JPH02294328A - ヒドロキシポリアミドの製法 - Google Patents
ヒドロキシポリアミドの製法Info
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- JPH02294328A JPH02294328A JP2090050A JP9005090A JPH02294328A JP H02294328 A JPH02294328 A JP H02294328A JP 2090050 A JP2090050 A JP 2090050A JP 9005090 A JP9005090 A JP 9005090A JP H02294328 A JPH02294328 A JP H02294328A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はヒドロキシボリアミドを製造する方法に関する
. 〔従来の技術] ヒドロキシボリアミドは、耐高熱性レリーフ構造体を製
造するための、すなわち有機絶縁層を価格的に良好に直
接構造化するための耐熱性フォトレジスト中での可溶性
オリゴマー及び/又はボリマーのポリベンゾオキサゾー
ル前駆物質として使用される.マイクロエレクトロニク
スの構造部材には絶縁材が残存することから、高い耐熱
性(〉450’C)及び極めて良好な電気的特性の他に
、極めて高純度であることが要求される.すなわち例え
ば塩素イオン含有量は確実に3ppm以下でなければな
らない。それというのも塩素イオンは電気的特性を阻害
し、腐食現象により構造部材の長期安定性にマイナスの
影響を及ぼすからである.熱処理により耐高熱性ポリベ
ンゾオキサゾールに変換されるヒドロキシボリアミドの
形の可溶性の(従って良好に加工可能の)ポリベンゾオ
キサゾール前駆物質は、例えば欧州特許第002366
2号明細書、欧州特許出願公開第0291779号明細
書及びドイツ連邦共和国特許出願公開第3716629
号明細書から公知である。この前駆物質は特に芳香族ジ
アミノジヒドロキシ化合物及び芳香族ジカルボン酸クロ
リドから製造される.その際マイクロエレクトロニクス
分野において要求されるイオン汚染を低度にとどめるた
めには、多くの場合イオン交換体による大規模な浄化作
業を実施する必要がある.しかしこれは煩雑な作業及び
経費の嵩む処理であり、又一方ではその際に有機不純物
、例えば陰イオン交換体から生じるアミンが樹脂材料に
達し、その特性にマイナスの影響を及ぼす可能性を有す
る. ポリベンゾオキサゾール前駆物質の塩化物を含まない合
成法は欧州特許出願公開第0158726号明細書から
公知である.この場合ジアミノジヒドロキシ化合物をカ
ルボジイミドの存在下でジカルボン酸と反応させる.し
かしこの反応では、転移反応により樹脂に残存する尿素
基が種々の問題をもたらす.すなわち尿素基はポリベン
ゾオキサゾール前駆物質の熱安定性及びこれらから製造
される層の質を損なう. 〔発明が解決しようとする諜B] 本発明の課題は、塩化物を含まない方法でヒドロキシボ
リアミドを簡単にかつ価格的に有利に入手し得る方法を
提供することにある。
. 〔従来の技術] ヒドロキシボリアミドは、耐高熱性レリーフ構造体を製
造するための、すなわち有機絶縁層を価格的に良好に直
接構造化するための耐熱性フォトレジスト中での可溶性
オリゴマー及び/又はボリマーのポリベンゾオキサゾー
ル前駆物質として使用される.マイクロエレクトロニク
スの構造部材には絶縁材が残存することから、高い耐熱
性(〉450’C)及び極めて良好な電気的特性の他に
、極めて高純度であることが要求される.すなわち例え
ば塩素イオン含有量は確実に3ppm以下でなければな
らない。それというのも塩素イオンは電気的特性を阻害
し、腐食現象により構造部材の長期安定性にマイナスの
影響を及ぼすからである.熱処理により耐高熱性ポリベ
ンゾオキサゾールに変換されるヒドロキシボリアミドの
形の可溶性の(従って良好に加工可能の)ポリベンゾオ
キサゾール前駆物質は、例えば欧州特許第002366
2号明細書、欧州特許出願公開第0291779号明細
書及びドイツ連邦共和国特許出願公開第3716629
号明細書から公知である。この前駆物質は特に芳香族ジ
アミノジヒドロキシ化合物及び芳香族ジカルボン酸クロ
リドから製造される.その際マイクロエレクトロニクス
