JPH0442922Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、フイルム基板上にリードを形成
し、そのリード先端部に半導体チツプをビンデイ
ングするフイルムキヤリアに関する。

〔従来の技術〕

近年、半導体装置のパツケージングの薄型化、
高密度実装化等に伴い、半導体チツプとリードと
を接続する方法として、これまで利用されてきた
ワイヤボンデイング方式に変り、ワイヤを使用し
ないでチツプとリードとを接続するワイヤレスボ
ンデイング方式が利用されるようになつてきた。

この種ワイヤレスボンデイング方式の一つに
TAB（テープ・オートメイテツド・ボンデイン
グ）方式があるが、これによつて製造された従来
のフイルムキヤリアを、第２図と第３図により製
造工程に従つて説明する。

耐熱性のフイルム基板１の中央に孔１３をあ
け、その片面に銅箔を接着剤で貼着し、その後エ
ツチングによりその孔あけ部周囲にフインガー状
のリード２を形成する。さらに、リード２のイン
ナーリード３先端を錫メツキするとともその錫メ
ツキ層上に金の突起電極（図示せず）を形成して
おく。半導体チツプ（図示せず）の電極を該突起
電極に一致させて加熱・加圧することよりボンデ
イングが行われる。

ところで、リード２が露出したままであると、
防湿、耐湿の点で好ましくなく、また異物付着に
よるシヨートの発生の恐れもあり、さらに錫メツ
キのホイスカの発生を防ぐ必要があるため、メツ
キ工程の前に、インナーリード３先端を囲むよう
にフイルム基板１のリード形成面をリードととも
に保護膜７で覆つている。保護膜７にはソルダー
レジストを印刷塗布した後乾燥して形成される。

〔考案が解決しようとする問題点〕

しかしながら、従来、保護膜７はリード保護の
目的からしてフイルム基板１のリード形成面にの
み塗布形成されている。このため、乾燥工程にお
いて、塗布樹脂の硬化収縮が生じるので、第３図
に示すように乾燥前の平坦な状態Ｂから、インナ
ーリード３間が開くといつた。同図のＡで示す反
り返り状態を発生させる欠点があつた。

さらに、このようにフイルム基板１に反りが発
生すると、半導体チツプをインナーリード３先端
部にボンデイングする際、チツプ側電極と突起電
極との位置ズレや接合不良が生じていた。また、
チツプ接合後その周囲を樹脂コートする場合に
は、コート層が不均一になるといつた問題を生じ
ていた。

この考案は、上記従来の問題点を解消し、フイ
ルム形成過程において反りを生じず、チツプボン
デイング精度の向上や樹脂コートの均一化を図る
ことのできるフイルムキヤリアを提供することを
目的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、この考案は、フイ
ルム基板上にリードを形成するとともに、半導体
チツプをボンデイングする前記リードの先端部周
辺に熱硬化性保護膜を塗布形成したフイルムキヤ
リアにおいて、前記保護膜と略同程度に熱収縮す
る熱硬化性絶縁塗布膜を前記保護膜の形成面裏面
に形成したことを特徴とする構成にした。

〔作用〕

この考案においては、フイルム基板のチツプボ
ンデイング周辺におけるリード形成面およびその
裏側にそれぞれ熱硬化性保護膜、熱硬化性絶縁塗
布膜を形成したので、フイルム基板上にリードを
形成した後、例えばリード形成面にソルダーレジ
スト、その裏側に絶縁性樹脂等の絶縁膜材の塗
布、乾燥を行つても、基板を挟んで各塗布材は硬
化収縮を起こすが、ソルダーレジストの収縮しよ
うとする力に対し、それと同程度に熱収縮する裏
側の熱硬化性絶縁塗布材の収縮力が反対向きに作
用して相殺され、フイルムの反りを発生させな
い。

〔効果〕

この考案によれば、リード形成過程における熱
効果性保護膜の塗布形成時に、フイルム基板の反
りの発生を防止してフイルムキヤリアの平坦性を
保持することができるので、半導体チツプをリー
ド先端部にボンデイングする際、チツプ側電極と
突起電極との位置ズレを生じたり、チツプが傾い
たりといつた接合不良が生じず、チツプボンデイ
ング精度等の信頼性を向上させる。また、半導体
チツプは平坦な状態で、かつ正確にフイルムキヤ
リアに実装されるので、チツプ接合後における樹
脂コートも均一に施すことができ、外観形状の安
定化を図ることができる。

