JPH0625101A - 液晶化合物および組成物 - Google Patents
液晶化合物および組成物Info
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Landscapes
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 一般式
【化1】
〔R1は炭素数1〜18のアルキル基、NAPは2,6-
ナフチレン基、nは0〜9の整数 、C*は不斉炭素原
子、R2は炭素数2〜10のアルキル基〕で示される液
晶化合物および液晶組成物。 【効果】この液晶化合物をキラルスメクチックC相を示
す液晶組成物の成分として用いることにより、配向性が
良くジグザグ欠陥の無い液晶組成物を得ることが可能で
あり、コントラスト比の高い液晶表示素子を得ることが
できる。
ナフチレン基、nは0〜9の整数 、C*は不斉炭素原
子、R2は炭素数2〜10のアルキル基〕で示される液
晶化合物および液晶組成物。 【効果】この液晶化合物をキラルスメクチックC相を示
す液晶組成物の成分として用いることにより、配向性が
良くジグザグ欠陥の無い液晶組成物を得ることが可能で
あり、コントラスト比の高い液晶表示素子を得ることが
できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示素子などに用い
る液晶組成物の成分として有用な新規液晶化合物および
この液晶化合物を含有する液晶組成物に関する。更に詳
しくは、キラルなスメクチックC相(以下Sc*相と略
称する。)を示す新規なナフタレン系液晶組成物の成分
として有用な液晶化合物およびこの液晶化合物を含有す
る液晶組成物を提供するものである。
る液晶組成物の成分として有用な新規液晶化合物および
この液晶化合物を含有する液晶組成物に関する。更に詳
しくは、キラルなスメクチックC相(以下Sc*相と略
称する。)を示す新規なナフタレン系液晶組成物の成分
として有用な液晶化合物およびこの液晶化合物を含有す
る液晶組成物を提供するものである。
【0002】
【従来の技術】最近、メイヤーらにより強誘電性液晶化
合物を用いる表示方式が報告され、これによるとTN型
の100〜1000倍という高速応答とメモリー効果が
得られるため、次世代の表示素子として期待され、現
在、盛んに研究、開発が進められている。強誘電性液晶
化合物の液晶相は、チルト系のキラルスメクチック相に
属するものであるが、実用的には、その中で最も低粘性
であるSc*相が最も望ましい。Sc*相を示す液晶化
合物は、既に数多く合成され、検討されているが、強誘
電性表示素子として用いるための条件としては、(a)
室温を含む広い温度範囲でSc*相を示すこと、(b)
均一な配向性を示し、かつその螺旋ピッチが大きいこ
と、(c)適当なチルト角を有すること、(d)粘性が小
さいこと、等が挙げられる。しかし、これら条件を単独
で満足するSc*相を示す液晶化合物は知られておら
ず、混合によりこれらを満足させる努力がなされてい
る。また新規なSc*相を示す液晶化合物の開発も進め
られている。一方、Sc*相を示す液晶組成物(以下、
Sc*液晶組成物という。)の調製方法として、強誘電
性を示さず、キラルでないSc相を示す液晶化合物又は
組成物に、キラルな化合物を添加する方法もあり、Sc
相を示す液晶化合物の開発も進められている。なお、S
c*相を示す液晶化合物のラセミ体も、Sc相を示す液
晶化合物として用いることもできる。従来、Sc相ある
いはSc*相を示す代表的な液晶化合物として、下記化
2および化3で示されるフェニルピリミジン系液晶化合
物が知られている。
合物を用いる表示方式が報告され、これによるとTN型
の100〜1000倍という高速応答とメモリー効果が
得られるため、次世代の表示素子として期待され、現
在、盛んに研究、開発が進められている。強誘電性液晶
化合物の液晶相は、チルト系のキラルスメクチック相に
属するものであるが、実用的には、その中で最も低粘性
であるSc*相が最も望ましい。Sc*相を示す液晶化
合物は、既に数多く合成され、検討されているが、強誘
電性表示素子として用いるための条件としては、(a)
室温を含む広い温度範囲でSc*相を示すこと、(b)
均一な配向性を示し、かつその螺旋ピッチが大きいこ
と、(c)適当なチルト角を有すること、(d)粘性が小
さいこと、等が挙げられる。しかし、これら条件を単独
で満足するSc*相を示す液晶化合物は知られておら
ず、混合によりこれらを満足させる努力がなされてい
る。また新規なSc*相を示す液晶化合物の開発も進め
られている。一方、Sc*相を示す液晶組成物(以下、