分野において要求されるイオン汚染を低度にとどめるた
めには、多くの場合イオン交換体による大規模な浄化作
業を実施する必要がある.しかしこれは煩雑な作業及び
経費の嵩む処理であり、又一方ではその際に有機不純物
、例えば陰イオン交換体から生じるアミンが樹脂材料に
達し、その特性にマイナスの影響を及ぼす可能性を有す
る. ポリベンゾオキサゾール前駆物質の塩化物を含まない合
成法は欧州特許出願公開第0158726号明細書から
公知である.この場合ジアミノジヒドロキシ化合物をカ
ルボジイミドの存在下でジカルボン酸と反応させる.し
かしこの反応では、転移反応により樹脂に残存する尿素
基が種々の問題をもたらす.すなわち尿素基はポリベン
ゾオキサゾール前駆物質の熱安定性及びこれらから製造
される層の質を損なう. 〔発明が解決しようとする諜B] 本発明の課題は、塩化物を含まない方法でヒドロキシボ
リアミドを簡単にかつ価格的に有利に入手し得る方法を
提供することにある。
この課題は本発明によれば、
(a) 芳香族アミノヒドロキシカルボン酸又は(b
) 芳香族ジアミノジヒドロキシ化合物及び芳香族ジ
カルボン酸又は (c) 芳香族ジアミノジヒドロキシ化合物、芳香族
ジカルボン酸及び芳香族アミノヒドロキシカルボン酸を
、 1−エトキシ力ルボニル−2−エトキシ−1.2−ジヒ
ドロキノリン、1.1′一カルボニルジオキシージ−1
.2.3−ベンゾトリアゾール又はジシクロへキシルカ
ルポジイミド/lヒドロキシ・l,2.3−ヘンゾトリ
アヅールの存在下で反応させて、次の構造式 〔式中R,R” 、R, 、R一及びR,は芳香族基を
表し、nl、nt及びn,は以下のものを表す: n,及びnz =1 〜1 00. nff =o、又
はn*−1〜100及びn1及びn3=0、又はnl、
nl及びn ! − 1−1 0 0 ( R * R
”及び/又はR++R+”)、又は n−及びni−1〜100、n.=0 (R≠R9及び
/又はR1≠R.。)〕 の化合物を得ることによって達成される.〔作用効果〕 アミノ基とカルボキシル基との縮合反応に関し.て特殊
な反応試薬を使用する本発明方法は、所望のポリベンゾ
オキサゾール前駆物質を良好な収量で提供する.このこ
とは特にIR及びNMR測定のような分光分析による検
査により示される.しかしこの事実は次に述べる理由か
ら極めて驚くべきことである.有機合成において及びペ
プチド化学においては、例えば立体障害アルコールの特
殊なエステル化及びペプチド結合による結合を可能にす
る一連の反応試薬、すなわち1−エトキシカルボニル−
2−エトキシ−1.2−ジヒドロキノリン及び1,1゛
一カルボニルジオキシージ−1.2,3−ベンゾトリア
ゾールが開発されている.しかし相応する分光分析によ
る検査が示すように、これらの反応試薬は本発明方法で
使用されるものを除いては所望のポリマー前駆物質をも
たらさない. 本発明方法はヒドロキシポリアミドを製造するに当たり
、酸塩化物から出発する代わりに相応するカルボン酸か
ら出発することを可能にする.従って特にイオン交換体
の使用下における精製行程を省略することができ、その
結果方法的に簡単でかつ価格的に好ましい合成が可能で
ある.本発明方法ではアミノ官能性のヒドロキシ化合物
とカルボン酸との反応を有利には有機溶剤中で実施する
.そのII!l剤として有利にはN−メチルピロリドン
及び/又はピリジンを使用する.反応それ自体は有利に
は室温から約60″Cまでの温度で行う. 本発明方法により製造されたヒドロキシボリアミドは有
利には次の構造式の芳香族基を有する.R8は次のもの
を表す. この場合T.〜T,はH又はアルキルを表し、m一〇又
はlであり、Xは次のものを表す.R,及びRl”は次
のものを表し、そのF91H原子はC1又はBrによっ
て置換されていてもよい.この場合Z一炭素原子数1〜
lO個のアルキル又はアリールであり、『=2〜18で
ある.(実施例) 本発明を以下実施例に基づき更に詳述する.■=土:イ
ソフタル酸と3.3′−ジヒドロキシベンジジンとの反
応 N・メチルビロリドン15質量部に溶かしたlエトキシ
カルボニル−2−エトキシ−1.2−ジヒドロキノリン
8.32質量部及びイソフタル酸2.79質量部を、撹
拌器、滴下ロ一ト及び乾燥管を備えた250d三頚フラ
スコ中でアルゴン雰囲気下に室温で75分間撹拌した.
