JPH0625061A - 液晶化合物および組成物 - Google Patents
液晶化合物および組成物Info
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Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 一般式 R1-O-A-C≡C-NAP-O-R2
〔R1、R2は炭素数1〜18のアルキル基またはアルケ
ニル基を表し、Aは2,3-ジフルオロ-1,4-フェニ
レン基などを表す〕で示される液晶化合物。 【効果】この液晶化合物をキラルスメクチックC相の示
す液晶組成物の成分として用いることにより、配向性が
良くジグザグ欠陥の無い液晶組成物を得ることが可能で
あり、コントラスト比の高い液晶表示素子を得ることが
できる。
ニル基を表し、Aは2,3-ジフルオロ-1,4-フェニ
レン基などを表す〕で示される液晶化合物。 【効果】この液晶化合物をキラルスメクチックC相の示
す液晶組成物の成分として用いることにより、配向性が
良くジグザグ欠陥の無い液晶組成物を得ることが可能で
あり、コントラスト比の高い液晶表示素子を得ることが
できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示素子などに用い
る液晶組成物の成分として有用な新規液晶化合物および
この液晶化合物を含有する液晶組成物に関する。更に詳
しくは、キラルでないスメクチックC相(以下Sc相と
略称する。)を示す新規なナフタレン系液晶化合物およ
びこの液晶化合物を含有する液晶組成物を提供するもの
である。
る液晶組成物の成分として有用な新規液晶化合物および
この液晶化合物を含有する液晶組成物に関する。更に詳
しくは、キラルでないスメクチックC相(以下Sc相と
略称する。)を示す新規なナフタレン系液晶化合物およ
びこの液晶化合物を含有する液晶組成物を提供するもの
である。
【0002】
【従来の技術】最近、メイヤーらにより強誘電性液晶化
合物を用いる表示方式が報告され、これによるとTN型
の100〜1000倍という高速応答とメモリー効果が
得られるため、次世代の表示素子として期待され、現
在、盛んに研究、開発が進められている。強誘電性液晶
化合物の液晶相は、チルト系のキラルスメクチック相に
属するものであるが、実用的には、その中で最も低粘性
であるキラルスメクチックC(以下、Sc*と略称す
る。)相が最も望ましい。Sc*相を示す液晶化合物
は、既に数多く合成され、検討されているが、強誘電性
表示素子として用いるための条件としては、(a)室温
を含む広い温度範囲でSc*を示すこと、(b)均一な
配向性を示し、かつその螺旋ピッチが大きいこと、
(c)適当なチルト角を有すること、(d)粘性が小さい
こと、等が挙げられる。しかし、これら条件を単独で満
足するSc*相を示す液晶化合物は知られておらず、混
合によりこれらを満足させる努力がなされている。また
新規なSc*相を示す液晶化合物の開発も進められてい
る。一方、Sc*相を示す液晶組成物(以下、Sc*液
晶組成物という。)の調製方法として、強誘電性を示さ
ず、キラルでないSc相を示す液晶化合物又は組成物
に、キラルな化合物を添加する方法もあり、Sc相を示
す液晶化合物の開発も進められている。従来、Sc相あ
るいはSc*相を示す代表的な液晶化合物として、下記
化4および化5で示されるフェニルピリミジン系液晶化
合物が知られている。
合物を用いる表示方式が報告され、これによるとTN型
の100〜1000倍という高速応答とメモリー効果が
得られるため、次世代の表示素子として期待され、現
在、盛んに研究、開発が進められている。強誘電性液晶
化合物の液晶相は、チルト系のキラルスメクチック相に
属するものであるが、実用的には、その中で最も低粘性
であるキラルスメクチックC(以下、Sc*と略称す
る。)相が最も望ましい。Sc*相を示す液晶化合物
は、既に数多く合成され、検討されているが、強誘電性
表示素子として用いるための条件としては、(a)室温
を含む広い温度範囲でSc*を示すこと、(b)均一な
配向性を示し、かつその螺旋ピッチが大きいこと、
(c)適当なチルト角を有すること、(d)粘性が小さい
こと、等が挙げられる。しかし、これら条件を単独で満
足するSc*相を示す液晶化合物は知られておらず、混
合によりこれらを満足させる努力がなされている。また
新規なSc*相を示す液晶化合物の開発も進められてい
る。一方、Sc*相を示す液晶組成物(以下、Sc*液
晶組成物という。)の調製方法として、強誘電性を示さ
ず、キラルでないSc相を示す液晶化合物又は組成物
に、キラルな化合物を添加する方法もあり、Sc相を示
す液晶化合物の開発も進められている。従来、Sc相あ
るいはSc*相を示す代表的な液晶化合物として、下記
化4および化5で示されるフェニルピリミジン系液晶化
合物が知られている。
【0003】
【化4】
【0004】
【化5】
【0005】化5中、C*は不斉炭素原子を表す。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしこれらのフェニ
ルピリミジン系液晶化合物およびこの化合物を用いた組
成物は、配向性が悪いため、セルに注入した場合、ジグ
ザグ欠陥が生じやすくコントラスト比が高くならないと
いう問題がある。
ルピリミジン系液晶化合物およびこの化合物を用いた組
成物は、配向性が悪いため、セルに注入した場合、ジグ
ザグ欠陥が生じやすくコントラスト比が高くならないと
いう問題がある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記化合物
よりも配向性が良いSc相を示す液晶化合物について鋭
意検討を行った結果、従来とは構造の異なった新規な液
晶化合物を見出し本発明に到達した。すなわち本発明
は、下記一般式
よりも配向性が良いSc相を示す液晶化合物について鋭
意検討を行った結果、従来とは構造の異なった新規な液
晶化合物を見出し本発明に到達した。すなわち本発明
は、下記一般式
【0008】
【化6】 〔式中、R1、R2は、炭素数1〜18のアルキル基また
はアルケニル基を表し、Aは、下記化7または8で表さ
