JPH0413732A - ポリアミド―ポリエ―テルスルホン組成物からなるフィルムの製造方法 - Google Patents
ポリアミド―ポリエ―テルスルホン組成物からなるフィルムの製造方法Info
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- JPH0413732A JPH0413732A JP11709590A JP11709590A JPH0413732A JP H0413732 A JPH0413732 A JP H0413732A JP 11709590 A JP11709590 A JP 11709590A JP 11709590 A JP11709590 A JP 11709590A JP H0413732 A JPH0413732 A JP H0413732A
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Landscapes
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、ポリアミド−ポリエーテルスルホン組成物か
らなるフィルムの製造方法に関する。
らなるフィルムの製造方法に関する。
[従来の技術]
現在、ハンダ耐熱性を有するフレキシブルプリント基板
のベースフィルムとして、無水ピロメリット酸と4,4
′−ジアミノジフェニルエーテルとから得られたポリイ
ミドや、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と4.4
′−ジアミノジフェニルエーテル又はp−フ二二レンジ
アミンとから得られたポリイミドが広く用いられている
が、これらのポリイミドは融点が高いため成形加工性が
悪く、適用し得る成形加工手段も限定されるという欠点
があるだけでなく、高価であり、特殊な用途にしか使用
できないという欠点がある。
のベースフィルムとして、無水ピロメリット酸と4,4
′−ジアミノジフェニルエーテルとから得られたポリイ
ミドや、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と4.4
′−ジアミノジフェニルエーテル又はp−フ二二レンジ
アミンとから得られたポリイミドが広く用いられている
が、これらのポリイミドは融点が高いため成形加工性が
悪く、適用し得る成形加工手段も限定されるという欠点
があるだけでなく、高価であり、特殊な用途にしか使用
できないという欠点がある。
そこで前記ポリイミドフィルムに代る高耐熱性フィルム
を得るために、予め合成したポリアミドを有機溶媒(例
えばジメチルアセトアミドなど)に溶解した溶液と、ポ
リエーテルスルホンを有機溶媒(例えばジメチルアセト
アミドなど)に溶解した溶液とを混合、攪拌してポリア
ミド−ポリエーテルスルホン組成物を得、このポリアミ
ド−ポリエーテルスルホン組成物をキャスト成形して高
耐熱性フィルムを得る方法が実用化されている(例えば
Po17mer Preprints。
を得るために、予め合成したポリアミドを有機溶媒(例
えばジメチルアセトアミドなど)に溶解した溶液と、ポ
リエーテルスルホンを有機溶媒(例えばジメチルアセト
アミドなど)に溶解した溶液とを混合、攪拌してポリア
ミド−ポリエーテルスルホン組成物を得、このポリアミ
ド−ポリエーテルスルホン組成物をキャスト成形して高
耐熱性フィルムを得る方法が実用化されている(例えば
Po17mer Preprints。
Japan” Vol、38.No、12.4149
(1989)およびVol。38. No、 12゜
4152 (1989)並びに“PolymerJou
rnal” Vol、22.No、1.80(1990
)参照)。溶液ブレンド法と呼ばれるこの方法によれば
、ポリアミド−ポリエーテルスルホン組成物のキャスト
成形により所望の性質を有する高耐熱性フィルムを得る
ことができ、また得られた高耐熱性フィルムがポリイミ
ドフィルムよりも安価であり、汎用性を有するという利
点がある。
(1989)およびVol。38. No、 12゜
4152 (1989)並びに“PolymerJou
rnal” Vol、22.No、1.80(1990
)参照)。溶液ブレンド法と呼ばれるこの方法によれば
、ポリアミド−ポリエーテルスルホン組成物のキャスト
成形により所望の性質を有する高耐熱性フィルムを得る
ことができ、また得られた高耐熱性フィルムがポリイミ
ドフィルムよりも安価であり、汎用性を有するという利
点がある。
しかしながら例えば対数粘度ηlnhが1.661 /
g以上の高分子量のポリアミドのある種のものは、ポ
リアミドを溶解するために最も好ましい溶媒であるジメ
チルアセトアミドを用いても、溶解することができない
ので、ジメチルアセトアミドに不溶の高分子量のポリア
ミドを上記溶液ブレンド法に用いることができない。ま
た比較的に低分子量のポリアミドは、ジメチルアセトア
ミドに可溶であるが、このような低分子量のポリアミド
は市販されていないため、芳香族ジカルボン酸誘導体と
芳香族ジアミンとから別途製造する必要がある。このた
め重合容器、ろ過器、乾燥器、溶媒回収装置等が必要と
なり、さらに得られたポリアミドをジメチルアセトアミ
ドに溶解する必要があるので、製造工程が複雑になり、
製造時間も長くなり、製造コストも高くなる。
g以上の高分子量のポリアミドのある種のものは、ポ
リアミドを溶解するために最も好ましい溶媒であるジメ
チルアセトアミドを用いても、溶解することができない
ので、ジメチルアセトアミドに不溶の高分子量のポリア
ミドを上記溶液ブレンド法に用いることができない。ま
た比較的に低分子量のポリアミドは、ジメチルアセトア
ミドに可溶であるが、このような低分子量のポリアミド
は市販されていないため、芳香族ジカルボン酸誘導体と
芳香族ジアミンとから別途製造する必要がある。このた
め重合容器、ろ過器、乾燥器、溶媒回収装置等が必要と
なり、さらに得られたポリアミドをジメチルアセトアミ
ドに溶解する必要があるので、製造工程が複雑になり、
製造時間も長くなり、製造コストも高くなる。
[発明の目的]
従って本発明の目的は、上記従来技術、特にポリアミド
溶液とポリエーテルスルホン溶液とを用いる溶液ブレン
ド法の欠点を解消し、ポリアミド−ポリエーテルスルホ
ン組成物からなるフィルムを簡単な製造操作で短時間に
安価に製造することができる方法を提供することにある
。
溶液とポリエーテルスルホン溶液とを用いる溶液ブレン
ド法の欠点を解消し、ポリアミド−ポリエーテルスルホ
ン組成物からなるフィルムを簡単な製造操作で短時間に
安価に製造することができる方法を提供することにある
。
[目的を達成するための手段]
本発明の目的は、下記のポリアミド−ポリエーテルスル
ホン組成物からなるフィルムの製造方法(I)および(
II)によって達成された。
ホン組成物からなるフィルムの製造方法(I)および(
II)によって達成された。
方法(I)
ポリエーテルスルホンの有機系極性溶媒溶液中で、芳香
族ジカルボン酸ジハライドと芳香族ジアミン又はその誘
導体との重縮合反応を行って得られた反応液をキャスト
成形することを特徴とするポリアミド−ポリエーテルス
ルホン組成物からなるフィルムの製造方法。
族ジカルボン酸ジハライドと芳香族ジアミン又はその誘
導体との重縮合反応を行って得られた反応液をキャスト
成形することを特徴とするポリアミド−ポリエーテルス
ルホン組成物からなるフィルムの製造方法。
方法(II)
有機系極性溶媒中で、芳香族ジカルボン酸ジハライドと
芳香族ジアミン又はその誘導体との重縮合反応を行ない
、重縮合反応が完結する前にポリエーテルスルホンを添
加し、混合して得られた反応液をキャスト成形すること
を特徴とするポリアミド−ポリエーテルスルホン組成物
からなるフィルムの製造方法。
芳香族ジアミン又はその誘導体との重縮合反応を行ない
、重縮合反応が完結する前にポリエーテルスルホンを添
加し、混合して得られた反応液をキャスト成形すること
を特徴とするポリアミド−ポリエーテルスルホン組成物
からなるフィルムの製造方法。
先ずポリアミド−ポリエーテルスルホン組成物からなる
フィルムの製造方法(I)について説明する。
フィルムの製造方法(I)について説明する。
この方法(I)において用いられるポリエーテルスルホ
ンは、その繰り返し単位にエーテル結合とスルホン基を
有する重合体であり、その代表例として以下のものが挙
げられる。
ンは、その繰り返し単位にエーテル結合とスルホン基を
有する重合体であり、その代表例として以下のものが挙
げられる。
IC1社製
ヴイクトレックス(Victrex)
(ハ)
アモコ社製し−デル(Radel)
特に好ましいポリエーテルスルホンは上記(イ)の構造
を有するものである。
を有するものである。
ポリエーテルスルホンの分子量は、対数粘度η、。、が
0.1〜2.0dl/g (測定条件:溶媒・・・N−
メチル−2−ピロリドン、濃度・・・0. 5g/dl
、温度・・・30℃)の範囲となる分子量範囲が好まし
い。その理由はη1..hが0.1dj!/g未満であ
ると、キャスト成形後に得られるフィルムにおいてポリ
アミドとポリエーテルスルホンが相分離して、好ましく
ないフィルムが得られる可能性があり、一方ηInhが
2.Odj/gを超えると、キャスト成形後に得られた
フィルムを熱処理した場合、ポリアミドが結晶化しにく
(なり、耐熱性のあるフィルムが得られない可能性があ
るからである。特に好ましいηlnhは0.3〜0.6
dJ/gである。ポリエーテルスルホンは1種又は2種
以上用いられる。
0.1〜2.0dl/g (測定条件:溶媒・・・N−
メチル−2−ピロリドン、濃度・・・0. 5g/dl
、温度・・・30℃)の範囲となる分子量範囲が好まし
い。その理由はη1..hが0.1dj!/g未満であ
ると、キャスト成形後に得られるフィルムにおいてポリ
アミドとポリエーテルスルホンが相分離して、好ましく
ないフィルムが得られる可能性があり、一方ηInhが
2.Odj/gを超えると、キャスト成形後に得られた
フィルムを熱処理した場合、ポリアミドが結晶化しにく
(なり、耐熱性のあるフィルムが得られない可能性があ
るからである。特に好ましいηlnhは0.3〜0.6