引続きN−メチルピロリドン30質盪部中の3.3′−
ジヒドロキシベンジジン3.64質量部の溶液を滴下し
、次に室温で6時間撹拌した.更にこの溶液を室温で1
2時間放置した.樹脂を分離するために、反応混合物を
メタノール500質量部に注ぎ、次いで沈殿剤で数回洗
浄し、引続き(圧力約270mバールで)真空中におい
て室温でC a C l x及びNaOH上で乾燥した
〔収量3.6質量部(理論値の62%》〕.粘度は12
.5rRi/gであった(23’C ? N−メチルビ
ロリドン中の1%溶液で)。
) 芳香族ジアミノジヒドロキシ化合物及び芳香族ジ
カルボン酸又は (c) 芳香族ジアミノジヒドロキシ化合物、芳香族
ジカルボン酸及び芳香族アミノヒドロキシカルボン酸を
、 1−エトキシ力ルボニル−2−エトキシ−1.2−ジヒ
ドロキノリン、1.1′一カルボニルジオキシージ−1
.2.3−ベンゾトリアゾール又はジシクロへキシルカ
ルポジイミド/lヒドロキシ・l,2.3−ヘンゾトリ
アヅールの存在下で反応させて、次の構造式 〔式中R,R” 、R, 、R一及びR,は芳香族基を
表し、nl、nt及びn,は以下のものを表す: n,及びnz =1 〜1 00. nff =o、又
はn*−1〜100及びn1及びn3=0、又はnl、
nl及びn ! − 1−1 0 0 ( R * R
”及び/又はR++R+”)、又は n−及びni−1〜100、n.=0 (R≠R9及び
/又はR1≠R.。)〕 の化合物を得ることによって達成される.〔作用効果〕 アミノ基とカルボキシル基との縮合反応に関し.て特殊
な反応試薬を使用する本発明方法は、所望のポリベンゾ
オキサゾール前駆物質を良好な収量で提供する.このこ
とは特にIR及びNMR測定のような分光分析による検
査により示される.しかしこの事実は次に述べる理由か
ら極めて驚くべきことである.有機合成において及びペ
プチド化学においては、例えば立体障害アルコールの特
殊なエステル化及びペプチド結合による結合を可能にす
る一連の反応試薬、すなわち1−エトキシカルボニル−
2−エトキシ−1.2−ジヒドロキノリン及び1,1゛
一カルボニルジオキシージ−1.2,3−ベンゾトリア
ゾールが開発されている.しかし相応する分光分析によ
る検査が示すように、これらの反応試薬は本発明方法で
使用されるものを除いては所望のポリマー前駆物質をも
たらさない. 本発明方法はヒドロキシポリアミドを製造するに当たり
、酸塩化物から出発する代わりに相応するカルボン酸か
ら出発することを可能にする.従って特にイオン交換体
の使用下における精製行程を省略することができ、その
結果方法的に簡単でかつ価格的に好ましい合成が可能で
ある.本発明方法ではアミノ官能性のヒドロキシ化合物
とカルボン酸との反応を有利には有機溶剤中で実施する
.そのII!l剤として有利にはN−メチルピロリドン
及び/又はピリジンを使用する.反応それ自体は有利に
は室温から約60″Cまでの温度で行う. 本発明方法により製造されたヒドロキシボリアミドは有
利には次の構造式の芳香族基を有する.R8は次のもの
を表す. この場合T.〜T,はH又はアルキルを表し、m一〇又
