JPS6083217A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気記録媒体に関する。一層詳細には、電気メ
ッキ、化学メッキ、真空蒸着、スパンクリング。イオン
ブレーティング等により支持体上に強磁性薄膜を設け、
裏面にパック層を硬化した薄膜型磁気記録媒体において
、へツク層のバインダーの１００％モジュラスが５０〜
１５００ｋｇ／　ｃＪ好ましくは５００〜１５００　ｋ
ｇ　／　ｃｌの範囲にすることによってドロップアウト
の発生を抑制し、巻き状態を良好にした磁気記録媒体に
関する。

現在、磁気記録媒体として、ビデオテープ、コンピュー
ターテープ、高性能オーディオテープ。

多重コードテープ、磁気ディスク、フロッピーディスク
、磁気カードなどが用いられているが、媒体に記録する
情報量も年々増加し、媒体には記録密度の高いことがま
すます要求されるようになってきている。高密度記録の
ためには短波長記録方式が採られるが、これはドロップ
アウトの問題を生じやすい。ドロップアウトとは磁気テ
ープに書込まれている情報を読み出ず際存在すべきパル
スを見落とす誤りであり、これは磁気テープと磁気ヘッ
ドとの間のスペーシング損失が瞬時的に増加することが
主因となっている。

磁気ヘッドを用いる現在の記録方式においては、テープ
−ヘッド間のスペーシング損失は５４．６　４人 （ｄＢ）（ｄ：テープーヘソド間距離、λ：記録波長）
で表される。この式かられかるように、記録密度の高い
短波長記録においては、スペーシング損失が長波長のそ
れより著しく大きくなり、従ってごく小さな異物がテー
プ表面上にあってもスペーシング損失が大きくなって、
それがドロップアウトとなるのである。

ドロップアウトは、磁気テープ製造過程あるいは使用過
程から由来する異物がテープ面に存在し、これら異物が
ヘンドーテープ間のスペーシングを拡げる作用をするこ
とによって起こるのであるが、これら異物の発生原因と
して考えられるのは、くり返し応力がかかることによる
金属薄膜の劣化から生ずる磁気テープ金属薄膜表面の薄
膜削れあるいは走行中にベースが削り取られたものや、
ホコリ等が静電的にベース面に付着しさらにそれが金属
薄膜面に転移すること等である。これらを防止するため
、例えば後者の原因に対しては、磁気テープの磁性面と
反対の支持体表面（ハック面）に、カーボンブランクあ
るいはグラファイト等を有機バインダーとともに混練し
た塗料を塗布したり、帯電防止剤を塗布することにまり
ベースの帯電現象を少なくする方法、あるいは酸化珪素
等を有機バインダーとともに混練した塗料を塗布するこ
とによりベースの強靭化をはかりベースの削れを少なく
する等の方法が考案されてきた。これらの処理により、
くり返し走行に対するドロップアウト増加の傾向はかな
り抑えることができる。しかしながら、そのレヘルは、
現状ではまだ完全とは言えず、さらに少なくする必要が
ある。

ドロップアウトをさらに少なくするため、その発生原因
を詳細に調べた結果、次の様なことがわかった。

ハック層は走行回数を増してもトロソプアウ１−が増加
しないよう強靭であることが要求されるから、通常、熱
硬化型樹脂が結合剤として使用される。その場合、バン
ク層が塗布された後、テープは巻き取られ、熱硬化処理
が施されることになる。

しかし、塗布が終わった時点においては、バンク層中で
はまだ硬化反応が始まっておらずその塗膜は弱く、しか
もバック面と磁性面とは密着状態であるため、バンク層
塗膜中に充填されたカーボンブランク、グラファイト、
あるいは他の無機充填剤を含んだバンク面塗膜表面ば、
それが接触している反対側の磁性層表面に転移し易（、
その転移したものがドロップアウトやヘッド目づまりの
原因となっていることがわかった。一方、バンク層を磁
性層よりも先に塗布した場合も、バンク層がベース面に
転移し易く、その転移したものが同様にドロップアウト
やヘッド目づまりの原因となっていることがわかった。

またこの現象は熱可塑性樹脂であっても同様な現象が起
こりうると考えられる。ハック層を設けることにより、
くり返し走行によるドロップアウトの増加を抑えること
はできるが、走行回数の少ない段階においてドロップア
ウトがそれ程低くないのはこの理由のためである。