Sc*液晶組成物という。)の調製方法として、強誘電
性を示さず、キラルでないSc相を示す液晶化合物又は
組成物に、キラルな化合物を添加する方法もあり、Sc
相を示す液晶化合物の開発も進められている。なお、S
c*相を示す液晶化合物のラセミ体も、Sc相を示す液
晶化合物として用いることもできる。従来、Sc相ある
いはSc*相を示す代表的な液晶化合物として、下記化
2および化3で示されるフェニルピリミジン系液晶化合
物が知られている。
【0003】
【化2】
【0004】
【化3】
【0005】化3中、C*は不斉炭素原子を表す。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしこれらのフェニ
ルピリミジン系液晶化合物を用いたSc*液晶組成物
は、配向性が悪いため、セルに注入した場合、ジグザグ
欠陥が生じやすくコントラスト比が高くならないという
問題がある。
ルピリミジン系液晶化合物を用いたSc*液晶組成物
は、配向性が悪いため、セルに注入した場合、ジグザグ
欠陥が生じやすくコントラスト比が高くならないという
問題がある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記化合物
よりも配向性が良いSc*液晶組成物の成分として用い
る液晶化合物およびそのラセミ体である液晶化合物につ
いて鋭意検討を行った結果、従来とは構造の異なった新
規な液晶化合物を見出し本発明に到達した。すなわち本
発明は、下記一般式
よりも配向性が良いSc*液晶組成物の成分として用い
る液晶化合物およびそのラセミ体である液晶化合物につ
いて鋭意検討を行った結果、従来とは構造の異なった新
規な液晶化合物を見出し本発明に到達した。すなわち本
発明は、下記一般式
【0008】
【化4】
【0009】〔式中、R1は炭素数1〜18のアルキル
基を表し、NAPは2,6-ナフチレン基を表し、nは
0〜9の整数 を表し、C*は不斉炭素原子を表し、R2
は炭素数2〜10のアルキル基を表す〕で示される液晶
化合物;並びにこの液晶化合物を少なくとも一種含有す
ることを特徴とする液晶組成物である。一般式(1)
中、R1で表される炭素数1〜18のアルキル基の具体
例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-
ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチ
ル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-
ウ ンデシル基、n-ドデシル基、n-テトラデシル基、
n-ヘキサデシル基、n-オクタデシル基などが挙げられ
る。これらのうち好ましいものは、炭素数3〜14のア
ルキル基である。
基を表し、NAPは2,6-ナフチレン基を表し、nは
0〜9の整数 を表し、C*は不斉炭素原子を表し、R2
は炭素数2〜10のアルキル基を表す〕で示される液晶
化合物;並びにこの液晶化合物を少なくとも一種含有す
ることを特徴とする液晶組成物である。一般式(1)
中、R1で表される炭素数1〜18のアルキル基の具体
例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-
ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチ
ル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-
ウ ンデシル基、n-ドデシル基、n-テトラデシル基、
n-ヘキサデシル基、n-オクタデシル基などが挙げられ
る。これらのうち好ましいものは、炭素数3〜14のア
ルキル基である。
【0010】nは好ましくは、0〜5の整数である。R
2で表される炭素数2〜10のアルキル基の具体例とし
ては、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペ
ンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチ
ル基、n-ノニル基、n-デシル基などが挙げられる。こ
れらのうち好ましいものは、炭素数2〜6のアルキル基
である。本発明の液晶化合物の具体例としては、表1に
示すような基を有する化合物が挙げられる。
2で表される炭素数2〜10のアルキル基の具体例とし
ては、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペ
ンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチ
ル基、n-ノニル基、n-デシル基などが挙げられる。こ
れらのうち好ましいものは、炭素数2〜6のアルキル基
である。本発明の液晶化合物の具体例としては、表1に
示すような基を有する化合物が挙げられる。
【0011】
【表1】
【0012】表1中、各記号はそれぞれ以下の基を表
す。ETY;nC2H5− HEX;nC6H13−
OCT;nC8H17− NON;nC9H19− DE
C;nC10H21− UND;nC11H23−
す。ETY;nC2H5− HEX;nC6H13−
OCT;nC8H17− NON;nC9H19− DE
C;nC10H21− UND;nC11H23−
【0013】本発明の化合物は、例えば次に示す工程を
経て合成できる〔下記式中R1 、NAP、nおよびR2
は一般式(1)の場合と同一である〕。
経て合成できる〔下記式中R1 、NAP、nおよびR2
は一般式(1)の場合と同一である〕。
【0014】
【化5】
【0015】すなわち、6-ブロモ-2-ナフトールを塩
基の存在下、アルキル化剤(例えばハロゲン化アルキ
ル)と反応させることにより、一般式(3)の化合物を
得ることができる。一般式(3)の化合物と2,3-ジ
フルオロフェニルホウ酸(この化合物は、o-ジフルオ
ロベンゼンをn−ブチルリチウムを用いてリチウム化
し、ホウ酸トリメチルを反応させた後に酸で処理するこ
とにより得られる)を不活性ガス雰囲気下、パラジウム
触媒を用いて反応させることにより、一般式(4)の化
合物を得ることができる。一般式(4)の化合物をn−
ブチルリチウムを用いてリチウム化し、炭酸ガスを反応
させることにより、一般式(5)の化合物を得ることが
できる。一般式(5)の化合物をジエチルアゾジホルメ
ートとトリフェニルホスフィン存在下、一般式(6)で
示される光学活性アルコールと反応させることにより本
発明の化合物である一般式(1)の化合物を得ることが
できる。
基の存在下、アルキル化剤(例えばハロゲン化アルキ
ル)と反応させることにより、一般式(3)の化合物を
得ることができる。一般式(3)の化合物と2,3-ジ
フルオロフェニルホウ酸(この化合物は、o-ジフルオ
ロベンゼンをn−ブチルリチウムを用いてリチウム化
し、ホウ酸トリメチルを反応させた後に酸で処理するこ
とにより得られる)を不活性ガス雰囲気下、パラジウム
触媒を用いて反応させることにより、一般式(4)の化
合物を得ることができる。一般式(4)の化合物をn−
ブチルリチウムを用いてリチウム化し、炭酸ガスを反応
させることにより、一般式(5)の化合物を得ることが
できる。一般式(5)の化合物をジエチルアゾジホルメ
ートとトリフェニルホスフィン存在下、一般式(6)で
示される光学活性アルコールと反応させることにより本
発明の化合物である一般式(1)の化合物を得ることが
できる。
【0016】本発明の液晶化合物のラセミ体である液晶
化合物は、上記合成ルートにおいて光学活性アルコール
の代わりにラセミ体のアルコールを用いることにより得
ることができる。
化合物は、上記合成ルートにおいて光学活性アルコール
の代わりにラセミ体のアルコールを用いることにより得
ることができる。
【0017】液晶化合物は一般に2種以上の多成分から
成る液晶組成物の成分として用いられ、本発明の液晶化
合物も、液晶組成物の成分として利用することができ
る。本発明の液晶組成物は、複数の化合物の混合物から
なり、本発明の液晶化合物を少なくとも1種含有するも
のである。本発明の組成物としては、例えば、Sc相を
示す本発明の液晶組成物〔1〕および、Sc*相を示す
本発明の液晶組成物〔2〕が挙げられる。
成る液晶組成物の成分として用いられ、本発明の液晶化
合物も、液晶組成物の成分として利用することができ
る。本発明の液晶組成物は、複数の化合物の混合物から
なり、本発明の液晶化合物を少なくとも1種含有するも
のである。本発明の組成物としては、例えば、Sc相を
示す本発明の液晶組成物〔1〕および、Sc*相を示す
本発明の液晶組成物〔2〕が挙げられる。
【0018】本発明の液晶組成物〔1〕には、本発明の
ラセミ体である液晶化合物を少なくとも1種必須成分と
し、任意成分として他のSc相を示す液晶化合物(2-
4’-アルキルオキシフェニル-5-アルキルピリミジ
ン、2-4’-アルキルフェニル-5-アルキルオキシピリ
ミジン、2-4’-アルキルオキシオキシフェニル-5-ア
ルキルオキシピリミジン、2-p-アルキルオキシカルボ
ニルフェニル-5-アルキルピリミジン、2-4’-アルキ
ルオキシ-3’-フルオロフェニル-5-アルキルピリミジ
ン、2-4’-アルキルオキシ-2’,3’-ジフルオロフ
ェニル-5-アルキルピリミジン、2-4’- アルキルオ
