JPH048763A - ポリアミド―ポリエーテルスルホン組成物の製造方法 - Google Patents

ポリアミド―ポリエーテルスルホン組成物の製造方法

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JPH048763A
JPH048763A JP11235390A JP11235390A JPH048763A JP H048763 A JPH048763 A JP H048763A JP 11235390 A JP11235390 A JP 11235390A JP 11235390 A JP11235390 A JP 11235390A JP H048763 A JPH048763 A JP H048763A
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polyamide
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polyether sulfone
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reaction
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JP11235390A
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Hideo Hayashi
日出夫 林
Yoshio Imai
淑夫 今井
Masaaki Kakimoto
雅明 柿本
Shoichi Nakada
正一 中田
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Idemitsu Petrochemical Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Petrochemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、ポリアミド−ポリエーテルスルホン組成物の
製造方法に関する。
[従来の技術〕 現在、ハンダ耐熱性を有するフレキシブルプリント基板
のベースフィルムとして、無水ピロメリット酸と4.4
′−ジアミノジフェニルエーテルとから得られたポリイ
ミドや、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と4,4
′−ジアミノジフェニルエーテル又はp−フェニレンジ
アミンとから得られたポリイミドが広く用いられている
が、これらのポリイミドは融点が高いため成形加工性が
悪く、適用し得る成形加工手段も限定されるという欠点
があるだけでなく、高価であり、特殊な用途にしか使用
できないという欠点がある。
そこで前記ポリイミドフィルムに代る高耐熱性フィルム
を得るために、予め合成したポリアミドを有機溶媒(例
えばジメチルアセトアミドなど)に溶解した溶液と、ポ
リエーテルスルホンを有機溶媒(例えばジメチルアセト
アミドなど)に溶解した溶液とを混合、攪拌してポリア
ミド−ポリエーテルスルホン組成物を得、このポリアミ
ド−ポリエーテルスルホン組成物をキャスト成形して高
耐熱性フィルムを得る方法が実用化されている( ff
1lえば“Polymer  Reprints。
Japan″Vo1.38.No、12.4149 (
1989)およびVol、38.No、12゜4152
 (1989)並びに“PolymerJournal
” Vol、22.No、1.80(1990)参照)
。溶液ブレンド法と呼ばれるこの方法によれば、ポリア
ミド−ポリエーテルスルホン組成物のキャスト成形によ
り所望の性質を有する高耐熱性フィルムを得ることがで
き、また得られた高耐熱性フィルムがポリイミドフィル
ムよりも安価であり、汎用性を有するという利点がある
しかしながら例えば対数粘度η1...hが1.6d 
1 / g以上の高分子量のポリアミドのある種のもの
は、ポリアミドを溶解するために最も好ましい溶媒であ
るジメチルアセトアミドを用いても、溶解することがで
きないので、ジメチルアセトアミドに不溶の高分子量の
ポリアミドを上記溶液ブレンド法に用いることができな
い。また比較的に低分子量のポリアミドは、ジメチルア
セトアミドに可溶であるが、このような低分子量のポリ
アミドは市販されていないため1、芳香族ジカルボン酸
誘導体と芳香族ジアミンとから別途製造する必要がある
。このため重合容器、ろ過器、乾燥器、溶媒回収装置等
が必要となり、さらに得られたポリアミドをジメチルア
セトアミドに溶解する必要があるので、製造工程が複雑
になり、製造時間も長くなり、製造コストも高くなる。
[発明の目的コ 従って本発明の目的は、上記従来技術、特にポリアミド
