JPS58111042A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS58111042A JPS58111042A JP21361981A JP21361981A JPS58111042A JP S58111042 A JPS58111042 A JP S58111042A JP 21361981 A JP21361981 A JP 21361981A JP 21361981 A JP21361981 A JP 21361981A JP S58111042 A JPS58111042 A JP S58111042A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoconductive layer
- latent image
- photoconductive
- sensitive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は光書露光から多数枚の複写を得る電子写真光
体に関する。
体に関する。
電子写真において１枚の原種の１回の光偉露光により静
電ａＩｊＩを形成し、これをもとに現儂、転写を繰返し
多数枚の複写画像を優るのに感光体が用いられている。
電ａＩｊＩを形成し、これをもとに現儂、転写を繰返し
多数枚の複写画像を優るのに感光体が用いられている。
しかして、従来この種の感光体として第１図に示すよう
に導電１１１ζζ第１光導電層２．絶縁層３８よび第２
光導電層４を順次積１ｍ Ｌ 構成したものがある。
に導電１１１ζζ第１光導電層２．絶縁層３８よび第２
光導電層４を順次積１ｍ Ｌ 構成したものがある。
そして、このような感光体を用いて静電潜像を形成する
のに第２図又は第３図に示す方法が知られている。この
うち―”第２図に示す方法ではまず同図１ａ）に示すよ
うに第１光導成層２３よび第２光導電層４が夫々感度を
有する光＾Ｂで全面露光しながら第１光導電層２がＰ′
ｍｌならば負、ｎ型ならば正（図示例ではＰ型）のコロ
ナ帯電を帯電１ｆ）５にて与え、絶縁層３の上下に負、
正の電荷対をトラップさせる。次いで、第２図１ｂｌに
示すように第２光導電層４が感度を有する光Ａで全面露
光しながら、第１光導電層２が感度を有する光Ｂで露光
すると同時ｌこ第２図（ａ）の工程と逆の帯電を帯電器
６にて加えてやる。次いで、第２図（ｃ）に示すように
第１光導電層２が感度を有する光Ａで全面露光し靜・鑞
潜儂を得るよう−こしている。また、第３図に示す方法
では第１光導電層２が感度を有する光Ａによる光像露光
と同時帯電を第３図（ａ）の工程にもってきたもので、
第３図＋ｂ）の工程で同図ｉａ）の工程と逆の帯電を加
え、９３図（Ｃ）の工程で第１光導電層２が感度を有す
る光電による全面露光を加え光の全面露光が加わってい
る。
のに第２図又は第３図に示す方法が知られている。この
うち―”第２図に示す方法ではまず同図１ａ）に示すよ
うに第１光導成層２３よび第２光導電層４が夫々感度を
有する光＾Ｂで全面露光しながら第１光導電層２がＰ′
ｍｌならば負、ｎ型ならば正（図示例ではＰ型）のコロ
ナ帯電を帯電１ｆ）５にて与え、絶縁層３の上下に負、
正の電荷対をトラップさせる。次いで、第２図１ｂｌに
示すように第２光導電層４が感度を有する光Ａで全面露
光しながら、第１光導電層２が感度を有する光Ｂで露光
すると同時ｌこ第２図（ａ）の工程と逆の帯電を帯電器
６にて加えてやる。次いで、第２図（ｃ）に示すように
第１光導電層２が感度を有する光Ａで全面露光し靜・鑞
潜儂を得るよう−こしている。また、第３図に示す方法
では第１光導電層２が感度を有する光Ａによる光像露光
と同時帯電を第３図（ａ）の工程にもってきたもので、
第３図＋ｂ）の工程で同図ｉａ）の工程と逆の帯電を加
え、９３図（Ｃ）の工程で第１光導電層２が感度を有す
る光電による全面露光を加え光の全面露光が加わってい
る。
したがって、このようにして形成された感光体の静電＃
鷹をもとに現喰転写を磯返えすことにより多数枚の複写
角書が得られることになる。また。
鷹をもとに現喰転写を磯返えすことにより多数枚の複写
角書が得られることになる。また。
この場合静電＃儂が感光体内部の絶縁層ｌこ形成される
ため現型および転写−ζ８ける外部影響を直接受けるこ
とがなく、これ−こより静電１像を長期間にわたって安
定に保持できる利点もある。
ため現型および転写−ζ８ける外部影響を直接受けるこ
とがなく、これ−こより静電１像を長期間にわたって安
定に保持できる利点もある。
ところが、このような感光体は第１光導電層２として可
視域に光感度を有する８ｅ、 ８ｅ−Ｔｅ、Ｃｄ８Ｚｎ
Ｏ，色素増感有機感光体などが用いられ、また第２光導
電＠４として紫外線域（４００１％１ｍ以下）に感度を
