JPH04360853A - 液晶化合物および組成物 - Google Patents
液晶化合物および組成物Info
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- JPH04360853A JPH04360853A JP15978991A JP15978991A JPH04360853A JP H04360853 A JPH04360853 A JP H04360853A JP 15978991 A JP15978991 A JP 15978991A JP 15978991 A JP15978991 A JP 15978991A JP H04360853 A JPH04360853 A JP H04360853A
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示素子などに用い
る液晶組成物の成分として有用な新規液晶化合物および
この液晶化合物を含有する液晶組成物に関する。更に詳
しくは、キラルなスメクチックC相(以下Sc*相と略
称する。)を示す新規なトラン系液晶化合物およびこの
液晶化合物を含有する液晶組成物を提供するものである
。
る液晶組成物の成分として有用な新規液晶化合物および
この液晶化合物を含有する液晶組成物に関する。更に詳
しくは、キラルなスメクチックC相(以下Sc*相と略
称する。)を示す新規なトラン系液晶化合物およびこの
液晶化合物を含有する液晶組成物を提供するものである
。
【0002】
【従来の技術】最近、メイヤ−らにより強誘電性液晶化
合物を用いる表示方式が報告され、これによるとTN型
の100〜1000倍という高速応答とメモリ−効果が
得られるため、次世代の表示素子として期待され、現在
、盛んに研究、開発が進められている。 強誘電性液
晶化合物の液晶相は、チルト系のキラルスメクチック相
に属するものであるが、実用的には、その中で最も低粘
性であるキラルスメクチックC(以下、Sc*と省略す
る。)相が最も望ましい。Sc*相を示す液晶化合物は
、既に数多く合成され、検討されているが、強誘電性表
示素子として用いるための条件としては、(a)室温を
含む広い温度範囲でSc*を示すこと、(b)均一な配
向性を示し、かつその螺旋ピッチが大きいこと、(c)
適当なチルト角を有すること、(d)粘性が小さいこと
、等が挙げられる。しかし、これら条件を単独で満足す
るSc*相を示す液晶化合物は知られておらず、混合に
よりこれらを満足させる努力がなされている。また新規
なSc*相を示す液晶化合物の開発も進められている。 一方、Sc*相を示す液晶組成物(以下、Sc*液晶組
成物という。)の調製方法として、強誘電性を示さず、
キラルでないスメクチックC相(以下Sc相と略称する
)を示す液晶化合物又は組成物に、キラルな化合物を添
加する方法もあり、Sc相を示す液晶化合物の開発も進
められている。なお、Sc*相を示す液晶化合物のラセ
ミ体も、Sc相を示す液晶化合物として用いることも出
来る。従来、Sc*相を示すトラン系液晶化合物として
は、本出願人の出願に係わる特開昭62−228043
および特開平1−221351に記載の下記化2および
下記化3で示される化合物が知られている。
合物を用いる表示方式が報告され、これによるとTN型
の100〜1000倍という高速応答とメモリ−効果が
得られるため、次世代の表示素子として期待され、現在
、盛んに研究、開発が進められている。 強誘電性液
晶化合物の液晶相は、チルト系のキラルスメクチック相
に属するものであるが、実用的には、その中で最も低粘
性であるキラルスメクチックC(以下、Sc*と省略す
る。)相が最も望ましい。Sc*相を示す液晶化合物は
、既に数多く合成され、検討されているが、強誘電性表
示素子として用いるための条件としては、(a)室温を
含む広い温度範囲でSc*を示すこと、(b)均一な配
向性を示し、かつその螺旋ピッチが大きいこと、(c)
適当なチルト角を有すること、(d)粘性が小さいこと
、等が挙げられる。しかし、これら条件を単独で満足す
るSc*相を示す液晶化合物は知られておらず、混合に
よりこれらを満足させる努力がなされている。また新規
なSc*相を示す液晶化合物の開発も進められている。 一方、Sc*相を示す液晶組成物(以下、Sc*液晶組
成物という。)の調製方法として、強誘電性を示さず、
キラルでないスメクチックC相(以下Sc相と略称する
)を示す液晶化合物又は組成物に、キラルな化合物を添
加する方法もあり、Sc相を示す液晶化合物の開発も進
められている。なお、Sc*相を示す液晶化合物のラセ