溶液とポリエーテルスルホン溶液とを用いる溶液ブレン
ド法の欠点を解消し、ポリアミド−ポリエーテルスルホ
ン組成物を簡単な製造操作で短時間に安価に製造するこ
とができる方法を提供することにある。
[目的を達成するための手段] 本発明の目的は、下記のポリアミド−ポリエーテルスル
ホ2組成物の製造方法(I)および(II)によって達
成された。
方法(1) ポリエーテルスルホンの有機系極性溶媒溶液中で、芳香
族ジカルボン酸ジハライドと芳香族ジアミン又はその誘
導体との重縮合反応を行うことを特徴とするポリアミド
−ポリエーテルスルホン組成物の製造方法。
方法(n) 有機系極性溶媒中で、芳香族ジカルボン酸ジハライドと
芳香族ジアミン又はその誘導体との重縮合反応を行ない
、重縮合反応が完結する前にポリエーテルスルホンを添
加し、混合することを特徴とするポリアミド−ポリエー
テルスルホン組成物の製造方法。
先ずポリアミド−ポリエーテルスルホン組成物の製造方
法(1)について説明する。
この方法(I)において用いられるポリエーテルスルホ
ンは、その繰り返し単位にエーテル結合とスルホン基を
有する重合体であり、その代表例として以下のものが挙
げられる。
ICI社製 ヴイクトレックス(Victrex) アモコ社製ニーデル(Udel) アモコ社製し−デル(Radel) 特に好ましいポリエーテルスルホンは上記(イ)の構造
を有するものである。
ポリエーテルスルホンの分子量は、対数粘度ηInhが
0.1〜2.0d1/g (測定条件:溶媒・・・N−
メチル−2−ピロリドン、濃度・・・0.5g/di、
温度・・・30°C)の範囲となる分子量範囲が好まし
い。その理由はηinhが0.ld1/g未満であると
、得られるポリアミド−ポリエーテルスルホン組成物に
おいてポリアミドとポリエーテルスルホンが相分離する
可能性があり、一方η1..hが2.0d1/gを超え
ると、得られるポリアミド−ポリエーテルスルホン組成
物を成形して得られた成形物を熱処理した場合、ポリア
ミドが結晶化しにくくなり、耐熱性のある成形品が得ら
れない可能性があるからである。特に好ましいη1fl
hは0.3〜0.6dfl/gである。ポリエーテルス
ルホンは1種又は2種以上用いられる。
この方法(I)においては、上記のポリエーテルスルホ
ンを有機系極性溶媒に溶解する。有機系極性溶媒を用い
る理由は、この溶媒がポリエーテルスルホンを溶解する
たけでなく、ポリアミドをも溶解するからである。好ま
しい有機系極性溶媒としては、N、N−ジメチルアセト
アミド(DMAc) 、N−メチル−2−ピロリドン、
N。
N′−ジメチルイミダゾリジノン、ヘキサメチルホスホ
ルトリアミドなどが挙げられ、これらは単独でまたは混
合して用いられる。
ポリエーテルスルホンを有機系極性溶媒に溶解するに際
し、温度は特に制限がないが、−30℃〜165℃であ
るのが好ましい。その理由は、−30℃未満であると、
ポリエーテルスルホンが析出したりあるいは溶液が凍結
する可能性があり、一方165°Cを超えると、ポリエ
ーテルスルホンが溶媒により劣化又は分解する可能性が
あるからである。特に好ましい温度は室温である。
また溶解時間も特に制限がないが、数分〜24時間であ
るのが好ましい。その理由は数分未満であるとポリエー
テルスルホンの溶解が不十分となり、一方24時間を超
えるとポリエーテルスルホンが劣化または分解して着色
する可能性があるからである。特に好ましい溶解時間は
数分〜2時間である。
有機系極性溶媒中のポリエーテルスルホンの濃度(%)
は、式 %式% により計算したときに、その値が0.1〜50%となる
範囲が好ましい。その理由は、0.1%未満では、ポリ
エーテルスルホン溶解後に重縮合反応によりポリアミド
を製造する際のモノマー濃度が低くなり、生成するポリ
アミドの分子量が著しく低くなる可能性があり、一方5
0%を超えると、ポリエーテルスルホンが完全には溶解
しないからである。特に好ましい濃度は3〜20%であ
る。
方法(I)においては、上記の如くポリエーテルスルホ
ンを有機系極性溶媒中に溶解して得られたポリエーテル
スルホンの有機系極性溶媒溶液中で、芳香族ジカルボン
酸ジハライドと芳香族ジアミン又はその誘導体との重縮
合反応を行う。この重縮合反応に用いる芳香族ジカルボ
ン酸ジハライドとして、テレフタル酸ジクロリド、イソ
フタル酸ジクロリド、3−クロロイソフタル酸ジクロリ
ド、3−メトキシイソフタル酸ジクロリド、2゜5−ジ
クロロテレフタル酸ジクロリド、トリクロロテレフタル
酸ジクロリド、テトラクロロテレフタル酸ジクロリド、
1.4−ナフタレンジカルボン酸ジクロリド、2,6−
ナフタレンジカルボン酸ジクロリド、3.3’ −ビフ
ェニルジカルボン酸ジクロリド、4,4′ −ビフェニ
ルジカルボン酸ジクロリド、ビス(4−クロロホルミル
フェニル)エーテル、ビス(4−クロロホルミルフェニ
