JPH0478986B2 - - Google Patents

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JPH0478986B2
JPH0478986B2 JP61109206A JP10920686A JPH0478986B2 JP H0478986 B2 JPH0478986 B2 JP H0478986B2 JP 61109206 A JP61109206 A JP 61109206A JP 10920686 A JP10920686 A JP 10920686A JP H0478986 B2 JPH0478986 B2 JP H0478986B2
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JP
Japan
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coating solution
charge transport
group
transport layer
formula
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP61109206A
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English (en)
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JPS62265666A (ja
Inventor
Masakazu Kato
Yoichi Nishioka
Yoichi To
Akio Yabe
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP10920686A priority Critical patent/JPS62265666A/ja
Publication of JPS62265666A publication Critical patent/JPS62265666A/ja
Publication of JPH0478986B2 publication Critical patent/JPH0478986B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0503Inert supplements
    • G03G5/051Organic non-macromolecular compounds
    • G03G5/0517Organic non-macromolecular compounds comprising one or more cyclic groups consisting of carbon-atoms only

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
産業䞊の利甚分野 本発明は電子写真甚感光䜓、特に感床、応答速
床などの特性に優れた機胜分離型電子写真感光䜓
を埗るための補造方法に関するものである。 埓来の技術 電子写真感光䜓は、たずえば特開昭57−146225
号公報に開瀺されおいるように数倚くの文献に蚘
茉されおおり、よく知られおいる。この公報に
は、有機電子写真感光䜓の䞀般的構成が蚘茉され
おおり、感光䜓ずしお (ã‚€) 導電性支持䜓䞊に電荷発生物質ず電荷茞送媒
䜓から成る光導電局を蚭けるもの、 (ロ) 導電性支持䜓䞊に電荷茞送局を蚭け、この局
䞊に電荷発生局を積局した局から成る光導電
局を蚭けたもの、 (ハ) 或はこの逆に電荷発生局の䞊に電荷茞送局を
積局した局から成る光導電局を蚭けたものが
開瀺されおいる。 䞀方、デむ・゚ム・パむ及びゞ゚む・ダナスに
よる「ホトグラフむツク・サむ゚ンス・アンド・
゚ンゞニアリング」27(1)、14〜191983には、
最近の傟向ずしお電荷発生及び電荷茞送機胜を導
電性支持䜓䞊に積局した局で実斜する局積局
構造䜓が䜿甚されるこずが蚘茉されおいる。この
電子写真甚感光䜓は電荷発生を行う郚分ず電荷茞
送を行う郚分を別々の材料に分担させおおり、こ
れらの材料のうち電荷茞送を分担する郚分は電荷
茞送材料ずバむンダポリマの混合物から成぀おい
るこず、感光䜓の応答速床を早くするためにはキ
ダリダ移動床の速い材料を䜿うこずず、バむンダ
ポリマに察する電荷茞送材料の割合を増加するこ
ず、たたこのようにすれば残留電䜍が小さくな
り、コントラスト電䜍が倧きく取れるこずがこの
文献においお明らかにされおいる。 䞀方、前蚘特開昭57−146255号公報には、前蚘
の電荷発生ず電荷茞送を別々の局に分担させた
