JPH04358091A - 電気めっき溶液組成物 - Google Patents
電気めっき溶液組成物Info
- Publication number
- JPH04358091A JPH04358091A JP3009334A JP933491A JPH04358091A JP H04358091 A JPH04358091 A JP H04358091A JP 3009334 A JP3009334 A JP 3009334A JP 933491 A JP933491 A JP 933491A JP H04358091 A JPH04358091 A JP H04358091A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- acid
- component
- additive
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 74
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims description 56
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 123
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 27
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 15
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 6
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 claims abstract 14
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 12
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 70
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 20
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 18
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 18
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- -1 copper fluoroborate Chemical compound 0.000 claims description 11
- AFEITPOSEVENMK-UHFFFAOYSA-N 1-(2-hydroxyethyl)imidazolidine-2-thione Chemical compound OCCN1CCNC1=S AFEITPOSEVENMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 claims description 9
- OBDVFOBWBHMJDG-UHFFFAOYSA-N 3-mercapto-1-propanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CCCS OBDVFOBWBHMJDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 5
- 238000013019 agitation Methods 0.000 claims description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 5
- WGJCBBASTRWVJL-UHFFFAOYSA-N 1,3-thiazolidine-2-thione Chemical compound SC1=NCCS1 WGJCBBASTRWVJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FHTDDANQIMVWKZ-UHFFFAOYSA-N 1h-pyridine-4-thione Chemical compound SC1=CC=NC=C1 FHTDDANQIMVWKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- REEBJQTUIJTGAL-UHFFFAOYSA-N 3-pyridin-1-ium-1-ylpropane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)CCC[N+]1=CC=CC=C1 REEBJQTUIJTGAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims description 4
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PDQAZBWRQCGBEV-UHFFFAOYSA-N Ethylenethiourea Chemical compound S=C1NCCN1 PDQAZBWRQCGBEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005282 brightening Methods 0.000 claims description 4
- VJFMSYZSFUWQPZ-MBZVMHRFSA-N cupreine Chemical compound C1=C(O)C=C2C([C@H]([C@@H]3[N@]4CC[C@H]([C@H](C4)C=C)C3)O)=CC=NC2=C1 VJFMSYZSFUWQPZ-MBZVMHRFSA-N 0.000 claims description 4
- VJFMSYZSFUWQPZ-UHFFFAOYSA-N demethyl quinine Natural products C1=C(O)C=C2C(C(C3N4CCC(C(C4)C=C)C3)O)=CC=NC2=C1 VJFMSYZSFUWQPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229960001484 edetic acid Drugs 0.000 claims description 4
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L potassium sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L 0.000 claims description 4
- 229940074439 potassium sodium tartrate Drugs 0.000 claims description 4
- KCXFHTAICRTXLI-UHFFFAOYSA-N propane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCS(O)(=O)=O KCXFHTAICRTXLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000011006 sodium potassium tartrate Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 4
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 18
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 9
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 9
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 6
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(trifluoromethoxy)phenyl]ethanol Chemical compound OCCC1=CC=C(OC(F)(F)F)C=C1 RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229960004106 citric acid Drugs 0.000 claims 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims 3
- PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J dicopper;phosphonato phosphate Chemical compound [Cu+2].[Cu+2].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims 3
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 claims 3
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 claims 3
- LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N n'-hydroxy-2-propan-2-ylsulfonylethanimidamide Chemical compound CC(C)S(=O)(=O)CC(N)=NO LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 claims 3
- 229920001281 polyalkylene Polymers 0.000 claims 3
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 claims 3
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 3
- 229960001367 tartaric acid Drugs 0.000 claims 3
- 229940076286 cupric acetate Drugs 0.000 claims 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 38
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 38
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 5
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- MZGNSEAPZQGJRB-UHFFFAOYSA-N dimethyldithiocarbamic acid Chemical group CN(C)C(S)=S MZGNSEAPZQGJRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 235000008331 Pinus X rigitaeda Nutrition 0.000 description 2
- 235000011613 Pinus brutia Nutrition 0.000 description 2
- 241000018646 Pinus brutia Species 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L dimercury dichloride Chemical compound Cl[Hg][Hg]Cl ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003871 sulfonates Chemical class 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WRBSVISDQAINGQ-UHFFFAOYSA-N 3-(dimethylcarbamothioylsulfanyl)propane-1-sulfonic acid Chemical compound CN(C)C(=S)SCCCS(O)(=O)=O WRBSVISDQAINGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229940075397 calomel Drugs 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.[Cu+2].[O-]S([O-])(=O)=O JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000009859 metallurgical testing Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/423—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/16—Inspection; Monitoring; Aligning
- H05K2203/162—Testing a finished product, e.g. heat cycle testing of solder joints
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
内壁に金属被覆を均一に付着させるために用いられる電
気めっき溶液に関する。特に、本発明は付着層のレベリ
ングまたは耐熱応力性を犠牲にすることなく、溶液のス
ルーパワーを高めるように作用する電気めっき溶液への
添加剤に関する。金属被膜によって物品を電気めっきす
る方法は技術上周知である。このような方法はめっき溶
液中の2電極(このうちの1電極は被めっき物品である
)の間に電流を通すことを含む。酸−銅めっき溶液は溶
解した銅(通常は硫酸銅)、浴に導電性を与えるために
充分な量での例えば硫酸のような酸電解質およびめっき
反応の効率と金属付着層の質とを改良するための適当な
添加剤を含む。このような添加剤には界面活性剤、光沢
剤、レベリング剤、抑制剤等がある。電気銅めっき溶液
な多くの工業的用途に用いられる。例えば、自動車工業
に、次に塗装される化粧被覆および防蝕被覆の基層とし
て用いられる。これらはまた、エレクトロニクス工業、
特に印刷回路板の製造に用いられる。回路製造のために
、印刷回路板の表面の特定部分上および回路板基体材料
の面の間を横切るスルーホールの内壁上に銅が電気めっ
きされる。スルーホールの内壁は回路板の各面の回路層
の間に導電性を与えるために金属化される。
ために開発された電気銅めっき溶液を用いた。しかし、
印刷回路板が複雑に成り、工業基準が厳しく成るにつれ
て、化粧めっきに用いられる溶液は回路板製造に不充分
であることが分かってきた。電気銅めっき溶液の使用が
直面する重大な問題はスルーホールの内壁の不均一な厚
さの被覆であり、付着層はホールの上部と底部で厚くな
り、中央で薄くなり、「ドッグ ボーン化」として技
術上知られる状態に成る。スルーホールの中央の薄い付
着層は回路欠陥と回路板不合格を生ずることになる。
ルの中央との間の電圧低下によって生ずる。この電圧低
下は電流密度、ホールの長さと直径との比(アスペクト
比)および回路板の厚さの関数である。アスペクト比と
回路板の厚さが増すにつれて、回路板の表面とスルーホ
ールの中央との間の電圧低下のためにドッグボーン化は
重度になる。この電圧低下は溶液抵抗;質量移動による
表面〜ホール過電圧の差ーすなわち回路板表面上の溶液
の移動に比べたホールを通る溶液の流れの差;および表
面に比べた、ホール内での添加剤の濃縮の結果としての
電荷移動の差を含めた要素の組み合わせによって生ずる
。
を求めている。密度を高めるために、回路板工業はスル
ーホールを有する、すなわち多層を横切る相互連絡を有
する多層回路に依存している。多層回路製造は板の厚さ
を全体的に増加させ、同時に板を横切る相互連絡の長さ
を増加させる。このことは回路密度の増加がアスペクト
比とホール長さとを増加させ、ドッグ ボーン化問題
の重度を高めることを意味する。高密度回路板では、ア
スペクト比は典型的に10:1より大きい。
arbien)の「印刷配線板用途のための酸−硫酸銅
付着層の特徴(Characteristicsof
Acid Copper Sulfate D
eposits for Printed Wi
ring Board Application)
」、プレーティング アンド サーフェイス フ
ィニッシュイング(Plating andSurf
ace Finishing)45〜49頁、3月1
981;マラク(Malak)の「印刷回路板の酸−銅
めっき(Acid Copper Plating
of Printed Circuits)、プ
ロダクツス フィニッシュイング(Products
Finishing)38〜44頁、3月1981
;および「高アスペクト比の多層板のめっき(Plat
ing High Aspect Ratio
Maltilayer Boards)、PCFA
B 85−94頁、10月 1987(これらは全
てここに参考文献として関係する)によって例示される
先行技術は、電気めっき溶液の酸:金属イオンの比が上
昇するとめっき溶液のスルーパワーと付着層分布とが改
良されることを示唆している。先行技術は、この比が金
属イオン濃度を一定に維持しながら酸濃度を高めること
によってまたは酸濃度を一定に維持しながら金属イオン
濃度を減ずることによって変化されることを教えている
。スルーパワーのこのような改良方法の使用は陽極分極
を招き、めっき反応を低下させ、または金属濃度を低下
させて、ドッグ ボーン化問題を劣化させる。
対して、表面対ホールの比はアスペクト比(ホール直径
によって除した回路板厚さ)の増加と共に増大する。 3.0未満のアスペクト比および良好なめっき添加剤に
よると、この効果は最小になり、ホール内のめっき分布
は表面対ホールの比が1.0に近づくにつれてかなり均
一に成る。アスペクト比が増大すると、ホール内を均一
にめっきするために、物理的および化学的の両パラメー
ターを最適化しなければならない。めっきの最適化には
銅めっき添加剤を用いることができる。アマジ(Ama
di)には、この添加剤が多成分の有機物質であり、光
沢剤およびキャリアーのみが高アスペクト比多層板のめ
っき分布に影響を与えることが判明したと示唆されてい
る。アマジはさらに、キャリアーのレベルを高めると、
ホール内のめっき分布が改良されるが、光沢剤が作用し
なくなる臨界濃度も存在することを示唆している。
ラッドラミネートのめっきホールの非金属表面の電気め
っき方法を述べている。この方法は2種類の金属を優先
めっきする浴成分を使用する。本発明の方法は上記特許
とは、優先めっきを用いない点で異なる、この特許では
この成分が初期被覆を助成するが、銅の薄層がめっきさ
れたならば、系は優先めっきを続けるために充分な抵抗
をもはや有さなくなる。 厚い、高アスペクト比スル
ーホール板のめっきは方法の二つの基本的領域すなわち
流体動力学と電気化学とによって制御される。流体動力
学は表面張力の役割と、ホール内に金属イオンを補充す
るために必要な溶液交換度とに関する。高アスペクト比
ホールのめっき中に、ホール内の金属イオン欠乏溶液を
新鮮な溶液と充分に交換しなければならない。さもなく
ば、ホール内のめっき反応が強く分極され、ホール内の
付着速度が表面の付着速度に比べて緩慢になる。ホール
内のほぼ一定の銅濃度を保証するために必要なスルーホ
ール撹拌を与えるにはごく小さい圧力を要するに過ぎな
いことが判明しており、これらの圧力が適度のカソード
運動によって容易に得られることは周知である。
米国特許第4,897,165号)において以前に考察
されている。この特許は最適化酸−銅浴におけるスルー
ホール開口内のスルーパワーを改良する高分子量の界面
活性剤の使用を述べている。めっき浴の電気化学の役割
はプロセスの改良のために最大の面積を与えることであ
る。スルーパワーはホール中央の銅付着層の厚さ:表面
における銅付着層の厚さの比として定義される。印刷回
路板の高アスペクト比ホールをめっきするには、この比
は約0.5:1より大きくあるべきである。ホール中央
のめっき電流密度が回路板表面に流れる電流密度と同じ
である場合に最適のスルーパワーが得られる。
きに利用可能なエネルギーに依存することが、電気化学
的研究を用いて発見されている。特定浴の過電圧測定は
浴のスルーパワーと浴エージ(bath age)と
しての浴組成との制御手段を与える。めっき添加剤は電
荷移動過電圧に明白な影響を与えるので、これを用いて
スルーパワーに有利に影響を与えることができる。
別なスルーパワー、光沢ある付着層および付着層の優れ
た機械的性質を必要とする厚い印刷回路板の高アスペク
ト比ホールをめっきっすることができなかった。本発明
は上記の要件の全てを扱うものである本発明は厚い印刷
回路板の高アスペクト比スルーホールのめっきに用いら
れる酸−銅めっき浴への添加剤を述べる。この添加剤は
、添加剤が少なくとも150mVの最小電荷移動過電圧
シフトを生じなければならないという基準に基づいて特
定の浴に対して選択される、この電荷移動シフトは浴の
撹拌に関係なく、また表面の溶液電位に関係ないもので
なければならない。または、添加剤はホール内の過電圧
シフトが表面の過電圧シフトよりも小さくなるような過
電圧差を生じなければならない。
であり、上記基準を満たす限り、湿潤剤、光沢剤および
レベリング剤の1種類以上を含む。浴への添加の前に、
成分の混合比を過電圧シフトに基づく基準によって予め
定めなければならない。さらに、過電圧の変化に基づい
て老化浴の補充による調節を行わなければならない。図
1は、好ましい1成分添加剤として様々な湿潤剤を用い
た場合の浴の電流密度:電位のグラフである。
加剤、2成分添加剤および3成分添加剤を用いた場合の
浴の電流密度:電位のグラフである。
1成分添加剤として種々な湿潤剤とを用いた測定によっ
て、浴のホール電流密度の変化を示す棒グラフである。
添加剤、2成分添加剤および3成分添加剤を用いた測定
によって、浴のホール電流密度の変化を示す棒グラフで
ある。 図5は、3成分添加剤の添加によって経時的
に変化する、浴の電流密度:電位のグラフである。
流密度:電位のグラフであり、生ずる変化は1成分の破
壊を生ずる。
銅クラッドプラスチックーすなわち、銅クラッドエポキ
シパネルである。説明のために回路板の製造にサブトラ
クティブ方法(sabtractive techn
ique)を用いると、回路形成の前に、孔あけと金属
化とによって板に導電性スルーホールを形成する。導電
性スルーホールを形成方法は技術上周知であり、ここに
参考文献として関係する米国特許第4,515,829
号を含めた多くの刊行物に述べられている。スルーホー
ル内壁上の第1金属被覆の形成には無電解めっき方法が
用いられ、次に付着層の厚さを強化するために電気銅付
着が用いられる。または、米国特許第4,683,03
6号に開示されているように、適当に製造されたスルー
ホール内壁上に直接、電気銅をめっきすることもできる
。 スルーホールの無電解めっき方法は本発明に関係しない
。
た導電性スルーホール上に例えば同時係属特許に述べら
れているような電気めっき溶液を用いて銅を電気めっき
することである。本発明による好ましい電気銅めっき溶
液は次の無機成分を含む: 銅イオン 3.0
〜8.0g/L 硫酸
酸:銅比40:1〜60:1に充分な
量 クロリドイオン 20〜
100mg/L 水
全量を1Lにするまで酸:銅濃度
を定義する比に関しては、低い銅含量では大きい許容範
囲が可能である。銅(金属)含量が溶液1Lにつき最大
10.0gにまで増加すると、酸:銅の最大比は低下す
る。
、例えば界面活性剤、光沢剤、イクザルタント(exa
ltant),レベリング剤、抑制剤等のような、他の
添加剤をめっき浴に用いる。大抵の添加剤が通常用いら
れるが、様々な個々の添加剤は浴の性能特性を助成する
かまたは抑制するかのいずれかである。本発明は1種類
以上の通常の添加剤を用いて、過電圧シフト要件を満た
す複合添加剤を形成する湿潤剤、レベリング剤および光
沢剤の添加の電気化学的研究によって、電荷移動電位の
最小過電圧シフトの生成に基づいて複合添加剤が開発さ
れた。ホール中央のめっき電流密度が板表面上を流れる
電流密度と同じである場合に最適スルーパワーが得られ
る。めっき電流密度は総過電圧、すなわち銅の電着に利
用可能なエネルギーに依存する。電荷移動過電圧は導電
性基体上で銅イオン(Cu+2)を放電させて金属銅(
Cu0)にするために必要なエネルギーである。質量移
動過電圧は導電性基体の水力学的境界層のための濃度勾
配を克服するために必要なエネルギーである。
るときに、電流に対する抵抗は板の表面ではスルーホー
ル内とは異なる。表面では、過電圧は抵抗が(Rct)
によって表される電荷移動電位(ηct)と、抵抗が(
Rmt)によって表される質量移動電位(ηmt)とに
よって抵抗される。ホール内では、同じ2抵抗によって
抵抗されるが、表面とホール中央との間の付加的なオー
ム溶液抵抗(Rhole)によっても抵抗される。
るようにホール中央を流れる電流:表面を流れる電流の
比である:
響を有しており、これを用いてスルーパワーに有利に影
響を与えることができる。本発明の目的の一つは表面の
過電圧シフトよりも小さいホール内の過電圧シフトを生
ずるような添加剤に基づいて複合添加剤を選択すること
であった。この目的は添加剤と系との電位または撹拌相
互作用によって達成される。湿潤剤が高電位領域(ホー
ルに対して表面上)でより強く吸着する場合には、電荷
移動抵抗は一般に上昇する、または添加剤の吸着層が厚
くなるので表面での反応が緩慢になる。光沢剤、または
より詳しくは光沢剤の分解生成物が低電位(ホールの内
側)においてより強く吸着する場合には、電荷移動電位
は減少し、これによってホール内の電流密度は表面に比
べて増加する。添加剤と電位とのこれらの両タイプの相
互作用が浴のスルーパワーを高め、スルーホール内のめ
っきを改良する。
例えばポリエチレンオキシド(分子量30万〜4百万)
、ポリオキシアルキレングリコール、ポリオキシアルキ
レンのブロックコポリマー、ポリアルキレングリコール
、アルキルポリエーテルスルホネートのような湿潤剤;
例えばアルコキシル化ジアミン、エトキシル化アミン、
ポリオキシアルキレンアミンのような錯生成界面活性剤
(compleking surfactant);
およびエントプロール、くえん酸、エデト酸、酒石酸、
酒石酸カリウムナトリウム、アセトニトリル、クプレイ
ンおよびピリジンを含めた、第二銅イオンおよび第一銅
イオンの錯生成剤がある。最も好ましい湿潤剤はアルコ
キシル化ジアミンである。添加剤の調合に用いる量は通
常、浴の重量を基準にして100〜10,000ppm
の範囲内である。
える光沢剤はn,n−ジメチルージチオカルバミン酸−
(3−スルホプロピル)−エステル、3−メルカプトー
プロピルスルホン酸(ナトリウム塩)、3−メルカプト
ー1−プロパンスルホン酸(カリウム塩)によるカルボ
ン酸−ジチオーo−エチルエステルーs−エステル、ビ
ススルホプロピルジスルフィド、3−(ベンズチアゾリ
ルーs−チオ)プロピルスルホン酸(ナトリウム塩)、
ピリジニウムプロピルスルホベタインまたは上記の2種
類の組み合わせから成る群から選択される。最も好まし
い光沢剤はn,n−ジメチルージチオカルバミン酸−(
3−スルホプロピル)−エステルである。光沢剤は浴の
重量を基準にして0.010〜3.0ppmの範囲内の
量で加えられる。
めに用いられ、1−(2−ヒドロキシエチル)−2−イ
ミダゾリジンチオン、4−メルカプトピリジン、2−メ
ルカプトチアゾリン、エチレンチオ尿素、チオ尿素およ
びアルキル化ポリアルキレンイミンから成る群から選択
され、0.1〜3ppmの範囲内の量で加えられる。最
も好ましいレベリング剤は1−(2−ヒドロキシエチル
)−2−イミダゾリジンチオンである。
られる。これらは室温において用いられるのが好ましい
が、65°Cまでの高温および65°Cより幾らか高い
温度においても用いられる。使用時に、めっき溶液は溶
液を撹拌しながら用いられるのが好ましい。これはエア
ースパージャー(air sparger),ワーク
ピース(work piece)撹拌または衝突を含
めた様々な方法で行われる。めっきは板のアスペクト比
と厚さとに依存して、1〜40amp./sq.ft.
(ASF)の範囲内の電流において実施するのが好まし
い。 40ASFでメッキする場合にめっき時間は通常、厚さ
1milにつき27分間である。
電圧シフトを変化させることによって浴のスルーパワー
を改良するための必要な基準を満たすか否かを知るため
に、どのように試験されるかを示すが、これらを本発明
の実施に対する限定と見なすべきではない。
成分を含む: 硫酸銅五水和物 30
g/L硫酸
300g/Lクロリド
25ppm脱イオン水
全量が1Lになるま
で上記浴は水素イオン含量(硫酸として表現):銅金属
含量の比 40:1を有する浴に相当し、溶解した銅
金属(第二銅イオン)含量は溶液1Lにつき7.5gで
ある。
リサーチ(PrinstonApplied Res
earch)によって製造されたモデル273ポチエン
シオスタット(Potientiostat)を0.1
56in.直径の白金ディスクを用いる最大速度6,4
00rpmのパイン ローター(Pine rot
or)と共に用いて、最大1amp.によって実施した
。ポチエンシオスタットの使用は電位と電流密度との両
方の測定を可能にする。測定した特定の浴の電位:電流
密度をプロットした。
有用であるか否かを知るために、無機浴の一部を取り出
して、別のビーカーに入れた。基準カロメル電極の先端
を パイン ローターの白金ディスク(カソードま
たは作用電極)から1/2in.のところにおき、速度
を500rpmに一定に維持する。銅アノードをビーカ
ー内の作用電極から1in.の距離に入れ、両電極を同
じ深さにおく。電圧を5〜10秒間1.6ボルトに設定
して、ディスクを清浄にする。10mV/秒の速度にお
いて飽和カロメル電極(SCE)に対して200〜−8
00mVを走査するように、ポチエンンシオスタットを
設定し、データを自動的に記録する。次に、各被検添加
剤について電流密度:電位をプロットする。対照溶液(
無機物質のみ)を常に最初に測定する。曲線が平行にな
る箇所(約20ASF)において過電圧シフトを測定し
、曲線間の距離を電位目盛りで読み取り、添加剤によっ
て生ずるシフト量を測定する。許容できる添加剤として
は150mVの最小過電圧シフトが必要である。
の種類の関数としての過電圧シフトを図1に示す。全て
の湿潤剤は1000ppmのレベルで加えた。曲線1は
無機成分のみを含み、添加剤を含まない浴を表す。曲線
2〜5はアルコキシル化ジアミン(2)、ポリエチレン
オキシド(3)、アミン(4)およびポリプロピレング
リコール(5)を含めた、浴に加えた種々な湿潤剤を表
す。
ング剤を湿潤剤に組み合わせた、2成分および3成分添
加剤の過電圧シフトを測定した。光沢剤とレベリン剤を
添加剤の成分にすると、過電圧シフトはスルーパワーと
同様に変化する。図2は1成分添加剤(6)、2成分添
加剤(7)および3成分添加剤(8)によって生ずる、
めっき浴の過電圧シフトを示す。曲線9は添加剤を用い
ずに測定した過電圧シフトを示す。光沢剤とレベリング
剤を湿潤剤と共に浴に加えると、これらはシフト量に影
響を与える。1成分添加剤(湿潤剤)は3成分添加剤(
湿潤剤、光沢剤、レベリング剤)よりも大きいシフトを
生じ、3成分添加剤は2成分添加剤(湿潤剤と光沢剤)
よりも大きいシフトを生ずる。
:1より大きいアスペクト比を有し、0.100in.
好ましくは0.150in.以上の長さを有する印刷回
路製造のためのスルーホールのめっきのために設計され
る。スルーホール内壁に電気銅を付着させる前に、スル
ーホールを含む回路板を通常の無電解銅付着方法によっ
て導電性にする。無電解銅付着は本発明に関係しない。 本発明の溶液からのスルーホール内壁への銅の付着がホ
ールの全長上に均一な厚さであり、良好な伸びとはんだ
ショック(solder shock)特性を特徴と
する付着層を生ずる。 下記の例は、本発明の酸ー銅
浴および添加剤のスルーパワーの測定がFR−4エポキ
シ多層回路板にあけられた高アスペクト比ホールをめっ
きすることによってどのようになされるかを示す。板は
0.230in.の厚さであり、直径0.013in.
のホール(アスペクト比−18:1)を有する。これら
の板は例えば米国特許第4,515,829号に述べら
れている方法のような標準パーマンガネート デスミ
アー(permanganate desmear)
方法を用いて電気めっきするために製造した。次に、0
.06〜0.08mil厚さの無電解銅付着層を、例え
ば米国特許第3,765,936号に述べられているよ
うな、通常の無電解方法によって基体上に被覆した。各
板から採取した小クーポン 1in.×2in.を銅
クラッドラミネート 4in.×8in.片の中央開
口にはめ込み、空気およびカソードの運動によって撹拌
される18ガロン タンク内でめっきした。メッキし
た後に、スルーパワー、電流密度、レベリングおよび付
着層の質を測定するための冶金学的検査のために横断面
サンプルを製造した。
。このめっき浴を26°Cの温度において5.3amp
.を加えて3時間操作した。図3は本発明の添加剤の関
数としてホール中央の電流密度を示す。棒グラフを用い
て、種々な1成分添加剤に対してプロットしたホール中
央での電流密度を示す。2種類のポリオキシアルキレン
の高分子量ブロックコポリマーを用いた場合の電流密度
を(11)として示す。グラフに示す他の好ましい添加
剤には、ポリエチレンオキシド(12)、アルキルポリ
エーテルスルホネート(ナトリウム塩)(13)、低分
子量ポリアルキレングリコール(14)および最も好ま
しい添加剤であるアルコキシル化ジアミン(15)があ
る。全ての添加剤は1,000ppmのレベルで加えた
。
。このめっき浴を26°Cの温度において5.3amp
.を加えて3時間操作した。図4は添加剤組成の関数と
してホール中央の電流密度を示す。棒グラフの描写は添
加剤を含まない浴、1成分添加剤の好ましい湿潤剤とし
てアルコキシル化ジアミン(1,000ppm)を含む
浴(17)、2成分添加剤を形成するために光沢剤とし
てn,n−ジメチルージチオカルバミン酸−(3−スル
ホプロピル)−エステル3ppmを添加した浴(18)
、および3成分添加剤を形成するためにレベリング剤と
して1−(2−ヒドロキシエチル)−2−イミダゾリジ
ンチオン 2.4ppmを添加した浴(19)を示す
。
剤)の使用が物理的性質は優れているとしても、予浄化
方法に依存してやや軽度のざらつきを有する艶消しピン
ク色付着層を生ずることを示した。2成分または3成分
添加剤(レベリング剤および光沢剤)の添加は、延性の
滑らかな外観を有する鏡面仕上げの光沢付着層を生じた
。
よって生ずる過電圧シフトを知ることによって、浴の最
適スルーパワーでの機能を維持するために浴に加えるべ
き補充の量と種類とを制御することが可能である。浴が
分解すると、浴中に形成される分解生成物も過電圧に影
響を与える。図5は浴の測定過電圧(mVvsSCE)
に対する電流密度(ASF)のプロットを示す。曲線(
20)は添加剤を含まない例1の通常の無機浴を表す。 3成分添加剤(湿潤剤、光沢剤、レベリング剤)の添加
が時間零において約300mVの過電圧シフトを生ずる
(曲線21)。浴が老化し、副生成物が形成されると、
シフトは低下し(曲線22)、浴はスルーパワーを失う
。
通常の無機浴に加えた図6(曲線23)にも、同じ種類
の効果が見られる。浴の測定過電圧(mVvsSCE)
に対して電流密度(ASF)をプロットすることによっ
て、多量の光沢剤を含むオリジナルの添加剤(曲線24
)が約100mVの過電圧シフトを生ずることが判明し
た。光沢剤が減少する(すなわち、光沢剤副生成物が増
加する)と、曲線25〜27に見られるように、過電圧
シフトが増加し、浴のスルーパワーも上昇する。本発明
によって提供される最良の形式は下記の組成を有する3
成分添加剤を含む例1に述べた無機めっき溶液である: アルコキシル化ジアミン
1,000ppm
n,n−ジメチルージチオカルバミン酸
ー(3−スルホプロピル)−エステル
3ppm 1−(2−ヒド
ロキシエチル)−2− イミダゾリジンチオ
ン
2.4ppmホール中央電流密度によ
って測定したスルーパワーは約8.2ASFであった。 この添加剤を用いて形成された付着層は均一であり、延
性の滑らかな外観と共に鏡面光沢を有した。
いた場合の浴の電流密度:電位のグラフである。
添加剤および3成分添加剤を用いた場合の浴の電流密度
:電位のグラフである。
として種々な湿潤剤とを用いた測定によって、浴のホー
ル電流密度の変化を示す棒グラフである。
分添加剤および3成分添加剤を用いた測定によって、浴
のホール電流密度の変化を示す棒グラフである。
、浴の電流密度:電位のグラフである。
のグラフである。
Claims (60)
- 【請求項1】 次の要素:少なくとも1種類の溶解性
銅塩、電解質、および溶液撹拌に関係なく、少なくとも
150ミリボルトまで過電圧をシフトさせるために充分
な量で、浴の電荷移動過電圧を改良することのできる少
なくとも1種類の有機添加剤を含む水性電気めっき溶液
組成物。 - 【請求項2】 前記溶解性銅塩が硫酸銅、酢酸銅、フ
ルオロ硼酸銅、硝酸第二銅およびピロリン酸銅から成る
群から選択される請求項1記載の組成物。 - 【請求項3】 前記溶解性銅塩が硫酸銅である請求項
1記載の組成物。 - 【請求項4】 前記電解質がハリドイオンと共に用い
られる酸である請求項1記載の組成物。 - 【請求項5】 前記酸が硫酸、酢酸、フルオロ硼酸、
メタンスルホン酸およびスルファミン酸から成る群から
選択される請求項4記載の組成物。 - 【請求項6】 前記酸が硫酸である請求項4記載の組
成物。 - 【請求項7】 前記ハリドイオンがクロリドである請
求項4記載の組成物。 - 【請求項8】 前記電解質が塩基である請求項1記載
の組成物。 - 【請求項9】 前記塩基が水酸化ナトリウム、水酸化
カリウムおよび炭酸ナトリウムから成る群から選択され
る請求項8記載の組成物。 - 【請求項10】 前記塩基が水酸化ナトリウムである
請求項8記載の組成物。 - 【請求項11】 電荷移動過電圧を改良できる前記添
加剤がポリエチレンオキシド(分子量30万〜4百万)
、ポリオキシアルキレングリコール、ポリオキシアルキ
レングリコールのコポリマー、ポリアルキレングリコー
ル、アルキルポリエーテルスルホネート、アルコキシル
化ジアミン、ジアルコキシル化アミン、エトキシル化ア
ミン、ポリオキシアルキレンアミン、エントプロール、
くえん酸、エデト酸、酒石酸、酒石酸カリウムナトリウ
ム、アセトニトリル、クプレインおよびピリジンから成
る群から選択される1成分添加剤である請求項1記載の
組成物。 - 【請求項12】 前記1成分添加剤がアルコキシル化
ジアミンである請求項1記載の組成物。 - 【請求項13】 前記1成分添加剤が100〜10,
000ppmの範囲内の量で存在する請求項1記載の組
成物。 - 【請求項14】 電荷移動過電圧を改良できる前記添
加剤が請求項11記載の1成分添加剤と、n,n−ジメ
チルージチオカルバミン酸−(3−スルホプロピル)−
エステル、3−メルカプトープロピルスルホン酸(ナト
リウム塩)、3−メルカプトー1−プロパンスルホン酸
(カリウム塩)によるカルボン酸−ジチオーo−エチル
エステルー5−エステル、ビススルホプロピルジスルフ
ィド、3−(ベンズチアゾリルー5−チオ)プロピルス
ルホン酸(ナトリウム塩)およびピリジニウムプロピル
スルホベタインから成る群から選択される第2成分とを
含む2成分添加剤の群から選択される2成分添加剤であ
る請求項1記載の組成物。 - 【請求項15】 前記第2成分がn,n−ジメチルー
ジチオカルバミン酸−(3−スルホプロピル)−エステ
ルである請求項1記載の組成物。 - 【請求項16】 前記第2成分が0.010〜3.0
ppmの範囲内の量で存在する請求項1記載の組成物。 - 【請求項17】 電荷移動過電圧を改良できる前記添
加剤が請求項11記載の1成分添加剤と、請求項14記
載の第2成分と、1−(2−ヒドロキシエチル)−2−
イミダゾリジンチオン、4−メルカプトピリジン、2−
メルカプトチアゾリン、エチレンチオ尿素、チオ尿素お
よびアルキレートポリアルキレンイミンから成る群から
選択される第3成分とを含む3成分添加剤の群から選択
される3成分添加剤である請求項1記載の組成物。 - 【請求項18】 前記第3成分が1−(2−ヒドロキ
シエチル)−2−イミダゾリジンチオンである請求項1
記載の組成物。 - 【請求項19】 前記第3成分が0.1〜3.0pp
mの範囲内の量で存在する請求項1記載の組成物。 - 【請求項20】 10:1より大きい直径:長さ比を
有する穴または穿孔を有する表面をめっきするための水
性電気めっき溶液組成物であって、少なくとも1種類の
溶解性銅塩、電解質、および溶液撹拌に関係なく、少な
くとも150ミリボルトまで過電圧をシフトさせるため
に充分な量で、浴の電荷移動過電圧を改良することので
きる少なくとも1種類の有機添加剤を含む水性電気めっ
き溶液組成物。 - 【請求項21】 前記溶解性銅塩が硫酸銅、酢酸第二
銅、フルオロ硼酸銅、硝酸第二銅およびピロリン酸銅か
ら成る群から選択される請求項20記載の組成物。 - 【請求項22】 前記溶解性銅塩が硫酸銅である請求
項20記載の組成物。 - 【請求項23】 前記電解質が、ハリドイオンと共に
用いられる酸である請求項20記載の組成物。 - 【請求項24】 前記酸が硫酸、酢酸、フルオロ硼酸
、メタンスルホン酸およびスルファミン酸から成る群か
ら選択される請求項23記載の組成物。 - 【請求項25】 前記酸が硫酸である請求項23記載
の組成物。 - 【請求項26】 前記ハリドイオンがクロリドである
請求項23記載の組成物。 - 【請求項27】 前記電解質が塩基である請求項20
記載の組成物。 - 【請求項28】 前記塩基が水酸化ナトリウム、水酸