〔実施例〕

第１図はこの考案に係るフイルムキヤリアを適
用した半導体装置の要部断面図である。なお、第
２図および第３図に示した部材と同一の部材につ
いては同一の符号を付している。

フイルム基板１はポリイミド、ポリエステル等
の樹脂系フイルムである。基板中央には開口部１
０が穿設され、その周囲に銅リード２が片面に形
成されている。リード２は開口部１０に臨むイン
ナーリード３と、外部接続用アウターリード４と
を有する。アウターリード４はフエイスアツプま
たはフエイスダウンによる基板実装に用いるリー
ドであつて、フイルム基板１より外延されてい
る。インナーリード３の先端部の錫メツキ層１１
には、金バンプを転写し、Au−Su共晶合金化す
ることによつて、突起電極５が形成されている。

上記構成のフイルムキヤリアに対し、半導体チ
ツプ６は突起電極５に対し加熱・加圧されること
によつてボンデイングされる。９は開口部１０に
充填され、かつ半導体チツプ６およびインナーリ
ード３を覆う樹脂コート部である。

本実施例に係るフイルムキヤリアと従来例と相
違するところは、インナーリード３と外部接続用
アウターリード４間の基板両側に保護膜７、熱収
縮吸収膜８をそれぞれ形成している点である。こ
れらの膜はエポキシ系ソルダーレジストからな
り、インナーリード３の錫メツキ工程前に、開口
部１０を囲繞するように印刷塗布される。保護膜
７はインナーリード３先端を残してフイルム基板
１の片面に形成され、熱収縮吸収膜８もフイルム
基板１を介して保護膜７と略対称に形成されてい
る。保護膜７を施すことにより、インナーリード
３先端とアウターリード４側にのみに錫メツキ層
１１，１２が形成される。

以上のように、インナーリード３とアウターリ
ード４間の基板両側にソルダーレジストの塗布膜
を設けることにより、レジスト乾燥時の硬化収縮
によつて反対向きに反ろうとする力を打ち消すの
で、平坦なフイルムキヤリア構成を実現でき、こ
れによりチツプボンデイングの位置精度を格段に
向上させることができる。例えば125μm程度のポ
リイミドフイルム基板で銅リード厚を約30μmと
したフイルムキヤリアにおいて、約20〜40μm程
度のエポキシ系ソルダーレジスト膜をインナーリ
ード３側にのみ形成したときは約１〜２mmの基板
のソリが発生するが、同程度厚のエポキシ系ソル
ダーレジスト膜を裏面側に形成した場合、最大約
20μmのソリ量に抑えることができる。この実施
例において、リード形成面と反対側の熱収縮吸収
膜８はソルダーレジストと略同程度に熱収縮する
熱硬化性絶縁性材を塗布して形成してもよい。ま
た、本実施例では、インナーリード３の先端に突
起電極５を形成しているが、半導体チツプ側にバ
ンプ電極５を形成してボンデイングを行う場合に
も適用できる。さらに、本考案において、ソルダ
ーレジスト以外の熱硬化性樹脂等を使用してもよ
い。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案に係るフイルムキヤリアを適
用した半導体装置の要部断面図、第２図、第３図
はそれぞれ従来の半導体装置用フイルムキヤリア
の平面図、要部断面図である。 １……フイルム基板、２……リード、７……保
護膜、８……熱収縮吸収膜（熱硬化性絶縁塗布
膜）。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 フイルム基板上にリードを形成するとともに、
   半導体チツプをボンデイングする前記リードの先
   端部周辺に熱硬化性保護膜を塗布形成したフイル
   ムキヤリアにおいて、 前記保護膜と略同程度に熱収縮する熱硬化性絶
   縁塗布膜を前記保護膜の形成面裏面に形成したこ
   とを特徴とするフイルムキヤリア。