れる基を表し、NAPは2,6-ナフチレン基を表す〕
で示される液晶化合物;並びにこの液晶化合物を少なく
とも一種含有することを特徴とする液晶組成物である。
はアルケニル基を表し、Aは、下記化7または8で表さ
れる基を表し、NAPは2,6-ナフチレン基を表す〕
で示される液晶化合物;並びにこの液晶化合物を少なく
とも一種含有することを特徴とする液晶組成物である。
【0009】
【化7】
【0010】
【化8】
【0011】一般式(1)中、R1、R2で表される炭素
数1〜18のアルキル基およびアルケニル基の具体例と
しては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチ
ル基、n-ペンチル基、 n-ヘキシル基、n-ヘプチル
基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、 n-
ウンデシル基、n-ドデシル基、n-テトラデシル基、n
-ヘキサデシル基、n-オクタデシル基、2-プロペニル
基、3-ブテニル基、4-ペンテニル基、5-ヘキセニル
基、6-ヘプテニル基、7-オクテニル基、8-ノネニル
基、9-デセニル基、10-ウンデセニル基、11-ドデ
セニル基、trans-2-ヘキセニル基、cis-2-ヘキセニル
基、 cis-3-ヘキセニル基、cis-4-ヘキセニル基、tran
s-2-ヘプテニル基、cis-3-ノネニル基、cis-6-ノネ
ニル基、trans-2-デセニル基、trans-5-デセニル基な
どが挙げられる。
数1〜18のアルキル基およびアルケニル基の具体例と
しては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチ
ル基、n-ペンチル基、 n-ヘキシル基、n-ヘプチル
基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、 n-
ウンデシル基、n-ドデシル基、n-テトラデシル基、n
-ヘキサデシル基、n-オクタデシル基、2-プロペニル
基、3-ブテニル基、4-ペンテニル基、5-ヘキセニル
基、6-ヘプテニル基、7-オクテニル基、8-ノネニル
基、9-デセニル基、10-ウンデセニル基、11-ドデ
セニル基、trans-2-ヘキセニル基、cis-2-ヘキセニル
基、 cis-3-ヘキセニル基、cis-4-ヘキセニル基、tran
s-2-ヘプテニル基、cis-3-ノネニル基、cis-6-ノネ
ニル基、trans-2-デセニル基、trans-5-デセニル基な
どが挙げられる。
【0012】これらのうち好ましいものは、炭素数3〜
14のアルキル基およびアルケニル基である。本発明の
液晶化合物の具体例としては、下記表1〜表2に示すよ
うな基を有する化合物が挙げられる。
14のアルキル基およびアルケニル基である。本発明の
液晶化合物の具体例としては、下記表1〜表2に示すよ
うな基を有する化合物が挙げられる。
【0013】
【表1】
【0014】
【表2】
【0015】上記表1〜表2中、各記号はそれぞれ以下
の基を表す。 HEP;nC7H15− OCT;nC8H17−
NON;nC9H19− DEC;nC10H21− O−HEP;CH2=CH-
(CH2)5− O−OCT;CH2=CH-(CH2)6− O−NON;CH2=CH-(CH2)7− O−DEC;CH2=CH-(CH2)8−
の基を表す。 HEP;nC7H15− OCT;nC8H17−
NON;nC9H19− DEC;nC10H21− O−HEP;CH2=CH-
(CH2)5− O−OCT;CH2=CH-(CH2)6− O−NON;CH2=CH-(CH2)7− O−DEC;CH2=CH-(CH2)8−
【0016】本発明の化合物は、例えば〈I〉〜〈II〉
の項で各々示す工程を経て合成できる〔下記式中R1 、
NAP、およびR2 は一般式(1)の場合と同一であ
る〕。 〈I〉Aが化7で表される基の場合
の項で各々示す工程を経て合成できる〔下記式中R1 、
NAP、およびR2 は一般式(1)の場合と同一であ
る〕。 〈I〉Aが化7で表される基の場合
【0017】
【化9】
【0018】すなわち、6-ブロモ-2-ナフトールに塩
基の存在下、アルキル化剤(例えばハロゲン化アルキ
ル)を反応させて得た一般式(2)の化合物と一般式
(3)の化合物をパラジウム触媒の存在下反応させるこ
とにより本発明の化合物である一般式(1a)の化合物
を得ることが出来る。また上記化合物(1a)の原料で
ある一般式(3)の化合物は、次の工程を経て合成出来
る。
基の存在下、アルキル化剤(例えばハロゲン化アルキ
ル)を反応させて得た一般式(2)の化合物と一般式
(3)の化合物をパラジウム触媒の存在下反応させるこ
とにより本発明の化合物である一般式(1a)の化合物
を得ることが出来る。また上記化合物(1a)の原料で
ある一般式(3)の化合物は、次の工程を経て合成出来
る。
【0019】
【化10】
【0020】すなわち、2,3-ジフルオロフェノール
をアルキル化した一般式(4)の化合物を過ヨウ素酸お
よびヨウ素を用いてヨウ素化した後、パラジウム触媒の
存在下3-メチル-1-ブチン-3-オールと反応させるこ
とにより一般式(6)の化合物を得ることが出来る。一
般式(6)の化合物を無水トルエン中、粉末の水酸化ナ
トリウムと反応させることにより一般式(3)の化合物
を得ることが出来る。
をアルキル化した一般式(4)の化合物を過ヨウ素酸お
よびヨウ素を用いてヨウ素化した後、パラジウム触媒の
存在下3-メチル-1-ブチン-3-オールと反応させるこ
とにより一般式(6)の化合物を得ることが出来る。一
般式(6)の化合物を無水トルエン中、粉末の水酸化ナ
トリウムと反応させることにより一般式(3)の化合物
を得ることが出来る。
【0021】あるいは以下の工程を経ても合成できる。
【0022】
【化11】
【0023】すなわち、一般式(2)の化合物をパラジ
ウム触媒の存在下3-メチル-1-ブチン-3-オールと反
応させて得た一般式(7)の化合物を無水トルエン中、
粉末の水酸化ナトリウムと反応させることにより一般式
(8)の化合物を得ることが出来る。一般式(8)の化
合物と一般式(5)の化合物をパラジウム触媒の存在下