ミ体も、Sc相を示す液晶化合物として用いることも出
来る。従来、Sc*相を示すトラン系液晶化合物として
は、本出願人の出願に係わる特開昭62−228043
および特開平1−221351に記載の下記化2および
下記化3で示される化合物が知られている。
【0003】
【化2】
【0004】
【化3】
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしこれらのトラン
系液晶化合物を更に低粘度とし、これらのトラン系液晶
化合物を用いたSc*液晶組成物も更に粘度を低くする
ことにより、応答速度をより速くすることが要望されて
いる。
系液晶化合物を更に低粘度とし、これらのトラン系液晶
化合物を用いたSc*液晶組成物も更に粘度を低くする
ことにより、応答速度をより速くすることが要望されて
いる。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記化合物
よりさらに低粘度であるトラン系Sc*相を示す液晶化
合物およびそのラセミ体であるSc相を示す液晶化合物
について鋭意検討を行った結果、従来とは構造の異なっ
た新規な液晶化合物を見いだし本発明に到達した。すな
わち本発明は、下記一般式
よりさらに低粘度であるトラン系Sc*相を示す液晶化
合物およびそのラセミ体であるSc相を示す液晶化合物
について鋭意検討を行った結果、従来とは構造の異なっ
た新規な液晶化合物を見いだし本発明に到達した。すな
わち本発明は、下記一般式
【0007】
【化4】
〔式中、R1は炭素数1〜18のアルキル基を表し、n
は0〜9の整数を表し、C*は不斉炭素原子を表し、R
2は炭素数2〜10のアルキル基を表す〕で示される液
晶化合物;並びにこの液晶化合物を少なくとも一種含有
することを特徴とする液晶組成物である。
は0〜9の整数を表し、C*は不斉炭素原子を表し、R
2は炭素数2〜10のアルキル基を表す〕で示される液
晶化合物;並びにこの液晶化合物を少なくとも一種含有
することを特徴とする液晶組成物である。
【0008】一般式(1)中、R1で表される炭素数1
〜18のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチ
ル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基
、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、
n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、n−
ドデシル基、n−テトラデシル基、n−ヘキサデシル基
、n−オクタデシル基などが挙げられる。
〜18のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチ
ル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基
、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、
n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、n−
ドデシル基、n−テトラデシル基、n−ヘキサデシル基
、n−オクタデシル基などが挙げられる。
【0009】これらのうち好ましいものは、炭素数3〜
14のアルキル基である。nは好ましくは、0〜5の整
数である。R2で表される炭素数2〜10のアルキル基
の具体例としては、エチル基、n−プロピル基、n−ブ
チル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチ
ル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基な
どが挙げられる。これらのうち好ましいものは、炭素数
2〜6のアルキル基である。本発明の液晶化合物の具体
例としては、表1に示すような基を有する化合物が挙げ
られる。
14のアルキル基である。nは好ましくは、0〜5の整
数である。R2で表される炭素数2〜10のアルキル基
の具体例としては、エチル基、n−プロピル基、n−ブ
チル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチ
ル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基な
どが挙げられる。これらのうち好ましいものは、炭素数
2〜6のアルキル基である。本発明の液晶化合物の具体
