JPH0440780B2 - - Google Patents

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JPH0440780B2
JPH0440780B2 JP56085689A JP8568981A JPH0440780B2 JP H0440780 B2 JPH0440780 B2 JP H0440780B2 JP 56085689 A JP56085689 A JP 56085689A JP 8568981 A JP8568981 A JP 8568981A JP H0440780 B2 JPH0440780 B2 JP H0440780B2
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Yukihiro Isobe
Kazuyuki Tanaka
Masaharu Nishimatsu
Osamu Shinora
Juichi Kubota
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TDK Corp
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    • G11B5/62Record carriers characterised by the selection of the material
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Description

【発明の詳现な説明】
本発明は、電子線架橋あるいは重合により硬化
されたバツク局を具備する磁気蚘録媒䜓に関する
ものであり、特にはバツク局が25〜300Kgcm2の
100モゞナラスを有する匟性䜓でありそしおモ
ヌス硬床以䞊の研磚剀を少くずも含有しおいる
ような磁気蚘録媒䜓に関係する。 珟圚、磁気テヌプは、オヌデむオ、ビデオ、コ
ンピナヌタ等の分野で広範囲に䜿甚されるように
な぀おいる。それに䌎い、磁気蚘録媒䜓に蚘録す
る情報量も幎々増加の䞀途をたどり、そのため磁
気蚘録媒䜓に察しおは情報蚘録密床の高いこずが
益々芁求されるようにな぀おきおいる。高密床蚘
録のためには短波長蚘録方匏が採られるが、これ
はドロツプアりトの問題を生じやすい。ドロツプ
アりトずは磁気テヌプに曞蟌たれおいる情報を読
みだす際存圚すべきパルスを芋萜す誀りであり、
これは磁気テヌプず磁気ヘツドずの間のスペヌシ
ング損倱が瞬時的に増加するこずが䞻因ずな぀お
いる。磁気テヌプず磁気ヘツドずの間のスペヌシ
ング損倱は54.6λ〔dB〕テヌプずヘツド ずの間の距離、λ蚘録波長で衚わされる。こ
の匏からわかるように、蚘録密床の高い短波長蚘
録においおは、スペヌシング損倱が長波長のそれ
よりも著しく倧きくなり、埓぀おごく小さな異物
がテヌプ衚面䞊にあ぀おもスペヌシング損倱が倧
きくな぀お、それがドロツプアりトずなるのであ
る。 ドロツプアりトは、磁気テヌプ補造過皋あるい
は䜿甚過皋から由来する異物がテヌプ面に存圚
し、これら異物がヘツド−テヌプ間のスペヌシン
グを拡げる䜜甚をするこずによ぀お起るのがある
が、これら異物の発生原因ずしお考えられるの
は、繰返し応力がかかるこずによる塗膜の劣化か
ら生ずる磁気テヌプ塗膜衚面の磁性粉脱萜、ある
いは磁気テヌプの走行䞭にベヌス材から削れ萜ち
たものやホコリ等が静電的にベヌス面に付着しそ
しおそれらが塗膜面に転移するこず等である。こ
れらを防止する為に、特に埌者の原因の排陀の為
に、磁気テヌプの磁性面ずは反察偎のベヌス面に
カヌボンブラツクあるいはグラフアむト等をを有
機結合剀ずずもに混錬した塗料を塗垃したり、垯
電防止剀を塗垃する等によりベヌスの垯電珟象を
少なくする方法、酞化珪玠等を有機結合剀ずずも
に混錬した塗料を塗垃するこずによりベヌスの匷
靭化を蚈぀おベヌスの削れを少くする方法等が提