はlであり、Xは次のものを表す.R,及びRl”は次
のものを表し、そのF91H原子はC1又はBrによっ
て置換されていてもよい.この場合Z一炭素原子数1〜
lO個のアルキル又はアリールであり、『=2〜18で
ある.(実施例) 本発明を以下実施例に基づき更に詳述する.■=土:イ
ソフタル酸と3.3′−ジヒドロキシベンジジンとの反
応 N・メチルビロリドン15質量部に溶かしたlエトキシ
カルボニル−2−エトキシ−1.2−ジヒドロキノリン
8.32質量部及びイソフタル酸2.79質量部を、撹
拌器、滴下ロ一ト及び乾燥管を備えた250d三頚フラ
スコ中でアルゴン雰囲気下に室温で75分間撹拌した.
引続きN−メチルピロリドン30質盪部中の3.3′−
ジヒドロキシベンジジン3.64質量部の溶液を滴下し
、次に室温で6時間撹拌した.更にこの溶液を室温で1
2時間放置した.樹脂を分離するために、反応混合物を
メタノール500質量部に注ぎ、次いで沈殿剤で数回洗
浄し、引続き(圧力約270mバールで)真空中におい
て室温でC a C l x及びNaOH上で乾燥した
〔収量3.6質量部(理論値の62%》〕.粘度は12
.5rRi/gであった(23’C ? N−メチルビ
ロリドン中の1%溶液で)。
廻一』罎イソフタル酸と3.3′−ジヒドロキシベンジ
ジン及び3.3゛−ジアミノ−44′−ジヒドロキシジ
フェニル−1, t1,3,3.3−ヘキサフルオ口
プロパンとの反応 N−メチルビロリドン90質量部に溶かした1−エトキ
シ力ルボニル−2−エトキシ−1. 2ジヒドロキノ
リン50ii量部及びイソフタル酸16.8質量部を、
撹拌器、還流冷却器、演下0−ト及び乾燥管を備えた1
l三頚フラスコ中でアルゴン雰囲気下に室温で45分間
撹拌した。引続きNメチルピロリドン150質量部中の
3.3′ジヒドロキジベンジジン1 0. 9 4質量
部及び3.3′−ジアミノ・4.4′−ジヒドロキジジ
フェニル−1,l,1,3,3.3−ヘキサフルオ口プ
ロパン1 7. 4 8質量部の溶液を滴下した.次に
この溶液を50’Cで5時間撹拌し、更に室温で12時
間放置した.この樹脂を水及びメタノールの混合物(2
: 1)4000質量部に沈殿させ、引続き吸引濾過
することにより分離し、更に水で数回洗浄し、引続き(
圧力約270mバールで)真空中において室温でNaO
H上で乾燥した〔収量26.6質量部(理論値の63%
)〕.粘度は8.7d/gであった(23゜CでN−メ
チルピロリドン中の1%溶液で). IN :lイソフタル酸と3.3′−ジヒドロキシベ
ンジジンとの反応 N−メチルピロリドン15質置部中の1 1’カルボ
ニルジオキシージ−1.2.3−ベンゾトリアゾール1
0. 0 6質量部、ピリジン2.65質量部及びイ
ソフタル酸2.82質量部をアルゴン雰囲気下に、撹拌
器、還流冷却器、滴下ロート及び乾燥管を備えた250
d三頚フラスコに入れた.これは直ちにCOtを発生し
始めたが、ガスの発生は約5分後に終了した.次いで混
合物を室温で20分間撹拌し、引続き60’Cに加熱し
、N−メチルビロリドン25質量部中の3,3′−ジヒ
ドロキシベンジジン3.68質量部の溶液を滴下した.