例としては、表1に示すような基を有する化合物が挙げ
られる。
【0010】
【表1】
【0011】表1中、各記号はそれぞれ以下の基を表す
。 ETY;C2H5− HEX;nC
6H13− OCT;nC8H17−
NON;nC9H19− DEC;nC10H
21− UND;nC11H23−
。 ETY;C2H5− HEX;nC
6H13− OCT;nC8H17−
NON;nC9H19− DEC;nC10H
21− UND;nC11H23−
【0012】上記表1等に例示した本発明の液晶化合物
は、光学活性体はSc*相を、ラセミ体の場合はSc相
を示し、何れも液晶組成物の成分として有用である。本
発明の化合物は、例えば次の工程を経て合成できる〔下
記式中R1 およびR2 は一般式(1)の場合と同一
である〕。
は、光学活性体はSc*相を、ラセミ体の場合はSc相
を示し、何れも液晶組成物の成分として有用である。本
発明の化合物は、例えば次の工程を経て合成できる〔下
記式中R1 およびR2 は一般式(1)の場合と同一
である〕。
【0013】
【化5】
【0014】すなわち、4−ベンジルオキシ−2,3−
ジフルオロ安息香酸に塩化チオニルを作用させて対応す
る酸塩化物にした後、塩基(たとえばピリジン)の存在
下、一般式(2)のアルコ−ルと反応させることにより
一般式(3)の化合物を得ることが出来る。一般式(3
)の化合物をパラジウムカ−ボンを用いて水素化分解し
た後、トリフルオロメタンスルホン酸無水物を作用させ
ることにより一般式(5)の化合物を得ることが出来る
。一般式(5)の化合物と一般式(6)の化合物を不活
性ガス雰囲気下、パラジウム触媒を用いて反応させるこ
とにより本発明の化合物である一般式(1)の化合物を
得ることが出来る。また、一般式(1)の化合物は、上
記合成ル−トで用いる一般式(2)のアルコ−ルが光学
活性アルコ−ルの場合はSc*を示す液晶化合物として
得られ、一般式(2)のアルコ−ルがラセミ体の場合は
Sc相を示す液晶化合物として得られる。上記化合物(
1)の原料である4−ベンジルオキシ−2,3−ジフル
オロ安息香酸はたとえば以下の工程を経て合成出来る。
ジフルオロ安息香酸に塩化チオニルを作用させて対応す
る酸塩化物にした後、塩基(たとえばピリジン)の存在
下、一般式(2)のアルコ−ルと反応させることにより
一般式(3)の化合物を得ることが出来る。一般式(3
)の化合物をパラジウムカ−ボンを用いて水素化分解し
た後、トリフルオロメタンスルホン酸無水物を作用させ
ることにより一般式(5)の化合物を得ることが出来る
。一般式(5)の化合物と一般式(6)の化合物を不活
性ガス雰囲気下、パラジウム触媒を用いて反応させるこ
とにより本発明の化合物である一般式(1)の化合物を
得ることが出来る。また、一般式(1)の化合物は、上
記合成ル−トで用いる一般式(2)のアルコ−ルが光学
活性アルコ−ルの場合はSc*を示す液晶化合物として
得られ、一般式(2)のアルコ−ルがラセミ体の場合は
Sc相を示す液晶化合物として得られる。上記化合物(
1)の原料である4−ベンジルオキシ−2,3−ジフル
オロ安息香酸はたとえば以下の工程を経て合成出来る。
【0015】
【化6】
【0016】すなわち、市販の2,3−ジフルオロフェ
ノ−ルを次亜塩素酸ナトリウムとヨウ化ナトリウムでヨ
ウ素化した後、塩化ベンジルでエ−テル化を行い、次に
金属マグネシウムと反応させてグリニャ−ル化合物にし
てから二酸化炭素と反応させることにより4−ベンジル
オキシ−2,3−ジフルオロ安息香酸を得ることが出来
る。
ノ−ルを次亜塩素酸ナトリウムとヨウ化ナトリウムでヨ
ウ素化した後、塩化ベンジルでエ−テル化を行い、次に
金属マグネシウムと反応させてグリニャ−ル化合物にし
てから二酸化炭素と反応させることにより4−ベンジル
オキシ−2,3−ジフルオロ安息香酸を得ることが出来
る。
【0017】液晶化合物は一般に2種以上の多成分から
成る液晶組成物の成分として用いられ、本発明の液晶化
合物も、液晶組成物の成分として利用することができる
。本発明の液晶組成物は、複数の化合物の混合物からな
り、本発明の液晶化合物を少なくとも1種含有するもの
である。本発明の組成物としては、例えば、Sc相を示
す本発明の液晶組成物〔1〕および、Sc*相を示す本
発明の液晶組成物〔2〕が挙げられる。本発明の液晶組
成物〔1〕には、本発明のラセミ体であるSc相を示す
液晶化合物を少なくとも1種必須成分とし、任意成分と
して他のSc相を示す液晶化合物(2−4’−アルキル
オキシフェニル−5−アルキルピリミジン、2−4’−
