JP2838202B2 - 液晶化合物及び組成物 - Google Patents
液晶化合物及び組成物Info
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶化合物および液晶組成物に関するもので
ある。 ［従来の技術］ 近年、強誘電性液晶は、従来のネマティック型液晶に
比して、反応速度が格段に速く，しかもメモリ効果を持
っていることから、多方面で精力的に研究が展開されて
いる。例えば第11回液晶討論会要旨集175頁にはビフェ
ニル／エステル／フェニル骨格を有する強誘電性液晶が
発表されている。 ［発明が解決しようとする問題点］ しかし、このようなものは粘度が高いため、表示素子
やプリンタヘッドなどの光学素子材料として用いるため
には応答速度が遅く、実用上困難を生じている。 ［問題点を解決するための手段］ すなわち、本発明は： 一般式 RO−Y1−Ｃ≡Ｃ−Y2−Ｘ−Ｒ＊ （１） ［式中、Ｒは炭素数４〜18のアルキル基;Y1,Y2の一方は
弗素原子で置換されたフェニレンもしくはビフェニレン
基、他方は弗素原子で置換されていてもよいフェニレン
もしくはビフェニレン基;Xは−COO−，−OCO−または−
Ｏ−;R＊は不斉炭素原子を含む光学活性基であり、分岐
を有する炭素数４〜８のアルキル基または炭素数３〜８
のハロゲン置換アルキル基である。］ で示される液晶化合物（第１発明）；および一般式
（１）で示される液晶化合物の少なくとも１種を配合成
分として含有することを特徴とする、カイラルスメクテ
ィック相を呈する液晶組成物（第２発明）である。 一般式（１）において、Ｒとしてはヘキシル基，オク
チル基，ウンデシル基，ドデシル基，オクタデシル基な
どが挙げられる。 Y1,Y2の弗素原子で置換されたフェニレンもしくはビ
フェニレン基には、フェニレンもしくはビフェニレン基
の水素原子の１個以上（好ましくは１または２個とくに
好ましくは１個）が弗素原子で置換されたものが含ま
れ、その具体例としては表１に示すものが挙げられる。 Ｒ＊としては分岐を有する炭素数４〜８のアルキル
基、たとえば および 炭素数３〜８のハロゲン置換アルキル基たとえばが挙げられる。好ましくは２−メチルブチル基,1−メチ
ルプロピル基,1−メチルブチル基および１−メチルヘプ
チル基である。 本発明の一般式（１）の化合物は次のような工程によ
り製造することができる。 （ｉ）下記の一般式（２）で示されるヨード化合物（ｐ
−ｎ−アルキルオキシ−フルオロヨードベンゼン,p′−
ｎ−アルキルオキシ−フルオロヨードビフェニルなど）
を、ヨウ化第一銅とパラジウム触媒の存在下に，プロパ
ルギルアルコールと反応させた後、二酸化マンガンと苛
性アルカリで処理し、一般式（３）で示されるアセチレ
ン化合物を製造し； （ii）次いで、これを、ヨウ化第一銅とパラジウム触媒
の存在下に，一般式（４）で示されるヨード化合物と反
応させることにより、目的化合物を製造する。 ［式中、R,Y1,Y2,X,R＊は一般式（１）におけると同じ
である。］ 一般式（１）の化合物の具体例としては、各記号が表
２に示されるような化合物が挙げられる。 一般式（４）で示される化合物としては、例えば:p−
アルキル＊オキシカルボニル−ヨードベンゼン,4−アル
キル＊オキシカルボニル−４′−ヨードビフェニル［４
−（４′−ヨードフェニル）−安息香酸−（Ｌ−１−メ
チル）ブチルエステル,4−（４′−ヨードフェニル）−
安息香酸−（Ｌ−１−メチル）ヘプチルエステルな
ど］,p−アルキル＊カルボニルオキシ−ヨードベンゼ
ン,4−アルキル＊カルボニルオキシ−４′−ヨードビフ
ェニル,p−アルキル＊オキシ−ヨードベンゼン,4−アル
キル＊オキシ−４′−ヨードビフェニル（上記において
アルキル＊は光学活性基を有するアルキルもしくはハロ
アルキル基を表す。），およびこれらの核フルオロ置換
体が挙げられる。 上記（ｉ），（ii）の反応に用いられるパラジウム触