本発明は、へツク層形成工程での上記のような不具合を
解消するため、放射線感応樹脂（放射線の照射で硬化し
うる樹脂）をバインダーとしてカーボンブラック、グラ
ファイト、顔料等の無機充填剤と混練した塗料でバンク
層を形成した後活性エネルギー線源により放射線を照射
し、硬化処理を施すか、あるいはそのまま表面処理を行
った後硬化処理を施し、バック層中に三次元架橋を生じ
させ、強靭な塗膜とした後、そのテープを巻き取ること
により、上記のような原因によるドロップアウトを減少
させるものである。この方法によればハック層と磁性層
のいずれかの形成が先であっても、テープが巻き取られ
るの′は塗膜の架橋反応が終了した後であるから、巻き
取りによりバック層が磁性層に密着してもバンク層から
磁性層への転移は起きない。

更に、ハック層の硬さや腰の強さが適切でないと、磁気
テープの製造中あるいは使用中の巻取りに際乙てバンク
層による磁性面へのすり傷等によるドロップアウトの性
能上の重欠陥を与えることが認められた。本発明におい
ては、バンク層は、モース硬度４以上の研磨剤粒子を含
ませることによりモジュラスが調整される。弾性体とし
て１００％モジュラスが５０　ｋｇ　／　ｃ１以上であ
れば、バンク層Ｃごよる磁性面へのすり傷の発生は皆無
となり、巻きしまりの防止にきわめて役立つことがわか
った。

５０ｋｇ／ｃｎ！未満では、テープの腰が弱くなりすぎ
るので、リールに巻きつけるに際して操作上好ましくな
く、すり傷防止上からも柔らかすぎて好ましくない。他
方、ｉｏｏ％モジュラスが１５００　ｋｇ　／　ｅｒａ
を越えると、硬くなり過ぎてしまい、へツク層の凹凸が
磁性層に影響を与えることが判明した。斯くして、バッ
ク層は１００％モジュラス５０〜１５００　ｋｇ　／　
ｃａの弾性体とされる。

研磨剤粒子をバンク層に混合することによりバンク層の
耐摩耗性が向上し、バック層の摩耗、削れ等が更に一層
確実に防止されうる。

このように、本発明においては、磁気テープ製造工程に
おけるバンク層から磁性面への転移物を排除すると共に
、バンク層に例えばモース硬度４以上の研磨剤粒子を含
入させる等によりそのモジュラス調整を為すことによっ
て、磁気テープの使用初期はもちろんのこと、繰返し使
用中にもきわめて有効にドロップアウトの発生が抑制さ
れる。

バック層はテープに適正な腰の強さを与え、テープの巻
き状態も長時間安定して良好な状態に維持される。

本発明で用いる放射線感応樹脂とは、放射線によりラジ
カルを発生し架橋構造を生じるような、分子鎮中に不飽
和二重結合を２個以上含むものであり、これはまた熱可
塑性樹脂を放射線感応変性することによっても可能であ
る。

放射線感応変性の具体例としては、ラジカル重合性を有
する不飽和二重結合を示すアクリル酸。

メタクリル酸あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の放射線照射による架橋あるいは重合乾燥する
基を分子中に導入することである。

その池数射線照射により架橋重合する不飽和二重結合で
あれば用いる事が出来る。

放射線感応樹脂に変性できる熱可塑性樹脂を以下に示す
。

（１）塩化ビニール系共重合体 塩化ビニール−酢酸ビニール−ビニールアルコール共重
合体、塩化ビニール−ビニールアルコール共１体、　塩
化ビニール−ビニールアルコール−プロピオン酸ビニー
ル共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニール−マレイン酸
共重合体。

塩化ビニール−酢酸ビニール−末端ＯＨ側鎖アルキル基
共重合体、たとえばＵＣＣ社ＶＲＯＩＩ、ＶＹＮＣ。

ＶＹＥＧＸ等またＵＣＣ社ＶＥＲＲ等が挙げられる。

上記共重合体に後に述べる手法により、アクリル系二重
結合、マレイン酸系二重結合、アリル系二重結合を導入
し放射線感応変性を行う。

（ｎ）飽和ポリエステル樹脂 フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、コハク酸、ア
ジピン酸、セバシン酸の様な飽和多塩基酸とエチレング
リコール、ジエチレングリコール、　りｌＪセリン、ト
リメチロールプロパン。