ル)スルホン、ビス(4−クロロホルミルフェニル)エ
チレンなどを挙げることができる。これらは単独または
混合して用いられる。好ましくは、テレフタル酸ジクロ
リド、イソフタル酸ジクロリドである。
また芳香族ジアミンとしては、p−フェニレンジアミン
、m−フェニレンジアミン、4.4’ジアミノビフエニ
ル、3.4′ −ジアミノビフェニル、3.3′−ジア
ミノビフェニル、4,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、3.4’ −ジアミノジフェニルエーテル、3.3
’ −ジアミノジフェニルエーテル、4,4′−ジアミ
ノジフェニルスルホン、3.4’ −ジアミノジフェニ
ルスルホン、3,3′ −ジアミノジフェニルスルホン
、4.4′−ジアミノジフェニルケトン、3,4′−ジ
アミノジフェニルケトン、3,3′ −ジアミノジフェ
ニルケトン、4,4′ −ジアミノジフェニルメタン、
3.4′ −ジアミノジフェニルメタン、3,3′−ジ
アミノジフェニルメタン、4゜4′−ジアミノジフェニ
ルスルフィド、3,4′−ジアミノジフェニルスルフィ
ド、3,3′ −ジアミノジフェニルスルフィド、2,
4−ジアミノトルエン、2,4−ジアミノクロロベンゼ
ン、4゜4′−ジアミノベンズアニリド、3.4′ −
ジアミノベンズアニリド、3′、4−ジアミノベンズア
ニリド、3.3′ −ジアミノベンズアニリド、4.4
′−ジアミノフェニルベンゾエート、3′4−ジアミノ
フェニルベンゾエートなどが挙げられ、これらは単独又
は混合して用いても良い。好ましくは、p−フ二二レン
ジアミン、m−フ二二レンジアミン、4.4′−ジアミ
ノジフェニルエーテル、3.4’ −ジアミノジフェニ
ルエーテルが用いられ、特に好ましくは、4,4′−ジ
アミノジフェニルエーテルが用いられる。
また芳香族ジアミン誘導体としては、前記の芳香族ジア
ミンの2個のアミノ基をそれぞれトリアルキルシリル化
して得られる、式 %式% (式中、Arは芳香族環を含む基であり、Rはメチル基
、エチル基などのアルキル基である)で示される、芳香
族ジアミンのN−1リアルキルシリル化誘導体が好まし
く用いられ、その具体例としては、p−フ二二レンジア
ミン、m−フ二二レンジアミン、4.4′−ジアミノジ
フェニルエーテル、3,4′ −ジアミノジフェニルエ
ーテルのN−1リメチルシリル化誘導体が挙げられる。
特に好ましいものは4.4′−ジアミノジフェニルエー
テルのN−トリメチルシリル化誘導体である。
なお、ジアミン成分として芳香族ジアミンを用いる場合
、芳香族ジカルボン酸ジノ1ライドとの重縮合反応にお
いて副生ずるハロゲン化水素酸(HX)を受容(捕捉)
するために酸受容剤を用いるのが好ましく、このような
酸受容剤としては、エチレンオキシド、プロピレンオキ
シド、ブチレンオキシドなどのエポキシ化合物の1種ま
たは2種以上が用いられる。このエポキシ化合物はノ1
0ゲン化水素酸(HX)を受容することによりクロルヒ
ドリンになるが、このクロルヒドリンは低沸点であるた
め、簡単な減圧操作で除去でき、重合体中に残存するこ
とがない。
ジアミン成分として、芳香族ジアミンのN−トリアルキ
ルシリル化誘導体を用いる場合、重縮合反応によりトリ
アルキルシリルハライド(R3S L X)が生じ、ハ
ロゲン化水素酸(HX)は副生じないので、上記の酸受
容剤を用いる必要はない。上記トリアルキルシリルハラ
イドも低沸点であるため簡単な減圧操作で除去でき、重
合体中に残存することがない。
次に芳香族ジカルボン酸ハライドと芳香族ジアミン又は
その誘導体との重縮合反応の条件について述べる。
芳香族ジカルボン酸ジハライド[1コと芳香族ジアミン
[2a]又は芳香族ジアミン誘導体[2b]とのモル比
([1] / [2a]又は[2b])は110.9〜
1/1.1の範囲とするのが好ましい。その理由はこの
範囲以外であると、生成するポリアミドの分子量が低く
なるからである。特に好ましいモル比は110.98〜
1/1.02である。
芳香族ジカルボン酸ジハライドと芳香族ジアミン又は芳
香族ジアミン誘導体との仕込み量は、下式を満たすよう
に定められる。
WPA/ WPES = 1 / 99〜99/1(こ
こにW、Aは、芳香族ジカルボン酸ハライドと芳香族ジ
アミン又は芳香族ジアミン誘導体から100%の収率で
生成するポリアミドの重量(g)を示し、W、E5は仕
込まれたポリエーテルスルホンの重量(g)を示す) その理由は、WP A / W p = sが上記範囲
外となると、重縮合反応後に得られるポリアミド−ポリ
エーテルスルホン組成物を成形して得られた成形物を熱
処理しても好ましい耐熱性を示さないからである。特に
好ましいWPA/WPESは80/20〜50150で
ある。
またジアミン成分として、芳香族ジアミン[2a]を用
いた場合、酸受容体[3コの仕込み量は、 [3コ/[