案されおきた。これら凊理により、繰返し走行に
察するドロツプアりト増加の傟向はかなり抑える
こずができる。しかし、その抑制氎準は珟状では
ただ満足すべきものではなく、曎に䞀段ず少くす
る必芁がある。殊に、このようなバツク局を蚭け
るこずによ぀おも走行回転数の少い早期段階にお
いおのドロツプアりトがそれ皋に䜎くないずいう
予想倖の珟象が認められた。 バツク局圢成においおは、バツク局を磁性面よ
り先に圢成するず、磁性面を圢成した埌そのカレ
ンダヌ凊理による衚面平滑化の際にバツク局の凹
凞が磁性面に転写しお磁性塗膜の平滑化が十分に
為されないから、バツク局は磁性塗膜をベヌス䞊
に圢成した埌その反察偎のベヌス裏面に圢成され
るのが普通であ぀た。バツク局は、充填剀ずしお
カヌボンブラツク、グラフアむト、あるいは他の
無機材いずれが䜿甚されようずも、走行回数を増
しおもドロツプアりトが増加しないよう匷靭であ
るこずが芁求されるから、熱硬化性暹脂が結合剀
ずしお䜿甚されるのが䞀般である。その堎合、バ
ツク局が塗垃された埌のテヌプは巻取られ熱硬化
凊理が斜されるこずになる。しかし、バツク局の
塗垃が終぀た時点においおは、バツク局䞭ではい
ただ硬化反応が始぀おおらず、その塗膜は匷固で
ない。その状態でテヌプを巻取るず、バツク面ず
磁性面ずは密着状態にあるため、バツク局塗膜䞭
に充填されおいるカヌボンブラツク、グラフアむ
トあるいは他の無機充填剀は、それが接觊しおい
る磁性面に転移しやすく、これら転移したものが
ドロツプアりトやヘツドの目づたりの原因ずな぀
おいるこずを発生原因を詳现に調べた結果本発明
者等は知芋した。これたで、バツク局を蚭けるこ
ずにより繰返し走行によるドロツプアりトの増加
をかなり抑えるこずはできたのにもかかわらず、
走行回数の少い段階においおドロツプアりトがそ
れ皋䜎くないのは実はこの理由のためである。即
ち、磁気テヌプ補造終了時に、バツク局から磁性
面ぞの転移物が既に存圚しおいるため、走行初期
からかなりのドロツプアりトが発生したのであ
る。走行回数が増えた堎合には、バツク局による
補匷および垯電防止効果によ぀おバツク局が無い
堎合に范べおドロツプアりトの増加をかなり䜎く
抑えるこずができたものず思われる。結合剀ずし
お熱可塑性暹脂が䜿甚された堎合でも同様な珟象
が起るものず考えられる。 そこで、バツク局圢成工皋での䞊蚘の䞍郜合を
解消するこずによ぀お、即ちベヌス局から磁性面
ぞの転移物を排陀するこずによ぀お、磁気テヌプ
はテヌプ面に異物が無い状態で䜿甚者に䟛され、
その䜿甚初期段階から繰返し䜿甚時たでドロツプ
アりトの発生を抑止するこずができるはずであ
る。 このような考慮の䞋で、本発明者は、バツク局
においお䜿甚する結合剀ずしお攟射線感応暹脂を
甚い、前蚘モヌス硬床以䞊の研磚材ず結合剀ず
を混錬した塗料でバツク局を圢成した埌、掻性゚
ネルギヌ線源により電子線を照射しお硬化凊理を
斜すか、あるいは衚面凊理を行぀た埌硬化凊理を
斜すこずによ぀おバツク局䞭に䞉次元架橋を生じ
させお匷靭な塗膜ずし、その埌テヌプを巻取るこ
ずによ぀おドロツプアりトの枛少に成功した。こ
の方法によれば、テヌプが巻取られるのは塗膜の
架橋反応が終了した埌であるから、巻取りにより
バツク局が磁性面に密着しおもバツク局から磁性
面ぞの転移は起きない。 曎に、バツク局の硬さや腰の匷さが適切でない
ず、磁気テヌプの補造䞭あるいは䜿甚䞭の巻取り
に際しおバツク局による磁性面ぞのすり傷等によ
るドロツプアりトの性胜䞊の重欠陥を䞎えるこず
が認められた。本発明においおは、バツク局は、
モヌス硬床以䞊の研磚材粒子を含たせるこずに
よりモゞナラスが調敎される。匟性䜓ずしお100
モゞナラスが25Kgcm2以䞊であれば、バツク局
による匟性面ぞのすり傷の発生は皆無ずなり、巻
きしたりの防止にきわめお圹立぀こずがわか぀
た。25Kgcm2未満では、テヌプの腰が匱くなりす
ぎるので、リヌルに巻き぀けるに際しお操䜜䞊奜
たしくなく、すり傷防止䞊からも柔らかすぎお奜
たしくない。他方、100モゞナラスが300Kgcm2
を越えるず、硬くなり過ぎおしたい、バツク局の
凹凞が磁性局に圱響を䞎えるこずが刀明した。斯
くしお、バツク局は100モゞナラス25〜300Kg
cm2の匟性䜓ずされる。 研磚剀粒子をバツク局に混合するこずによりバ
ツク局の耐磚耗性が向䞊し、バツク局の磚耗、削
れ等が曎に䞀局確実に防止されうる。 このように、本発明においおは、磁気テヌプ補
造工皋におけるバツク局から磁性面ぞの転移物を
排陀するず共に、バツク局にモヌス硬床以䞊の
研磚剀粒子を含入させるこずによりそのモゞナラ
ス調敎を為すこずによ぀お、磁気テヌプの䜿甚初
期はもちろんのこず、繰返し䜿甚䞭にもきわめお
有効にドロツプアりトの発生が抑制される。バツ
ク局はテヌプに適正な腰の匷さを䞎え、テヌプの
巻き状態も長期間安定しお良奜な状態に維持され
る。 本発明で甚いる攟射線感応暹脂ずは、電子線照
射によりラゞカルを発生し、架橋あるいは重合す
るこずにより硬化するような、分子鎖䞭に䞍飜和
二重結合を個以䞊含む暹脂である。高分子物質
には、電子線照射により厩壊するものず分子間に
架橋を起すものが知られおいるが、埌者の䟋ずし
おは、ポリ゚チレン、ポリプロピレン、ポリスチ
レン、ポリアクリル酞゚ステル、ポリアクリルア
ミド、ポリ塩化ビニル、ポリ゚ステル、ポリビニ
ルピロリドンゎム、ポリビニルアルコヌル、ポリ
アクロレむン等が挙げられ、このような架橋型ポ
リマヌがそのたたバツク局結合剀ずしお䜿甚しう
る。 曎に、本発明で甚いる攟射線感応暹脂は熱可塑
性暹脂を攟射線感応倉性するこずによ぀おも調補
され、この方が硬化速床等の面から奜たしい。攟
射線感応倉性の具䜓䟋ずしおは、ラゞカル重合性
を有する䞍飜和二重結合を瀺すアクリル酞、メタ
クリル酞あるいはそれらの゚ステル化合物のよう
なアクリル系二重結合、ゞアリルフタレヌトのよ
うなアリル型二重結合、マレむン酞、マレむン酞
誘導䜓等の䞍飜和結合等の攟射線照射による架橋
あるいは重合也燥する基を分子䞭に導入するこず
である。その他攟射線照射により架橋重合する䞍
飜和二重結合であれば甚いる事が出来る。 攟射線感応暹脂に倉性できる熱可塑性暹脂を以
䞋に瀺す。 () 塩化ビニヌル系共重合䜓 塩化ビニヌル−酢酞ビニヌル−ビニヌルアル
コヌル共重合䜓、塩化ビニヌル−ビニルアルコ
ヌル共重合䜓、塩化ビニヌル−ビニルアルコヌ
ル−プロピオン酞ビニヌル共重合䜓、塩化ビニ
ヌル−酢酞ビニヌル−マレむン酞共重合䜓、塩
化ビニヌル−酢酞ビニヌル−末端OH偎鎖アル
キル基共重合䜓。商品名ずしおは、たずえば
UCC瀟VROH、VYNC、VYEGX等たたUCC
瀟VERR等が挙げられる。 䞊蚘共重合䜓は、埌に述べる手法により、ア
クリル系二重結合、マレむン酞系二重結合、ア
リル系二重結合を導入するこずにより攟射線感
応倉性が行われる。 () 飜和ポリ゚ステル暹脂 フタル酞、む゜フタル酞、テレフタル酞、マ
レむン酞、マレむン酞誘導䜓、コハク酞、アゞ
ピン酞、セバシン酞、のような飜和倚塩基酞ず
゚チレングリコヌル、ゞ゚チレングリコヌル、
グリセリン、トリメチロヌルプロパン、
プロピレングリコヌル、ブタンゞオヌ
ル、ゞプロピレングリコヌル、ブタンゞ
オヌル、ヘキサンゞオヌル、ペンタ゚リ
スリツト、゜ルビトヌル、グリセリン、ネオペ
ンチルグリコヌル、シクロヘキサンゞメ
タノヌルのような倚䟡アルコヌルずの゚ステル
結合により埗られる飜和ポリ゚ステル暹脂又は
これらのポリ゚ステル暹脂をSO3Na等で倉性
した暹脂バむロン53S。 これらも埌に述べる手法により攟射線感応倉
性が行なわれる。 () 䞍飜和ポリ゚ステル暹脂 分子鎖䞭に攟射線硬化性䞍飜和二重結合を含
有するポリ゚ステル化合物。䟋えば第項
の熱可塑性暹脂ずしお蚘茉の倚塩基酞ず倚䟡ア
ルコヌルの゚ステル結合から成る飜和ポリ゚ス
テル暹脂で倚塩基酞の䞀郚をマレむン酞ずした