１．２プロピレングリコール、１．３ブタンジオール、
ジプロピレングリコール、１．４ブタンジオ−／Ｌ／、
　’１．６ヘキサンジオール、ペンタエリスリット、ソ
ルビトール、グリセリン、ネオペンチルグリコール、１
．４　シクロヘキサンジメタノールの様な多価アルコー
ルとのエステル結合により得られる飽和ポリエステル樹
脂又はこれらのポリエステル樹脂をＳｏ、　Ｎａ等で変
性した樹脂（バイロン５３ｓ）。これらを後に述べる手
法により放射線感応変性を行う。

（ＩＩＩ）不飽和ポリエステル樹脂 分子鎖中に放射線硬化性不飽和二重結合を含有するポリ
エステル化合物、例えば第（ＩＩ）項の熱可塑性樹脂と
して記載の多塩基酸と多価アルコールのエステル結合か
ら成る飽和ポリエステル樹脂で多塩基酸の一部をマレイ
ン酸とした放射線硬化性不飽和二重結合を含有する不飽
和ポリエステル樹脂、プレポリマー、オリゴマーを挙げ
ることができる。

飽和ポリエステル樹脂の多塩基酸および多価アルコール
成分は第（１）項に記載した各化合物を挙げることがで
き、放射線硬化性不飽和二重結合としてはマレイン酸、
フマル酸等を挙げることができる。

放射線硬化性不飽和ポリエステル樹脂の製法は、多塩基
酸成分１種以上と多価アルコール成分１種以上にマレイ
ン酸、フマル酸等を加え常法、すなわち触媒存在１８０
〜２００°Ｃ窒素雰囲気下脱水あるいは脱アルコール反
応の後、２４０〜２８０℃まで昇温し、０．５〜ｌ＋＋
＋ｎ１１ｇの減圧下縮合反応によりポリエステル樹脂を
得ることができる。マレイン酸やフマル酸等の含有量は
、製造時の架橋、放射線硬化性等がら酸成分中１〜４０
モル％で好ましくは１０〜３０モル％である。

（ＩＶ）ポリビニルアルコール系樹脂 ポリビニルアルコール、ブチラール樹脂、アセタール樹
脂、ホルマール樹脂及びこれらの成分の共重合体。これ
ら樹脂中に含まれる水酸基を後に述べる手法により放射
線感応変性を行う。

（Ｖ）エポキシ系樹脂、フェノキン樹脂ビスフェノール
Ａとエピクロルヒドリン、メチルエピクロルヒドリンの
反応によるエポキシ樹脂−シエル化学製（エピコーｈ　
１．５２．１５４，８２８゜１００１．１００４．１０
０７＞　、ダウケミカル製（１）ＥＮ　４３ＬＤＥＲ７
３２，ＤＥＩｌ’、５１１．ＤＥＲ３３１）　、大日本
インキ製（エビクロン−４００，エビクロン−８００）
　、更に上記エポキシの高重合度樹脂であるＵＣＣ社製
フェノキシ樹脂（ＰＫＩＩＡ、　ｒＫＩＩｌｌ；、　Ｐ
ＫＩＩｌｌ）臭素化ビスフェノールＡとエピクロルヒド
リンとの共重合体、大日本インキ化学工業製（エビクロ
ン１４５、１５２．１５３．１１２０　＞等。

これら樹脂中に含まれるエボギシ基を利用して、放射線
感応変性を行う。

（ＶＩ）繊維素誘導体 各種分子量の繊維素系誘導体も、また熱可塑性プラスチ
ック成分として効果的である。その中でも、特に効果的
なものは硝化綿、セルローズアセトブチレート、エチル
セルローズ、ブチルセルローズ、アセチルセルローズ等
が好適であり、樹脂中の水酸基を活用して後に述べる手
法により放射線感応変性を行う。

その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂及び誘導体（ＰＶＰオ
レフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂
、フェノール樹脂。