有するＰＶＫなどが用いられるためＥ紀第１光導電層２
が多かれ少なかれ紫外域に光感度を有してしまう。この
ことは第２図１ａｌ ｌｂｌ Ｅよび第３図１ａｌ ｌ
ｂｌに示す工程において第２光導電−４が感度を有する
紫外光で全面露光するとこのときの紫外光層２の界面化
トラップされた電荷が符号７，８に示すようにリークを
生じ光像明部と暗部のコントラストを低下させ、複写画
壇の質を著しく劣化させる欠点があった。
視域に光感度を有する８ｅ、 ８ｅ−Ｔｅ、Ｃｄ８Ｚｎ
Ｏ，色素増感有機感光体などが用いられ、また第２光導
電＠４として紫外線域（４００１％１ｍ以下）に感度を
有するＰＶＫなどが用いられるためＥ紀第１光導電層２
が多かれ少なかれ紫外域に光感度を有してしまう。この
ことは第２図１ａｌ ｌｂｌ Ｅよび第３図１ａｌ ｌ
ｂｌに示す工程において第２光導電−４が感度を有する
紫外光で全面露光するとこのときの紫外光層２の界面化
トラップされた電荷が符号７，８に示すようにリークを
生じ光像明部と暗部のコントラストを低下させ、複写画
壇の質を著しく劣化させる欠点があった。
このため、従来では使用する紫外−の強度を低下させた
り、あるいは紫外線露光に用いるランプの発光スペクト
ル分布のうち第１光導１を層２に感度のある領域のみを
外部フィルタなどでカットするなどしているが、前者で
は良質な静電潜儂が得られなくなる欠点があり、また後
者ではフィルタなどを操作するめんどうな作業を必要と
する欠点があった。
り、あるいは紫外線露光に用いるランプの発光スペクト
ル分布のうち第１光導１を層２に感度のある領域のみを
外部フィルタなどでカットするなどしているが、前者で
は良質な静電潜儂が得られなくなる欠点があり、また後
者ではフィルタなどを操作するめんどうな作業を必要と
する欠点があった。
この発明は上記欠点を除去するためなされたもので、紫
外線吸収物質を用いることにより良質なできる電子写真
感光体を提供することを目的とする。
外線吸収物質を用いることにより良質なできる電子写真
感光体を提供することを目的とする。
以下、この発明の一実施例を図面に従い説明する。
第４図において１１は導電層で、この導電層１１に第１
光電導層１２．絶縁層１３を積層し、この門縁４１３上
に紫外線吸収物質を層状化した紫外線吸収層１４．第２
光導電層１５を積層し、感光体を構成している。
光電導層１２．絶縁層１３を積層し、この門縁４１３上
に紫外線吸収物質を層状化した紫外線吸収層１４．第２
光導電層１５を積層し、感光体を構成している。
この場合、第１光導電層ｉ２は可視光に感度を有する例
えばＳｓ、 ８ｅ合金、Ｃｄ８．ａ−８ｉ系、 ＺｎＯ
。
えばＳｓ、 ８ｅ合金、Ｃｄ８．ａ−８ｉ系、 ＺｎＯ
。
Ｔ ｉ Ｏ，１色素増感したＰＶＫなどの光導電材料が
用いられる。また絶縁層１３は可視光に対し透明なポリ
エステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、
エポキシ樹脂、ポリエチレン樹脂、酢酸セルロース、塩
化ビニール−脂、スチレン樹脂。
用いられる。また絶縁層１３は可視光に対し透明なポリ
エステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、
エポキシ樹脂、ポリエチレン樹脂、酢酸セルロース、塩
化ビニール−脂、スチレン樹脂。
バラキシレンなどが用いられる。更に、紫外！Ｉ吸収層
１４はハイドロキノン系、フェニルサリチレート、ベン
ゾフェノン系、ペンドトリアゾール系の紫外線吸収物質
が用いられる。４体的にノ１イドロキノン系としてはノ
１イドロキノンジサリチレート、ベンゾフェノン系とし
ては２−゛ノ１イドロキシー４−ｎ−オクトキシベンゾ
フェノン、２−ノ１イドロキシー４−メトキシ−２′−
カルボキシベンドフェノン、ベンゾトリアゾール系とし
ては２−（２一ハイドロキジー５′−メチルフェニル）
ベンゾトリアゾール、２−（２−ハイドロキシ−５−メ
チルフェニル）−５−エチルスルホンベンゾトリアゾー
ル、２−（２’−ハイドロキシ−３′−メチ彫−′
ルフェニル）ベンゾトリアゾールなどが用いられ
る。そして、これら紫外線吸収物質はポリエステル、ポ
リエステル、ポリアクリレート。
１４はハイドロキノン系、フェニルサリチレート、ベン
ゾフェノン系、ペンドトリアゾール系の紫外線吸収物質
が用いられる。４体的にノ１イドロキノン系としてはノ
１イドロキノンジサリチレート、ベンゾフェノン系とし
ては２−゛ノ１イドロキシー４−ｎ−オクトキシベンゾ
フェノン、２−ノ１イドロキシー４−メトキシ−２′−
カルボキシベンドフェノン、ベンゾトリアゾール系とし
ては２−（２一ハイドロキジー５′−メチルフェニル）
ベンゾトリアゾール、２−（２−ハイドロキシ−５−メ
チルフェニル）−５−エチルスルホンベンゾトリアゾー