dJ/gである。ポリエーテルスルホンは1種又は2種
以上用いられる。
この方法(I)においては、上記のポリエーテルスルホ
ンを有機系極性溶媒に溶解する。有機系極性溶媒を用い
る理由は、この溶媒がポリエーテルスルホンを溶解する
だけでなく、ポリアミドをも溶解するからである。好ま
しい有機系極性溶媒としては、N、N−ジメチルアセト
アミド(DMAc) 、N−メチル−2−ピロリドン、
N。
ンを有機系極性溶媒に溶解する。有機系極性溶媒を用い
る理由は、この溶媒がポリエーテルスルホンを溶解する
だけでなく、ポリアミドをも溶解するからである。好ま
しい有機系極性溶媒としては、N、N−ジメチルアセト
アミド(DMAc) 、N−メチル−2−ピロリドン、
N。
N′−ジメチルイミダゾリジノン、ヘキサメチルホスホ
ルトリアミドなどが挙げられ、これらは単独でまたは混
合して用いられる。
ルトリアミドなどが挙げられ、これらは単独でまたは混
合して用いられる。
ポリエーテルスルホンを有機系極性溶媒に溶解するに際
し、温度は特に制限がないが、−30℃〜165℃であ
るのが好ましい。その理由は、−30℃未満であると、
ポリエーテルスルホンが析出したりあるいは溶液が凍結
する可能性があり、一方165℃を超えると、ポリエー
テルスルホンが溶媒により劣化又は分解する可能性があ
るからである。特に好ましい温度は室温である。
し、温度は特に制限がないが、−30℃〜165℃であ
るのが好ましい。その理由は、−30℃未満であると、
ポリエーテルスルホンが析出したりあるいは溶液が凍結
する可能性があり、一方165℃を超えると、ポリエー
テルスルホンが溶媒により劣化又は分解する可能性があ
るからである。特に好ましい温度は室温である。
また溶解時間も特に制限がないが、数分〜24時間であ
るのが好ましい。その理由は数分未満であるとポリエー
テルスルホンの溶解が不十分となり、一方24時間を超
えるとポリエーテルスルホンが劣化または分解して着色
する可能性があるからである。特に好ましい溶解時間は
数分〜2時間である。
るのが好ましい。その理由は数分未満であるとポリエー
テルスルホンの溶解が不十分となり、一方24時間を超
えるとポリエーテルスルホンが劣化または分解して着色
する可能性があるからである。特に好ましい溶解時間は
数分〜2時間である。
有機系極性溶媒中のポリエーテルスルホンの濃度(%)
は、式 %式% により計算したときに、その値が0.1〜50%となる
範囲が好ましい。その理由は、0.1%未満では、ポリ
エーテルスルホン溶解後に重縮合反応によりポリアミド
を製造する際のモノマー濃度が低くなり、生成するポリ
アミドの分子量が著しく低くなる可能性があり、一方5
0%を超えると、ポリエーテルスルホンが完全には溶解
しないからである。特に好ましい濃度は3〜20%であ
る。
は、式 %式% により計算したときに、その値が0.1〜50%となる
範囲が好ましい。その理由は、0.1%未満では、ポリ
エーテルスルホン溶解後に重縮合反応によりポリアミド
を製造する際のモノマー濃度が低くなり、生成するポリ
アミドの分子量が著しく低くなる可能性があり、一方5
0%を超えると、ポリエーテルスルホンが完全には溶解
しないからである。特に好ましい濃度は3〜20%であ
る。
方法(I)においては、上記の如くポリエーテルスルホ
ンを有機系極性溶媒中に溶解して得られたポリエーテル
スルホンの有機系極性溶媒溶液中で、夛香族ジカルボン
酸ジハライドと芳香族ジアミン又はその誘導体との重縮
合反応を行う。この重縮合反応に用いる芳香族ジカルボ
ン酸ジハライドとして、テレフタル酸ジクロリド、イソ
フタル酸ジクロリド、3−クロロイソフタル酸ジクロリ
ド、3−メトキシイソフタル酸ジクロリド、2゜5−ジ
クロロテレフタル酸ジクロリド、トリクロロテレフタル
酸ジクロリド、テトラクロロテレフタル酸ジクロリド、
1.4−ナフタレンジカルボン酸ジクロリド、2.6−
ナフタレンジカルボン酸ジクロリド、3. 3’ −
ビフェニルジカルボン酸ジクロリド、4.4’ −ビ
フェニルジカルボン酸ジクロリド、ビス(4−クロロホ
ルミルフェニル)エーテル、ビス(4−クロロホルミル
フェニル)スルホン、ビス(4−クロロホルミルフェニ
ル)エチレンなどを挙げることができる。これらは単独
または混合して用いられる。好ましくは、テレフタル酸
ジクロリド、イソフタル酸ジクロリドである。
ンを有機系極性溶媒中に溶解して得られたポリエーテル
スルホンの有機系極性溶媒溶液中で、夛香族ジカルボン
酸ジハライドと芳香族ジアミン又はその誘導体との重縮
合反応を行う。この重縮合反応に用いる芳香族ジカルボ
ン酸ジハライドとして、テレフタル酸ジクロリド、イソ
フタル酸ジクロリド、3−クロロイソフタル酸ジクロリ
ド、3−メトキシイソフタル酸ジクロリド、2゜5−ジ
クロロテレフタル酸ジクロリド、トリクロロテレフタル
酸ジクロリド、テトラクロロテレフタル酸ジクロリド、
1.4−ナフタレンジカルボン酸ジクロリド、2.6−
ナフタレンジカルボン酸ジクロリド、3. 3’ −
ビフェニルジカルボン酸ジクロリド、4.4’ −ビ
フェニルジカルボン酸ジクロリド、ビス(4−クロロホ
ルミルフェニル)エーテル、ビス(4−クロロホルミル
フェニル)スルホン、ビス(4−クロロホルミルフェニ
ル)エチレンなどを挙げることができる。これらは単独
または混合して用いられる。好ましくは、テレフタル酸
ジクロリド、イソフタル酸ジクロリドである。
また芳香族ジアミンとしては、p−フェニレンジアミン
、m−フェニレンジアミン、4.4′ジアミノビフエニ
ル、3.4’ −ジアミノビフェニル、3.3′−ジア
ミノビフェニル、4,4′−ジアミノジフエニルエーテ
ル、3.4’ −ジアミノジフェニルエーテル、3.3
’ −ジアミノジフェニルエーテル、4.4’ −ジア
ミノジフェニルスルホン、3.4’ −ジアミノジフェ
ニルスルホン、3.3′ −ジアミノジフェニルスルホ
ン、4.4′−ジアミノジフェニルケトン、3.4′−
ジアミノジフェニルケトン、3.3’ −ジアミノジフ
ェニルケトン、4.4’ −ジアミノジフェニルメタン
、3.4’ −ジアミノジフェニルメタン、3. 3’
−ジアミノジフェニルメタン、4゜4′−ジアミノジフ
ェニルスルフィド、3.4′−ジアミノジフェニルスル
フィド、3.3′ −ジアミノジフェニルスルフィド、
2.4−ジアミノトルエン、2,4−ジアミノクロロベ
ンゼン、4゜4′−ジアミノベンズアニリド、3.4’
−ジアミノベンズアニリド、3′、4−ジアミノベン
ズアニリド、3.3′ −ジアミノベンズアニリド、4
.4′−ジアミノフェニルベンゾエート、3′4−ジア
ミノフェニルベンゾエートなどが挙げられ、これらは単
独又は混合して用いても良い。好ましくは、p−フェニ
レンジアミン、m−フェニレンジアミン、4.4’ −
ジアミノジフェニルエーテル、3.4′ −ジアミノジ
フェニルエーテルが用いられ、特に好ましくは、4.4
′−ジアミノジフェニルエーテルが用いられる。
、m−フェニレンジアミン、4.4′ジアミノビフエニ
ル、3.4’ −ジアミノビフェニル、3.3′−ジア
ミノビフェニル、4,4′−ジアミノジフエニルエーテ
ル、3.4’ −ジアミノジフェニルエーテル、3.3
’ −ジアミノジフェニルエーテル、4.4’ −ジア
ミノジフェニルスルホン、3.4’ −ジアミノジフェ
ニルスルホン、3.3′ −ジアミノジフェニルスルホ
ン、4.4′−ジアミノジフェニルケトン、3.4′−
ジアミノジフェニルケトン、3.3’ −ジアミノジフ
ェニルケトン、4.4’ −ジアミノジフェニルメタン
、3.4’ −ジアミノジフェニルメタン、3. 3’
−ジアミノジフェニルメタン、4゜4′−ジアミノジフ
ェニルスルフィド、3.4′−ジアミノジフェニルスル
フィド、3.3′ −ジアミノジフェニルスルフィド、
2.4−ジアミノトルエン、2,4−ジアミノクロロベ
ンゼン、4゜4′−ジアミノベンズアニリド、3.4’
−ジアミノベンズアニリド、3′、4−ジアミノベン
ズアニリド、3.3′ −ジアミノベンズアニリド、4
.4′−ジアミノフェニルベンゾエート、3′4−ジア
ミノフェニルベンゾエートなどが挙げられ、これらは単
独又は混合して用いても良い。好ましくは、p−フェニ
レンジアミン、m−フェニレンジアミン、4.4’ −
ジアミノジフェニルエーテル、3.4′ −ジアミノジ
フェニルエーテルが用いられ、特に好ましくは、4.4
′−ジアミノジフェニルエーテルが用いられる。
また芳香族ジアミン誘導体としては、前記の芳香族ジア
ミンの2個のアミノ基をそれぞれトリアルキルシリル化
して得られる、式 (式中、Arは芳香族環を含む基であり、Rはメチル基
、エチル基などのアルキル基である)で示される、芳香
族ジアミンのN−)リアルキルシリル化誘導体が好まし
く用いられ、その具体例としては、p−フェニレンジア
ミン、m−フェニレンジアミン、4.4’ −ジアミノ
ジフェニルエーテル、3.4’ −ジアミノジフェニル
エーテルのN−)リメチルシリル化誘導体が挙げられる
。
ミンの2個のアミノ基をそれぞれトリアルキルシリル化
して得られる、式 (式中、Arは芳香族環を含む基であり、Rはメチル基
、エチル基などのアルキル基である)で示される、芳香
族ジアミンのN−)リアルキルシリル化誘導体が好まし
く用いられ、その具体例としては、p−フェニレンジア
ミン、m−フェニレンジアミン、4.4’ −ジアミノ
ジフェニルエーテル、3.4’ −ジアミノジフェニル
エーテルのN−)リメチルシリル化誘導体が挙げられる
。
特に好ましいものは4,4′−ジアミノジフェニルエー
テルのN−トリメチルシリル化誘導体である。
テルのN−トリメチルシリル化誘導体である。
なお、ジアミン成分として芳香族ジアミンを用いる場合
、芳香族ジカルボン酸ジハライドとの重縮合反応におい
て副生ずるハロゲン化水素酸(HX)を受容(捕捉)す
るために酸受容剤を用いるのが好ましく、このような酸
受容剤としては、エチレンオキシド、プロピレンオキシ
ド、ブチレンオキシドなどのエポキシ化合物の1種また
は2種以上が用いられる。このエポキシ化合物はハロゲ
ン化水素酸(HX)を受容することによりクロルヒドリ
ンになるが、このクロルヒドリンは低沸点であるため、