スピロアセクール樹脂、水酸基を含有するアクリルエス
テル及びメタクリルエステルを少なくとも１種以上重合
成分として含むアクリル系樹脂等も有効である。

さらに上記放射線感応変性熱可塑性樹脂に熱可塑性エラ
ストマーまたはプレポリマーをブレンドすることにより
、−眉強靭な塗膜とすることができる。さらに、下記に
述べるように、これらエラストマーあるいはプレポリマ
ーが、同様に放射線感応性に変性された場合は、より効
果的である。

以下に、上記放射線Ｉ！Ａ応樹脂と組み合わせることの
できるエラストマー又はプレポリマーを挙げる。

（１）ポリウレタンエラストマー及びプレポリ−７−及
びテロマー ポリウレタンエラス！・マーの使用は、耐摩耗性、’Ｐ
ＥＴフィルムへの接着性が良い点で特に有効である。

このようなウレタン化合物の例としては、イソシアネー
トとして、２．４−１−ルエンジイソシアネート、２．
６−トルエンジイソシアネート１．３−キシレンジイソ
シアネート、１．４−キシレンジイソシアネー１−１１
．５−ナフタレンジイソシアネート、ｍ−フェニレンシ
イソシアネー）＋　ｐ−フェニレンジイソシア不−１−
，３，３゜−ジメチル−４，４゛　−ジフェニルメタン
ジイソシアネ−１−，４，４’　−ジフェニルメタンジ
イソシアネート、　３．３　’　−ジメチルビフェニレ
ンジイソシアネート、　４．４　’　−ヒフェニレンジ
イソシアネー＋−，ヘキサメチレンシイソシアネ−１−
。

イソフォロンシイソシアネート、シシクロヘキシルメタ
ンシイソシアネ−１〜、デスモジュール■７．゛デスモ
ジュールＮ等の各種多価イソシアネニト、線状飽和ポリ
エステル（エチレングリコール、ジエチレングリコール
、グリセリン、トリメチロールプロパン、　１．４−フ
タンジオール。

１．６−ヘキ９−ンジオール、ペンタエリスリソ１〜。

ソルビトール、ネオペンチルグリコール　１．４−シク
ロヘキサンジメタノールの様な多価アルコールと、フタ
ル酸、イソフタル酸、テレフクル酸、マレイン酸、コハ
ク酸、アジピン酸、セハシシ酸、の様な飽和多塩基酸と
の縮重合によるもの）、線状飽和ポリエーテル（ポリエ
チレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテ
トラエチレングリコール）やカプロラクタム、ヒドロキ
シン含有アクリル酸エステル、ヒドロキシン含有メタア
クリル酸エステル等の各種ポリエステル類の縮重合物よ
り成るポリウレタン上ラストマー、プレポリマー、テロ
マーか有効である。

これらのエラストマーを放射線感応性の各種熱可塑性プ
ラスチックスとそのまま組み合わせでも良いが、更にウ
レタンエラスＩ−マーの未ｙｊｊ、１のイソシアネ−１
へ基又は水酸基と反応するアクリル系二重結合又はアリ
ル系二重結合等を有する単量体と反応させることにより
、放射線感応性に変性することは非常に効果的である。

（ｎ）アクリルニトリル−ブタジェン共重合エラストマ
ー シンクレアベトロケミカル社製ボＩ月３１〕リクィソド
レシンとして市販されている末端水酸基のあるアクリル
ニＩ−リルブタジエン共重合体プレポリマー、あるいは
日本ゼオン社製ハイカー１４３２　Ｊ等のエラストマー
ば、特にブタジェン中の二重結合が放射線によりラジカ
ルを生じ架橋及び重合させるエラストマー成分として通
ずる。

（Ｉ）ポリブタシエンエラストマー シンクレアベ１−ロケミカル社製ポリＢＤリクイソドレ
ジンＲ−１５等の低分子量末☆１１．ｌ水酸基を有する
プレポリマーが特に熱可塑性樹脂との相溶性の点で好適
である。Ｒ−１５プレポリマーにおいては分子末端が水
酸基となっているため分子末端をアクリル系不飽和二重
結合を付加することにより放射線感応性を高めることが
可能であり、バインダーとして更に有利となる。