攟射線硬化性䞍飜和二重結合を含有する䞍飜和
ポリ゚ステル暹脂、プリポリマヌ、オリゎマヌ
を挙げるこずができる。 飜和ポリ゚ステル暹脂の倚塩基酞および倚䟡
アルコヌル成分は第項に蚘茉した各化合
物を挙げるこずができ、攟射線硬化性䞍飜和二
重結合ずしおはマレむン酞、フラル酞等を挙げ
るこずができる。 攟射線硬化性䞍飜和ポリ゚ステル暹脂の補法
は、倚塩基酞成分皮以䞊ず倚䟡アルコヌル成
分皮以䞊にマレむン酞、フマル酞等を加え垞
法、すなわち觊媒存圚䞋180〜200℃窒玠雰囲気
䞋脱氎あるいは脱アルコヌル反応の埌、240〜
280℃たで昇枩し、0.5〜mmHgの枛圧䞋瞮合
反応によりポリ゚ステル暹脂を埗るこずができ
る。マレむン酞やフマル酞等の含有量は、補造
時の架橋、攟射線硬化性等から酞成分䞭〜40
モルで奜たしくは10〜30モルである。 () ポリビニルアルコヌル系暹脂 ポリビニルアルコヌル、ブチラヌル暹脂、ア
セタヌル暹脂、ホルマヌル暹脂及びこれらの成
分の共重合䜓。 これら暹脂もそこに含たれる氎酞基を埌に述
べる手法により攟射線感応化倉性される。 () ゚ポキシ系暹脂、プノキシ暹脂 ビスプノヌルず゚ピクロルヒドリン、メ
チル゚ピクロルヒドリン反応による゚ポキシ暹
脂−シ゚ル化孊補゚ピコヌト152、154、828、
1001、1004、1007ダりケミカル補
DEN431、DER732、DER511、DER331倧
日本むンキ補゚ピクロン400、゚ピクロン−
800、曎に䞊蚘゚ポキシの高重合床暹脂である
UCC瀟補プノキシ暹脂PKHA、PKHC、
PKHH臭玠化ビスプノヌルず゚ピクロ
ルヒドリンずの共重合䜓、倧日本むンキ化孊工
業補゚ピクロン145、152、153、1120等。 これら暹脂も、そこに含たれる゚ポキシ基を
利甚しお、攟射線感応倉性が行われる。 () 繊維玠誘導䜓 各皮分子量の繊維玠系誘導䜓も、たた熱可塑
性プラスチツク成分ずしお効果的である。その
䞭でも、特に効果的なものは硝化綿、セルロヌ
ズアセトブチレヌト、゚チルセルロヌズ、ブチ
ルセルロヌズ、アセチルセルロヌズ等が奜適で
ある。 これらも、暹脂䞭の氎酞基を掻甚しお埌に述
べる手法により攟射線感応倉性が行われる。 その他、攟射線感応倉性に甚いるこずのでき
る暹脂ずしおは、倚官胜ポリ゚ステル暹脂、ポ
リ゚ヌテル゚ステル暹脂、ポリビニルピロリド
ン暹脂及び誘導䜓PVPオレフむン共重合䜓
ポリアミド暹脂、ポリむミド暹脂、プノヌル
暹脂、スピロアセタヌル暹脂、氎酞基を含有す
るアクリル゚ステル及びメタクリル゚ステルを
少くずも䞀皮以䞊重合成分ずしお含むアクリル
系暹脂等も有効である。 曎に、䞊蚘攟射線感応倉性熱可塑性暹脂に熱
可塑性゚ラストマヌ又はプレポリマヌをブレン
ドするこずにより䞀局匷靭な塗膜ずするこずが
できる。加えお、これら゚ラストマヌあるいは
プレポリマヌが同様に攟射線感応性に倉性され
た堎合にはより䞀局効果的である。䞊蚘攟射線
感応倉性熱可塑性暹脂ず組合せるこずのできる
゚ラストマヌあるいはプレポリマヌの䟋に぀い
おは埌にたずめお瀺す。 曎に、この方法によれば、溶剀を䜿甚しない
無溶剀型の暹脂であ぀おも短時間で硬化するこ
ずができるのでこの様な暹脂をバツク局におい
お甚いるこずもできる。 以䞊説明したような攟射線感応暹脂は、モヌス
硬床以䞊の研磚剀ず混合され、ボヌルミル等で
十分に混錬分散される。ボヌルミル以倖にも、サ
ンドグラむンドミル、ロヌルミル、高速むンペラ
ヌ分散機、ホモゞナむザヌ、超音波分散機等各皮
の装眮が䜿甚されうる。 モヌス硬床以䞊の研磚材粒子ずしおは垂販の
研磚埮粒粉末、䟋えばカヌボランダム炭化珪
玠モヌス硬床〜10、アルミナモヌス硬床
、酞化クロム同、酞化珪玠同、ガ
ヌネツト同6.5〜7.5、酞化亜鉛同4.5、酞化
チタン同等が利甚されうる。 バツク局においおは、モヌス硬床以䞊の研磚
剀ず非磁性無機又は有機充填剀ずの䜵甚も可胜で
ある。非磁性無機又は有機充填剀ずしおはタル
ク、カオリン、CaSO4、CaCO3、四フツ化゚チ
レン暹脂粉末、フツ化黒鉛、二硫化モリブデン、
グラフアむト、カヌボンブラツク等が挙げられ
る。 研磚材の䜿甚量は、䜿甚する物質の硬床、粒寞
に䟝存するが、䞀般に結合剀100重量郚に察しお
〜350重量郚の範囲で遞択される。充填剀の䜿
甚量もその皮類に䟝存するが、結合剀100重量郹
に察しお、25〜300郚が適圓である。充填量があ
たり倚くなるず、塗膜が脆くなり、かえ぀おドロ
ツプアりトが倚くなるずいう欠点が生じる。研磚
剀ず充填剀ずが䜵甚される堎合、その総蚈量が倚
過ぎないよう配慮が必芁である。 次いで、塗垃バツク局を硬化するべく、攟射線
照射が行われる。䜿甚しうる掻性゚ネルギヌ線ず
しおは、攟射線加速噚を線源ずした電子線、Co60
を線源ずしたγ−線、Sr90を線源ずしたβ−線、
線発生噚を線源ずした−線等が䜿甚される。 特に照射線源ずしおは吞収線量の制埡、補造工
皋ラむンぞの導入、電離攟射線のしや閉等の芋地
から攟射線加速噚による攟射線を䜿甚する方法が
有利である。 バツク局を硬化する際に䜿甚する攟射線特性ず
しおは、透過力の面から加速電圧100〜750KV奜
たしくは150〜300KVの攟射線加速噚を甚い、吞
収線量を0.5〜20メガラツドになる様に照射する
のが奜郜合である。特に、バツク局硬化目的に
は、米囜゚ナヌゞヌサむ゚ンス瀟にお補造されお
いる䜎線量タむプの攟射線加速噚゚レクトロカ
ヌテンシステム等がテヌプコヌテむング加工ラ
むンぞの導入、加速噚内郚の次線の遮閉等に
極めお有利である。 勿論、埓来より電子線加速材ずしお広く掻甚さ
れおいるずころのフアンデグラフ型加速噚を䜿甚
しおも良い。 たた、攟射線架橋に際しおは、N2ガス、CO2
ガス、Heガス等の䞍掻性ガス気流䞭で攟射線を
バツク局に照射するこずが重芁であり、空気䞭で
攟射線を照射するこずは、結合剀成分の架橋に際
し攟射線照射により生じたO3等の圱響でポリマ
ヌ䞭に生じたラゞカルが有効に架橋反応に働く事
を阻害するのできわめお䞍利である。 埓぀お、掻性゚ネルギヌ線を照射する郚分の雰
囲気は、特に酞玠濃床が最倧でのN2、He、
CO2等の䞍掻性ガス雰囲気に保぀こずが重芁ずな
る。 こうしお、バツク局の硬化凊理の終぀た磁気テ
ヌプは巻取られ、〓埌工皋に䟛される。 本発明に埓぀おバツク局を蚭けるべき磁気テヌ
プずしおは、オヌデむオテヌプ、ビデオテヌプ、
コンピナヌタテヌプ、゚ンドレステヌプ等がある
が、なかでもドロツプアりトの排陀がも぀ずも重
芁な特性の䞀぀であるビデオテヌプやコンピナヌ
タテヌプ甚途に甚いるこずが有益である。 ここで、前述した攟射線感応暹脂ず組合わせる
こずのできる゚ラストマヌあるいはプレポリマヌ
の䟋を挙げる () ポリりレタン゚ラストマヌ及びプレポリマ
ヌ及びテロマヌ ポリりレタン゚ラストマヌは、耐摩耗性、
PETフむルムぞの接着性の点で特に有効であ
る。 このようなりレタン化合物の䟋ずしおは、む
゜シアネヌトずしお、−トル゚ンゞむ゜
シアネヌト、−トル゚ンゞむ゜シアネヌ
ト、−キシレンゞむ゜シアネヌト、
−キシレンゞむ゜シアネヌト、−ナフ
タレンゞむ゜シアネヌト、−プニレンゞむ
゜シアネヌト、−プニレンゞむ゜シアネヌ
ト、3′−ゞメチル−4′−ゞプニルメ
タンゞむ゜シアネヌト、4′−ゞプニルメ
タンゞむ゜シアネヌト、3′−ゞメチルビフ
゚ニレンゞむ゜シアネヌト、4′−ビプニ
レンゞむ゜シアネヌト、ヘキサメチレンゞむ゜
シアネヌト、む゜フオロンゞむ゜シアネヌト、
ゞシクロヘキシルメタンゞむ゜シアネヌト、デ
スモゞナヌル、デむモゞナヌル等の各皮倚
䟡む゜シアネヌトず、線状飜和ポリ゚ステル
゚チレングレコヌル、ゞ゚チレングリコヌル、
グリセリン、トリメチロヌルプロパン、
−ブタンゞオヌル、−ヘキサンゞオヌ
ル、ペンタ゚リスリツト、゜ルビトヌル、ネオ
ペンチルグリコヌル、−シクロヘキサン
ゞメタノヌルの様な倚䟡アルコヌルず、フタル
酞、む゜フタル酞、テレフタル酞、マレむン
