JPH0439392A - 液晶組成物およびこれを含む液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶組成物およびそれを使用した表示素子に
関し、さらに詳しくは、電界に対する応答特性が改善さ
れた新規な液晶組成物、およびそれを使用した液晶表示
素子や液晶−光シャッタ等に利用される液晶素子に関す
るものである。

〔従来の技術〕

従来より、液晶は電気光学素子として種々の分野で応用
されている。現在実用化されている液晶素子はほとんど
が、例えばエム　シャット（Ｍ、５ｃｈａｄｔ）とダブ
リュ　ヘルフリツヒ（Ｗ、Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ）著″アプ
ライド　フィジックス　レターズ”　（”Ａｐｐｌｉｅ
ｄＰｈｙｓｉｃｓ　　Ｌｅｔｔｅｒｓ”）　Ｖｏ、１８
．　　Ｎｏ、４　（１９７１，２，１５）　Ｐ、１２７
〜１２８の”Ｖｏｌｔａｇｅ　ＤｅｐｅｎｄｅｎｔＯｐ
ｔｉｃａｌ　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　ｏｆ　ａ　Ｔｗｉｓｔ
ｅｄ　ＮｅｍａｔｉｃＬｉｑｕｉｄ　　Ｃｒｙｓｔａｌ
”に示されたＴＮ　（ＴｗｉｓｔｅｄＮ　ｅ　ｍ　ａ　
ｔ　ｉ　ｃ　）型の液晶を用いたものである。

これらは、液晶の誘電的配列効果に基づいており、液晶
分子の誘電異方性のために平均分子軸方向が、加えられ
た電場により特定の方向に向く効果を利用している。こ
れらの素子の光学的な応答速度の限界はミリ秒であると
いわれ、多（の応用のためには遅すぎる。一方、大型平
面デイスプレィへの応用では、価格、生産性などを考え
合わせると、単純マトリクス方式による駆動が最も有力
である。単純マトリクス方式においては、走査電極群と
信号電極群をマトリクス状に構成した電極構成が採用さ
れ、その駆動のためには、走査電極群に順次周期的にア
ドレス信号を選択印加し、信号電極群には所定の情報信
号をアドレス信号と同期させて並列的に選択印加する時
分割駆動方式が採用されている。

しかし、この様な駆動方式の素子に前述したＴＮ型の液
晶を採用すると、走査電極が選択され、信号電極が選択
されない領域、或いは走査電極が選択されず、信号電極
が選択される領域（所謂“半選択点“）にも有限に電界
がかかってしまう。

選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧の差が充
分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させるのに要
する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるならば、
表示素子は正常に動作するわけであるが、走査線数（Ｎ
）を増加して行なった場合、画面全体（１フレーム）を
走査する間に一つの選択点に有効な電界がかかっている
時間（ｄｕｔｙ比）が１／Ｎの割合で減少してしまう。

このために、くり返し走査を行なった場合の選択点と非
選択点にかかる実効値としての電圧差は、走査線数が増
えれば増える程小さくなり、結果的には画像コントラス
トの低下やクロストークが避は難い欠点となっている。

この様な現象は、双安定性を有さない液晶（電極面に対
し、液晶分子が水平に配向しているのが安定状態であり
、電界が有効に印加されている間のみ垂直に配向する）
を時間的蓄積効果を利用して駆動する（即ち、繰り返し
走査する）ときに生ずる本質的には避は難い問題点であ
る。

この点を改良する為に、電圧平均化法、２周波駆動法や
、多重マトリクス法等が既に提案されているが、いずれ
の方法でも不充分であり、表示素子の大画面化や高密度
化は走査線数が充分に増やせないことによって頭打ちに
なっているのが現状である。

このような従来型の液晶素子の欠点を改善するものとし
て、双安定性を有する液晶素子の使用がクラーク（Ｃ１
ａｒｋ）およびラガウエル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）によ
り提案されている（特開昭５６−１０７２１６号公報、
米国特許箱４，３６７．９２４号明細書等）。

双安定性液晶としては、一般にカイラルスメクテイツク
Ｃ相（ＳｍＣ＊相）又はＨ相（Ｓ　ｍ　Ｈ＊相）を有す
る強誘電性液晶が用いられる。

この強誘電性液晶は電界に対して第１の光学的安定状態
と第２の光学的安定状態からなる双安定状態を有し、従
って前述のＴＮ型の液晶で用いられた光学変調素子とは
異なり、例えば一方の電界ベクトルに対して第１の光学
的安定状態に液晶が配向し、他方の電界ベクトルに対し
ては第２の光学的安定状態に液晶が配向されている。ま
た、この型の液晶は、加えられる電界に応答して、上記
２つの安定状態のいずれかを採り、且つ電界の印加のな
いときはその状態を維持する性質（双安定性）を有する
。

以上の様な双安定性を有する特徴に加えて、強誘電性液
晶は高速応答性であるという優れた特徴を持つ。それは
強誘電性液晶の持つ自発分極と印加電場が直接作用して
配向状態の転移を誘起するためであり、誘電率異方性と
電場の作用による応答速度より３〜４オーダー速い。

このように強誘電性液晶はきわめて優れた特性を潜在的
に有しており、このような性質を利用することにより、
上述した従来のＴＮ型素子の問題点の多くに対して、か
なり本質的な改善が得られる。特に、高速光学光シャッ
ターや高密度、大画面デイスプレィへの応用が期待され
る。

この強誘電性液晶層を一対の基板間に挟持した素子で前
述した様な単純マトリクス表示装置とした場合では、例
えば特開昭５９−１９３４２６号公報、同５９−１９３
４２７号公報、同６０−１５６０４６号公報、同６０−
１５６０４７号公報などに開示された駆動法を適用する
ことができる。

第４図は、本発明の実施例中で用いた駆動法の波形図で
ある。又、第５図は、本発明で用いたマトリクス電極を
配置した強誘電性液晶パネル５１の平面図である。第５
図のパネル５１には、走査線５２とデータ線５３とが互
いに交差して配線され、その交差部の走査線５２とデー
タ線５３との間には強誘電性液晶が配置されている。

第４図（Ａ）中のＳｓは選択された走査線に印加する選
択走査波形を、ＳＮは選択されていない非選択走査波形
を、Ｉｓは選択されたデータ線に印加する選択情報波形
（黒）を、ＩＮは選択されていないデータ線に印加する
非選択情報信号（白）を表わしている。又、図中（Ｉ　
ｓ　−Ｓ　ｓ　）と（ＩＮ−３Ｓ）は選択された走査線
上の画素に印加する電圧波形で、電圧（Ｉｓ−３ｓ）が
印加された画素は黒の表示状態をとり、電圧（Ｉ　Ｎ　
−Ｓ　ｓ　）が印加された画素は白の表示状態をとる。

第４図（Ｂ）は第４図（Ａ）に示す駆動波形で、第６図
に示す表示を行ったときの時系列波形である。

第４図に示す駆動例では、選択された走査線−１−の画
素に印加される単一極性電圧の最小印加時間Δｔが書込
み位相ｔ２の時間に相当し、１ラインクリヤｔ１位相の
時間が２Δｔに設定されている。

さて、第４図に示した駆動波形の各パラメータＶＳ。

Ｖ＋、Δｔの値は使用する液晶材料のスイッチング特性
によって決定される。

第７図は後述するバイアス比を一定に保ったまま駆動電
圧（Ｖｓ＋Ｖ＋）を変化させたときの透過率Ｔの変化、
即ちＶ−Ｔ特性を示したものである。ここではΔｔ＝５
０　μｓｅｃ、バイアス比Ｖ　２　／　（ｖ　２　＋Ｖ
３）＝１／３に固定されている。第７図の正側は第４図
で示した（ＩＮ−３ｓ）、負側は（Ｉ　ｓ　−Ｓ　ｓ　
）で示した波形が印加される。

ここで、Ｖ、、Ｖ３をそれぞれ実駆動閾値電圧及びクロ
ストーク電圧と呼ぶ。但し、Ｖ２＜Ｖ。

〈ｖ３、またΔＶ＝Ｖ　３−Ｖ　、を電圧マージンと呼
び、マトリクス駆動可能な電圧幅となる。ｖ３はＦＬＣ
表示累子駆動上、−船釣に存在すると言ってよい。具体
的には、第４図（Ａ　）　（Ｉ　Ｎ−３ｓ　）の波形に
おけるＶＢによるスイッチングを起こす電圧値である。

勿論、バイアス比を大きくすることによりＶ、の値を大
きくすることは可能であるが、バイアス比を増すことは
情報信号の振幅を大きくすることを意味し、画質的には
ちらつきの増大、コントラストの低下を招き好ましくな
い。

我々の検討ではバイアス比１／３〜１／４程度が実用的
であった。ところで、バイアス比を固定すれば、電圧マ
ージンΔＶは液晶材料のスイッチング特性に強く依存し
、ΔＶの大きい液晶材料がマトリクス駆動上非常に有利
であることは言うまでもない。

この様なある一定温度において、情報信号の２通りの向
きによって選択画素に「黒」および「白」の２状態を書
き込むことが可能であり、非選択画素はその「黒」また
は「白」の状態を保持することが可能である印加電圧の
上下限の値およびその幅（駆動電圧マージンΔＶ）は、
液晶材料間で差があり、特有なものである。また、環境
温度の変化によっても駆動マージンはズしていくため、
実際の表示装百の場合、液晶材料や環境温度に対して最
適駆動電圧にしておく必要がある。

しかしながら、実用上この様なマトリクス表示装置の表
示面積を拡大していく場合、各画素における液晶の存在
環境の差（具体的には温度や電極間のセルギャップの差
）は当然大きくなり、駆動電圧マージンが小さな液晶で
は表示エリア全体に良好な画像を得ることが出来なくな
る。

さらに、この様なマトリクス表示装置を実現するために
は、使用される液晶材料の配向特性もまた重要な課題と
なる。

現在広く用いられているＴＮ型液晶材料は簡便なラビン
グ配向処理が行なわれた配向膜を用いて、特定の相状態
（例えばネマチック相状態）に配向される。

これに対し、ＳｍＣ’液晶材料は同様のラビング配向処
理ではジグザグ欠陥や、液晶セル中のギャップ保持材（
例えばスペーザービーズ等）周辺で配向欠陥が生じやす
いという特徴がある。

さらには、液晶素子構成要素に由来する配向膜表面の凹
凸などによって生じる配向膜のラビング状態の差異によ
り配向欠陥が容易に生じてしまう。

これらは、ＳｍＣ＊相状態が等吉相状態からい（つかの
相転移を経由した相状態である場合が多く、また、ネマ
チック相と比較し、より結晶相に近い相状態であること
にも起因していると、本発明者らは推察している。