アルキルフェニル−5−アルキルオキシピリミジン、2
−4’−アルキルオキシオキシフェニル−5−アルキル
オキシピリミジン、2−p−アルキルオキシカルボニル
フェニル−5−アルキルピリミジン、2−4’−アルキ
ルオキシ−3’−フルオロフェニル−5−アルキルピリ
ミジン、2−4’−アルキルオキシ−2’,3’−ジフ
ルオロフェニル−5−アルキルピリミジン、2−4’−
アルキルオキシフェニル−5−アルキルピリジン、2
−4’−アルキルオキシ−3’−フルオロフェニル−5
−アルキルピリジン等)、Sc相を示さないスメクチッ
ク液晶化合物およびネマチック相を示す液晶化合物から
選ばれる化合物を含んだ混合物である。 本発明の液晶組成物〔1〕中、本発明の液晶化合物1種
以上の含有量は通常5〜100重量%である。本発明の
液晶組成物〔2〕には、本発明のSc*を示す液晶化合
物を少なくとも1種必須成分とし、任意成分として本発
明の液晶組成物〔1〕、他のSc相を示す液晶化合物(
2−4’−アルキルオキシフェニル−5−アルキルピリ
ミジン、2−4’−アルキルフェニル−5−アルキルオ
キシピリミジン、2−4’−アルキルオキシオキシフェ
ニル−5−アルキルオキシピリミジン、2−p−アルキ
ルオキシカルボニルフェニル−5−アルキルピリミジン
、2−4’−アルキルオキシ−3’−フルオロフェニル
−5−アルキルピリミジン、2−4’−アルキルオキシ
−2’,3’−ジフルオロフェニル−5−アルキルピリ
ミジン、2−4’− アルキルオキシフェニル−5−ア
ルキルピリジン、2−4’−アルキルオキシ−3’−フ
ルオロフェニル−5−アルキルピリジン等)、Sc*相
を示す液晶化合物(光学活性4−アルキルオキシ−4’
−ビフェニルカルボン酸−p’−(2−メチルブチルオ
キシカルボニル)フェニルエステル、光学活性4−n−
アルキルオキシ−4’−ビフェニルカルボン酸−2−メ
チルブチルエステル等)、キラルな化合物(特開昭63
−99032、特開昭63−190843、特開平2−
138274、特開平2−256673、特開平2−2
62579、特開平2−286673、特開平3−27
374等に記載の化合物)、Sc相を示さないスメクチ
ック液晶化合物、ネマチック相を示す液晶化合物および
2色性色素(アントラキノン系色素、アゾ系色素等)か
ら選ばれる化合物を含んだ混合物である。本発明の液晶
組成物〔2〕中、本発明の液晶化合物1種以上の含有量
は通常5〜99重量%である。
成る液晶組成物の成分として用いられ、本発明の液晶化
合物も、液晶組成物の成分として利用することができる
。本発明の液晶組成物は、複数の化合物の混合物からな
り、本発明の液晶化合物を少なくとも1種含有するもの
である。本発明の組成物としては、例えば、Sc相を示
す本発明の液晶組成物〔1〕および、Sc*相を示す本
発明の液晶組成物〔2〕が挙げられる。本発明の液晶組
成物〔1〕には、本発明のラセミ体であるSc相を示す
液晶化合物を少なくとも1種必須成分とし、任意成分と
して他のSc相を示す液晶化合物(2−4’−アルキル
オキシフェニル−5−アルキルピリミジン、2−4’−
アルキルフェニル−5−アルキルオキシピリミジン、2
−4’−アルキルオキシオキシフェニル−5−アルキル
オキシピリミジン、2−p−アルキルオキシカルボニル
フェニル−5−アルキルピリミジン、2−4’−アルキ
ルオキシ−3’−フルオロフェニル−5−アルキルピリ
ミジン、2−4’−アルキルオキシ−2’,3’−ジフ
ルオロフェニル−5−アルキルピリミジン、2−4’−
アルキルオキシフェニル−5−アルキルピリジン、2
−4’−アルキルオキシ−3’−フルオロフェニル−5
−アルキルピリジン等)、Sc相を示さないスメクチッ
ク液晶化合物およびネマチック相を示す液晶化合物から
選ばれる化合物を含んだ混合物である。 本発明の液晶組成物〔1〕中、本発明の液晶化合物1種
以上の含有量は通常5〜100重量%である。本発明の
液晶組成物〔2〕には、本発明のSc*を示す液晶化合
物を少なくとも1種必須成分とし、任意成分として本発
明の液晶組成物〔1〕、他のSc相を示す液晶化合物(
2−4’−アルキルオキシフェニル−5−アルキルピリ
ミジン、2−4’−アルキルフェニル−5−アルキルオ
キシピリミジン、2−4’−アルキルオキシオキシフェ
ニル−5−アルキルオキシピリミジン、2−p−アルキ
ルオキシカルボニルフェニル−5−アルキルピリミジン
、2−4’−アルキルオキシ−3’−フルオロフェニル
−5−アルキルピリミジン、2−4’−アルキルオキシ
−2’,3’−ジフルオロフェニル−5−アルキルピリ
ミジン、2−4’− アルキルオキシフェニル−5−ア