次いで溶液を60℃で4時間撹拌し、引続き室温で更に
12時間放!した.この樹脂をメタノール1 100質
量部に沈殿させ、沈殿物を吸引i!I過し、メタノール
で数回洗浄し、室温でNaOH上で乾燥した〔収量4.
5質量部(理論値の77%)〕.粘度は23.1d/g
であった(23゜CでN−メチルビロリドン中の1%溶
液で). 班一土:イソフタル酸と3.3″−ジヒドロキシベンジ
ジンとの反応 ジシクロへキシル力ルポジイミド5.67質量部を1−
ヒドロキシ−1.2.3−ペンゾトリアヅール5.4質
量部と一緒にN−メチルビロリドン30質量部に溶かし
た.この混合物に撹拌下にNメチルピロリドン30質量
部中のイソフタル酸2.08質量部の溶液を滴下し、引
続き30分間攬拌した.次いで撹拌しながら3.3′−
ジヒドロキシベンジジン2.7質量部を滴下し、引続き
2時間撹拌し、沈殿したジシクロヘキシル尿素を反応溶
液から濾別した.濾液を撹拌しながら氷水600質量部
に滴下し、沈殿した固体物質を吸引濾過し、水で数回洗
浄し、引続き真空乾燥棚中で(圧力約270mバールで
)NaOH上で乾燥したく収量4.31fl部(理論値
の90%)).粘度は13.27 ml/ gであった
(23゜CでN−メチルビロリドン中の1%溶液で).
ジン及び3.3゛−ジアミノ−44′−ジヒドロキシジ
フェニル−1, t1,3,3.3−ヘキサフルオ口
プロパンとの反応 N−メチルビロリドン90質量部に溶かした1−エトキ
シ力ルボニル−2−エトキシ−1. 2ジヒドロキノ
リン50ii量部及びイソフタル酸16.8質量部を、
撹拌器、還流冷却器、演下0−ト及び乾燥管を備えた1
l三頚フラスコ中でアルゴン雰囲気下に室温で45分間
撹拌した。引続きNメチルピロリドン150質量部中の
3.3′ジヒドロキジベンジジン1 0. 9 4質量
部及び3.3′−ジアミノ・4.4′−ジヒドロキジジ
フェニル−1,l,1,3,3.3−ヘキサフルオ口プ
ロパン1 7. 4 8質量部の溶液を滴下した.次に
この溶液を50’Cで5時間撹拌し、更に室温で12時
間放置した.この樹脂を水及びメタノールの混合物(2
: 1)4000質量部に沈殿させ、引続き吸引濾過
することにより分離し、更に水で数回洗浄し、引続き(
圧力約270mバールで)真空中において室温でNaO
H上で乾燥した〔収量26.6質量部(理論値の63%
)〕.粘度は8.7d/gであった(23゜CでN−メ
チルピロリドン中の1%溶液で). IN :lイソフタル酸と3.3′−ジヒドロキシベ
ンジジンとの反応 N−メチルピロリドン15質置部中の1 1’カルボ
ニルジオキシージ−1.2.3−ベンゾトリアゾール1
0. 0 6質量部、ピリジン2.65質量部及びイ
ソフタル酸2.82質量部をアルゴン雰囲気下に、撹拌
器、還流冷却器、滴下ロート及び乾燥管を備えた250
d三頚フラスコに入れた.これは直ちにCOtを発生し
始めたが、ガスの発生は約5分後に終了した.次いで混
合物を室温で20分間撹拌し、引続き60’Cに加熱し
、N−メチルビロリドン25質量部中の3,3′−ジヒ
ドロキシベンジジン3.68質量部の溶液を滴下した.
次いで溶液を60℃で4時間撹拌し、引続き室温で更に
12時間放!した.この樹脂をメタノール1 100質
量部に沈殿させ、沈殿物を吸引i!I過し、メタノール
で数回洗浄し、室温でNaOH上で乾燥した〔収量4.