そして、重大な問題点となるのは、これらの配向欠陥は
、ＳｍＣ＊ｍＣ相料の特徴である双安定性を低下させ、
さらには画質の低下、コントラストの低下、またクロス
トークの増大を招く要因となってしまうことである。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明は、前述した様な従来の液晶素子の問題点を解決
し、高速光シャッターや高密度、大画面デイスプレーへ
の応用が期待されている強誘電性液晶素子を実用できる
ように、簡便なラビング処理によって、容易に配向し、
欠陥の無い均一なモノドメイン配同性を示し、さらに、
駆動電圧マージンが大きく、液晶素子の表示エリア上に
、ある程度の温度バラツキがあっても、全画素が良好に
マトリクス駆動できる駆動温度マージンの広い液晶組成
物および該液晶組成物を使用する液晶素子を提供するこ
とにある。

〔問題を解決するための手段〕

本発明は、下記一般式〔Ｉ〕 （ただし、Ｒ，、Ｒ２は炭素数１〜１６の置換基を有し
てもよい直鎖状または分岐状のアルキル基であり、Ｚｌ
は単結合、−ｏ−、−ｃｏｏ−−ｏｃｏ−であり、Ｘｌ
はハロゲン原子、−Ａ、−は単結合あるいは舎である。

） で表わされる液晶性化合物の少なくとも１種と、下記一
般式（ｎ） （ただし、Ｒ３，Ｒ４はそれぞれ置換基を有していても
よい炭素原子数２〜１６のアルキル基であり、Ｚ２　＋
　　Ｚ　３はそれぞれ単結合。

Ｃ− で表わされる液晶性化合物の少なくとも１種とを含有す
る液晶組成物、そして前記液晶組成物に、さらに一般式
［ＩＩＩ） （ただし、Ｒ６は置換基を有していても良い炭素数１〜
１８の直鎖状又は分岐状のアルキル基である。

−ＣＯ５−、−３ＣＱ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−テあ
り、ｚ４はぞれ水素原子、Ｆ、Ｃ１！、Ｂｒ、ＣＨ３，
ＣＮまたはＣＦ３であり、ｋはＯまたはｌである。ただ
し、Ａ２が単結合の場合Ｚ２は単結合であり、Ａ３が単
結合でかつｋが０の場合Ｚ３は単結合である。） ある。） で表わされる液晶性化合物を少なくとも一種含有させた
液晶組成物および該液晶組成物を一対の電極基板間に配
置してなる液晶素子を提供するものである。

一般式ＣＩ）で示される液晶性化合物のうち、好ましい
化合物としては下記［Ｉａ］〜（Ｉｂ３式で示される化
合物が挙げられる。

υ （式中、Ｒ，、Ｒ２，Ｚ、、Ｘ、は前述の通りである） 又、さらに上記［１ａ〕、　　（ｒｂ）式において、Ｚ
ｌの好ましい例としては単結合、−〇−であり、Ｘ、の
好ましい例としてはＣ１？、Ｆであり、特に好ましくは
Ｆを挙げることができる。

又、一般式ＣＩ）で示される液晶性化合物において、Ｒ
１＋　　Ｒ２の好ましい例として〔工　〜ｉ〕〜（Ｉ−
ｉｉｉ）を挙げることができる。

［Ｉ　−４］　　　炭素数１〜１６のｎ−アルキル基Ｈ
３ （Ｉ　−ｉｉ　）　　（ＣＨ２）−ｍＣＨ−Ｃｎ　Ｈｚ
ｎ＋＋（ただし、ｍは０〜７の整数であり、ｎは１〜９
の整数であるが、２≦ｍ＋ｎ≦１４の範囲内にある。） また、前述の一般式（ＩＩ）で示される液晶性化合物の
うち、好ましい化合物としては、下記（Ｉ［ａ〕〜（Ｕ
ｑ）式で示される化合物が挙げられる。

ＣＨ。

（１−１ｉｉ１　−ｅｃＨ２）ｒｃＨ４ｃＨ２）ｓｏ−
ＣｔＨｚｔ＋＋（ただし、ｒは０〜７の整数であり、Ｓ
は０もしくは１である。又、ｔは１〜１４の整数である
が、ｌ≦ｒ＋ｓ＋ｔ≦１４の範囲内にある。）（ＩＩａ
）〜（ＩＩ　ｑ）式で示される液晶性化合物のうちさら
に好ましい化合物として次に示す（ＩＩａａ）〜（ＩＩ
ｎａ）が上げられる。

さらに、より好ましいＲ３，Ｒ４は下記（ｉ）〜（ｉｖ
　）から選ばれる。

ｉ）炭素原子数が２〜１６のｎ−アルキル基、より好ま
しくは炭素原子数４〜１４のｎ−アルキル基ｉｉ　） ＣＨ３ （−ＣＨ２）　ｍ・ＣＨＣｎ□　　Ｈｚｎ’　＋１（た
だしｍ′は０〜６の整数であり、ｎ′は２〜８の整数で
ある。又、光学活性であっても良い。）ｉｉｉ　） （ただしｒ′は０〜６の整数であり、Ｓ′は０もしくは
１である。又、ｔ′は１〜１２の整数である。

又、これは光学活性であっても良い。）ｉｖ） （：ＣＨ２）−１）’　　ＣＨ−Ｃｘ”　　Ｈ２ｘ’＋
＋＊ （ただしｐ′は０またはｌで、Ｘ′は１−１．４の整数
である。） また、前述の一般式Ｃｍ）で示される化合物のうち、好
ましい化合物例としては、下記式（ｍ　−ａ）〜［ｍ−
ｆ）で示される化合物が挙げられる。

（Ｒ５゜ Ｚ　　４　＋ Ｚ　１５　＋ ｌは前述の通り） さらに、上記式（ＩＩＩ−ａ：Ｉ〜［ｍ−ｆ、］で示さ
れる化合物のうち、特に好ましい化合物例としては式［
ｎ［−ａ］、式［ｍ、−ｂ　）、式１：Ｉ［−ｃ］を挙
げることができる。

又、さらに上述の式［ｍ−ａ］〜（Ｉ［［−ｆ）におけ
る２４，２．の好ましい例としては、下記（ＩＩＩ　−
１ｌｌ〜［１１−ｖ］を挙げることができる。

［ｎ［−ｉ″］　　Ｚ４が単結合、　　Ｚ５が一〇−Ｃ
Ｈ２（ｍ−ｉｉｌ　Ｚ４が単結合、　　Ｚ５が−ＣＯＯ
−ＣＨ２（１１１−ｉｉｉ）Ｚ４が単結合、　　Ｚ５が
−ＯＣＯ［ｍ　−１ｖ）　Ｚ４が一〇−Ｚ６が−０−Ｃ
Ｈ２−〔■−ｖ）Ｚ４が一〇−Ｚ５が−ＣＯＯＣ）Ｉ　
２−一般式Ｎ）で表わされる液晶性化合物の代表的な合
成経路を以下に示す。

（式中、ＲＩ＋　Ｒ２＋　Ｘ　ｌ＋　ＺＩは前述の通り
である） 次に、一般式ＣＩ）で示される液晶性化合物の代表的な
合成例を以下に示す。

合成例１　（Ｎｏ、１−３８の化合物の合成）（収率６
１．６％）を得た。

相転移温度（’Ｃ） ２−デシル−５−（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェ
ニル）ピリミジン０．８０ｇ　（２，４２ｍｍｏｌｅ）
をピリジン１０ｍ１！に溶かし、水冷撹拌下ヘプタノイ
ルクロライド０．６２ｍｆ　（４，ＯＯｍｍｏｌｅ）を
滴下した。滴下終了後１５分間水冷撹拌した。その後４
５〜５６℃に保った水浴上で２０分間加熱撹拌した。反
応終了後反応物を氷水１５０ｍｊｌ’中に注入し、析出
した結晶を濾取水洗した。この結晶をトルエンに溶かし
、水洗、芒硝乾燥後、溶媒を減圧留去した。残渣をトル
エンを溶離液としたシリカゲルカラムクロマトで精製し
、アセトン−メタノール混合溶媒で２度再結晶し、２−
デシル−５−（３−フルオロ−４−ヘプタノイルオキシ
フェニル）ピリミジン０．６６ｇ合成例２　（Ｎｏ、１
−４４の化合物の合成）２−ウンデシル−５−（３−フ
ルオロ−４−ヒドロキシフェニル）ピリミジン２．００
ｇ　（５，８１ｍｍｏｌｅ）、吉草酸０．６０ｇ　（５
，８７ｍｍｏｌｅ）、ジクロルメタン５０ｍ１を２００
ｍｆナスフラスコに入れて溶かし、室温撹拌下Ｎ、　Ｎ
’−ジシクロへキシルカルボジイミド１．２１ｇ　（５
，８６ｍｍｏｌｅ）、４−ピロリジルピリジン０．ｌＯ
ｇを順次加え、その後４時間４５分室温で撹拌した。撹
拌終了後析出したＮ、　Ｎ’−ジシクロヘキシル−ウレ
アを濾去し、濾液を減圧乾固した。残渣をトルエン／酢
酸エチル、１００／１の溶離液を用いたシリカゲルカラ
ムクロマトで精製し、アセトン−メタノール混合溶媒で
２度再結晶し、２−ウンデシル−５−（３−フルオロ−
４−ペンタノイルオキシフェニル）ピリミジン１．９１
　ｇ　（収率７６．８％）を得た。

相転移温度（℃） 合成例３（Ｎｏ、１−１０８の化合物の合成）２−フル
オロ−４−（５−デシル−２−ピリジニル）フェノール
０　、５０　ｇ　（１、５２ｍ　Ｍ　）をピリジン４ｍ
ｌに溶かし、トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキサ
ンカルボン酸クロライド０．３９ｇ　（１，８０ｍＭ）
を水浴下で滴下した。滴下後、水浴を取り、室温で３０
分間撹拌後４０〜５０℃水浴中で２時間撹拌した。

反応後、氷水１００　ｍ　Ｉ！にあけ、析出した結晶を
濾出した。この結晶を酢酸エチルに溶かし、２Ｎ−塩酸
および水で水洗し、硫酸ナトリウムで乾燥させ、留去し
た。

これをトルエン溶媒のシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーで精製し、エタノール溶媒で冷凍庫から再結晶し、
目的物０．４５ｇ　（０，８８ｍＭ）を得た。