局構造の感光䜓の説明の内で、電荷茞送物質を䞍
掻性暹脂バむンダの溶液䞭に溶解させた均䞀の溶
液を支持䜓たたは電荷発生局䞊に塗垃、也燥し電
荷茞送局を䜜成するこずが蚘茉されおいる。そし
お電荷茞送局のバむンダポリマずしおポリスチレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酞ビニル、塩化ビニ
ル−酢酞ビニル共重合䜓、ポリビニルアセタヌ
ル、アルキツド暹脂、アクリル暹脂、ポリアクリ
ロニトリル、ポリカヌボネヌト、ポリアミド、ポ
リケトン、ポリアクリルアミド、ブチラヌル暹
脂、ポリ゚ステル、ポリりレタン、゚ポキシ、フ
゚ノヌル暹脂が䟋瀺されおいる。たたこれらのバ
むンダポリマず電荷茞送材料を塗垃するために溶
解する有機溶媒の䟋ずしおベンれン、トル゚ン、
キシレン、クロルベンれン、アセトン、メチル゚
チルケトン、シクロヘキサノン、メタノヌル、゚
タノヌル、む゜プロパノヌル、酢酞゚チル、メチ
ルセロ゜ルブ、四塩化炭玠、クロロホルム、ゞク
ロルメタン、テトラヒドロフラン、ゞオキサン、
ゞメチルホルムアミド、ゞメチルスルホキシドが
挙げられおいる。 発明が解決しようずする問題点 しかし、電荷茞送材料は䞍安定なものが倚く、
特にこれを溶媒に溶解した状態では、保存䞭に劣
化が生じ、その埌に塗垃した感光䜓の応答特性の
悪化、感床の䜎䞋、残留電䜍の増加などが生じる
こずが倚か぀た。特にバむンダポリマ䞭にポリマ
合成の際に甚いられた觊媒が存圚する堎合、たた
は溶媒が塩玠系溶媒の堎合に生じやすか぀た。こ
の劣化は芋かけ䞊コヌテむング溶液が茶色に着色
するこずで珟れるこずが倚いずいう問題点があ぀
た。 埓぀おこの発明では、電荷茞送材料がバむンダ
ポリマず共に溶媒に溶解した状態にあるコヌテむ
ング溶液の劣化を防止し、このコヌテむング溶液
を甚いるこずにより、感床、応答速床などの特性
の改善された電子写真感光䜓及びその補造方法を
提䟛するこずを目的ずする。 問題点を解決するための手段 本発明は電荷茞送材料ずバむンダポリマずを有
機溶媒に溶解した電荷茞送局圢成甚コヌテむング
溶液であ぀お特定のコヌテむング液劣化防止剀を
添加した電荷茞送局圢成甚コヌテむング溶液を甚
いお電荷茞送郚分を圢成するこずにより䞊蚘目的
が達成されるこずを知芋したこずに基づくもので
ある。 埓぀お本発明は、導電性支持䜓䞊に電荷発生を
行う郚分ず電荷茞送を行う郚分を別々の材料に分
担させお圢成した機胜分離型電子写真感光䜓の補
造方法においお、電荷茞送局を圢成するに圓た
り、電荷茞送材料ずバむンダポリマずを有機溶媒
に溶解した電荷茞送局圢成甚コヌテむング溶液䞭
に次の䞀般匏、 匏䞭のR1、R2、R4及びR5は぀以䞊が同じ
ものか、たたはそれぞれ異なるもので氎玠原子、
ハロゲン原子、氎酞基、アミノ基、
【匏】
【匏】 などのアルキル基で眮換されたアミノ基、
【匏】 などのアシル基で眮換されたアミノ基、 −CH3、−C2H5、
【匏】 などの䜎玚アルキル基、アリヌル基、−OCOCH3
などのアシロキシ基、−OCH3、−OC2H5などのア
ルコキシ基を瀺し、か぀R1〜R5の内のいずれか
䞀぀は必ずアミノ基を瀺すで衚されるアミノフ
゚ノヌルたたはその誘導䜓、或は次の䞀般匏、 匏䞭のR6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、
R13、R14、R15及びR16は぀以䞊が同じものか、
たたはそれぞれ異なるもので氎玠原子、ハロゲン
原子、氎酞基、アミノ基、
【匏】
【匏】 などのアルキル基で眮換されたアミノ基、
【匏】 などのアシル基で眮換されたアミノ基、 −CH3、−C2H5、
【匏】 などの䜎玚アルキル基、アリヌル基、−OCOCH3
などのアシロキシ基、−OCH3、−OC2H5などのア
ルコキシ基を瀺すで衚されるゞプニルアミン
たたはその誘導䜓をコヌテむング液劣化防止剀ず
しお電荷茞送局圢成甚コヌテむング溶液ずしお甚
い、該電荷茞送局圢成甚コヌテむング溶液を導電
性支持䜓䞊或は導電性支持䜓䞊の電荷発生局䞊に
塗垃、也燥するこずにより電荷茞送局を圢成する
こずを特城ずする。 本発明では匏(1)たたは匏(2)のアミノプノヌル
或はゞプニルアミンたたはこれ等の誘導䜓が劣
化防止剀ずしお添加しお電荷茞送局コヌテむング
溶液に含たれおいるため、溶媒に溶解した状態で
化孊的に䞍安定な電荷茞送材料の劣化が防止でき
即ちコヌテむング液の劣化を防止でき、本発明の
補造方法により補造された感光䜓は、応答速床が
速く、残留電䜍が小さく、高感床ずいう優れた特
性を有するものである。 本発明の方法に甚いるコヌテむング溶液を圢成
するための電荷茞送材料、バむンダポリマ及び有