化カリウムおよび炭酸ナトリウムから成る群から選択さ
れる請求項27記載の組成物。 - 【請求項29】 前記塩基が水酸化ナトリウムである
請求項28記載の組成物。 - 【請求項30】 電荷移動過電圧を改良できる前記添
加剤がポリエチレンオキシド(分子量30万〜4百万)
、ポリオキシアルキレングリコール、ポリオキシアルキ
レングリコールのコポリマー、ポリアルキレングリコー
ル、アルキルポリエーテルスルホネート、アルコキシル
化ジアミン、ジアルコキシル化アミン、エトキシル化ア
ミン、ポリオキシアルキレンアミン、エントプロール、
くえん酸、エデト酸、酒石酸、酒石酸カリウムナトリウ
ム、アセトニトリル、クプレインおよびピリジンから成
る群から選択される1成分添加剤である請求項20記載
の組成物。 - 【請求項31】 前記1成分添加剤がアルコキシル化
ジアミンである請求項20記載の組成物。 - 【請求項32】 前記1成分添加剤が100〜10,
000ppmの範囲内の量で存在する請求項20記載の
組成物。 - 【請求項33】 電荷移動過電圧を改良できる前記添
加剤が請求項30記載の1成分添加剤と、n,n−ジメ
チルージチオカルバミン酸−(3−スルホプロピル)−
エステル、3−メルカプトープロピルスルホン酸(ナト
リウム塩)、3−メルカプトー1−プロパンスルホン酸
(カリウム塩)によるカルボン酸−ジチオーo−エチル
エステルー5−エステル、ビススルホプロピルジスルフ
ィド、3−(ベンズチアゾリルー5−チオ)プロピルス
ルホン酸(ナトリウム塩)およびピリジニウムプロピル
スルホベタインから成る群から選択される第2成分とを
含む2成分添加剤の群から選択される2成分添加剤であ
る請求項20記載の組成物。 - 【請求項34】 前記第2成分がn,n−ジメチルー
ジチオカルバミン酸−(3−スルホプロピル)−エステ
ルである請求項20記載の組成物。 - 【請求項35】 前記第2成分が0.010〜3.0
ppmの範囲内の量で存在する請求項20記載の組成物
。 - 【請求項36】 電荷移動過電圧を改良できる前記添
加剤が請求項30記載の1成分添加剤と、請求項33記
載の第2成分と、1−(2−ヒドロキシエチル)−2−
イミダゾリジンチオン、4−メルカプトピリジン、2−
メルカプトチアゾリン、エチレンチオ尿素、チオ尿素お
よびアルキレートポリアルキレンイミンから成る群から
選択される第3成分とを含む3成分添加剤の群から選択
される3成分添加剤である請求項20記載の組成物。 - 【請求項37】 前記第3成分が1−(2−ヒドロキ
シエチル)−2−イミダゾリジンチオンである請求項2
0記載の組成物。 - 【請求項38】 前記第3成分が0.1〜3.0pp
mの範囲内の量で存在する請求項20記載の組成物。 - 【請求項39】 10:1より大きい直径:長さ比を
有する穴または穿孔を有する表面をめっきするための水
性電気めっき溶液組成物であって、少なくとも1種類の
溶解性銅塩、電解質、および表面における過電圧シフト
:穴または穿孔内の過電圧シフトの比が1より大きくな
るような量で、浴の電荷移動過電圧を改良することので
きる少なくとも1種類の有機添加剤を含む水性電気めっ
き溶液組成物。 - 【請求項40】 前記溶解性銅塩が硫酸銅、酢酸第二
銅、フルオロ硼酸銅、硝酸第二銅およびピロリン酸銅か
ら成る群から選択される請求項39記載の組成物。 - 【請求項41】 前記溶解性銅塩が硫酸銅である請求
項39記載の組成物。 - 【請求項42】 前記電解質が、ハリドイオンと共に
用いられる酸である請求項39記載の組成物。 - 【請求項43】 前記酸が硫酸、酢酸、フルオロ硼酸
、メタンスルホン酸およびスルファミン酸から成る群か
ら選択される請求項42記載の組成物。 - 【請求項44】 前記酸が硫酸である請求項42記載
の組成物。 - 【請求項45】 前記ハリドイオンがクロリドである
請求項42記載の組成物。 - 【請求項46】 前記電解質が塩基である請求項39
記載の組成物。 - 【請求項47】 前記塩基が水酸化ナトリウム、水酸
化カリウムおよび炭酸ナトリウムから成る群から選択さ
れる請求項46記載の組成物。 - 【請求項48】 前記塩基が水酸化ナトリウムである
請求項46記載の組成物。 - 【請求項49】 電荷移動過電圧を改良できる前記添
加剤がポリエチレンオキシド(分子量30万〜4百万)
、ポリオキシアルキレングリコール、ポリオキシアルキ
レングリコールのコポリマー、ポリアルキレングリコー
ル、アルキルポリエーテルスルホネート、アルコキシル
化ジアミン、ジアルコキシル化アミン、エトキシル化ア
ミン、ポリオキシアルキレンアミン、エントプロール、
くえん酸、エデト酸、酒石酸、酒石酸カリウムナトリウ
ム、アセトニトリル、クプレインおよびピリジンから成
る群から選択される請求項39記載の組成物。 - 【請求項50】 前記1成分添加剤がアルコキシル化
ジアミンである請求項39記載の組成物。 - 【請求項51】 前記1成分添加剤が100〜10,
000ppmの範囲内の量で存在する請求項39記載の
組成物。 - 【請求項52】 電荷移動過電圧を改良できる前記添
加剤が請求項49記載の1成分添加剤と、n,n−ジメ
チルージチオカルバミン酸−(3−スルホプロピル)−
エステル、3−メルカプトープロピルスルホン酸(ナト
リウム塩)、3−メルカプトー1−プロパンスルホン酸
(カリウム塩)によるカルボン酸−ジチオーo−エチル
エステルー5−エステル、ビススルホプロピルジスルフ
ィド、3−(ベンズチアゾリルー5−チオ)プロピルス
ルホン酸(ナトリウム塩)およびピリジニウムプロピル
スルホベタインから成る群から選択される第2成分とを
含む2成分添加剤の群から選択される2成分添加剤であ
る請求項39記載の組成物。 - 【請求項53】 前記第2成分がn,n−ジメチルー
ジチオカルバミン酸−(3−スルホプロピル)−エステ
ルである請求項39記載の組成物。 - 【請求項54】 前記第2成分が0.010〜3.0
ppmの範囲内の量で存在する請求項39記載の組成物
。 - 【請求項55】 電荷移動過電圧を改良できる前記添
加剤が請求項49記載の1成分添加剤と、請求項52記
載の第2成分と、1−(2−ヒドロキシエチル)−2−
イミダゾリジンチオン、4−メルカプトピリジン、2−
メルカプトチアゾリン、エチレンチオ尿素、チオ尿素お
よびアルキレートポリアルキレンイミンから成る群から
選択される第3成分とを含む3成分添加剤の群から選択
される3成分添加剤である請求項39記載の組成物。 - 【請求項56】 前記第3成分が1−(2−ヒドロキ
シエチル)−2−イミダゾリジンチオンである請求項3
9記載の組成物。 - 【請求項57】 前記第3成分が0.1〜3.0pp
mの範囲内の量で存在する請求項39記載の組成物。 - 【請求項58】 電解質に銅塩を溶解する段階;湿潤
剤、光沢剤およびレベリング剤の添加剤組み合わせを選
択する段階;組み合わせが浴中に少なくとも150ミリ
ボルトの過電圧シフトを生ずるまで前記組み合わせの各
成分の比を調節する段階;および前記添加剤を前記浴に
加える段階から成る電気めっき浴の製造方法。 - 【請求項59】 印刷回路板のアスペクト比が少なく
とも10:1であるスルーホールの内壁を電気めっきす
る方法において、電解質に銅塩を溶解する段階;湿潤剤
、光沢剤およびレベリング剤の添加剤組み合わせを選択
する段階;組み合わせが浴中に少なくとも150ミリボ
ルトの過電圧シフトを生ずるまで前記組み合わせの各成
分の比を調節する段階;および前記添加剤を前記浴に加
える段階から成る方法。 - 【請求項60】 印刷回路板のアスペクト比が少なく
とも10:1であるスルーホールの内壁を電気めっきす
る方法において、電解質に銅塩を溶解する段階と;湿潤
剤、光沢剤およびレベリング剤の添加剤組み合わせを選
択する段階と;組み合わせが表面における過電圧シフト
:スルーホール内の過電圧シフトの1より大きい比を生
ずるまでに前記組み合わせの各成分の比を調節する段階
とを含む方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/471,381 US5051154A (en) | 1988-08-23 | 1990-01-29 | Additive for acid-copper electroplating baths to increase throwing power |
US471381 | 1990-01-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04358091A true JPH04358091A (ja) | 1992-12-11 |
JP3285886B2 JP3285886B2 (ja) | 2002-05-27 |
Family
ID=23871407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP00933491A Expired - Lifetime JP3285886B2 (ja) | 1990-01-29 | 1991-01-29 | 電気めっき溶液組成物 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5051154A (ja) |
EP (1) | EP0440027A3 (ja) |
JP (1) | JP3285886B2 (ja) |
KR (1) | KR910014540A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04139787A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-13 | Fujitsu Ltd | プリント配線板の電解メッキ方法 |
JP2002534610A (ja) * | 1999-01-11 | 2002-10-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 反射性金属で開口を充填するための電着化学 |
US6511588B1 (en) | 1999-09-20 | 2003-01-28 | Hitachi, Ltd. | Plating method using an additive |
JP2004162172A (ja) * | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Iljin Copper Foil Co Ltd | 電解銅箔製造用の電解液及びそれを用いた電解銅箔の製造方法 |