5質量部(理論値の77%)〕.粘度は23.1d/g
であった(23゜CでN−メチルビロリドン中の1%溶
液で). 班一土:イソフタル酸と3.3″−ジヒドロキシベンジ
ジンとの反応 ジシクロへキシル力ルポジイミド5.67質量部を1−
ヒドロキシ−1.2.3−ペンゾトリアヅール5.4質
量部と一緒にN−メチルビロリドン30質量部に溶かし
た.この混合物に撹拌下にNメチルピロリドン30質量
部中のイソフタル酸2.08質量部の溶液を滴下し、引
続き30分間攬拌した.次いで撹拌しながら3.3′−
ジヒドロキシベンジジン2.7質量部を滴下し、引続き
2時間撹拌し、沈殿したジシクロヘキシル尿素を反応溶
液から濾別した.濾液を撹拌しながら氷水600質量部
に滴下し、沈殿した固体物質を吸引濾過し、水で数回洗
浄し、引続き真空乾燥棚中で(圧力約270mバールで
)NaOH上で乾燥したく収量4.31fl部(理論値
の90%)).粘度は13.27 ml/ gであった
(23゜CでN−メチルビロリドン中の1%溶液で).
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)ヒドロキシポリアミドを製造する方法において、 (a)芳香族アミノヒドロキシカルボン酸又は(b)芳
香族ジアミノジヒドロキシ化合物及び芳香族ジカルボン
酸又は (c)芳香族ジアミノジヒドロキシ化合物、芳香族ジカ
ルボン酸及び芳香族アミノヒドロキシカルボン酸を、 1−エトキシカルボニル−2−エトキシ−1,2−ジヒ
ドロキノリン、1,1′−カルボニルジオキシ−ジ−1
,2,3−ベンゾトリアゾール又はジシクロヘキシルカ
ルボジイミド/1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾト
リアゾールの存在下で反応させせ、次の構造式: ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中R、R^*、R_1、R_1^*及びR_2は芳
香族基を表し、n_1、n_2及びn_3は以下のもの
を表す: n_1及びn_2=1〜100、n_2=0、又は n_2=1〜100及びn_1及びn_3=0、又は n_1、n_2及びn_3=1〜100(R≠R^*及
び/又はR_1≠R_1^* )、又は n_1及びn_3=1〜100、n_2=0(R≠R^
*及び/又はR_1≠R_1^* )〕の化合物を得る
ことを特徴とするヒドロキシポリアミドの製法。 2)反応を有機溶剤中で実施することを特徴とする請求
項1記載の製法。 3)溶剤としてN−メチルピロリドン及び/又はピリジ
ンを使用することを特徴とする請求項2記載の製法。 4)反応を室温から約60℃までの温度で行うことを特
徴とする請求項1ないし3の1つに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3911210.1 | 1989-04-06 | ||
DE3911210 | 1989-04-06 |
Publications (1)
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---|---|
JPH02294328A true JPH02294328A (ja) | 1990-12-05 |
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ID=6378023
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2090050A Pending JPH02294328A (ja) | 1989-04-06 | 1990-04-03 | ヒドロキシポリアミドの製法 |
Country Status (3)
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---|---|
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EP (1) | EP0391196A3 (ja) |
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EP0512339B1 (de) * | 1991-05-07 | 1997-10-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Hochwärmebeständige Positivresists und Verfahren zur Herstellung hochwärmebeständiger Reliefstrukturen |
DE59206487D1 (de) * | 1991-11-26 | 1996-07-11 | Siemens Ag | Phenylchinoxalin-Copolymere |
EP0750002B1 (de) * | 1995-06-19 | 1999-08-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung von Poly-o-hydroxyamiden |
EP0761719B1 (de) * | 1995-08-31 | 2001-03-28 | Infineon Technologies AG | Verfahren zur Herstellung von Poly-o-hydroxyamiden und Poly-o-mercaptoamiden |
EP0761717B1 (de) * | 1995-08-31 | 2001-06-06 | Infineon Technologies AG | Verfahren zur Herstellung von Poly-o-hydroxyamiden und Poly-o-mercaptoamiden |
DE59606489D1 (de) * | 1995-08-31 | 2001-04-05 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung von Poly-o-hydroxyamiden und Poly-o-mercaptoamiden |
EP0761716B1 (de) * | 1995-08-31 | 2001-02-28 | Infineon Technologies AG | Verfahren zur Herstellung von Poly-o-hydroxyamiden und Poly-o-mercaptoamiden |
EP0765894B1 (de) * | 1995-08-31 | 2001-02-28 | Infineon Technologies AG | Herstellung von Poly-o-hydroxyamiden und Poly-o-mercaptoamiden |
