JPH06287165A

JPH06287165A - 液晶化合物

Info

Publication number: JPH06287165A
Application number: JP5329787A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Watanabe; 哲也渡辺; Tatsuro Yanagi; 達朗柳; Kunikiyo Yoshio; 邦清吉尾; Masahiro Sato; 正洋佐藤
Original assignee: Sanyo Chemical Industries Ltd
Current assignee: Sanyo Chemical Industries Ltd
Priority date: 1993-02-02
Filing date: 1993-11-30
Publication date: 1994-10-11

Abstract

(57)【要約】【構成】一般式【化１】〔Ｒ¹は炭素数１〜１２のアルキル基または水素原子、
ｍは１〜１２の整数、ＮＡＰは２，６-ナフチレン基、
ｎは０〜５の整数、Ｃ＊は不斉炭素原子、Ｒ²は炭素数
２〜１０のアルキル基〕で示される液晶化合物。【効果】この液晶化合物をナフタレン系およびエステル
系化合物からなる液晶組成物に添加および／または置換
することにより、配向状態を変化させることなく、コン
トラスト比を高くすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子などに用
いる液晶組成物の成分として有用な新規液晶化合物に関
する。更に詳しくは、キラルなスメクチックＣ相（以
下、Ｓｃ＊相と略称する）を示す新規なナフタレン系液
晶化合物を提供するものである。

【０００２】

【従来の技術】最近、メイヤーらにより強誘電性液晶化
合物を用いる表示方式が報告され、これによるとＴＮ型
の１００〜１０００倍という高速応答とメモリー効果が
得られるため、次世代の表示素子として期待され、現
在、盛んに研究、開発が進められている。強誘電性液晶
化合物の液晶相は、チルト系のキラルスメクチック相に
属するものであるが、実用的には、その中で最も低粘性
であるＳｃ＊相が最も望ましい。Ｓｃ＊相を示す液晶化
合物は、既に数多く合成され、検討されているが、強誘
電性液晶表示素子として用いるための条件としては、
（ａ）室温を含む広い温度範囲でＳｃ＊相を示すこと、
（ｂ）均一な配向性を示し、かつその螺旋ピッチが大き
いこと、（ｃ）適当なチルト角を有すること、（ｄ）粘
性が小さいこと等が挙げられる。しかし、これら条件を
単独で満足するＳｃ＊相を示す液晶化合物は現在知られ
ておらず、混合によりこれらを満足させる努力がなされ
ている。また、新規なＳｃ＊相を示す液晶化合物の開発
も進められている。一方、Ｓｃ＊相を示す液晶組成物
（以下、Ｓｃ＊液晶組成物という）の調製方法として、
強誘電性を示さず、キラルでないＳｃ相を示す液晶化合
物または組成物にキラルな化合物を添加する方法もあ
り、Ｓｃ相を示す液晶化合物の開発も進められている。
なお、Ｓｃ＊相を示す液晶化合物のラセミ体も、Ｓｃ相
を示す液晶化合物として用いることができる。従来、Ｓ
ｃ相あるいはＳｃ＊相を示す代表的な液晶化合物とし
て、下記化２および化３で示されるフェニルピリミジン
系液晶化合物などが知られており、これらの混合物から
なるＳｃ＊液晶組成物が知られている。

【０００３】

【化２】

【０００４】

【化３】

【０００５】化３中、Ｃ＊は不斉炭素原子を表す。

【０００６】また、Ｓｃ相を示さないキラルな化合物と
して、特開平２−１３８２７４号公報記載の下記化４で
示されるγ−ラクトン環を有する化合物などが知られて
おり、前記の化２や化３で示される化合物からなるＳｃ
相（あるいはＳｃ＊相）を示す組成物に化４で示される
化合物を添加したＳｃ＊液晶組成物などが知られてい
る。

【０００７】

【化４】

【０００８】化４中、＊は不斉炭素原子を表す。

【０００９】さらに、特開平１−１９３３９０号公報で
は、下記化５、化６および化７で表されるナフタレン系
およびエステル系化合物からなるＳｃ＊液晶組成物が提
案されている。

【００１０】

【化５】

【００１１】

【化６】

【００１２】

【化７】

【００１３】化５〜７中、ＮＡＰは２，６−ナフチレン
基を、Ｃ＊は不斉炭素原子を表す。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
１−１９３３９０号公報では、前記のフェニルピリミジ
ン系液晶化合物などを用いたＳｃ＊液晶組成物は、液晶
セルに注入した場合に、Ｓｃ＊相において、層構造が
“く”の字に屈曲するためにジグザグ欠陥が生じやす
く、コントラスト比が１対５と低いという問題があるこ
とを指摘している。また、ナフタレン系およびエステル
系化合物からなる組成物を液晶セルに注入した場合、ジ
グザグ欠陥は観察されず、良好なメモリー性が得られる
が、コントラスト比が１対１２程度であり、表示素子に
適用するにはコントラスト比が不十分である。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記ナフ
タレン系化合物およびエステル系化合物から成るＳｃ＊
液晶組成物に添加および／または置換することにより、
良好な配向性を損なうことなく、コントラスト比を高め
る、配向性の良好な液晶化合物について鋭意検討を行っ
た結果、従来とは構造の異なる、アルケニル基を持つナ
フタレン系液晶化合物が、コントラスト比を高める効果
のあることを見出し、本発明に到達した。すなわち本発
明は、下記一般式（１）

【００１６】

【化８】

【００１７】〔式中、Ｒ¹は炭素数４〜１２のアルキル
基または水素原子を表し、ｍは１〜１２の整数を表し、
ＮＡＰは２，６−ナフチレン基を表し、ｎは０〜５の整
数を表し、Ｃ＊は不斉炭素原子を表し、Ｒ²は炭素数２
〜１０のアルキル基を表す〕で示される液晶化合物であ
る。

【００１８】一般式（１）中、Ｒ¹で表される炭素数４
〜１２のアルキル基の具体例としては、ｎ−ブチル基、
ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ
−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウン
デシル基、ｎ−ドデシル基などが挙げられ、これらのう
ち好ましいものは、水素原子および炭素数４〜１０のア
ルキル基である。

【００１９】ｍは好ましくは、１〜１０の整数である。
ｎは好ましくは、０、１、３および５である。

【００２０】Ｒ²で表される炭素数２〜１０のアルキル
基の具体例としては、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−
ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプ
チル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基
などが挙げられ、これらのうち好ましいものは、炭素数
２〜６のアルキル基である。本発明の液晶化合物の具体
例としては、表１〜表３に示すような基を有する化合物
が挙げられる。

【００２１】

【表１】

【００２２】

【表２】

【００２３】

【表３】

【００２４】表１〜表３中、各記号はそれぞれ以下の基
を表す。ＥＴＹ；Ｃ₂Ｈ₅- ＢＵＴ；ｎ-Ｃ₄Ｈ₉- ＰＥ
Ｎ；ｎ-Ｃ₅Ｈ₁₁- ＨＥＸ；ｎ-Ｃ₆Ｈ₁₃- ＨＥＰ；ｎ-Ｃ₇Ｈ₁₅- ＯＣ
Ｔ；ｎ-Ｃ₈Ｈ₁₇- ＮＯＮ；ｎ-Ｃ₉Ｈ₁₉-

【００２５】本発明の化合物は、例えば次に示す工程を
経て合成できる〔下記式中Ｒ¹、ｍ、ＮＡＰ、ｎおよび
Ｒ² は一般式（１）の場合と同一である〕。

【００２６】

【化９】

【００２７】すなわち、一般式（２）で示される安息香
酸誘導体を、ジエチルアゾジカルボキシレートとトリフ
ェニルホスフィンの存在下、一般式（３）で示されるナ
フトール誘導体と反応させることにより、本発明の化合
物である一般式（１）の化合物を得ることができる。ま
た一般式（２）の化合物は次の工程を経て合成できる。

【００２８】

【化１０】

【００２９】すなわち、一般式（４）で示されるブロム
体を、水酸化ナトリウムの存在下、ｐ−ヒドロキシ安息
香酸と反応させることにより一般式（２）の化合物を得
ることができる。

【００３０】あるいは次の工程を経ても合成できる。

【００３１】

【化１１】

【００３２】すなわち、一般式（５）で示されるアルコ
ールを、ジエチルアゾジカルボキシレートとトリフェニ
ルホスフィンの存在下、ｐ−ヒドロキシ安息香酸メチル
と反応させることにより得た一般式（６）の化合物を、
水酸化ナトリウムを用いて加水分解することにより一般
式（２）の化合物を得ることができる。

【００３３】一般式（５）で示されるアルコールは、あ
るものは市販されており、またあるものは対応するアル
デヒドを水素化ホウ素ナトリウム、水素化リチウムアル
ミニウムあるいは水素化ジイソブチルアルミニウム等を
用いて還元することにより得ることができる。

【００３４】また一般式（２）の化合物は、Ｒ¹が水素
原子の場合、次の工程を経ても合成できる。

【００３５】

【化１２】

【００３６】すなわち、一般式（７）で示されるジブロ
ム体を、水酸化ナトリウムの存在下、ｐ−ブロモフェノ
ールと反応させることにより得た一般式（８）の化合物
に、カリウム−ｔ−ブトキシドを作用させることにより
一般式（９）の化合物を得ることができる。一般式
（９）の化合物にマグネシウムを反応させてグリニャー
ル試薬とした後、炭酸ガスを作用させることにより、一
般式（２’）の化合物を得ることができる。

【００３７】また一般式（３）の化合物は、ＷＯ８７／
０６５７７号公報記載の方法により得ることができる。

【００３８】本発明のラセミ体である液晶化合物は、上
記合成ルートにおいて、ラセミ体である一般式（３）で
示される化合物を用いることにより得ることができる。

【００３９】一般に、液晶化合物は２種以上の多成分か
らなる液晶組成物の成分として用いられ、本発明の液晶
化合物も液晶組成物の成分として利用することができ
る。

【００４０】本発明の液晶化合物と好適に用いられる任
意成分としては、他のＳｃ相を示す液晶化合物（２−
４’−アルキルオキシフェニル−５−アルキルピリミジ
ン、２−４’−アルキルフェニル−５−アルキルオキシ
ピリミジン、２−４’−アルキルオキシオキシフェニル
-５-アルキルオキシピリミジン、２-ｐ-アルキルオキシ
カルボニルフェニル−５−アルキルピリミジン、２−
４’−アルキルオキシ−３’−フルオロフェニル−５−
アルキルピリミジン、２−４’−アルキルオキシ−
２’，３’−ジフルオロフェニル−５−アルキルピリミ
ジン、２−４’−アルキルオキシフェニル−５−アルキ
ルピリジン、２−４’−アルキルオキシ−３’−フルオ
ロフェニル−５−アルキルピリジン等）、他のＳｃ＊相
を示す液晶化合物（光学活性４−アルキルオキシ−４’
−ビフェニルカルボン酸−ｐ’−（２−メチルブチルオ
キシカルボニル）フェニルエステル、光学活性４−ｎ−
アルキルオキシ−４’−ビフェニルカルボン酸−２−メ
チルブチルエステル、光学活性４−アルキルオキシフェ
ニル−４’−（４−メチルヘキシルオキシ）ベンゾエー
ト、光学活性４−アルケニルオキシフェニル−４’−
（４−メチルヘキシルオキシ）ベンゾエート、特開昭６
３−２３３９３２号公報記載のナフタレン系化合物
等）、キラルな化合物（特開昭６３−９９０３２号公
報、特開昭６３−１９０８４３号公報、特開平２−１３
８２７４号公報、特開平２−２５６６７３号公報、特開
平２−２６２５７９号公報、特開平２−２８６６７３号
公報、特開平３−２７３７４号公報等に記載の化合
物）、Ｓｃ相を示さないスメクチック液晶化合物、ネマ
チック相を示す液晶化合物および２色性色素（アントラ
キノン系色素、アゾ系色素等）などが挙げられる。

【００４１】本発明の液晶化合物と併用する任意成分と
して、これらのうち好ましいものは、エステル系化合物
およびナフタレン系化合物である。この様なエステル系
化合物は、下記一般式（１０）

【００４２】

【化１３】

【００４３】〔式中、Ｒ³は炭素数４〜１２のアルキル
基または水素原子を表し、ｐは１〜１２の整数を表し、
ｑは１〜５の整数を表し、Ｃ＊は不斉炭素原子を表し、
Ｒ⁴は炭素数２〜１０のアルキル基を表す〕で示される
化合物、または一般式（１１）

【００４４】

【化１４】

【００４５】〔式中、Ｒ⁵は炭素数４〜１４のアルキル
基を表し、ｒは１〜５の整数を表し、Ｃ＊は不斉炭素原
子を表し、Ｒ⁶は炭素数２〜１０のアルキル基を表す〕
で示される化合物である。

【００４６】一般式（１０）中、Ｒ³で表される炭素数
４〜１２のアルキル基の具体例としては、ｎ−ブチル
基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル
基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ
−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基などが挙げられ、これ
らのうち好ましいものは、水素原子および炭素数４〜１
０のアルキル基である。

【００４７】ｐは好ましくは、１〜１０の整数である。
ｑは好ましくは、１、２、３および５である。

【００４８】Ｒ⁴で表される炭素数２〜１０のアルキル
基の具体例としては、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−
ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプ
チル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基
などが挙げられ、これらのうち好ましいものは、炭素数
２〜６のアルキル基である。

【００４９】一般式（１１）中、Ｒ⁵で表される炭素数
４〜１４のアルキル基の具体例としては、ｎ−ブチル
基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル
基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ
−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基などが挙げられ、これ
らのうち好ましいものは、炭素数６〜１２のアルキル基
である。

【００５０】ｒは好ましくは０、１、３および５であ
る。

【００５１】Ｒ⁶で表される炭素数２〜１０のアルキル
基の具体例としては、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−
ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプ
チル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基
などが挙げられ、これらのうち好ましいものは、炭素数
２〜６のアルキル基である。一方、前記のナフタレン系
化合物は、下記一般式（１２）

【００５２】

【化１５】

【００５３】〔式中、Ｒ⁷は炭素数４〜１４のアルキル
基を表し、ＮＡＰは２，６−ナフチレン基を表し、ｓは
１〜５の整数を表し、Ｃ＊は不斉炭素原子を表し、Ｒ⁸
は炭素数２〜１０のアルキル基を表す〕で示される化合
物である。

【００５４】一般式（１２）中、Ｒ⁷で表される炭素数
４〜１４のアルキル基の具体例としては、ｎ−ブチル
基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル
基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ
−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基などが挙げられ、これ
らのうち好ましいものは、炭素数６〜１２のアルキル基
である。

【００５５】ｓは好ましくは０、１、３および５であ
る。

【００５６】Ｒ⁸で表される炭素数２〜１０のアルキル
基の具体例としては、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−
ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプ
チル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基
などが挙げられ、これらのうち好ましいものは、炭素数
２〜６のアルキル基である。

【００５７】強誘電性を示すＳｃ＊液晶組成物は、電圧
印加により光スイッチング現象を起こし、これを利用し
た応答の速い液晶表示素子を作製できる〔例えば、特開
昭５６−１０７２１６号公報、特開昭５９−１１８７４
４号公報、エヌ．エー．クラーク（Ｎ．Ａ．Ｃｌａｒ
ｋ）、エス．ティー．ラガウォール（Ｓ．Ｔ．Ｌａｇｅ
ｒｗａｌｌ）；アプライドフィジックスレター（Ａ
ｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒ）３６、
８９９（１９８０）など〕。

【００５８】本発明の液晶化合物を含有する、Ｓｃ＊相
を示す液晶組成物をセル間隔０．５〜１０μｍ、好まし
くは０．５〜３μｍの液晶セルに真空封入し、両側偏光
子を設置することにより光スイッチング素子（液晶表示
素子）とすることができる。上記の液晶セルは、透明電
極を設けた基板の表面を配向処理した後、２枚の基板間
にスペーサーを介在させ、貼り合わせることによって作
製することができる。基板としては、特に制限はなく、
Ｉｎ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂などを設けたガ
ラス、ポリエステルフィルムなどの基板、薄膜トランジ
スター、ダイオードを形成した基板などが挙げられる。
また、上記スペーサーとしては、アルミナビーズ、ガラ
スファイバー、ポリイミドフィルムなどが挙げられる。
配向処理方法としては、通常の配向処理、例えば、ポリ
イミド膜のラビング処理、ＳｉＯ斜め蒸着などが適用で
きる。

【００５９】

【実施例】以下、本発明を実施例により更に説明する
が、本発明はこれに限定されない。なお、化合物の構造
は、ＮＭＲ（核磁気共鳴スペクトル分析）、ＭＳ（質量
分析）、ＩＲ（赤外吸収スペクトル分析）および元素分
析により確認した。実施例１表１中Ｎｏ．７の化合物の製造ｐ−ヒドロキシ安息香酸メチル５．０ｇ（３２．９ｍ
ｍｏｌ）、９−デセノール６．２ｇ（３９．５ｍｍｏ
ｌ）、トリフェニルホスフィン（以下ＴＰＰと略称す
る）１０．３ｇ（３９．５ｍｍｏｌ）を乾燥テトラヒド
ロフラン（以下ＴＨＦと略称する）６０ｍｌに溶かし、
これに１０℃以下でジエチルアゾジカルボキシレート
（以下ＤＥＡＤと略称する）６．９ｇ（３９．５ｍｍｏ
ｌ）を加え、室温で一晩攪拌した。ＴＨＦを留去後、ヘ
キサンで抽出し、ヘキサンを留去することにより、４−
（９−デセニルオキシ）安息香酸メチル６．５ｇを得
た。で得た４−（９−デセニルオキシ）安息香酸メチル
６．５ｇにエタノール７０ｍｌ、水酸化ナトリウム水溶
液１．８ｇ／１０ｍｌ（４４．８ｍｍｏｌ）を加え、１
時間還流した。放冷後、１Ｎ塩酸３００ｍｌ中に投入
し、析出した固体を濾取し、トルエンから再結晶するこ
とにより４-（９-デセニルオキシ）安息香酸４．６ｇを
得た。で得た４−（９−デセニルオキシ）安息香酸２．０
ｇ（７．２ｍｍｏｌ）、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ
酸−２−メチルブチルエステル（この化合物は、ＷＯ８
７／０６５７７号公報記載の方法により得ることができ
る。）１．９ｇ（７．２ｍｍｏｌ）、ＴＰＰ２．３ｇ
（８．７ｍｍｏｌ）をＴＨＦ３０ｍｌに溶かし、これに
１０℃以下でＤＥＡＤ１．５ｇ（８．７ｍｍｏｌ）を加
え、室温で一晩攪拌した。ＴＨＦを留去後、ヘキサンで
抽出した。ヘキサンを留去し、得られた固体をシリカゲ
ルカラムで精製し、エタノ−ルから３回再結晶すること
より、本発明の化合物である表１中Ｎｏ．７の化合物
２．２ｇを得た。 IR ( cm^-1) 2924.0 1717.0 1609.0 1278.0
1193.0 1174.0¹ H-NMR (ppm) 0.94〜1.08(m,6H) 1.22〜2.10(m,17H)
4.03(t,3H) 4.22(ddd,2H) 4.90〜5.02(m,2H) 5.75〜5.88(m,1H) 6.98(d,2H) 7.41(dd,1H) 7.70〜7.72(m,1H) 7.86(d,1H) 8.01(d,1H) 8.09(dd,1H) 8.19(d,2H) 8.61(s,1H) 元素分析値理論値（％）実測値（％） C:76.71 C:76.55 H:7.80 H:8.01

【００６０】実施例２表１中Ｎｏ．８の化合物の製造実施例１の〜において９-デセノールに代えてtra
ns-２-デセン-１-オールを同じモル比で用いた以外は実
施例１の〜と同様の操作を行うことにより、４−
（ｔｒａｎｓ−２−デセニルオキシ）安息香酸を得た。で得た４−（ｔｒａｎｓ−２−デセニルオキシ）安
息香酸２．０ｇ（７．２ｍｍｏｌ）、実施例１ので得
た６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸−２−メチルブチル
エステル１．９ｇ（７．２ｍｍｏｌ）、ＴＰＰ２．３ｇ
（８．７ｍｍｏｌ）をＴＨＦ３０ｍｌに溶かし、これに
１０℃以下でＤＥＡＤ１．５ｇ（８．７ｍｍｏｌ）を加
え、室温で一晩攪拌した。ＴＨＦを留去後、ヘキサンで
抽出した。ヘキサンを留去し、得られた固体をシリカゲ
ルカラムで精製し、エタノ−ルから３回再結晶すること
より、本発明の化合物である表１中Ｎｏ．８の化合物
２．１ｇを得た。 IR ( cm^-1) 2928.0 1731.0 1611.0 1263.0
1201.0 1172.0¹ H-NMR (ppm) 0.87(t,3H) 1.00(t,3H) 1.05(d,3H) 1.
20〜1.97(m,13H) 2.10(q,2H) 4.22(ddd,2H) 4.57(d,2H) 5.63〜5.75(m,1
H) 5.82〜5.91(m,1H) 7.00(d,2H) 7.41(dd,1H) 7.71(d,1H) 7.85(d,1H) 8.00(d,1H) 8.09(dd,1H) 8.18(d,2H) 8.61(s,1H) 元素分析値理論値（％）実測値（％） C:76.71 C:76.87 H:7.80 H:7.90

【００６１】実施例３表１中Ｎｏ．２２の化合物の製造実施例１ので得た４−（９−デセニルオキシ）安息
香酸２．０ｇ（７．２ｍｍｏｌ）、６−ヒドロキシ−２
−ナフトエ酸−１−メチルヘプチルエステル（この化合
物は、ＷＯ８７／０６５７７号公報記載の方法により得
ることができる。）２．２ｇ（７．２ｍｍｏｌ）、ＴＰ
Ｐ２．３ｇ（８．７ｍmol)をＴＨＦ30mlに溶かし、これ
に１０℃以下でＤＥＡＤ１．５ｇ（８．７ｍｍｏｌ）を
加え、室温で一晩攪拌した。ＴＨＦを留去後、ヘキサン
で抽出し、ヘキサンを留去した。得られた固体をシリカ
ゲルカラムで精製し、エタノ−ルから３回再結晶するこ
とより、本発明の化合物である表１中Ｎｏ．２２の化合
物２．２ｇを得た。 IR ( cm^-1) 2930.0 1715.0 1609.0 1267.0
1199.0¹ H-NMR (ppm) 0.87(t,3H) 1.23〜1.88(m,25H) 2.00〜
2.09(m,2H) 4.05(t,2H) 4.90〜5.02(m,2H) 5.13〜5.26(m,1H) 5.75〜5.88(m,1H) 6.99(d,2H) 7.42(dd,1H) 7.71(d,1H) 7.75(d,1H) 8.01(d,1H) 8.09(dd,1H) 8.18(d,2H) 8.62(s,1H) 元素分析値理論値（％）実測値（％） C:77.38 C:77.50 H:8.30 H:8.15

【００６２】実施例４表２中Ｎｏ．２８の化合物の製造ｐ−ブロモフェノール１３．０ｇ（７５．１ｍｍｏ
ｌ）をジメチルスルホキシド１５０ｍｌに溶かし、これ
に水酸化ナトリウム水溶液３．３ｇ／２０ｍｌ（８２．
５ｍｍｏｌ）、１，１２−ジブロモドデカン２５．０ｇ
（７６．２ｍｍｏｌ）を加え、室温で２４時間攪拌し
た。反応終了後氷水中に投入し、析出した結晶を濾取す
ることにより、１２’−ブロモドデシルオキシ−４−ブ
ロモベンゼン２９．３ｇを得た。で得た１２’−ブロモドデシルオキシ−４−ブロモ
ベンゼン２９．３ｇ（６９．８ｍｍｏｌ）に０℃以下で
乾燥ジメチルスルホキシド２００ｍｌ、カリウム−ｔ−
ブトキシド１１．７ｇ（１０４ｍｍｏｌ）を加え、８０
℃で８時間攪拌した。放冷後、氷水３００ｍｌ中に投入
し、ヘキサンで抽出した。ヘキサン層を水洗後、ヘキサ
ンを留去することにより、１１’−ドデセニルオキシ−
４−ブロモベンゼン１７．２ｇを得た。で得た１１’−ドデセニルオキシ−４−ブロモベン
ゼン１７．２ｇ（５０．７ｍｍｏｌ）と金属マグネシウ
ムより調整したグリニャール試薬の乾燥エーテル溶液１
００ｍｌに、５℃以下で炭酸ガスを１時間吹き込んだ。
反応終了後、氷水中に投入し、エーテルで抽出した。エ
ーテル層を１Ｎ塩酸、水で順次洗浄後、エーテルを留去
した。得られた固体をヘキサン／トルエン混合溶媒から
再結晶することにより、４−（１１−ドデセニルオキ
シ）安息香酸８．６ｇを得た。で得た４−（１１−ドデセニルオキシ）安息香酸
２．０ｇ（６．６ｍｍｏｌ）、実施例３ので得た６−
ヒドロキシ−２−ナフトエ酸−１−メチルヘプチルエス
テル２．０ｇ（６．６ｍｍｏｌ）、ＴＰＰ２．１ｇ
（７．９ｍｍｏｌ）をＴＨＦ３０ｍｌに溶かし、これに
１０℃以下でＤＥＡＤ１．４ｇ（７．９ｍｍｏｌ）を加
え、室温で一晩攪拌した。ＴＨＦを留去し、ヘキサンで
抽出後、ヘキサンを留去した。得られた固体をシリカゲ
ルカラムで精製し、エタノ−ルから３回再結晶すること
より、本発明の化合物である表２中Ｎｏ．２８の化合物
２．０ｇを得た。 IR ( cm^-1) 2928.0 2856.0 1734.0 1715.0
1261.0 1199.0 1178.0¹ H-NMR (ppm) 0.86(t,3H) 1.23〜1.87(m,29H) 2.00〜
2.09(m,2H) 4.03(t,2H) 4.90〜5.03(m,2H) 5.17〜5.28(m,1H) 5.73〜5.89(m,1H) 6.98(d,2H) 7.41(dd,1H) 7.71(d,1H) 7.86(d,1H) 8.01(d,1H) 8.08(dd,1H)8.18(d,2H) 8.60(s,1H) 元素分析値理論値（％）実測値（％） C:77.78 C:77.91 H:8.59 H:8.50

【００６３】実施例５表１中Ｎｏ．２３の化合物の製造実施例２ので得た４−（ｔｒａｎｓ−２−デセニル
オキシ）安息香酸２．０ｇ（７．２ｍｍｏｌ）、実施例
３ので得た６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸−１−メ
チルヘプチルエステル２．２ｇ（７．２ｍｍｏｌ）、Ｔ
ＰＰ２．３ｇ（８．７ｍｍｏｌ）をＴＨＦ３０ｍｌに溶
かし、これに１０℃以下でＤＥＡＤ１．５ｇ（８．７ｍ
ｍｏｌ）を加え、室温で一晩攪拌した。ＴＨＦを留去
し、ヘキサンで抽出後、ヘキサンを留去した。得られた
固体をシリカゲルカラムで精製し、エタノ−ルから３回
再結晶することより、本発明の化合物である表１中Ｎ
ｏ．２３の化合物２．０ｇを得た。 IR ( cm^-1) 2930.0 1731.0 1611.0 1263.0
1201.0 1172.0¹ H-NMR (ppm) 0.87(t,3H) 1.23〜1.85(m,23H) 2.05〜
2.13(m,2H) 4.58(d,2H) 5.17〜5.27(m,1H) 5.62〜5.75(m,1H) 5.82〜5.92(m,1H) 7.00(d,2H) 7.41(dd,1H) 7.71(d,1H) 7.85(d,1H) 8.00(d,1H) 8.09(dd,1H)8.18(d,2H) 8.61(s,1H) 元素分析値理論値（％）実測値（％） C:77.38 C:77.30 H:8.30 H:8.18

【００６４】実施例６表２中Ｎｏ．３７の化合物の製造実施例１ので得た４−（９−デセニルオキシ）安息
香酸２．０ｇ（７．２ｍｍｏｌ）、６−ヒドロキシ−２
−ナフトエ酸−４−メチルヘキシルエステル（この化合
物は、ＷＯ８７／０６５７７号公報記載の方法により得
ることができる。）２．２ｇ（７．２ｍｍｏｌ）、ＴＰ
Ｐ２．３ｇ（８．７ｍｍｏｌ）をＴＨＦ３０ｍｌに溶か
し、これに１０℃以下でＤＥＡＤ１．５ｇ（８．７ｍｍ
ｏｌ）を加え、室温で一晩攪拌した。ＴＨＦを留去し、
ヘキサンで抽出後、ヘキサンを留去した。得られた固体
をシリカゲルカラムで精製し、エタノ−ルから３回再結
晶することより、本発明の化合物である表２中Ｎｏ．３
７の化合物２．２ｇを得た。 IR ( cm^-1) 2920.0 1729.0 1609.0 1278.0
1199.0 1069.0¹ H-NMR (ppm) 0.85〜0.95(m,6H) 1.11〜1.90(m,19H)
2.00〜2.10(m,2H) 4.05(t,2H) 4.36(t,2H) 4.91〜5.03(m,2H) 5.75〜5.88(m,1H) 6.98(d,2H) 7.41(dd,1H) 7.72(d,1H) 7.86(d,1H) 8.01(d,1H) 8.08(dd,1H)8.18(d,2H) 8.62(s,1H) 元素分析値理論値（％）実測値（％） C:77.17 C:77.02 H:8.14 H:8.26

【００６５】実施例７表２中Ｎｏ．４３の化合物の製造実施例４ので得た４−（１１−ドデセニルオキシ）
安息香酸２．０ｇ（６．６ｍｍｏｌ）、実施例６ので
得た６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸−４−メチルヘキ
シルエステル１．７ｇ（６．６ｍｍｏｌ）、ＴＰＰ２．
１ｇ（７．９ｍｍｏｌ）をＴＨＦ３０ｍｌに溶かし、こ
れに１０℃以下でＤＥＡＤ１．４ｇ（７．９ｍｍｏｌ）
を加え、室温で一晩攪拌した。ＴＨＦを留去し、ヘキサ
ンで抽出後、ヘキサンを留去した。得られた固体をシリ
カゲルカラムで精製し、エタノ−ルから３回再結晶する
ことより、本発明の化合物である表２中Ｎｏ．４３の化
合物１．９ｇを得た。 IR ( cm^-1) 2926.0 1734.0 1717.0 1607.0
1265.0 1197.0 1178.0¹ H-NMR (ppm) 0.85〜0.93(m,6H) 1.11〜1.90(m,23H)
1.99〜2.08(m,2H) 4.02(t,2H) 4.37(t,2H) 4.92〜5.03(m,2H) 5.75〜5.88(m,1H) 6.98(d,2H) 7.41(dd,1H) 7.71(d,1H) 7.85(d,1H) 8.00(d,1H) 8.08(dd,1H)8.17(d,2H) 8.61(s,1H) 元素分析値理論値（％）実測値（％） C:77.59 C:77.47 H:8.45 H:8.50

【００６６】実施例８表２中Ｎｏ．３８の化合物の製造実施例２ので得た４−（ｔｒａｎｓ−２−デセニル
オキシ）安息香酸２．０ｇ（７．２ｍｍｏｌ）、実施例
６ので得た６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸−４−メ
チルヘキシルエステル２．２ｇ（７．２ｍｍｏｌ）、Ｔ
ＰＰ２．３ｇ（８．７ｍｍｏｌ）をＴＨＦ３０ｍｌに溶
かし、これに１０℃以下でＤＥＡＤ１．５ｇ（８．７ｍ
ｍｏｌ）を加え、室温で一晩攪拌した。ＴＨＦを留去
し、ヘキサンで抽出後、ヘキサンを留去した。得られた
固体をシリカゲルカラムで精製し、エタノ−ルから３回
再結晶することより、本発明の化合物である表２中Ｎ
ｏ．３８の化合物２．２ｇを得た。 IR ( cm^-1) 2926.0 1715.0 1605.0 1278.0
1191.0 1064.0¹ H-NMR (ppm) 0.85〜0.93(m,9H) 1.15〜1.57(m,15H)
1.70〜1.93(m,2H) 2.03〜2.17(m,2H) 4.34(t,2H) 4.58(d,2H) 5.63〜5.72(m,1H) 5.83〜5.93(m,1H) 7.00(d,2H) 7.41(dd,1H) 7.72(d,1H) 7.83(d,1H) 7.99(d,1H) 8.07(dd,1H)8.18(d,2H) 8.60(s,1H) 元素分析値理論値（％）実測値（％） C:77.17 C:77.00 H:8.14 H:8.31