簡単な減圧操作で除去でき、重合体中に残存することが
ない。
、芳香族ジカルボン酸ジハライドとの重縮合反応におい
て副生ずるハロゲン化水素酸(HX)を受容(捕捉)す
るために酸受容剤を用いるのが好ましく、このような酸
受容剤としては、エチレンオキシド、プロピレンオキシ
ド、ブチレンオキシドなどのエポキシ化合物の1種また
は2種以上が用いられる。このエポキシ化合物はハロゲ
ン化水素酸(HX)を受容することによりクロルヒドリ
ンになるが、このクロルヒドリンは低沸点であるため、
簡単な減圧操作で除去でき、重合体中に残存することが
ない。
ジアミン成分として、芳香族ジアミンのN−トリアルキ
ルシリル化誘導体を用いる場合、重縮合反応によりトリ
アルキルシリルハライドCRs S i X)が生じ、
ハロゲン化水素酸(I(X)は副生じないので、上記の
酸受容剤を用いる必要はない。上記トリアルキルシリル
ハライドも低沸点であるため簡単な減圧操作で除去でき
、重合体中に残存することがない。
ルシリル化誘導体を用いる場合、重縮合反応によりトリ
アルキルシリルハライドCRs S i X)が生じ、
ハロゲン化水素酸(I(X)は副生じないので、上記の
酸受容剤を用いる必要はない。上記トリアルキルシリル
ハライドも低沸点であるため簡単な減圧操作で除去でき
、重合体中に残存することがない。
次に芳香族ジカルボン酸ハライドと芳香族ジアミン又は
その誘導体との重縮合反応の条件について述べる。
その誘導体との重縮合反応の条件について述べる。
芳香族ジカルボン酸ジハライド[1]と芳香族ジアミン
[2a]又は芳香族ジアミン誘導体[2b]とのモル比
([11/ [2al又は[2bコ)は110.9〜1
/1.1の範囲とするのが好ましい。その理由はこの範
囲以外であると、生成するポリアミドの分子量が低くな
るからである。特に好ましいモル比は110.98〜1
/1.02である。
[2a]又は芳香族ジアミン誘導体[2b]とのモル比
([11/ [2al又は[2bコ)は110.9〜1
/1.1の範囲とするのが好ましい。その理由はこの範
囲以外であると、生成するポリアミドの分子量が低くな
るからである。特に好ましいモル比は110.98〜1
/1.02である。
芳香族ジカルボン酸ジハライドと芳香族ジアミン又は芳
香族ジアミン誘導体との仕込み量は、下式を満たすよう
に定められる。
香族ジアミン誘導体との仕込み量は、下式を満たすよう
に定められる。
WPA/WPES = 1 / 99〜99 / 1(
ここにWPAは、芳香族ジカルボン酸)1ライドと芳香
族ジアミン又は芳香族ジアミン誘導体から100%の収
率で生成するポリアミドの重量(g)を示し、W、。5
は仕込まれたポリエーテルスルホンの重量(g)を示す
) その理由は、WPA/WPESが上記範囲外となると、
重縮合反応後に得られる反応液をキャスト成形して得ら
れたフィルムを熱処理しても好ましい耐熱性を示さない
からである。特に好ましいW、A/W P E Sは8
0/20〜50150である。
ここにWPAは、芳香族ジカルボン酸)1ライドと芳香
族ジアミン又は芳香族ジアミン誘導体から100%の収
率で生成するポリアミドの重量(g)を示し、W、。5
は仕込まれたポリエーテルスルホンの重量(g)を示す
) その理由は、WPA/WPESが上記範囲外となると、
重縮合反応後に得られる反応液をキャスト成形して得ら
れたフィルムを熱処理しても好ましい耐熱性を示さない
からである。特に好ましいW、A/W P E Sは8
0/20〜50150である。
またジアミン成分として、芳香族ジアミン[2a]を用
いた場合、酸受容体[3]の仕込み量は、[3] /
[2a]のモル比が2/1〜20/1となる量が好まし
い。その理由は、モル比が271未満であると重縮合反
応により副生ずるハロゲン化水素酸(HX)が重合体に
残存することがあり、これが重合体の性質に悪影響を及
ぼす可能性があり、一方20/1を超えると、酸受容剤
の量が多くなり、これが重合体の貧溶媒として作用し、
均一に重縮合反応が進行しない可能性があるからである
。特に好ましいモル比は10/1またはその近傍である
。
いた場合、酸受容体[3]の仕込み量は、[3] /
[2a]のモル比が2/1〜20/1となる量が好まし
い。その理由は、モル比が271未満であると重縮合反
応により副生ずるハロゲン化水素酸(HX)が重合体に
残存することがあり、これが重合体の性質に悪影響を及
ぼす可能性があり、一方20/1を超えると、酸受容剤
の量が多くなり、これが重合体の貧溶媒として作用し、
均一に重縮合反応が進行しない可能性があるからである
。特に好ましいモル比は10/1またはその近傍である
。
重縮合温度は、ジアミン成分として芳香族ジアミンを用
い、酸受容剤を用いる場合と、ジアミン成分として芳香
族ジアミン誘導体を用いる場合とで異なる。すなわち、
前者の場合は、−30〜30℃の温度範囲で重縮合反応
を行うのが好ましい。その理由は、−30℃未満である
と、重合体が析出したりあるいは溶媒が凍結する可能性
があり、一方、30℃を超えると、低沸点の酸受容剤が
蒸発する可能性があるからである。特に好ましくは、−
10〜20℃である。後者の場合は、−30〜165℃
の温度範囲で重縮合反応を行うのが好ましい。その理由
は、−30℃未満であると、重合体が析出したりあるい
は溶媒が凍結する可能性があり、一方、165℃を超え
ると、重合体が溶媒により劣化あるいは分解される可能
性があるからである。特に好ましくは、−10〜50℃
である。
い、酸受容剤を用いる場合と、ジアミン成分として芳香
族ジアミン誘導体を用いる場合とで異なる。すなわち、
前者の場合は、−30〜30℃の温度範囲で重縮合反応
を行うのが好ましい。その理由は、−30℃未満である
と、重合体が析出したりあるいは溶媒が凍結する可能性
があり、一方、30℃を超えると、低沸点の酸受容剤が
蒸発する可能性があるからである。特に好ましくは、−
10〜20℃である。後者の場合は、−30〜165℃
の温度範囲で重縮合反応を行うのが好ましい。その理由
は、−30℃未満であると、重合体が析出したりあるい
は溶媒が凍結する可能性があり、一方、165℃を超え
ると、重合体が溶媒により劣化あるいは分解される可能
性があるからである。特に好ましくは、−10〜50℃
である。
重縮合反応は、窒素雰囲気などの不活性ガス雰囲気にし
て常圧又は加圧下に行うのが好ましく、特に常圧で行う
のが好ましい。ジアミン成分として芳香族ジアミンを用
い、酸受容剤を用いる場合には、減圧にすると低沸点の
酸受容剤が揮散する可能性があるので、減圧下に重縮合
反応を行うことは避けるべきであるが、ジアミン成分と
して芳香族ジアミン誘導体を用い、酸受容体を用いない
場合は、減圧下に重縮合反応を行うこともできる。
て常圧又は加圧下に行うのが好ましく、特に常圧で行う
のが好ましい。ジアミン成分として芳香族ジアミンを用
い、酸受容剤を用いる場合には、減圧にすると低沸点の
酸受容剤が揮散する可能性があるので、減圧下に重縮合
反応を行うことは避けるべきであるが、ジアミン成分と
して芳香族ジアミン誘導体を用い、酸受容体を用いない
場合は、減圧下に重縮合反応を行うこともできる。
重縮合時間は100時間以内とするのが好ましい。特に
好ましい重合時間は数分〜24時間である。
好ましい重合時間は数分〜24時間である。
次に方法(I)における重縮合反応操作法の一例ついて
述べる。
述べる。
先ず、ポリエーテルスルホンの有機系極性溶媒溶液に芳
香族ジアミン又はその誘導体を添加し、室温で溶解する
。次に、得られた溶液を一10℃に冷却する。ジアミン
成分として芳香族ジアミンを用いた場合は酸受容剤を添
加する。次に芳香族ジカルボン酸ジハライドを添加し、
上述の重縮合条件で重縮合反応を行い、ポリアミド−ポ
リエーテルスルホン組成物を含む反応溶液を得る。
香族ジアミン又はその誘導体を添加し、室温で溶解する
。次に、得られた溶液を一10℃に冷却する。ジアミン
成分として芳香族ジアミンを用いた場合は酸受容剤を添
加する。次に芳香族ジカルボン酸ジハライドを添加し、
上述の重縮合条件で重縮合反応を行い、ポリアミド−ポ
リエーテルスルホン組成物を含む反応溶液を得る。
重縮合反応によりポリアミドが生成していることは、上
記反応溶液の一部を大量のメタノール中に注ぎ、沈殿し
たポリマーを、濾取、乾燥後、IRスペクトルの測定お
よび元素分析の測定を行うことにより確認できる。
記反応溶液の一部を大量のメタノール中に注ぎ、沈殿し
たポリマーを、濾取、乾燥後、IRスペクトルの測定お
よび元素分析の測定を行うことにより確認できる。
また得られたポリアミド−ポリエーテルスルホン組成物
中のポリアミドのηInkを求めたところ、ηlnhが
1.6〜8.0d1/lrの高分子量ポリアミドも生成
し得ることが確認され、従来の溶液ブレンド法では不可
能であった高分子ポリアミドを含むポリアミド−ポリエ
ーテルスルホン組成物の製造が可能であることが明らか
となった。
中のポリアミドのηInkを求めたところ、ηlnhが
1.6〜8.0d1/lrの高分子量ポリアミドも生成
し得ることが確認され、従来の溶液ブレンド法では不可
能であった高分子ポリアミドを含むポリアミド−ポリエ
ーテルスルホン組成物の製造が可能であることが明らか
となった。
次に、上で得られたポリアミド−ポリエーテルスルホン
組成物を含む反応溶液をキャスト成形する。このキャス
ト成形の詳細は以下の通りである。
組成物を含む反応溶液をキャスト成形する。このキャス
ト成形の詳細は以下の通りである。
このキャスト成形は脱泡工程と乾燥工程とからなる。脱
泡工程は、反応溶液をガラス板などの板に直接キャスト
し、真空乾燥機に入れて減圧処理することにより行われ
る。その際の減圧度は10〜30mmHgとするのが好
ましい。その理由は、10關Hg未満では、脱泡工程に
おいて急激に溶媒が蒸発して発泡する危険性があり、一
方30IIJIIHgを超えると、脱泡工程後の乾燥工
程において急激に溶媒が蒸発して発泡する危険性がある
からである。また温度は一30〜40℃とするのが好ま
しい。好ましい上限として40℃を選択した理由は、4
0℃を超え、例えば50〜100℃以上となると急激に
溶媒が蒸発して発泡する可能性があり、また50℃以上
ではポリアミドとポリエーテルスルホンとが相分離し、
後述の熱処理時にポリアミドが結晶化しにくくなる可能
性があるからである。また好ましい下限として一30℃
を選択した理由は、−30℃未満であると溶媒が凍結し
て脱泡ができなくなる可能性があるからである。
泡工程は、反応溶液をガラス板などの板に直接キャスト
し、真空乾燥機に入れて減圧処理することにより行われ
る。その際の減圧度は10〜30mmHgとするのが好
ましい。その理由は、10關Hg未満では、脱泡工程に
おいて急激に溶媒が蒸発して発泡する危険性があり、一
方30IIJIIHgを超えると、脱泡工程後の乾燥工
程において急激に溶媒が蒸発して発泡する危険性がある
からである。また温度は一30〜40℃とするのが好ま
しい。好ましい上限として40℃を選択した理由は、4
0℃を超え、例えば50〜100℃以上となると急激に
溶媒が蒸発して発泡する可能性があり、また50℃以上
ではポリアミドとポリエーテルスルホンとが相分離し、
後述の熱処理時にポリアミドが結晶化しにくくなる可能
性があるからである。また好ましい下限として一30℃
を選択した理由は、−30℃未満であると溶媒が凍結し
て脱泡ができなくなる可能性があるからである。
特に好ましい温度は、0℃〜室温である。また脱泡時間
は10分〜3時間とするのが好ましい。その理由は、1
0分未満では脱泡が不十分となり、3時間を超えるとポ
リアミドが相分離する可能性があるからである。
は10分〜3時間とするのが好ましい。その理由は、1
0分未満では脱泡が不十分となり、3時間を超えるとポ
リアミドが相分離する可能性があるからである。
前記の脱泡工程後に乾燥工程が行われる。この乾燥工程
は第1、第2および第3の乾燥段階により行うのが好ま
しい。
は第1、第2および第3の乾燥段階により行うのが好ま
しい。
第1の乾燥段階の条件は、温度を0〜40℃とし、減圧
度をlmmHg以下として、時間を6時間以上とするの
が好ましい。好ましい温度を0〜40℃とする理由は、
0℃未満であると、溶媒が蒸発しにくく、ボリア・ミド
とポリエーテルスルホンが相分離する可能性があり、一
方50℃を超えると、溶媒は蒸発しやすいが、同時に、
ポリアミドとポリエーテルスルホンが相分離しやすくな
るからである。また好ましい減圧度をlmmHg以下と
する理由は、lmmHgを超えると、溶媒が蒸発しにく
くなり、ポリアミドとポリエーテルスルホンが相分離す
る可能性があるからである。また好ましい乾燥時間を6
時間以上とする理由は、6時間未満では、溶媒がかなり
残っている状態であり、この状態で次の第2の乾燥段階
に移ると、相分離しやすくなるからである。
度をlmmHg以下として、時間を6時間以上とするの
が好ましい。好ましい温度を0〜40℃とする理由は、
0℃未満であると、溶媒が蒸発しにくく、ボリア・ミド
とポリエーテルスルホンが相分離する可能性があり、一
方50℃を超えると、溶媒は蒸発しやすいが、同時に、
ポリアミドとポリエーテルスルホンが相分離しやすくな
るからである。また好ましい減圧度をlmmHg以下と
する理由は、lmmHgを超えると、溶媒が蒸発しにく
くなり、ポリアミドとポリエーテルスルホンが相分離す
る可能性があるからである。また好ましい乾燥時間を6
時間以上とする理由は、6時間未満では、溶媒がかなり
残っている状態であり、この状態で次の第2の乾燥段階
に移ると、相分離しやすくなるからである。
第2の乾燥段階の条件は、温度を60〜120℃とし、
減圧度をlmmHg以下として、時間を6時間以上とす
るのが好ましい。好ましい温度を60〜120℃とする
理由は、60℃未満であると、前記の第1の乾燥段階に
おける好ましい温度の上限(40℃)と温度差が少なく
、第2の乾燥段階を設ける意味がなく、また120℃を
超えると、急激に溶媒が蒸発して発泡する可能性があり
、また相分離の可能性もあるからである。また好ましい
減圧度をllmHg以下とする理由は、lnmHgを超
えると、溶媒が蒸発しにくくなり、ポリアミドとポリエ
ーテルスルホンが相分離する可能性があるからである。
減圧度をlmmHg以下として、時間を6時間以上とす
るのが好ましい。好ましい温度を60〜120℃とする
理由は、60℃未満であると、前記の第1の乾燥段階に
おける好ましい温度の上限(40℃)と温度差が少なく
、第2の乾燥段階を設ける意味がなく、また120℃を
超えると、急激に溶媒が蒸発して発泡する可能性があり
、また相分離の可能性もあるからである。また好ましい
減圧度をllmHg以下とする理由は、lnmHgを超
えると、溶媒が蒸発しにくくなり、ポリアミドとポリエ
ーテルスルホンが相分離する可能性があるからである。
また好ましい乾燥時間を6時間以上とする理由は、6時
間未満では、溶媒がかなり残っている状態であり、この
状態で次の第3の乾燥段階に移ると、相分離しゃすくな
るからである。
間未満では、溶媒がかなり残っている状態であり、この
状態で次の第3の乾燥段階に移ると、相分離しゃすくな
るからである。
第3の乾燥段階の条件は、温度を180〜230℃とし
、減圧度を1miHg以下として、時間を6時間以上と
するのが好ましい。好ましい温度を180〜230℃と
する理由は、180”C未満であると、前記の第2の乾
燥段階における好ましい温度の上限(120℃)と温度
差が少なく、第3の乾燥段階を設ける意味がなく、また
230℃を超えると、ガラス転移点前後であるため、相
分離の可能性もあるからである。また好ましい減圧度を
lmmHg以下とする理由は、111IIIHgヲ超え
ると、溶媒が蒸発しにくくなり、ポリアミドとポリエー
テルスルホンが相分離する可能性があるからである。ま
た好ましい乾燥時間を6時間以上とする理由は、6時間
未満では、乾燥が不十分であるからである。
、減圧度を1miHg以下として、時間を6時間以上と
するのが好ましい。好ましい温度を180〜230℃と
する理由は、180”C未満であると、前記の第2の乾
燥段階における好ましい温度の上限(120℃)と温度
差が少なく、第3の乾燥段階を設ける意味がなく、また
230℃を超えると、ガラス転移点前後であるため、相
分離の可能性もあるからである。また好ましい減圧度を
lmmHg以下とする理由は、111IIIHgヲ超え
ると、溶媒が蒸発しにくくなり、ポリアミドとポリエー
テルスルホンが相分離する可能性があるからである。ま
た好ましい乾燥時間を6時間以上とする理由は、6時間
未満では、乾燥が不十分であるからである。
なお重縮合反応によるポリアミドの合成に際シて、酸受
容剤を用いない場合には、第2の乾燥段階の後、フィル
ムをガラス板などの板から剥離するのが好ましい。その
理由は、剥離しないと、フィルム中の何らかの残存物が
第3の乾燥段階において急激に蒸発してフィルムが発泡
する可能性があるからである。
容剤を用いない場合には、第2の乾燥段階の後、フィル
ムをガラス板などの板から剥離するのが好ましい。その
理由は、剥離しないと、フィルム中の何らかの残存物が
第3の乾燥段階において急激に蒸発してフィルムが発泡
する可能性があるからである。
上記乾燥工程の後に、ガラス板などの板から剥離したフ
ィルムは、熱処理するのが好ましい。その理由は、上記
の重縮合反応および直接キャスト成形(脱泡および乾燥
)を経た後、熱処理して得られた熱処理フィルムは、従
来の溶液ブレンド法により得られた熱処理フィルムより
も耐熱性が向上するからである。この熱処理の好ましい
温度条件としては、250〜350℃が挙げられる。そ
の理由は、250℃未満であると、結晶化しないか、ま
たは結晶化するのに長時間を要し、一方350℃を超え
ると、ポリマーが熱劣化するからである。また好ましい
熱処理時間は数十分〜24時間である。その理由は数十
分未満であると、結晶化が不十分であり、一方24時間
を超えると、ポリマーが熱劣化するからである。この熱
処理は、窒素雰囲気などの不活性雰囲気下に加圧、常圧
または減圧下に行われる。
ィルムは、熱処理するのが好ましい。その理由は、上記
の重縮合反応および直接キャスト成形(脱泡および乾燥
)を経た後、熱処理して得られた熱処理フィルムは、従
来の溶液ブレンド法により得られた熱処理フィルムより
も耐熱性が向上するからである。この熱処理の好ましい
温度条件としては、250〜350℃が挙げられる。そ
の理由は、250℃未満であると、結晶化しないか、ま
たは結晶化するのに長時間を要し、一方350℃を超え
ると、ポリマーが熱劣化するからである。また好ましい
熱処理時間は数十分〜24時間である。その理由は数十
分未満であると、結晶化が不十分であり、一方24時間
を超えると、ポリマーが熱劣化するからである。この熱
処理は、窒素雰囲気などの不活性雰囲気下に加圧、常圧
または減圧下に行われる。
上述したように、この方法(I)によれば、ポリエーテ
ルスルホンの有機系極性溶媒溶液中で、芳香族ジカルボ
ン酸ジハライドと芳香族ジアミン又はその誘導体との重
縮合反応を行い、ポリアミドをその場で生成させるので
、予めポリアミドを製造する必要がない。従って予めポ
リアミドを製造する場合に必要な、反応後の濾過、乾燥
などの工程を行う必要がないので、操作が極めて簡便で
あるという利点がある。また操作が極めて簡便であるこ
とから、得られるポリアミド−ポリエーテルスルホン組
成物の収率が極めて高いという利点もある。
ルスルホンの有機系極性溶媒溶液中で、芳香族ジカルボ
ン酸ジハライドと芳香族ジアミン又はその誘導体との重
縮合反応を行い、ポリアミドをその場で生成させるので
、予めポリアミドを製造する必要がない。従って予めポ
リアミドを製造する場合に必要な、反応後の濾過、乾燥
などの工程を行う必要がないので、操作が極めて簡便で
あるという利点がある。また操作が極めて簡便であるこ
とから、得られるポリアミド−ポリエーテルスルホン組
成物の収率が極めて高いという利点もある。
また従来の溶液ブレンド法では高分子量(η1..b
= 1. 6 d 1/g以上)のポリアミドは使用で
きなかったが、上記方法(I)によれば、このような高
分子量ポリアミドをその場で生成させることかできるの
で、高分子量ポリアミドを含むポリアミド−ポリエーテ
ルスルホン組成物からなるフィルムを得ることができる
という利点がある。
= 1. 6 d 1/g以上)のポリアミドは使用で
きなかったが、上記方法(I)によれば、このような高
分子量ポリアミドをその場で生成させることかできるの
で、高分子量ポリアミドを含むポリアミド−ポリエーテ
ルスルホン組成物からなるフィルムを得ることができる
という利点がある。
さらにキャスト成形後のフィルムを熱処理することによ
り高耐熱性フィルムを得ることができるという利点もあ
る。
り高耐熱性フィルムを得ることができるという利点もあ
る。
次に方法(II)について説明する。この方法(n)は
、有機系極性溶媒中で、芳香族ジカルボン酸ジハライド
と芳香族ジアミン又はその誘導体との重縮合反応を行い
、重縮合反応が完結する前にポリエーテルスルホンを添
加し、混合しなから重縮合反応を完結させて得られる反
応液をキャスト成形することを特徴とするものであり、
用いられる芳香族ジカルボン酸ジハライド、芳香族ジア
ミン又はその誘導体、有機系極性溶媒およびポリ、エー
テルスルホンは、方法(I)で用いられたものがそのま
ま使用されるので、これらの説明は省略する。またジア
ミン成分として芳香族ジアミンを用いる場合に、酸受容
剤を用いるのが好ましいことも方法(I)の場合と同様
である。
、有機系極性溶媒中で、芳香族ジカルボン酸ジハライド
と芳香族ジアミン又はその誘導体との重縮合反応を行い
、重縮合反応が完結する前にポリエーテルスルホンを添
加し、混合しなから重縮合反応を完結させて得られる反
応液をキャスト成形することを特徴とするものであり、
用いられる芳香族ジカルボン酸ジハライド、芳香族ジア
ミン又はその誘導体、有機系極性溶媒およびポリ、エー
テルスルホンは、方法(I)で用いられたものがそのま
ま使用されるので、これらの説明は省略する。またジア
ミン成分として芳香族ジアミンを用いる場合に、酸受容
剤を用いるのが好ましいことも方法(I)の場合と同様
である。
方法(II)における重縮合反応の条件も基本的に方法
(I)の場合と同様であるので、下記の相違点(イ)お
よび(ロ)のみについて説明する。
(I)の場合と同様であるので、下記の相違点(イ)お
よび(ロ)のみについて説明する。
(イ)方法(II)においては芳香族ジカルボン酸ジハ
ライドと芳香族ジアミン又はその誘導体とを有機系極性
溶媒中に添加して混合するが、有機系極性溶媒中の芳香
族ジカルボン酸ハライドと芳香族ジアミン又はその誘導
体の濃度(%)は、式 %式% (ココにWPAは、芳香族ジカルボン酸ハライドと芳香
族ジアミン又はその誘導体から100%の収率で生成す
るポリアミドの重量(g)を示し・VSOLvは溶媒の
容量(7d)を示す)により計算したときに、その値が
0. 1〜50%となる範囲が好ましい。その理由は、
0.1%未満ではモノマー濃度が低くなり、生成するポ
リアミドの分子量が低くなる可能性があり、一方50%
を超えると重縮合反応中に重合体が沈殿する可能性があ
るからである。特に好ましい範囲は3〜15%である。
ライドと芳香族ジアミン又はその誘導体とを有機系極性
溶媒中に添加して混合するが、有機系極性溶媒中の芳香
族ジカルボン酸ハライドと芳香族ジアミン又はその誘導
体の濃度(%)は、式 %式% (ココにWPAは、芳香族ジカルボン酸ハライドと芳香
族ジアミン又はその誘導体から100%の収率で生成す
るポリアミドの重量(g)を示し・VSOLvは溶媒の
容量(7d)を示す)により計算したときに、その値が
0. 1〜50%となる範囲が好ましい。その理由は、
0.1%未満ではモノマー濃度が低くなり、生成するポ
リアミドの分子量が低くなる可能性があり、一方50%
を超えると重縮合反応中に重合体が沈殿する可能性があ
るからである。特に好ましい範囲は3〜15%である。
(ロ)重合操作法の一例について述べると以下の通りで
ある。すなわち、先ず芳香族ジアミン又はその誘導体を
室温で有機系極性溶媒中に溶解する。次に、溶液を一1
0℃に冷却する。ジアミン成分として芳香族ジカルボン
酸を用いた場合には、酸受容剤を添加する。その後、芳
香族ジカルボン酸ジハライドを添加して、上述の条件下
に重縮合反応を行う。
ある。すなわち、先ず芳香族ジアミン又はその誘導体を
室温で有機系極性溶媒中に溶解する。次に、溶液を一1
0℃に冷却する。ジアミン成分として芳香族ジカルボン
酸を用いた場合には、酸受容剤を添加する。その後、芳
香族ジカルボン酸ジハライドを添加して、上述の条件下
に重縮合反応を行う。
この方法(II)においては、前記の如く、先ず芳香族
ジカルボン酸ジハライドと芳香族ジアミン又はその誘導
体との重縮合反応を行うが、重縮合反応が完結する前に
ポリエーテルスルホンを添加し、混合して重縮合反応を
完結させる。ポリエーテルスルホンはそのまま又は有機
系極性溶媒に溶解して添加される。ポリエーテルスルホ
ンの添加量は、式 %式% (ここにW、Aは、芳香族ジカルボン酸ジハライドと芳
香族ジアミン又はその誘導体から100%の収率で生成
するポリアミドの重量(g)を示し、W、。Sは、仕込
まれるポリエーテルスルホンの重量(g)を示す) により計算したときに、その値が1/99〜99/1と
なるような範囲が好ましい。その理由は、上記の範囲以
外であると、得られるポリアミド−ポリエーテルスルホ
ン組成物を成形して得られる成形物を熱処理しても好ま
しい耐熱性を示さないからである。特に好ましい範囲は
80/20〜50150である。
ジカルボン酸ジハライドと芳香族ジアミン又はその誘導
体との重縮合反応を行うが、重縮合反応が完結する前に
ポリエーテルスルホンを添加し、混合して重縮合反応を
完結させる。ポリエーテルスルホンはそのまま又は有機
系極性溶媒に溶解して添加される。ポリエーテルスルホ
ンの添加量は、式 %式% (ここにW、Aは、芳香族ジカルボン酸ジハライドと芳
香族ジアミン又はその誘導体から100%の収率で生成
するポリアミドの重量(g)を示し、W、。Sは、仕込
まれるポリエーテルスルホンの重量(g)を示す) により計算したときに、その値が1/99〜99/1と
なるような範囲が好ましい。その理由は、上記の範囲以
外であると、得られるポリアミド−ポリエーテルスルホ
ン組成物を成形して得られる成形物を熱処理しても好ま
しい耐熱性を示さないからである。特に好ましい範囲は
80/20〜50150である。
ポリエーテルスルホンを添加後に得られる反応溶液をそ
のままキャスト成形してポリアミド−ポリエーテルスル
ホン組成物からなるフィルムを成形するが、このキャス
ト成形の方法も上記方法(I)におけると同一であるの
で、その説明は省略する。またキャスト成形後のフィル
ムを熱処理することもできる。この熱処理の方法も上記
方法(I)におけると同一であるので、その説明は省略
する。
のままキャスト成形してポリアミド−ポリエーテルスル
ホン組成物からなるフィルムを成形するが、このキャス
ト成形の方法も上記方法(I)におけると同一であるの
で、その説明は省略する。またキャスト成形後のフィル
ムを熱処理することもできる。この熱処理の方法も上記
方法(I)におけると同一であるので、その説明は省略
する。
上述したように、この方法(II)によれば、有機系極
性溶媒溶液中で、芳香族ジカルボン酸ジハライドと芳香
族ジアミン又はその誘導体との重縮合反応を行い、その
後ポリエーテルスルホンを添加するので、予めポリアミ
ドを製造する必要がない。従って予めポリアミドを製造
する場合に必要な、濾過、乾燥などの工程を行う必要が
ないので、操作が極めて簡便であるという利点がある。
性溶媒溶液中で、芳香族ジカルボン酸ジハライドと芳香
族ジアミン又はその誘導体との重縮合反応を行い、その
後ポリエーテルスルホンを添加するので、予めポリアミ
ドを製造する必要がない。従って予めポリアミドを製造
する場合に必要な、濾過、乾燥などの工程を行う必要が
ないので、操作が極めて簡便であるという利点がある。
また操作が極めて簡便であることから、得られるポリア
ミド−ポリエーテルスルホン組成物の収率が極めて高い
という利点もある。
ミド−ポリエーテルスルホン組成物の収率が極めて高い
という利点もある。
また従来の溶液ブレンド法では高分子量(ηI61.−
1.6dJ/g以上)のポリアミドは使用できなかった
が、上記方法(II)によれば、このような高分子量ポ
リアミドをその場で生成させることができるので、高分
子量ポリアミドを含むポリアミド−ポリエーテルスルホ
ン組成物からなるフィルムを得ることができるという利
点がある。
1.6dJ/g以上)のポリアミドは使用できなかった
が、上記方法(II)によれば、このような高分子量ポ
リアミドをその場で生成させることができるので、高分
子量ポリアミドを含むポリアミド−ポリエーテルスルホ
ン組成物からなるフィルムを得ることができるという利
点がある。
さらにキャスト成形後のフィルムを熱処理することによ
り高耐熱性フィルムを得ることができるという利点もあ
る。
り高耐熱性フィルムを得ることができるという利点もあ
る。
[実施例]
以下実施例により本発明をさらに説明するが、本発明は
これらの実施例に限定されるものでない。
これらの実施例に限定されるものでない。
実施例1(本発明の方法(I))
■重縮合工程
窒素ガス雰囲気下で0.7074gのポリエーテルスル
ホン(ICI社製ヴイクトレックス、ηInh−0,5
2di/g)を10厩のN、N−ジメチルアセトアミド
(DMAc)に溶解させた。
ホン(ICI社製ヴイクトレックス、ηInh−0,5
2di/g)を10厩のN、N−ジメチルアセトアミド
(DMAc)に溶解させた。
完全溶解後、1.723g (5mmojりのN。
N′−ビス(トリメチルシリル)−p、p’ −ジアミ
ノジフェニルエーテルを加えて、溶解させた。
ノジフェニルエーテルを加えて、溶解させた。
溶解後、溶液を20℃に保ち、続いてイソフタル酸クロ
リド1.015g (5mmoi)を固形のまま一度に
加え、20℃で20分間攪拌して重縮合反応を行った。
リド1.015g (5mmoi)を固形のまま一度に
加え、20℃で20分間攪拌して重縮合反応を行った。
反応後、重合液の一部を再沈精製し、ポリアミドのη、
、を測定した。
、を測定した。
なお、ポリアミドのη1..hの測定方法は以下の通り
である。
である。
(1)先ず仕込まれたポリエーテルスルホンのη3..
hと生成したポリアミド−ポリエーテルスルホン組成物
のηIr+hを下式によりそれぞれ実測する。
hと生成したポリアミド−ポリエーテルスルホン組成物
のηIr+hを下式によりそれぞれ実測する。
濃 度
ηlnh測定値を示す。
また再沈積製物のIRスペクトルより1650cI11
−1にアミドのC−0伸縮振動が認められ、ポリアミド
が生成していることが明らかである。また1160cm
−1に対称802伸縮振動が認められ、ポリエーテルス
ルホンが含まれていることも明らかである。元素分析結
果を以下に示す。
−1にアミドのC−0伸縮振動が認められ、ポリアミド
が生成していることが明らかである。また1160cm
−1に対称802伸縮振動が認められ、ポリエーテルス
ルホンが含まれていることも明らかである。元素分析結
果を以下に示す。
CHNS
計算値(%) 70.25 4.09 6.52 3
.20実測値(%) 6g、82 4.09 5.9
4 4.31(11)次に実測されたポリエーテルスル
ホンのη1.とポリアミド−ポリエーテルスルホン組成
物のηInhから外挿法により、生成したポリアミドの
η1..hを求める。
.20実測値(%) 6g、82 4.09 5.9
4 4.31(11)次に実測されたポリエーテルスル
ホンのη1.とポリアミド−ポリエーテルスルホン組成
物のηInhから外挿法により、生成したポリアミドの
η1..hを求める。
第1表に本実施例1で得られたポリアミドのIRスペク
トル及び元素分析結果から、得られたポリアミド−ポリ
エーテルスルホン組成物は下記構造を有することが確認
された。
トル及び元素分析結果から、得られたポリアミド−ポリ
エーテルスルホン組成物は下記構造を有することが確認
された。
ポリアミド(P A)
ポリエーテルスルホン(PES)
PA/PE5=70/30 (wt/wt)■キャス
ト成形工程 重合液をガラス板にキャストし、真空乾燥機に入れ、室
温、真空度的20mmHgで30分間脱泡を行い、続い
て、室温、真空度約1關Hg以下で24時間かけて第1
の乾燥を、次に100℃、真空度約1+nmHg以下で
24時間かけて第2の乾燥を行った。フィルムをガラス
板から剥離し、200℃、真空度約lmmHg以下で2
4時間かけて第3の乾燥を行った。
ト成形工程 重合液をガラス板にキャストし、真空乾燥機に入れ、室
温、真空度的20mmHgで30分間脱泡を行い、続い
て、室温、真空度約1關Hg以下で24時間かけて第1
の乾燥を、次に100℃、真空度約1+nmHg以下で
24時間かけて第2の乾燥を行った。フィルムをガラス
板から剥離し、200℃、真空度約lmmHg以下で2
4時間かけて第3の乾燥を行った。
■熱処理工程
フィルムを熱処理装置に入れ、300℃、真空度約lm
mHg以下で12時間熱処理を行った。熱処理フィルム
のガラス転移点及び貯蔵弾性率の測定を行った。これら
の測定は、下記の装置、試験片および測定条件を用いて
行った。
mHg以下で12時間熱処理を行った。熱処理フィルム
のガラス転移点及び貯蔵弾性率の測定を行った。これら
の測定は、下記の装置、試験片および測定条件を用いて
行った。
装置:東洋精機側製の動的粘弾性測定装置No、651
、レオログラフ ソリッド試験片: 26mmX 5u
iX 30〜50 tlmのフィルム 測定条件:チャック内距離・20mm、周波数 10
HZ % 測定温度範囲 室温〜400℃ 測定結果を第1表に示す。
、レオログラフ ソリッド試験片: 26mmX 5u
iX 30〜50 tlmのフィルム 測定条件:チャック内距離・20mm、周波数 10
HZ % 測定温度範囲 室温〜400℃ 測定結果を第1表に示す。
実施例2(本発明の方法(1))
■重縮合工程
窒素ガス雰囲気下で0.7074gのポリエーテルスル
ホン(IC1社製ヴイクトレックス、η+fih =0
..52dJ/g)を10dのN、 N−ジメチルア
セトアミド(DMAc)に溶解させた。完全溶解後、1
,723g (5mmo1)のN、N’−ビス(トリメ
チルシリル)=p、p−ジアミノジフェニルエーテルを
加えて、溶解させた。溶解後、溶液を塩−氷浴で冷却し
て一10℃にした後、続いて、イソフタル酸クロリド1
.025g (5,05mmoi)を固形のまま−度に
加え、−10℃で3時間攪拌して重縮合反応を行った。
ホン(IC1社製ヴイクトレックス、η+fih =0
..52dJ/g)を10dのN、 N−ジメチルア
セトアミド(DMAc)に溶解させた。完全溶解後、1
,723g (5mmo1)のN、N’−ビス(トリメ
チルシリル)=p、p−ジアミノジフェニルエーテルを
加えて、溶解させた。溶解後、溶液を塩−氷浴で冷却し
て一10℃にした後、続いて、イソフタル酸クロリド1
.025g (5,05mmoi)を固形のまま−度に
加え、−10℃で3時間攪拌して重縮合反応を行った。
反応後、重合液の一部を再沈精製し、実施例1と同様に
ポリアミドのηInhを測定した。
ポリアミドのηInhを測定した。
その結果を第1表に示す。
また、得られたポリアミド−ポリエーテルスルホン組成
物は、IRスペクトルおよび元素分析結果より、実施例
1と同じ化学構造および組成を有するものであることが
確認された。
物は、IRスペクトルおよび元素分析結果より、実施例
1と同じ化学構造および組成を有するものであることが
確認された。
■キャスト成形工程
重縮合工程で得られた重合液を、実施例1と同様にして
キャスト成形した。
キャスト成形した。
■熱処理工程
得られたフィルムを、実施例1と同様にして熱処理を行
った。得られたフィルムの性質を第1表に示す。
った。得られたフィルムの性質を第1表に示す。
実施例3(本発明の方法(I))
■重縮合工程
窒素ガス雰囲気下で0.7074gのポリエーテルスル
ホン(ICI社製ヴイクトレ・ソクス、ηInh =o
、52dA/g)を10−〇N、 N−ジメチルアセト
アミド(DMAc)に溶解させた。完全溶解後、1.7
230g (5mmoi)のN、N’−ビス(トリメチ
ルシリル)−p。
ホン(ICI社製ヴイクトレ・ソクス、ηInh =o
、52dA/g)を10−〇N、 N−ジメチルアセト
アミド(DMAc)に溶解させた。完全溶解後、1.7
230g (5mmoi)のN、N’−ビス(トリメチ
ルシリル)−p。
p′ −ジアミノジフェニルエーテルを加えて、溶解さ
せた。溶解後、溶液を塩−氷浴で一10℃に冷却し、続
いて、イソフタル酸クロリド1.0350g (5,1
mmonりを固形のまま一度に加え、−10℃で3時間
攪拌して重縮合反応を行った。反応後、重合液の一部を
再沈精製し、実施例1と同様にポリアミドのηInhを
測定した。その結果を第1表に示す。
せた。溶解後、溶液を塩−氷浴で一10℃に冷却し、続
いて、イソフタル酸クロリド1.0350g (5,1
mmonりを固形のまま一度に加え、−10℃で3時間
攪拌して重縮合反応を行った。反応後、重合液の一部を
再沈精製し、実施例1と同様にポリアミドのηInhを
測定した。その結果を第1表に示す。
また、得られたポリアミド−ポリエーテルスルホン組成
物は、IRスペクトルおよび元素分析結果より、実施例
1と同じ化学構造および組成を有するものであることが
確認された。
物は、IRスペクトルおよび元素分析結果より、実施例
1と同じ化学構造および組成を有するものであることが
確認された。
■キャスト成形工程
重縮合工程で得られ、に重合液を、実施例1と同様にし
てキャスト成形した。
てキャスト成形した。
■熱処理工程
得られたフィルムの熱処理温度を330℃で行ったほか
は、実施例1と同様にした。得られたフィルムの性質を
第1表に示す。
は、実施例1と同様にした。得られたフィルムの性質を
第1表に示す。
実施例4(本発明の方法(■))
■重縮合工程
窒素ガス雰囲気下で0.7074gのポリエーテルスル
ホン(ICI社製ヴイクトレックス、ηInh =0.
52di/g)を10dのN、 N−ジメチルアセト
アミド(DMAc)に溶解させた。完全溶解後、1.0
012g (5mmoi)の4,4′−ジアミノジフェ
ニルエーテルを加えて、溶解させた。溶解後、溶液を塩
−氷浴で一10℃に冷却し、続いて、3.5m(50m
mof)のプロピレンオキシドを加え、直ちにイソフタ
ル酸クロリド1.0151g (5mmof)を固形の
まま一度に加えた。−10℃で1時間攪拌し、続いて室
温で2時間攪拌して重縮合反応を行った。反応後、重合
液の一部を再沈精製し、実施例1と同様にポリアミドの
ηlnhを測定した。結果は第1表に示す。
ホン(ICI社製ヴイクトレックス、ηInh =0.