媒としてはジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パ
ラジウム（II）［PdCl2〔Ｐ（C6H5）３〕２］，テトラ
キス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）［Pd
〔Ｐ（C6H5）３〕２］が挙げられる。 本発明の液晶組成物は、一般式（１）で示される化合
物の少なくとも１種を配合成分として含有する。 液晶組成物には、本発明の一般式（１）の化合物以外
のカイラルスメクティック液晶、たとえば特願昭60−20
5885号明細書記載の一般式（１）の化合物、特願昭61−
43696号明細書記載の一般式（１）の化合物、特願昭61
−134406号明細書記載の一般式（１）の化合物、４−ｎ
−アルキルオキシ−４′−ビフェニルカルボン酸−ｐ′
−（２−メチルブトキシカルボニル）フェニルエステ
ル、４−ｎ−アルキルオキシ−４′−ビフェニルカルボ
ン酸−２−メチルブチルエステル、ｐ−アルキルオキシ
ベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−クロロ−プロピルシ
ンナメート、ｐ−アルキルオキシベンジリデン−ｐ′−
アミノ−２−メチルブチルシンナメートなどの強誘電性
液晶、および／または４−（ｐ−アルキルオキシビフェ
ニル−ｐ′−オキシカルボニル）−４′−（２−メチル
ブチルオキシカルボニル）−シクロヘキサン、ｐ−ｎ−
アルキルオキシベンジリデン−ｐ′−（２−メチルブチ
ルオキシカルボニル）アニリンなどの通常のカイラルス
メクティック液晶を含有していてもよい。また、２色性
色素、たとえばアントラキノン系色素、アゾ系色素など
を含んでいてもよい。 液晶組成物の配合例を示せば下記の通りである。 （１）一般式（１）の化合物： 30〜100重量％（好ましくは40〜60重量％） （２）他のカイラルスメクティック液晶： 0〜70重量％（好ましくは40〜60重量％） （３）２色性色素:0〜５重量％ 本発明の液晶組成物のカイラルスメクティックＣ相
（以下Sc＊相と略記）を示す温度範囲の上限（すなわち
Sc＊相からスメクティックＡ相またはカイラルネマティ
ック相または等方性液体相に変わる温度）は通常60〜10
0℃、また、その下限は（すなわち固体またはスメクテ
ィックＩ相などの，より低温の液晶相からSc＊相に変わ
る温度）は通常０〜30℃であり、この範囲において強誘
電性を示す。強誘電性を示す液晶は、電圧印加により光
スイッチング現象を起こし、これを利用した応答の速い
光学素子を作成できる［たとえば特開昭56−107216号公
報、特開昭59−118744号公報、N.A.Clark（クラーク）,
S.T.Lagerwall（ラガウォール）;Applied Physics Lett
er（アプライド・フィジクス・レター）36,899（1980）
など］。 本発明の液晶組成物は、セル間隔0.5〜10μm,好まし
くは0.5〜３μｍの液晶セルに真空封入し、両側偏光子
を設置することにより表示素子，プリンタヘッドなどの
光学素子として使用できる。 上記液晶セルは、透明電極を設け、表面を配向処理し
た２枚のガラス基板を，スペーサーを挟んで貼り合せる
ことによって、作成することができる。上記スペーサー
としては、アルミナビーズ，ガラスファイバー，ポリイ
ミドフィルムなどが挙げられる。配向処理方法として
は、通常の配向処理、たとえばポリイミド膜，ラビング
処理,SiO斜め蒸着などが適用できる。 ［実施例］ 以下、本発明を実施例により更に説明するが、本発明
はこれらに限定されない。 以下において、％は重量％を示す。 なお、以下の説明において相転移温度の値は測定方法
や純度により若干の変動を伴うものである。 実施例１ 水350ml中に、ｏ−フルオロフェノール24.5gおよび苛
性カリ14.4gを加え、10℃以下に冷却した後、ヨウ素55.
6gを加えて一昼夜攪拌した。 生成したオイルをエーテル抽出した後、チオ硫酸ナト
リウム水溶液および水で洗浄したのち、エーテルを留去
し、次いで減圧蒸溜（155−157℃/5mmHg）して、液状の
ｐ−ヨード−ｏ−フルオロフェノール16gを得た。 この化合物3.0gをジメチルスルホキシド30mlに溶か
し、苛性カリ0.83g,n−デシルブロマイド2.7gを加えて
室温で一昼夜攪拌した後、水中に投じ、ヘキサン100ml
で抽出した。水洗，乾燥後、シリカゲルカラムを詰めた
短いカラムを通し、ヘキサンを留去して、液状のｐ−ｎ
−デシルオキシ−ｍ−フルオロヨードベンゼン3.9gを得
た。 この化合物3.9gを、プロパルギルアルコール0.7gとと
もにトリエチルアミン10mlに溶解し、ヨウ化銅40.0mg,
ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム
（II）85.0mgを加え、一昼夜攪拌した後、水中に投じ、
エーテル50mlで抽出した。稀塩酸，水，炭酸水素ナトリ
ウム水溶液，水で洗浄，乾燥後、エーテルを留去し、ヘ
キサンに溶かして、活性アルミナの短いカラムを通し、
ヘキサンを留去して、下記の化合物2.4gを得た。 ｎ−C10H21O−Y1−Ｃ≡CCH2OH ［式中、Y1は表１のＩのY1に同じ。］ この化合物2.4gをベンゼン30mlに溶解し、二酸化マン
ガン2.4g,苛性カリ1.0gを加え、５時間加熱還流した。
冷却後、固形物を濾別し、ベンゼンを留去した後、ヘキ
サンに溶解して、活性アルミナの短いカラムを通し、ヘ
キサンを留去して、液状の（ｐ−ｎ−デシルオキシ−ｍ
−フルオロフェニル）−アセチレン2.0gを得た。 この化合物2.0gを、４−（４′−ヨードフェニル）−
安息香酸−（Ｌ−１−メチル）ブチルエステル2.8gとと
もにトリエチルアミン60mlに溶解し、ヨウ化銅34.0mg,
ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム
（II）70.0mgを加え、一昼夜攪拌した後、水中に投じ、
エーテル100mlで抽出した。稀塩酸，水，炭酸水素ナト
リウム水溶液，水で洗浄，乾燥後、エーテルを留去し
た。トルエンに溶かして，活性アルミナの短いカラムを
通し、トルエンで留去したのち、エタノールで再結晶し
て、表２のNo.1の化合物3.6gを得た。 化合物の構造はNMR,MassおよびIRにより確認した。上
記化合物の赤外吸収スペクトルおよびＨ−NMRスペクト
ルを、それぞれ，第１図および第２図に示す。 IR ： アセチレン 2210cm−１ カルボニル 1710cm−１ NMR（CDCl3）δ ： 0.85〜1.90（28H,m）， 4.04（2H,t）， 4.19 （2H,m）, 6.90（1H,t）， 7.25 （2H,m）, 7.56（4H,s）， 7.65 （2H,d）, 8.12（2H,d） 実施例２〜４ 実施例１と同様にして、表２のNo.2〜４の化合物を製
造した。 実施例５ 脱水ベンゼン200ml中に、ｍ−フルオロフェノール20
g,ピリジン20gを溶かし、氷冷下でベンゾイルクロライ
ド28gを２時間にわたって滴下した。滴下後、室温に戻
し、２時間還流を行った後、水中に投じ、水，稀塩酸，
水，炭酸水素ナトリウム水溶液，水で洗浄後、ベンゼン
を留去することにより、液状のｍ−フルオロフェノール
安息香酸エステル35gを得た。 この化合物10.0gを酢酸，水，硫酸の混合溶媒（100:2
0:3）60ml中でヨウ素5.1gをよび過ヨウ素酸2.3gと75〜8
5℃,8時間反応させた。反応終了後、水中に投じ、トル
エン抽出した後、水，チオ硫酸ナトリウム水溶液，水で
洗浄し、トルエンを留去することにより、オイル状のヨ
ウ素化物を得た。 この生成物を苛性カリ12gとともに95％エタノール100
mlに溶かし、２時間還流させた後、溶媒を留去し、次い
で、水に溶かし、炭酸ガスを吹込み、生成した固体を単
離することにより、ｐ−ヨード−ｍ−フルオロフェノー
ル3.0gを得た。 この化合物3.0gををジメチルスルホキシド30mlに溶か
し、苛性カリ0.83g,n−デシルブロマイド2.7gを加えて
室温で一昼夜攪拌した後、水中に投じ、ヘキサン100ml
で抽出した。水洗，乾燥後、シリカゲルカラムを詰めた
短いカラムを通し、ヘキサンを留去して、液状のｐ−ｎ
−デシルオキシ−ｏ−フルオロヨードベンゼン4.0gを得
た。 この化合物2.0gを、プロパルギルアルコール0.4gとと
もにトリエチルアミン10mlに溶解し、ヨウ化銅20.0mg,
ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム
（II）43.0mgを加え、一昼夜攪拌した後、水中に投じ、
エーテル50mlで抽出した。稀塩酸，水，炭酸水素ナトリ
ウム水溶液，水で洗浄，乾燥後、エーテルを留去し、ヘ
キサンに溶かして，活性アルミナの短いカラムを通し、
ヘキサンを留去して、下記の化合物1.2gを得た。 ｎ−C10H21O−Y1−Ｃ≡CCH2OH ［式中、Y1は表１のIIのY1に同じ。］ この化合物1.2gをベンゼン15mlに溶解し、二酸化マン
ガン1.2g,苛性カリ0.5gを加え、５時間還流した。冷却
後、固形物を濾別し、ベンゼンを留去した後、ヘキサン
に溶解して、活性アルミナの短いカラムを通し、ヘキサ
ンを留去して、液状の（ｐ−ｎ−デシルオキシ−ｏ−フ
ルオロフェニル）−アセチレン1.0gを得た。 この化合物1.0gを、４−（４′−ヨードフェニル）−
安息香酸−（Ｌ−１−メチル）ブチルエステル1.4gとと
もにトリエチルアミン30mlに溶解し、ヨウ化銅17.0mg,
ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム
（II）35.0mgを加え、一昼夜攪拌した後、水中に投じ、
エーテル50mlで抽出した。稀塩酸，水，炭酸水素ナトリ
ウム水溶液，水で洗浄，乾燥後、エーテルを留去した。
トルエンに溶かして，活性アルミナの短いカラムを通
し、トルエンを留去したのち、エタノールで再結晶し
て、表２のNo.5の化合物1.5gを得た。 実施例６〜８ 実施例１と同様にして、表２のNo.6〜８の化合物を製
造した。 これらの化合物［No.1〜８］の特性を表３に示す。 表３中、各記号は下記の意味を有する。 Ｋ ：結晶相， Sc＊ :カイラルスメクティックＣ相， SA ：スメクティックＡ相， SE ：スメクティックＥ相， Ch ：コレステリック相 Ｉ ：等方性液体相， ・ ：相が存在する， − ：相が存在しない， （ ）：モノトロピック転移。 実施例９〜11 実施例１〜８の化合物［No.1〜８］，および公知のス
メクティック液晶性化合物［下記化合物Ａ］を表４に示
す割合で配合した液晶組成物について、下記の方法で応
答速度を測定した。その結果は、表４に示される通りで
あり、速い応答速度を有し、有用な液晶組成物である。 化合物A:トランス４−（ｐ−ｎ−オクトキシフェニル
（シクロヘキサンカルボン酸−ｐ′−（２−メチルブチ
ルオキシカルボニル）フェニルエステル 応答速度は、液晶組成物を、セル間隔３μｍの液晶セ
ルに封入し,20Vの電圧を印加して測定した。スペーサと
してはポリイミドフィルム，配向方向としてはラビング
処理を用いた。 ［発明の効果］ 本発明の液晶化合物および液晶組成物は、次のような
顕著な特長を有する。 （１）粘度が低いため、電場に対する応答が速い。その
結果、表示素子として用いる際には高速表示ができ、ま
たプリンタヘッドとして用いる際には高速印字ができ
る。 （２）粘度が低いため、液晶素子を組立てるに際して取
扱が容易である。 （３）熱，水分に対する安定性が良い。 （４）従来の強誘電性を示す液晶組成物と同等以上に広
い作動温度範囲を有する。
ある。 ［従来の技術］ 近年、強誘電性液晶は、従来のネマティック型液晶に
比して、反応速度が格段に速く，しかもメモリ効果を持
っていることから、多方面で精力的に研究が展開されて
いる。例えば第11回液晶討論会要旨集175頁にはビフェ
ニル／エステル／フェニル骨格を有する強誘電性液晶が
発表されている。 ［発明が解決しようとする問題点］ しかし、このようなものは粘度が高いため、表示素子
やプリンタヘッドなどの光学素子材料として用いるため
には応答速度が遅く、実用上困難を生じている。 ［問題点を解決するための手段］ すなわち、本発明は： 一般式 RO−Y1−Ｃ≡Ｃ−Y2−Ｘ−Ｒ＊ （１） ［式中、Ｒは炭素数４〜18のアルキル基;Y1,Y2の一方は
弗素原子で置換されたフェニレンもしくはビフェニレン
基、他方は弗素原子で置換されていてもよいフェニレン
もしくはビフェニレン基;Xは−COO−，−OCO−または−
Ｏ−;R＊は不斉炭素原子を含む光学活性基であり、分岐
を有する炭素数４〜８のアルキル基または炭素数３〜８
のハロゲン置換アルキル基である。］ で示される液晶化合物（第１発明）；および一般式
（１）で示される液晶化合物の少なくとも１種を配合成
分として含有することを特徴とする、カイラルスメクテ
ィック相を呈する液晶組成物（第２発明）である。 一般式（１）において、Ｒとしてはヘキシル基，オク
チル基，ウンデシル基，ドデシル基，オクタデシル基な
どが挙げられる。 Y1,Y2の弗素原子で置換されたフェニレンもしくはビ
フェニレン基には、フェニレンもしくはビフェニレン基
の水素原子の１個以上（好ましくは１または２個とくに
好ましくは１個）が弗素原子で置換されたものが含ま
れ、その具体例としては表１に示すものが挙げられる。 Ｒ＊としては分岐を有する炭素数４〜８のアルキル
基、たとえば および 炭素数３〜８のハロゲン置換アルキル基たとえばが挙げられる。好ましくは２−メチルブチル基,1−メチ
ルプロピル基,1−メチルブチル基および１−メチルヘプ
チル基である。 本発明の一般式（１）の化合物は次のような工程によ
り製造することができる。 （ｉ）下記の一般式（２）で示されるヨード化合物（ｐ
−ｎ−アルキルオキシ−フルオロヨードベンゼン,p′−
ｎ−アルキルオキシ−フルオロヨードビフェニルなど）
を、ヨウ化第一銅とパラジウム触媒の存在下に，プロパ
ルギルアルコールと反応させた後、二酸化マンガンと苛
性アルカリで処理し、一般式（３）で示されるアセチレ
ン化合物を製造し； （ii）次いで、これを、ヨウ化第一銅とパラジウム触媒
の存在下に，一般式（４）で示されるヨード化合物と反
応させることにより、目的化合物を製造する。 ［式中、R,Y1,Y2,X,R＊は一般式（１）におけると同じ
である。］ 一般式（１）の化合物の具体例としては、各記号が表
２に示されるような化合物が挙げられる。 一般式（４）で示される化合物としては、例えば:p−
アルキル＊オキシカルボニル−ヨードベンゼン,4−アル
キル＊オキシカルボニル−４′−ヨードビフェニル［４
−（４′−ヨードフェニル）−安息香酸−（Ｌ−１−メ
チル）ブチルエステル,4−（４′−ヨードフェニル）−
安息香酸−（Ｌ−１−メチル）ヘプチルエステルな
ど］,p−アルキル＊カルボニルオキシ−ヨードベンゼ
ン,4−アルキル＊カルボニルオキシ−４′−ヨードビフ
ェニル,p−アルキル＊オキシ−ヨードベンゼン,4−アル
キル＊オキシ−４′−ヨードビフェニル（上記において
アルキル＊は光学活性基を有するアルキルもしくはハロ
アルキル基を表す。），およびこれらの核フルオロ置換
体が挙げられる。 上記（ｉ），（ii）の反応に用いられるパラジウム触
媒としてはジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パ
ラジウム（II）［PdCl2〔Ｐ（C6H5）３〕２］，テトラ
キス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）［Pd
〔Ｐ（C6H5）３〕２］が挙げられる。 本発明の液晶組成物は、一般式（１）で示される化合
物の少なくとも１種を配合成分として含有する。 液晶組成物には、本発明の一般式（１）の化合物以外
のカイラルスメクティック液晶、たとえば特願昭60−20
5885号明細書記載の一般式（１）の化合物、特願昭61−
43696号明細書記載の一般式（１）の化合物、特願昭61
−134406号明細書記載の一般式（１）の化合物、４−ｎ
−アルキルオキシ−４′−ビフェニルカルボン酸−ｐ′
−（２−メチルブトキシカルボニル）フェニルエステ
ル、４−ｎ−アルキルオキシ−４′−ビフェニルカルボ
ン酸−２−メチルブチルエステル、ｐ−アルキルオキシ
ベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−クロロ−プロピルシ
ンナメート、ｐ−アルキルオキシベンジリデン−ｐ′−
アミノ−２−メチルブチルシンナメートなどの強誘電性
液晶、および／または４−（ｐ−アルキルオキシビフェ
ニル−ｐ′−オキシカルボニル）−４′−（２−メチル
ブチルオキシカルボニル）−シクロヘキサン、ｐ−ｎ−
アルキルオキシベンジリデン−ｐ′−（２−メチルブチ
ルオキシカルボニル）アニリンなどの通常のカイラルス
メクティック液晶を含有していてもよい。また、２色性
色素、たとえばアントラキノン系色素、アゾ系色素など
を含んでいてもよい。 液晶組成物の配合例を示せば下記の通りである。 （１）一般式（１）の化合物： 30〜100重量％（好ましくは40〜60重量％） （２）他のカイラルスメクティック液晶： 0〜70重量％（好ましくは40〜60重量％） （３）２色性色素:0〜５重量％ 本発明の液晶組成物のカイラルスメクティックＣ相
（以下Sc＊相と略記）を示す温度範囲の上限（すなわち
Sc＊相からスメクティックＡ相またはカイラルネマティ
ック相または等方性液体相に変わる温度）は通常60〜10
0℃、また、その下限は（すなわち固体またはスメクテ
ィックＩ相などの，より低温の液晶相からSc＊相に変わ
る温度）は通常０〜30℃であり、この範囲において強誘
電性を示す。強誘電性を示す液晶は、電圧印加により光
スイッチング現象を起こし、これを利用した応答の速い
光学素子を作成できる［たとえば特開昭56−107216号公
報、特開昭59−118744号公報、N.A.Clark（クラーク）,
S.T.Lagerwall（ラガウォール）;Applied Physics Lett
er（アプライド・フィジクス・レター）36,899（1980）
など］。 本発明の液晶組成物は、セル間隔0.5〜10μm,好まし
くは0.5〜３μｍの液晶セルに真空封入し、両側偏光子
を設置することにより表示素子，プリンタヘッドなどの
光学素子として使用できる。 上記液晶セルは、透明電極を設け、表面を配向処理し
た２枚のガラス基板を，スペーサーを挟んで貼り合せる
ことによって、作成することができる。上記スペーサー
としては、アルミナビーズ，ガラスファイバー，ポリイ
ミドフィルムなどが挙げられる。配向処理方法として
は、通常の配向処理、たとえばポリイミド膜，ラビング
処理,SiO斜め蒸着などが適用できる。 ［実施例］ 以下、本発明を実施例により更に説明するが、本発明
はこれらに限定されない。 以下において、％は重量％を示す。 なお、以下の説明において相転移温度の値は測定方法
や純度により若干の変動を伴うものである。 実施例１ 水350ml中に、ｏ−フルオロフェノール24.5gおよび苛
性カリ14.4gを加え、10℃以下に冷却した後、ヨウ素55.
6gを加えて一昼夜攪拌した。 生成したオイルをエーテル抽出した後、チオ硫酸ナト
リウム水溶液および水で洗浄したのち、エーテルを留去
し、次いで減圧蒸溜（155−157℃/5mmHg）して、液状の
ｐ−ヨード−ｏ−フルオロフェノール16gを得た。 この化合物3.0gをジメチルスルホキシド30mlに溶か
し、苛性カリ0.83g,n−デシルブロマイド2.7gを加えて
室温で一昼夜攪拌した後、水中に投じ、ヘキサン100ml
で抽出した。水洗，乾燥後、シリカゲルカラムを詰めた
短いカラムを通し、ヘキサンを留去して、液状のｐ−ｎ
−デシルオキシ−ｍ−フルオロヨードベンゼン3.9gを得
た。 この化合物3.9gを、プロパルギルアルコール0.7gとと
もにトリエチルアミン10mlに溶解し、ヨウ化銅40.0mg,
ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム
（II）85.0mgを加え、一昼夜攪拌した後、水中に投じ、
エーテル50mlで抽出した。稀塩酸，水，炭酸水素ナトリ
ウム水溶液，水で洗浄，乾燥後、エーテルを留去し、ヘ
キサンに溶かして、活性アルミナの短いカラムを通し、
ヘキサンを留去して、下記の化合物2.4gを得た。 ｎ−C10H21O−Y1−Ｃ≡CCH2OH ［式中、Y1は表１のＩのY1に同じ。］ この化合物2.4gをベンゼン30mlに溶解し、二酸化マン
ガン2.4g,苛性カリ1.0gを加え、５時間加熱還流した。
冷却後、固形物を濾別し、ベンゼンを留去した後、ヘキ
サンに溶解して、活性アルミナの短いカラムを通し、ヘ
キサンを留去して、液状の（ｐ−ｎ−デシルオキシ−ｍ
−フルオロフェニル）−アセチレン2.0gを得た。 この化合物2.0gを、４−（４′−ヨードフェニル）−
安息香酸−（Ｌ−１−メチル）ブチルエステル2.8gとと
もにトリエチルアミン60mlに溶解し、ヨウ化銅34.0mg,
ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム
（II）70.0mgを加え、一昼夜攪拌した後、水中に投じ、
エーテル100mlで抽出した。稀塩酸，水，炭酸水素ナト
リウム水溶液，水で洗浄，乾燥後、エーテルを留去し
た。トルエンに溶かして，活性アルミナの短いカラムを
通し、トルエンで留去したのち、エタノールで再結晶し
て、表２のNo.1の化合物3.6gを得た。 化合物の構造はNMR,MassおよびIRにより確認した。上
記化合物の赤外吸収スペクトルおよびＨ−NMRスペクト
ルを、それぞれ，第１図および第２図に示す。 IR ： アセチレン 2210cm−１ カルボニル 1710cm−１ NMR（CDCl3）δ ： 0.85〜1.90（28H,m）， 4.04（2H,t）， 4.19 （2H,m）, 6.90（1H,t）， 7.25 （2H,m）, 7.56（4H,s）， 7.65 （2H,d）, 8.12（2H,d） 実施例２〜４ 実施例１と同様にして、表２のNo.2〜４の化合物を製
造した。 実施例５ 脱水ベンゼン200ml中に、ｍ−フルオロフェノール20
g,ピリジン20gを溶かし、氷冷下でベンゾイルクロライ
ド28gを２時間にわたって滴下した。滴下後、室温に戻
し、２時間還流を行った後、水中に投じ、水，稀塩酸，
水，炭酸水素ナトリウム水溶液，水で洗浄後、ベンゼン
を留去することにより、液状のｍ−フルオロフェノール
安息香酸エステル35gを得た。 この化合物10.0gを酢酸，水，硫酸の混合溶媒（100:2
0:3）60ml中でヨウ素5.1gをよび過ヨウ素酸2.3gと75〜8
5℃,8時間反応させた。反応終了後、水中に投じ、トル
エン抽出した後、水，チオ硫酸ナトリウム水溶液，水で
洗浄し、トルエンを留去することにより、オイル状のヨ
ウ素化物を得た。 この生成物を苛性カリ12gとともに95％エタノール100
mlに溶かし、２時間還流させた後、溶媒を留去し、次い
で、水に溶かし、炭酸ガスを吹込み、生成した固体を単
離することにより、ｐ−ヨード−ｍ−フルオロフェノー
ル3.0gを得た。 この化合物3.0gををジメチルスルホキシド30mlに溶か
し、苛性カリ0.83g,n−デシルブロマイド2.7gを加えて
室温で一昼夜攪拌した後、水中に投じ、ヘキサン100ml
で抽出した。水洗，乾燥後、シリカゲルカラムを詰めた
短いカラムを通し、ヘキサンを留去して、液状のｐ−ｎ
−デシルオキシ−ｏ−フルオロヨードベンゼン4.0gを得
た。 この化合物2.0gを、プロパルギルアルコール0.4gとと
もにトリエチルアミン10mlに溶解し、ヨウ化銅20.0mg,
ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム
（II）43.0mgを加え、一昼夜攪拌した後、水中に投じ、
エーテル50mlで抽出した。稀塩酸，水，炭酸水素ナトリ
ウム水溶液，水で洗浄，乾燥後、エーテルを留去し、ヘ
キサンに溶かして，活性アルミナの短いカラムを通し、
ヘキサンを留去して、下記の化合物1.2gを得た。 ｎ−C10H21O−Y1−Ｃ≡CCH2OH ［式中、Y1は表１のIIのY1に同じ。］ この化合物1.2gをベンゼン15mlに溶解し、二酸化マン
ガン1.2g,苛性カリ0.5gを加え、５時間還流した。冷却
後、固形物を濾別し、ベンゼンを留去した後、ヘキサン
に溶解して、活性アルミナの短いカラムを通し、ヘキサ
ンを留去して、液状の（ｐ−ｎ−デシルオキシ−ｏ−フ
ルオロフェニル）−アセチレン1.0gを得た。 この化合物1.0gを、４−（４′−ヨードフェニル）−
安息香酸−（Ｌ−１−メチル）ブチルエステル1.4gとと
もにトリエチルアミン30mlに溶解し、ヨウ化銅17.0mg,
ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム
（II）35.0mgを加え、一昼夜攪拌した後、水中に投じ、
エーテル50mlで抽出した。稀塩酸，水，炭酸水素ナトリ
ウム水溶液，水で洗浄，乾燥後、エーテルを留去した。
トルエンに溶かして，活性アルミナの短いカラムを通
し、トルエンを留去したのち、エタノールで再結晶し
て、表２のNo.5の化合物1.5gを得た。 実施例６〜８ 実施例１と同様にして、表２のNo.6〜８の化合物を製
造した。 これらの化合物［No.1〜８］の特性を表３に示す。 表３中、各記号は下記の意味を有する。 Ｋ ：結晶相， Sc＊ :カイラルスメクティックＣ相， SA ：スメクティックＡ相， SE ：スメクティックＥ相， Ch ：コレステリック相 Ｉ ：等方性液体相， ・ ：相が存在する， − ：相が存在しない， （ ）：モノトロピック転移。 実施例９〜11 実施例１〜８の化合物［No.1〜８］，および公知のス
メクティック液晶性化合物［下記化合物Ａ］を表４に示
す割合で配合した液晶組成物について、下記の方法で応
答速度を測定した。その結果は、表４に示される通りで
あり、速い応答速度を有し、有用な液晶組成物である。 化合物A:トランス４−（ｐ−ｎ−オクトキシフェニル
（シクロヘキサンカルボン酸−ｐ′−（２−メチルブチ
ルオキシカルボニル）フェニルエステル 応答速度は、液晶組成物を、セル間隔３μｍの液晶セ
ルに封入し,20Vの電圧を印加して測定した。スペーサと
してはポリイミドフィルム，配向方向としてはラビング
処理を用いた。 ［発明の効果］ 本発明の液晶化合物および液晶組成物は、次のような
顕著な特長を有する。 （１）粘度が低いため、電場に対する応答が速い。その
結果、表示素子として用いる際には高速表示ができ、ま
たプリンタヘッドとして用いる際には高速印字ができ
る。 （２）粘度が低いため、液晶素子を組立てるに際して取
扱が容易である。 （３）熱，水分に対する安定性が良い。 （４）従来の強誘電性を示す液晶組成物と同等以上に広
い作動温度範囲を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は実施例１で得られた化合物の赤外吸収スペクト
ル、第２図は同じ化合物のＨ−NMRスペクトルである。
ル、第２図は同じ化合物のＨ−NMRスペクトルである。
フロントページの続き
(72)発明者 谷 千束
東京都港区芝５丁目33番１号 日本電気
株式会社内
(72)発明者 斉藤 毅
東京都港区芝５丁目33番１号 日本電気
株式会社内
(72)発明者 高田 耕一
京都府京都市東山区一橋野本町11番地の
１ 三洋化成工業株式会社内
(72)発明者 星野 博史
京都府京都市東山区一橋野本町11番地の
１ 三洋化成工業株式会社内
(72)発明者 佐藤 正洋
京都府京都市東山区一橋野本町11番地の
１ 三洋化成工業株式会社内
(72)発明者 吉尾 邦清
京都府京都市東山区一橋野本町11番地の
１ 三洋化成工業株式会社内
(58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名)
ＣＡ（ＳＴＮ)
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．一般式 RO−Y1−Ｃ≡Ｃ−Y2−Ｘ−Ｒ＊ （１） ［式中、Ｒは炭素数４〜18のアルキル基;Y1,Y2の一方は
弗素原子で置換されたフェニレンもしくはビフェニレン
基、他方は弗素原子で置換されていてもよいフェニレン
もしくはビフェニレン基;Xは−COO−，−OCO−または−
Ｏ−;R＊は不斉炭素原子を含む光学活性基であり、分岐
を有する炭素数４〜８のアルキル基または炭素数３〜８
のハロゲン置換アルキル基である。］ で示される液晶化合物。 ２．Y1,Y2の一方が１個の弗素原子で置換されたフェニ
レン基、他方が１個の弗素原子で置換されていてもよい
ビフェニレン基である、特許請求の範囲第１項記載の化
合物。 ３．Ｒ＊が光学活性基な２−メチルブチル,1−メチルプ
ロピル,1−メチルブチルまたは１−メチルヘプチル基で
ある、特許請求の範囲第１または２項記載の化合物。 ４．一般式 RO−Y1−Ｃ≡Ｃ−Y2−Ｘ−Ｒ＊ （１） ［式中、Ｒは炭素数４〜18のアルキル基;Y1,Y2の一方は
弗素原子で置換されたフェニレンもしくはビフェニレン
基、他方は弗素原子で置換されていてもよいフェニレン
もしくはビフェニレン基;Xは−COO−，−OCO−または−
Ｏ−;R＊は不斉炭素原子を含む光学活性基であり、分岐
を有する炭素数４〜８のアルキル基または炭素数３〜８
のハロゲン置換アルキル基である。］ で示される液晶化合物の少なくとも１種を配合成分とし
て含有することを特徴とする液晶組成物。 ５．Y1,Y2の一方が１個の弗素原子で置換されたフェニ
レン基、他方が１個の弗素原子で置換されていてもよい
ビフェニレン基である、特許請求の範囲第４項記載の組
成物。 ６．Ｒ＊が光学活性基な２−メチルブチル,1−メチルプ
ロピル,1−メチルブチルまたは１−メチルヘプチル基で
ある、特許請求の範囲第４または５項記載の組成物。
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- 1986-08-23 JP JP19768086A patent/JP2838202B2/ja not_active Expired - Fee Related
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