陽極リードを短かく切断し、陽極端子面
を平坦化できるので部品実装時の実装トラブルを低減で
きるという効果を有する。
11・・・・・・陽極端子、12・・・・・・陰極端子
、13・・・・・・外装樹脂層、14a、14b・・・
・・・導電体層、15a。
、13・・・・・・外装樹脂層、14a、14b・・・
・・・導電体層、15a。
15b・・・・・・めっき層、16a、16b・・・・
・・はんだ層、17・・・・・・陰極端子、18・・・
・・・陽極端子。
・・はんだ層、17・・・・・・陰極端子、18・・・
・・・陽極端子。
代理人 弁理士 内 原 晋
第1図は本発明の一実施例の縦断面図、第2図及び第3
図は何れも従来のチップ形固体電解コンデンサの一例の
縦断面図、第4図(a)は本発明の実施例の陽極リード
切断寸法を変えた時の温度サイクル試験でのtanδ変
化を示す図、第4図(b)は切断寸法の説明図、第5図
は従来例の陽極リード切断寸法を変えた時の温度サイク
ル試験でのtanδ変化を示す図である。 1・・・・・・陽極体、2・・・・・・陽極リード、3
・・・・・・酸化皮膜層、4・・・・・・二酸化マンガ
ン層、5・・・・・・陰極金属層、6・・・・・・絶縁
樹脂層、7a、7b・・団・めっき層、8a、8b・・
・・・・はんだ層、9・・団・合金層、刀 図 躬 図
図は何れも従来のチップ形固体電解コンデンサの一例の
縦断面図、第4図(a)は本発明の実施例の陽極リード
切断寸法を変えた時の温度サイクル試験でのtanδ変
化を示す図、第4図(b)は切断寸法の説明図、第5図
は従来例の陽極リード切断寸法を変えた時の温度サイク
ル試験でのtanδ変化を示す図である。 1・・・・・・陽極体、2・・・・・・陽極リード、3
・・・・・・酸化皮膜層、4・・・・・・二酸化マンガ
ン層、5・・・・・・陰極金属層、6・・・・・・絶縁
樹脂層、7a、7b・・団・めっき層、8a、8b・・
・・・・はんだ層、9・・団・合金層、刀 図 躬 図
Claims (2)
- 1.陽極リードを有する弁作用金属からなる陽極体に順
次酸化皮膜層,半導体層,陰極金属層を形成し、陽極リ
ード導出面の対向面の陰極金属層が露出する様に絶縁外
装した後露出した陰極層とその周辺部及び導出する陽極
リードとその周辺部に順次めっき層,はんだ層を形成し
、陽極リードを切断してなるチップ形固体電解コンデン
サにおいて、陽極リード切断部に、陽極リード材とめっ
き層及びはんだ層からなる合金層を有することを特徴と
するチップ形固体電解コンデンサ。 - 2.陽極リード切断部に形成された合金層は陽極リード
のレーザービームによる切断時に形成されたものである
ことを特徴とする請求項1記載のチップ形固体電解コン
デンサ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2208507A JP2596194B2 (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | チップ形固体電解コンデンサ |
EP91113158A EP0470563B1 (en) | 1990-08-07 | 1991-08-05 | Chip-type solid electrolytic capacitors |
DE69128218T DE69128218T2 (de) | 1990-08-07 | 1991-08-05 | Festelektrolytkondensator in Chip-Bauweise |
US07/740,888 US5142452A (en) | 1990-08-07 | 1991-08-06 | Chip-type solid electrolytic capacitors |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2208507A JP2596194B2 (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | チップ形固体電解コンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0499011A true JPH0499011A (ja) | 1992-03-31 |
JP2596194B2 JP2596194B2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=16557305
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2208507A Expired - Fee Related JP2596194B2 (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | チップ形固体電解コンデンサ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5142452A (ja) |
EP (1) | EP0470563B1 (ja) |
JP (1) | JP2596194B2 (ja) |
DE (1) | DE69128218T2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19546393A1 (de) * | 1994-12-12 | 1996-06-13 | Nec Corp | Chipförmiger Festelektrolyt-Kondensator |
JP2007180386A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサ |
JP2014020815A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Hioki Ee Corp | 基板検査装置および基板検査方法 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2541357B2 (ja) * | 1990-10-29 | 1996-10-09 | 日本電気株式会社 | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 |
JP2770636B2 (ja) * | 1992-03-03 | 1998-07-02 | 日本電気株式会社 | チップ型固体電解コンデンサ |
JP3231689B2 (ja) * | 1997-12-04 | 2001-11-26 | 富山日本電気株式会社 | 導電性高分子を用いた固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
EP0974989B1 (de) * | 1998-07-20 | 2005-11-23 | Becromal S.p.A. | Verfahren zum Herstellen einer Elektrode sowie Verwendung dieses Verfahrens zur Herstellung einer Elektrode in einem Elektrolytkondensator oder einer Batterie |
US7001691B1 (en) | 1998-07-20 | 2006-02-21 | Becromal S.P.A. | Electrode and a battery containing the electrode |
US6322912B1 (en) | 1998-09-16 | 2001-11-27 | Cabot Corporation | Electrolytic capacitor anode of valve metal oxide |
US6324051B1 (en) * | 1999-10-29 | 2001-11-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor |
JP2002134360A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
US7085127B2 (en) * | 2004-03-02 | 2006-08-01 | Vishay Sprague, Inc. | Surface mount chip capacitor |
EP1840915A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-03 | Kemet Electronics Corporation | Capacitor element and method for manufacturing the capacitor element |
US20090279233A1 (en) * | 2008-05-12 | 2009-11-12 | Yuri Freeman | High volumetric efficiency anodes for electrolytic capacitors |
US8503165B2 (en) * | 2009-05-21 | 2013-08-06 | Kemet Electronics Corporation | Solid electrolytic capacitors with improved reliability |
US9362056B2 (en) | 2009-05-21 | 2016-06-07 | Kemet Electronics Corporation | Solid electrolytic capacitor with high temperature leakage stability |
US8310816B2 (en) * | 2009-05-21 | 2012-11-13 | Kemet Electronics Corporation | Solid electrolytic capacitors with improved reliability |