キシフェニル-5-アルキルピリ ジン、2-4’-アルキ
ルオキシ-3’-フルオロフェニル-5-アルキルピリジン
等)、Sc相を示さないスメクチック液晶化合物および
ネマチック相を示す液晶化合物から選ばれる化合物を含
んだ混合物である。本発明の液晶組成物〔1〕中、本発
明の液晶化合物1種以上の含有量は通常5〜90重量%
である。
ラセミ体である液晶化合物を少なくとも1種必須成分と
し、任意成分として他のSc相を示す液晶化合物(2-
4’-アルキルオキシフェニル-5-アルキルピリミジ
ン、2-4’-アルキルフェニル-5-アルキルオキシピリ
ミジン、2-4’-アルキルオキシオキシフェニル-5-ア
ルキルオキシピリミジン、2-p-アルキルオキシカルボ
ニルフェニル-5-アルキルピリミジン、2-4’-アルキ
ルオキシ-3’-フルオロフェニル-5-アルキルピリミジ
ン、2-4’-アルキルオキシ-2’,3’-ジフルオロフ
ェニル-5-アルキルピリミジン、2-4’- アルキルオ
キシフェニル-5-アルキルピリ ジン、2-4’-アルキ
ルオキシ-3’-フルオロフェニル-5-アルキルピリジン
等)、Sc相を示さないスメクチック液晶化合物および
ネマチック相を示す液晶化合物から選ばれる化合物を含
んだ混合物である。本発明の液晶組成物〔1〕中、本発
明の液晶化合物1種以上の含有量は通常5〜90重量%
である。
【0019】本発明の液晶組成物〔2〕には、本発明の
液晶化合物を少なくとも1種必須成分とし、任意成分と
して本発明の液晶組成物〔1〕、他のSc相を示す液晶
化合物(2-4’-アルキルオキシフェニル-5-アルキル
ピリミジン、2-4’-アルキルフェニル-5-アルキルオ
キシピリミジン、2-4’-アルキルオキシオキシフェニ
ル-5-アルキルオキシピリミジン、2-p-アルキルオキ
シカルボニルフェニル-5-アルキルピリミジン、2-
4’-アルキルオキシ-3’-フルオロフェニル-5-アル
キルピリミジン、2-4’-アルキルオキシ-2’,3’-
ジフルオロフェニル-5-アルキルピリミジン、2-4’-
アルキルオキシフェニル-5-アルキルピリジン、2-
4’-アルキルオキシ-3’-フルオロフェニル-5-アル
キルピリジン等)、Sc*相を示す液晶化合物(光学活
性4-アルキルオキシ-4’-ビフェニルカルボン酸-p’
-(2-メチルブチルオキシカルボニル)フェニルエステ
ル、光学活性4-n-アルキルオキシ-4’-ビフェニルカ
ルボン酸-2-メチルブチルエステル等)、キラルな化合
物(特開昭63−99032、特開昭63−19084
3、特開平2−138274、特開平2−25667
3、特開平2−262579、特開平2−28667
3、特開平3−27374号公報等に記載の化合物)、
Sc相を示さないスメクチック液晶化合物、ネマチック
相を示す液晶化合物および2色性色素(アントラキノン
系色素、アゾ系色素等)から選ばれる化合物を含んだ混
合物である。本発明の液晶組成物〔2〕中、本発明の液
晶化合物1種以上の含有量は通常5〜90重量%であ
る。
液晶化合物を少なくとも1種必須成分とし、任意成分と
して本発明の液晶組成物〔1〕、他のSc相を示す液晶
化合物(2-4’-アルキルオキシフェニル-5-アルキル
ピリミジン、2-4’-アルキルフェニル-5-アルキルオ
キシピリミジン、2-4’-アルキルオキシオキシフェニ
ル-5-アルキルオキシピリミジン、2-p-アルキルオキ
シカルボニルフェニル-5-アルキルピリミジン、2-
4’-アルキルオキシ-3’-フルオロフェニル-5-アル
キルピリミジン、2-4’-アルキルオキシ-2’,3’-
ジフルオロフェニル-5-アルキルピリミジン、2-4’-
アルキルオキシフェニル-5-アルキルピリジン、2-
4’-アルキルオキシ-3’-フルオロフェニル-5-アル
キルピリジン等)、Sc*相を示す液晶化合物(光学活
性4-アルキルオキシ-4’-ビフェニルカルボン酸-p’
-(2-メチルブチルオキシカルボニル)フェニルエステ
ル、光学活性4-n-アルキルオキシ-4’-ビフェニルカ
ルボン酸-2-メチルブチルエステル等)、キラルな化合
物(特開昭63−99032、特開昭63−19084
3、特開平2−138274、特開平2−25667
3、特開平2−262579、特開平2−28667
3、特開平3−27374号公報等に記載の化合物)、
Sc相を示さないスメクチック液晶化合物、ネマチック
相を示す液晶化合物および2色性色素(アントラキノン
系色素、アゾ系色素等)から選ばれる化合物を含んだ混
合物である。本発明の液晶組成物〔2〕中、本発明の液
晶化合物1種以上の含有量は通常5〜90重量%であ
る。
【0020】強誘電性を示す液晶組成物は、電圧印加に
より光スイッチング現象を起こし、これを利用した応答
の速い液晶表示素子を作製できる〔たとえば特開昭56-1
07216号公報、特開昭59-118744号公報、エヌ エー クラ
ーク(N.A.Clark)、エス ティー ラガウォール(S.T.Lage
rwall);アプライド フィジックス レター(Applied Phy
sics Letter) 36、899(1980)など〕。
より光スイッチング現象を起こし、これを利用した応答
の速い液晶表示素子を作製できる〔たとえば特開昭56-1
07216号公報、特開昭59-118744号公報、エヌ エー クラ
ーク(N.A.Clark)、エス ティー ラガウォール(S.T.Lage
rwall);アプライド フィジックス レター(Applied Phy
sics Letter) 36、899(1980)など〕。
【0021】Sc*相を示す本発明の液晶組成物〔2〕
を、セル間隔0.5〜10μm、好ましく は0.5〜3μmの液
晶セルに真空封入し、両側偏光子を設置することによ
り、光スイッチング素子(液晶表示素子)とすることが
できる。上記液晶セルは透明電極を設け、表面を配向処
理した2枚のガラス基板をスペーサーを挟んで貼り合わ
せることによって作製することができる。上記スペーサ
ーとしては、アルミナビーズ、ガラスファイバー、ポリ
イミドフィルムなどが挙げられる。配向処理方法として
は、通常の配向処理、たとえばポリイミド膜のラビング
処理、SiO斜め蒸着などが適用できる。
を、セル間隔0.5〜10μm、好ましく は0.5〜3μmの液
晶セルに真空封入し、両側偏光子を設置することによ
り、光スイッチング素子(液晶表示素子)とすることが
できる。上記液晶セルは透明電極を設け、表面を配向処
理した2枚のガラス基板をスペーサーを挟んで貼り合わ
せることによって作製することができる。上記スペーサ
ーとしては、アルミナビーズ、ガラスファイバー、ポリ
イミドフィルムなどが挙げられる。配向処理方法として
は、通常の配向処理、たとえばポリイミド膜のラビング
処理、SiO斜め蒸着などが適用できる。
【0022】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に説明する
が、本発明はこれに限定されない。 実施例 1 表1中No.2の化合物の製造 o-ジフルオロベンゼン16.6gを乾燥テトラヒドロフラ
ン220mlに溶かし、ドライアイス-アセトンバスで−60
℃以下に冷却した。これにn-ブチルリチウムのヘキサ
ン溶液(15%)99mlを−60℃以下で滴下しそのまま3
時間攪拌した。次にホウ酸トリメチル20.0gを−60℃
以下で加え更に30分間攪拌した後、ドライアイス-ア
セトンバスを外し、0℃になるまで攪拌した。水、次い
で1N塩酸を加え、エーテルで抽出した。エーテル層を
水洗した後、エーテルを留去することにより、白色固体
の2,3-ジフルオロフェニルホウ酸21.1gを得た。 6-ブロモ-2-n-デシルオキシナフタレン(この化合
物は、6-ブロモ-2-ナフトールを塩基の存在下、デシ
ルブロマイドと反応させることにより得ることができ
る)5.0gとで得た2,3-ジフルオロフェニルホウ酸
2.2gをトリエチルアミン120ml中、触媒にテトラキスト
リフェニルホスフィンパラジウム(0)318mgとトリフェニ
ルホスフィン318mgを用いて、窒素雰囲気下10時間加
熱還流した。反応終了後、トリエチルアミンを除去し、
トルエンで抽出した。トルエン層を1N塩酸、水で洗浄
後、シリカゲルカラムで精製し、エタノールから再結晶
することにより、白色固体の2-(2,3-ジフルオロフ
ェニル)-6-n-デシルオキシナフタレン4.7gを得た。
で得た2-(2,3-ジフルオロフェニル)-6-n-
デシルオキシナフタレン8.0gとN、N、N’、N’-テ
トラメチルエチレンジアミン7.0gを乾燥テトラヒドロフ
ラン100mlに溶かし、ドライアイス-アセトンバスで−6
0℃以下に冷却した。これにn-ブチルリチウムのヘキ
サン溶液(15%)14mlを−60℃以下で滴下しそのまま
3時間攪拌した。次に炭酸ガスを−60℃以下で吹き込
み、ドライアイス-アセトンバスを外し、0℃になるま
で攪拌した。水、次いで1N塩酸を加え、エーテルで抽
出した。エーテル層を水洗した後、エーテルを留去する
ことにより、白色固体の2-(2,3-ジフルオロ-4-カ
ルボキシフェニル)-6-n-デシルオキシナフタレン6.7
gを得た。で得た2-(2,3-ジフルオロ-4-カル
ボキシフェニル)-6-n-デシルオキシナフタレン2.0g
(4.5mmol)、光学活性4-メチルヘキサノール0.6g(5.
0mmol)、トリフェニルホスフィン1.4g(4.5mmol)を乾
燥テトラヒドロフラン50mlに溶かし、これに10℃以下
でジエチルアゾジホルメート0.9g(5.2mmol)を加え、
室温で一晩攪拌した。テトラヒドロフランを留去後、ヘ
キサンで抽出した。ヘキサンを留去後、得られた固体を
シリカゲルカラムで精製し、エタノールから3回再結晶
することより、本発明の化合物である表1中No.2の
化合物1.7g(3.2mmol)を得た。化合物の構造は、NM
R(核磁気共鳴スペクトル分析)、MS(質量分析)、
IR(赤外吸収スペクトル分析)および元素分析により
確認した。 IR ( cm-1) 2926.0 2856.0 1715.0 1628.0 1462.0 1394.0 1301.0 1280.0 1218.0 1205.0 1125.0 843.0 775.0 NMR (ppm) 0.83〜0.94(m,9H) 1.12〜1.43(m,15H) 1.43〜1.56(m,4H) 1.71〜1.92(m,4H) 4.09(t,2H) 4.36(t,2H) 7.13〜7.23(m,2H) 7.32〜7.40(m,1H) 7.59〜7.68(m,1H) 7.73〜7.84(m,3H) 7.97(s,1H) 19F-NMR -58.7(dd,1F) -66.4(dd,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:75.84 C:75.68 H:8.18 H:8.31 F:7.06 F:7.14
が、本発明はこれに限定されない。 実施例 1 表1中No.2の化合物の製造 o-ジフルオロベンゼン16.6gを乾燥テトラヒドロフラ
ン220mlに溶かし、ドライアイス-アセトンバスで−60
℃以下に冷却した。これにn-ブチルリチウムのヘキサ
ン溶液(15%)99mlを−60℃以下で滴下しそのまま3
時間攪拌した。次にホウ酸トリメチル20.0gを−60℃
以下で加え更に30分間攪拌した後、ドライアイス-ア
セトンバスを外し、0℃になるまで攪拌した。水、次い
で1N塩酸を加え、エーテルで抽出した。エーテル層を
水洗した後、エーテルを留去することにより、白色固体
の2,3-ジフルオロフェニルホウ酸21.1gを得た。 6-ブロモ-2-n-デシルオキシナフタレン(この化合
物は、6-ブロモ-2-ナフトールを塩基の存在下、デシ
ルブロマイドと反応させることにより得ることができ
る)5.0gとで得た2,3-ジフルオロフェニルホウ酸
2.2gをトリエチルアミン120ml中、触媒にテトラキスト
リフェニルホスフィンパラジウム(0)318mgとトリフェニ
ルホスフィン318mgを用いて、窒素雰囲気下10時間加
熱還流した。反応終了後、トリエチルアミンを除去し、
トルエンで抽出した。トルエン層を1N塩酸、水で洗浄
後、シリカゲルカラムで精製し、エタノールから再結晶
することにより、白色固体の2-(2,3-ジフルオロフ
ェニル)-6-n-デシルオキシナフタレン4.7gを得た。
で得た2-(2,3-ジフルオロフェニル)-6-n-
デシルオキシナフタレン8.0gとN、N、N’、N’-テ
トラメチルエチレンジアミン7.0gを乾燥テトラヒドロフ
ラン100mlに溶かし、ドライアイス-アセトンバスで−6
0℃以下に冷却した。これにn-ブチルリチウムのヘキ
サン溶液(15%)14mlを−60℃以下で滴下しそのまま
3時間攪拌した。次に炭酸ガスを−60℃以下で吹き込
み、ドライアイス-アセトンバスを外し、0℃になるま
で攪拌した。水、次いで1N塩酸を加え、エーテルで抽
出した。エーテル層を水洗した後、エーテルを留去する
ことにより、白色固体の2-(2,3-ジフルオロ-4-カ
ルボキシフェニル)-6-n-デシルオキシナフタレン6.7
gを得た。で得た2-(2,3-ジフルオロ-4-カル
ボキシフェニル)-6-n-デシルオキシナフタレン2.0g
(4.5mmol)、光学活性4-メチルヘキサノール0.6g(5.
0mmol)、トリフェニルホスフィン1.4g(4.5mmol)を乾
燥テトラヒドロフラン50mlに溶かし、これに10℃以下
でジエチルアゾジホルメート0.9g(5.2mmol)を加え、
室温で一晩攪拌した。テトラヒドロフランを留去後、ヘ
キサンで抽出した。ヘキサンを留去後、得られた固体を
シリカゲルカラムで精製し、エタノールから3回再結晶
することより、本発明の化合物である表1中No.2の
化合物1.7g(3.2mmol)を得た。化合物の構造は、NM
R(核磁気共鳴スペクトル分析)、MS(質量分析)、
IR(赤外吸収スペクトル分析)および元素分析により
確認した。 IR ( cm-1) 2926.0 2856.0 1715.0 1628.0 1462.0 1394.0 1301.0 1280.0 1218.0 1205.0 1125.0 843.0 775.0 NMR (ppm) 0.83〜0.94(m,9H) 1.12〜1.43(m,15H) 1.43〜1.56(m,4H) 1.71〜1.92(m,4H) 4.09(t,2H) 4.36(t,2H) 7.13〜7.23(m,2H) 7.32〜7.40(m,1H) 7.59〜7.68(m,1H) 7.73〜7.84(m,3H) 7.97(s,1H) 19F-NMR -58.7(dd,1F) -66.4(dd,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:75.84 C:75.68 H:8.18 H:8.31 F:7.06 F:7.14
【0023】実施例 2表1中No.1の化合物の製造
実施例1のにおいて光学活性4-メチルヘキサノー
ルに代えて、光学活性2-メチル-1-ブタノールを同じ
モル比で用いた以外は実施例1のと同様の操作を行う
ことにより、本発明の化合物である表1中No.1の化
合物を得た。 IR ( cm-1) 2926.0 2856.0 1715.0 1628.0 1497.0 1460.0 1394.0 1303.0 1205.0 1125.0 843.0 775.0 NMR (ppm) 0.88(t,3H) 0.98(t,3H) 1.04(d,3H) 1.20〜1.43(m,11H) 1.43〜1.60(m,4H) 1.78〜1.94(m,4H) 4.08(t,2H) 4.13〜4.31(m,2H) 7.12〜7.23(m,2H) 7.32〜7.40(m,1H) 7.59〜7.67(m,1H) 7.74〜7.84(m,3H) 7.98(s,1H) 19F-NMR -58.6(dd,1F) -66.4(dd,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:75.30 C:75.17 H:7.84 H:7.99 F:7.45 F:7.40
実施例1のにおいて光学活性4-メチルヘキサノー
ルに代えて、光学活性2-メチル-1-ブタノールを同じ
モル比で用いた以外は実施例1のと同様の操作を行う
ことにより、本発明の化合物である表1中No.1の化
合物を得た。 IR ( cm-1) 2926.0 2856.0 1715.0 1628.0 1497.0 1460.0 1394.0 1303.0 1205.0 1125.0 843.0 775.0 NMR (ppm) 0.88(t,3H) 0.98(t,3H) 1.04(d,3H) 1.20〜1.43(m,11H) 1.43〜1.60(m,4H) 1.78〜1.94(m,4H) 4.08(t,2H) 4.13〜4.31(m,2H) 7.12〜7.23(m,2H) 7.32〜7.40(m,1H) 7.59〜7.67(m,1H) 7.74〜7.84(m,3H) 7.98(s,1H) 19F-NMR -58.6(dd,1F) -66.4(dd,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:75.30 C:75.17 H:7.84 H:7.99 F:7.45 F:7.40
【0024】実施例 3表1中No.4の化合物の製造
実施例1のにおいて光学活性4-メチルヘキサノー
ルに代えて、光学活性1-メチルオクタノールを同じモ
ル比で用いた以外は実施例1のと同様の操作を行うこ
とにより、本発明の化合物である表1中No.4の化合
物を得た。 IR ( cm-1) 2926.0 2856.0 1711.0 1628.0 1605.0 1497.0 1460.0 1394.0 1301.0 1280.0 1218.0 1203.0 1125.0 843.0 774.0 NMR (ppm) 0.84〜0.95(m,6H) 1.20〜1.82(m,29H) 4.11(t,2H) 5.15〜5.28(m,1H) 7.15〜7.25(m,2H) 7.33〜7.39(m,1H) 7.60〜7.66(m,1H) 7.74〜7.85(m,3H) 7.99(s,1H) 19F-NMR -58.9(dd,1F) -66.6(dd,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:76.09 C:76.13 H:8.33 H:8.19 F:6.88 F:6.75
実施例1のにおいて光学活性4-メチルヘキサノー
ルに代えて、光学活性1-メチルオクタノールを同じモ
ル比で用いた以外は実施例1のと同様の操作を行うこ
とにより、本発明の化合物である表1中No.4の化合
物を得た。 IR ( cm-1) 2926.0 2856.0 1711.0 1628.0 1605.0 1497.0 1460.0 1394.0 1301.0 1280.0 1218.0 1203.0 1125.0 843.0 774.0 NMR (ppm) 0.84〜0.95(m,6H) 1.20〜1.82(m,29H) 4.11(t,2H) 5.15〜5.28(m,1H) 7.15〜7.25(m,2H) 7.33〜7.39(m,1H) 7.60〜7.66(m,1H) 7.74〜7.85(m,3H) 7.99(s,1H) 19F-NMR -58.9(dd,1F) -66.6(dd,1F) 元素分析値 理論値(%) 実測値(%) C:76.09 C:76.13 H:8.33 H:8.19 F:6.88 F:6.75
【0025】実施例 4実施例1の化合物(表1中N
o.2の化合物)と下記化6〜化14で示される化合物
を表2に示す割合で混合して、本発明の液晶組成物を得
た。
o.2の化合物)と下記化6〜化14で示される化合物
を表2に示す割合で混合して、本発明の液晶組成物を得
た。
【0026】
【化6】
【0027】
【化7】
【0028】
【化8】
【0029】
【化9】
【0030】
【化10】
【0031】
【化11】
【0032】
【化12】
【0033】
【化13】
【0034】
【化14】
【0035】化12および化13中、NAPは2,6-
ナフチレン基を、化6〜化9および化14中、C*は不
斉炭素原子を表す。
ナフチレン基を、化6〜化9および化14中、C*は不
斉炭素原子を表す。
【0036】
【表2】
【0037】この液晶組成物を、配向処理剤としてポリ
イミドを塗布し、表面をラビングして反平行処理を施し
た透明電極を備えたセル厚2μmのセルに注入して光ス
イッチング素子を作った。この素子を2枚の直交する偏
光子の間に設置し、±10Vの電圧印加時の応答速度を
測定すると、25℃において39μ秒であった。またそ
の配向状態は、ジグザグ欠陥のない均一なものであっ
た。
イミドを塗布し、表面をラビングして反平行処理を施し
た透明電極を備えたセル厚2μmのセルに注入して光ス
イッチング素子を作った。この素子を2枚の直交する偏
光子の間に設置し、±10Vの電圧印加時の応答速度を
測定すると、25℃において39μ秒であった。またそ
の配向状態は、ジグザグ欠陥のない均一なものであっ
た。
【0038】実施例1〜実施例4で得られた化合物およ
び組成物の相転移温度を表3に示す。
び組成物の相転移温度を表3に示す。
【0039】
【表3】
【0040】表3中各記号は、それぞれ以下の意味を表
す。 Cry;結晶相 Sc* ;カイラルスメクチックC相 SA ;スメクチックA相 Iso;等方性液体相 ・ ;相が存在する ( );モノトロピック相を表す − ;相が存在しない <RT;室温以下
す。 Cry;結晶相 Sc* ;カイラルスメクチックC相 SA ;スメクチックA相 Iso;等方性液体相 ・ ;相が存在する ( );モノトロピック相を表す − ;相が存在しない <RT;室温以下
【0041】
【発明の効果】本発明の液晶化合物は、Sc*液晶組成
物の成分として用いることにより、この組成物の配向性
を向上させ、コントラスト比を高くすることができる。
従って、本発明の化合物および組成物は、液晶表示素子
に用いる液晶材料として有用である。
物の成分として用いることにより、この組成物の配向性
を向上させ、コントラスト比を高くすることができる。
従って、本発明の化合物および組成物は、液晶表示素子
に用いる液晶材料として有用である。
フロントページの続き (72)発明者 吉尾 邦清 京都市東山区一橋野本町11番地の1 三洋 化成工業株式会社内 (72)発明者 柳 達朗 京都市東山区一橋野本町11番地の1 三洋 化成工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項1】 下記一般式 【化1】 〔式中、R1は炭素数1〜18のアルキル基を表し、N
APは2,6-ナフチレン基を表し、nは0〜9の整数
を表し、C*は不斉炭素原子を表し、R2は炭素数2〜
10のアルキル基を表す〕で示される液晶化合物。 - 【請求項2】 複数の化合物の混合物からなり、請求項
1記載の液晶化合物を少なくとも一種含有することを特
徴とする液晶組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4206001A JPH0625101A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 液晶化合物および組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4206001A JPH0625101A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 液晶化合物および組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0625101A true JPH0625101A (ja) | 1994-02-01 |
Family
ID=16516268
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4206001A Pending JPH0625101A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 液晶化合物および組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0625101A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4243389A1 (de) * | 1992-12-21 | 1994-06-23 | Sued Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von Sorptionsmitteln zur Aufnahme von Flüssigkeiten |
US6414105B2 (en) | 1998-09-03 | 2002-07-02 | Nitto Denko Corporation | Aromatic polycarbodiimide and sheet thereof |
US8987440B2 (en) | 2008-12-15 | 2015-03-24 | Teijin Limited | Cyclic carbodiimide compounds |
-
1992
- 1992-07-08 JP JP4206001A patent/JPH0625101A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4243389A1 (de) * | 1992-12-21 | 1994-06-23 | Sued Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von Sorptionsmitteln zur Aufnahme von Flüssigkeiten |
US6414105B2 (en) | 1998-09-03 | 2002-07-02 | Nitto Denko Corporation | Aromatic polycarbodiimide and sheet thereof |
US8987440B2 (en) | 2008-12-15 | 2015-03-24 | Teijin Limited | Cyclic carbodiimide compounds |
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