（収率５８．２％） 相転移温度（’Ｃ） 前記一般式（Ｉ）で表わされる液晶性化合物の具体的な
化合物例を以下に示す。

（ｌ ｓｉ） （ｉ−ｓｓ） （ｌ す （ｌ す す （ｌ （ｌ す （ｉ−１３５） Ｑｒ 一般式 で表わされる液晶性化合物の代表 的な合成経路を以下に示す。

方法ｌ） 方法２） Ｈ２Ｎ−ＣＨ２ＣＯＯＨ 合は脱離可能な保護基でＡ２．Ａ３あるいはＡ４に存在
する水酸基またはカルボキシル基を保護し、チアゾール
環に閉環した後に保護基を脱離させ、その後Ｒ３−２２
−Ａ２−あるいはＲ４−Ｚ３モＡ４−Ｙ１′＋−ｋＡ３
とすることも可能である。

次に一般式（ＩＩ）で示される液晶性化合物の代表的な
合成例を以下に示す。

合成例４　（Ｎｏ、２−５３の化合物の合成）Ｂｕｌｌ
、Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、Ｊｐｎ、６Ｑ、　　１１５９　（
１９８７）と同様の方法で４−メトキシアセトフェノン
をテトラブチルアンモニウムトリブロマイドで臭素化し
、４−メトキシフェナシルブロマイドを得た。Ｂｅｒ。

先４．１５４２　（１９１１）の方法にしたがって以下
に示す経路で４−メトキシフェナシルブロマイドより４
−メトキシフェナシルアミン・塩酸塩を合成した。

ヘキサメチレンテトラミン ４−ヘキシルベンゾイルクロライド２６．９ｇ　（１２
０ｍｍｏｌｅ）をピリジン２０６ｍＩ！に溶かし、冷却
撹拌上内温を＝１０〜−５℃に保って４−メトキシフェ
ナシルアミン・塩酸塩２２．２ｇ　（１１０ｍｍｏｌｅ
）を３０分間で少しずつ添加した。その後同じ温度で３
０分間撹拌し、その後加熱して１時間還流撹拌を行なっ
た。反応終了後反応物を室温まで冷却し、冷水６００ｍ
Ａ’に注入した。析出した結晶を濾取水洗し、エタノー
ルから再結晶して４−へキシルベンゾイル−４′メトキ
シフエナシルアミン１９．６ｇ　（収率５０．５％）を
得た。

４−へキシルベンゾイル−４′−メトキシフェナシルア
ミン１９．６　ｇ　（５５，５ｍｍｏｌｅ　）、Ｌａｗ
ｅｓｓｏｎ’ｓ試薬２４．３ｇ　（６０，１ｍｍｏｌｅ
）、テトラヒドロフラン９７　ｍ　ｌを３００ｍ１’ナ
スフラスコに入れ、１時間還流撹拌を行なった。反応終
了後反応物を水酸化ナトリウム１９ｇを水２Ｉ！、に溶
かしたものへ注入し、析出した結晶を濾取水洗し、エタ
ノール洗浄後エタノールで再結晶し、２−（４−へキシ
ルフェニル）５−（４−メトキシフェニル）−チアゾー
ル１５．９ｇ（収率８２．９％）を得た。

２−（４−ヘキシルフェニル）−５−（４−メトキシフ
ェニル）チアゾール１３．９ｇ　（３９，３ｍｍｏｌｅ
）、酢酸７６．５ｍＡ　、　４７％臭化水素酸６９．５
ｒｒ＋１！を３００ｍ１三つロフラスコに入れ、内温１
００〜１１０℃で１６時間加熱撹拌を行なった。反応物
を冷水に注入し、酢酸エチルで抽出し、有機層を水、５
％炭酸水素ナトリウム水溶液、水で順次洗浄した。有機
層を減圧乾固し、残渣をエタノール／クロロホルム＝１
／ｌ混合溶媒に溶かして活性炭で脱色し、溶媒を減圧留
去した。残渣をトルエンで２回再結晶し、２−（４−へ
キシルフェニル）−５−（４−ヒドロキシフェニル）チ
アゾール１０．０ｇ　（収率７５．８％）を得た。

２−（４−へキシルフェニル）−５−（４−ヒドロキシ
フェニル）チアゾール０．６０ｇ　（１，７８ｍｍｏｌ
ｅ）をピリジン１０　ｍ　ｉ’に溶かし、水冷撹拌下ペ
ンタノイルクロライド０．３６ｍｊ’　（３，０３ｍｍ
ｏｌｅ）を加えた。添加終了後室温で２時間撹拌し、反
応物を氷水１００　ｍ　ｌに注入した。析出した結晶を
濾取水洗し、トルエンに溶かして芒硝乾燥後減圧乾固す
る。残渣をトルエンを溶離液としたシリカゲルカラムク
ロマトで精製し、トルエン−メタノール混合溶媒で再結
晶し、２−（４−へキシルフェニル）−５（４−ペンタ
ノイルオキシフェニル）チアゾール０．６４ｇ　（収率
８５．４％）を得た。この化合物の相転移温度を次に示
す。

合成例５　（Ｎｏ、２−２５２の化合物の合成）Ｂｕｌ
ｌ、Ｃｈｅｍ、５ｏｃＪｐｎ、６０．　１１５９　（１
９８７）と同様の方法で４−メトキシアセトフェノンを
テトラブチルアンモニウムトリブロマイドで臭素化し、
４−メトキシフェナシルブロマイドを得た。Ｂｅｒ。

□、１５４２　（１９１１）の方法にしたがって以下に
示す経路で４−メトキシフェナシルブロマイドより４−
メトキシフェナシルアミン・塩酸塩を合成した。

ヘキサメチレンテトラミン ９６．０　　　　　　１２７．７　　　　１４８．６そ
の後９０℃で１４時間加熱撹拌を行った。反応終了後、
反応物をエタノール１３ｍＡ’、水２５０　ｍ　Ｉ！の
混合溶媒に注入し、クロロホルム抽出を行った。有機層
を水酸化ナトリウム溶液で洗浄し、水洗、芒硝乾燥後溶
媒を減圧乾固した。残渣をクロロホルムを溶離液とした
シリカゲルカラムクロマトで精製し、２−（４−オクチ
ルフェニル）−５−（４−メトキシフェニル）チアゾー
ル８．６０ｇ　（収率２１，２％）を得た。

４−オクチルベンゾイルクロライド２７．０ｇ　（１０
７ｍｍｏｌｅ）をピリジン２０６　ｍ、　ｌに溶かし、
冷却撹拌上内温を−１０〜−５℃に保って４−メトキシ
フェナシルアミン・塩酸塩２１．７ｇ　（１０７ｍｍｏ
ｌｅ）を３０分間で少しずつ添加した。その後同じ温度
で３０分間撹拌し、その後加熱して１時間還流撹拌を行
なった。反応終了後反応物を放冷し、室温で撹拌丁丑硫
化リン１９．５ｇ　（８７，８ｍｍｏｌｅ）を１０分間
で添加した。

２００　ｍ　ｌナスフラスコに２−（４−オクチルフェ
ニル）−５−（４−メトキシフェニル）チアソール８．
２０ｇ（２１，６ｍｍｏｌｅ）、２５％ＨＢｒ酢酸溶液
８゜ｍｆ、５７％Ｈ１水溶液３ｍＩ！を入れ、１００℃
テ２０時間加熱撹拌した。反応終了後、反応物を水２０
０ｍ１に注入し、クロロホルムで抽出を行った。有機層
を水洗、芒硝乾燥後減圧乾固する。残渣をクロロホルム
／酢酸エチル＋２０／１を溶離液としたシリカゲルカラ
ムクロマトで精製し、２−（４−オクチルフェニル）−
５−（４−ヒドロキシフェニル）チアゾール１．８０ｇ
　（収率２２．８％）を得た。

を水洗、芒硝乾燥後減圧乾固し、残渣をトルエンを溶離
液としたシリカゲルカラムクロマトで精製し、エタノー
ルで再結晶して２−（４−オクチルフェニル）−５−（
４−へキシルオキシフェニル）チアゾール０．１６ｇ　
（収率３２．３％）を得た。

この化合物は次の相転移温度を示す。

５０．２　　　　　８３　　　　　　　Ｍ３．２　　　
１４５．３２−（４−オクチルフェニル）−５−（４−
ヒドロキシフェニル）デアゾール０．４０ｇ（ＩＪＯｍ
ｍｏｌｅ）をＤ　Ｍ　Ｆ　２０　ｍ　ｆ！に溶かし水酸
化カリウム０．０９ｇ　（１，３６ｍ　ｍ　ｏ　ｌ　ｅ
　）を加え、１００℃で４５分間加熱撹拌した。

同じ温度で撹拌しながらヨウ化ヘキシル０．３６ｇ（１
、７０ｍ　ｍ　ｏ　ｌ　ｅ　）を加え、その後１２０℃
で６時間１６分加熱撹拌した。反応終了後、反応物を水
１００ｍＩ！に注入し、酢酸エチルで抽出を行った。有
機層合成例６（例示化合物２−４．８　） 合成例４と同様の反応経路にてアルキル鎖長の異なる２
−（４−ブチルフェニル）−５−（４−ヒドロキシフェ
ニル）チアゾールを用い、同様の反応経路にして２−　
（４−ブチルフェニル）−５−（４ヘプタノイルオキシ
フエニル）デアゾールを得た。

合成例７（例示化合物２−１９２） 合成例４と同様に次に示す経路で合成し７た２（４−へ
キシルフェニル）−５−（３−フルオロ−４ヒドロキシ
フエニル）チアゾールを用いて２−（４ヘキシルフエニ
ル）−５−（３−フルオロ−４−ヘプタノイルオキシフ
ェニル）チアゾールを得た。

この化合物の相転移温度を次に示す。

す ２０．５ ７２．４ １２８．７ １４７．５ 合成例８（例示化合物２−２７８） 合成例４と同様の反応経路にてアルキル鎖長の異なる２
−（４−ブチルフェニル）−５−（４−ペンタノイルオ
キシフェニル）チアゾールを得た。

この化合物の相転移温度を次に示す。

この化合物の相転移温ｊσを次に示す。

９７．６ １１７．０ １５０．０ 合成例９（例示化合物２−２７９） ルフェニル）−５−（４−ヘキサノイルオキシフェニル
）チアゾール１．８１ｇ　（収率７０．１％）を得た。