WO2014066817A1 (en) * | 2012-10-26 | 2014-05-01 | Kemet Electronics Corporation | Solid electrolytic capacitor with high temperature leakage stability |
WO2014188833A1 (ja) * | 2013-05-19 | 2014-11-27 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP2021192407A (ja) * | 2020-06-05 | 2021-12-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 金属皮膜の製造方法、固体電解コンデンサの製造方法、及び固体電解コンデンサ |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4064611A (en) * | 1977-01-14 | 1977-12-27 | Sprague Electric Company | Method for terminating solid electrolyte capacitors |
JPS6131609A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-14 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | ポペツト弁の冷却装置 |
FR2590719B1 (fr) * | 1985-11-25 | 1995-04-07 | Sprague France | Procede pour la fabrication d'un condensateur au tantale a electrolyte solide sans fil ni ruban de sortie, dispositif adapte a sa mise en oeuvre, et condensateur ainsi obtenu |
JPH0821519B2 (ja) * | 1988-12-15 | 1996-03-04 | 日本電気株式会社 | チップ型固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
-
1990
- 1990-08-07 JP JP2208507A patent/JP2596194B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-08-05 EP EP91113158A patent/EP0470563B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-08-05 DE DE69128218T patent/DE69128218T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-08-06 US US07/740,888 patent/US5142452A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19546393A1 (de) * | 1994-12-12 | 1996-06-13 | Nec Corp | Chipförmiger Festelektrolyt-Kondensator |
US5654869A (en) * | 1994-12-12 | 1997-08-05 | Nec Corporation | Chip-formed solid electrolytic capacitor without an anode lead projecting from anode member |
US5707407A (en) * | 1994-12-12 | 1998-01-13 | Nec Corporation | Method of forming chip-formed solid electrolytic capacitor without an anode lead projecting from anode member |
DE19546393C2 (de) * | 1994-12-12 | 1999-01-14 | Nec Corp | Chipförmiger Festelektrolyt-Kondensator und dessen Herstellungsverfahren |
JP2007180386A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサ |
JP4574544B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2010-11-04 | Necトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサ |
JP2014020815A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Hioki Ee Corp | 基板検査装置および基板検査方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5142452A (en) | 1992-08-25 |
JP2596194B2 (ja) | 1997-04-02 |
EP0470563B1 (en) | 1997-11-19 |
DE69128218D1 (de) | 1998-01-02 |
EP0470563A1 (en) | 1992-02-12 |
DE69128218T2 (de) | 1998-05-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0499011A (ja) | チップ形固体電解コンデンサ | |
US4090288A (en) | Solid electrolyte capacitor with metal loaded resin end caps | |
JP4534184B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
US4093972A (en) | Anode termination means for an electrical device component | |
JP2002134360A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
WO2007052652A1 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
US5254137A (en) | Method of producing chip-type solid-electrolyte capacitor | |
JPH09232196A (ja) | 複合部品 | |
JP3158453B2 (ja) | ヒューズ付きチップ型固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH04216608A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH0397212A (ja) | チップ形固体電解コンデンサ | |
JPH09180964A (ja) | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP2973504B2 (ja) | チップ形固体電解コンデンサ | |
JPH07106204A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2002134361A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP2001196266A (ja) | チップ状電子部品の製造方法 | |
JPH04276613A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP3033647B2 (ja) | ヒューズ入り固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JP2001044077A (ja) | チップ形固体電解コンデンサ | |
JPH01246814A (ja) | チップ状固体電解コンデンサ及びその製造法 | |
JPH01181508A (ja) | チップ形固体電解コンデンサ | |
JPH0457317A (ja) | チップ型固体電解コンデンサ | |
JPH0453218A (ja) | 蒸着フィルムコンデンサ | |
JPH0239414A (ja) | チップ状電子部品 | |
JP2003158045A (ja) | 積層型コンデンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080109 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090109 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090109 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100109 Year of fee payment: 13 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |