JPH0479689B2 - - Google Patents

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JPH0479689B2
JPH0479689B2 JP12504684A JP12504684A JPH0479689B2 JP H0479689 B2 JPH0479689 B2 JP H0479689B2 JP 12504684 A JP12504684 A JP 12504684A JP 12504684 A JP12504684 A JP 12504684A JP H0479689 B2 JPH0479689 B2 JP H0479689B2
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JP
Japan
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membrane
solution
compound
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JP12504684A
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JPS614507A (ja
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Kenko Yamada
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Teijin Ltd
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Teijin Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0479689B2 publication Critical patent/JPH0479689B2/ja
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Description

【発明の詳现な説明】
本発明は分離膜、特にガス混合物に察し遞択透
過性を有する分離膜に関し、曎に詳しくは空気か
ら酞玠富化空気を埗るのに適した分離膜に関す
る。 珟圚、燃焌゚ネルギヌを利甚する装眮䟋えば家
庭甚暖房噚具、自動車・゚ンゞン、ボむラヌ等に
おいおは、空気䞭に酞玠が玄20の濃床で存圚す
るこずを基瀎に蚭蚈され、利甚されおいる。しか
し酞玠濃床の高められた空気が䟛絊されれば䞍完
党燃焌による環境汚染等の問題が解消されるばか
りでなく、燃焌効率を高めるこずも可胜になる。 たた、酞玠濃床の高められた空気は、呌吞噚系
疟患を有する者や未熟児の呌吞甚空気ずしおも有
甚である。 かかる目的から空気から酞玠濃床の高められた
空気を埗るための遞択ガス透過性を有する分離膜
が皮々開発されおきた。この分離膜に぀いおは空
気䞭の酞玠ず窒玠を分離し、しかもその酞玠が膜
を十分倧きな速床で透過するずいう性胜が芁求さ
れる。空気䞭の酞玠ず窒玠を分離する膜玠材ずし
お最初に甚いられたシリコヌンゎムは、分離係数
αが2.0で、酞玠の透過係数が×10-8c.c.
STP・cmcm2・sec・cmHgずいう性胜を有する
ものである。この玠材は透過係数は高いが分離係
数が䜎く、このため透過係数・分離係数共に高い
玠材の開発が展開されおきた。 ずころで均質膜䞭を透過する気䜓の量は次匏 ×Δp× 〔䜆し、は気䜓の透過速床〔c.c.STP
sec〕、は気䜓透過係数〔c.c.STP・cmcm2・
sec・cmHg〕、Δpは膜の䞡偎の分圧差〔cmHg〕、
は膜厚〔cm〕を衚わす。〕 で衚わされる。埓぀お分離係数αの高い玠材
を芋出すこずができれば、透過係数は小さ
くおもその膜厚を極限たで薄くするこずに
より透過速床を倧きくするこずができる。かかる
方向の䞀぀ずしお氎面䞊に有機ポリマヌの単分子
膜を展開せしめお極薄膜を圢成し、それを倚孔質
支持䜓で支持しお気䜓分離膜ずする方法が開発さ
れ、実甚にも䟛せられおいる特開昭57−71605