また、ポリブタジェンの環化物日本合成ゴムＭＣＢＲ−
Ｍ　９０１も熱可塑性樹脂との組合せによりすくれた性
能を発揮する。特に、環化されたポリブタジェンは、ポ
リブタジェン本来の有する不飽和結合のラジカルにより
放射線による架橋重合の効率が良く、バインダーとして
優れた性質を有している。

その他熱可塑性エラストマー及びそのプレポリマーの系
で好適なものとしては、スチレン−ブタジェンゴム、塩
化ゴム、アクリルゴム、イソプレンゴム及びその環化物
（日本合成ゴム製ＣＩＲ７０１）があり、エポキシ変性
ゴム、内部可塑化飽和線状ポリエステル（東洋紡バイロ
ン＃３００′）、等のエラストマーも下記に述べる放射
線感応□変性処理を施すことにより有効に利用できる。

次に放射線感応性バインダー合成例を説明する。

※トリレンジイソシアネートのアダクトの製法ａ）塩化
ヒニール酢酸ビニール共重合系樹脂（放射線感応変性樹
脂）のアクリル変性体の合成ビニライＩ−ＶＡＧＩＩ　
７５０部とｌ−ルエ：／　１２５０部、フクロヘキサ２
フ５００部を５１４つ目フラスコに仕込み加熱溶解し、
８０℃昇温後ｌ−リレンジイソシアネ−１・の２−ヒド
ロキシエチルメタアクリレートアダクトを６１．４部加
え、更にオクチル酸スズ０．０１２部、ハイドロキノン
０．０１２部加え８０°ＣでＮ２気流中ＮＧＯ反応率が
９０％となるまで反応せしめる。反応終了後冷却し、メ
チルエチルゲトン１２５０部加え希釈する。

※トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ　）の２−ヒドロ
キシエチルメタアクリレ−１・　（２１１１部Ｍ八）ア
ダクトの製法 トリレンジイソシア不−Ｉ・３４８部をＮｚ　気流中１
βの４つ目フラスコ内で８０℃に加熱後、２−へキザエ
チレンメタアクリレ−１・２６０部。

オクチル□酸スズ０．０７部、ハイ１−１コキノ７０．
０５部を反応缶内の温度が８０〜８５°Ｃとなるように
冷却コン１〜ロールしながら滴下終了後８０℃で３時間
攪拌し反応を完結させる。反応終了後取り出して冷却後
白色ペースト状のＴＤＩの２１１部Ｍ＾をｉ４た。

ｂ）ブチラール樹脂アクリル変性体の合成（放射線感応
変性樹脂） ブチラール樹脂積水化学製ＢＭ−３１００部をトルエン
１９１．２部、シクロへキサノン７１．４部に５１１４
つ目フラスコに仕込み加熱溶解し８０°Ｃ昇温後トリレ
ンジイソシアネートの２−ヒドロキシエチルメタアクリ
レートアダクトを７．４部加え、更にオクチル酸スズ０
．０１５部、ハイドロキノン０．０１５部を加え、８０
℃でＮ２気流中ＮＧＯ反応率が９０％以上となるまで反
応せしめる。反応終了後冷却しメチルエチルケトンにて
希釈する。

Ｃ）飽和ポリエステル樹脂アクリル変性体の合成（放射
線感応変性樹脂） 東洋結盟バイロンＲＶ−２００１００部をトルエン１１
６部、メチルエチルケトン１１６部に加熱溶解し８０℃
昇温後ＴＤＩの２　ＨＥＭ＾アダクトを３．５５部加え
、オクチル酸スズ０．００７部、ハイドロキノン０．０
０７部を添加し、Ｎ４気流中８０°ＣでＮＧＯ反応率９
０％以上となるまで反応せしめる。

ｄ）エポキシ樹脂アクリル変性体の合成（放射線感応変
性樹脂） シェル化学製エピコート１００７４００部をトルエン５
０部、　ＭＥＫ　５０部に加熱熔解後ＮＮ−ジメチルヘ
ンシルアミン０．００６部、ハイドロキノン０．００３
部を添加し８０°Ｃとし、アクリル酸６９部を滴下し８
０°Ｃ″？：酸価５以下となるまで反応せしめる。