2a]のモル比が2/1〜20/lとなる量が好ましい
。その理由は、モル比が2/1未満であると重縮合反応
により副生ずるハロゲン化水素酸(HX’)が重合体に
残存することがあり、これが重合体の性質に悪影響を及
ぼす可能性があり、一方20/1を超えると、酸受容剤
の量が多くなり、これが重合体の貧溶媒として作用し、
均一に重縮合反応が進行しない可能性があるからである
。特に好ましいモル比は10/1またはその近傍である
重縮合温度は、ジアミン成分として芳香族ジアミンを用
い、酸受容剤を用いる場合と、ジアミン成分として芳香
族ジアミン誘導体を用いる場合とて異なる。すなわち、
前者の場合は、−30〜30℃の温度範囲で重縮合反応
を行うのが好ましい。その理由は、−30℃未満である
と、重合体が析出したりあるいは溶媒が凍結する可能性
かあり、一方、30℃を超えると、低沸点の酸受容剤が
蒸発する可能性があるからである。特に好ましくは、−
10〜20°Cである。後者の場合は、30〜165℃
の温度範囲で重縮合反応を行うのか好ましい。その理由
は、−30℃未満であると、重合体が析出したりあるい
は溶媒が凍結する可能性があり、一方、165℃を超え
ると、重合体が溶媒により劣化あるいは分解される可能
性があるからである。特に好ましくは、−10〜50℃
である。
重縮合反応は、窒素雰囲気などの不活性ガス雰囲気にし
て常圧又は加圧下に行うのが好ましく、特に常圧で行う
のが好ましい。ジアミン成分として芳香族ジアミンを用
い、酸受容剤を用いる場合には、減圧にすると低沸点の
酸受容剤が揮散する可能性があるので、減圧下に重縮合
反応を行うことは避けるべきであるが、ジアミン成分と
して芳香族ジアミン誘導体を用い、酸受容体を用いない
場合は、減圧下に重縮合反応を行うこともできる。
この減圧下の重縮合反応における真空度は0.01mm
Hg以上とするのが好ましい。その理由は0.01mm
Hg未満の真空にするのは、実際上困難であるからであ
る。
重縮合時間は数分〜100時間以内とするのが好ましい
。その理由は通常100時間以内で重合は完結するから
である。特に好ましい重合時間は数分〜24時間である
次に方法(1)における重縮合反応操作法の一例ついて
述べる。
先ず、ポリエーテルスルホンの有機系極性溶媒溶液に芳
香族ジアミン又はその誘導体を添加し、室温で溶解する
。次に、得られた溶液を一10℃に冷却する。ジアミン
成分として芳香族ジアミンを用いた場合は酸受容剤を添
加する。次に芳香族ジカルホン酸ジハライドを添加し、
上述の重縮合条件て重縮合反応を行う。反応終了後、反
応溶液をそのままキャスト成形してポリアミド−ポリエ
ーテルスルホン組成物からなるフィルムなどを成形する
ことができる。また反応終了後、反応溶液を大過剰のメ
タノール中に注ぎ、生成重合体を沈殿させ、沈殿物を濾
取、乾燥して粉末を得ることもてきる。この粉末のIR
スペクトルにより、アミド基の存在が認められることか
ら、ポリアミドの生成が確認される。またIRスペクト
ルによればスルホン基の存在も認められるので、この粉
末はポリアミド−ポリエーテルスルホン組成物であるこ
とが明らかである。粉末状のポリアミド−ポリエーテル
スルホン組成物の収率はほぼ100%である。
上述したように、この方法(I)によれば、ポリエーテ
ルスルホンの有機系極性溶媒溶液中で、芳香族ジカルボ
ン酸ジハライドと芳香族ジアミン又はその誘導体との重
縮合反応を行い、ポリアミドをその場で生成させるので
、予めポリアミドを製造する必要がない。従って予めポ
リアミドを製造する場合に必要な、反応後の濾過、乾燥
などの工程を行う必要がないので、操作が極めて簡便で
あるという利点がある。また操作が極めて簡便であるこ
とから、得られるポリアミド−ポリエーテルスルホン組
成物の収率が極めて高いという利点もある。
また、ここで得られるポリアミド−ポリエーテルスルホ
ン組成物中のポリアミド成分は、その分子量が対数粘度
η1oゎにおいて1.6dj2/gを超えるものも生成
し得るので、従来の溶液ブレンド法では得られなかった
高分子量ポリアミド成分を含むポリアミド−ポリエーテ
ルスルホン組成物を得ることができる。
次に方法(II)について説明する。この方法(II)
は、有機系極性溶媒中で、芳香族ジカルボン酸ジハライ
ドと芳香族ジアミン又はその誘導体との重縮合反応を行
い、重縮合反応が完結する前にポリエーテルスルホンを
添加し、混合することを特徴とするものであり、用いら
れる芳香族ジカルボン酸ジハライド、芳香族ジアミン又
はその誘導体、有機系極性溶媒およびポリエーテルスル
ホンは、方法(I)で用いられたものがそのまま使用さ
れるので、これらの説明は省略する。またジアミン成分
として芳香族ジアミンを用いる場合に、酸受容剤を用い
るのが好ましいことも方法(I)の場合と同様である。
方法(II)における重縮合反応の条件も基本的に方法