この化合物の相転移温度を以下に示す。

２−（４−へキシルフェニル）−５−（４−ヒドロキシ
フェニル）チアゾール２．００ｇ　（５，９３ｍｍｏｌ
ｅ）、ヘキサン酸０　、７６　ｇ　（６、５４ｍ　ｍ　
ｏ　ｌ　ｅ　）、ジクロルメタン４０ｍ１を２００ｍＩ
！ナスフラスコに入れ、室温撹拌下Ｎ、Ｎ’−ジシクロ
へキシルカルボジイミド１．２４ｇ　（６０，１ｍｍｏ
ｌｅ）、４−ピロリジノピリジン０．１０ｇを順次加え
、その後室温で７時間撹拌を行った。反応終了後析出し
たＮ、Ｎ’　−ジシクロへキシルウレアを濾去し、濾液
を減圧乾固した。残渣をシリカゲルカラムクロマト（溶
離液：トルエン／酢酸エチル：　１００／ｌ）で精製し
、トルエンメタノール混合溶媒で再結晶して２−（４−
へキシ合成例１０（例示化合物２−２８０） 合成例４と同様にして２−（４−へキシルフェニル）　
−５−［４−（４−メチルペンタノイルオキシ）フェニ
ルクチアゾールを得た。

ＣＩ］３ この化合物の相転移温度を次に示す。

合成例１１（例示化合物２−２８１） チアゾール０．９０ｇ　（収率６８．０％）を得た。こ
の化合物の相転移温度を次に示す。

合成例７で合成した２−（４−へキシルフェニル）′−
５−（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）チアゾ
ール１　、０７　ｇ　（３、Ｏｌ　ｍ　ｍ　ｏ　ｌ　ｅ
　）、水酸化カリウム０　、２３　ｇ　（３、４８ｍ　
ｍ　ｏ　ｌ　ｅ　）、ブタノール５ｍｌを３０ｍｊｌ’
ナスフラスコに入れて加熱して溶かし、加熱撹拌下ヨウ
化ヘキシル０．７４ｇ　（３，４９ｍｍｏｌｅ）をゆっ
くり加えた。その後９０°Ｃ付近で５時間加熱撹拌を行
った。反応終了後溶媒を減圧留去し、残渣に水を加えて
析出した結晶を濾取水洗する。この結晶をシリカゲルカ
ラムクロマｌ−（溶離液・トルエン）で精製し、トルエ
ン−メタノール混合溶媒で再結晶して２−（４−へキシ
ルフェニル）５−（３−フルオロ−４−へキシルオキシ
フェニル）１２４．５ １２９．６ 合成例】２ （例示化合物２ この化合物の相転移温度を次に示す。

合成例７で合成した３ フルオロ メ トキシ フェナシルアミ ン・塩酸塩を用いて合成例７と同様 にして次に示す経路で２ デシル フル オロ ヘプタノイルオキシフェニル） チアゾ− ルを得た。

前記一般式（ｎ） で表わされる液晶性化合物の 具体的な化合物例を以下に示す。

２］） り り り り り り す す す す ＩＯ２） （ノ リ す す （２−ｉ３０） す す り り （２−１，７８） す （２−２４，８） 一般式（ＩＩＩ）で示される化合物は、例えば特開昭６
３−２２０４２号公報、特開昭６３−１２２６５１号公
報などに記載の方法により得ることができる。

代表的な合成例を以下に示す。

合成例１３（化合物Ｎｏ、３−２８の合成）ｐ−２−フ
ルオロオクチルオキシフェノール１．ＯＯｇ（４，１６
ｍＭ）をピリジン１０ｍｆ、トルエン５ｍｊ！に溶解さ
せ、トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキサンカルボ
ン酸クロライド１　、３０　ｇ　（６、ＯＯｍ　Ｍ　）
をトルエン５ｍ！！に溶解した溶液を、５℃以下、２０
〜４０分間で滴下した。滴下後、室温で一晩撹拌し、白
色沈殿を得た。

反応終了後、反応物をベンゼンで抽出し、さらにこのベ
ンゼン層を蒸留水で洗ったのち、ベンゼン層を硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、ベンゼンを留去した。さらにシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、さらに
エタノール／メタノールで再結晶して、トランス−４−
ｎ−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−ｐ−２−フル
オロオクチルオキシフェニルエステル１．２０ｇ　（２
，８５ｍＭ）を得た。（収率６８．６％） ＮＭＲデータ（ｐｐｍ） ０．８３〜２．８３ｐｐｍ　（３４ＨＳｍ）４．０（１
〜４．５０ｐｐｍ　（２Ｈ，ｑ）７、ｌｌｐｐｍ　　　
　　（４ＨＳｓ）ＩＲデータ（ｃ　ｍ−’　） ３４５６．２９２８゜ １４７０、　１２４８゜ ８５４゜ 相転移温度（℃） １７４２、　１５０８゜ ２８５２゜ １１６６、　１１３２゜ １２００゜ （ここで、ｓ３．ｓ４．ｓ、、ｓ６は、ＳｍＣ木よりも
秩序度の高い相を示す。） 合成例１４（化合物Ｎｏ、３−８５の合成）十分に窒素
置換された容器に、（−）−２−フルオロヘプタツール
０　、４０　ｇ　（３、０ｍ　ｍ　ｏ　ｌ　）と乾燥ピ
リジン１．ＯＯｇ（１３ｍｍｏ＋）を入れ水冷下で３０
分間撹拌した。その溶液にｐ−トルエンスルホン酸クロ
リド０．６９ｇ　（３，６ｍｍｏｌ）を加え、そのまま
５時間撹拌を続けた。反応終了後、ＩＮＨＣｊ！ｌｏｍ
！！を加え、塩化メチレン１０ｍ１で２回抽出を行った
後、その抽出液を蒸留水１０ｍ１で１回洗浄した。得ら
れた塩化メチレン溶液に無水硫酸ナトリウムを適宜加え
て乾燥したのち、溶媒を留去しく＋）−２−フルオロヘ
プチルｐ−トルエンスルホン酸エステル０．５９ｇ　（
２，Ｏｍｍｏｌ）を得た。

収率は６６％である。生成物の比旋光度およびＩＲデー
タは下記の通りである。

比旋光度［α］賃’　＋２．５９°　（Ｃ−１、ＣＨＣ
ｌ３）。

比旋光度［α〕溜＋９．５８°　（ｃｍ　１．　ＣＨＣ
ｌ　３）。

ＩＲ（ｃｍ−’）　： ２９００、　２８５０、　１６００、　１４５０．１３
５０、　１１７０、　１０９０、　９８０．８１０、　
　６６０、　５５００ 上記のようにして得られた（＋）−２−フルオロへブチ
ルｐ−トルエンスルホン酸エステル０．４３ｇ（１，５
ｍｍｏ？）と５−オクチル−２−（４−ヒドロキシフェ
ニル）ピリミジン０．２８ｇ　（１，Ｏｍｍｏｌ）に１
−ブタノール０　、２　ｍ　ｌを加えよく撹拌した。

その溶液に、あらかじめ１−ブタノールｌ　、　Ｏｍ　
ｌに水酸化ナトリウム０．０４８ｇ　（１，２ｍｍｏｌ
）を溶解させて調製しておいたアルカリ溶液を速やかに
注ぎ５時間半、加熱還流した。反応終了後蒸留水１０ｍ
ｆを加え、ベンゼン１０　ｍ　ｌおよび５ｍｆでそれぞ
れ１回づつ抽出を行った後、その抽出液に無水硫酸ナト
リウムを適宜加えて乾燥した。乾燥後、溶媒を留去し、
シリカゲルカラム（クロロホルム）により目的物である
（＋）−５−オクチル−２−［４−（２−フルオロへブ
チルオキシ）フェニル］ピリミジン０．１７ｇ　（０，
４３ｍｍｏｌ）を得た。

収率は４３％であり、以下のような比旋光度およびＩＲ
データが得られた。

比旋光度［α］ｙＪ＋　０．４４°　　（ｃｍ１．　Ｃ
ＨＣｌ３”）。

比旋光度［α］溜＋４．１９°　　（ｃ＝ｌＳＣＨＣｊ
！３）。

ＩＲ（ｃｍ−’）　： ２９００．２８５０．１６００．１５８０．１４２０．
１’２５０゜１１６０．８００．７２０．６５０．５５
０゜前記一般式（ｍ）で表わされる液晶性化合物の具体
的な化合物例を以下に示す。

本発明の一般式（Ｉ）と一般式（ＩＩ）で示される液晶
性化合物、それぞれ少なくとも１種と後述するその他の
液晶性化合物１種以上あるいは液晶組成物（以下、液晶
材料と略す。）とを混合する場合、混合して得られた液
晶組成物中に占める本発明の一般式（Ｉ）、一般式（Ｉ
Ｉ）で示される液晶性化合物の割合は次に示す様にする
ことが望ましい。

一般式（Ｉ）で示される液晶性化合物／−一般式ｎ）で
示される液晶性化合物／液晶材料０．５〜８０％１０．
５〜８０％／１０〜９９％より好ましくは、 １〜７０％／１〜７０％／２０〜９８％また、本発明の
一般式（Ｉ）と一般式（ＩＩ）で示される液晶性化合物
の一方、もしくは両方において２種以上用いる場合も混
合して得られた液晶組成物中に占める本発明の一般式（
Ｉ）、一般式（ｎ）で示される液晶性化合物の割合は、
上述した割合であることが望ましい。

さらに、本発明の一般式（Ｉ）と一般式（ＩＩ）と一般
式（Ｉ［［）で示される液晶性化合物と液晶材料とを混
合する場合、混合して得られた液晶組成物中に占める本
発明の一般式（１）、一般式（ＩＩ）、般式（ｍ）で示
される液晶性化合物の割合は、次に示す様にすることが
望ましい。

一般式（Ｉ）で示される液晶性化合物／−一般式ｎ）で
示される液晶性化合物／−一般式ｍ）で示される液晶性
化合物／液晶材料 ０．５〜８０％１０，５〜８０％／１〜３０％／１０〜
９８％より好ましくは、 １〜７０％／１〜７０％／２〜２０％／２０〜９６％さ
らにまた、本発明の一般式（Ｉ）と一般式（ＩＩ）と一
般式（ｍ）で示される液晶性化合物のいずれか、あるい
は全てにおいて２種以上用いる場合も、混合して得られ
た液晶組成物中に占める本発明の一般式（Ｉ）、一般式
（ＩＩ）、一般式（ｍ）で示される液晶性化合物の割合
は、上述した割合であることが望ましい。

又、本発明による液晶組成物は、強誘電性液晶組成物、
特に強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物が好まし
い。