ｅ）ウレタンエラストマーアクリル変性体の合成（放射
線感応エラスＩ・マー） 末端イソシアネートのジフェニルメタンジイソシアネー
ト（ＭＤＩ　）系ウレタンプレポリマー（日本ポリウレ
タン社製ニソボラン４０４０）　２５０部、２　ＨＨＭ
Ａ３２．５部、ハイドロキノン０．０７部、オクチル酸
スズ０．００９部を反応缶に入れ、８０°Ｃに加熱溶解
後ＴＤＩ　４３．５部を反応缶内の温度が８０〜９０°
Ｃとなる様に冷却しながら滴下し、滴下終了後８０℃で
ＮＧＯ反応率９５％以上となるまで反応せしめる。

ｆ）ポ゛リエーテル系末端つレタン変性エラストマーア
クリル変性体の合成（放射線感応エラストマー） 日本ポリウレタン社製ポリエーテルＰＴＧ　−５００２
５０部、２　ＨＥＭＡ３２．５部、ハイドロキノン０．
００７部、オクチル酸スズ０．００９部を反応缶に入れ
８０°Ｃに加熱熔解後ＴＤ１４３．５部を反応缶内の温
度が８０〜９０℃となる様に冷却しながら滴下し、滴下
終了後８０℃でＮＧＯ反応率９５％以上となるまで反応
せしめる。

ｇ）ポリブタジェンエラストマーアクリル変性体の合成
（放射線感応エラストマー） シンクレアペ１〜ロケミカル社製低分子量末端水酸基ポ
リブタジエンボリＢＤリクイソドレジンＲ−１５２５０
部、２　ＨＥｌ’１Ａ３２．５部、ハイドロキノン０．
００７部、オクチル酸スズ０．００９部を反応缶に入れ
、８０℃に加熱溶解後ＴＤ１４３．５部を反応缶内の温
度が８０〜９０℃となる様に冷却しながら滴下し、滴下
終了後８０℃でＮＧＯ反応率９５％以上となるまで反応
せしめる。

以上の変性体の他に高分子には放射線照射により崩壊す
るものと分子間に架橋を起こすものが知られている。分
子間に架橋を起こすものとしては、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリスチレン。

ポリアクリル酸エステル、ポリアクリルアミド。

ホＩＪ　ｍ化ビニル、ポリエステル、ポリビニルピロリ
ドンゴム、ポリビニルアルコール、ポリアクロレインが
ある。この様な架橋型ポリマーであれば上記のような変
性を特に施さなくても、架橋反応が起きるので、そのま
ま放射線架橋用ハックコート樹脂として使用可能である
。

さらにまだ、この方法によれば溶剤を使用しない無溶剤
型の樹脂であっても短時間で硬化することができるので
、この様な樹脂をハックコート用として用いることもで
きる。

以上説明したような放射線感応樹脂は、例えばモース硬
度４以上の研磨剤と混合され、ボールミル等で充分に混
線分散される。ホールミル以外にも、サウンドグライン
ドミル、ロールミル、高速インペラー分散機、ホモジナ
イザー、超音波分散機等各種の装置が使用されうる。

モース硬度４以上の研磨剤粒子としては市販の研磨微粒
粉末、例えばカーボンランダム（モース硬度９〜１０）
、アルミナ（モース硬度９）、酸化クロム（同８）、酸
化珪素（同７）、ガーネソ１−（同６．５〜７．５’）
　、酸化亜鉛（同４．５　）　、酸化チタン（同６）等
が利用されうる。

研磨剤の使用量は、使用する物質の硬度、粒寸に依存す
るが、一般に結合剤１００重量部に対して５〜３５０重
量部の範囲で選択される。充填剤の使用量があまり多く
なると、塗膜が脆くなり、かえってドロップアウトが多
くなるという欠点が生じる。研磨剤と充填剤とが併用さ
れる場合、その総計量が多過ぎないよう配慮が必要であ
る。

また、本発明のハックコートの架橋に使用する活性エネ
ルギー線としては、放射線加速器を線源とした電子線、
Ｃｏ″′を線源としたＴ線、Ｓｒ”を線源としたβ線、
Ｘ線発生器を線源としたＸ線あるいは紫外線等が使用さ
れる。