(I)の場合と同様であるので、下記の相違点(イ)お
よび(ロ)のみについて説明する。
(イ)方法(II)においては芳香族ジカルボン酸ジハ
ライドと芳香族ジアミン又はその誘導体とを有機系極性
溶媒中に添加して混合するが、有機系極性溶媒中の芳香
族ジカルボン酸ハライドと芳香族ジアミン又はその誘導
体の濃度(%)は、式 %式% (ここにW、Aは、芳香族ジカルボン酸ハライドと芳香
族ジアミン又はその誘導体から100%の収率て生成す
るポリアミドの重量(g)を示し、■、。LVは溶媒の
容量(!R1)を示す)により計算したときに、その値
が0.1〜50%となる範囲が好ましい。その理由は、
0.1%未満てはモノマー濃度が低くなり、生成するポ
リアミドの分子量が低くなる可能性があり、一方50%
を超えると重縮合反応中に重合体が沈殿する可能性があ
るからである。特に好ましい範囲は3〜15%である。
(ロ)重合操作法の一例について述べると以下の通りで
ある。すなわち、先ず芳香族ジアミン又はその誘導体を
室温で有機系極性溶媒中に溶解する。次に、溶液を一1
0℃に冷却する。ジアミン成分として芳香族ジカルボン
酸を用いた場合には、酸受容剤を添加す、る。その後、
芳香族ジカルボン酸ジハライドを添加して、上述の条件
下に重縮合反応を行う。
この方法(II)においては、前記の如く、先ず芳香族
ジカルボン酸ジハライドと芳香族ジアミン又はその誘導
体との重縮合反応を行うが、重縮合反応が完結する前に
ポリエーテルスルホンを添加し、混合する。ポリエーテ
ルスルホンはそのまま又は有機系極性溶媒に溶解して添
加される。ポリエーテルスルホンの添加量は、式 %式% (ここにWPAは、芳香族ジカルボン酸ジハライドと芳
香族ジアミン又はその誘導体から100%の収率で生成
するポリアミドの重量(g)を示し、WPEsは、仕込
まれるポリエーテルスルホンの重量(g)を示す) により計算したときに、その値が1/99〜99/1と
なるような範囲が好ましい。その理由は、上記の範囲以
外であると、得られるポリアミド−ポリエーテルスルホ
ン組成物を成形して得られる成形物を熱処理しても好ま
しい耐熱性を示さないからである。特に好ましい範囲は
80/20〜50150である。
ポリエーテルスルホンを添加後に得られる反応溶液をそ
のままキャスト成形してポリアミドーポリエーテルスル
ホン組成物からなるフィルム等を成形することができる
。また反応溶液を大過剰のメタノール中に注ぎ、生成重
合体を沈殿させ、沈殿物を濾取、乾燥して粉末を得るこ
ともできる。
この粉末のIRスペクトルにより、アミド基の存在が認
められることから、ポリアミドの生成が確認される。ま
たIRスペクトルによればスルホン基の存在も認められ
るので、この粉末はポリアミド−ポリエーテルスルホン
組成物であることが明らかである。粉末状のポリアミド
−ポリエーテルスルホン組成物の収率はほぼ100%で
ある。
上述したように、この方法(II)によれば、有機系極
性溶媒溶液中で、芳香族ジカルボン酸ジハライドと芳香
族ジアミン又はその誘導体との重縮合反応を行い、その
後ポリエーテルスルホンを添加するので、予めポリアミ
ドを製造する必要がない。従って予めポリアミドを製造
する場合に必要な、濾過、乾燥などの工程を行う必要が
ないので、操作が極めて簡便であるという利点がある。
また操作が極めて簡便であることから、得られるポリア
ミド−ポリエーテルスルホン組成物の収率が極めて高い
という利点もある。
さらに、この場合にも対数粘度η、。、において1.6
dl/gを超える高分子量のポリアミドが生成するので
、機械的性質にすぐれたポリアミドポリエーテルスルホ
ン組成物を得ることができるという利点がある。
[実施例] 以下実施例により本発明をさらに説明するが、本発明は
これらの実施例に限定されるものでない。
実施例1(本発明の方法(1)) 窒素ガス雰囲気下で0.7074gのポリエーテルスル
ホン(ICI社製ヴイクトレックス、η+oh =0.
 52dj!/g)を10威のN、 N−ジメチルアセ
トアミド(DMAc)に溶解させた。
完全溶解後、1.723g (5mmoi)のN。
N′−ビス(トリメチルシリル)−p、p’ −ジアミ
ノジフェニルエーテルを加えて、溶解させた。
溶解後、溶液を20℃に保ち、続いてイソフタル酸クロ
リド1.015g (5mmolを固形のまま一度に加
え、20℃で20分間攪拌して重縮合反応を行った。反
応後、重合液を、DMAcを加えて希釈した後、500
成のメタノールに注ぎ、白色の組成物を沈殿させた。濾
別後、この組成物をメタノール中で還流下に約1時間処
理し、80℃で1昼夜減圧乾燥した。得られた組成物の
収量は2. 36g (収率99%)であった。
また、ここで得られた組成物中のポリアミドの対数粘度
ηlnhは、得られた組成物の対数粘度(測定条件:溶
媒・・・N−メチル−2−ピロリドン、濃度・・・0.
5g/dj2、温度・・・30℃)と原料のポリエーテ
ルスルホンの対数粘度(測定条件は、組成物の対数粘度
を測定する場合と同じである。)から補外して求とめた
ところ、1.2di/gであった。
得られた組成物のIRスペクトルを第1図に示す。IR
スペクトルより1650cm−1にアミドのC=0伸縮
振動が認められ、ポリアミドが生成していることが明ら
かである。また1160cm−1に対称SO2伸縮振動
が認められ、ポリエーテルスルホンが含まれていること
も明らかである。元素分析結果を以下に示す。
CHNS 計算値(%)  70,25 4,09 6.52 3
.20実測値(%)  68.82 4.09 5.9
4 4.311Rスペクトル及び元素分析結果から、得
られたポリアミド−ポリエーテルスルホン組成物は下記
構造を有することが確認された。
ポリアミド(P A) ポリエーテルスルホン(PES) PA/PE5=70/30  (wt/wt)実施例2
(本発明の方法(I)) 窒素ガス雰囲気下で0.7074gのポリエーテルスル
ホン(ICI社製ヴイクトレックス、η+、、h = 
0. 52 d fl/ g)を10厩のN、N−ジメ
チルアセトアミド(DMA c )に溶解させた。完全
溶解後、1.723g (5mmoi)のN、N’−ビ
ス(トリメチルシリル)−p、p−ジアミノジフェニル
エーテルを加えて、溶解させた。溶解後、溶液を塩−氷
浴で冷却して一10℃にした後、続いて、イソフタル酸
クロリド1.025g (5,05mmoj2)を固形
のまま一度に加え、−10℃で3時間攪拌して重縮合反
応を行った。反応後、重合液を、DMAcを加えて希釈
した後、500厩のメタノールに注ぎ、白色の組成物を
沈殿させた。濾別後、組成物をメタノール中で還流下に
約1時間処理し、80℃で1昼夜減圧乾燥した。得られ
た組成物の収量は、2、 36g (収率99%)であ
り、この組成物中のポリアミドのη1..hは1.4d
1/gであった。
IRスペクトル分析結果および次の元素分析結果より、
この組成物は実施例1と同じ化学構造および組成を有す
るものであると認められた。
CHNS 計算値(%)  70,25 4.09 6.52 3
.20実測値(%)  67.82 4,27 5,8
4 4.20実施例3(本発明の方法(■)) 窒素ガス雰囲気下で0.7074gのポリエーテルスル
ホン(ICI社製ヴイクトレックス、η+nh =0.
 52 d 1/ g)を10戒のN、N−ジメチルア
セトアミド(DMA c )に溶解させた。完全溶解後
、1.7230g (5mmoA)のN、N’−ビス(
トリメチルシリル) −pp′−ジアミノジフェニルエ
ーテルを加えて、溶解させた。溶解後、溶液を塩−氷浴
で一10℃に冷却し、続いて、イソフタル酸クロリド1
.0350g (5,1mmoj2)を固形のまま一度
に加え、−10℃で3時間攪拌して重縮合反応を行った
。反応後、重合液を、DMAcを加えて希釈した後、5
00彪のメタノールに注ぎ、白色の組成物を沈殿させた
。濾別後、組成物をメタノール中で還流下に約1時間処
理し、80℃で1昼夜減圧乾燥した。得られた組成物の
収量は、2. 36g(収率99%)であり、この組成
物中のポリアミドのηinhは2.3di/gであった
IRスペクトル分析結果および次の元素分析結果より、
この組成物は実施例1と同じ化学構造および組成を有す
るものであると認められた。
CHNS 計算値(%)  70.25 4.09  B、52 
3.20実測値(%)  68.32 3.98 5,
85 4.00実施例4(本発明の方法(I)) 窒素ガス雰囲気下で0.7074gのポリエーテルスル
ホン(IC1社製ヴイクトレツクス、ηInh =0.
52dl/g)を10厩のN、N−ジメチルアセトアミ
ド(DMAc)に溶解させた。完全溶解後、1.001
2g (5mmojりの4,4′−ジアミノジフェニル
エーテルを加えて、溶解させた。溶解後、溶液を塩−氷
浴で一10°Cに冷却し、続いて、3.5戒(50mm
ojりのプロピレンオキシドを加え、直ちにイソフタル
酸クロリド1.0151g (5mmou)を固形のま
ま一度に加えた。−10°Cで1時間攪拌し、続いて室
温で2時間攪拌して重縮合反応を行った。反応後、重合
液を、DMAcを加えて希釈し、500厩のメタノール
に注ぎ、白色の組成物を沈殿させた。濾別後、組成物を
メタノール中で還流下に約1時間処理し、80°Cて1
昼夜減圧乾燥した。得られた組成物の収量は2、 37
g (収率100%)であり、この組成物中のポリアミ
ドのηinhは1.8dj2/gてあった。得られた組
成物のIRスペクトルを第2図に示す。
第2図に示したIRスペクトルの分析結果および次の元
素分析結果より、この組成物は実施例1と同じ化学構造
および組成を有するものであると認められた。
CHNS 計算値(%)  70,25 4.09 6.52 3
.20実測値(%)  68.61 3.93 5.8
3 4.09実施例5(本発明の方法(1)) 窒素ガス雰囲気下で1.1000gのポリエーテルスル
ホン(ICI社製つ゛イクトレックス、ηlnh =0