ル、２−（２’−ハイドロキシ−３′−メチ彫−′
ルフェニル）ベンゾトリアゾールなどが用いられ
る。そして、これら紫外線吸収物質はポリエステル、ポ
リエステル、ポリアクリレート。
ポリメチルメータアクリレート、ポリスチレン。
ポリ塩化ビニルなどの高分子樹脂マトリックスに層の種
類３よび紫外線吸収物質の設置場所によって異なるが、
大体ｏ、ｓｗｔ優−１０ｗｔｍが適当な範囲であり、ま
たその厚み寸法は０．５〜５５１ｍ度がよい。これは０
．５μより薄いと吸収が弱くなり、５μ以上だと抵抗、
容量特性および光学的特性ｌこ与える影響が大きくなり
奸才しくない。−にまた、＠２光導電層１５は可視光に
感度を有せず透過する性質を有し、Ｓ外光に感度を有す
る光導鑞材料例えばＰＶＫ、オキサジアゾール、トリア
ゾール、イミダシロン、イミダゾールチオン、ビラシリ
ン、オキラ ザゾール、イミダゾール、％アゾールなどが用０日られ
る。
類３よび紫外線吸収物質の設置場所によって異なるが、
大体ｏ、ｓｗｔ優−１０ｗｔｍが適当な範囲であり、ま
たその厚み寸法は０．５〜５５１ｍ度がよい。これは０
．５μより薄いと吸収が弱くなり、５μ以上だと抵抗、
容量特性および光学的特性ｌこ与える影響が大きくなり
奸才しくない。−にまた、＠２光導電層１５は可視光に
感度を有せず透過する性質を有し、Ｓ外光に感度を有す
る光導鑞材料例えばＰＶＫ、オキサジアゾール、トリア
ゾール、イミダシロン、イミダゾールチオン、ビラシリ
ン、オキラ ザゾール、イミダゾール、％アゾールなどが用０日られ
る。
しカーして、このよう−こ構成した感光体は例えば上述
した＠２図（ａ）〜（ｃｌに示すプロセスと同様ｌζて
静電１ｆＩ儂が形成される。この場合、第２図（ａｌお
よびｔｂ＋の工程において夫々第２光導電層１５が感度
を有する光つまり紫外線で露光するが、このとき紫外線
吸収層１４＃こて紫外線が吸収され＃Ｅ１光導電＃１２
側に作用するのを阻止できるので＠１光導電′４１２で
の電荷リークを確実に防止でき、これにより光像明部と
暗部のコントラストの低下を防止でき良質な靜１ｔｍｓ
を得られる。したがって。
した＠２図（ａ）〜（ｃｌに示すプロセスと同様ｌζて
静電１ｆＩ儂が形成される。この場合、第２図（ａｌお
よびｔｂ＋の工程において夫々第２光導電層１５が感度
を有する光つまり紫外線で露光するが、このとき紫外線
吸収層１４＃こて紫外線が吸収され＃Ｅ１光導電＃１２
側に作用するのを阻止できるので＠１光導電′４１２で
の電荷リークを確実に防止でき、これにより光像明部と
暗部のコントラストの低下を防止でき良質な靜１ｔｍｓ
を得られる。したがって。
かかる温償をもとに現像、転写を繰返えすことにより再
現性良好な複写画１象を所望枚数だけ得ることができる
。
現性良好な複写画１象を所望枚数だけ得ることができる
。
なお、この発明はト紀実施−にのみ限定されず要旨を変
ダしない範囲で適宜変形して実施できる。
ダしない範囲で適宜変形して実施できる。
例えば第５図に示すように紫外線吸収＠１４を第１光導
電層１２と絶縁１−１３の間に介在しでもよく、また第
６図ζこ示すように紫外線吸収物質を絶縁層１３中に含
ませるようにしてもよい。また。
電層１２と絶縁１−１３の間に介在しでもよく、また第
６図ζこ示すように紫外線吸収物質を絶縁層１３中に含
ませるようにしてもよい。また。
感光体への静鑞膚摩形成プロセスは第３図ζζ示す方法
でもよく、その他に■−次帯鑞同時可視光全面露光→■
二次逆帯電同時可視光像露光→＠可視光全面露光→＠紫
外線全面露光による方法、■−次帯電同時可視光摩篇光
−■暗中二次逆極性帯電−＠町夜光全面露光、−〇紫外
縁全面−光による方法、■−次帝電同時可視光全面露光
−＠暗中逆極性帯電−■ｏＪ視光１＃露光→＠紫外線全
面露光による方法、■−次帯電同時町視光Ｓよび紫外線
全面相す 露光−〇二次逆帯電同時紫外線全面露光−〇可複光１象
露光による方法などがあるが、これら方法を用いても上
述と同様の効果が期待できる。
でもよく、その他に■−次帯鑞同時可視光全面露光→■
二次逆帯電同時可視光像露光→＠可視光全面露光→＠紫
外線全面露光による方法、■−次帯電同時可視光摩篇光
−■暗中二次逆極性帯電−＠町夜光全面露光、−〇紫外
縁全面−光による方法、■−次帝電同時可視光全面露光
−＠暗中逆極性帯電−■ｏＪ視光１＃露光→＠紫外線全
面露光による方法、■−次帯電同時町視光Ｓよび紫外線
全面相す 露光−〇二次逆帯電同時紫外線全面露光−〇可複光１象
露光による方法などがあるが、これら方法を用いても上
述と同様の効果が期待できる。
以を述べたようにこの発明によれば紫外線吸収物質を用
いることにより良質な静電層像が得られ、ＡｆＪｌ性良
好な複写ｌｊ儂を期待できる電子写真感光体を提供でき
る。
いることにより良質な静電層像が得られ、ＡｆＪｌ性良
好な複写ｌｊ儂を期待できる電子写真感光体を提供でき