特に照射線源としては吸収線量の制御７製造工程ライン
への導入、電離放射線の遮蔽等の見地から放射線加速器
により放射線を使用する方法が有利である。

バンク層を硬化する際に使用する放射線特性としては、
透過力の面から加速電圧１００〜７５０　ＫＶ好ましく
は１５０〜３００ＫＶの放射線加速器を用い吸収線量を
０．５〜２０メガランドになるように照射するのが好都
合である。

本発明の八ツク層硬化に際しては、米国エナージーサイ
エンス社にて製造されている低線量タイプの放射線加速
器（エレクトロカーテンシステム）等がテープコーティ
ング加エラインへの導入、加速器内部の二次Ｘ線の遮蔽
等に極めて有利である。

もらろん、従来より放射線加速器として広く活用されて
いるところのファンデグラフ型加速器を使用しても良い
。

また、放射線架橋に際しては、Ｎ２ガス、１１ｅガス等
の不活性ガス気流中で放射線をハック層に照射すること
が重要であり、空気中で放射線を照射することは、バイ
ンダー成分の架橋に際し放射線照射により生じた０３等
の影響でポリマー中に生じたラジカルが有利に架橋反応
に働く事を阻害するので極めて不利である。

従って、活性エネルギー線を照射する部分の雰囲気は、
特に酸素濃度が最大で５％のＮ２．　Ｉｌｅ、、　Ｃｏ
ノ等の不活性ガス雰囲気に保つことが重要となる。

また、本発明でへツク層に上記結合材とともに使用され
る充填材としては、■）グラファイト。

カーボンブランク等の導電性物質、また２）無機充填材
としては、５ｉＯ７＋　Ｔｌ０ｚ＋　Ａｌｘ０３．　Ｃ
ｒ、Ｏｒ　＋　ＳｔＣ。

ＣａＣＯｘ　、酸化亜鉛、ゲーサイト、　αＦｅｚｏｘ
＋タルク。

カオリン、　Ｃａ５Ｏイ、窒化硼素、テフロン粉末、フ
ッ化黒鉛、二硫化モリブデン、または３）１）と２）の
組合せがある。この様な充填材の使用量は１）に関して
はバインダー１００重量部に対して２０〜１００部、又
２）に関しては１０〜３００部が適当である。充填材量
が多くなると塗膜がもろくなり、かえってドロップアウ
トが多（なるという欠点が生じる。

さらに、この様なへツク層を設けるべき磁気記録媒体と
しては、高性能オーディオテープ、ビデオテープ、コン
ピューター用テープ、エントレステープ５多重コードテ
ープ、磁気ディスク、フロンピーディスク、磁気カート
などがあるが、中でも、ドロンプアウ１〜が最も重要な
特性の１つであるビデオテープ、コンピューター用テー
プに用いることはかなり有効である。

なお、強磁性薄膜磁気記録媒体は、電気メッキ。

化学メブキ、真空蒸着、スパッタリング、イオンブレー
ティング等によって得られるが真空蒸着法による場合を
示すと、コハル；・／ニッケル（原子比８／２）の合金
インゴットを準備し、真空蒸着法により長尺の強磁性薄
膜をポリエチレンテレフタレートのベースの上に形成す
る。蒸着は電子線加熱により行い、中心入射角が７０゛
のいわゆる斜め蒸着法を採用する。ベースフィルム冷却
用に円筒キャンを用い、冷却温度を５℃に保つ。真空槽
を３Ｘ１０−ｊＰａまで排気し、これに酸素ガスを圧力
が６．３　Ｘｌ０−２Ｐａになるまで導入して蒸着を行
う。

電子銃に与えるパワーとベースフィルムの駆動速度を調
整することによって膜厚が約８００人となるようにする
。

このようにして得られる強磁性薄膜は保磁力が約１００
０　（ｌｅ、　Ｂｒが約８０００　Ｇとなりビデオ用の
磁気記録媒体として好都合なものが得られる。

以下、本発明の実施例について述べる。

実施例１ カーボンブランク 旭カーボン（株）型肌Ｉｔｓ　５００　（粒径８１ｍμ
）アクリル変性塩ビー酢ビービニルアルコール共重合体
（試作品）４０部 混合溶剤　２００部 カーボンブラックば結合剤に対して、０，２，５゜１０
、２５．５０．１００．３００．４００重量部、計９種
添加された。この添加順に、サンプルＮ０．１−１．１
−２゜１−３．１−４．１−５．１−６．１−７．　Ｌ
８及び１−９と名づける。