. 52dj2/g)を10厩のN、  Nジメチルア
セトアミド(DMAc)に溶解させた。完全溶解後、1
.7235g (5mmo1)のN、N’−ビス(トリ
メチルシリル)−p。
p −ジアミノジフェニルエーテルを加えて、溶解させ
た。溶解後、溶液を塩−氷浴で一10℃まで冷却し、続
いて、イソフタル酸クロリド1.0150g (5mm
oj2)を固形のまま一度に加え、−10℃で3時間攪
拌して重縮合反応を行った。反応後、重合液を、DMA
cを加えて希釈した後、500戒のメタノールに注ぎ、
白色の組成物を沈殿させた。濾別後、組成物をメタノー
ル中で還流下に約1時間処理し、80℃で1昼夜減圧乾
燥した。得られた組成物の収量は2.74g(収率99
%)であり、この組成物中のポリアミドのη1..hは
1.3di/gであった。IRスペクトルを第3図に示
す。
第3図に示したIRスペクトルの分析結果および次の元
素分析結果より、この組成物は実施例1と同じ化学構造
を有し、PA/PES組成比が60/40 (w t 
7w t )であるものと認められた。
CHNS 計算値(%)  69.32 4.02 5.77 4
.41実測値(%)  67.59 4.05 5.0
2 4.92実施例6(本発明の方法(1)) 窒素ガス雰囲気下で1.1000gのポリニー7/l/
スルホン(ICI社製ヴイクトレックス、η1..h士
0.52dj2/g)を10厩のN、  Nジメチルア
セトアミド(DMA c )に溶解させた。完全溶解後
、1.0012g (5mmo1)の4,4′−ジアミ
ノジフェニルエーテルを加えて、溶解させた。溶解後、
溶液を塩−氷浴で一10℃に冷却し、続いて、3.5厩
(5mmo1)のプロピレンオキシドを加え、直ちにイ
ソフタル酸クロリド1.0150g (5mmo1)を
固形のまま一度に加えた。−10°Cで1時間攪拌し、
続いて、室温で14時間攪拌して重縮合反応を行った。
反応後、重合液を、DMAcを加えて希釈した後、50
0瀬のメタノールに注ぎ、白色の組成物を沈殿させた。
濾別後、組成物をメタノール中で還流下に約1時間処理
し、80°Cで1昼夜減圧乾燥した。得られた組成物の
収量は2. 74g (収率99%)であり、この組成
物中のポリアミドのηlnhは1.6dj!/gであっ
た。IRスペクトルを第4図に示す。
第4図に示したIRスペクトルの分析結果および次の元
素分析結果より、この組成物は実施例1と同じ化学構造
を有し、PA/PES組成比が60/40 (wt/w
t)であるものと認められた。
CHNS 計算値(%)  69,32 4.02 5.77 4
.41実測値(%)  67.26 3.90 5.O
L  5.35実施例7(本発明の方法(■)) 窒素ガス雰囲気下で1.0012g (5mmo1)の
4,4′−ジアミノジフェニルエーテルを10dのN、
  N−ジメチルアセトアミド(DMAc)に溶解させ
た。完全溶解後、溶液を塩−氷浴で一10℃に冷却し、
3.5戴(50mmo、j)のプロピレンオキシドを加
え、直ちにイソフタル酸クロリド1.0150g (5
mmoIl)を固形のまま一度に加えた。−10°Cて
1時間攪拌し、続いて、室温で2時間攪拌して重縮合反
応を行った。
反応溶液に、ポリエーテルスルホン(IC1社製ヴイク
トレックス、η+oh = 0. 52 d 1/ g
)0.7074gを加え、フラスコ内壁に付着している
ポリエーテルスルホンをDMAc67でリンスした。室
温で24時間攪拌下に反応を行った。
その後、重合液を、DMAcを加えて希釈し5゜O厩の
メタノールに注ぎ、白色の組成物を沈殿させた。濾別後
、組成物をメタノール中で還流下に約1時間処理し、8
0℃で1昼夜減圧乾燥した。
得られた組成物の収量は2. 36g (収率99%)
であり、この組成物中のポリアミドのηInhは2.1
d1/gであった。IRスペクトルを第5図に示す。
IRスペクトルより1650cm−1にアミドのC=0
伸縮振動が認められ、ポリアミドが生成していることが
明らかである。また1160cm”に対称SO2伸縮振
動が認められ、ポリエーテルスルホンが含まれているこ
とが明らかである。元素分析結果を以下に示す。
CHNS 計算値(%)  70.25 4.09  B、52 
3.20実測値(%)  68.24 3.94 5.
86 3.98IRスペクトル及び元素分析結果より、
得られたポリアミド−ポリエーテルスルホン組成物は下
記構造を有することが確認された。
ポリアミド(PA) ポリエーテルスルホン(PES) PA/PE5=70/30  (wt/wt)実施例8
(本発明の方法(■)) 窒素ガス雰囲気下で1.7230g (5mmoi)の
N、N’−ビス(トリメチルシリル)−p、  p  
−ジアミノジフェニルエーテルを10厩のN、 N−ジ
メチルアセトアミド(DMAc)に加えて、溶解させた
。溶解後、溶液を20℃に保ち、続いて、イソフタル酸
クロリド1.0150g (5mmo1)を固形のまま
一度に加えた。
20℃で30分間攪拌して重縮合反応を行った。
この反応溶液に、ポリエーテルスルホン(IC1社製ヴ
イクトレックス、η+−h =0.52di/g)0.