本発明で用いる他の液晶性化合物を一般式（ＩＶ）〜（
■）で下記に挙げる。

（ただし、Ｒ１、Ｒ２′は炭素数１〜１８の直鎖状又は
分岐状のアルキル基であり、該アルキル基中の１つもし
くは隣接しない２つ以上の−ＣＨ２−基は−ＣＨＣＮ−
−Ｃ子ＣＨ３矢ＣＮ−、−ＣＨＣｆ　−−ＣＨＢｒ−に
よって置き換えられてもよく、さらにＺｌ’＋２２′と
直接結合する一ＣＨ２−基を除く１つもしくは２つ以上
の−ＣＨ２−基は一〇＜　、Ｒ＋’　、　　Ｒ２’の少
なくとも一方は光学活性である。ｚ、、ｚ２′は単結合
、−ｏ−、−ｃｏ−−ｏｃ−−ｏｃｏ−であり、ａｌ＋
　ｂｌはＯ，ｌ又は２であり、ａ　、　＋ｂ　）はｌ又
は２である。）は水素原子、ハロゲン原子、ＣＩ］３又
はＣＦ３である。） （Ｖ） （ただし、Ｒ３、Ｒ４′は炭素数１〜１８の直鎖状又は
分岐状のアルキル基であり、該アルキル基中の１つもし
くは隣接しない２つ以上の−ＣＨ２−基は−ＣＨＣＮ−
、−Ｃ子ＣＩ］３矢ＣＮ　−、−ＣＨＣｊｌ！−ＣＨＢ
　ｒ−によって置き換えられてもよく、さらに２３′、
２４′と直接結合する一ＣＨ２−基を除（１つもしくは
２つ以上の−ＣＨ□−基は一〇（ＶＩ） （ただし、ＲＩｓ’　＋　Ｒ６′は炭素数１〜１８の直
鎖状又は分岐状のアルキル基であり、該アルキル基中の
１つもしくは隣接しない２つ以上の−ｃＨ２−基はＣＨ
ＣＮ−、−Ｃ（ＣＨ３）ＣＮ−、−ＣＨＣＡ　　−ＣＨ
Ｂ　ｒ−によって置き換えられてもよ＜、Ｚ５Ｚ６′と
直接結合する一ＣＩ−１２−基を除く１つもしくＺ３．
２４′は単結合、−ｏ−、−ｃｏ−、−ｏｃｏ　　　　
　　　　０ 一〇Ｃ ＣＨ２０− ＣＨ２ −であり、Ｘ がともに単結合であることはない。Ａ。

に単結合であることはない。

Ｚ５ ２６／ は単結合。

は単結合であり、Ａ２′が単結合の時Ｘ３′は単結合で
あり、Ａ　３／が単結合の時Ｘ４′は単結合である。

Ｙ２　、Ｙ、、Ｙ４’は水素原子、ハロゲン原子、ＣＨ
，又はＣＦ３である。） −ＯＣＨ２−である。ａ３．ｂ３はＯ又はｌであるが、
ａ３＋　　ｂ３がともに０であることはない。）（■） （ただし、Ｒ７、Ｒ８′は炭素数１−１８の直鎖状又は
分岐状のアルキル基であり、該アルキル基中の１つもし
くは隣接しない２つ以上の−ＣＨ２−基は−ＣＨＣＮ−
、−ＣモＣＨ３矢ＣＮ−、−ＣＨＣｊ！　−−ＣＨＢｒ
−によって置き換えられてもよく、ｚ７２８′と直接結
合する一ＣＨ２−基を除（１つもしく−０ＣＣ）Ｉ　２ ０−ＣＨ２ ＣＨ２ −である。Ｃ＊ ＊ は光学活性な不斉炭素原子を示す。） （ここで、Ｒ、／は炭素数１−１８の直鎖状又は分岐状
のアルキル基であり、Ｒ１Ｏ’は炭素数１〜１６の直鎖
状又は分岐状のアルキル基である。Ａ　５／はあり、 ｘ８′ は単結合。

−ＣＨ２Ｃ０−である。

（ＩＶ） 弐〜（■） 式の好ましい化合物として （ｒＶａ） （■ｅ） が挙げられる。

Ｒ５′−Ｚ、′舎ｘ３（舎Ｚ６ （ＶＩｄ） （■ｂ） （■Ｃ） （■ｅ） さらに、本発明による強誘電性液晶素子における強誘電
性液晶層は、先に示したようにして作製した強誘電性液
晶組成物を真空中、等方性液体温度まで加熱し、素子セ
ル中に封入し、徐々に冷却して液晶層を形成させ、常圧
にもどすことが好ましい。

第１図は強誘電性液晶素子の構成の説明のために、本発
明の強誘電性液晶層を有する液晶素子の一例の断面概略
図である。

第１図において符号１は強誘電性液晶層、２はガラス基
板、３は透明電極、４は絶縁性配向制御層、５はスペー
サー、６はリード線、７は電源、８は偏光板、９は光源
を示している。

２枚のガラス基板２には、それぞれＩｎ２Ｏ３゜ＳｎＯ
２あるいはＩＴＯ（インジウム　ティン　オキサイド；
　Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄｅ）等の薄膜から
成る透明電極３が被覆されている。その上にポリイミド
の様な高分子の薄膜をガーゼやアセテート植毛布等でラ
ビングして、液晶をラビング方向に並べる絶縁性配向制
御層が形成されている。また絶縁物質として例えばンリ
コン窒化物、水素を含有するシリコン炭化物、シリコン
酸化物、硼素窒化物、水素を含有する硼素窒化物、セリ
ウム酸化物、アルミニウム酸化物、ジルコニウム酸化物
、チタン酸化物やフッ化マグネシウムなどの無機物質絶
縁層を形成し、その土にポリビニルアルコール、ポリイ
ミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリバ
ラキシレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビ
ニルアセクール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポ
リアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹
脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂やフォトレジスト樹脂な
どの有機絶縁物質を配向制御層として、２層で絶縁性配
向制御層が形成されていてもよく、また無機物質絶縁性
配向制御層あるいは有機物質絶縁性配向制御層単層であ
っても良い。この絶縁性配向制御層が無機系ならば蒸着
法などで形成でき、有機系ならば有機絶縁物質を溶解さ
せた溶液、またはその前駆体溶液（溶剤に０．１〜２０
重量％、好ましくは０．２〜１０重量％）を用いて、ス
ピンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリーン印刷法、スプ
レー塗布法、ロール塗布法等で塗布し、所定の硬化条件
下（例えば加熱下）で硬化させ形成させることができる
。

絶縁性配向制御層４の層厚は通常３０人〜１μｍ、好ま
しくは４０人〜３０００人、さらに好ましくは４０λ〜
１０００人が適している。

この２枚のガラス基板２はスペーサー５によって任意の
間隔に保たれている。例えば所定の直径を持つシリカビ
ーズ、アルミナビーズをスペーサーとしてガラス基板２
枚で挟持し、周囲をシール材、例えばエポキシ系接着材
を用いて密封する方法がある。その他スペーサーとして
高分子フィルムやガラスファイバーを使用しても良い。

この２枚のガラス基板の間に強誘電性液晶が封入されて
いる。

強誘電性液晶が封入された強誘電性液晶層１は、一般に
は０．５〜２０μｍ１好ましくは１〜５μｍである。

又、この強誘電性液晶は室温を含む広い温度域（特に低
温側）でＳｍＣ＊相（カイラルスメクチッりＣ相）を有
し、かつ素子とした場合には駆動電圧マージン及び駆動
温度マージンが広いことが望まれる。

又、特に素子とした場合、良好な均−配向性を示し、モ
ノドメイン状態を得るには、その強誘電性液晶は等吉相
からｃｈ相（コレステリック相）−５ｍＡ相（スメクチ
ックＡ相）−ＳｍＣ’　（カイラルスメクチックＣ相）
という相転移系例を有していることが望ましい。

透明電極３からはリード線によって外部電源７に接続さ
れている。

またガラス基板２の外側には偏光板８が貼り合わせであ
る。

第１図は透過型なので光源９を備えている。

第２図は強誘電性液晶素子の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。２１ａと２１ｂはそれ
ぞれＩｎ２Ｏ３，５ｎ０２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕ
ｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄｅ）等の薄膜からなる透明電極
で被覆された基板（ガラス板）であり、その間に液晶分
子層２２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ＊
相又はＳｍＨ水相の液晶が封入されている。太線で示し
た線２３が液晶分子を表わしており、この液晶分子２３
はその分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ土）
２４を有している。基板２１ａと２１ｂ上の電極間に一
定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子２３のらせ
ん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ土）２４がすべ
て電界方向に向くよう、液晶分子２３は配向方向を変え
ることができる。液晶分子２３は細長い形状を有してお
り、その長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従
って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコルの偏光
子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液
晶光学変調素子となることは、容易に理解される。

本発明における光学変調素子で好ましく用いられる液晶
セルは、その厚さを充分に薄（（例えば１０μ以下）す
ることができる。このように液晶層が薄くなるにしたが
い、第３図に示すように電界を印加していない状態でも
液晶分子のらせん構造がほどけ、その双極子モーメント
Ｐａまたはｐｂは上向き（３４ａ）又は下向き（３４ｂ
）のどちらかの状態をとる。このようなセルに、第３図
に示す如く一定の閾値以上の極性の異る電界Ｅａ又はＥ
ｂを電圧印加手段３１ａと３１ｂにより付与すると、双
極子モーメントは電界Ｅａ又はＥｂの電界ベクトルに対
応して上向き３４ａ又は下向き３４ｂと向きを変え、そ
れに応じて液晶分子は、第１の安定状態３３ａかあるい
は第２の安定状態３３ｂの何れか一方に配向する。

このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は先にも述べたが２つある。

その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を例えば第３図によって更に説明すると、電界Ｅａを
印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに配向する
が、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向き
の電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安定状態３
３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、やはり電界
を切ってもこの状態に留っている。又与える電界Ｅａあ
るいはＥｂが一定の閾値を越えない限り、それぞれ前の
配向状態にやはり維持されている。

この様な特性を有す強誘電性液晶材料を一対の基盤間に
挟持した素子で、単純マトリクス表示装置とした場合、
例えば特開昭５９−１９３４２６号公報、同５９−１９
３４２７号公報、同６０−１５６０４６号公報、同６０
−１５６０４７号公報などに開示された駆動法を適用す
ることができる。

第４図は、本発明の実施例中で用いた駆動法の波形図で
ある。又、第５図は、本発明で用いたマトリクス電極を
配置した強誘電性液晶パネル５１の平面図である。第５
図のパネル５１には、走査線５２とデータ線５３とが互
いに交差して配線され、その交差部の走査線５２とデー
タ線５３との間には強誘電性液晶が配置されている。