これら９種の混合物のサンプルを、各々ボールミル中５
時間分散させ、磁性面か形成されているポリエステルフ
ィルムの裏面に乾燥厚２μになるように塗布し、エレク
トロカーテンタイプ電子線加速装置を用いて加速電圧１
５０ＫＶ　、電極電流１０ｍＡ、吸収線量５Ｍｒａｄ、
　Ｎｚガス中で電子線をハック層に照射し、硬化を行っ
た後巻き取り、２”ビデオ幅に切断し、ＶＩＩＳデツキ
にてドロップアウトを測定した結果、歯１−２から１−
７までについては１００回くり返しく友もいずれもドロ
ップアウトの増加はなく、良好なテープであった。

次いでこれらサンプルのテープを直径９ｍ／ｍの真ちゅ
う筒にハック層を内側にして滑車方式で掛渡し、各垂下
端に２００ｇの錘りをつけ、繰り返し上下運動を１００
回行った。その後、真ちゅう面の傷の発生具合を目視で
５ランクづけした。傷の発生の軽い方から重い方へと５
，４゜［３，２，１として表した結果を以下に示す。

その結果、ランクは５であり、きわめてすり傷を生し難
いものであった。本例のパック層バインダーの１００％
モジュラスは１−１が２５ｋｇ／ｃポであり、１−２〜
１−７は５０〜１５００　ｋｇ　／　ｃｆ＋−（：あり
、１−８．１−９は１５００　ｋｇ　／　ｃａ以上であ
った。

実施例２ アクリル変性基ビー酢ヒービニルアルコール共重合体　
６０部 アクリル変性ポリウレタンエラストマー４０部 カーボンブラック　旭ＩＩ３５００　１００部シリコー
ン　７部 混合溶剤　６００部 上記混合物をボールミル中５時間分散させ、磁て感度（
４Ｍｔｌｚ）を測定した。

前記すり傷試験はランクが５で、ドロソブアウ１への発
生は見られなかった。

本例のハック層バインダーの１００％モジュラスは２０
０　ｋｇ　／　ｃａである。

実施例３ 塩化ビニル、酢酸ビニルアルコール共重合体６０部 カーボンブラック　５０部 ＳｉＯヱ　５０部 アクリル変性ポリウレタンエラストマー４０部 オレイン酸　５部 混合溶剤　６００部 上記混合物を実施例１と同様にして、ビデオテープとし
て作製した。テープを前記ずり傷試験したところ、ラン
クは５でありきわめて傷を生じ難いものであった。１０
０回繰返しドロップアウトの増加もなく良好なテープで
あることが確認された。

本例のハック層バインダーの１００％モジュラスは１５
０ｋｇ／ｃＪである。

実施例４ ＳｉＯ２（粒径２ｐ）　５０部 アクリル変性塩ビー酢ビ−ビニルアルコール共重合体（
試作品）３０部 アクリル変性ポリウレタンエラストマー（試作品）２０
部 混合溶剤　３００部 上記混合物を実施例１と同様に調製して、ビデオテープ
として作製した。テープを前記すり傷試験したところ、
ランクは５でありきわめて傷を生じ難いものであった。

１００回繰返しドロップアウトの増加もなく良好なテー
プであることがＵ（１誌された。本例のバンク層バイン
ダーの１００％モジュラスは２５ｋｇ／ｃ己である。

以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、支持体の一方の面に強磁性薄膜を形成し、他方の面
   にハック層を設けた磁気記録媒体において、ハック層が
   放射線感応硬化性樹脂を含む結合材中に充填材を分散し
   硬化したものにより形成され、バンク層の１００％モジ
   ュラスが５０〜１５００　ｋｇ　／　ｃｔの範囲にある
   ことを特徴とする磁気記録媒体。 ２、充填材が、カーボンブラック、グラファイト等の導
   電物質の粉末である特許請求の範囲第１項記載の磁気記
   録媒体。 ３、充填材が、顔料等の高靭性材料の粉末である特許請
   求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。 ４、充填材が、カーボンブランク７′グラフアイト等の
   導電物質の粉末と、顔料等の高靭性材料の粉末とを含む
   特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。