ルキルピリジン、2−4’−アルキルオキシ−3’−フ
ルオロフェニル−5−アルキルピリジン等)、Sc*相
を示す液晶化合物(光学活性4−アルキルオキシ−4’
−ビフェニルカルボン酸−p’−(2−メチルブチルオ
キシカルボニル)フェニルエステル、光学活性4−n−
アルキルオキシ−4’−ビフェニルカルボン酸−2−メ
チルブチルエステル等)、キラルな化合物(特開昭63
−99032、特開昭63−190843、特開平2−
138274、特開平2−256673、特開平2−2
62579、特開平2−286673、特開平3−27
374等に記載の化合物)、Sc相を示さないスメクチ
ック液晶化合物、ネマチック相を示す液晶化合物および
2色性色素(アントラキノン系色素、アゾ系色素等)か
ら選ばれる化合物を含んだ混合物である。本発明の液晶
組成物〔2〕中、本発明の液晶化合物1種以上の含有量
は通常5〜99重量%である。
【0018】強誘電性を示す液晶組成物は、電圧印加に
より光スイッチング現象を起こし、これを利用した応答
の速い液晶表示素子を作製できる〔たとえば特開昭56
−107216号公報、特開昭59−118744号公
報、エヌ エ−クラ−ク (N.A.Clark)、エ
ス ティ− ラガウォ−ル (S.T.Lage
rwall);アプライド フィジックス レタ−(
Applied Physics Letter)
36、899(1980)など〕。
より光スイッチング現象を起こし、これを利用した応答
の速い液晶表示素子を作製できる〔たとえば特開昭56
−107216号公報、特開昭59−118744号公
報、エヌ エ−クラ−ク (N.A.Clark)、エ
ス ティ− ラガウォ−ル (S.T.Lage
rwall);アプライド フィジックス レタ−(
Applied Physics Letter)
36、899(1980)など〕。
【0019】Sc*を示す本発明の液晶組成物〔2〕を
、セル間隔0.5〜10μm、好ましくは0.5〜3μ
mの液晶セルに真空封入し、両側偏光子を設置すること
により、光スイッチング素子(液晶表示素子)とするこ
とが出来る。上記液晶セルは透明電極を設け、表面を配
向処理した2枚のガラス基板をスペ−サ−を挟んで貼り
合わせることによって作製することができる。上記スペ
−サ−としては、アルミナビ−ズ、ガラスファイバ−、
ポリイミドフィルムなどが挙げられる。配向処理方法と
しては、通常の配向処理、たとえばポリイミド膜、ラビ
ング処理、SiO斜め蒸着などが適用できる。
、セル間隔0.5〜10μm、好ましくは0.5〜3μ
mの液晶セルに真空封入し、両側偏光子を設置すること
により、光スイッチング素子(液晶表示素子)とするこ
とが出来る。上記液晶セルは透明電極を設け、表面を配
向処理した2枚のガラス基板をスペ−サ−を挟んで貼り
合わせることによって作製することができる。上記スペ
−サ−としては、アルミナビ−ズ、ガラスファイバ−、
ポリイミドフィルムなどが挙げられる。配向処理方法と
しては、通常の配向処理、たとえばポリイミド膜、ラビ
ング処理、SiO斜め蒸着などが適用できる。
【0020】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に説明するが
、本発明はこれに限定されない。 実施例 1 表1中No.3の化合物の製造 ■2,3−ジフルオロフェノ−ル20.0g、ヨウ化ナ
トリウム23.0gおよび水酸化ナトリウム6.2gを
溶かしたメタノ−ル400mlの溶液に0℃で次亜塩素
酸ナトリウムの4%水溶液270mlを滴下した。滴下
終了後そのまま2時間攪拌した。反応終了後、10%チ
オ硫酸ナトリウム水溶液160mlを加え、次いで4N
塩酸を加えて系内を弱酸性にした。遊離したオイルをク
ロロホルムで抽出し、有機層を水洗後、クロロホルムを
除去した。得られたオイルをヘキサンで再結晶すること
により白色固体の2,3−ジフルオロ−4−ヨ−ドフェ
ノ−ル15.3gを得た。 ■■で得た2,3−ジフルオロ−4−ヨ−ドフェノ−ル
15.3gを溶かしたジメチルスルホキサイド150m
l中に、水酸化ナトリウム2.5gを溶かした水10m
lを加えて溶液が均一になるまで攪拌した。次いで塩化
ベンジル7.9gを加え、室温で3日間攪拌した。反応
終了後、水を加えヘキサンで抽出した。ヘキサン相を水
洗後、ヘキサンを除去した。得られた固体をメタノ−ル
で再結晶することにより、2,3−ジフルオロ−4−ベ
ンジルオキシヨ−ドベンゼン16.9gを得た。 ■■で得た2,3−ジフルオロ−4−ベンジルオキシヨ
−ドベンゼン12.7gと1,2−ジブロモエタン6.
9gより調製したグリニャ−ル試薬のジエチルエ−テル
溶液を細かく砕いたドライアイスが入ってあるビ−カ−
の中へ、すばやく投入した。ドライアイスが気化するま
で放置してから1N塩酸を加え、系内を酸性にした。有
機層を水洗してからエ−テルを除去した。得られた固体
をトルエンで再結晶することにより白色固体の4−ベン
ジルオキシ−2,3−ジフルオロ安息香酸4.2gを得
た。 ■■で得た4−ベンジルオキシ−2,3−ジフルオロ安
息香酸1.3g を塩化チオニル5mlに溶かし3時間
還流した。 反応終了後、過剰の塩化チオニルをアスピレ−タ−で除
去することにより液体の4−ベンジルオキシ−2,3−
ジフルオロ安息香酸塩化物を得た。このものはとくに精
製せずトルエン溶液にして次の反応に用いた。 ■乾燥トルエン10ml、乾燥ピリジン10mlの混合
溶剤の中へ、市販の光学活性な6−メチル−1−オクタ
ノ−ル0.7gを加え、氷水バスで10℃以下に冷却し
た。この溶液の中へ■で調製した4−ベンジルオキシ−
2,3−ジフルオロ安息香酸塩化物のトルエン溶液を1
0℃以下で滴下した。 滴下終了後、1時間反応させた後さらに80℃で5時間
攪拌した。反応終了後、室温に戻し氷水の中へ投入した
。 トルエン層を1N塩酸による洗浄、水洗、炭酸水素ナト
リウム水による洗浄、水洗を経てからトルエンを除去す
ることにより、油状の光学活性な4−ベンジルオキシ−
2,3−ジフルオロ安息香酸−6−メチル−オクチルエ
ステル1.8gを得た。 ■■で得た光学活性な4−ベンジルオキシ−2,3−ジ
フルオロ安息香酸−6−メチルオクチルエステル1.8
gにエタノ−ル30mlと5%パラジウムカ−ボン10
0mgを加え還流温度で水素化分解を行った。水素の吸
収が無くなるのを確認してからろ過により触媒を除去後
、エタノ−ルを除去した。ヘキサン可溶部を水洗した後
、ヘキサンを除去することにより固体の光学活性な4−
ヒドロキシ−2,3−ジフルオロ安息香酸−6−メチル
オクチルエステル1.4gを得た。 ■■で得た光学活性な4−ヒドロキシ−2,3−ジフル
オロ安息香酸−6−メチルオクチルエステル1.4gを
ピリジン10mlに溶かし10℃以下でトリフルオロメ
タンスルホン酸無水物1.6gを滴下し、室温で1日間
攪拌した。反応終了後、氷水の中へ投入しトルエンで抽
出した。トルエン相を1N塩酸による洗浄、水洗を経て
からトルエンを除去することにより、光学活性なトリフ
ルオロメタンスルホン酸(p−6−メチルオクチルオキ
シカルボニル)フェニルエステル1.7gを得た。 ■■で得た光学活性なトリフルオロメタンスルホン酸(
p−6−メチルオクチルオキシカルボニル)フェニルエ
ステル1.7gとp−デシルオキシフェニルアセチレン
1.3gをトリエチルアミン30ml中、ヨウ化銅(I
)5mg、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジ
ウム(II)20mgおよびトリフェニルホスフィン4
0mgの存在下、窒素雰囲気で6時間加熱還流した。反
応終了後、室温に戻しトリエチルアミンを除去した。ト
ルエンで生成物を抽出した後トルエン相を1N塩酸によ
る洗浄、水洗を経てからシリカゲルカラム処理を行った
。トルエンを除去後、得られた固体をエタノ−ルで3回
再結晶を行うことにより、白色結晶の本発明の化合物で
ある表1中No.3の化合物1.2gを得た。 化合物の構造は、NMR(核磁気共鳴スペクトル分析)
、MS(質量分析)、IR(赤外吸収スペクトル分析)
および元素分析により確認した。 IR ( cm−1) 2924.
0 2850.0 2218.0 170
7.0 1605.0
1462.0 1311.0
1253.0 1172.0 1023.0
830.0 777.0
NMR (ppm)
0.82〜0.93(m,9H) 1.0
5〜1.52(m,23H) 1.73〜1.86
(m,4H)
3.97(t,2H) 4.35(t,2H) 6.8
9(d,2H)
7.23〜7.30(m,1H) 7.51(d,
2H) 7.63〜7.70(m,1H) 19
−FNMR(ppm) −58.2(dd,1
F) −58.8(dd,1F)
元素分析値 理論値(%
) 実測値(%)
C:75
.55 C:75.
32
H:8.52
H:8.63
F:7.04
N:7.23実施例1で得られた
化合物の相転移温度を表2に示す。
、本発明はこれに限定されない。 実施例 1 表1中No.3の化合物の製造 ■2,3−ジフルオロフェノ−ル20.0g、ヨウ化ナ
トリウム23.0gおよび水酸化ナトリウム6.2gを
溶かしたメタノ−ル400mlの溶液に0℃で次亜塩素
酸ナトリウムの4%水溶液270mlを滴下した。滴下
終了後そのまま2時間攪拌した。反応終了後、10%チ
オ硫酸ナトリウム水溶液160mlを加え、次いで4N
塩酸を加えて系内を弱酸性にした。遊離したオイルをク
ロロホルムで抽出し、有機層を水洗後、クロロホルムを
除去した。得られたオイルをヘキサンで再結晶すること
により白色固体の2,3−ジフルオロ−4−ヨ−ドフェ
ノ−ル15.3gを得た。 ■■で得た2,3−ジフルオロ−4−ヨ−ドフェノ−ル
15.3gを溶かしたジメチルスルホキサイド150m
l中に、水酸化ナトリウム2.5gを溶かした水10m
lを加えて溶液が均一になるまで攪拌した。次いで塩化
ベンジル7.9gを加え、室温で3日間攪拌した。反応
終了後、水を加えヘキサンで抽出した。ヘキサン相を水
洗後、ヘキサンを除去した。得られた固体をメタノ−ル
で再結晶することにより、2,3−ジフルオロ−4−ベ
ンジルオキシヨ−ドベンゼン16.9gを得た。 ■■で得た2,3−ジフルオロ−4−ベンジルオキシヨ
−ドベンゼン12.7gと1,2−ジブロモエタン6.
9gより調製したグリニャ−ル試薬のジエチルエ−テル
溶液を細かく砕いたドライアイスが入ってあるビ−カ−
の中へ、すばやく投入した。ドライアイスが気化するま
で放置してから1N塩酸を加え、系内を酸性にした。有
機層を水洗してからエ−テルを除去した。得られた固体
をトルエンで再結晶することにより白色固体の4−ベン
ジルオキシ−2,3−ジフルオロ安息香酸4.2gを得
た。 ■■で得た4−ベンジルオキシ−2,3−ジフルオロ安
息香酸1.3g を塩化チオニル5mlに溶かし3時間
還流した。 反応終了後、過剰の塩化チオニルをアスピレ−タ−で除
去することにより液体の4−ベンジルオキシ−2,3−
ジフルオロ安息香酸塩化物を得た。このものはとくに精
製せずトルエン溶液にして次の反応に用いた。 ■乾燥トルエン10ml、乾燥ピリジン10mlの混合
溶剤の中へ、市販の光学活性な6−メチル−1−オクタ
ノ−ル0.7gを加え、氷水バスで10℃以下に冷却し
た。この溶液の中へ■で調製した4−ベンジルオキシ−
2,3−ジフルオロ安息香酸塩化物のトルエン溶液を1
0℃以下で滴下した。 滴下終了後、1時間反応させた後さらに80℃で5時間
攪拌した。反応終了後、室温に戻し氷水の中へ投入した
。 トルエン層を1N塩酸による洗浄、水洗、炭酸水素ナト
リウム水による洗浄、水洗を経てからトルエンを除去す
ることにより、油状の光学活性な4−ベンジルオキシ−
2,3−ジフルオロ安息香酸−6−メチル−オクチルエ
ステル1.8gを得た。 ■■で得た光学活性な4−ベンジルオキシ−2,3−ジ
フルオロ安息香酸−6−メチルオクチルエステル1.8
gにエタノ−ル30mlと5%パラジウムカ−ボン10
0mgを加え還流温度で水素化分解を行った。水素の吸
収が無くなるのを確認してからろ過により触媒を除去後
、エタノ−ルを除去した。ヘキサン可溶部を水洗した後
、ヘキサンを除去することにより固体の光学活性な4−
ヒドロキシ−2,3−ジフルオロ安息香酸−6−メチル
オクチルエステル1.4gを得た。 ■■で得た光学活性な4−ヒドロキシ−2,3−ジフル
オロ安息香酸−6−メチルオクチルエステル1.4gを
ピリジン10mlに溶かし10℃以下でトリフルオロメ
タンスルホン酸無水物1.6gを滴下し、室温で1日間
攪拌した。反応終了後、氷水の中へ投入しトルエンで抽
出した。トルエン相を1N塩酸による洗浄、水洗を経て
からトルエンを除去することにより、光学活性なトリフ
ルオロメタンスルホン酸(p−6−メチルオクチルオキ
シカルボニル)フェニルエステル1.7gを得た。 ■■で得た光学活性なトリフルオロメタンスルホン酸(
p−6−メチルオクチルオキシカルボニル)フェニルエ
ステル1.7gとp−デシルオキシフェニルアセチレン
1.3gをトリエチルアミン30ml中、ヨウ化銅(I
)5mg、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジ
ウム(II)20mgおよびトリフェニルホスフィン4
0mgの存在下、窒素雰囲気で6時間加熱還流した。反
応終了後、室温に戻しトリエチルアミンを除去した。ト
ルエンで生成物を抽出した後トルエン相を1N塩酸によ
る洗浄、水洗を経てからシリカゲルカラム処理を行った
。トルエンを除去後、得られた固体をエタノ−ルで3回
再結晶を行うことにより、白色結晶の本発明の化合物で
ある表1中No.3の化合物1.2gを得た。 化合物の構造は、NMR(核磁気共鳴スペクトル分析)
、MS(質量分析)、IR(赤外吸収スペクトル分析)
および元素分析により確認した。 IR ( cm−1) 2924.
0 2850.0 2218.0 170
7.0 1605.0
1462.0 1311.0
1253.0 1172.0 1023.0
830.0 777.0
NMR (ppm)
0.82〜0.93(m,9H) 1.0
5〜1.52(m,23H) 1.73〜1.86
(m,4H)
3.97(t,2H) 4.35(t,2H) 6.8
9(d,2H)
7.23〜7.30(m,1H) 7.51(d,
2H) 7.63〜7.70(m,1H) 19
−FNMR(ppm) −58.2(dd,1
F) −58.8(dd,1F)
元素分析値 理論値(%
) 実測値(%)
C:75
.55 C:75.
32
H:8.52
H:8.63
F:7.04
N:7.23実施例1で得られた
化合物の相転移温度を表2に示す。
【0021】
【表2】
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
−−−−−−−−−−− 実施例
相転移温度(℃)
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
−−−−−−−−− No. Cry
Sc* SA
I−−−−−−−−−−−
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
1 ・48.8
(・32.1) ・ 53
.0 ・−−−−−−−−−−−−−−
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
−−−−−−−−−−− 実施例
相転移温度(℃)
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−−−−−−−−− No. Cry
Sc* SA
I−−−−−−−−−−−
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
1 ・48.8
(・32.1) ・ 53
.0 ・−−−−−−−−−−−−−−
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
【0022】表2中各記号は、それぞれ以下の意味を表
す。 Cry;結晶相 Sc* ;カイラルスメクチックC相 SA ;スメクチックA相 Iso;等方性液体相 ・ ;相が存在する ( );モノトロピック相を表す
す。 Cry;結晶相 Sc* ;カイラルスメクチックC相 SA ;スメクチックA相 Iso;等方性液体相 ・ ;相が存在する ( );モノトロピック相を表す
【0023】
【発明の効果】本発明の液晶化合物は、Sc*液晶組成
物の成分として用いることにより、この組成物の粘度を
低下させ、応答速度を速くすることが出来る。また本発
明の液晶化合物は誘電率異方性の値が負であるため、S
c*液晶組成物の成分として用いることにより、この組
成物の誘電率異方性値を負にすることが可能で、ACス
タビライズ法と呼ばれる駆動法を用いることによって、
この組成物のメモリ−性を向上させることが出来る。従
って、本発明の化合物および組成物は、液晶表示素子に
用いる液晶材料として有用である。
物の成分として用いることにより、この組成物の粘度を
低下させ、応答速度を速くすることが出来る。また本発
明の液晶化合物は誘電率異方性の値が負であるため、S
c*液晶組成物の成分として用いることにより、この組
成物の誘電率異方性値を負にすることが可能で、ACス
タビライズ法と呼ばれる駆動法を用いることによって、
この組成物のメモリ−性を向上させることが出来る。従
って、本発明の化合物および組成物は、液晶表示素子に
用いる液晶材料として有用である。
Claims (2)
- 【請求項1】 下記一般式 【化1】 〔式中、R1は炭素数1〜18のアルキル基を表し、n
は0〜9の整数を表し、C*は不斉炭素原子を表し、R
2は炭素数2〜10のアルキル基を表す〕で示される液
晶化合物。 - 【請求項2】 複数の化合物の混合物からなり、請求
項1記載の液晶化合物を少なくとも一種含有することを
特徴とする液晶組成物。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15978991A JPH04360853A (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 液晶化合物および組成物 |
EP19920300470 EP0500210A3 (en) | 1991-01-19 | 1992-01-20 | Liquid crystal compounds and compositions |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15978991A JPH04360853A (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 液晶化合物および組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04360853A true JPH04360853A (ja) | 1992-12-14 |
Family
ID=15701305
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15978991A Pending JPH04360853A (ja) | 1991-01-19 | 1991-06-03 | 液晶化合物および組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04360853A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01221351A (ja) * | 1988-02-27 | 1989-09-04 | Sanyo Chem Ind Ltd | トラン化合物及び液晶組成物 |
JPH02503435A (ja) * | 1988-03-10 | 1990-10-18 | メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | カイラル1,2‐ジフルオロベンゼン誘導体 |
-
1991
- 1991-06-03 JP JP15978991A patent/JPH04360853A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01221351A (ja) * | 1988-02-27 | 1989-09-04 | Sanyo Chem Ind Ltd | トラン化合物及び液晶組成物 |
JPH02503435A (ja) * | 1988-03-10 | 1990-10-18 | メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | カイラル1,2‐ジフルオロベンゼン誘導体 |
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