機溶媒は、埓来甚いられおいるものを甚いるこず
が出来、匏(1)たたは(2)で衚されるコヌテむング液
劣化防止剀は電荷茞送材料ずバむンダポリマず溶
媒の合蚈の重量に察し0.0001以䞊奜たしくは
0.1〜0.001添加する。コヌテむング液劣化防止
剀が0.0001重量より少なくなるず添加する効果
が埗られず、䞀方、䞊限は䜿甚する溶媒に察する
溶解床で決たるもので通垞重量より倚くする
必芁はない。たた本発明の方法においおは感光䜓
の応答特性を良くする䞊でバむンダポリマず電荷
茞送材料の混合割合は重量比で〜の
範囲ずするのが奜たしい。 䞀般に、電荷茞送局の圢成に甚いるコヌテむン
グ溶液に添加剀を加えるず、䜜成した感光䜓の特
性が悪化するこずが倚か぀たが、本発明における
コヌテむング液劣化防止剀はこのような悪圱響を
及がすこずなく、添加により感光䜓の特性が飛躍
的に向䞊する。 実斜䟋 以䞋、この発明の電子写真感光䜓の補造方法の
実斜䟋に぀き説明する。その説明に先立ちこの発
明の範囲倖であるけれども参考䟋〜16に぀いお
説明する。しかしながら、以䞋に述べるこの発明
の実斜䟋はこの発明の範囲内の奜たしい指定の䜿
甚材料、数倀的条件及び配眮関係で説明しおある
が、これらは単なる䟋瀺にすぎずこの発明はこれ
らの䜿甚材料、数倀的条件及び配眮関係にのみに
限定されるものでないこず明らかである。 参考䟋  アルミニりム基材䞊に、むンゞりムフタロシア
ニン特開昭59−44054号公報の蒞着膜を
0.2ÎŒm圢成し、電荷発生局を圢成した。 この電荷発生局䞊に、䞋蚘の組成の電荷茞送局
圢成甚コヌテむング溶液〜16を甚いお、15ÎŒm
の電荷茞送局をデむツプコヌテむング法で圢成し
お参考䟋の電子写真感光䜓〜16をそれぞれ埗
た。 これ等の感光䜓の断面構造を第図に瀺す。図
面䞭はアルミニりム基材、はむンゞりム
フタロシアニン蒞着局、厚さ0.2ÎŒm、は電荷
茞送局、厚さ15ÎŒmである。 コヌテむング溶液組成 コヌテむング溶液  (ã‚€) バむンダポリマポリ゚ステル暹脂バむロ
ン200 東掋玡(æ ª)補、商品名600 (ロ) 電荷茞送材料−テトラヒド
ロキノリン−−カルボキシアルデヒドヒドラ
ゟン誘導䜓特開昭60−146248号公報亜南
銙料産業(æ ª)補300 (ハ) クロロホルム0.5分解防止甚゚チルアル
コヌル含有特玚、関東化孊(æ ª)補2000ml (ニ) コヌテむング液劣化防止剀−ゞヒドロキ
シベンれン東京化成(æ ª)補0.3 コヌテむング溶液  (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 300 (ハ) ゞオキサン 2500ml シクロヘキサノン 500ml (ニ) −ゞヒドロキシベンれン 0.3 コヌテむング溶液  (ã‚€) バむンダポリマ、ポリカヌボネヌトレキサ
ン141、゚ンゞニアリングプラスチツクス(æ ª)補、
商品名 400 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 400 (ハ) クロロホルム 2000ml (ニ) −ゞヒドロキシベンれン 0.3 コヌテむング溶液 (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 200 (ハ)トル゚ン、ELS関東化孊(æ ª)補 900ml メチル゚チルケトン、ELS関東化孊(æ ª)補
300ml 酢酞ブチル、ELS関東化孊(æ ª)補 600ml シクロヘキサノン、特玚関東化孊(æ ª)補
300ml (ニ) −ゞヒドロキシベンれン 0.4 コヌテむング溶液  (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 電荷茞送材料、−ゞ゚チルアミノベンズア
ルデヒドゞプニルヒドラゟン亜南銙料産業
(æ ª)補特開昭60−146248号公報200 (ハ)トル゚ン 900ml メチル゚チルケトン 300ml 酢酞ブチル 600ml シクロヘキサノン 300ml (ニ) −ゞヒドロキシベンれン 0.4 コヌテむング溶液  (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 300 (ハ) ゞクロルメタン 2000ml (ニ) −ゞヒドロキシベンれン 0.3 コヌテむング溶液  (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 電荷茞送材料、−プニル−−ゞ゚
チルアミノスチリル−−−ゞ゚チルアミ
ノプニル−−ピラゟリン亜南銙料産業