52di/g)を10dのN、 N−ジメチルアセト
アミド(DMAc)に溶解させた。完全溶解後、1.0
012g (5mmoi)の4,4′−ジアミノジフェ
ニルエーテルを加えて、溶解させた。溶解後、溶液を塩
−氷浴で一10℃に冷却し、続いて、3.5m(50m
mof)のプロピレンオキシドを加え、直ちにイソフタ
ル酸クロリド1.0151g (5mmof)を固形の
まま一度に加えた。−10℃で1時間攪拌し、続いて室
温で2時間攪拌して重縮合反応を行った。反応後、重合
液の一部を再沈精製し、実施例1と同様にポリアミドの
ηlnhを測定した。結果は第1表に示す。
また、得られたポリアミド−ポリエーテルスルホン組成
物は、IRスペクトルおよび元素分析結果より、実施例
1と同じ化学構造および組成を有するものであることが
確認された。
物は、IRスペクトルおよび元素分析結果より、実施例
1と同じ化学構造および組成を有するものであることが
確認された。
■キャスト成形工程
重合液をガラス板にキャストし、真空乾燥機に入れ、室
温、真空度的20mmHgで30分間脱泡を行い、続い
て、室温、真空度約lmmHg以下で24時間かけて第
1の乾燥を、次に100℃、真空度約lnmHg以下で
24時間かけて第2の乾燥を、更に200℃、真空度約
lmmHg以下で24時間かけて第3の乾燥を行った後
、最後にフィルムをガラス板から剥離した。
温、真空度的20mmHgで30分間脱泡を行い、続い
て、室温、真空度約lmmHg以下で24時間かけて第
1の乾燥を、次に100℃、真空度約lnmHg以下で
24時間かけて第2の乾燥を、更に200℃、真空度約
lmmHg以下で24時間かけて第3の乾燥を行った後
、最後にフィルムをガラス板から剥離した。
■熱処理工程
得られたフィルムの熱処理温度を330℃で行ったほか
は、実施例1と同様にした。得られたフィルムの性質を
第1表に示す。
は、実施例1と同様にした。得られたフィルムの性質を
第1表に示す。
実施例5(本発明の方法(1))
■重縮合工程
窒素ガス雰囲気下で1.10100Oのポリエーテルス
ルホン(ICI社製ヴイクトレックス、ηInh =0
.52df/g)を10蛇のN、N−ジメチルアセトア
ミド(DMAc)に溶解させた。完全溶解後、1.72
35g (5mmoi)のN、 N’−ビス(トリメ
チルシリル)−p。
ルホン(ICI社製ヴイクトレックス、ηInh =0
.52df/g)を10蛇のN、N−ジメチルアセトア
ミド(DMAc)に溶解させた。完全溶解後、1.72
35g (5mmoi)のN、 N’−ビス(トリメ
チルシリル)−p。
p −ジアミノジフェニルエーテルを加えて、溶解させ
た。溶解後、溶液を塩−氷浴で一10℃まで冷却し、続
いて、イソフタル酸クロリド1.0150g (5mm
oi)を固形のまま一度に加え、−10℃で3時間攪拌
して重縮合反応を行った。反応後、重合液の一部を再沈
精製し、実施例1と同様にポリアミドのη5..hを測
定した。
た。溶解後、溶液を塩−氷浴で一10℃まで冷却し、続
いて、イソフタル酸クロリド1.0150g (5mm
oi)を固形のまま一度に加え、−10℃で3時間攪拌
して重縮合反応を行った。反応後、重合液の一部を再沈
精製し、実施例1と同様にポリアミドのη5..hを測
定した。
結果は第1表に示す。
また、得られたポリアミド−ポリエーテルスルホン組成
物は、IRスペクトルおよび元素分析結果より、実施例
1と同じ化学構造を有し、その組成が、PA/PE5=
60/40 (wt/wt)であることが確認された。
物は、IRスペクトルおよび元素分析結果より、実施例
1と同じ化学構造を有し、その組成が、PA/PE5=
60/40 (wt/wt)であることが確認された。
■キャスト成形工程
重縮合工程で得られた重合液を、実施例1と同様にして
キャスト成形した。
キャスト成形した。
■熱処理工程
得られたフィルムを、実施例1と同様にして熱処理を行
った。得られたフィルムの性質を第1表に示す。
った。得られたフィルムの性質を第1表に示す。
実施例6(本発明の方法(I))
■重縮合工程
窒素ガス雰囲気下で1.1000gのポリエーテルスル
ホン(IC1社製ヴイクトレックス、η+nh =0.
52 d 1/ g)を10dのN、N−ジメチルア
セトアミド(DMAc)に溶解させた。完全溶解後、1
.0012g (5mmolの4.4′−ジアミノジフ
ェニルエーテルを加えて、溶解させた。溶解後、溶液を
塩−氷浴で一10℃に冷却し、続いて、3.5d(5m
mo1)のプロピレンオキシドを加え、直ちにイソフタ
ル酸クロリド1.0150g (5mmof)を固形の
まま一度に加えた。−10”Cで1時間攪拌し、続いて
、室温で14時間攪拌して重縮合反応を行った。反応後
、重合液の一部を再沈精製し、実施例1と同様にポリア
ミドのηInhを測定した。結果を第1表に示す。
ホン(IC1社製ヴイクトレックス、η+nh =0.
52 d 1/ g)を10dのN、N−ジメチルア
セトアミド(DMAc)に溶解させた。完全溶解後、1
.0012g (5mmolの4.4′−ジアミノジフ
ェニルエーテルを加えて、溶解させた。溶解後、溶液を
塩−氷浴で一10℃に冷却し、続いて、3.5d(5m
mo1)のプロピレンオキシドを加え、直ちにイソフタ
ル酸クロリド1.0150g (5mmof)を固形の
まま一度に加えた。−10”Cで1時間攪拌し、続いて
、室温で14時間攪拌して重縮合反応を行った。反応後
、重合液の一部を再沈精製し、実施例1と同様にポリア
ミドのηInhを測定した。結果を第1表に示す。
また、得られたポリアミド−ポリエーテルスルホン組成
物は、IRスペクトルおよび元素分析結果より、実施例
1と同じ化学構造を有し、その組成が、PA/PE5=
60/40 (wt/wt)であることが確認された。
物は、IRスペクトルおよび元素分析結果より、実施例
1と同じ化学構造を有し、その組成が、PA/PE5=
60/40 (wt/wt)であることが確認された。
■キャスト成形工程
重合液を実施例4と同様にしてキャスト成形した。
■熱処理工程
得られたフィルムの熱処理温度を330’Cで行ったほ
かは、実施例1と同様にした。得られたフィルムの性質
を第1表に示す。
かは、実施例1と同様にした。得られたフィルムの性質
を第1表に示す。
実施例7(本発明の方法(■))
■重縮合工程
窒素ガス雰囲気下で1.0012g (5mmoi)の
4,4′ −ジアミノジフェニルエーテルを10威のN
、 N−ジメチルアセトアミド(DMAc)に溶解させ
た。完全溶解後、溶液を塩−氷浴で一10℃に冷却し、
3.5m(50mmoi)のプロピレンオキシドを加え
、直ちにイソフタル酸クロリド1.0150g (5m
moi)を固形のまま一度に加えた。−10”Cで1時
間攪拌し、続いて、室温で・2時間攪拌して重縮合反応
を行った。
4,4′ −ジアミノジフェニルエーテルを10威のN
、 N−ジメチルアセトアミド(DMAc)に溶解させ
た。完全溶解後、溶液を塩−氷浴で一10℃に冷却し、
3.5m(50mmoi)のプロピレンオキシドを加え
、直ちにイソフタル酸クロリド1.0150g (5m
moi)を固形のまま一度に加えた。−10”Cで1時
間攪拌し、続いて、室温で・2時間攪拌して重縮合反応
を行った。
反応溶液に、ポリエーテルスルホン(ICI社製ヴイク
トレックス、η+nh =0.52d1/g)0.70
74gを加え、フラスコ内壁に付着しているポリエーテ
ルスルホンをDMAc 6rtdlでリンスした後、
室温で24時間攪拌下に反応を行った。その後、重合液
の一部を再沈精製して、実施例1と同様にしてポリアミ
ドのη1..hを測定した。
トレックス、η+nh =0.52d1/g)0.70
74gを加え、フラスコ内壁に付着しているポリエーテ
ルスルホンをDMAc 6rtdlでリンスした後、
室温で24時間攪拌下に反応を行った。その後、重合液
の一部を再沈精製して、実施例1と同様にしてポリアミ
ドのη1..hを測定した。
その結果を第1表に示す。
また、得られたポリアミド−ポリエーテルスルホン組成
物は、IRスペクトルおよび元素分析結果より、実施例
1と同じ化学構造および組成を有するものであることが
確認された。
物は、IRスペクトルおよび元素分析結果より、実施例
1と同じ化学構造および組成を有するものであることが
確認された。
■キャスト成形工程
重合液を実施例4と同様にしてキャスト成形した。
■熱処理工程
得られたフィルムの熱処理温度を330℃で行ったほか
は、実施例1と同様にした。得られたフィルムの性質を
第1表に示す。
は、実施例1と同様にした。得られたフィルムの性質を
第1表に示す。
実施例8(本発明の方法(■))
■重縮合工程
窒素ガス雰囲気下で1.7230g (5mmo1)の
N、 N’−ビス(トリメチルシリル)−p、 p’
−ジアミノジフェニルエーテルを10dのN、N−ジ
メチルアセトアミド(DMAc)に加えて、溶解させた
。溶解後、溶液を20℃に保ち、続いて、イソフタル酸
クロリド1.0150g (5mmoJ)を固形のまま
一度に加えた。
N、 N’−ビス(トリメチルシリル)−p、 p’
−ジアミノジフェニルエーテルを10dのN、N−ジ
メチルアセトアミド(DMAc)に加えて、溶解させた
。溶解後、溶液を20℃に保ち、続いて、イソフタル酸
クロリド1.0150g (5mmoJ)を固形のまま
一度に加えた。
20℃で30分間攪拌して重縮合反応を行った。
この反応溶液に、ポリエーテルスルホン(IC1社製ヴ
イクトレックス、ηInk −0,52d1/g)0.
7074gを加え、フラスコ内壁に付着したポリエーテ
ルスルホンをジメチルアセトアミド6Idでリンスした
後、室温で24時間攪拌下に反応を行った。反応後、重
合液の一部を再沈精製し、実施例1と同様にしてポリア
ミドのηlnhを測定した。その結果を第1表に示す。
イクトレックス、ηInk −0,52d1/g)0.