【００６７】実施例１〜実施例８で得られた化合物およ
び組成物の相転移温度を表４に示す。

【００６８】

【表４】 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 実施例 ‖化合物 ‖ 相転移温度（℃） −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− Ｎｏ． ‖ Ｎｏ．‖ ＣｒｙＳ₁ Ｓc＊Ｓ_A Ｉｓｏ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− １ ‖ ７ ‖ ・53.6 - ・56.9 ・96.1 ・ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− ２ ‖ ８ ‖ ・53.0 - ・59.8 ・105.7 ・ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− ３ ‖ ２２ ‖ ・43.0 - - ・58.3 ・ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− ４ ‖ ２８ ‖ ・56.3 - - ・57.3 ・ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− ５ ‖ ２３ ‖ ・53.2 (・51.1) ・54.4 ・69.1 ・ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− ６ ‖ ３７ ‖ ・55.0 - ・63.9 ・92.3 ・ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− ７ ‖ ４３ ‖ ・63.1 - ・65.4 ・87.7 ・ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− ８ ‖ ３８ ‖ ・31.3 - ・78.1 ・101.3 ・ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−

【００６９】表４中各記号は、それぞれ以下の意味を表
す。Ｃｒｙ；結晶相Ｓ₁ ；未同定スメクチック相Ｓc＊；カイラルスメクチックＣ相Ｓ_A ；スメクチックＡ相Ｉｓｏ；等方性液体相・；相が存在する（）；モノトロピック相を表す − ；相が存在しない

【００７０】使用例例１〜１６実施例１、３、４、５、７および８中の化合物（表１中
のＮｏ．７，２２，２３の化合物、表２中のＮｏ．２
８，３８，４３の化合物）および下記化１６および化１
７に示されるナフタレン系化合物と下記化１８〜化２０
で示されるエステル系化合物（ＮＡ、ＮＢ、Ａ〜Ｃ）を
表５に示す割合で混合して、液晶組成物を得た。

【００７１】

【化１６】

【００７２】

【化１７】

【００７３】

【化１８】

【００７４】

【化１９】

【００７５】

【化２０】

【００７６】化１６および１７中、ＮＡＰは２，６−ナ
フチレン基を、化１６〜化２０中、Ｃ＊は不斉炭素原子
を表す。次に、透明電極付のガラス基板に配向処理剤と
してポリイミドを塗布し、表面をラビングした後、スペ
ーサーを介在させ、ラビング方向が反平行となるように
貼合わせ、セル厚２μｍのセルを作成した。このセルに
表４に示した液晶組成物を注入して液晶セルを作成し
た。２枚の直交する偏光子の間に設置し、２５℃におい
て、＋１０Ｖ／μｍの電圧を５００μ秒印加した時の透
過率（Ｔ１）、−１０Ｖ／μｍの電圧を５００μ秒印加
した時の透過率（Ｔ２）、＋１０Ｖ／μｍの電圧を５０
０μ秒印加し、電圧を切ってから０．５秒後での透過率
（Ｔ３）を測定することで、コントラスト比（Ｔ１／Ｔ
２と定義）を測定した。これらの使用例の結果を表５に
示した。偏光顕微鏡を用いてその配向状態を観察した結
果、使用例１〜１６で得られた液晶セルの何れにおいて
もジグザグ欠陥はなく、良好な配向を示した。また、
０．５秒後でのメモリー性（Ｔ３／Ｔ１と定義）は、何
れの液晶セルにおいても０．９以上と良好であった。

【００７７】比較例１前記化１６（ＮＡ）、化１７（ＮＢ）および化１８
（Ａ）からなる組成物を調整し、使用例１〜１６と同様
にしてＳｃ＊相転移温度およびコントラスト比を調べ
た。その結果を表５に示した。

【００７８】

【表５】

【００７９】なお、表５において、含有量は成分１／本
発明のナフタレン（ナフタレン１と記す）／本発明のナ
フタレン（ナフタレン２と記す）を表す。表５の結果か
ら、ナフタレン１およびナフタレン２が、ともにアルキ
ル基を持つナフタレン系化合物（ＮＡおよびＮＢ）の場
合はコントラスト比が１６であるのに対し、少なくとも
一方がアルケニル基を持つナフタレン系化合物の場合
は、コントラスト比が２３〜３６と大幅に向上している
ことがわかる。

【００８０】

【発明の効果】本発明の液晶化合物は、Ｓｃ＊液晶組成
物、特にナフタレン系化合物およびエステル系化合物か
らなる液晶組成物に添加および／または置換することに
より、良好な配向性を損なうことなく、組成物のコント
ラスト比を高めることができる。従って、本発明の化合
物は液晶表示素子に用いる液晶材料として有用である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者佐藤正洋京都市東山区一橋野本町11番地の１三洋化成工業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記一般式（１）【化１】〔式中、Ｒ¹は炭素数４〜１２のアルキル基または水素
原子を表し、ｍは１〜１２の整数を表し、ＮＡＰは２，
６−ナフチレン基を表し、ｎは０〜５の整数を表し、Ｃ
＊は不斉炭素原子を表し、Ｒ²は炭素数２〜１０のアル
キル基を表す〕で示される液晶化合物。