第４図（Ａ）中のＳｓ選択された走査線に印加する選択
走査波形を、ＳＮは選択されていない非選択走査波形を
、Ｉｓは選択されたデータ線に印加する選択情報波形（
黒）を、ＩＮは選択されていないデータ線に印加する非
選択情報信号（白）を表わしている。又、図中（Ｉｓ−
３−ｓ）と（ＩＮ−３Ｓ）は選択された走査線上の画素
に印加する電圧波形で、電圧（Ｉｓ−３ｓ）が印加され
た画素は黒の表示状態をとり、電圧（ＩＮ−３ｓ）が印
加された画素は白の表示状態をとる。

第４図（Ｂ）は第４図（Ａ）に示す駆動波形で、第６図
に示す表示を行ったときの時系列波形である。

第４図に示す駆動例では、選択された走査線上の画素に
印加される単一極性電圧の最小印加時間Δｔが書込み位
相ｔ２の時間に相当し、ｌラインクリヤ上１位相の時間
が２Δｔに設定されている。

さて、第４図に示した駆動波形の各パラメータＶｓ。

Ｖｌ、Δｔの値は使用する液晶材料のスイッチング特性
によって決定される。

第７図は後述するバイアス比を一定に保ったまま駆動電
圧（Ｖｓ＋Ｖ１）を変化させたときの透過率Ｔの変化、
即ちＶ−Ｔ特性を示したものである。ここではΔｔ＝５
０μｓｅｃ、バイアス比Ｖ２／（Ｖ２十Ｖ３）＝１／３
に固定されている。第７図の正側は第４図で示した（Ｉ
Ｎ−３Ｓ）、負側は（Ｉ　ｓ　−Ｓ　ｓ　）で示した波
形が印加される。

ここで、ｖｌ、ｖ３をそれぞれ実駆動閾値電圧及びクロ
ストーク電圧と呼ぶ。但し、ｖ２〈ｖＩくＶ３、またΔ
Ｖ＝Ｖ　３−Ｖ　、を電圧マージンと呼び、マトリクス
駆動可能な電圧幅となる。ｖ３はＦＬＣ表示表示素子駆
動−船釣に存在すると言ってよい。具体的には、第４図
（Ａ）（ＩＮ　　Ｓｓ）の波形におけるＶＢによるスイ
ッチングを起す電圧値である。勿論、バイアス比を大き
くすることによりＶ３の値を大きくすることは可能であ
るが、バイアス比を増すことは情報信号の振幅を大きく
することを意味し、画質的にはちらつきの増大、コント
ラストの低下を招き好ましくない。

我々の検討ではバイアス比１／３〜１／４Ｎ度が実用的
であった。ところで、バイアス比を固定すれば、電圧マ
ージンΔＶは液晶材料のスイッチング特性に強く依存し
、ΔＶの大きい液晶材料がマトリクス駆動上非常に有利
であることは言うまでもない。

この様なある一定温度において、情報信号の２通りの向
きによって選択画素に「黒」および「白」の２状態を書
き込むことが可能であり、非選択画素はその「黒」また
は「白」の状態を保持することが可能である印加電圧の
上下限の値およびその幅（駆動電圧マージンΔ■）は、
液晶材料間で差があり、特有なものである。また、環境
温度の変化によっても駆動マージンはズしていくため、
実際の表示装置の場合、液晶材料や環境温度に対して最
適駆動電圧にしておく必要がある。

しかしながら、実用上この様なマトリクス表示装置の表
示面積を拡大していく場合、各画素における液晶の存在
環境の差（具体的には温度や電極間のセルギャップの差
）は当然大きくなり、駆動電圧マージンが小さな液晶で
は表示エリア全体に良好な画像を得ることが出来な（な
る。

以下実施例により本発明について更に詳細に説明するが
、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例１ 下記化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物Ａを作
成した。

構　造　式　　　　　　　　重量部 構　　造　　式 重量部 さらにこの液晶組成物Ａに対して、以下に示す例示化合
物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物１−Ａ
を作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構　造　式　　　　　重量部
液晶組成物Ａ 次に、これらの液晶組成物を以下の手順で作成したセル
を用いて、光学的な応答を観察した。

２枚の０　、７　ｍ　ｍ厚のガラス板を用意し、それぞ
れのガラス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作
成し、さらにこの上にＳｉＯ２を蒸着させ絶縁層とした
。ガラス板上にシランカップリング剤Ｕ信越化学■製Ｋ
ＢＭ−６０２］　０．２％イソプロピルアルコール溶液
を回転数２０００ｒ、ｐ、ｍのスピンナーで１５秒間塗
布し、表面処理を施した。この後、１２０℃にて２０分
間加熱乾燥処理を施した。

さらに表面処理を行なったＩＴＯ膜付きのガラス板上に
ポリイミド樹脂前駆体［東し■５Ｐ−５１０］１．０％
ジメチルアセトアミド溶液を回転数３００゜ｒ、ｐ、ｍ
のスピンナーで１５秒間塗布した。成膜後、６０分間、
３００℃加熱縮合焼成処理を施した。この時の塗膜の膜
厚は約１２０人であった。

この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径１．５μｍのシリカビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行となる様にし、接着シール剤［リクソンボンド（
チッソ＠）］を用いてガラス板をはり合わせ、６０分間
、１００℃にて加熱乾燥しセルを作成した。このセルの
セル厚をベレツク位相板によって測定したところ約１．
５μｍであった。

このセルに液晶組成物１−Ａを等方性液体状態で注入し
、等吉相から２０℃／ｈで２５℃まで徐冷することによ
り、強誘電性液晶素子を作成した。

この強誘電性液晶素子を用いて前述した第４図に示す駆
動波形（１／３バイアス比）で、駆動電圧マージンΔＶ
（Ｖ３−Ｖ２）を測定した。その結果を次に示す。（尚
、ΔｔはＶ２ζ１５Ｖとなる様に設定） １０℃　　　　　２５°Ｃ４ｏ℃ 駆動電圧マージン１３．３Ｖ　　　　　１４．ＩＶ　　
　　　１２．９Ｖ（測定時設定Δｔ）　　　　　（５９
０μ５ｅｃ）　　（２０３μ５ｅｃ）　　（８２μ５ｅ
ｃ）さらに、２５℃における駆動電圧マージン中央値に
電圧を設定して、測定温度を変化させた場合駆動可能な
温度差（以下駆動温度マージンという。）は±４．３℃
であった。

また、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは１３
．０であった。

比較例１ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ａのうち例示化合物
尚２−１９．２−５４．２−１９８を混合せずに、Ａに
対して例示化合物ＮＱ１−３８．１−１０８のみを実施
例１と同様の重量部にて混合した１−ＡＩと例示化合物
ＮＵＬＬ−３８，１−ｉｏｓを混合せずにＡに対して例
示化合物Ｎ［１２−１９，２−５４，２−１９８のみを
混合した液晶組成物１−ＡＩを作成した。

液晶組成物１−Ａを用いる代わりに、液晶組成物Ａ、１
−ＡＩ、］−ＡＩＩをセル内に注入する以外は全（実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージンΔＶを測定した。

駆動電圧マージン（測定時設定Δｔ） １００ｃ　　　　　２５℃　　　　４０℃Ａ　　　　　
　８．８Ｖ　　　　　８．８Ｖ　　　　　７．６Ｖ（８
５０μ５ｅｃ）　　　（２５５μ５ｅｃ）　　　（８６
μ５ｅｃ）１−Ａ　Ｉ　　　　９．２Ｖ　　　　　９．
ＩＶ　　　　　８．ＩＶ（７３５μ５ｅｃ）　　　（２
３７μ５ｅｃ）　　　（７９μ５ｅｃ）１−Ａ　ＩＩ　
　　　ｌｏ、８Ｖ　　　　　１１．３Ｖ　　　　　１０
．７Ｖ（７８０μ５ｅｃ）　　　（２４０μ５ｅｃ）　
　　（８６μ５ｅｃ）さらに２５℃における駆動温度マ
ージンはＡ　　　　上１゜４℃ １−ＡＩ　　　　上２゜８℃ １−Ａｎ　　　　上３゜６℃ であった。

実施例１と比較例１より明らかな様に、本発明による液
晶組成物１−Ａを含有する強誘電液晶素子の方が駆動電
圧マージン及び駆動温度マージンは広がっており、環境
温度の変化や、セルギャップバラツキに対して、画像を
良好に保つ能力に優れている。

実施例２ 実施例１で用いた液晶材注入セルの作成時において、ポ
リイミド樹脂の膜厚を６０人、１２０人、１８０人と変
化させた基板を作成し、さらに、アセテート植毛布によ
るラビング処理の条件、ラビングスピード、ラビング時
植毛布押し込み中等を変更して、ラビング強度（配向規
制力）に強弱をつけた以外は、全〈実施例１と同様の方
法で液晶素子を作成し、素子内の配向性を観察した。

○：アルミナビーズ周辺の一部にスジ状配向欠陥がわず
かにある。

＊２）実施例１で用いたセル。

比較例２ 実施例２で使用した液晶組成物１−Ａに代えて、比較例
１で用いた液晶組成物Ａ、　１−ＡＩ、　Ｉ−ＡＩＩを
用いた以外は、全〈実施例２と同様の方法で液晶素子を
作成し、素子内の配向性を観察した。

液晶組成物Ａを使用した素子 ＊ｌ）ラビング強度は数字が大きい程強い◎：均−良好
な配向性モノトメ・イン状態欠陥全（無し 液晶組成物１ ＡＩを使用した素子 液晶組成物１−ＡＩｒを使用した素子 ミナビーズ周辺全てにスジ状配向欠 陥と一部ジグザグ欠陥有り。

Ｘ：　ジグザグ欠陥が多く確認される。

Ｘ：　はぼ全面にジグザグ欠陥が生じ、配向不均一 実施例２と比較例２より明らかな様に、本発明による液
晶組成物１−Ａは均一的なモノドメイン配向性を示し、
配向性の良好な液晶組成物といえる。

さらにまた、実施例１、比較例１と実施例２、比較例２
より明らかな様に、本発明による液晶組成物を用いるこ
とにより、強誘電性液晶素子の早期実用化が期待できる
。

＊ｌ）比較例１で用いたセル △：配向は均一モノドメイン的だがアル実施例３ 実施例Ｉで使用した例示化合物に加えて、以下に示す例
示化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
３−Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　構　造　式　　　　　　重
量部■　−３８ 液晶組成物Ａ この液晶組成物を用いた以外は全（実施例１と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法
で駆動電圧マージン、駆動温度マージンを測定した。