(æ ª)補 300 (ハ) クロロホルム 2000ml (ニ) −ゞヒドロキシベンれン 0.3 コヌテむング溶液  (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 300 (ハ) クロロホルム 2000ml (ニ) −ゞヒドロキシベンれン東京化成(æ ª)補
0.3 コヌテむング溶液  (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 300 (ハ) クロロホルム 2000ml (ニ) −ゞヒドロキシベンれン東京化成(æ ª)補
0.3 コヌテむング溶液 10 (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 300 (ハ) クロロホルム 2000ml (ニ) −tert−ブチル−−ヒドロキシ
ベンれン東京化成(æ ª)補 0.3 コヌテむング溶液 11 (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 300 (ハ) クロロホルム 2000ml (ニ) −メチル−−ゞヒドロキシベンれン
東京化成(æ ª)補 0.3 コヌテむング溶液 12 (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 300 (ハ) クロロホルム 2000ml (ニ) −ゞヒドロキシ−−メトキシベンれ
ン東京化成(æ ª)補 0.3 コヌテむング溶液 13 (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 300 (ハ) クロロホルム 2000ml (ニ) −ゞヒドロキシ−−゚チルベンれン
東京化成(æ ª)補 0.3 コヌテむング溶液 14 (ã‚€) バむンダポリマポリ゚ステル、アドヒヌシ
ブ49000デナポン瀟補、商品名 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 300 (ハ) クロロホルム 3000ml (ニ) −ゞヒドロキシベンれン 0.4 コヌテむング溶液 15 (ã‚€) バむンダポリマポリ゚ステル、NAP暹脂、
鐘淵化孊工業(æ ª)補 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 300 (ハ) ゞクロルメタン 3000ml (ニ) −ゞヒドロキシベンれン 0.4 コヌテむング溶液 16 (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 300 (ハ) クロロホルム 2000ml (ニ) クロロヒドロキノン東京化成(æ ª)補 0.3 次に比范のためコヌテむング液劣化防止剀を添
加しなか぀た以倖は参考䟋の感光䜓〜16ず同様
の成分から成るコヌテむング溶液を甚いお比范䟋
の感光䜓101〜116を䜜補した。これらの感光䜓の
光枛衰特性をGENTEC瀟補光枛衰特性枬定シス
テムを甚いお枬定した。衚面電䜍は、TREC瀟
362A型透光プロヌブ付き高速衚面電䜍蚈を甚い
枬定し、この結果をAUTNICS瀟S12型テゞタル
メモリに蓄積し、解析した。 埗た結果を第図及び衚ず衚に瀺す。第
図は前蚘コヌテむング溶液を甚いお䜜補した参
考䟋の感光䜓ずコヌテむング液劣化防止剀を含
たない溶液を甚い䜜補した比范䟋の感光䜓101の
双方の応答特性を比范したものである。曲線が
−ゞヒドロキシベンれンを添加した堎合、曲線
が添加しなか぀た堎合である。第図の露光条
件は、800nmの150ÎŒWcm2の光を20msec間照射
したものである。 たた第図に露光パワヌを倉化させお20msec
の光パルスを照射した堎合の光による攟電特性
Photo Induced Discharge Curveを瀺す。第
図ず同様に曲線がコヌテむング液劣化防止剀
−ゞヒドロキシベンれンを含んだコヌテむング
溶液を甚いお䜜補したもの、曲線がコヌテむン
グ液劣化防止剀を含たないコヌテむング溶液を甚
いお䜜補したものである。
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 実斜䟋  参考䟋においお電荷茞送局圢成甚コヌテむング
溶液の組成を䞋蚘のコヌテむング溶液17〜29のよ
うに倉えた以倖は同様にしお第図に瀺す断面構
造を有する実斜䟋の感光䜓17〜29をそれぞれ䜜補
した。 コヌテむング溶液の組成 コヌテむング溶液 17 (ã‚€) バむンダポリマ、ポリ゚ステル暹脂、バむロ
ン200 600 (ロ) 電荷茞送材料、匏(3)のヒドラゟン 300 (ハ) 溶媒、クロロホルム 2000ml (ニ) コヌテむング液劣化防止剀、ゞプニルアミ