7074gを加え、フラスコ内壁に付着したポリエーテ
ルスルホンをジメチルアセトアミド6厩でリンスした。
室温で24時間攪拌下に反応を行った。反応後、重合液
を、DMAcを加えて希釈し500dのメタノールに注
ぎ、白色の組成物を沈殿させた。濾別後、組成物をメタ
ノール中で還流下に約1時間処理し、80℃で1昼夜減
圧乾燥した。得られた組成物の収量は2.36g(収率
99%)であり、この組成物中のポリアミドのη1..
hは1.8dA/gであった。
得られた組成物のIRスペクトルを第6図に示す。
このIRスペクトル分析結果および次の元素分析結果よ
り、この組成物は実施例7と同じ化学構造および組成を
有するものであると認められた。
HNS 計算値(%)  70.25 4.09  B、52 
3.20実測値(%)  68.24 3.91  B
、01 4.08比較例1(従来の溶液ブレンド法) Polymer  Journal、Vol。
22、No、1.80 (1990)に記載された、従
来の溶液ブレンド法により、ポリアミド−ポリエーテル
スルホン組成物を製造した。
(1)ポリアミドの製造 窒素ガス雰囲気下で1.0012g (5mmoi)の
4,4′−ジアミノジフェニルエーテルを10戒のN、
  N−ジメチルアセトアミド(DMAc)に溶解させ
た。溶解後、溶液を塩−水浴で一10°Cに冷却し、イ
ソフタル酸クロリド1.0150g (5mmo1)を
固形のまま一度に加えた。−10℃で1時間攪拌し、続
いて、室温で2時間攪拌して重縮合反応を行った。反応
後、重合液を、DMAcを加えて希釈し500艷のメタ
ノールに注ぎ、白色のポリアミドを沈殿させた。濾別後
、ポリアミドをメタノール中で還流下に約1時間処理し
、80°Cで1昼夜減圧乾燥した。得られたポリアミド
の収量は1.65g (収率100%)、ηlnhは1
.4dj2/gであった。
(2)溶液ブレンド 上記(1)で得られたポリアミド045gをDMAc3
.3dに溶解した溶液とポリエーテルスルホン(ICI
社製ヴイクトレックス、ηlnh =0.52di/g
)0.15gをDMAcl、Otdに溶解した溶液とを
混合し、24時間攪拌した。この溶液を30dのメタノ
ールに注ぎ、白色のブレンド物を沈殿させた。
濾別後、ブレンド物をメタノール中で還流下に約1時間
処理し、80℃で1昼夜減圧乾燥した。
得られたブレンド物の収量は0. 65g (収率10
0%)であった。
以上実施例1〜8および比較例1より明らかなように、
実施例1〜8ては、重縮合反応を行ってポリアミドを製
造しつつポリアミド−ポリエーテルスルホン組成物を得
るので、重縮合反応を行ってポリアミドを製造した後に
ポリアミド−ポリエーテルスルホン組成物を得る比較例
1に比べ、目的物を得るために要する時間を約1/2〜
3/4に減少させることができた。
[発明の効果コ 以上のように、本発明によれば、ポリアミド−ポリエー
テルスルホン組成物を簡単な製造操作で短時間で安価に
製造することができる方法が提供された。
また、本発明によれば、従来の溶液ブレンド法では得ら
れなかった対数粘度η1oて1. 6d1/gを超える
高分子量ポリアミドを含む機械的性質のすぐれたポリア
ミド−ポリエーテルスルホン組成物を製造することので
きる方法が提供された。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図、第3図、第4図、第5図及び第6図は
、本発明の実施例で得られたポリアミド−ポリエーテル
スルホン組成物のIRスペクトル図である。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ポリエーテルスルホンの有機系極性溶媒溶液中で
    、芳香族ジカルボン酸ジハライドと芳香族ジアミン又は
    その誘導体との重縮合反応を行うことを特徴とするポリ
    アミド−ポリエーテルスルホン組成物の製造方法。
  2. (2)有機系極性溶媒中で、芳香族ジカルボン酸ジハラ
    イドと芳香族ジアミン又はその誘導体との重縮合反応を
    行い、重縮合反応が完結する前にポリエーテルスルホン
    を添加し、混合することを特徴とするポリアミド−ポリ
    エーテルスルホン組成物の製造方法。
  3. (3)前記重縮合反応において、芳香族ジアミンを用い
    た場合に酸受容剤として、エポキシ化合物を用いる、請
    求項(1)又は(2)に記載の方法。
  4. (4)ポリアミド/ポリエーテルスルホンの重量比率が
    80/20〜50/50である請求項(1)又は(2)
    に記載の方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0641432A (ja) * 1992-07-24 1994-02-15 Ube Ind Ltd 熱可塑性樹脂組成物
US6358619B1 (en) * 1997-10-22 2002-03-19 Toray Industries, Inc. Aromatic polyamide film and magnetic recording medium using it
KR100349851B1 (ko) * 1999-12-06 2002-08-22 현대자동차주식회사 배기가스 저감을 위한 인젝터
US8484898B2 (en) 2007-05-18 2013-07-16 Oiles Corporation Natural ventilator apparatus
CN113736250A (zh) * 2021-03-29 2021-12-03 深圳市晋源塑胶原料有限公司 一种pes滤材回料与尼龙66的合金及其制备方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0641432A (ja) * 1992-07-24 1994-02-15 Ube Ind Ltd 熱可塑性樹脂組成物
US6358619B1 (en) * 1997-10-22 2002-03-19 Toray Industries, Inc. Aromatic polyamide film and magnetic recording medium using it
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