7074gを加え、フラスコ内壁に付着したポリエーテ
ルスルホンをジメチルアセトアミド6Idでリンスした
後、室温で24時間攪拌下に反応を行った。反応後、重
合液の一部を再沈精製し、実施例1と同様にしてポリア
ミドのηlnhを測定した。その結果を第1表に示す。
また、得られたポリアミド−ポリエーテルスルホン組成
物は、IRスペクトルおよび元素分析結果より、実施例
1と同じ化学構造および組成を有するものであることが
確認された。
物は、IRスペクトルおよび元素分析結果より、実施例
1と同じ化学構造および組成を有するものであることが
確認された。
■キャスト成形工程
重縮合工程で得られた重合液を、実施例1と同様にして
キャスト成形した。
キャスト成形した。
■熱処理工程
得られたフィルムを、実施例1と同様にして熱処理を行
った。得られたフィルムの性質を第1表に示す。
った。得られたフィルムの性質を第1表に示す。
比較例1(従来の溶液ブレンド法)
Polymer Journal、Vol。
22、No、1.80 (1990)に記載された、従
来の溶液ブレンド法により、ポリアミド−ポリエーテル
スルホン組成物からなるフィルムを製造した。
来の溶液ブレンド法により、ポリアミド−ポリエーテル
スルホン組成物からなるフィルムを製造した。
■重縮合工程
窒素ガス雰囲気下で1.0012g (5mmoオ)の
4,4′−ジアミノジフェニルエーテルを10.dのN
、 N−ジメチルアセトアミド(DMAc)に溶解させ
た。溶解後、溶液を塩−氷浴で一10℃に冷却し、イソ
フタル酸クロリド1.0150g (5mmoi)を固
形のまま一度に加えた。−10℃で1時間攪拌し、続い
て、室温で2時間攪拌して重縮合反応を行った。反応後
、重合液を、DMAcを加えて希釈し500dのメタノ
ールに注ぎ、白色のポリマーを沈殿させた。
4,4′−ジアミノジフェニルエーテルを10.dのN
、 N−ジメチルアセトアミド(DMAc)に溶解させ
た。溶解後、溶液を塩−氷浴で一10℃に冷却し、イソ
フタル酸クロリド1.0150g (5mmoi)を固
形のまま一度に加えた。−10℃で1時間攪拌し、続い
て、室温で2時間攪拌して重縮合反応を行った。反応後
、重合液を、DMAcを加えて希釈し500dのメタノ
ールに注ぎ、白色のポリマーを沈殿させた。
濾別後、ポリマーをメタノール中で還流下に約1時間処
理し、80℃で1昼夜減圧乾燥した。得られたポリマー
の収量は、1.65g (100%)、ηlnhは1.
4dl/gであった。
理し、80℃で1昼夜減圧乾燥した。得られたポリマー
の収量は、1.65g (100%)、ηlnhは1.
4dl/gであった。
■溶液ブレンド工程
上記■で得られたポリアミド0.5gをDMAc3.
3tydlに溶解した溶液とポリエーテルスルホン(I
CI社製ヴイクトレックス、η1..h−0,52df
/g)0.15gをDMAcl、0−に溶解した溶液と
を混合し、24時間攪拌して、ポリアミドとポリエーテ
ルスルホンを含む溶液を得た。
3tydlに溶解した溶液とポリエーテルスルホン(I
CI社製ヴイクトレックス、η1..h−0,52df
/g)0.15gをDMAcl、0−に溶解した溶液と
を混合し、24時間攪拌して、ポリアミドとポリエーテ
ルスルホンを含む溶液を得た。
■キャスト成形工程
ポリアミドとポリエーテルスルホンを含む溶液をガラス
板にキャストし、真空乾燥機に入れ、室温、真空度的2
0mmHgで30分間脱泡を行い、続いて、室温、真空
度的IIllIllHg以下で24時間かけて第1の乾
燥を、次に100℃、真空度約llllmHg以下で2
4時間かけて第2の乾燥を、更に200℃、真空度約l
mmHg以下で24時間かけて第3の乾燥を行った後、
フィルムをガラス板から剥離した。
板にキャストし、真空乾燥機に入れ、室温、真空度的2
0mmHgで30分間脱泡を行い、続いて、室温、真空
度的IIllIllHg以下で24時間かけて第1の乾
燥を、次に100℃、真空度約llllmHg以下で2
4時間かけて第2の乾燥を、更に200℃、真空度約l
mmHg以下で24時間かけて第3の乾燥を行った後、
フィルムをガラス板から剥離した。
■熱処理工程
フィルムを熱処理装置に入れ、300℃、真空度約lm
mHg以下で12時間熱処理を行った。熱処理フィルム
のガラス転移点及び貯蔵弾性率の測定を実施例1と同様
にして行った結果を第1表に示す。
mHg以下で12時間熱処理を行った。熱処理フィルム
のガラス転移点及び貯蔵弾性率の測定を実施例1と同様
にして行った結果を第1表に示す。
比較例2
比較例1の■で得られたポリアミドのみを用い、ポリア
ミド溶液を比較例1と同様にキャスト成形し、熱処理し
てフィルムを得た。このフィルムのガラス転移点及び貯
蔵弾性率の測定を実施例1と同様にして行った結果を第
1表に示す。
ミド溶液を比較例1と同様にキャスト成形し、熱処理し
てフィルムを得た。このフィルムのガラス転移点及び貯
蔵弾性率の測定を実施例1と同様にして行った結果を第
1表に示す。
比較例3
ポリエーテルスルホン(ICI社製ヴイクトレックス、
ηInh =0.52df/g)を用い、この溶液をキ
ャスト成形してフィルムを得た。このフィルムのガラス
転移点及び貯蔵弾性率の測定を実施例1と同様にして行
った結果を第1表に示す。
ηInh =0.52df/g)を用い、この溶液をキ
ャスト成形してフィルムを得た。このフィルムのガラス
転移点及び貯蔵弾性率の測定を実施例1と同様にして行
った結果を第1表に示す。
(以下余白)
第1表より明らかなように、本発明の方法(I)で得ら
れた実施例1〜6のフィルムおよび本発明の方法(II
)で得られた実施例7〜8のフィルムは、貯蔵弾性率の
値が比較例1〜3のフィルムに比べて高く貯蔵安定性に
優れていることが確認された。
れた実施例1〜6のフィルムおよび本発明の方法(II
)で得られた実施例7〜8のフィルムは、貯蔵弾性率の
値が比較例1〜3のフィルムに比べて高く貯蔵安定性に
優れていることが確認された。
以上、第1表に基づき、実施例1〜8のフィルムが比較
例1〜3のフィルムよりも貯蔵安定性に優れていること
を述べてきたが、実施例1〜8のフィルム製造方法は、
比較例1のフィルムの製造方法に比べ、以下のような利
点を有する。すなわち、実施例1〜8では、重縮合反応
を行ってポリアミドを製造しつつポリアミド−ポリエー
テルスルホン組成物を得るので、重縮合反応を行ってポ
リアミドを製造した後にポリアミド−ポリエーテルスル
ホン組成物を得る比較例1に比べ、目的物を得るために
要する時間を約172〜3/4に減少させることができ
た。
例1〜3のフィルムよりも貯蔵安定性に優れていること
を述べてきたが、実施例1〜8のフィルム製造方法は、
比較例1のフィルムの製造方法に比べ、以下のような利
点を有する。すなわち、実施例1〜8では、重縮合反応
を行ってポリアミドを製造しつつポリアミド−ポリエー
テルスルホン組成物を得るので、重縮合反応を行ってポ
リアミドを製造した後にポリアミド−ポリエーテルスル
ホン組成物を得る比較例1に比べ、目的物を得るために
要する時間を約172〜3/4に減少させることができ
た。
[発明の効果]
以上のように、本発明によれば、ポリアミド−ポリエー
テルスルホン組成物からなるフィルムを簡単な製造操作
で短時間で安価に製造することができる方法を提供する
ことができる。また得られた熱処理フィルムは耐熱性お
よび貯蔵安定性に優れているので、電子、電気機器をは
じめとする広い分野において有用性の高いものである。
テルスルホン組成物からなるフィルムを簡単な製造操作
で短時間で安価に製造することができる方法を提供する
ことができる。また得られた熱処理フィルムは耐熱性お
よび貯蔵安定性に優れているので、電子、電気機器をは
じめとする広い分野において有用性の高いものである。
出願人 出光石油化学株式会社
代理人 弁理士 中 村 静 男
Claims (5)
- (1)ポリエーテルスルホンの有機系極性溶媒溶液中で
、芳香族ジカルボン酸ジハライドと芳香族ジアミン又は
その誘導体との重縮合反応を行って得られた反応液をキ
ャスト成形することを特徴とするポリアミド−ポリエー
テルスルホン組成物からなるフィルムの製造方法。 - (2)有機系極性溶媒中で、芳香族ジカルボン酸ジハラ
イドと芳香族ジアミン又はその誘導体との重縮合反応を
行い、重縮合反応が完結する前にポリエーテルスルホン
を添加し、混合して得られた反応液をキャスト成形する
ことを特徴とするポリアミド−ポリエーテルスルホン組
成物からなるフィルムの製造方法。 - (3)ポリアミド/ポリエーテルスルホンの重量比率が
80/20〜50/50である請求項(1)又は(2)
に記載の方法。 - (4)ポリアミドのη_i_n_hが1.6〜8.0d
l/gであり、ポリエーテルスルホンのη_i_n_h
が0.1〜2.0dl/gであり、かつポリアミド/ポ
リエーテルスルホンの重量比率が80/20〜50/5
0であるポリアミド−ポリエーテルスルホン組成物から
成形されたフィルム。 - (5)請求項(4)に記載のフィルムを250〜350
℃で熱処理して得られる熱処理フィルム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11709590A JPH0413732A (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | ポリアミド―ポリエ―テルスルホン組成物からなるフィルムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11709590A JPH0413732A (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | ポリアミド―ポリエ―テルスルホン組成物からなるフィルムの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0413732A true JPH0413732A (ja) | 1992-01-17 |
Family
ID=14703275
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11709590A Pending JPH0413732A (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | ポリアミド―ポリエ―テルスルホン組成物からなるフィルムの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0413732A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005232240A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Toyobo Co Ltd | 高分子固体電解質膜の製造方法 |
JP2007238655A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Toray Ind Inc | 芳香族ポリアミド組成物の製造方法、組成物及びそれからなるフィルム |
-
1990
- 1990-05-07 JP JP11709590A patent/JPH0413732A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005232240A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Toyobo Co Ltd | 高分子固体電解質膜の製造方法 |
JP4534126B2 (ja) * | 2004-02-18 | 2010-09-01 | 東洋紡績株式会社 | 高分子固体電解質膜の製造方法 |
JP2007238655A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Toray Ind Inc | 芳香族ポリアミド組成物の製造方法、組成物及びそれからなるフィルム |
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