KR100439534B1 (ko) * | 2001-03-30 | 2004-07-09 | 주식회사 미뉴타텍 | 전기도금용 레벨링제 |
JP2007335470A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Hitachi Cable Ltd | 導体パターン形成方法 |
JP2014086139A (ja) * | 2012-10-19 | 2014-05-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | タブリード及びタブリードの製造方法並びに電気化学デバイス |
JP2014083055A (ja) * | 2012-10-19 | 2014-05-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | フッ素樹脂被膜を有する金属製品の製造方法 |
JP2015130471A (ja) * | 2014-01-02 | 2015-07-16 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | チップ電子部品の製造方法 |
Families Citing this family (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5174886A (en) * | 1991-02-22 | 1992-12-29 | Mcgean-Rohco, Inc. | High-throw acid copper plating using inert electrolyte |
US5252196A (en) * | 1991-12-05 | 1993-10-12 | Shipley Company Inc. | Copper electroplating solutions and processes |
DE4338148C2 (de) * | 1993-11-04 | 1997-01-30 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung matter und pickelfreier Kupferschichten mit hoher Bruchdehnung auf Substratoberflächen |
US6024857A (en) * | 1997-10-08 | 2000-02-15 | Novellus Systems, Inc. | Electroplating additive for filling sub-micron features |
US6007758A (en) * | 1998-02-10 | 1999-12-28 | Lucent Technologies Inc. | Process for forming device comprising metallized magnetic substrates |
US6183619B1 (en) | 1999-03-19 | 2001-02-06 | Technic, Inc. | Metal alloy sulfonic acid electroplating baths |
US6251253B1 (en) | 1999-03-19 | 2001-06-26 | Technic, Inc. | Metal alloy sulfate electroplating baths |
US6562220B2 (en) | 1999-03-19 | 2003-05-13 | Technic, Inc. | Metal alloy sulfate electroplating baths |
US6248228B1 (en) | 1999-03-19 | 2001-06-19 | Technic, Inc. And Specialty Chemical System, Inc. | Metal alloy halide electroplating baths |
US6179985B1 (en) | 1999-03-19 | 2001-01-30 | Technic, Inc. | Metal alloy fluoroborate electroplating baths |
US20060183328A1 (en) * | 1999-05-17 | 2006-08-17 | Barstad Leon R | Electrolytic copper plating solutions |
US6444110B2 (en) * | 1999-05-17 | 2002-09-03 | Shipley Company, L.L.C. | Electrolytic copper plating method |
JP2001073182A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-03-21 | Boc Group Inc:The | 改良された酸性銅電気メッキ用溶液 |
DE19937843C1 (de) * | 1999-08-13 | 2001-02-08 | Bolta Werke Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer selbsttragenden Kupferfolie |
DE19941605A1 (de) | 1999-09-01 | 2001-03-15 | Merck Patent Gmbh | Galvanisierungslösung für die galvanische Abscheidung von Kupfer |
US6605204B1 (en) | 1999-10-14 | 2003-08-12 | Atofina Chemicals, Inc. | Electroplating of copper from alkanesulfonate electrolytes |
US20040045832A1 (en) * | 1999-10-14 | 2004-03-11 | Nicholas Martyak | Electrolytic copper plating solutions |
WO2002031228A1 (en) * | 2000-10-10 | 2002-04-18 | Learonal Japan Inc. | Copper electroplating using insoluble anode |
US6660153B2 (en) * | 2000-10-20 | 2003-12-09 | Shipley Company, L.L.C. | Seed layer repair bath |
US6776893B1 (en) | 2000-11-20 | 2004-08-17 | Enthone Inc. | Electroplating chemistry for the CU filling of submicron features of VLSI/ULSI interconnect |
US20040072423A1 (en) * | 2001-01-12 | 2004-04-15 | Jacob Jorne | Methods and systems for electro-or electroless-plating of metal in high-aspect ratio features |
EP1481575A4 (en) | 2002-03-04 | 2007-11-28 | Printar Ltd | DIGITAL APPLICATION OF A PROTECTIVE SOLDERING MASK TO PRINTED CIRCUIT BOARDS |
US20040007469A1 (en) * | 2002-05-07 | 2004-01-15 | Memgen Corporation | Selective electrochemical deposition methods using pyrophosphate copper plating baths containing ammonium salts, citrate salts and/or selenium oxide |
EP1475463B2 (en) * | 2002-12-20 | 2017-03-01 | Shipley Company, L.L.C. | Reverse pulse plating method |
EP1477588A1 (en) * | 2003-02-19 | 2004-11-17 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Copper Electroplating composition for wafers |
US20050157475A1 (en) * | 2004-01-15 | 2005-07-21 | Endicott Interconnect Technologies, Inc. | Method of making printed circuit board with electroplated conductive through holes and board resulting therefrom |
US20050211564A1 (en) * | 2004-03-29 | 2005-09-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and composition to enhance wetting of ECP electrolyte to copper seed |
EP1598449B1 (en) * | 2004-04-26 | 2010-08-04 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Improved plating method |
TW200613586A (en) * | 2004-07-22 | 2006-05-01 | Rohm & Haas Elect Mat | Leveler compounds |
