JPH0710810A - 液晶化合物および組成物 - Google Patents
液晶化合物および組成物Info
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Landscapes
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【構成】一般式1、
[R1はC1〜12のアルキル基を、A1およびA2は
1〜2個のフッ素原子で置換されてもよい1,4−フェ
ニレン基または4,4′−ビフェニレン基を(A1とA
2のうち少なくとも一方は1〜2個のフッ素原子で置換
されてもよい4,4′−ビフェニレン基である)、nは
0〜5の整数を、C*は不斉炭素原子を、R2はC2〜
12のアルキル基を表す]、例ば式 の液晶化合物およびこれを含有する液晶組成物。 【効果】この液晶化合物をキラルスメクチックC相を示
す液晶組成物の成分とすることにより、キラルスメクチ
ックC相の温度範囲を拡大できる。
1〜2個のフッ素原子で置換されてもよい1,4−フェ
ニレン基または4,4′−ビフェニレン基を(A1とA
2のうち少なくとも一方は1〜2個のフッ素原子で置換
されてもよい4,4′−ビフェニレン基である)、nは
0〜5の整数を、C*は不斉炭素原子を、R2はC2〜
12のアルキル基を表す]、例ば式 の液晶化合物およびこれを含有する液晶組成物。 【効果】この液晶化合物をキラルスメクチックC相を示
す液晶組成物の成分とすることにより、キラルスメクチ
ックC相の温度範囲を拡大できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子などに用
いる液晶組成物の成分として有用な新規な液晶化合物お
よびこの液晶化合物を含有する液晶組成物に関する。更
に詳しくは、キラルなスメクチックC相(以下、Sc*
相と略称する)を示す新規なビフェニル系液晶化合物お
よびこの液晶化合物を含有する強誘電性液晶組成物を提
供するものである。
いる液晶組成物の成分として有用な新規な液晶化合物お
よびこの液晶化合物を含有する液晶組成物に関する。更
に詳しくは、キラルなスメクチックC相(以下、Sc*
相と略称する)を示す新規なビフェニル系液晶化合物お
よびこの液晶化合物を含有する強誘電性液晶組成物を提
供するものである。
【0002】
【従来の技術】最近、メイヤーらにより強誘電性液晶化
合物を用いる表示方式が報告され、これによるとTN型
の100〜1000倍という高速応答とメモリー効果が
得られるため、次世代の表示素子として期待され、現
在、盛んに研究、開発が進められている。強誘電性液晶
化合物の液晶相は、チルト系のキラルスメクチック相に
属するものであるが、実用的には、その中で最も低粘性
であるSc*相が最も望ましい。Sc*相を示す液晶化
合物は、既に数多く合成され、検討されているが、強誘
電性液晶表示素子として用いるための条件としては、
(a)室温を含む広い温度範囲でSc*相を示すこと、
(b)均一な配向性を示し、かつその螺旋ピッチが大き
いこと、(c)適当なチルト角を有すること、(d)粘
性が小さいこと等が挙げられる。しかし、これら条件を
単独で満足するSc*相を示す液晶化合物は現在知られ
ておらず、混合によりこれらを満足させる努力がなされ
ている。また、新規なSc*相を示す液晶化合物の開発
も進められている。従来、キラルなビフェニル系液晶化
合物としては、下記化2で示される化合物などが知られ
ている。
合物を用いる表示方式が報告され、これによるとTN型
の100〜1000倍という高速応答とメモリー効果が
得られるため、次世代の表示素子として期待され、現
在、盛んに研究、開発が進められている。強誘電性液晶
化合物の液晶相は、チルト系のキラルスメクチック相に
属するものであるが、実用的には、その中で最も低粘性
であるSc*相が最も望ましい。Sc*相を示す液晶化
合物は、既に数多く合成され、検討されているが、強誘
電性液晶表示素子として用いるための条件としては、
(a)室温を含む広い温度範囲でSc*相を示すこと、
(b)均一な配向性を示し、かつその螺旋ピッチが大き
いこと、(c)適当なチルト角を有すること、(d)粘
性が小さいこと等が挙げられる。しかし、これら条件を
単独で満足するSc*相を示す液晶化合物は現在知られ
ておらず、混合によりこれらを満足させる努力がなされ
ている。また、新規なSc*相を示す液晶化合物の開発
も進められている。従来、キラルなビフェニル系液晶化
合物としては、下記化2で示される化合物などが知られ
ている。
【0003】
【化2】
【0004】化2中、C*は不斉炭素原子を表す。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記のビフェニル系液
晶化合物は、Sc*相を示すものの融点が高く(100
℃以上)、またSc*相の低温側に他のスメクチック相
を示すため、Sc相あるいはSc*相を示す液晶化合物
あるいは液晶組成物と混合した際、Sc*相が低温側に
拡大しにくいという問題があった。
晶化合物は、Sc*相を示すものの融点が高く(100
℃以上)、またSc*相の低温側に他のスメクチック相
を示すため、Sc相あるいはSc*相を示す液晶化合物
あるいは液晶組成物と混合した際、Sc*相が低温側に
拡大しにくいという問題があった。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、比較的低
い融点を持ち、Sc*相の低温側に他のスメクチック相
を示さない液晶化合物について鋭意検討を行った結果、
従来とは構造の異なった新規な液晶化合物を見出し本発
明に到達した。すなわち本発明は、下記一般式(1)
い融点を持ち、Sc*相の低温側に他のスメクチック相
を示さない液晶化合物について鋭意検討を行った結果、
従来とは構造の異なった新規な液晶化合物を見出し本発
明に到達した。すなわち本発明は、下記一般式(1)
【0007】
【化3】
【0008】〔式中、R1は炭素数1〜12のアルキル
基を表し、A1およびA2は1〜2個のフッ素原子で置換
されていてもよい1,4-フェニレン基または4,4’
−ビフェニレン基を表し(A1およびA2のうち、少なく
とも一方は1〜2個のフッ素原子で置換されていてもよ
い4,4’−ビフェニレン基である)、nは0〜5の整
数を表し、C*は不斉炭素原子を表し、R2は炭素数2
〜12のアルキル基を表す〕で示される液晶化合物;並
びにこの液晶化合物を少なくとも一種含有することを特
徴とする液晶組成物である。
基を表し、A1およびA2は1〜2個のフッ素原子で置換
されていてもよい1,4-フェニレン基または4,4’
−ビフェニレン基を表し(A1およびA2のうち、少なく
とも一方は1〜2個のフッ素原子で置換されていてもよ
い4,4’−ビフェニレン基である)、nは0〜5の整
数を表し、C*は不斉炭素原子を表し、R2は炭素数2
〜12のアルキル基を表す〕で示される液晶化合物;並
びにこの液晶化合物を少なくとも一種含有することを特
徴とする液晶組成物である。
【0009】一般式(1)中、R1で表される炭素数1
〜12のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチ
ル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル
基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基 、n−オクチル
基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、
n−ドデシル基などが挙げられ、これらのうち好ましい
ものは、炭素数6〜10のアルキル基である。
〜12のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチ
ル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル
基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基 、n−オクチル
基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、
n−ドデシル基などが挙げられ、これらのうち好ましい
ものは、炭素数6〜10のアルキル基である。
【0010】A1およびA2の具体例としては、1,4−
フェニレン基、2−フルオロ−1,4−フェニレン基、
3−フルオロ−1,4−フェニレン基、2,3−ジフル
オロ−1,4−フェニレン基、4,4’−ビフェニレン
基、3−フルオロ−4,4’−ビフェニレン基、3’−
フルオロ−4,4’−ビフェニレン基、2,3−ジフル
オロ−4,4’−ビフェニレン基、2’,3’−ジフル
オロ−4,4’−ビフェニレン基等が挙げられる。
フェニレン基、2−フルオロ−1,4−フェニレン基、
3−フルオロ−1,4−フェニレン基、2,3−ジフル
オロ−1,4−フェニレン基、4,4’−ビフェニレン
基、3−フルオロ−4,4’−ビフェニレン基、3’−
フルオロ−4,4’−ビフェニレン基、2,3−ジフル
オロ−4,4’−ビフェニレン基、2’,3’−ジフル
オロ−4,4’−ビフェニレン基等が挙げられる。
【0011】nは好ましくは、0、1、2、3および5
である。
である。
【0012】R2で表される炭素数2〜12のアルキル
基の具体例としては、エチル基、n−プロピル基、n−
ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプ
チル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル
基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基などが挙げら
れ、これらのうち好ましいものは炭素数2〜8のアルキ
ル基である。本発明の液晶化合物の具体例としては、表
1〜表2に示すような基を有する化合物が挙げられる。
基の具体例としては、エチル基、n−プロピル基、n−
ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプ
チル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル
基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基などが挙げら
れ、これらのうち好ましいものは炭素数2〜8のアルキ
ル基である。本発明の液晶化合物の具体例としては、表
1〜表2に示すような基を有する化合物が挙げられる。
【0013】
【表1】
【0014】
【表2】
【0015】表1〜表2中、各記号はそれぞれ以下の基
を表す。 ETY;C2H5− HEX;n−C6H13− O
CT;n−C8H17− DEC;n−C10H21
を表す。 ETY;C2H5− HEX;n−C6H13− O
CT;n−C8H17− DEC;n−C10H21
【0016】本発明の化合物は、例えば次に示す工程を
経て合成できる〔下記式中R1、A1、A2、n、C*お
よびR2は一般式(1)の場合と同一である〕。
経て合成できる〔下記式中R1、A1、A2、n、C*お
よびR2は一般式(1)の場合と同一である〕。
【0017】(I)A1が1〜2個のフッ素原子で置換
されていてもよい1,4−フェニレン基、A2が1〜2
個のフッ素原子で置換されていてもよい4,4’−ビフ
ェニレン基の場合
されていてもよい1,4−フェニレン基、A2が1〜2
個のフッ素原子で置換されていてもよい4,4’−ビフ
ェニレン基の場合
【0018】
【化4】
【0019】すなわち、一般式(2)で示されるp−ハ
ロゲノ−フェノール誘導体に、アルカリ存在下、一般式
(3)で示されるアルキルブロマイドを反応させて得た
一般式(4)の化合物を、パラジウム触媒存在下、3−
メチル−1−ブチン−3−オールと反応させた後、水酸
化ナトリウムを作用させることにより、一般式(6)の
化合物を得ることができる。一般式(7)で示されるビ
フェニルカルボン酸誘導体に、硫酸存在下、過ヨウ素酸
とヨウ素を用いてヨウ素化して得た一般式(8)の化合
物に、ジエチルアゾジカルボキシレートとトリフェニル
ホスフィン存在下、市販の一般式(9)で示される光学
活性アルコールを反応させることにより一般式(10)
の化合物を得ることができる。一般式(10)の化合物
を、パラジウム触媒存在下、前記の一般式(6)の化合
物と反応させた後、パラジウムカーボンを用いて還元す
ることにより、本発明の化合物である一般式(1a)の
化合物を得ることができる。
ロゲノ−フェノール誘導体に、アルカリ存在下、一般式
(3)で示されるアルキルブロマイドを反応させて得た
一般式(4)の化合物を、パラジウム触媒存在下、3−
メチル−1−ブチン−3−オールと反応させた後、水酸
化ナトリウムを作用させることにより、一般式(6)の
化合物を得ることができる。一般式(7)で示されるビ
フェニルカルボン酸誘導体に、硫酸存在下、過ヨウ素酸
とヨウ素を用いてヨウ素化して得た一般式(8)の化合
物に、ジエチルアゾジカルボキシレートとトリフェニル
ホスフィン存在下、市販の一般式(9)で示される光学
活性アルコールを反応させることにより一般式(10)
の化合物を得ることができる。一般式(10)の化合物
を、パラジウム触媒存在下、前記の一般式(6)の化合
物と反応させた後、パラジウムカーボンを用いて還元す
ることにより、本発明の化合物である一般式(1a)の
化合物を得ることができる。
【0020】(II)A1が4,4’−ビフェニレン
基、A2が1〜2個のフッ素原子で置換されていてもよ
い1,4−フェニレン基の場合
基、A2が1〜2個のフッ素原子で置換されていてもよ
い1,4−フェニレン基の場合
【0021】
【化5】
【0022】すなわち、一般式(12)で示される4−
ヒドロキシ−4’−ブロモビフェニルに、アルカリ存在
下、一般式(3)で示されるアルキルブロマイドを用い
てアルキル化することにより一般式(13)の化合物を
得ることができる。一般式(13)の化合物をパラジウ
ム触媒存在下、3−メチル−1−ブチン−3−オールと
反応させて得た一般式(14)の化合物に、水酸化ナト
リウムを作用させることにより、一般式(15)の化合
物を得ることができる。一般式(15)の化合物をパラ
ジウム触媒存在下、一般式(16)の化合物(この化合
物は、ジエチルアゾジカルボキシレートとトリフェニル
ホスフィン存在下、p−ヨード−安息香酸誘導体と市販
の光学活性アルコールを反応させることにより得ること
ができる)を反応させることにより得た一般式(17)
の化合物を、パラジウムカーボンを用いて還元すること
により、本発明の化合物である一般式(1b)の化合物
を得ることができる。
ヒドロキシ−4’−ブロモビフェニルに、アルカリ存在
下、一般式(3)で示されるアルキルブロマイドを用い
てアルキル化することにより一般式(13)の化合物を
得ることができる。一般式(13)の化合物をパラジウ
ム触媒存在下、3−メチル−1−ブチン−3−オールと
反応させて得た一般式(14)の化合物に、水酸化ナト
リウムを作用させることにより、一般式(15)の化合
物を得ることができる。一般式(15)の化合物をパラ
ジウム触媒存在下、一般式(16)の化合物(この化合
物は、ジエチルアゾジカルボキシレートとトリフェニル
ホスフィン存在下、p−ヨード−安息香酸誘導体と市販
の光学活性アルコールを反応させることにより得ること
ができる)を反応させることにより得た一般式(17)
の化合物を、パラジウムカーボンを用いて還元すること
により、本発明の化合物である一般式(1b)の化合物
を得ることができる。
【0023】(III)A1が1〜2個のフッ素原子で
置換されていてもよい4,4’−ビフェニレン基、A2
が1〜2個のフッ素原子で置換されていてもよい1,4
−フェニレン基の場合
置換されていてもよい4,4’−ビフェニレン基、A2
が1〜2個のフッ素原子で置換されていてもよい1,4
−フェニレン基の場合
【0024】
【化6】
【0025】すなわち、一般式(18)で示されるフェ
ニルフェノール誘導体に、ピリジン存在下、塩化ベンゾ
イルを反応させて得た一般式(19)の化合物を、硫酸
存在下、過ヨウ素酸とヨウ素を用いてヨウ素化すること
により一般式(20)の化合物を得ることができる。一
般式(20)の化合物をアルカリ加水分解して得た一般
式(21)の化合物を、アルカリ存在下、一般式(3)
で示されるアルキルブロマイドを用いてアルキル化する
ことにより一般式(22)の化合物を得ることができ
る。一般式(22)の化合物をパラジウム触媒存在下、
3−メチル−1−ブチン−3−オールと反応させて得た
一般式(23)の化合物に、水酸化ナトリウムを作用さ
せることにより、一般式(24)の化合物を得ることが
できる。一般式(24)の化合物をパラジウム触媒存在
下、前記の一般式(16)の化合物を反応させることに
より得た一般式(25)の化合物を、パラジウムカーボ
ンを用いて還元することにより、本発明の化合物である
一般式(1c)の化合物を得ることができる。
ニルフェノール誘導体に、ピリジン存在下、塩化ベンゾ
イルを反応させて得た一般式(19)の化合物を、硫酸
存在下、過ヨウ素酸とヨウ素を用いてヨウ素化すること
により一般式(20)の化合物を得ることができる。一
般式(20)の化合物をアルカリ加水分解して得た一般
式(21)の化合物を、アルカリ存在下、一般式(3)
で示されるアルキルブロマイドを用いてアルキル化する
ことにより一般式(22)の化合物を得ることができ
る。一般式(22)の化合物をパラジウム触媒存在下、
3−メチル−1−ブチン−3−オールと反応させて得た
一般式(23)の化合物に、水酸化ナトリウムを作用さ
せることにより、一般式(24)の化合物を得ることが
できる。一般式(24)の化合物をパラジウム触媒存在
下、前記の一般式(16)の化合物を反応させることに
より得た一般式(25)の化合物を、パラジウムカーボ
ンを用いて還元することにより、本発明の化合物である
一般式(1c)の化合物を得ることができる。
【0026】一般に、液晶化合物は2種以上の多成分か
らなる液晶組成物の成分として用いられ、本発明の液晶
化合物も液晶組成物の成分として利用することができ
る。本発明の液晶組成物は、複数の化合物の混合物から
なり、本発明の液晶化合物を少なくとも1種含有し、S
c*相を示す液晶組成物である。
らなる液晶組成物の成分として用いられ、本発明の液晶
化合物も液晶組成物の成分として利用することができ
る。本発明の液晶組成物は、複数の化合物の混合物から
なり、本発明の液晶化合物を少なくとも1種含有し、S
c*相を示す液晶組成物である。
【0027】本発明の液晶組成物には、本発明の液晶化
合物を少なくとも1種必須成分とし、任意成分としてS
c相を示す液晶化合物(2−4’−アルキルオキシフェ
ニル−5−アルキルピリミジン、2−4’−アルキルフ
ェニル−5−アルキルオキシピリミジン、2−4’−ア
ルキルオキシオキシフェニル−5−アルキルオキシピリ
ミジン、2−p−アルキルオキシカルボニルフェニル−
5−アルキルピリミジン、2−4’−アルキルオキシ−
3’−フルオロフェニル−5−アルキルピリミジン、2
−4’−アルキルオキシ−2’,3’−ジフルオロフェ
ニル−5−アルキルピリミジン、2−4’−アルキルオ
キシフェニル−5−アルキルピリジン、2−4’−アル
キルオキシ−3’-フルオロフェニル-5-アルキルピリ
ジン等)、Sc*相を示す液晶化合物(光学活性4−ア
ルキルオキシ−4’−ビフェニルカルボン酸−p’−
(2−メチルブチルオキシカルボニル)フェニルエステ
ル、光学活性4−n−アルキルオキシ−4’−ビフェニ
ルカルボン酸−2−メチルブチルエステル、光学活性4
−アルキルオキシフェニル−4’−(4−メチルヘキシ
ルオキシ)ベンゾエート、光学活性4−アルケニルオキ
シフェニル−4’−(4−メチルヘキシルオキシ)ベン
ゾエート、特開昭63−233932号公報記載のナフ
タレン系化合物、特開昭63−233932号公報記載
のナフタレン系化合物にアルケニル基を導入した化合物
等)および/またはキラルな化合物(特開昭63−99
032号公報、特開昭63−190843号公報、特開
平2−138274号公報、特開平2−256673号
公報、特開平2−262579号公報、特開平2−28
6673号公報、特開平3−27374号公報等に記載
の化合物)、Sc相を示さないスメクチック液晶化合
物、ネマチック相を示す液晶化合物および2色性色素
(アントラキノン系色素、アゾ系色素等)から選ばれる
化合物を含んだ混合物である。
合物を少なくとも1種必須成分とし、任意成分としてS
c相を示す液晶化合物(2−4’−アルキルオキシフェ
ニル−5−アルキルピリミジン、2−4’−アルキルフ
ェニル−5−アルキルオキシピリミジン、2−4’−ア
ルキルオキシオキシフェニル−5−アルキルオキシピリ
ミジン、2−p−アルキルオキシカルボニルフェニル−
5−アルキルピリミジン、2−4’−アルキルオキシ−
3’−フルオロフェニル−5−アルキルピリミジン、2
−4’−アルキルオキシ−2’,3’−ジフルオロフェ
ニル−5−アルキルピリミジン、2−4’−アルキルオ
キシフェニル−5−アルキルピリジン、2−4’−アル
キルオキシ−3’-フルオロフェニル-5-アルキルピリ
ジン等)、Sc*相を示す液晶化合物(光学活性4−ア
ルキルオキシ−4’−ビフェニルカルボン酸−p’−
(2−メチルブチルオキシカルボニル)フェニルエステ
ル、光学活性4−n−アルキルオキシ−4’−ビフェニ
ルカルボン酸−2−メチルブチルエステル、光学活性4
−アルキルオキシフェニル−4’−(4−メチルヘキシ
ルオキシ)ベンゾエート、光学活性4−アルケニルオキ
シフェニル−4’−(4−メチルヘキシルオキシ)ベン
ゾエート、特開昭63−233932号公報記載のナフ
タレン系化合物、特開昭63−233932号公報記載
のナフタレン系化合物にアルケニル基を導入した化合物
等)および/またはキラルな化合物(特開昭63−99
032号公報、特開昭63−190843号公報、特開
平2−138274号公報、特開平2−256673号
公報、特開平2−262579号公報、特開平2−28
6673号公報、特開平3−27374号公報等に記載
の化合物)、Sc相を示さないスメクチック液晶化合
物、ネマチック相を示す液晶化合物および2色性色素
(アントラキノン系色素、アゾ系色素等)から選ばれる
化合物を含んだ混合物である。
【0028】本発明の液晶組成物中、本発明の液晶化合
物1種以上の含有量は通常2〜90重量%であり、好ま
しくは5〜70重量%である。
物1種以上の含有量は通常2〜90重量%であり、好ま
しくは5〜70重量%である。
【0029】強誘電性を示すSc*液晶組成物は、電圧
印加により光スイッチング現象を起こし、これを利用し
た応答の速い液晶表示素子を作製できる〔例えば、特開
昭56−107216号公報、特開昭59−11874
4号公報、エヌ.エー.クラーク(N.A.Clar
k)、エス.ティー.ラガウォール(S.T.Lage
rwall);アプライド フィジックス レター(A
pplied Physics Letter)36、
899(1980)など〕。
印加により光スイッチング現象を起こし、これを利用し
た応答の速い液晶表示素子を作製できる〔例えば、特開
昭56−107216号公報、特開昭59−11874
4号公報、エヌ.エー.クラーク(N.A.Clar
k)、エス.ティー.ラガウォール(S.T.Lage
rwall);アプライド フィジックス レター(A
pplied Physics Letter)36、
899(1980)など〕。
【0030】Sc*相を示す本発明の液晶組成物をセル
間隔0.5〜10μm、好ましくは0.5〜3μmの液
晶セルに真空封入し、両側偏光子を設置することにより
光スイッチング素子(液晶表示素子)とすることができ
る。上記の液晶セルは、透明電極を設けた基板の表面を
配向処理した後、2枚の基板間にスペーサーを介在さ
せ、貼り合わせることによって作製することができる。
基板としては、特に制限はなく、In2O3、SnO2、
In2O3−SnO2などを設けたガラス、ポリエステル
フィルムなどの基板、薄膜トランジスター、ダイオード
を形成した基板などが挙げられる。また、上記スペーサ
ーとしては、アルミナビーズ、ガラスファイバー、ポリ
イミドフィルムなどが挙げられる。配向処理方法として
は、通常の配向処理、例えば、ポリイミド膜のラビング
処理、SiO斜め蒸着などが適用できる。
間隔0.5〜10μm、好ましくは0.5〜3μmの液
晶セルに真空封入し、両側偏光子を設置することにより
光スイッチング素子(液晶表示素子)とすることができ
る。上記の液晶セルは、透明電極を設けた基板の表面を
配向処理した後、2枚の基板間にスペーサーを介在さ
せ、貼り合わせることによって作製することができる。
基板としては、特に制限はなく、In2O3、SnO2、
In2O3−SnO2などを設けたガラス、ポリエステル
フィルムなどの基板、薄膜トランジスター、ダイオード
を形成した基板などが挙げられる。また、上記スペーサ
ーとしては、アルミナビーズ、ガラスファイバー、ポリ
イミドフィルムなどが挙げられる。配向処理方法として
は、通常の配向処理、例えば、ポリイミド膜のラビング
処理、SiO斜め蒸着などが適用できる。
【0031】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に説明する
が、本発明はこれに限定されない。なお、化合物の構造
は、NMR(核磁気共鳴スペクトル分析)、MS(質量
分析)および元素分析により確認した。 実施例 1 表1中No.3の化合物の製造 4−デシルオキシ−4’−ブロモ−ビフェニル(この
化合物は、4−ヒドロキシ−4’−ブロモ−ビフェニル
に、アルカリ存在下、デシルブロマイドを反応させるこ
とにより得ることができる)10g、3−メチル−1−
ブチン−3−オール3.2gをトリエチルアミン100
ml中、触媒にジクロロビストリフェニルホスフィンパ
ラジウム(II)180mg、ヨウ化銅(I)90m
g、トリフェニルホスフィン360mgを用いて窒素雰
囲気下、7時間加熱還流した。反応終了後、トリエチル
アミンを除去し、トルエンで抽出した。トルエン層を1
N塩酸水による洗浄、水洗を経てからトルエンを除去し
た。得られた固体を乾燥トルエン500mlに溶かし、
粉末の水酸化ナトリウム1.6gを加え、1時間加熱還
流した。反応終了後、トルエンを留去し、エーテル抽出
した。エーテル層を水洗後、エーテルを留去し、得られ
た固体をヘキサンから再結晶することにより、4−デシ
ルオキシ−4’−エチニル−ビフェニル7.3gを得
た。 で得た4−デシルオキシ−4’−エチニル−ビフェ
ニル2.0g、光学活性4−ヨード−安息香酸−2’−
メチルブチルエステル(この化合物は、4−ヨード−安
息香酸に、ジエチルアゾジカルボキシレートとトリフェ
ニルホスフィンの存在下、光学活性2−メチル−1−ブ
タノールを反応させることにより得ることができる)
1.9gをトリエチルアミン40ml中、触媒にジクロ
ロビストリフェニルホスフィンパラジウム(II)13
mgおよびヨウ化銅(I)6mgを用いて窒素雰囲気
下、7時間室温で攪拌した。反応終了後、トリエチルア
ミンを除去し、トルエンで抽出した。トルエン層を1N塩
酸水による洗浄、水洗を経てからトルエンを除去した。
得られた固体をエタノールから再結晶することにより、
下記化7で示される化合物2.5gを得た。
が、本発明はこれに限定されない。なお、化合物の構造
は、NMR(核磁気共鳴スペクトル分析)、MS(質量
分析)および元素分析により確認した。 実施例 1 表1中No.3の化合物の製造 4−デシルオキシ−4’−ブロモ−ビフェニル(この
化合物は、4−ヒドロキシ−4’−ブロモ−ビフェニル
に、アルカリ存在下、デシルブロマイドを反応させるこ
とにより得ることができる)10g、3−メチル−1−
ブチン−3−オール3.2gをトリエチルアミン100
ml中、触媒にジクロロビストリフェニルホスフィンパ
ラジウム(II)180mg、ヨウ化銅(I)90m
g、トリフェニルホスフィン360mgを用いて窒素雰
囲気下、7時間加熱還流した。反応終了後、トリエチル
アミンを除去し、トルエンで抽出した。トルエン層を1
N塩酸水による洗浄、水洗を経てからトルエンを除去し
た。得られた固体を乾燥トルエン500mlに溶かし、
粉末の水酸化ナトリウム1.6gを加え、1時間加熱還
流した。反応終了後、トルエンを留去し、エーテル抽出
した。エーテル層を水洗後、エーテルを留去し、得られ
た固体をヘキサンから再結晶することにより、4−デシ
ルオキシ−4’−エチニル−ビフェニル7.3gを得
た。 で得た4−デシルオキシ−4’−エチニル−ビフェ
ニル2.0g、光学活性4−ヨード−安息香酸−2’−
メチルブチルエステル(この化合物は、4−ヨード−安
息香酸に、ジエチルアゾジカルボキシレートとトリフェ
ニルホスフィンの存在下、光学活性2−メチル−1−ブ
タノールを反応させることにより得ることができる)
1.9gをトリエチルアミン40ml中、触媒にジクロ
ロビストリフェニルホスフィンパラジウム(II)13
mgおよびヨウ化銅(I)6mgを用いて窒素雰囲気
下、7時間室温で攪拌した。反応終了後、トリエチルア
ミンを除去し、トルエンで抽出した。トルエン層を1N塩
酸水による洗浄、水洗を経てからトルエンを除去した。
得られた固体をエタノールから再結晶することにより、
下記化7で示される化合物2.5gを得た。
【0032】
【化7】
【0033】で得た前記化7で示される化合物2.
5gにエタノール50ml、5%パラジウムカーボン5
00mgを加え、常圧の水素雰囲気下、室温で水素添加
反応を行った。反応終了後、触媒を除去し、溶媒を留去
した。得られた固体をシリカゲルカラムで精製し、エタ
ノールから3回再結晶することより、本発明の化合物で
ある表1中No.3の化合物2.3gを得た。1 H-NMR (ppm) 0.89(t,3H) 0.96(t,3H) 1.02(d,3H) 1.
25〜1.60(m,16H) 1.75〜1.90(m,3H) 2.92〜3.05(m,4H) 3.99(t,2H) 4.11(dd,1H) 4.21(dd,1H) 6.97(d,2H) 7.20(d,2H) 7.25(d,2H) 7.48(d,2H) 7.50(d,2H) 7.98(d,2H) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:81.77 C:81.59 H:9.15 H:9.32
5gにエタノール50ml、5%パラジウムカーボン5
00mgを加え、常圧の水素雰囲気下、室温で水素添加
反応を行った。反応終了後、触媒を除去し、溶媒を留去
した。得られた固体をシリカゲルカラムで精製し、エタ
ノールから3回再結晶することより、本発明の化合物で
ある表1中No.3の化合物2.3gを得た。1 H-NMR (ppm) 0.89(t,3H) 0.96(t,3H) 1.02(d,3H) 1.
25〜1.60(m,16H) 1.75〜1.90(m,3H) 2.92〜3.05(m,4H) 3.99(t,2H) 4.11(dd,1H) 4.21(dd,1H) 6.97(d,2H) 7.20(d,2H) 7.25(d,2H) 7.48(d,2H) 7.50(d,2H) 7.98(d,2H) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:81.77 C:81.59 H:9.15 H:9.32
【0034】実施例1で得られた化合物の相転移温度を
表3に示す。
表3に示す。
【0035】
【表3】
【0036】表3中各記号は、それぞれ以下の意味を表
す。 Cry;結晶相 SC* ;キラルスメクチックC相 SA ;スメクチックA相 Iso;等方性液体相 ・ ;相が存在する
す。 Cry;結晶相 SC* ;キラルスメクチックC相 SA ;スメクチックA相 Iso;等方性液体相 ・ ;相が存在する
【0037】実施例 2、比較例 1 本発明の化合物(化合物No.3)および下記化8〜化
12で示される液晶化合物を表4に示す割合で混合し
て、本発明の液晶組成物を得た。また、比較例として下
記化8〜化12からなる組成物を調整した。
12で示される液晶化合物を表4に示す割合で混合し
て、本発明の液晶組成物を得た。また、比較例として下
記化8〜化12からなる組成物を調整した。
【0038】
【化8】
【0039】
【化9】
【0040】
【化10】
【0041】
【化11】
【0042】
【化12】
【0043】化8〜10中、C*は不斉炭素原子を表
す。
す。
【0044】
【表4】
【0045】表4中、各数字は重量%を表す。
【0046】次に、透明電極付のガラス基板に配向処理
剤としてポリイミドを塗布し、表面をラビングした後、
スペーサーを介在させ、ラビング方向が反平行となるよ
うに貼合わせ、セル厚2μmのセルを作成し、このセル
に本発明の液晶組成物および比較例1の液晶組成物を注
入して液晶セルを得た。偏光顕微鏡により、得られた液
晶セルの配向状態を観察した結果、良好な配向性を示
し、電圧を印可すると良好なメモリー性も観察された。
また、各々の組成物のSc*相の上限温度および融点を
表5に示す。
剤としてポリイミドを塗布し、表面をラビングした後、
スペーサーを介在させ、ラビング方向が反平行となるよ
うに貼合わせ、セル厚2μmのセルを作成し、このセル
に本発明の液晶組成物および比較例1の液晶組成物を注
入して液晶セルを得た。偏光顕微鏡により、得られた液
晶セルの配向状態を観察した結果、良好な配向性を示
し、電圧を印可すると良好なメモリー性も観察された。
また、各々の組成物のSc*相の上限温度および融点を
表5に示す。
【0047】
【表5】
【0048】
【発明の効果】本発明の液晶化合物は、高いSc*相の
上限温度と低い融点を持ち、Sc*相の低温側に他のス
メクチック相を示さないため、Sc*液晶組成物の成分
として用いることにより、Sc*相の上限温度を上昇さ
せるとともに融点を低下させ、Sc*相の温度範囲を拡
大することができる。従って、本発明の化合物および組
成物は、液晶表示素子に用いる液晶材料として有用であ
る。
上限温度と低い融点を持ち、Sc*相の低温側に他のス
メクチック相を示さないため、Sc*液晶組成物の成分
として用いることにより、Sc*相の上限温度を上昇さ
せるとともに融点を低下させ、Sc*相の温度範囲を拡
大することができる。従って、本発明の化合物および組
成物は、液晶表示素子に用いる液晶材料として有用であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柳 達朗 京都市東山区一橋野本町11番地の1 三洋 化成工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項1】 下記一般式(1) 【化1】 〔式中、R1は炭素数1〜12のアルキル基を表し、A1
およびA2は1〜2個のフッ素原子で置換されていても
よい1,4-フェニレン基または4,4’−ビフェニレ
ン基を表し(A1およびA2のうち、少なくとも一方は1
〜2個のフッ素原子で置換されていてもよい4,4’−
ビフェニレン基である)、nは0〜5の整数を表し、C
*は不斉炭素原子を表し、R2は炭素数2〜12のアル
キル基を表す〕で示される液晶化合物。 - 【請求項2】 複数の化合物の混合物からなり、請求項
1記載の液晶化合物を少なくとも一種含有することを特
徴とする液晶組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5180883A JPH0710810A (ja) | 1993-06-24 | 1993-06-24 | 液晶化合物および組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5180883A JPH0710810A (ja) | 1993-06-24 | 1993-06-24 | 液晶化合物および組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0710810A true JPH0710810A (ja) | 1995-01-13 |
Family
ID=16091008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5180883A Pending JPH0710810A (ja) | 1993-06-24 | 1993-06-24 | 液晶化合物および組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0710810A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016030754A (ja) * | 2014-07-25 | 2016-03-07 | Dic株式会社 | 接触水素還元による製造方法 |
-
1993
- 1993-06-24 JP JP5180883A patent/JPH0710810A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016030754A (ja) * | 2014-07-25 | 2016-03-07 | Dic株式会社 | 接触水素還元による製造方法 |
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