反応させることにより本発明の化合物である一般式(1
a)の化合物を得ることが出来る。 〈II〉Aが化8で表される基の場合
ウム触媒の存在下3-メチル-1-ブチン-3-オールと反
応させて得た一般式(7)の化合物を無水トルエン中、
粉末の水酸化ナトリウムと反応させることにより一般式
(8)の化合物を得ることが出来る。一般式(8)の化
合物と一般式(5)の化合物をパラジウム触媒の存在下
反応させることにより本発明の化合物である一般式(1
a)の化合物を得ることが出来る。 〈II〉Aが化8で表される基の場合
【0024】
【化12】
【0025】すなわち、4-ブロモ-2-フルオロフェノ
ールをアルキル化して得た一般式(9)の化合物をパラ
ジウム触媒の存在下3-メチル-1-ブチン-3-オールと
反応させることにより一般式(10)の化合物を得るこ
とが出来る。一般式(10)の化合物を、無水トルエン
中、粉末の水酸化ナトリウムを作用させることにより一
般式(11)の化合物を得ることが出来る。一般式(1
1)の化合物と一般式(2)の化合物をパラジウム触媒
の存在下反応させることにより本発明の化合物である一
般式(1b)の化合物を得ることが出来る。あるいは以
下の工程を経ても合成出来る。
ールをアルキル化して得た一般式(9)の化合物をパラ
ジウム触媒の存在下3-メチル-1-ブチン-3-オールと
反応させることにより一般式(10)の化合物を得るこ
とが出来る。一般式(10)の化合物を、無水トルエン
中、粉末の水酸化ナトリウムを作用させることにより一
般式(11)の化合物を得ることが出来る。一般式(1
1)の化合物と一般式(2)の化合物をパラジウム触媒
の存在下反応させることにより本発明の化合物である一
般式(1b)の化合物を得ることが出来る。あるいは以
下の工程を経ても合成出来る。
【0026】
【化13】
【0027】すなわち、一般式(9)の化合物と一般式
(8)の化合物をパラジウム触媒の存在下反応させるこ
とによっても本発明の化合物である一般式(1b)の化
合物を得ることが出来る。
(8)の化合物をパラジウム触媒の存在下反応させるこ
とによっても本発明の化合物である一般式(1b)の化
合物を得ることが出来る。
【0028】液晶化合物は一般に2種以上の多成分から
成る液晶組成物の成分として用いられ、本発明の液晶化
合物も、液晶組成物の成分として利用することができ
る。本発明の液晶組成物は、複数の化合物の混合物から
なり、本発明の液晶化合物を少なくとも1種含有するも
のである。本発明の組成物としては、例えば、Sc相を
示す本発明の液晶組成物〔1〕および、Sc*相を示す
本発明の液晶組成物〔2〕が挙げられる。本発明の液晶
組成物〔1〕には、本発明の液晶化合物を少なくとも1
種必須成分とし、任意成分として他のSc相を示す液晶
化合物(2-4’-アルキルオキシフェニル-5-アルキル
ピリミジン、2-4’-アルキルフェニル-5-アルキルオ
キシピリミジン、2-4’-アルキルオキシオキシフェニ
ル-5-アルキルオキシピリミジン、2-p-アルキルオキ
シカルボニルフェニル-5-アルキルピリミジン、2-
4’-アルキルオキシ-3’-フルオロフェニル-5-アル
キルピリミジン、2-4’-アルキルオキシ-2’,3’-
ジフルオロフェニル-5-アルキルピリミジン、2-4’-
アルキルオキシフェニル-5-アルキルピリジン、2-
4’-アルキルオキシ-3’-フルオロフェニル-5-アル
キルピリジン等)、Sc相を示さないスメクチック液晶
化合物およびネマチック相を示す液晶化合物から選ばれ
る化合物を含んだ混合物である。本発明の液晶組成物
〔1〕中、本発明の液晶化合物1種以上の含有量は通常
5〜100重量%である。
成る液晶組成物の成分として用いられ、本発明の液晶化
合物も、液晶組成物の成分として利用することができ
る。本発明の液晶組成物は、複数の化合物の混合物から
なり、本発明の液晶化合物を少なくとも1種含有するも
のである。本発明の組成物としては、例えば、Sc相を
示す本発明の液晶組成物〔1〕および、Sc*相を示す
本発明の液晶組成物〔2〕が挙げられる。本発明の液晶
組成物〔1〕には、本発明の液晶化合物を少なくとも1
種必須成分とし、任意成分として他のSc相を示す液晶
化合物(2-4’-アルキルオキシフェニル-5-アルキル
ピリミジン、2-4’-アルキルフェニル-5-アルキルオ
キシピリミジン、2-4’-アルキルオキシオキシフェニ
ル-5-アルキルオキシピリミジン、2-p-アルキルオキ
シカルボニルフェニル-5-アルキルピリミジン、2-
4’-アルキルオキシ-3’-フルオロフェニル-5-アル
キルピリミジン、2-4’-アルキルオキシ-2’,3’-
ジフルオロフェニル-5-アルキルピリミジン、2-4’-
アルキルオキシフェニル-5-アルキルピリジン、2-
4’-アルキルオキシ-3’-フルオロフェニル-5-アル
キルピリジン等)、Sc相を示さないスメクチック液晶
化合物およびネマチック相を示す液晶化合物から選ばれ
る化合物を含んだ混合物である。本発明の液晶組成物
〔1〕中、本発明の液晶化合物1種以上の含有量は通常
5〜100重量%である。
【0029】本発明の液晶組成物〔2〕には、本発明の
液晶組成物〔1〕とSc*相を示す液晶化合物(光学活
性4-アルキルオキシ-4’-ビフェニルカルボン酸-p’
-(2-メチルブチルオキシカルボニル)フェニルエステ
ル、光学活性4-n-アルキルオキシ-4’-ビフェニルカ
ルボン酸-2-メチルブチルエステル等)および/または
キラルな化合物(特開昭63−99032、特開昭63
−190843、特開平2−138274、特開平2−
256673、特開平2−262579、特開平2−2
86673、特開平3−27374号公報等に記載の化
合物)を含有し、また必要により2色性色素(アントラ
キノン系色素、アゾ系色素等)を含んだ混合物である。
本発明の液晶組成物〔2〕中、本発明の液晶組成物
〔1〕の含有量は通常10〜99重量%である。
液晶組成物〔1〕とSc*相を示す液晶化合物(光学活
性4-アルキルオキシ-4’-ビフェニルカルボン酸-p’
-(2-メチルブチルオキシカルボニル)フェニルエステ
ル、光学活性4-n-アルキルオキシ-4’-ビフェニルカ
ルボン酸-2-メチルブチルエステル等)および/または
キラルな化合物(特開昭63−99032、特開昭63
−190843、特開平2−138274、特開平2−
256673、特開平2−262579、特開平2−2
86673、特開平3−27374号公報等に記載の化
合物)を含有し、また必要により2色性色素(アントラ
キノン系色素、アゾ系色素等)を含んだ混合物である。
本発明の液晶組成物〔2〕中、本発明の液晶組成物
〔1〕の含有量は通常10〜99重量%である。
【0030】強誘電性を示す液晶組成物は、電圧印加に
より光スイッチング現象を起こし、これを利用した応答
の速い液晶表示素子を作製できる〔たとえば特開昭56-1
07216号公報、特開昭59-118744号公報、エヌ エー クラ
ーク(N.A.Clark)、エス ティー ラガウォール(S.T.Lage
rwall);アプライド フィジックス レター(Applied Phy
sics Letter) 36、899(1980)など〕。
より光スイッチング現象を起こし、これを利用した応答
の速い液晶表示素子を作製できる〔たとえば特開昭56-1
07216号公報、特開昭59-118744号公報、エヌ エー クラ
ーク(N.A.Clark)、エス ティー ラガウォール(S.T.Lage
rwall);アプライド フィジックス レター(Applied Phy
sics Letter) 36、899(1980)など〕。
【0031】Sc*を示す本発明の液晶組成物〔2〕
を、セル間隔0.5〜10μm、好ましくは0.5〜3μmの液
晶セルに真空封入し、両側偏光子を設置することによ
り、光スイッチング素子(液晶表示素子)とすることが
出来る。上記液晶セルは透明電極を設け、表面を配向処
理した2枚のガラス基板をスペーサーを挟んで貼り合わ
せることによって作製することができる。上記スペーサ
ーとしては、アルミナビーズ、ガラスファイバー、ポリ
イミドフィルムなどが挙げられる。配向処理方法として
は、通常の配向処理、たとえばポリイミド膜のラビング
処理、SiO斜め蒸着などが適用できる。
を、セル間隔0.5〜10μm、好ましくは0.5〜3μmの液
晶セルに真空封入し、両側偏光子を設置することによ
り、光スイッチング素子(液晶表示素子)とすることが
出来る。上記液晶セルは透明電極を設け、表面を配向処
理した2枚のガラス基板をスペーサーを挟んで貼り合わ
せることによって作製することができる。上記スペーサ
ーとしては、アルミナビーズ、ガラスファイバー、ポリ
イミドフィルムなどが挙げられる。配向処理方法として
は、通常の配向処理、たとえばポリイミド膜のラビング
処理、SiO斜め蒸着などが適用できる。
【0032】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に説明する
が、本発明はこれに限定されない。 実施例 1 表1中No.7の化合物の製造 1,2-ジフルオロ-3-n-ノニルオキシベンゼン(こ
の化合物は2,3-ジフルオロフェノールのアルカリ金
属塩とn-ノニルブロマイドを反応させて得た)13.7g(5
3.7mmol)を溶かした酢酸水溶液(酢酸;40ml、水;8m
l、濃硫酸;1.2ml)の中に、過ヨウ素酸2.45g(10.7mmo
l)とヨウ素5.46g(21.5mmol)を加え70℃で6時間反応さ
せた。反応終了後、室温に戻し氷水200mlの中に投入
し、生じたオイルをヘキサンで抽出した。ヘキサン層を
1N水酸化ナトリウム水による洗浄、次いで1Nチオ硫酸ナ
トリウム水による洗浄を経て水洗した後ヘキサンを除去
することにより、2,3-ジフルオロ-4-n-ノニルオキ
シヨードベンゼン18.3g(47.9mmol)を得た。 で得た2,3-ジフルオロ-4-n-ノニルオキシヨー
ドベンゼン18.3g(47.9mmol)と3-メチル-1-ブチン-3-
オール4.8g(57.1mmol)をトリエチルアミン150ml中、触
媒にジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム
(II)100mg(0.14mmol)とヨウ化銅(I)25mg(0.13mmol)
を用いて窒素雰囲気下、室温で6時間反応させることに
より下記化14で示される化合物(a)13.8g(40.8mmo
l)を得た。
が、本発明はこれに限定されない。 実施例 1 表1中No.7の化合物の製造 1,2-ジフルオロ-3-n-ノニルオキシベンゼン(こ
の化合物は2,3-ジフルオロフェノールのアルカリ金
属塩とn-ノニルブロマイドを反応させて得た)13.7g(5
3.7mmol)を溶かした酢酸水溶液(酢酸;40ml、水;8m
l、濃硫酸;1.2ml)の中に、過ヨウ素酸2.45g(10.7mmo
l)とヨウ素5.46g(21.5mmol)を加え70℃で6時間反応さ
せた。反応終了後、室温に戻し氷水200mlの中に投入
し、生じたオイルをヘキサンで抽出した。ヘキサン層を
1N水酸化ナトリウム水による洗浄、次いで1Nチオ硫酸ナ
トリウム水による洗浄を経て水洗した後ヘキサンを除去
することにより、2,3-ジフルオロ-4-n-ノニルオキ
シヨードベンゼン18.3g(47.9mmol)を得た。 で得た2,3-ジフルオロ-4-n-ノニルオキシヨー
ドベンゼン18.3g(47.9mmol)と3-メチル-1-ブチン-3-
オール4.8g(57.1mmol)をトリエチルアミン150ml中、触
媒にジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム
(II)100mg(0.14mmol)とヨウ化銅(I)25mg(0.13mmol)
を用いて窒素雰囲気下、室温で6時間反応させることに
より下記化14で示される化合物(a)13.8g(40.8mmo
l)を得た。
【0033】
【化14】
【0034】で得られた化合物(a)13.8g(40.8mm
ol)を脱水トルエン500mlに溶かしたものの中へ粉末の水
酸化ナトリウム3.3g(82.5mmol)を加え1時間加熱還流し
た。室温に冷却後、トルエン層を水洗してから溶媒を除
去することにより、油状の2,3-ジフルオロ-4-n-ノ
ニルオキシフェニルアセチレン8.0g(28.6mmol)を得た。
で得た2,3-ジフルオロ-4-n-ノニルオキシフェ
ニルアセチレン1.6g(5.7mmol)と6-ブロモ-2-n-ノニ
ルオキシナフタレン(この化合物は6-ブロモ-2-ナフ
トールのアルカリ金属塩とn-ノニルブロマイドを反応
させて得た)2.0g(5.7mmol)をトリエチルアミン60ml
中、触媒にジクロロビストリフェニルホスフィンパラジ
ウム(II)20mg(0.03mmol)、ヨウ化銅(I)5mg(0.03mmo
l)およびトリフェニルホスフィン40mg(0.15mmol)を用い
て窒素雰囲気下、8時間加熱還流した。反応終了後、ト
リエチルアミンを除去しトルエンで抽出した。トルエン
層を1N塩酸水による洗浄、水洗を経た後、シリカゲルカ
ラムで精製を行い、次いでエタノールで3回再結晶する
ことにより白色結晶の本発明の化合物である表1中N
o.7の化合物1.7g(3.1mmol)を得た。化合物の構造
は、NMR(核磁気共鳴スペクトル分析)、MS(質量
分析)、IR(赤外吸収スペクトル分析)および元素分
析により確認した。 IR ( cm-1) 2922.0 2854.0 2300.0 1636.0 1603.0 1473.0 1392.0 1303.0 1261.0 1195.0 1085.0 1017.0 859.0 804.0 NMR (ppm) 0.86〜0.95(m,6H) 1.20〜1.67(m,24H) 1.76〜1.89 (m,4H) 4.00〜4.09(m,4H) 6.65〜6.73(m,1H) 7.06〜7.24(m,3H) 7.53(dd,1H) 7.68(t,2H) 7.98(s,1H) 19F-NMR -58.1(dd,1F) -82.9(dd,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:78.84 C:78.73 H:8.39 H:8.45 F:6.93 F:7.12
ol)を脱水トルエン500mlに溶かしたものの中へ粉末の水
酸化ナトリウム3.3g(82.5mmol)を加え1時間加熱還流し
た。室温に冷却後、トルエン層を水洗してから溶媒を除
去することにより、油状の2,3-ジフルオロ-4-n-ノ
ニルオキシフェニルアセチレン8.0g(28.6mmol)を得た。
で得た2,3-ジフルオロ-4-n-ノニルオキシフェ
ニルアセチレン1.6g(5.7mmol)と6-ブロモ-2-n-ノニ
ルオキシナフタレン(この化合物は6-ブロモ-2-ナフ
トールのアルカリ金属塩とn-ノニルブロマイドを反応
させて得た)2.0g(5.7mmol)をトリエチルアミン60ml
中、触媒にジクロロビストリフェニルホスフィンパラジ
ウム(II)20mg(0.03mmol)、ヨウ化銅(I)5mg(0.03mmo
l)およびトリフェニルホスフィン40mg(0.15mmol)を用い
て窒素雰囲気下、8時間加熱還流した。反応終了後、ト
リエチルアミンを除去しトルエンで抽出した。トルエン
層を1N塩酸水による洗浄、水洗を経た後、シリカゲルカ
ラムで精製を行い、次いでエタノールで3回再結晶する
ことにより白色結晶の本発明の化合物である表1中N
o.7の化合物1.7g(3.1mmol)を得た。化合物の構造
は、NMR(核磁気共鳴スペクトル分析)、MS(質量
分析)、IR(赤外吸収スペクトル分析)および元素分
析により確認した。 IR ( cm-1) 2922.0 2854.0 2300.0 1636.0 1603.0 1473.0 1392.0 1303.0 1261.0 1195.0 1085.0 1017.0 859.0 804.0 NMR (ppm) 0.86〜0.95(m,6H) 1.20〜1.67(m,24H) 1.76〜1.89 (m,4H) 4.00〜4.09(m,4H) 6.65〜6.73(m,1H) 7.06〜7.24(m,3H) 7.53(dd,1H) 7.68(t,2H) 7.98(s,1H) 19F-NMR -58.1(dd,1F) -82.9(dd,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:78.84 C:78.73 H:8.39 H:8.45 F:6.93 F:7.12
【0035】実施例 2 表1中No.17の化合物の製造 実施例1の〜において、1,2-ジフルオロ-3-
n-ノニルオキシベンゼンに代えて、1,2-ジフルオロ
-3-(7-オクテニルオキシ)ベンゼン(この化合物は
2,3-ジフルオロフェノールのアルカリ金属塩と8-ブ
ロモ-1-オクテンを反応させて得た)を同じモル比で用
いた以外は実施例1の〜と同様にして、2,3-ジ
フルオロ-4-(7-オクテニルオキシ)フェニルアセチ
レンを得た。 で得た2,3-ジフルオロ-4-(7-オクテニルオキ
シ)フェニルアセチレン2.0gと6-ブロモ-2-n-デシル
オキシナフタレン(この化合物は6-ブロモ-2-ナフト
ールのアルカリ金属塩とn-デシルブロマイドを反応さ
せて得た)2.7gをトリエチルアミン70ml中、触媒にジク
ロロビストリフェニルホスフィンパラジウム(II)28m
g、ヨウ化銅(I)7mgおよびトリフェニルホスフィン56m
gを用いて窒素雰囲気下、8時間加熱還流した。反応終
了後、トリエチルアミンを除去しトルエンで抽出した。
トルエン層を1N塩酸水による洗浄、水洗を経た後、シリ
カゲルカラムで精製を行い、次いでエタノールで3回再
結晶することにより白色結晶の本発明の化合物である表
1中No.17の化合物2.2gを得た。 IR ( cm-1) 2922.0 2856.0 1603.0 1473.0 1394.0 1303.0 1263.0 1195.0 1089.0 1019.0 893.0 861.0 806.0 NMR (ppm) 0.89(t,3H) 1.18〜1.62(m,20H) 1.77〜1.94(m,4H) 1.99〜2.15(m,2H) 4.00〜4.14(m,4H) 4.92〜5.06(m,2H) 5.73〜5.89(m,1H) 6.64〜6.76(m,1H) 7.06〜7.26(m,3H) 7.54(dd,1H) 7.71(t,2H) 7.99(s,1H) 19F-NMR -58.1(dd,1F) -82.9(dd,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:79.12 C:79.37 H:8.06 H:7.83 F:6.96 F:7.13
n-ノニルオキシベンゼンに代えて、1,2-ジフルオロ
-3-(7-オクテニルオキシ)ベンゼン(この化合物は
2,3-ジフルオロフェノールのアルカリ金属塩と8-ブ
ロモ-1-オクテンを反応させて得た)を同じモル比で用
いた以外は実施例1の〜と同様にして、2,3-ジ
フルオロ-4-(7-オクテニルオキシ)フェニルアセチ
レンを得た。 で得た2,3-ジフルオロ-4-(7-オクテニルオキ
シ)フェニルアセチレン2.0gと6-ブロモ-2-n-デシル
オキシナフタレン(この化合物は6-ブロモ-2-ナフト
ールのアルカリ金属塩とn-デシルブロマイドを反応さ
せて得た)2.7gをトリエチルアミン70ml中、触媒にジク
ロロビストリフェニルホスフィンパラジウム(II)28m
g、ヨウ化銅(I)7mgおよびトリフェニルホスフィン56m
gを用いて窒素雰囲気下、8時間加熱還流した。反応終
了後、トリエチルアミンを除去しトルエンで抽出した。
トルエン層を1N塩酸水による洗浄、水洗を経た後、シリ
カゲルカラムで精製を行い、次いでエタノールで3回再
結晶することにより白色結晶の本発明の化合物である表
1中No.17の化合物2.2gを得た。 IR ( cm-1) 2922.0 2856.0 1603.0 1473.0 1394.0 1303.0 1263.0 1195.0 1089.0 1019.0 893.0 861.0 806.0 NMR (ppm) 0.89(t,3H) 1.18〜1.62(m,20H) 1.77〜1.94(m,4H) 1.99〜2.15(m,2H) 4.00〜4.14(m,4H) 4.92〜5.06(m,2H) 5.73〜5.89(m,1H) 6.64〜6.76(m,1H) 7.06〜7.26(m,3H) 7.54(dd,1H) 7.71(t,2H) 7.99(s,1H) 19F-NMR -58.1(dd,1F) -82.9(dd,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:79.12 C:79.37 H:8.06 H:7.83 F:6.96 F:7.13
【0036】実施例 3 表2中No.28の化合物の製造 実施例1の〜において、1,2-ジフルオロ-3-
n-ノニルオキシベンゼンに代えて、1,2-ジフルオロ
-3-(n-オクチルオキシ)ベンゼン(この化合物は
2,3-ジフルオロフェノールのアルカリ金属塩とnオ
クチルブロマイドを反応させて得た)を同じモル比で用
いた以外は実施例1の〜と同様にして、2,3-ジ
フルオロ-4-n-オクチルオキシフェニルアセチレンを
得た。 で得た2,3-ジフルオロ-4-n-オクチルオキシフ
ェニルアセチレン1.5gと6-ブロモ-2-(9-デセニルオ
キシ)ナフタレン(この化合物は6-ブロモ-2-ナフト
ールのアルカリ金属塩と9-デセン-1-オールのp-トル
エンスルホン酸エステルを反応させて得た)2.0gをトリ
エチルアミン60ml中、触媒にジクロロビストリフェニル
ホスフィンパラジウム(II)20mg、ヨウ化銅(I)5mgお
よびトリフェニルホスフィン40mgを用いて窒素雰囲気
下、8時間加熱還流した。反応終了後、トリエチルアミ
ンを除去しトルエンで抽出した。トルエン層を1N塩酸水
による洗浄、水洗を経た後、シリカゲルカラムで精製を
行い、次いでエタノールで3回再結晶することにより白
色結晶の本発明の化合物である表2中No.28の化合
物1.7gを得た。 IR ( cm-1) 2926.0 2310.0 1624.0 1603.0 1514.0 1464.0 1388.0 1299.0 1267.0 1224.0 1195.0 1083.0 855.0 806.0 NMR (ppm) 0.88(t,3H) 1.20〜1.58(m,20H) 1.77〜1.89(m,4H) 1.98〜2.09(m,2H) 4.00〜4.10(m,4H) 4.90〜5.04(m,2H) 5.75〜5.89(m,1H) 6.66〜6.74(m,1H) 7.08〜7.26(m,3H) 7.52(dd,1H) 7.68(t,2H) 7.98(d,1H) 19F-NMR -58.1(dd,1F) -82.9(dd,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:79.12 C:78.89 H:8.06 H:8.23 F:6.96 F:6.79
n-ノニルオキシベンゼンに代えて、1,2-ジフルオロ
-3-(n-オクチルオキシ)ベンゼン(この化合物は
2,3-ジフルオロフェノールのアルカリ金属塩とnオ
クチルブロマイドを反応させて得た)を同じモル比で用
いた以外は実施例1の〜と同様にして、2,3-ジ
フルオロ-4-n-オクチルオキシフェニルアセチレンを
得た。 で得た2,3-ジフルオロ-4-n-オクチルオキシフ
ェニルアセチレン1.5gと6-ブロモ-2-(9-デセニルオ
キシ)ナフタレン(この化合物は6-ブロモ-2-ナフト
ールのアルカリ金属塩と9-デセン-1-オールのp-トル
エンスルホン酸エステルを反応させて得た)2.0gをトリ
エチルアミン60ml中、触媒にジクロロビストリフェニル
ホスフィンパラジウム(II)20mg、ヨウ化銅(I)5mgお
よびトリフェニルホスフィン40mgを用いて窒素雰囲気
下、8時間加熱還流した。反応終了後、トリエチルアミ
ンを除去しトルエンで抽出した。トルエン層を1N塩酸水
による洗浄、水洗を経た後、シリカゲルカラムで精製を
行い、次いでエタノールで3回再結晶することにより白
色結晶の本発明の化合物である表2中No.28の化合
物1.7gを得た。 IR ( cm-1) 2926.0 2310.0 1624.0 1603.0 1514.0 1464.0 1388.0 1299.0 1267.0 1224.0 1195.0 1083.0 855.0 806.0 NMR (ppm) 0.88(t,3H) 1.20〜1.58(m,20H) 1.77〜1.89(m,4H) 1.98〜2.09(m,2H) 4.00〜4.10(m,4H) 4.90〜5.04(m,2H) 5.75〜5.89(m,1H) 6.66〜6.74(m,1H) 7.08〜7.26(m,3H) 7.52(dd,1H) 7.68(t,2H) 7.98(d,1H) 19F-NMR -58.1(dd,1F) -82.9(dd,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:79.12 C:78.89 H:8.06 H:8.23 F:6.96 F:6.79
【0037】実施例 4 表2中No.34の化合物の製造 4-n-オクチルオキシ-3-フルオロブロモベンゼン
(この化合物は4-ブロモ-2-フルオロフェノールのア
ルカリ金属塩とn-オクチルブロマイドを反応させて得
た)10.0gと3-メチル-1-ブチン-3-オール3.3gをトリ
エチルアミン150ml中、触媒にジクロロビストリフェニ
ルホスフィンパラジウム(II)112mg、ヨウ化銅(I)28
mgおよびトリフェニルホスフィン224mgを用いて窒素雰
囲気下、8時間加熱還流した。反応終了後、トリエチル
アミンを除去し、ヘキサンで抽出した。ヘキサン層を1N
塩酸水による洗浄、水洗を経てからヘキサンを除去し
た。得られた液体を脱水トルエン350mlに溶かし、粉末
の水酸化ナトリウム2.6gを加えて1時間加熱還流した。
室温に冷却後、トルエン層を水洗してから溶媒を除去す
ることにより、油状の4-オクチルオキシ-3-フルオロ
フェニルアセチレン5.2gを得た。で得た4-オクチ
ルオキシ-3-フルオロフェニルアセチレン1.5gと6-ブ
ロモ-2-n-オクチルオキシナフタレン(この化合物は
6-ブロモ-2-ナフトールのアルカリ金属塩とn-オクチ
ルブロマイドを反応させて得た)2.0gをトリエチルアミ
ン60ml中、触媒にジクロロビストリフェニルホスフィン
パラジウム(II)20mg、ヨウ化銅(I)5mgおよびトリフ
ェニルホスフィン40mgを用いて窒素雰囲気下、8時間加
熱還流した。反応終了後、トリエチルアミンを除去し、
トルエンで抽出した。トルエン層を1N塩酸水による洗
浄、水洗を経た後、シリカゲルカラムで精製を行い、次
いでエタノールで3回再結晶することにより白色結晶の
本発明の化合物である表2中No.34の化合物1.3gを
得た IR ( cm-1) 2924.0 2856.0 2216.0 1625.0 1601.0 1518.0 1463.0 1390.0 1362.0 1318.0 1234.0 1183.0 1135.0 1029.0 957.0 856.0 822.0 NMR (ppm) 0.82〜0.98(m,6H) 1.18〜1.42(m,16H) 1.42〜1.56(m,4H) 1.76〜1.92(m,4H) 4.00〜4.11(m,4H) 6.92(t,1H) 7.10(d,1H) 7.18(dd,1H) 7.23〜7.32(m,2H) 7.52(dd,1H) 7.69(t,2H) 7.95(s,1H) 19F-NMR -58.4(t,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:81.28 C:81.35 H:8.57 H:8.41 F:3.78 F:4.03
(この化合物は4-ブロモ-2-フルオロフェノールのア
ルカリ金属塩とn-オクチルブロマイドを反応させて得
た)10.0gと3-メチル-1-ブチン-3-オール3.3gをトリ
エチルアミン150ml中、触媒にジクロロビストリフェニ
ルホスフィンパラジウム(II)112mg、ヨウ化銅(I)28
mgおよびトリフェニルホスフィン224mgを用いて窒素雰
囲気下、8時間加熱還流した。反応終了後、トリエチル
アミンを除去し、ヘキサンで抽出した。ヘキサン層を1N
塩酸水による洗浄、水洗を経てからヘキサンを除去し
た。得られた液体を脱水トルエン350mlに溶かし、粉末
の水酸化ナトリウム2.6gを加えて1時間加熱還流した。
室温に冷却後、トルエン層を水洗してから溶媒を除去す
ることにより、油状の4-オクチルオキシ-3-フルオロ
フェニルアセチレン5.2gを得た。で得た4-オクチ
ルオキシ-3-フルオロフェニルアセチレン1.5gと6-ブ
ロモ-2-n-オクチルオキシナフタレン(この化合物は
6-ブロモ-2-ナフトールのアルカリ金属塩とn-オクチ
ルブロマイドを反応させて得た)2.0gをトリエチルアミ
ン60ml中、触媒にジクロロビストリフェニルホスフィン
パラジウム(II)20mg、ヨウ化銅(I)5mgおよびトリフ
ェニルホスフィン40mgを用いて窒素雰囲気下、8時間加
熱還流した。反応終了後、トリエチルアミンを除去し、
トルエンで抽出した。トルエン層を1N塩酸水による洗
浄、水洗を経た後、シリカゲルカラムで精製を行い、次
いでエタノールで3回再結晶することにより白色結晶の
本発明の化合物である表2中No.34の化合物1.3gを
得た IR ( cm-1) 2924.0 2856.0 2216.0 1625.0 1601.0 1518.0 1463.0 1390.0 1362.0 1318.0 1234.0 1183.0 1135.0 1029.0 957.0 856.0 822.0 NMR (ppm) 0.82〜0.98(m,6H) 1.18〜1.42(m,16H) 1.42〜1.56(m,4H) 1.76〜1.92(m,4H) 4.00〜4.11(m,4H) 6.92(t,1H) 7.10(d,1H) 7.18(dd,1H) 7.23〜7.32(m,2H) 7.52(dd,1H) 7.69(t,2H) 7.95(s,1H) 19F-NMR -58.4(t,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:81.28 C:81.35 H:8.57 H:8.41 F:3.78 F:4.03
【0038】実施例1〜実施例4で得られた化合物の相
転移温度を下記表3に示す。
転移温度を下記表3に示す。
【0039】
【表3】 上記表3中各記号は、それぞれ以下の意味を表す。 Cry;結晶相 Sc ;スメクチックC相 Nem;ネマチック相 Iso;等方性液体相 ・ ;相が存在する − ;相が存在しない
【0040】
【発明の効果】本発明の液晶化合物は、Sc*液晶組成
物の成分として用いることにより、この組成物の配向性
を向上させ、コントラスト比を高くすることが出来る。
また、本発明の液晶化合物は、低温域に他のスメクチッ
ク相を示さないことよりSc*液晶組成物の成分として
用いることによって、Sc*相の温度範囲を広げること
が出来る化合物である。従って、本発明の化合物および
組成物は、液晶表示素子に用いる液晶材料として有用で
ある。
物の成分として用いることにより、この組成物の配向性
を向上させ、コントラスト比を高くすることが出来る。
また、本発明の液晶化合物は、低温域に他のスメクチッ
ク相を示さないことよりSc*液晶組成物の成分として
用いることによって、Sc*相の温度範囲を広げること
が出来る化合物である。従って、本発明の化合物および
組成物は、液晶表示素子に用いる液晶材料として有用で
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉尾 邦清 京都市東山区一橋野本町11番地の1 三洋 化成工業株式会社内 (72)発明者 柳 達朗 京都市東山区一橋野本町11番地の1 三洋 化成工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項1】 下記一般式 【化1】 〔式中、R1、R2は、炭素数1〜18のアルキル基また
はアルケニル基を表し、Aは、下記化2または3で表さ
れる基を表し、NAPは2,6-ナフチレン基を表す〕
で示される液晶化合物。 【化2】 【化3】 - 【請求項2】 複数の化合物の混合物からなり、請求項
1記載の液晶化合物を少なくとも一種含有することを特
徴とする液晶組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4216275A JPH0625061A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 液晶化合物および組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4216275A JPH0625061A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 液晶化合物および組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0625061A true JPH0625061A (ja) | 1994-02-01 |
Family
ID=16685991
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4216275A Pending JPH0625061A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 液晶化合物および組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0625061A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10236994A (ja) * | 1997-02-25 | 1998-09-08 | Chisso Corp | 誘電率異方性値が負の液晶性化合物、この液晶性化合物を含有する液晶組成物、及びこの液晶組成物を用いた液晶表示素子 |
EP0860417A3 (en) * | 1997-02-19 | 1999-07-28 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Liquid crystalline compounds and process for producing the same |
US6720039B1 (en) | 1997-02-19 | 2004-04-13 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Liquid crystalline compounds and process for producing the same |
JP2015040174A (ja) * | 2013-08-20 | 2015-03-02 | Dic株式会社 | 重合性化合物及び光学異方体 |
-
1992
- 1992-06-22 JP JP4216275A patent/JPH0625061A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0860417A3 (en) * | 1997-02-19 | 1999-07-28 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Liquid crystalline compounds and process for producing the same |
US6174455B1 (en) | 1997-02-19 | 2001-01-16 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Liquid crystalline compounds and process for producing the same |
US6720039B1 (en) | 1997-02-19 | 2004-04-13 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Liquid crystalline compounds and process for producing the same |
JPH10236994A (ja) * | 1997-02-25 | 1998-09-08 | Chisso Corp | 誘電率異方性値が負の液晶性化合物、この液晶性化合物を含有する液晶組成物、及びこの液晶組成物を用いた液晶表示素子 |
JP2015040174A (ja) * | 2013-08-20 | 2015-03-02 | Dic株式会社 | 重合性化合物及び光学異方体 |
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