る。
！ａ１図は従来の電子写真感光体の一例を示す概略的構
成図、第２図（ａ） （ｂ） （ｃ）および第３図（ａ
） （ｂ） （ｃｌは夫々異なる靜゛鑞温償の形成プロ
セスを説明するための概略的構成図、第４図はこの発明
の一実施例を示す概略的構成図、１ｓ５図はこの発明の
他実施例を示す概略的構成図、第６図はこの発明の異な
る他実施例を示す概略的構成図である。 １、１１・・・導電層 ２．１２・・・第１光導電
層３．１３・・・絶縁層 ４，１５・・・第２光導
電層１４・・・紫外線吸収層 第３ １１１６図 １１１５図
成図、第２図（ａ） （ｂ） （ｃ）および第３図（ａ
） （ｂ） （ｃｌは夫々異なる靜゛鑞温償の形成プロ
セスを説明するための概略的構成図、第４図はこの発明
の一実施例を示す概略的構成図、１ｓ５図はこの発明の
他実施例を示す概略的構成図、第６図はこの発明の異な
る他実施例を示す概略的構成図である。 １、１１・・・導電層 ２．１２・・・第１光導電
層３．１３・・・絶縁層 ４，１５・・・第２光導
電層１４・・・紫外線吸収層 第３ １１１６図 １１１５図
Claims (4)
- （１）導電゛層、可視光に感度を有する第１光導電層。 絶縁層および紫外線ｌこ感度を有する第２光導電層を積
層してなる亀のに８いて、上記第１光導電層とｆ４２光
導電層の関に紫外線吸収物質を介在させたことを特徴と
する電子写真感光体。 - （２）上記紫外線吸収物質は上記絶縁層と第２光導電層
の間に層状に介在されることを特徴とする特許請求のａ
囲第１項記載の電子写真感光体。 - （３） 上記紫外線吸収物質は上記第１光導電層と絶
縁層の間に層状−ζ介在されることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の電子写真感光体。 - （４）上記絶縁層は紫外線吸収物質を含有するものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲１１１項記載の電子
写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21361981A JPS58111042A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21361981A JPS58111042A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58111042A true JPS58111042A (ja) | 1983-07-01 |
Family
ID=16642166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21361981A Pending JPS58111042A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58111042A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62265666A (ja) * | 1986-05-13 | 1987-11-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体の製造方法 |
| JPS634238A (ja) * | 1986-06-24 | 1988-01-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体の製造方法 |
-
1981
- 1981-12-24 JP JP21361981A patent/JPS58111042A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62265666A (ja) * | 1986-05-13 | 1987-11-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体の製造方法 |
| JPH0478986B2 (ja) * | 1986-05-13 | 1992-12-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | |
| JPS634238A (ja) * | 1986-06-24 | 1988-01-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体の製造方法 |
| JPH0478987B2 (ja) * | 1986-06-24 | 1992-12-14 | Oki Electric Ind Co Ltd |
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