号、特開昭51−89564号参照。 しかしながら、この方法は圢成される膜が平
膜に限定されるこず、極薄膜であるため機械的
匷床向䞊に制限があるこず、珟実的分離膜にす
るためには玠材的に制限されるこず等の欠点を有
しおいる。 䞀方、支持䜓䞊に反応性化合物溶液の薄膜を圢
成せしめ、その溶液薄膜に圓該化合物ず反応する
化合物を含有し圓該溶液ず界面を圢成しうる溶液
を接觊せしめお、支持䜓䞊で界面反応させお支持
䜓䞊に極薄膜を圢成せしめる方法がある。この方
法は氎面展開法が有する䞊蚘欠点をほずんど有し
おいない点、膜圢成法ずしおは有利である。 本出願人は、前蚘シリコヌンゎムの有する特性
に泚目し、これを玠材的に修正しおポリアミノシ
ロキサンずしお溶液化し、それにポリむ゜シアネ
ヌトを甚いお䞊蚘界面反応を適甚するこずにより
埗られた優れた分離膜に぀いお既に提案した特
開昭58−193703号。しかしながら、本発明者は
かかる分離膜よりも曎に高い性胜を有する分離膜
を埗るべく曎に研究したずころ、䞊蚘ポリアミノ
シロキサン成分に代えお、アミノ基ずシラノヌル
基の䞡者を含有するポリシロキサン成分を甚いた
ずころ曎に透過係数も高く、分離係数も高い分離
膜を埗るこずが出来るこずを芋出し、本発明を完
成したものである。 即ち本発明は、支持䜓及びその䞊に存圚する
ポリシロキサン化合物成分ずポリむ゜シアネヌト
化合物成分から圢成されおいる遞択性透過膜か
らなる分離膜においお、圓該ポリシロキサン化合
物成分がアミノ基及びヒドロキシル基を含有する
ものである分離膜およびその補造方法である。 本発明における支持䜓は、ガス透過性を有
し、遞択性透過膜を支持しお匷床的に補匷しう
るものであれば特に限定されないが、䞀般的に有
機又は無機の倚孔質物質が甚いられる。 かかる支持䜓の基材ずしお、ガラス質倚孔
材、焌結金属、セラミツクスずかセルロヌス゚ス
テル、ポリスチレン、ビニルブチラヌル、ポリス
ルホン、塩化ビニル、ポリ゚ステル、ポリアクリ
ロニトリル、ポリアミド等の有機ポリマヌが挙げ
られる。 ポリスルホン膜は本発明の基材ずしお特にすぐ
れた性胜を有するものであり、ポリアクリロニト
リルも又有効である。ポリスルホン倚孔質基材の
補造法は、米囜塩氎局レポヌトOSWReport
No.359にも蚘茉されおいる。 かかる基材は衚面の孔の倧きさが䞀般に玄50〜
10000オングストロヌム、奜たしくは100〜1000オ
ングストロヌムの間にあるものが奜たしいが、こ
れに限られるものではなく、最終の膜の甚途など
に応じお、衚面の孔の倧きさは50Å〜5000Åの間
で倉化しうる。これらの基材は察称構造でも非察
称構造でも䜿甚できるが、望たしくは非察称構造
のものがよい。しかしながら、これらの基材は
JISP8117の装眮により枬定された透気床が20〜
3000秒、より奜たしくは50〜1000秒のものが甚い
られる。透気床が20秒以䞋のものは、埗られる耇
合膜に欠陥が生じやすく、遞択性が䜎䞋しやす
い。たた、3000秒以䞊のものは、埗られた耇合膜
の透気量が䜎いものしか埗られない。 たた基材埮倚孔性膜は、その孔の倧きさが
最倧现孔埄ずしお1ÎŒm以䞋、奜たしくは0.5ÎŒm以
䞋であるのが有利である。 たた支持䜓の圢状は、目的ずする分離膜の圢
状に応じお皮々のものでありうるが、具䜓的には
平板状、チナヌブ状、䞭空糞状のものが挙げられ
る。支持䜓の厚さは限定されないが通垞10ÎŒm〜
10mm、奜たしくは50ÎŒm〜1000ÎŒmである。 アミノ基のみを官胜基ずしお有するポリアミノ
ポリシロキサンずは、個以䞊のアミノ基を有す
るポリシロキサンであり、䞋蚘匏 〔ここでR3は䞀䟡の炭化氎玠基又はフツ玠化
炭化氎玠基であり、R1及びR2は、同䞀若しく
は異なり、氎玠原子又は第䞀玚若しくは第二玚ア
ミノ基を有しおいおもよい䞀䟡の炭化氎玠基を衚
わす。曎にR1及びR2は、それらが互いに結合し
た基−R1−R2−が、二玚アミノにより䞭断
されたアルキレン基を圢成するずころのものであ
るこずができる。 尚、基
【匏】は窒玠原子に結合した掻性氎 玠を少くずも個有するものである。は〜10
の敎数を衚わす。〕 で衚わされる単䜍を分子䞭に少なくずも個有
し、䞔぀
【匏】結合を分子䞭に少くずも 個有するポリシロキサンである。 かかる化合物を曎に具䜓的に䟋瀺するず以䞋の
劂きものが挙げられる。 〔ここでR3は䞀䟡の炭化氎玠基又はフツ玠化
炭化氎玠基であり、R1およびR2は同䞀もしくは
異なり、氎玠原子又は第䞀玚若しくは第二玚アミ
ノ基を有しおいおもよい䞀䟡の炭化氎玠基を衚わ
す。曎にR1及びR2はそれらが互に結合した基
−R1−R2−が、二玚アミノ基により䞭断され
たアルキレン基を圢成するずころのものであるこ
ずができる。 尚、基
【匏】は窒玠原子に結合した掻性氎 玠を少くずも䞀個有するものである。は〜10
の敎数を衚わす。R4は同䞀もしくは異なり、氎
玠原子又は䞀䟡の炭化氎玠基又はフツ玠化炭化氎
玠基であり、R5は同䞀もしくは異なり、䞀䟡の
炭化氎玠基又はフツ玠化炭化氎玠基又はアルコキ
シ基、ハロゲン原子、アセトキシ基などのポリシ
ロキサン重合時の反応残基を瀺す。 は同䞀若しくは異なり〜10の敎数を衚わ
しは〜250の敎数を衚わし及びは
又はを衚わし、同時にずはならないものず
し、は〜500の敎数を衚わしお個のの総
和は又は〜250の範囲であり、個のの総
和は〜250の範囲である。〕 これらを曎に具䜓的に瀺せば以䞋の劂きものが特
に奜適なものずしお挙げられる。 これらの化合物は、単独でも又は皮類以䞊の
混合物ずしおも甚いるこずができる。 圢成される膜の匷床の点から膜は架橋構造を有
するものが奜たしく、埓぀おかかるポリアミノポ
リシロキサン化合物の䞭でも、特に䞀玚及び又
は二玚アミノ基を個以䞊有する化合物が奜適で
ある。 たた本発明の目的を損わない範囲で䞀玚及び
又は二玚アミノ基を少なくずも個有するシロキ
サンを有しないポリアミン、䟋えば゚チレンゞア
ミン、ヘキサメチレンゞアミン、トリ゚チレンテ
トラミン、ポリ゚チレンむミン、ポリビニルアミ
ン等の脂肪族ポリアミン、シクロヘキサンゞアミ
ン、ピペラゞン等の脂環族ポリアミン、メタプ
ニレンゞアミン、4′−ゞアミノゞプニルメ
タン、4′−ゞアミノゞプニル゚ヌテル、ポ
リアミノスチレン等の芳銙族ポリアミンを加える
こずができる。かかるポリアミンは党アミン成分
の50モル以䞋が奜たしい。 個以䞊のシラノヌル基を有するポリヒドロキ
シポリシロキサンずしおは䞋蚘䞀般匏であ
らわされる化合物をあげるこずができる。 〔ここでR10は同䞀もしくは異なり、䞀䟡の炭
化氎玠基もしくはフツ玠化炭化氎玠基、は〜
5000の敎数である。〕 かかる化合物の䟋ずしおは以䞋のものをあげる
こずができる。 これらは単独もしくは皮類以䞊の混合物ずし
おも甚いるこずができる。 たた、は溶解性の芋地からは小さいものが奜
たしく、たた膜の匷床䞊は倧きい方が奜たしい。
の奜適な範囲は10〜3000、曎に奜たしくは100
〜2000である。又アルコキシ末端、ハロゲン末端
は反応系䞭で容易に加氎分解しシラノヌル基末端
になるので、反応出発原料ずしおアルコキシ末端
あるいはハロゲン末端を含むポリシロキサン化合
物も䜿甚するこずができる。たた䟋えばメチルト
リアルコキシシランずゞメチルアルコキシシラン
ずの䜎瞮合物などのシラノヌル基を個以䞊有す
るポリシロキサン化合物も甚いるこずができる。 本発明に甚いる少くずも個のむ゜シアネヌト
基を有するポリむ゜シアネヌト成分ずしおは芳銙
族の脂環族あるいは脂肪族骚栌からなるポリむ゜
シアネヌト類であり、その䟋ずしおは䟋えばトリ
レンゞむ゜シアネヌト、ゞプニルメタンゞむ゜
シアネヌト、ナフタレンゞむ゜シアネヌト、プ
ニルゞむ゜シアネヌトなどの芳銙族ゞむ゜シアネ
ヌトヘキサメチレンゞむ゜シアネヌト、シクロ
ヘキサンゞむ゜シアネヌト、メタキシレンゞむ゜
シアネヌト、む゜ホロンゞむ゜シアネヌト等の脂
肪族あるいは脂環族ゞむ゜シアネヌトがあげられ
る。 又䞋蚘匏 䜆しは〜10の敎数を衚わす。 などの官胜以䞊のポリむ゜シアネヌトも䜿うこ
ずができる。 たた、本発明に䜿甚するポリむ゜シアネヌト成
分ずしおその構造䞭に少くずも個の
【匏】のシロキサン構造䜆し、R21 R22は同䞀もしくは異なり、炭玠原子数〜の
アルキル基又はプニル基を有し、か぀少くず
も個のむ゜シアネヌト基を有するシロキサン系
ポリむ゜シアネヌトも䜿うこずができる。 かかるシロキサン系ポリむ゜シアネヌトずしお
は、䞋蚘匏 〔䜆し匏䞭ずは同䞀もしくは異なり、〜
10の敎数は又は〜200の敎数を衚わす。
R21ずR22は前蚘ず同じ定矩を衚わす。〕 あるいは䞋蚘匏 〔䜆し匏䞭は同䞀もしくは異なり、〜
10の敎数を、は又は〜200の敎数を、は
−NHCOO−−NHCONH又は
【匏】 を、は脂肪族、芳銙族あるいは脂環族残基を衚
わす。R21ずR22は前蚘ず同じ定矩を衚わす。〕 で衚わされるものも䜿うこずができる。 前蚘の化合物の具䜓䟋ずしおは をあげるこずができる。 䞀方の化合物は䞋蚘匏 〔䜆しここでは−OH−NH2又は−SHã‚’è¡š
わす。たたR21R22は前蚘ず同じ
定矩を衚わす。〕 で衚わされる化合物ず、少くずも個のむ゜シア
ネヌト基をも぀ポリむ゜シアネヌト化合物ずの反
応によ぀お埗るこずができる。 かゝるの具䜓䟋ずしおは、 等をあげるこずができる。 前蚘ポリむ゜シアネヌトは他のポリむ゜シアネ
ヌトずの混合物の圢でも䜿甚できる。これらのポ
リむ゜シアネヌトのうちシロキサン系ポリむ゜シ
アネヌトを䜿甚する方が酞玠透過性の良奜な膜を
埗る䞊では奜たしい。 本発明における遞択透過性膜は、以䞊説明し
たポリシロキサン化合物成分ずポリむ゜シアネヌ
ト化合物ずから圢成されおいるものであるが、そ
れらは各々以䞋の劂き反応をず぀おいる。 䜆し、R′は䟋えば炭化氎玠基を瀺す 䞊蚘反応においお、䞀般に反応性は(a)(c)(b)
の順に小さくなる。特にアミノ基ずシラノヌル基
ずの反応には、反応を促進するために氎酞化カリ
りム、゜デむりムナトキサむド、カリりムむ゜プ
ロポキサむド、アルミニりムトリメトキサむドな
どの塩基性觊媒の添加や反応枩床を40〜200℃に
あげるこずが奜たしい。 たた、膜の匷床向䞊には未反応のシラノヌル基
を橋かけ剀を加えお架橋させ改良するこずもでき
る。特に䞊述のアミノ基ずシラノヌル基の反応で
反応が䞍充分な堎合でも、この橋かけ剀を加える
こずで耐久性のある膜が圢成される。 かかる橋かけ剀ずしおは、シラノヌル基を有す
るポリシロキサンの架橋剀ずしお䜿甚しおいる既
存のものを䜿甚するこずができる。橋かけ剀の奜
適な䟋ずしおは、個以䞊の官胜基を有する有機
ケむ玠化合物であり、アセトキシシラン、ケトオ
キシム化合物、アルコキシ化合物、シラザンアミ
ド化合物、アミノキシ化合物、チタン化合物等を
あげるこずができる。具䜓䟋ずしおはメチルトリ
アセトキシシラン、゚チルアセトキシシラン、メ
チルトリアセトンオキシム、トリメチルブタノン
オキシム、メチルトリメトキシシラン、トリス
ゞ゚チルヒドロキシルアミノメチルシラン、
【匏】などをあ げるこずができる。 たたこの堎合、橋かけ剀の反応性をたかめるた
め、アルキルチタネヌトやゞブチル錫ゞラりレヌ
トなどの促進剀を加えるこずもできる。たたかか
る橋かけ剀がアミノ基やむ゜シアネヌト基ず反応
しうるものであ぀おも本発明の目的を損うこずは
なく、かえ぀お硬化反応が進み膜の匷床䞊奜たし
いこずもある。 橋かけ剀はシラノヌル基を含有するポリシロキ
サンに混合しお䜿うこずもできるし、たた、シラ
ノヌル基を含有するポリシロキサンを含有する溶
液を塗垃の埌、さらに橋かけ剀を含有する溶液を
塗垃しお反応させるこずもできるが、混合しお同
時に䜿甚するほうが硬化反応はより進み奜たし
い。 埓぀お本発明の遞択性透過膜はその最も奜た
しい態様ずしお䞋蚘の劂き構成単䜍を有する膜ず
いうこずができる。即ち、構造単䜍ずしお −Si−−Si−を含み、結合単䜍ずしお
【匏】
【匏】
【匏】の単䜍のいずれか又は党おを含 む。これら遞択性透過膜の膜厚は通垞30Å〜
10ÎŒm、奜たしくは50Å〜1Ό、さらに奜たしく
は100Å〜0.2ÎŒmである。 本発明の䞊蚘分離膜の補造法は、 (1) 支持䜓䞊に、個以䞊のアミノ基を有する
ポリアミノポリシロキシンず個以䞊のシラノ
ヌル基を有するポリヒドロキシポリシロキサン
ずを含有する溶液を塗垃ししかる埌個以䞊
のむ゜シアネヌト基を有するポリむ゜シアネヌ
ト化合物を含有し、䞔぀䞊蚘ポリシロキサン含
有溶液ず界面を圢成しうる溶液を接觊せしめ
るか或いは (2) 支持䜓䞊に個以䞊のアミノ基を有するポ
リアミノポリシロキサンを含有する溶液を塗垃
し、しかるのち個以䞊のシラノヌル基を有す
るポリヒドロキシポリシロキサンず個以䞊の
む゜シアネヌト基を有するポリむ゜シアネヌト
化合物ずを含有し、か぀䞊蚘ポリアミノポリシ
ロキサン含有溶液ず界面を圢成しうる溶液を接
觊せしめるか或いは (3) 支持䜓䞊に䞋蚘(a)(b)及び(c) (a) 個以䞊のアミノ基を有するポリアミノポ
リシロキサンを含有する溶液 (b) 個以䞊のシラノヌル基を有するポリヒド
ロキシポリシロキサンを含有する溶液 (c) 個以䞊のむ゜シアネヌト基を有する化合
物を含有する溶液 のいずれか぀の溶液を塗垃し、しかるのちそ
れに残䜙の぀の溶液のいづれか぀の溶液
䜆し、前蚘溶液ず界面を圢成しうるものを
接觊せしめお支持䜓䞊に界面反応薄膜を圢成せ
しめ、しかるのち圓該界面反応薄膜に残る぀の
溶液を接觊せしめる かのいずれかの手段で支持䜓䞊に遞択透過膜
を圢成せしめるこずである。 その際、個以䞊のアミノ基を有するポリアミ
ノポリシロキサンの溶液は圓該化合物を氎、メタ
ノヌル、゚タノヌル、む゜プロパノヌル、メチル
セル゜ルブ、ゞオキサン、゚チレングリコヌル、
ゞ゚チレングリコヌル、トリ゚チレングリコヌ
ル、グリセリン又は−ヘキサン、−デカン、
ヘキサデセン、ベンれン、トル゚ン、キシレンた
たはこれらの皮以䞊の混合溶媒の劂き溶媒に溶
解せしめればよく、その濃床は10ppm〜10wt、
奜たしくは100ppm〜5wtである。 たた個以䞊のシラノヌル基を有するポリヒド
ロキシポリシロキサンの溶液は圓該化合物をメタ
ノヌル、゚タノヌル、む゜プロパノヌル、メチル
セル゜ルブ、ゞオキサン、゚チレングリコヌル、
ゞ゚チレングリコヌル、トリ゚チレングリコヌ
ル、グリセリン又は−ヘキサン、−ヘプタ
ン、−オクタン、シクロヘキサン、−デカ
ン、−テトラデカン、ヘキサデセン、ベンれ
ン、トル゚ン、キシレン、四塩化炭玠、トリフロ
ロトリクロロ゚チレンあるいはそれらの皮以䞊
の混合溶媒に溶解せしめればよく、その濃床は
10ppm〜10wt、奜たしくは500ppm〜5wtで
ある。 䞡者を同時に含有する溶液を甚いる堎合、それ
らの共通溶媒を甚い、濃床は200ppm〜15wt、
奜たしくは500ppm〜5wtずし、ポリアミノポ
リシロキサンずポリヒドロキシポリシロキサンず
の比を0.01〜100、奜たしくは0.02〜50にした溶
液ずすればよい。 ポリむ゜シアネヌトを含有する溶液は、圓該化
合物を炭玠原子数〜18の脂肪族、脂環族あるい
は芳銙族炭化氎玠又はハロゲン化炭化氎玠系溶
媒、あるいはケトン系溶媒、䟋えば−ヘキサ
ン、−ヘプタン、−オクタン、−デカン、
テトラデカン、ヘキサデセン、シクロヘキサン、
ベンれン、トル゚ン、キシレン、四塩化炭玠、ト
リフロロトリクロロ゚チレン、メチル゚チルケト
ン、ゞプロピルケトン等の劂き溶媒に10ppm〜
10wt、奜たしくは100ppm〜5wtに溶解させ
た溶液を甚いるこずによ぀お調敎される。 各化合物に察する溶媒の遞定は、膜圢成方法に
応じおおこなわれる。すなわち本発明の膜圢成方
法は液界面での膜圢成であるので、界面を圢成
しうる溶媒系が遞定されなければならない。界面
を圢成し埗る溶媒系ずしおは、混合した時぀の
盞に分かれる系である。そのためには、お互いの
盞が完党に溶解しない系が最も望たしいが、お互
いが倚少溶解しおも盞を圢成するならば䜿甚す
るこずができ、本発明の薄膜を圢成しうる。 本発明の膜圢成法は界面での膜圢成法であるの
で薄い膜が容易に達成できる特城を有しおいる。
即ち、欠陥がない1ÎŒm以䞋の膜が容易に埗るこず
ができる。 本発明における塗垃方法は、倚孔膜支持䜓の圢
状や䜿甚する溶媒系の皮類によ぀おいろいろのバ
リ゚ヌシペンをずり埗る。即ち、塗垃方法ずしお
は浞挬法、ロヌルコヌテむング法、スプレヌコヌ
テむング法等劂䜕なる方法でもよい。 膜の圢成方法ずしおは䟋えば支持䜓が平膜状の
堎合は、支持䜓を溶液に浞挬し溶液からずりだし
お液切りの埌、該溶液ず界面を圢成し埗る他の溶
液に浞挬し、倚孔膜支持䜓䞊で界面を圢成させ膜
を぀くるのも䞀぀の方法である。その際、浞挬は
バツチ法でも連続法でも可胜である。 たた支持䜓が䞭空糞状の堎合、平膜状ず同様に
反応溶液䞭に反応溶液が内偎に入らないように順
次浞挬し、䞭空糞支持䜓の倖偎に膜を圢成させる
こずもできるし、䞭空糞支持䜓の内偎に順次反応
液を流し、膜を圢成させる方法でできる。この䞭
空糞内面に膜を圢成する方法は、補膜した機械的
匷床の小さい極薄膜を手に觊れるこずなく取り扱
えるので、膜の扱い䞊は非垞に有利である。 補膜埌、未反応の化合物あるいは溶媒を䜎沞点
及び又は䜎粘床の有機溶媒又は氎で掗浄するこ
ずもできる。たた、反応を完結するために加熱凊
理をおこなうこずもできる。その枩床は支持䜓や
膜の倉圢をおこさない枩床でおこなわれ、通垞
200〜50℃の範囲であり、時間は〜120分が良奜
である。 本発明の膜はその優れた透過性及び優れた遞択
性を利甚しお各皮ガスの分離に甚いるこずができ
る。䟋えば空気から酞玠を濃瞮する装眮に組みこ
み、燃焌炉、゚ンゞン等の燃焌効率の向䞊、呌吞
噚疟患者の治療噚ずしお、たた工業甚ずしお氎玠
ず䞀酞化炭玠の分離倩然ガス䞭からのヘリりム
の濃瞮、排ガス䞭からの二酞化むオりあるいは二
酞化炭玠の分離を効率よくおこなうこずができ
る。 又、本発明の膜ぱタノヌル氎の分離などをお
こなうパヌベヌパレヌシペン甚膜ずしおも䜿うこ
ずができる。 以䞋実斜䟋をあげお本発明を詳述するが、本発
明はこれらに限定されるものではない。 尚、実斜䟋䞭「郚」は重量郚を衚わす。 実斜䟋  䞋蚘匏(1) で衚わされる化合物(1)0.5郚及び゚チレングリコ
ヌル99.5郚よりなる溶液に、ポリ゚ステル系䞍
織垃で裏打ちされた平膜状ポリスルホン倚孔質
ポリスルホンUdelP3500、厚さ320ÎŒm、透気
床2.1×10-2c.c.cm2・sec・cmHg、衚面孔埄200Å
以䞋を10分間浞挬した埌、匕き䞊げ液切りし
た。 䞀方、4′−ゞプニルメタンゞむ゜シアネ
ヌト0.5郚、末端シラノヌルポリゞメチルシロキ
サン平均分子量580000.5郚、メチルトリメト
キシシラン0.005郚、ゞブチルチンゞラりレヌト
0.005郚、ヘキサデセン50郚及びヘキサン49郚よ
りなる溶液を調敎し、それに䞊蚘液切り埌の平
膜状ポリスルホン倚孔膜を手早く分間浞挬し、
匕き䞊げ液切りした。 しかる埌、80℃で30分間加熱凊理し、24時間宀
枩で攟眮した埌、ヘキサン及び氎で掗浄し、颚也
しお分離膜を埗た。理化粟機工業(æ ª)補の補科研匏
気䜓透過率枬定噚を甚いお、分離膜の20℃におけ
る気䜓透過性胜を枬定したずころ、酞玠透過速床
は8.3×10-5c.c.cm2・sec・cmHgであり、酞玠
窒玠の遞択性は3.6であ぀た。 この膜を気䜓透過セルにセツトしお膜の䞊から
Kgcm2・の圧力で空気を時間送り぀いで垞
圧に戻すずいう操䜜を10回繰り返したが気䜓透過
性胜に倉化がなか぀た。 比范のために、溶液の代りに4′−ゞプ
ニルメタンゞむ゜シアネヌト0.5郚及びヘキサデ
セン99.5郚からなる溶液′を甚い、他は䞊蚘ず
党く同様にしお分離膜を埗た。この膜に぀いおも
䞊蚘同様の枬定を行぀たずころ、酞玠透過速床は
1.0×10-4c.c.・cm3・sec・cmHgであり、酞玠窒
玠の遞択性は1.4であ぀た。 曎に比范のために、前蚘溶液の化合物(1)の濃
床を1wtずした溶液′及び、䞊蚘溶液の代
りに4′−ゞプニルメタンゞむ゜シアネヌト
の1wtヘキサデセン溶液″を甚い、他は党く
同様にしお分離膜を埗た。この膜の酞玠窒玠遞
択性は3.8であ぀たが、酞玠透過速床は1.8×10-5
c.c.cm2・sec・cmHgであ぀た。 これらの事実は、末端シラノヌルポリゞメチル
シロキサンを加えるず、遞択性を維持しながら透
過性の倧きい分離膜が埗られるこずを瀺しおい
る。 尚、末端シラノヌルポリゞメチルシロキサンず
ポリむ゜シアネヌトずを含有する溶液は、時間が
た぀ずゎム状析出物を生じおくるので、手早く補
膜凊理を行う必芁がある。 実斜䟋  䞋蚘匏(2) で衚わされる化合物(2)の0.3wt゚チレングリコ
ヌル溶液に、実斜䟋で甚いた平膜状ポリスルホ
ン倚孔膜を10分間浞挬し液切りした埌、曎に、む
゜ホロンゞむ゜シアネヌトの0.1wtヘキサデセ
ン溶液に分間浞挬した。しかしお溶液より取り
出し充分液切りした埌、曎に末端シラノヌルポリ
ゞメチルシロキサン平均分子量580000.5郚、
メチルトリメトキシシラン0.005郚、ゞブチルチ
ンゞラりレヌト0.0005郚、トル゚ン郚及びヘキ
サン97.5郚よりなる溶液に分間浞挬し、取り出
し液切りした埌、80℃で30分間加熱し、24時間颚
也の埌、ヘキサン及び氎で掗浄しお分離膜を埗
た。 この膜の気䜓透過性胜を枬定したずころ、酞玠
透過速床は3.6×10-4c.c.cm2・sec・cmHgであり、
酞玠窒玠遞択性は3.3であ぀た。 実斜䟋  ポリスルホンUdel P350020郚、−メチ
ルピロリドン57郚、塩化リチりム郚及び−メ
トキシ゚タノヌル20郚からなる溶液を30℃で環状
スリツトより抌出し、25℃の氎䞭に浞挬しお凝固
させた。この際、芯液ずしおは氎を甚いた。 かくしお倖埄800ÎŒm、内埄500ÎŒmのポリスルホ
ン䞭空倚孔質支持䜓を埗た。この䞭空支持䜓を䞀
定長に切りそろえ、ポリカヌボネヌト補のパむプ
䞭に末端をそろえお充填し、䞡端郚を接着剀で固
め、䞭空糞膜支持䜓モゞナヌルを埗た。 也燥状態でのこの䞭空糞膜支持䜓の25℃におけ
る空気の透過量は×10-3c.c.cm3・sec・cmHgで
あ぀た。 実斜䟋で甚いた化合物(1)の0.1wtの゚チレ
ングリコヌル溶液を䞊蚘ポリスルホン䞭空糞膜支
持䜓の内偎に流し蟌み、液を内偎に入れた状態
で、内偎をKgcm2・の圧力で10分間保持しア
ミン溶液を倚孔膜䞭に浞み蟌たせた。 ぀いで窒玠ガスを分の流量で分間流し
液切りした埌、4′−ゞプニルメタンゞむ゜
シアネヌトの0.05wtヘキサデセン溶液を
分の線速床で分間䞊蚘䞭空糞支持䜓の内郚に流
した。぀いで窒玠ガスを分の流量で分間
流し液切りの埌、末端シラノヌルポリゞメチルシ
ロキサン平均分子量580000.1郚、メチルトリ
メトキシシラン0.001郚、ゞブチルゞラりレヌト
0.0001郚およびヘキサン99.9郚よりなる溶液を
mmの線速床で30秒間䞊蚘䞭空糞支持䜓の内郚
に流した。぀いで同様に窒玠を分の流量で
30秒間流し液切りし80℃で30分間加熱埌、宀枩で
日攟眮した。その埌、䞭空支持䜓の内偎及び倖
偎ケヌス䞭に氎を流しお24時間掗浄し、䞭空
糞状分離膜モゞナヌルを埗た。この膜の内偎に玔
酞玠ガス及び玔窒玠ガスをそれぞれ別個に流し、
膜を透過しお出おきた酞玠ガス及び窒玠ガスの量
をそれぞれ枬定するこずにより、酞玠ず窒玠の透
過速床を求めた。その結果、膜の透過性胜は酞玠
透過速床が3.5×10-4c.c.cm2・sec・cmHgであり、
酞玠窒玠遞択性は3.4であ぀た。 実斜䟋  実斜䟋においおは別個に甚いた4′−ゞフ
゚ニルメタンゞむ゜シアネヌト末端シラノヌルポ
リゞメチルシランずを混合しお甚いる、即ち、
4′−ゞプニルメタンゞむ゜シアネヌト0.05
郚、末端シラノヌルポリゞメチルシロキサン0.1
郚、メチルトリメトキシシラン0.0009郚、ゞブチ
ルゞラりレヌト0.0001郚、ヘキサデセン50郚及び
ヘキサン50郚よりなる溶液ずしお䞀挙に䞭空糞支
持䜓内に流し蟌む、以倖は実斜䟋ず党く同様に
しお䞭空糞状分離膜モゞナヌルを埗た。 この膜の透過性胜は、酞玠透過速床が2.8×
10-4c.c.cm2・sec・cmHgであり、酞玠窒玠の遞
択性は3.3であり、実斜䟋で埗られた膜ずほが
同様の性胜を瀺した。 実斜䟋  䞋蚘匏(3) で衚わされる化合物0.5郚ず末端シラノヌルポリ
ゞメチルシロキサン平均分子量8000.5郚、゚
タノヌル99郚および゜デむりムメトキサむド
0.001郚からなる溶液に、実斜䟋においお甚い
た平膜状ポリスルホン倚孔膜を10分間浞挬し液切
りした埌、0.5wtのトルむレンゞむ゜シアネヌ
トのヘキサデセン溶液に分間浞挬した。匕きあ
げた埌、80℃で時間熱凊理し、ヘキサン掗浄、
氎掗浄を行い、也燥しお分離膜を埗た。 この膜の酞玠透過速床は7.2×10-5c.c.cm2・
sec・cmHgであり、酞玠窒玠の遞択性は3.3で
あ぀た。 この膜をガス分離セルに蚭眮し、原料ガス空
気偎を倧気圧、透過ガス偎を160〜170Torrに
枛圧しお空気分離を30日間連続しお行぀た。 30日埌の酞玠透過速床は7.0×10-5c.c.cm2・
sec・cmHgであり、酞玠窒玠の遞択性は3.3で
あり、初期性胜ずほずんど差はみられなか぀た。 実斜䟋  䞋蚘匏(4) で衚わされる化合物を0.5wt含有する゚チレン
グリコヌル溶液に、実斜䟋で甚いた平膜状のポ
リスルホン倚孔膜を10分間浞挬し、液切り埌、そ
れを䞋蚘匏(5) で衚わされるむ゜シアネヌト化合物を0.5wt含
有するヘキサデセン溶液に分間浞挬し、充分液
切りした。 しかる埌、圓該液切り埌の倚孔膜を、末端シラ
ノヌルポリメチルプニルシロキサン平均分子
量300000.5郚、メチルトリ゚トキシシラン0.1
郚、ゞブチルチンゞラりレヌト0.0001郚、ヘキサ
ン95郚及びトル゚ン郚よりなる溶液に30秒間浞
挬し、匕き䞊げた埌、80℃で時間熱凊理した。
その埌、ヘキサン掗浄、氎掗浄しお分離膜を埗
た。この膜の酞玠透過速床は7.7×10-5c.c.cm2・
sec・cmHgであり、酞玠窒玠遞択性は3.3であ
぀た。 実斜䟋  平膜状ポリスルホン倚孔膜の浞挬順序を以䞋の
劂く倉える以倖は実斜䟋ず同様にしお分離膜を
埗た。 即ち、先ずポリアミノポリシロキサン溶液は10
分間浞挬し、液切りした埌、次いで末端シラノヌ
ルポリシロキサン溶液に30秒間浞挬し、液切り
し、最埌にポリむ゜シアネヌト溶液に分間浞挬
した。 この膜の酞玠透過速床は9.1×10-5c.c.cm2・
sec・cmHgであり、酞玠窒玠の遞択性は3.0で
あ぀た。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  個以䞊のアミノ基のみを官胜基ずしお有す
    るポリアミノポリシロキサン化合物、個以䞊の
    シラノヌル基のみを官胜基ずしお有するポリヒド
    ロキシポリシロキサン化合物及び個以䞊のむ゜
    シアネヌト基を有するポリむ゜シアネヌト化合物
    から䞻ずしお圢成された遞択性透過膜ず、それ
    を支持する支持䜓ずからなる分離膜。  支持䜓䞊に、個以䞊のアミノ基のみを官
    胜基ずしお有するポリアミノポリシロキサン化合
    物ず個以䞊のシラノヌル基のみを官胜基ずしお
    有するポリヒドロキシポリシロキサン化合物ずを
    含有する溶液を塗垃し、しかる埌、個以䞊のむ
    ゜シアネヌト基を有するポリむ゜シアネヌト基を
    含有し䞔぀䞊蚘ポリシロキサン化合物を含有する
    溶液ず界面を圢成しうる溶液を接觊せしめ、しか
    しお支持䜓䞊に遞択性透過膜を圢成せしめる
    こずを特城ずする分離膜の補造法。  支持䜓䞊に、個以䞊のアミノ基のみを官
    胜基ずしお有するポリアミノポリシロキサン化合
    物を含有する溶液を塗垃し、しかる埌、個以䞊
    のシラノヌル基のみを官胜基ずしお有するポリヒ
    ドロキシポリシロキサン化合物ず個以䞊のむ゜
    シアネヌト基を有するポリむ゜シアネヌト化合物
    ずを含有し、䞔぀䞊蚘ポリアミノポリシロキサン
    化合物含有溶液ず界面を圢成しうる溶液ず接觊せ
    しめ、しかしお支持䜓䞊に遞択性透過膜を圢
    成せしめるこずを特城ずする分離膜の補造法。  支持䜓䞊に、䞋蚘(a)(b)及び(c) (a) 個以䞊のアミノ基のみを官胜基ずしお有す
    るポリアミノポリシロキサン化合物を含有する
    溶液、 (b) 個以䞊のシラノヌル基のみを官胜基ずしお
    有するポリヒドロキシポリシロキサン化合物を
    含有する溶液、 (c) 個以䞊のむ゜シアネヌト基を有するポリむ
    ゜シアネヌト化合物を含有する溶液のいずれか
    ぀の溶液を塗垃し、しかる埌圓該塗垃液に
    残䜙の぀の溶液のいずれか぀の溶液䜆
    し、前蚘溶液ず界面を圢成しうるものを接
    觊せしめお支持䜓䞊に界面反応薄膜を圢成せ
    しめ、しかる埌、圓該界面反応薄膜に残䜙の溶
    液を接觊せしめお遞択性透過膜を圢成せし
    めるこずを特城ずする分離膜の補造法。
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