測定結果を次に示す。

１０°０　　　２５℃　　　４０°Ｃ 駆動電圧マージン　　　　　１３．ＯＶ　　　　　１３
．８Ｖ　　　　　１２．８Ｖ（測定時設定Δｔ）　　　
　　（５１３μ５ｅｃ）　　（１９０μ５ｅｃ）　　（
７０μ５ｅｃ）駆動温度マージン　　　　　　±４．１
℃駆動時コントラスト　　　　　　　１２．８比較例３ 実施例３で使用した液晶組成物３−Ａのうち例示化合物
Ｎα２−１９．２−５４．２−１９８を混合せずに、八
に対して例示化合物Ｎα１−３８．１−１０８．３−２
８゜３−８５のみを実施例３と同様の重量部にて混合し
たＩＡＩと例示化合物Ｎ０ｌ−３８，ｌ−］０８を混合
せずにＡに対して例示化合物Ｎα２−１９．　２−５４
゜２−１９８．３−２８．３−８５のみを混合した液晶
組成物３−ＡＩＩを作成した。

液晶組成物３−Ａを用いる代わりに、液晶組成物Ａ、　
３−ＡＩ、　１−ＡＩＩをセル内に注入する以外は全〈
実施例３と同様の方法で強誘電液晶素子を作成し、駆動
電圧マージンΔＶを測定した。

駆動電圧マージン（測定時設定Δｔ） １０’Ｃ２５°Ｃ４０℃ Ａ　　　　　　８．８Ｖ　　　　　８．８Ｖ　　　　　
７．６Ｖ（８５０μ５ｅｃ）　　　（２５５ｐ　５ｅｃ
）　　　（８６μ５ｅｃ）３−ＡＩ　　　　９．ＯＶ　
　　’　　８．９Ｖ　　　　　８．０Ｖ（６９４μ５ｅ
ｃ）　　　（２２２ｐ　５ｅｃ）　　　（７３μ５ｅｃ
）３−Ａ　ｎ　　　　１０．６Ｖ　　　　　１１．ＯＶ
　　　　　１０．４Ｖ（７０５μ５ｅｃ）　　　（２３
２μ５ｅｃ）　　　（７７μ５ｅｃ）さらに２５℃にお
ける駆動温度マージンはＡ　　　　±１．４℃ ３−ＡＩ　　　　±２．６℃ ３−ＡＩＩ　　　　±３．５℃ であった。

実施例３と比較例３より明らかな様に、本発明による液
晶組成物３−Ａを含有する強誘電液晶素子の方が駆動電
圧マージン及び駆動温度マージンは広がっており、環境
温度の変化や、セルギャップバラツキに対して、画像を
良好に保つ能力に優れている。

実施例４ 実施例３で用いた液晶組成物３−Ａを使用する以外は、
全〈実施例２と同様の方法で液晶素子を作成し、素子内
の配向性を観察した。

＊１）ラビング強度は数字が大きい程強い◎：均−良好
な配向性モノドメイン状態欠陥全く無し ○：アルミナビーズ周辺の一部にスジ状配向欠陥がわず
かにある。

＊２）実施例３で用いたセル。

比較例４ 実施例４で使用した液晶組成物３−Ａに代えて、比較例
３で用いた液晶組成物Ａ、３−ＡＩ、３−ＡＩを用いた
以外は、全〈実施例２と同様の方法で液晶素子を作成し
、素子内の配向性を観察した。

液晶組成物Ａを使用した素子 液晶組成物３−ＡＩ［を使用した素子 液晶組成物３−ＡＩを使用した素子 ＊ｌ）比較例３で用いたセル △：配向は均一モノドメイン的だがアルミナビーズ周辺
全てにスジ状配向欠 陥と一部ジグザグ欠陥有り。

×：ジグザグ欠陥が多く確認される。

Ｘ　：　はぼ全面にジグザグ欠陥が生じ、配向不均一 実施例４と比較例４より明らかな様に、本発明による液
晶組成物３−Ａは均一的なモノドメイン配向性を示し、
配向性の良好な液晶組成物といえる。

さらにまた、実施例３、比較例３と実施例４、比較例４
より明らかな様に、 本発明による液晶組成物 実施例５ を用いることにより、 強誘電性液晶素子の早期実 下記化合物を下記の重量部で混合し、 液晶組成 州北が期待できる。

物Ｂを作成した。

構 造 式 式 重量部 構 造 式 さらにこの液晶組成物Ｂに対して、以下に示す例示化合
物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物５−Ｂ
を作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構　造　式　　　　　　重量
部例示化合物Ｎｏ。

構　　造　　式 この液晶組成物を用いた以外は全〈実施例１と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法
で駆動電圧マージン、駆動温度マージンを測定した。

測定結果を次に示す。

１００Ｃ２５°Ｃ４０°Ｃ 駆動電圧マージ：／　　　　　　１２．６Ｖ　　　　　
１２．８Ｖ　　　　　１２．４Ｖ（測定時設定Δｔ）　
　　　　（４０８μ５ｅｃ）　　（１３６μ５ｅｃ）　
　（４９７１ｓｅｃ）駆動温度マージン　　　　　　±
３，８℃駆動時コントラスト　　　　　　　１２．０比
較例５ 実施例５で使用した液晶組成物５−Ｂのうち例示化合物
Ｎｃｉ２−９．２−５３．２−１２８．２−２８０を混
合せずに、Ｂに対して例示化合物Ｎｃｔｌ−４４，１−
４６゜１−９９．１−１００のみを実施例５と同様の重
量部にて混合した５−ＢＩと例示化合物Ｎｃｌ−４４，
１−４６゜１−９９．１．−１００を混合せずにＢに対
して例示化合物Ｎ［１２−９，２−５３，２−１２８，
２−２８０のみを混合した液晶組成物５−　ＢＩＩを作
成した。

液晶組成物５−Ｂを用いる代わりに、液晶組成物Ｂ、５
−ＢＩ、５−ＢＩＩをセル内に注入する以外は全〈実施
例５と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージンΔＶを測定した。

駆動電圧マージン（測定時設定Δｔ） １０’ｃ、　　　　　２５℃　　　　４０℃Ｂ　　　　
　　８．５Ｖ　　　　　９．ＯＶ　　　　　８，２Ｖ（
５０８μ５ｅｃ）　　　（１５８μ５ｅｃ）　　　（５
６μ５ｅｃ）５−Ｂ　Ｉ　　　　８．７Ｖ　　　　　９
．２Ｖ　　　　　８．１Ｖ（４３５ｐ　５ｅｃ）　　　
（１４５μ５ｅｃ）　　　（５０μ５ｅｃ）５−Ｂ　Ｉ
Ｉ　　　　１０．３Ｖ　　　　　１０．５Ｖ　　　　　
ｌＯ，１Ｖ（４５５μ５ｅｃ）　　　（１４，８ｐ　５
ｅｃ）　　　（５３μ５ｅｃ）さらに２５℃における駆
動温度マージンはＢ　　　上２゜０°Ｃ ３−ＢＩ　　　±２．２℃ ５−ＢＩＩ　　　上３゜１℃ であった。

実施例５と比較例５より明らかな様に、本発明による液
晶組成物５−Ｂを含有する強誘電液晶素子の方が駆動電
圧マージン及び駆動温度マージンは広がっており、環境
温度の変化や、セルギャップバラツキに対して、画像を
良好に保つ能力に優れている。

実施例６ 実施例５で用いた液晶組成物５−Ｂを使用する以外は、
全〈実施例２と同様の方法で液晶素子を作成し、素子内
の配向性を観察した。

比較例５で用いた液晶組成物Ｂ、　５−ＢＩ、　５ｉ３
１１を用いた以外は、全〈実施例６と同様の方法で液晶
素子を作成し、素子内の配向性を観察した。

液晶組成物Ｂを使用した素子 ＊１）ラビング強度は数字が大きい程強い◎：均−良好
な配向性モノドメイン状態欠陥全く無し ○：アルミナビーズ周辺の一部にスジ状配向欠陥がわず
かにある。

＊２）実施例５で用いたセル。

比較例６ 実施例６で使用した液晶組成物５−Ｂに代えて、液晶組
成物５−Ｂｌを使用した素子 液晶組成物５−Ｂｎを使用した素子 較例６より明らかな様に、本発明による液晶組成物を用
いることにより、強誘電性液晶素子の早期実用化が期待
できる。

＊１）比較例５で用いたセル △：配向は均一モノドメイン的だがアルミナビーズ周辺
全てにスジ状配向欠 陥と一部ジグザグ欠陥有り。

×：　ジグザグ欠陥が多く確認される。

Ｘ：はぼ全面にジグザグ欠陥が生じ、配向不均一 実施例６と比較例６より明らかな様に、本発明による液
晶組成物５−Ｂは均一的なモノドメイン配向性を示し、
配向性の良好な液晶組成物といえる。

さらにまた、実施例５、比較例５と実施例６、比実施例
７ 実施例５で使用した例示化合物に加えて、以下に示す例
示化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
７−Ｂを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　構　造　式　　　　　　重
量部液晶組成物Ｂ この液晶組成物を用いた以外は全〈実施例１と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法
で駆動電圧マージン、駆動温度マージンを測定した。

測定結果を次に示す。

１０℃　　　２５℃　　　４０℃ 駆動電圧マージ：／　　　　　　１２．３Ｖ　　　　　
１２．６Ｖ　　　　　１２．ＯＶ（測定時設定Δｔ）　
　　　　（３２８μ５ｅｃ）　　（１２０μ５ｅｃ）　
　（４０μ５ｅｃ）駆動温度マージン　　　　　　±３
．６℃駆動時コントラスト　　　　　　　１２．５比較
例７ 実施例７で使用した液晶組成物７−Ｂのうち例示化合物
尚２−９．　２−５３．　２−１２８．２−２８０を混
合せずに、Ｂに対して例示化合物Ｎα１−４４．　１−
４６゜１−９９．１−１００．３−２４．３−８０．３
−９０のみを実施例７と同様の重量部にて混合した７−
Ｂｌと例示化合物Ｎα１−４４．　１−４６．　１−９
９．　　ｌ−１，００を混合せずにＢに対して例示化合
物）Ｊａ２−９．２−５３゜２−１２８．２−２８０．
３−２４．３−８０．３−９０のみを混合した液晶組成
物７−ＢＩ［を作成した。

液晶組成物７−Ｂを用いる代わりに、液晶組成物Ｂ、７
−Ｂｌ、７−Ｂｎをセル内に注入する以外は全〈実施例
７と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電圧
マージンΔＶを測定した。

駆動電圧マージン（測定時設定Δｔ） １０℃　　　　２５℃　　　　４００ＣＢ　　　　　８
．５Ｖ　　　　　９．ＯＶ　　　　　８．２Ｖ（５０８
μ５ｅｃ）　　　（１５８μ５ｅｃ）　　　（５６μ５
ｅｃ）７−Ｂ　Ｉ　　　　８．６Ｖ　　　　　９．ｌＶ
　　　　　Ｂ、ＩＶ（３８５μ５ｅｃ）　　　（１３５
μ５ｅｃ）　　　（４３μ５ｅｃ）７−Ｂ　ＩＩ　　　
　ｌｏ、ＩＶ　　　　　ｌｏ、２Ｖ　　　　　９．９Ｖ
（４２０μ５ｅｃ）　　　（１４１μ５ｅｃ）　　　（
４８μ５ｅｃ）さらに２５℃における駆動温度マージン
はＢ　　　　上２゜０°Ｃ ７−ＢＩ　　　　上２゜１℃ ７−Ｂｎ　　　　上３゜０℃ であった。

実施例７と比較例７より明らかな様に、本発明による液
晶組成物７〜Ｂを含有する強誘電液晶素子の方が駆動電
圧マージン及び駆動温度マージンは広がっており、環境
温度の変化や、セルギャップバラツキに対して、画像を
良好に保つ能力に優れている。

実施例８ 実施例７で用いた液晶組成物７−Ｂを使用する以外は、
全〈実施例２と同様の方法で液晶素子を作成し、素子内
の配向性を観察した。

＊ｌ）ラビング強度は数字が大きい程強い◎：均−良好
な配向性モノドメイン状態欠陥全く無し ○：アルミナビーズ周辺の一部にスジ状配向欠陥がわず
かにある。

＊２）実施例７で用いたセル。

比較例８ 実施例８で使用した液晶組成物７−Ｈに代えて、比較例
７で用いた液晶組成物Ｂ、　７−ＢＩ、　７−Ｂｎを用
いた以外は、全〈実施例８と同様の方法で液晶素子を作
成し、素子内の配向性を観察した。

液晶組成物Ｂを使用した素子 液晶組成物７−ＢＩを使用した素子 液晶組成物７−ＢＩＩを使用した素子 ＊１）比較例７で用いたセル △：配向は均一モノドメイン的だがアルミナビーズ周辺
全てにスジ状配向欠 陥と一部ジグザグ欠陥有り。

×：　ジグザグ欠陥が多く確認される。

Ｘ：はぼ全面にジグザグ欠陥が生じ、配向不均一 実施例８と比較例８より明らかな様に、本発明による液
晶組成物７−Ｂは均一的なモノドメイン配同性を示し、
配向性の良好な液晶組成物といえる。

さらにまた、実施例７、比較例７と実施例８、比較例８
より明らかな様に、本発明による液晶組成物を用いるこ
とにより、強誘電性液晶素子の早期実用化が期待できる
。

実施例９ 実施例１で使用したポリイミド樹脂前駆体１．５％ジメ
チルアセトアミド溶液に代えて、ポリビニルアルコール
樹脂［クラレ■製ＰＶＡ−１１７］　２％水溶液を用い
た他は全く同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実
施例１と同様の方法で光学応答速度を測定した。

その結果を次に示す。

ＩＯｏＣ２５℃　　　４０°Ｃ 駆動電圧マージ：／　　　　　　１３．５Ｖ　　　　　
１４．３Ｖ　　　　　’　１３．ｌＶ測定時設定Δｔ　
　　　　　（５９５Ｉｔ　５ｅｃ）　　（２１０μ５ｅ
ｃ）　　（８４ｆｔ　５ｅｃ）駆動温度マージン　　　
　　　±４．４°Ｃ実施例１０ 実施例１で使用したＳｉＯ□を用いずに、ポリイミド樹
脂だけで配向制御層を作成した以外は全〈実施例１と同
様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様
の方法で光学応答速度を測定した。

その結果を次に示す。

１０°Ｃ２５℃　　　　　　４０°Ｃ 駆動電圧マージン　　　　　１３．ＩＶ　　　　　１４
．ＯＶ　　　　　１２．８Ｖ測測定設定△ｔ　　　　　
　（５８２μ５ｅｃ）　　（２００１ｌｓｅｃ）　　（
８１μｓｅｃ：）駆動温度マージン　　　　　　±４．
２°Ｃまた、素子構成を変えた場合でも、本発明による
液晶組成物を含有する実施例９，１０の素子は実施例１
とほぼ同様に良好な配向性を示していた。

実施例９，１０より明らかな様に、素子構成を変えた場
合でも、本発明に従う液晶組成物を含有する液晶素子は
、良好な配向性を示し、かつ駆動電圧マージン、駆動温
度マージンが広がっており、環境温度や、セルギャップ
のバラツキに対して、画像を良好に保つ能力に優れてい
る。

実施例Ｉｔ〜２６ 実施例１で用いた例示化合物及び液晶組成物または実施
例５で用いた例示化合物及び液晶組成物に代えて表１に
示した例示化合物及び液晶組成物を各重量部で用いて、
１１−Ａ、　　１２−Ａ、　　１．３−Ａ、　　１４−
Ａ。

１５−Ａ、　　１．６−Ａ、　　１７−Ａ、　　１８−
Ａ、　　１９−Ｂ、　２０Ｂ、　２］−Ｂ、　２２−Ｂ
、　２３−Ｂ、　２４−Ｂ、　２５−Ｂ。

２６−Ｂの液晶組成物を得た。これらを用いた他は全〈
実施例１と同様の方法により液晶素子を作成し、実施例
１と同様の方法で駆動電圧マージン、駆動温度マージン
を測定し、スイッチング状態等を観察した。

作成した各々の液晶素子内の均一モノドメイン配向性は
良好であった。

測定結果を表１に示す。

実施例１１〜２６より明らかな様に、本発明による液晶
組成物を含有する液晶素子は良好な配向性を示し、かつ
駆動電圧マージン、駆動温度マージンが広がっており、
環境温度の変化や、セルギャップのバラツキに対して、
画像を良好に保つ能力に優れている。

さらに、測定時設定パルス幅Δｔに着目すると、本発明
による液晶組成物を含有する液晶素子は応答速度の温度
依存性も軽減されている。

このことにより明らかな様に、本発明による液晶組成物
を用いることにより、強誘電性液晶素子の早期実用化が
期待できる。

〔発明の効果〕

本発明による液晶組成物は簡便なラビング処理によって
容易に配向し、かつ欠陥の無い均一なモノドメイン配同
性を示す配向性良好な液晶組成物であり、さらに、本発
明の液晶組成物を用いた液晶素子は、スイッチング特性
が良好で、駆動電圧マージンが大きく、液晶素子の表示
エリア上にある程度の温度バラツキがあっても全画素が
良好にマトリクス電極できる駆動温度マージンの広がっ
た液晶素子とすることができ、強誘電性液晶素子の早期
実用化に大きく寄りすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は液晶を用いた液晶表示素子の一例の断面概略図
。 第２図および第３図は強誘電性液晶素子の動作説明のた
めに、素子セルの例を模式的に表わす斜視図。 第４図は実施例等の中で用いた駆動法の波形図。 第５図はマトリクス電極を配置した液晶パネルの平面図
。 第６図は第４図（Ｂ）に示す時系列駆動波形で実際の駆
動を行った時の表示パターンの模式図。 第７図は駆動電圧を変化させた時の透過率の変化を表わ
す（Ｖ−Ｔ特性図）。 第１図において、 ■ Ｏ 第２図において、 １ａ １ｂ 液晶層 ガラス基板 透明電極 絶縁性配向制御層 スペーサー リード線 電源 偏光板 光源 透過光 入射光 基板 基板 強誘電性液晶層 ２４　・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・第３図において、 １ａ １ｂ ３ａ ３ｂ ３４ａ　　・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・３４ｂ・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・ａ ｂ 液晶分子 双極子モーメント（Ｐ土） 電圧印加手段 電圧印加手段 第１の安定状態 第２の安定状態 上向きの双極子モーメント 下向きの双極子モーメント 上向きの電界 下向きの電界 唱ｌ−Ｆ口（Ａ） ＳＮ 宥ｔ−４−口（β） 窄す口 惰ワ日 イ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）下記一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 （ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２は炭素数１〜１６の置換基を
   有してもよい直鎖状または分岐状のアルキル基であり、
   Ｚ＿１は単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−であ
   り、Ｘ＿１はハロゲン原子、−Ａ＿１−は単結合あるい
   は▲数式、化学式、表等があります▼である。） で表わされる液晶性化合物の少なくとも１種と、下記一
   般式〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 （ただし、Ｒ＿３、Ｒ＿４はそれぞれ置換基を有してい
   てもよい炭素原子数２〜１６のアルキル基であり、Ｙ＿
   １は単結合、−ＯＣ−または−ＣＯ−を示し、Ｚ＿２、
   Ｚ＿３はそれぞれ単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼ま
   たは▲数式、化学式、表等があります▼を示す。Ａ＿２
   、Ａ＿３はそれぞれ単結合、▲数式、化学式、表等があ
   ります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
   、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼また は▲数式、化学式、表等があります▼を示し、Ａ＿４は
   ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
   、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
   ▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
   式、表等があります▼を示す。Ｘ＿２、Ｘ＿３はそれぞ
   れ水素原子、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＣＨ＿３、ＣＮまたはＣ
   Ｆ＿３であり、ｋは０または１である。ただし、Ａ＿２
   が単結合の場合Ｚ＿２は単結合であり、Ａ＿３が単結合
   でかつｋが０の場合Ｚ＿３は単結合である。） で表わされる液晶性化合物の少なくとも１種とを含有す
   ることを特徴とする液晶組成物。（２）下記一般式〔I
   II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔III〕 （ただし、Ｒ＿５は置換基を有していても良い炭素数１
   〜１８の直鎖状又は分岐状のアルキル基である。 Ｙ＿２は単結合、−ＣＯ−、−ＯＣ−、−ＣＨ＿２Ｏ−
   、−ＯＣＨ＿２−、−ＣＯＳ−、−ＳＣＯ−、−ＣＨ＝
   ＣＨ−ＣＯＯ−であり、Ｚ＿４は単結合、−Ｏ−、−Ｃ
   Ｏ−、−ＯＣ−、Ｚ＿５は単結合、−Ｏ−、▲数式、化
   学式、表等があります▼である。▲数式、化学式、表等
   があります▼は▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼もしくは▲数式、化
   学式、表等があります▼であり、ｌは１〜１２である。 ） で表わされる液晶性化合物の少なくとも１種をさらに含
   有することを特徴とする特許請求の範囲第１項の液晶組
   成物。 （３）特許請求の範囲第１項および第２項記載の液晶組
   成物を１対の電極基板間に配置してなることを特徴とす
   る液晶素子。