EP0761641B1 (de) * | 1995-08-31 | 2001-03-21 | Infineon Technologies AG | Dicarbonsäurederivate und ihre Verwendung zur Herstellung von Poly-o-hydroxyamiden oder Poly-o-mercaptoamiden |
EP0761718B1 (de) * | 1995-08-31 | 2001-02-28 | Infineon Technologies AG | Herstellung von Poly-o-hydroxyamiden und Poly-o-mercaptoamiden |
EP0761720B1 (de) * | 1995-08-31 | 2001-02-28 | Infineon Technologies AG | Verfahren zur Herstellung von Poly-o-hydroxyamiden und Poly-o-mercaptoamiden |
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DE10145472A1 (de) * | 2001-09-14 | 2003-04-17 | Infineon Technologies Ag | Fotosensitive Formulierung für Pufferschichten und Verwendungen dazu |
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WO2004109400A2 (en) * | 2003-03-11 | 2004-12-16 | Arch Speciality Chemicals, Inc. | Novel photosensitive resin compositions |
KR20060002768A (ko) * | 2003-03-11 | 2006-01-09 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | 새로운 감광성 수지 조성물들 |
EP1636648B1 (en) | 2003-06-05 | 2015-08-12 | FujiFilm Electronic Materials USA, Inc. | Novel positive photosensitive resin compositions |
TWI363249B (en) | 2003-10-15 | 2012-05-01 | Fujifilm Electronic Materials | Novel photosensitive resin compositions |
US7220520B2 (en) | 2005-06-03 | 2007-05-22 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Photosensitive resin compositions |
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WO2009052177A1 (en) * | 2007-10-16 | 2009-04-23 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Novel photosensitive resin compositions |
US9519216B2 (en) * | 2008-02-04 | 2016-12-13 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Positive photosensitive resin compositions |
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DE2931297A1 (de) * | 1979-08-01 | 1981-02-19 | Siemens Ag | Waermebestaendige positivresists und verfahren zur herstellung waermebestaendiger reliefstrukturen |
DE3411659A1 (de) * | 1984-03-29 | 1985-10-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung von polyoxazol- und polythiazol-vorstufen |
EP0291779B1 (de) * | 1987-05-18 | 1994-07-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Wärmebeständige Positivresists und Verfahren zur Herstellung wärmebeständiger Reliefstrukturen |
EP0291778B1 (de) * | 1987-05-18 | 1994-03-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung hochwärmebeständiger Dielektrika |
DE3716629C2 (de) * | 1987-05-18 | 1997-06-12 | Siemens Ag | Wärmebeständige positiv arbeitende strahlungsempfindliche Gemische und Verfahren zur Herstellung wärmebeständiger Reliefstrukturen |
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1990
- 1990-03-26 EP EP19900105715 patent/EP0391196A3/de not_active Withdrawn
- 1990-03-29 US US07/501,169 patent/US5096999A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-04-03 JP JP2090050A patent/JPH02294328A/ja active Pending
-
1991
- 1991-10-09 US US07/773,720 patent/US5147961A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5096999A (en) | 1992-03-17 |
EP0391196A3 (de) | 1991-02-27 |
EP0391196A2 (de) | 1990-10-10 |
US5147961A (en) | 1992-09-15 |
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