DE102004041701A1 (de) * | 2004-08-28 | 2006-03-02 | Enthone Inc., West Haven | Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von Metallen |
US20060243599A1 (en) * | 2005-04-28 | 2006-11-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Electroplating additive for improved reliability |
EP1741804B1 (en) * | 2005-07-08 | 2016-04-27 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Electrolytic copper plating method |
US7662981B2 (en) * | 2005-07-16 | 2010-02-16 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Leveler compounds |
US7575666B2 (en) * | 2006-04-05 | 2009-08-18 | James Watkowski | Process for electrolytically plating copper |
JP4773399B2 (ja) * | 2007-05-18 | 2011-09-14 | 矢崎総業株式会社 | スズまたはスズ合金めっき層の定量分析方法 |
NL1033973C2 (nl) * | 2007-06-12 | 2008-12-15 | Elsyca N V | Werkwijze en inrichting voor het deponeren of verwijderen van een laag op een werkstuk, analysemethode en inrichting voor het analyseren van een te verwachten laagdikte, een werkwijze voor het vervaardigen van een database voor een dergelijke analysemethode of inrichting, alsmede een dergelijke database. |
US20090056994A1 (en) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Kuhr Werner G | Methods of Treating a Surface to Promote Metal Plating and Devices Formed |
WO2009029871A1 (en) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Zettacore, Inc. | Methods of treating a surface to promote binding of molecule(s) of interest, coatings and devices formed therefrom |
US7905994B2 (en) | 2007-10-03 | 2011-03-15 | Moses Lake Industries, Inc. | Substrate holder and electroplating system |
US8388824B2 (en) | 2008-11-26 | 2013-03-05 | Enthone Inc. | Method and composition for electrodeposition of copper in microelectronics with dipyridyl-based levelers |
MY158203A (en) | 2009-04-07 | 2016-09-15 | Basf Se | Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling |
JP5722872B2 (ja) | 2009-04-07 | 2015-05-27 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | サブミクロンの窪みの無ボイド充填用の抑制剤含有金属めっき組成物 |
WO2010115757A1 (en) | 2009-04-07 | 2010-10-14 | Basf Se | Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling |
JP5702360B2 (ja) | 2009-04-07 | 2015-04-15 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | ボイドのないサブミクロンの機構を充填するための、抑制剤を含む金属メッキ用の組成物 |
US8262894B2 (en) * | 2009-04-30 | 2012-09-11 | Moses Lake Industries, Inc. | High speed copper plating bath |
TWI572750B (zh) | 2010-05-24 | 2017-03-01 | 安頌股份有限公司 | 直通矽穿孔之銅充填 |
US9345149B2 (en) | 2010-07-06 | 2016-05-17 | Esionic Corp. | Methods of treating copper surfaces for enhancing adhesion to organic substrates for use in printed circuit boards |
CN102286761B (zh) * | 2011-08-31 | 2014-03-05 | 上海应用技术学院 | 一种印制线路板高分散光亮酸性镀铜添加剂及其制备方法和应用 |
US8492897B2 (en) | 2011-09-14 | 2013-07-23 | International Business Machines Corporation | Microstructure modification in copper interconnect structures |
CN102995077B (zh) * | 2012-12-28 | 2014-12-31 | 武汉吉和昌化工科技有限公司 | 一种无氰碱性光亮镀铜溶液、其制备方法及其电镀工艺 |
CN104499018A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-04-08 | 广东致卓精密金属科技有限公司 | 一种碱性无氰预镀铜镀液和工艺 |
CN113186572A (zh) * | 2021-04-30 | 2021-07-30 | 东莞市环侨金属制品有限公司 | 一种铑钌合金电镀工艺 |
WO2023194802A1 (en) * | 2022-04-05 | 2023-10-12 | Aveni | Electrolyte comprising an accelerator agent for bottom-up copper electroplating |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE565994A (ja) * | 1957-04-16 | |||
GB1235101A (en) * | 1967-05-01 | 1971-06-09 | Albright & Wilson Mfg Ltd | Improvements relating to electrodeposition of copper |
US3798138A (en) * | 1971-07-21 | 1974-03-19 | Lea Ronal Inc | Electrodeposition of copper |
US3769179A (en) * | 1972-01-19 | 1973-10-30 | Kewanee Oil Co | Copper plating process for printed circuits |
US3770598A (en) * | 1972-01-21 | 1973-11-06 | Oxy Metal Finishing Corp | Electrodeposition of copper from acid baths |
JPS5044930A (ja) * | 1973-08-24 | 1975-04-22 | ||
DE3012168A1 (de) * | 1980-03-27 | 1981-10-01 | Schering Ag Berlin Und Bergkamen, 1000 Berlin | Verfahren zur galvanischen abscheidung von kupferniederschlaegen |
US4336114A (en) * | 1981-03-26 | 1982-06-22 | Hooker Chemicals & Plastics Corp. | Electrodeposition of bright copper |
DE3114131A1 (de) * | 1981-04-08 | 1982-11-04 | Teldec Telefunken-Decca-Schallplatten Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zur herstellung einer schneidtraegers |
US4347108A (en) * | 1981-05-29 | 1982-08-31 | Rohco, Inc. | Electrodeposition of copper, acidic copper electroplating baths and additives therefor |
US4376685A (en) * | 1981-06-24 | 1983-03-15 | M&T Chemicals Inc. | Acid copper electroplating baths containing brightening and leveling additives |