酞、コハク酞、アゞピン酞、セバシン酞、の様
な飜和倚塩基酞ずの瞮重合によるもの線状飜
和ポリ゚ヌテルポリ゚チレングリコヌル、ポ
リプロピレングリコヌル、ポリテトラ゚チレン
グリコヌルやカプロラクタム、ヒドロキシン
含有アクリル酞゚ステル、ヒドロキシ含有メタ
クリル酞゚ステル等の各皮ポリ゚ステル類の瞮
重合物より成るポリりレタン゚ラストマヌ、プ
レポリマヌ、テロマヌが有効である。 これらの゚ラストマヌを攟射線感応倉性の各
皮熱可塑性プラスチツクスずそのたゝ組合せお
も良いが、曎にりレタン゚ラストマヌの末端の
む゜シアネヌト基又は氎酞基ず反応するアクリ
ル系二重結合又はアリル系二重結合等を有する
単量䜓ず反応させるこずにより、攟射線感応性
に倉性するこずは非垞に効果的である。 () アクリルニトリル−ブタゞ゚ン共重合゚ラ
ストマヌ シンクレアペトロケミカル瀟補ポリBDリク
むツドレゞンずしお垂販されおいる末端氎酞基
のあるアクリルニトリルブタゞ゚ン共重䜓合プ
レポリマヌ、あるいは日本れオン瀟補ハむカヌ
1432J等の゚ラストマヌは、特にブタゞ゚ン䞭
の二重結合が攟射線によりラゞカルを生じ架橋
及び重合させる゚ラストマヌ成分ずしお適す
る。 () ポリブタゞ゚ン゚ラストマヌ シンクレアペトロケミカル瀟補ポリBDリク
むツドレゞン−15等の䜎分子量末端氎酞基を
有するプレポリマヌが特に熱可塑性プラスチツ
クずの盞溶性、の点で奜適である。−15プレ
ポリマヌにおいおは分子末端が氎酞基ずな぀お
いる為分子末端をアクリル系䞍飜和二重結合を
付加するこずにより攟射線感応性を高めるこず
が可胜であり、結合剀ずしお曎に有利ずなる。 たた、ポリブタゞ゚ンの環化物日本合成ゎム
補CBR−M901も熱可塑性プラスチツクスずの
組合せによりすぐれた性胜を発揮する。特に、
環化されたポリブタゞ゚ンは、ポリブタゞ゚ン
本来の有する䞍飜和結合のラゞカルによる攟射
線による架橋重合の効率が良く、結合剀ずしお
優れた性胜を有しおいる。 その他熱可塑性゚ラストマヌ及びそのプレポ
リマヌの系で奜適なものずしおは、スチレン−
ブタゞ゚ンゎム、塩化ゎム、アクリルゎム、む
゜プレンゎム及びその環化物日本合成ゎム補
CIR701、゚ポキシ倉性ゎム、内物可塑化飜和
線状ポリ゚ステル東掋玡バむロン300。等
の゚ラストマヌも䞋蚘に述べる攟射線感応倉性
凊理をほどこすこずにより有効に利甚できる。 以䞋、本発明の実斜䟋を瀺すが、最初に攟射線
感応性結合剀の合成䟋を呈瀺しおおく。 攟射線感応性結合剀の合成䟋 (a) 塩化ビニヌル酢酞ビニヌル共重合系暹脂攟
射線感応倉性暹脂のアクリル倉性䜓の合成 ビニラむトVAGH750郚ずトル゚ン1250郚、
シクロヘキサノン500郚を぀口フラスコ
に仕蟌み加熱溶解し80℃昇枩埌、トリレンゞむ
゜シアネヌトの−ヒドロキシ゚チルメタクリ
レヌトアダクト補法は泚参照を6.14郚加
え、曎にオクチル酞スズ0.012郚、ハむドロキ
ノン0.012郚加え80℃でN2気流䞭NCO反応率が
90以䞊ずなるたで反応せしめる。反応終了埌
冷华し、メチル゚チルケトン1250郚を加え垌釈
する。 (泚) トリレンゞむ゜シアネヌトTDIの
−ヒドロキシ゚チルメタクリレヌト
2HEMAアダクトの補法 トリレンゞむ゜シアネヌト348郚をN2気流
䞭の぀口フラスコ内で80℃に加熱埌、
−ヘキサ゚チレンメタアクリレヌト260郚、
オクチル酞スズ0.07郚、ハむドロキノン0.05
郚を反応猶内の枩床が80〜85℃ずなるように
冷华コントロヌルしながら滎䞋終了埌80℃で
時間撹拌し反応を完結させる。反応終了埌
取り出しお冷华埌癜色ペヌスト状のTDIの
2HEMAを埗た。 (b) ブチラヌル暹脂アクリル倉性䜓の合成攟射
線感応倉性暹脂 ブチラヌル暹脂積氎化孊補BM−S100郚をト
ル゚ン191.2郚シクロヘキサノン71.4郚に
぀口フラスコに仕蟌み加熱溶解し80℃昇枩埌
トリレンゞむ゜シアネヌトの−ヒドロキシ゚
チルメタアクリレヌトアダクトを7.4郚加え、
曎にオクチル酞スズ0.015郚、ハむドロキノン
0.015郚を加え、80℃でN2気流䞭NCO反応率が
90以䞊ずなるたで反応せしめる。反応終了埌
冷华しメチル゚チルケトンにお垌釈する。 (c) 飜和ポリ゚ステル暹脂アクリル倉性䜓の合成
攟射線感応倉性暹脂 東掋玡補バむロンRV−200 100郚をトル゚
ン116郚、メチル゚チルケトン116郚に加熱溶解
し80℃昇枩埌TDIの2HEMAアダクトを3.55郚
加え、オクチル酞酞スズ0.007郚、ハむドロキ
ノン0.007郚を添加し、N2気流䞭80℃でNCO反
応率90以䞊ずなるたで反応せしめる。 (d) ゚ポキシ暹脂アクリル倉性䜓の合成攟射線
感応倉性暹脂 シ゚ル化孊補゚ピコヌト1007 400郚をトル゚
ン50郚 MEK50郚に加熱溶解埌NN−ゞメチ
ルベンゞルアミン0.006郚、ハむドロキノン
0.003郚を添加し80℃ずし、アクリル酞69郚を
滎䞋し80℃で酞化以䞋ずなるたで反応せしめ
る。 (e) りレタン゚ラストマヌアクリル倉性䜓の合成
攟射線感応゚ラストマヌ 末端む゜シアネヌトのゞプニルメタンゞむ
゜シアネヌトMDI系りレタンプレポリマ
ヌ日本ポリりレタン補ニツポラン4040250
郚、2HEMA32.5郚、ハむドロキノン0.07郚、
オクチル酞スズ0.009郚を反応猶に入れ、80℃
に加熱溶解埌TDI 43.5郚を反応猶内の枩床が
80〜90℃ずなる様に冷华しながら滎䞋し、滎䞋
終了埌80℃でNCO反応率95以䞊ずなるたで
反応せしめる。 (f) ポリ゚ヌテル系末端りレタン倉性゚ラストマ
ヌアクリル倉性䜓の合成攟射線感応゚ラスト
マヌ 日本ポリりレタン瀟補ポリ゚ヌテルPTG−
500 250郚、2HEMA32.5郚、ハむドロキノン
0.007郚、オクチル酞スズ0.009郚を反応猶に入
れ80℃に加熱溶解埌TDI 43.5郚を反応猶の枩
床が80〜90℃ずなるように冷华しながら滎䞋
し、滎䞋終了埌80℃でNCO反応率95以䞊ず
なるたで反応せしめる。 (g) ポリブタ゚ン゚ラストマヌアクリル倉性䜓の
合成攟射線感応゚ラストマヌ シンクレアペトロケミカル瀟補䜎分子量末端
氎酞基ポリブタゞ゚ンポリBDリクむツトレゞ
ン−15 250郚、2HEMA 32.5郚、ハむドロ
キノン0.007郚、オクチル酞スズ0.009郚を反応
猶に入れ80℃に加熱溶解埌TDI43.5郚を反応猶
内の枩床が80〜90℃ずなる様に冷华しながら滎
䞋し、滎䞋終了埌80℃でNCO反応率95以䞊
ずなるたで反応せしめる。 実斜䟋  以䞋の混合物をボヌルミル䞭で時間分散せし
めた。 アクリル倉性ポリ゚ステル暹脂詊䜜品
30重量郹 混合溶剀 200 〃 酞化珪玠粒埄2Ό 埌述 酞玠珪玠は結合剀に察しお、、、10、
25、50、100、300、400重量郚蚈皮添加された。
この添加順に、サンプルNo.−、−、−
、−、−、−、−、−及
び−ず名づける。 これら皮の混合物のサンプルを磁性面が圢成
ずみのポリ゚ステルフむルムベヌスの裏面に也燥
å±€3Όになるように塗垃し、その埌゚レクトロカ
ヌテンタむプ電子線加速装眮を甚いお加速電圧
150KeV、電極電流10、吞収線量10Mradの
䜜動条件の䞋で、N2ガス囲気においお電子線を
バツク局に照射し、硬化を行わせた。その埌、テ
ヌプを巻取りそしお1/2″ビデオ巟に切断しそしお
VHSデツキにお出力倉動及びドロツプアりトを
枬定した。No.−から−たでに぀いおは
100回繰返し埌もいずれもドロツプアりトの増加
はなく、良奜なテヌプであ぀た。 次いで、これらサンプルのテヌプを盎埄
盎埄の真鍮筒にバツク局を内偎にしお滑車方匏
で掛枡し、各垂䞋端に200の錘りを぀け、繰返
し䞊䞋運動を100回行぀た。その埌、真鍮面の傷
の発生具合を目芖でランクづけした。傷の発生
の軜い方から重い方ぞず、、、、ずし
お衚わした結果を以䞋に瀺す。
【衚】 これから、酞化珪玠研磚剀が400重量郚もの倚
量を含むサンプル−からのテヌプはすり傷を
発生しやすいこずがわかる。逆に、酞化珪玠量が
少ないNo.−ず−に぀いおはバツク局に傷
が発生する。結合剀に察し酞化珪玠を〜300重
量郚含むサンプルからのテヌプはきわめおすり傷
を生じ難いものであり、長期走行においおドロツ
プアりトの䞀局の抑止効果を生むものを思われ
る。以䞊のサンプル−〜−の100モゞ
ナラスは25〜300Kgcm2の範囲にある。 実斜䟋  カヌボンブラツク 50重量郹 Al2O3粒埄0.5Ό、䞍二芋研磚(æ ª)補20 〃 アクリル倉性塩化ビニヌル−酢酞ビニヌル−ビニ
ヌル共重合䜓詊䜜品 30 〃 アクリル倉性ポリりレタン゚ラストマヌ詊䜜品
(e) 60 〃 混合溶剀MIBKトル゚ン
300重量郹 䞊蚘混合物を実斜䟋ず同様にしおビデオテヌ
プずしお䜜補した。テヌプを前蚘すり傷詊隓した
ずころ、ランクはであり、きわめおすり傷を生
じ難いものであ぀た。100回繰返しドロツプアり
トの増加もなく良奜なテヌプであるこずが確認さ
れた。本䟋のバツク局100モゞナラスは220Kg
cm2である。 実斜䟋  炭化珪玠䞍二芋研磚(æ ª)補、粒埄2Ό 50重量郹 アクリル倉性ポリりレタン゚ラストマヌ詊䜜品
 50 〃 塩化ビニヌル−酢酞ビニヌル−ビニルアルコヌル
共重合䜓UCC瀟VAGH 50 〃 混合溶剀MEKトル゚ン
400 〃 䞊蚘混合物を実斜䟋ず同様にしおビデオテヌ
プずしお䜜補した。テヌプを前蚘すり傷詊隓した
ずころ、ランクはであり、きわめおすり傷を生
じ難いものであ぀た。100回繰返しドロツプアり
トの増加もなく良奜なテヌプであるこずが確認さ
れた。本䟋のバツク局100モゞナラスは180Kg
cm2である。 実斜䟋  酞化チタン 50重量郹 アクリル倉性塩化ビニル−酢酞ビニル−ビニルア
ルコヌル共重合䜓詊䜜品 40 〃 アクリル倉性ポリりレタン゚ラストマヌ詊䜜品
 30 〃 混合溶剀MIBKトル゚ン 300 〃 䞊蚘混合物を実斜䟋ず同様にしおビデオテヌ
プずしお䜜補した。テヌプを前蚘すり傷詊隓した
ずころ、ランクはであり、きわめおすり傷を生
じ難いものであ぀た。100回繰返しドロツプアり
トの増加もなく良奜なテヌプであるこずが確認さ
れた。本䟋のバツク局100モゞナラスは40Kg
cm2である。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  ベヌスの䞀面に磁性局をそしお他方の面にバ
    ツク局を蚭けた磁気蚘録媒䜓においお、前蚘バツ
    ク局が、モヌス硬床以䞊の研磚剀ず電子線感応
    暹脂からなる暹脂成分を有する結合剀ずを含む塗
    局を電子線硬化によ぀お硬化するこずにより圢成
    された電子線硬化局であり、そしお該バツク局の
    100モゞナラスが25〜300Kgcm2の範囲にあるこ
    ずを特城ずする磁気蚘録媒䜓。  電子線照射が掻性゚ネルギヌ線源ずしお100
    〜750kVの電子線加速噚を甚いそしお吞収線量が
    0.5〜20Mradになるようにしお䞍掻性基䜓雰囲気
    䞭で成される特蚱請求範囲第項蚘茉の磁気蚘録
    媒䜓。  研磚剀が、カヌボランダム、アルミナ、酞化
    クロム、酞化珪玠、ガヌネツト、酞化亜鉛、酞化
    チタン、αFe2O3、窒化硌玠及びゞルコンの矀か
    ら遞択される少なくずも皮である特蚱請求の範
    囲第項蚘茉の磁気蚘録媒䜓。  電子線感応性の結合剀が、電子線感応倉性し
    た熱可塑性暹脂あるいは該電子線感応倉性熱可塑
    性暹脂ず熱可塑性゚ラストマヌたたはプレポリマ
    ヌのブレンドからなる特蚱請求の範囲第項蚘茉
    の磁気蚘録媒䜓。  熱可塑性゚ラストマヌたたはプレポリマヌの
    が電子線感応倉性されおいる特蚱請求の範囲第
    項蚘茉の磁気蚘録媒䜓。
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