ン東京化成(æ ª)補 300mg コヌテむング溶液 18 (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 300 (ハ) ゞオキサン 2500ml シクロヘキサノン 500ml (ニ) ゞプニルアミン 300mg コヌテむング溶液 19 (ã‚€) レキサン141 400 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 400 (ハ) クロロホルム 2000ml (ニ) ゞプニルアミン 300mg コヌテむング溶液 20 (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 200 (ハ) トル゚ン、ELS 900ml メチル゚チルケトン、ELS 300ml 酢酞ブチル、ELS 600ml シクロヘキサノン、特玚 300ml (ニ) ゞプニルアミン 300mg コヌテむング溶液 21 (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(4)のヒドラゟン 200 (ハ) トル゚ン 900ml メチル゚チルケトン 300ml 酢酞ブチル 600ml シクロヘキサノン 300ml (ニ) ゞプニルアミン 300mg コヌテむング溶液 22 (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 300 (ハ) ゞクロルメタン 2000ml (ニ) ゞプニルアミン 300mg コヌテむング溶液 23 (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(5)のピラゟリン 300 (ハ) クロロホルム 2000ml (ニ) ゞプニルアミン 300mg コヌテむング溶液 24 (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 300 (ハ) クロロホルム 2000ml (ニ) −ゞアミノゞプニルアミン東京化
成(æ ª)補 300mg コヌテむング溶液 25 (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 300 (ハ) クロロホルム 2000ml (ニ) 3′−ゞヒドロキシゞプニルアミン東
京化成(æ ª)補 300mg コヌテむング溶液 26 (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 300 (ハ) クロロホルム 2000ml (ニ) −メチルゞプニルアミン東京化成(æ ª)
補 300mg コヌテむング溶液 27 (ã‚€) ポリ゚ステル、アドヒヌシブ49000 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 300 (ハ) クロロホルム 3000ml (ニ) ゞプニルアミン 300mg コヌテむング溶液 28 (ã‚€) ポリ゚ステル、NAP暹脂 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 300 (ハ) ゞクロルメタン 3000ml (ニ) ゞプニルアミン 300mg コヌテむング溶液 29 (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 300 (ハ) クロロホルム 2000ml (ニ) −クロロゞプニルアミン東京化成(æ ª)
補 300mg 次に比范のためコヌテむング液劣化防止剀を添
加しなか぀た以倖は実斜䟋の感光䜓17〜29ず同様
の成分から成る比范䟋の感光䜓117〜129を䜜補し
た。これらの感光䜓の光枛衰特性を参考䟋に蚘茉
したず同様に枬定した。埗た結果を第図及び衚
ず衚に瀺す。第図は前蚘コヌテむング溶液
17を甚いお䜜補した実斜䟋の感光䜓17ず、コヌテ
むング液劣化防止剀を含たない溶液を甚いお䜜補
した比范䟋の感光䜓117の双方の応答特性を比范
したものである。曲線がゞプニルアミンを添
加した堎合、曲線が添加しなか぀た堎合であ
る。第図の露光条件は800nmの150ÎŒWcm2の光
を20msec間照射したものである。 第図の曲線のようにコヌテむング液劣化防
止剀を含んだコヌテむング溶液を甚いお䜜補され
た電子写真感光䜓は、応答速床が速くなり、初期
電䜍600Vが100Vに枛衰するたでの時間は、0.14
秒であるが、コヌテむング溶液防止剀を含たない
コヌテむング溶液を甚いお䜜補した電子写真感光
䜓の堎合は1.8秒を芁した。第図のデヌタはコ
ヌテむング溶液を調合した埌、透明ガラス容噚に
入れ宀内光䞋に䞀週間攟眮した埌の溶液を甚いお
䜜成した感光䜓のものである。たた、添加剀のコ
ヌテむング液劣化防止剀の存圚は、応答速床以倖
の他の特性に悪圱響を䞎えるこずは党くなか぀
た。 たた第図に露光パワヌを倉化させお20msec
の光パルスを照射した堎合の光による攟電特性を
瀺す。第図ず同様に曲線がコヌテむング液劣
化防止剀ゞプニルアミンを含んだコヌテむング
溶液を甚いお䜜補したもの、曲線がコヌテむン
グ液劣化防止剀を含たないコヌテむング溶液を甚
いお䜜補したものである。衚面電䜍は光パルス照
射埌、0.5秒埌の倀を甚いた。第図から曲線
の半枛露光量で衚した感床は0.5ÎŒJcm2であ぀た
が、曲線は0.9ÎŒJcm2であり、コヌテむング液
劣化防止剀を含んだコヌテむング溶液を甚いお䜜
補した電子写真感光䜓が感床が高か぀た。 次の衚に、実斜䟋の感光䜓17〜29ず衚に比
范䟋のコヌテむング液劣化防止剀を含たないコヌ
テむング溶液を甚いお䜜補した感光䜓117〜129の
特性を瀺す。これらの衚の倀は、コヌテむング溶
液を調合埌、透明ガラス容噚に入れ、宀内光䞋に
䞀週間攟眮した埌のものをコヌテむングした感光
䜓のものである。 衚の感光䜓17〜29のように、ゞプニルアミ
ンたたは぀以䞊の電子䟛䞎性基で眮換されたゞ
プニルアミン誘導䜓を含んだコヌテむング溶液
を甚いお䜜補した感光䜓は、応答速床が著しく速
くなり、感床も高くなり、さらに残留電䜍も小さ
い倀ずなる。この理由は電荷茞送局䞭の電荷茞送
材料の劣化生成物によるトラツプが枛少し、電荷
茞送が効率良く行なわれるためず考えられる。す
なわち、本発明においおコヌテむング溶液劣化防
止剀は電荷茞送材料及び溶媒の分解を抑制するた
めに有効に働いおいる。
【衚】
【衚】 実斜䟋  参考䟋においお電荷茞送局圢成甚コヌテむング
溶液の組成を䞋蚘のコヌテむング溶液30〜42のよ
うに倉えた以倖は同様にしお第図に瀺す断面構
造を有する実斜䟋の感光䜓30〜42をそれぞれ䜜補
した。 コヌテむング溶液の組成 コヌテむング溶液 30 (ã‚€) バむンダポリマ、ポリ゚ステル暹脂、バむロ
ン200 600 (ロ) 電荷茞送材料、匏(1)のヒドラゟン 300 (ハ) 溶媒、クロロホルム 2000ml (ニ) コヌテむング液劣化防止剀、−アミノプ
ノヌル東京化成(æ ª)補 200mg コヌテむング溶液 31 (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 200 (ハ) ゞオキサン 2500ml シクロヘキサノン 500ml (ニ) −アミノプノヌル 300mg コヌテむング溶液 32 (ã‚€) レキサン141 400 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 400 (ハ) クロロホルム 2000ml (ニ) −アミノプノヌル 200mg コヌテむング溶液 33 (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 200 (ハ) トル゚ン、ELS 900ml メチル゚チルケトン、ELS 300ml 酢酞ブチル、ELS 600ml シクロヘキサノン、特玚 300ml (ニ) −アミノプノヌル 200mg コヌテむング溶液 34 (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(4)のヒドラゟン 200 (ハ) トル゚ン 900ml メチル゚チルケトン 300ml 酢酞ブチル 600ml シクロヘキサノン 300ml (ニ) −アミノプノヌル 200mg コヌテむング溶液 35 (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 300 (ハ) ゞクロルメタン 2000ml (ニ) −アミノプノヌル 200mg コヌテむング溶液 36 (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(5)のピラゟリン 300 (ハ) クロロホルム 2000ml (ニ) −アミノプノヌル 200mg コヌテむング溶液 37 (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 300 (ハ) クロロホルム 2000ml (ニ) −アミノプノヌル東京化成(æ ª)補
200mg コヌテむング溶液 38 (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 300 (ハ) クロロホルム 2000ml (ニ) −アミノプノヌル東京化成(æ ª)補
200mg コヌテむング溶液 39 (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 300 (ハ) クロロホルム 2000ml (ニ) −メチル−−アミノプノヌル東京化
成(æ ª)補 300mg コヌテむング溶液 40 (ã‚€) ポリ゚ステル、アドヒヌシブ49000 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 300 (ハ) クロロホルム 3000ml (ニ) −アミノプノヌル 200mg コヌテむング溶液 41 (ã‚€) ポリ゚ステル、NAP暹脂 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 300 (ハ) ゞクロルメタン 3000ml (ニ) −アミノプノヌル 200mg コヌテむング溶液 42 (ã‚€) バむロン200 600 (ロ) 匏(3)のヒドラゟン 300 (ハ) クロロホルム 2000ml (ニ) −クロロ−−アミノプノヌル東京化
成(æ ª)補 200mg 次に比范のためコヌテむング液劣化防止剀を添
加しなか぀た以倖は実斜䟋の感光䜓30〜42ず同様
の成分から成る比范䟋の感光䜓130〜142を䜜補し
た。これらの感光䜓の光枛衰特性を参考䟋に蚘茉
したず同様に枬定した。埗た結果を第図及び衚
ず衚に瀺す。第図は前蚘コヌテむング溶液
30を甚いお䜜補した実斜䟋の感光䜓30ず、コヌテ
むング液劣化防止剀を含たない溶液を甚いお䜜補
した比范䟋の感光䜓130の双方の応答特性を比范
したものである。曲線が−アミノプノヌル
を添加した堎合、曲線が添加しなか぀た堎合で
ある。第図の露光条件は800nmの150ÎŒWcm2の
光を200msec間照射したものである。 第図の曲線のようにコヌテむング液劣化防
止剀を含んだコヌテむング溶液を甚いお䜜補され
た電子写真感光䜓は、応答速床が速くなり、初期
電圧600Vが100Vに枛衰するたでの時間は0.12秒
であるが、劣化防止剀なしの堎合は1.8秒を芁し
た。第図のデヌタは、コヌテむング溶液を調合
した埌、透明ガラス容噚に入れ宀内光䞋に䞀週間
攟眮した埌の溶液を甚いお䜜成した感光䜓のもの
である。たた、添加剀のコヌテむング液劣化防止
剀の存圚は、応答速床以倖の他の特性に悪圱響を
䞎えるこずは党くなか぀た。 たた第図に露光パワヌを倉えお20msecの光
パルスを照射した堎合の光による攟電特性を瀺
す。第図ず同様に曲線がコヌテむング液劣化
防止剀−アミノプノヌルを含んだコヌテむン
グ溶液を甚いお䜜補したもの、曲線劣化防止剀
を含たないコヌテむング溶液を甚いお䜜補したも
のである。衚面電䜍は光パルス照射埌0.5秒埌の
倀を甚いた。第図から曲線の半枛露光量で衚
わした感床は0.5ÎŒJcm2であ぀たが、曲線は
0.9ÎŒJcm2であり、コヌテむング液劣化防止剀を
含んだコヌテむング溶液を甚いお䜜補した電子写
真感光䜓が感床が高か぀た。 次に衚に実斜䟋の感光䜓30〜42ず衚に比范
䟋のコヌテむング液劣化防止剀を含たないコヌテ
むング溶液を甚いお䜜補した感光䜓130〜142の特
性を瀺す。これらの倀はコヌテむング溶液を調合
した埌、透明ガラス容噚に入れ、宀内光䞋に䞀週
間攟眮した埌のものをコヌテむングした感光䜓の
ものである。 衚の感光䜓30〜42のように、アミノプノヌ
ルたたはベンれン環の氎玠の぀以䞊を電子䟛䞎
性基で眮換したアミノプノヌル誘導䜓を含んだ
コヌテむング溶液を甚いお䜜補した感光䜓は、実
斜䟋に蚘茉したず同様の理由により応答速床が
著く速くなり、感床も高くなり、さらに残留電䜍
も小さい倀ずなる。
【衚】
【衚】
【衚】 尚、䞊述した実斜䟋を、アルミニりム基材䞊に
電荷発生局ず電荷茞送局ずを順次に積局した構造
の電子写真感光䜓ずした䟋で説明した。しかし、
この発明の電子写真感光䜓を第図に瀺すように
アルミニりム基材䞊に電荷茞送局を蚭けこの電荷
茞送局䞊に電荷発生局を蚭けた構造のものずしお
も良い。このような堎合であれば、電荷発生局䞊
に、電子写真感光䜓に耐刷性を持たせか぀電荷茞
送が可胜なオヌバコヌト局を蚭ける。このオ
ヌバコヌト局を、バむンダポリマず、䟋えば
トリニトロフルオレノンずを重量比でに混
合物しこれらを䟋えばトリクレンに溶解させた溶
液をコヌテむングするこずによ぀お圢成するこず
が出来る。又、このオヌバコヌト局の局厚を〜
3ÎŒmずするのが奜適である。尚、このオヌバヌコ
ヌト局のバむンダポリマずしおはポリ゚ステル、
ポリカヌボネヌト等を甚いるこずが出来る。 発明の効果 以䞊説明しおきたように、本発明の電子写真感
光䜓の補造方法によれば、䞀般匏(1)たたは(2)で瀺
す䟡プノヌル、アミノプノヌルたたはゞフ
゚ニルアミン或はそれらの誘導䜓を劣化防止剀ず
しお添加した電荷茞送局圢成甚コヌテむング溶液
を導電性支持䜓䞊に塗垃、也燥しお電荷茞送局を
圢成するので、完成埌の感光䜓の応答特性ず感床
を飛躍的に改善するこずが出来る。 たた埓来は、電荷茞送材料のコヌテむング溶液
を調合した埌、コヌテむング溶液の劣化があり、
長期にわたり、安定な品質の感光䜓を補造するこ
ずは極めお困難であ぀たが、本発明による劣化防
止剀をコヌテむング溶液に加えるこずにより、優
れた品質の感光䜓を長期にわたり安定に補造する
こずが出来る。
【図面の簡単な説明】
第図は参考䟋、実斜䟋及び比范䟋の感光䜓の
断面図、第図は感光䜓及び101の光枛衰特性
を瀺す曲線図、第図は感光䜓及び101の光に
よる攟電特性を瀺す曲線図、第図は感光䜓17及
び117の光枛衰特性を瀺す曲線図、第図は感光
䜓17及び117の光による攟電特性を瀺す曲線図、
第図は感光䜓30及び130の光枛衰特性を瀺す曲
線図、第図は感光䜓30及び130の光による攟電
特性を瀺す曲線図、第図はこの発明の感光䜓の
他の実斜䟋を瀺す断面図である。   アルミニりム基材、  むンゞり
ムフタロシアニン蒞着局、  電荷茞送局、
  オヌバヌコヌト局。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  導電性支持䜓䞊に電荷発生を行う郚分ず電荷
    茞送を行う郚分を別々の材料に分担させお圢成す
    る機胜分離型電子写真感光䜓の補造方法におい
    お、 電荷茞送局を圢成するに圓たり、 電荷茞送材料ずバむンダポリマずを有機溶媒に
    溶解した電荷茞送局圢成甚コヌテむング溶液䞭に
    次の䞀般匏、 匏䞭のR1、R2、R3、R4及びR5は぀以䞊が
    同じものか、たたはそれぞれ異なるもので氎玠原
    子、ハロゲン原子、氎酞基、アミノ基、アルキル
    基たたはアシル基で眮換されたアミノ基、䜎玚ア
    ルキル基、アリヌル基、アシロキシ基、アルコキ
    シ基を瀺し、か぀R1〜R5の内いずれか䞀぀は必
    ずアミノ基を瀺すで衚されるアミノプノヌル
    たたはその誘導䜓か或は次の䞀般匏、 匏䞭のR6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、
    R13、R14、R15及びR16は぀以䞊が同じものか、
    たたはそれぞれ異なるもので氎玠原子、ハロゲン
    原子、氎酞基、アミノ基、アルキル基たたはアシ
    ル基で眮換されたアミノ基、䜎玚アルキル基、ア
    リヌル基、アシロキシ基、アルコキシ基を瀺す
    で衚されるゞプニルアミンたたはその誘導䜓を
    コヌテむング液劣化防止剀ずしお添加しお電荷茞
    送局圢成甚コヌテむング溶液ずしお甚い、 該電荷茞送局圢成甚コヌテむング溶液を導電性
    支持䜓䞊或は導電性支持䜓䞊の電荷発生局䞊に塗
    垃、也燥しお電荷茞送局を圢成するこず を特城ずする電子写真感光䜓の補造方法。  コヌテむング液劣化防止剀を電荷茞送局圢成
    甚コヌテむング溶液に電荷茞送材料ずバむンダポ
    リマず溶媒の合蚈に察しお0.0001重量以䞊添加
    する特蚱請求の範囲第項蚘茉の電子写真感光䜓
    の補造方法。  コヌテむング液劣化防止剀ずしおゞプニル
    アミン、−ゞアミノゞプニルアミン、
    3′−ゞヒドロキシゞプニルアミンたたは
    −メチルゞプニルアミンを甚いる特蚱請求の範
    囲第項たたは第項蚘茉の電子写真感光䜓の補
    造方法。  コヌテむング液劣化防止剀ずしお−アミノ
    プノヌル、−アミノプノヌル、−アミノ
    プノヌル、たたは−メチル−−アミノプ
    ノヌルを甚いる特蚱請求の範囲第項たたは第
    項蚘茉の電子写真感光䜓の補造方法。
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JPS57132154A (en) * 1980-10-22 1982-08-16 Mitsubishi Paper Mills Ltd Electrophotographic receptor
JPS58111042A (ja) * 1981-12-24 1983-07-01 Olympus Optical Co Ltd 電子写真感光䜓
JPS61156052A (ja) * 1984-12-24 1986-07-15 れロツクス コヌポレヌシペン 光導電性像圢成郚材

Patent Citations (4)

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