US4384930A (en) * | 1981-08-21 | 1983-05-24 | Mcgean-Rohco, Inc. | Electroplating baths, additives therefor and methods for the electrodeposition of metals |
US4683036A (en) * | 1983-06-10 | 1987-07-28 | Kollmorgen Technologies Corporation | Method for electroplating non-metallic surfaces |
US4555315A (en) * | 1984-05-29 | 1985-11-26 | Omi International Corporation | High speed copper electroplating process and bath therefor |
US4673469A (en) * | 1984-06-08 | 1987-06-16 | Mcgean-Rohco, Inc. | Method of plating plastics |
DE3721985A1 (de) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Schering Ag | Waessriges saures bad zur galvanischen abscheidung glaenzender und eingeebneter kupferueberzuege |
US4897165A (en) * | 1988-08-23 | 1990-01-30 | Shipley Company Inc. | Electroplating composition and process for plating through holes in printed circuit boards |
-
1990
- 1990-01-29 US US07/471,381 patent/US5051154A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-01-09 EP EP19910100240 patent/EP0440027A3/en not_active Withdrawn
- 1991-01-29 JP JP00933491A patent/JP3285886B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-01-29 KR KR1019910001431A patent/KR910014540A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04139787A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-13 | Fujitsu Ltd | プリント配線板の電解メッキ方法 |
JP2002534610A (ja) * | 1999-01-11 | 2002-10-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 反射性金属で開口を充填するための電着化学 |
US6511588B1 (en) | 1999-09-20 | 2003-01-28 | Hitachi, Ltd. | Plating method using an additive |
KR100439534B1 (ko) * | 2001-03-30 | 2004-07-09 | 주식회사 미뉴타텍 | 전기도금용 레벨링제 |
JP2004162172A (ja) * | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Iljin Copper Foil Co Ltd | 電解銅箔製造用の電解液及びそれを用いた電解銅箔の製造方法 |
JP2007335470A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Hitachi Cable Ltd | 導体パターン形成方法 |
JP2014086139A (ja) * | 2012-10-19 | 2014-05-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | タブリード及びタブリードの製造方法並びに電気化学デバイス |
JP2014083055A (ja) * | 2012-10-19 | 2014-05-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | フッ素樹脂被膜を有する金属製品の製造方法 |
JP2015130471A (ja) * | 2014-01-02 | 2015-07-16 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | チップ電子部品の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0440027A2 (en) | 1991-08-07 |
EP0440027A3 (en) | 1991-11-06 |
US5051154A (en) | 1991-09-24 |
KR910014540A (ko) | 1991-08-31 |
JP3285886B2 (ja) | 2002-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3285886B2 (ja) | 電気めっき溶液組成物 | |
US5252196A (en) | Copper electroplating solutions and processes | |
KR100546989B1 (ko) | 구리층을 일렉트로리틱 디포지트하는 방법 | |
EP1264918B1 (en) | Electrolytic copper plating method | |
JP5417112B2 (ja) | 金属層の電解析出のための方法 | |
JP4342294B2 (ja) | 逆パルスめっき組成物および逆パルスメッキ方法 | |
US6881319B2 (en) | Electrolytic copper plating solution and method for controlling the same | |
US20040187731A1 (en) | Acid copper electroplating solutions | |
JP2005535787A (ja) | 電解銅めっき液 | |
US5068013A (en) | Electroplating composition and process | |
US4897165A (en) | Electroplating composition and process for plating through holes in printed circuit boards | |
CN109972180A (zh) | 2,2'-二硫代二吡啶的新用途及采用其的电镀填孔添加剂及采用该添加剂的电镀方法 | |
JP2003328179A (ja) | 酸性銅めっき浴用添加剤及び該添加剤を含有する酸性銅めっき浴並びに該めっき浴を用いるめっき方法 | |
EP2855738B1 (en) | Additives for producing copper electrodeposits having low oxygen content | |
JP2008506841A (ja) | 電流プロフィールの可変による銅メッキ硬度を制御するための電解メッキ方法 | |
US4932518A (en) | Method and apparatus for determining throwing power of an electroplating solution | |
JP2004107738A (ja) | 酸性銅めっき浴用添加剤及び該添加剤を含有する酸性銅めっき浴並びに該めっき浴を用いるめっき方法 | |
US20040074775A1 (en) | Pulse reverse electrolysis of acidic copper electroplating solutions | |
US5004525A (en) | Copper electroplating composition | |
KR20170134732A (ko) | 전기도금 욕을 위한 첨가제로서의 비스언하이드라이드와 디아민의 반응 생성물 | |
JP2003055800A (ja) | 電解銅めっき方法 | |
WO2002086196A1 (en) | Copper acid baths, system and method for electroplating high aspect ratio substrates | |
EP2607523B1 (en) | Method of copper electroplating | |
CS241666B1 (cs) | Leskutvorná přísada pro elektrolytické vylučování lesklých niklových povlaků o tloušťkách do 10 uin | |
Nikolova et al. | Via fill and through hole plating process with enhanced TH microdistribution |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090308 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090308 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100308 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100308 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110308 Year of fee payment: 9 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |