KR910014540A - 전기도금액 조성물 - Google Patents

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제이. 커웬카 에드워드
피셔 스튜어트
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원본미기재
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Abstract

내용 없음

Description

전기도금액 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 바람직한 1성분 첨가제로서 각종 습윤제를 사용하는 경우의 전류밀도 대 욕조의 전압의 그래프이다. 제2도는 첨가제를 사용하지 않는 경우, 1성분 첨가제, 2성분 첨가제 및 3성분 첨가제를 사용하는 경우의 전류밀도대 욕조의 전압의 그래프이다.

Claims (60)

  1. 하나 이상의 가용성 구리염, 전해질 및 용액의 교반과는 무관하게 과전압을 150mV 이상으로 변동 시키기에 충분한 양의 욕조의 전하 이동 과전압을 조절할 수 있는 하나 이상의 유기 첨가제를 포함함을 특징으로 하는 전기도금용 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 가용성 구리염이 황산구리, 아세트산제 2구리, 플루오르붕소산구리, 질산제 2구리 및 파이로인산구리를 포함하는 그룹으로 부터 선택되는 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 가용성 구리염이 황산구리인 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 전해질이 할라이드 이온과 배합되어 사용되는 산인 조성물.
  5. 제4항에 있어서, 산이 황산, 아세트산, 플루오르붕소산, 메탄설폰산 및 설팜산을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 조성물.
  6. 제4항에 있어서, 산이 황산인 조성물.
  7. 제4항에 있어서, 할라이드 이온이 클로라이드인 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 전해질이 염기인 조성물.
  9. 제8항에 있어서, 염기가 수산화나트륨, 수산화칼륨 및 탄산나트륨을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 조성물.
  10. 제8항에 있어서, 염기가 수산화나트륨인 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 전하 이동 과전압을 조절할 수 있는 첨가제가 폴리에틸렌 옥사이드(분자량 300,000 내지 4백만), 폴리옥시알킬렌 글리콜, 폴리옥시알킬렌 글리콜의 공중합체, 폴리알킬렌 글리콜, 알킬폴리에테르 설포네이트, 알콕시화 디아민, 디알콕시화 아민, 에톡시화 아민, 폴리옥시알킬렌 아민, 엔트프롤, 시트르산, 에테트산, 타르타르산, 칼륨 나트륨 타르트 레이트, 아세토니트릴, 쿠프레인 및 피리딘을 포함하는 그룹으로부터 선택된 1성분 첨가제인 조성물.
  12. 제1항에 있어서, 1성분 첨가제가 알콕시화 디아민인 조성물.
  13. 제1항에 있어서, 1성분 첨가제가 100 내지 10,000ppm의 양으로 존재하는 조성물.
  14. 제1항에 있어서, 전하 이동 과전압을 조절할 수 있는 첨가제가 제11항의 1성분 첨가제와 n, n-디메틸-디티오카밤산-(3-설포프로필)-에스테르, 3-머캅토-프로필 설폰산(나트륨염), 카본산-디티오-0-에틸에스테르-5-에스테르와 3-머캅토-1-프로판 설폰산(칼륨염), 비스설포프로필 디설파이드, 3-(벤즈티아졸릴-5-티오)프로필 설폰산(나트륨염) 및 피리디늄 프로필 설포베타민을 포함하는 그룹으로부터 선택된 제2성분을 포함하는 그룹으로부터 선택된 2성분 첨가제인 조성물.
  15. 제1항에 있어서, 제2성분이, n, n-디메틸-디티오카밤산-(3-설포프로필)-에스테르인 조성물.
  16. 제1항에 있어서, 제2성분이 0.010 내지 3.0ppm의 양으로 존재하는 조성물.
  17. 제1항에 있어서, 전하 이동 과전압을 조절할 수 있는 첨가제가 제11항의 1성분 첨가제, 제14항의 제2성분 및 1-(2-하이드록시에틸)-2-이미다졸리딘티온, 4-머캅토피리딘, 2-머캅토티아졸리딘, 에틸렌 티오우레아, 티오우레아 및 알킬레이트 폴리알킬렌아민을 포함하는 그룹으로부터 선택된 제3성분을 포함하는 3성분 첨가제인 조성물.
  18. 제1항에 있어서, 제3성분이 1-(2-하이드록시에틸)-2-이미다졸리딘티온인 조성물.
  19. 제1항에 있어서, 제3성분이 0.1 내지 3.0ppm의 양으로 존재하는 조성물.
  20. 하나 이상의 가용성 금속염, 전해질 및 용액의 교반과는 무관하게 과전압을 150mV 이상으로 변동 시키기에 충분한 양의, 욕조의 전하 이동 과전압을 조절할 수 있는 하나 이상의 유기 첨가제를 포함함을 특징으로 하는, 직경 대 길이비가 10 : 1을 초과하는 오목한 곳 또는 구멍이 있는 표면을 도금하기 위한 전기도금액 조성물.
  21. 제20항에 있어서, 가용성 구리염이 황산구리, 아세트산제 2구리, 플루오르붕소산구리, 질산제 2구리 및 파이로인산구리를 포함하는 그룹으로 부터 선택되는 조성물.
  22. 제20항에 있어서, 가용성 구리염이 황산구리인 조성물.
  23. 제20항에 있어서, 전해질이 할라이드 이온과 배합되어 사용되는 산인 조성물.
  24. 제23항에 있어서, 산이 황산, 아세트산, 플루오르붕소산, 메탄설폰산 및 설팜산을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 조성물.
  25. 제23항에 있어서, 산이 황산인 조성물.
  26. 제23항에 있어서, 할라이드 이온이 클로라이드인 조성물.
  27. 제20항에 있어서, 전해질이 염기인 조성물.
  28. 제27항에 있어서, 염기가 수산화나트륨, 수산화칼륨 및 탄산나트륨을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 조성물.
  29. 제28항에 있어서, 염기가 수산화나트륨인 조성물.
  30. 제20항에 있어서, 전하 이동 과전압을 조절할 수 있는 첨가제가 폴리에틸렌 옥사이드(분자량 300,000 내지 4백만), 폴리옥시알킬렌 글리콜, 폴리옥시알킬렌 글리콜의 공중합체, 폴리알킬렌 글리콜, 알킬폴리에테르 설포네이트, 알콕시화 디아민, 디알콕시화 아민, 에톡시화 아민, 폴리옥시알킬렌 아민, 엔트프롤, 시트르산 에데트산, 타르타르산, 칼륨 나트륨 타르트 레이트, 아세토니트릴, 쿠프레인 및 피리딘을 포함하는 그룹으로부터 선택된 1성분 첨가제인 조성물.
  31. 제20항에 있어서, 1성분 첨가제가 알콕시화 디아민인 조성물.
  32. 제20항에 있어서, 1성분 첨가제가 100 내지 10,000ppm의 양으로 존재하는 조성물.
  33. 제20항에 있어서, 전하 이동 과전압을 조절할 수 있는 첨가제가 제30항의 1성분 첨가제와 n, n-디메틸-디티오카밤산-(3-설포프로필)-에스테르, 3-머캅토-프로필 설폰산(나트륨염), 카본산-디티오-0-에틸에스테르-5-에스테르와 3-머캅토-1-프로판 설폰산(칼륨염), 비스설포프로필 디설파이드, 3-(벤즈티아졸릴-5-티오)프로필 설폰산(나트륨염) 및 피리디늄 프로필 설포베타민을 포함하는 그룹으로부터 선택된 제2성분을 포함하는 그룹으로부터 선택된 2성분 첨가제인 조성물.
  34. 제20항에 있어서, 제2성분이 n, n-디메틸-디티오카밤산-(3-설포프로필)-에스테르인 조성물.
  35. 제20항에 있어서, 제2성분이 0.010 내지 3.0ppm의 양으로 존재하는 조성물.
  36. 제20항에 있어서, 전하 이동 과전압을 조절할 수 있는 첨가제가 제30항의 1성분 첨가제, 제33항의 제2성분 및 1-(2-하이드록시에틸)-2-이미다졸리딘티온, 4-머캅토피리딘, 2-머캅토티아졸리딘, 에틸렌 티오우레아, 티오우레아 및 알킬레이트 폴리알킬렌아민을 포함하는 그룹으로부터 선택된 제3성분을 포함하는 3성분 첨가제인 조성물.
  37. 제20항에 있어서, 제3성분이 1-(2-하이드록시에틸)-2-이미다졸리딘티온인 조성물.
  38. 제20항에 있어서, 제3성분이 0.1 내지 3.0ppm의 양으로 존재하는 조성물.
  39. 하나 이상의 가용성 금속염, 전해질 및 표면에서의 과전압 변동 대 오목한 곳 또는 구멍내에서의 과전압 변동의 비가 1을 초과하기에 충분한 양의, 욕조의 전하 이동 과전압을 조절할 수 있는 하나 이상의 유기 첨가제를 포함함을 특징으로 하는, 직경 대 길이비가 10 : 1을 초과하는 오목한곳 또는 구멍이 있는 표면을 도금하기 위한 전기도금액 조성물.
  40. 제39항에 있어서, 가용성 구리염이 황산구리, 아세트산제 2구리, 플루오르붕소산구리, 질산 제2구리 및 파이로인산구리를 포함하는 그룹으로 부터 선택되는 조성물.
  41. 제39항에 있어서, 가용성 구리염이 황산구리인 조성물.
  42. 제39항에 있어서, 전해질이 할라이드 이온과 배합되어 사용되는 산인 조성물.
  43. 제42항에 있어서, 산이 황산, 아세트산, 플루오르붕소산, 메탄설폰산 및 설팜산을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 조성물.
  44. 제42항에 있어서, 산이 황산인 조성물.
  45. 제42항에 있어서, 할라이드 이온이 클로라이드인 조성물.
  46. 제39항에 있어서, 전해질이 염기인 조성물.
  47. 제46항에 있어서, 염기가 수산화나트륨, 수산화칼륨 및 탄산나트륨을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 조성물.
  48. 제46항에 있어서, 염기가 수산화나트륨인 조성물.
  49. 제39항에 있어서, 전하 이동 과전압을 조절할 수 있는 첨가제가 폴리에틸렌 옥사이드(분자량 300,000 내지 4백만), 폴리옥시알킬렌 글리콜, 폴리옥시알킬렌 글리콜의 공중합체, 폴리알킬렌 글리콜, 알킬폴리에테르 설포네이트, 알콕시화 디아민, 디알콕시화 아민, 에톡시화 아민, 폴리옥시알킬렌 아민, 엔트프롤, 시트르산 에데트산, 타르타르산, 칼륨 나트륨 타르트 레이트, 아세토니트릴, 쿠프레인 및 피리딘을 포함하는 그룹으로부터 선택된 1성분 첨가제인 조성물.
  50. 제39항에 있어서, 1성분 첨가제가 알콕시화 디아민인 조성물.
  51. 제39항에 있어서, 1성분 첨가제가 100 내지 10,000ppm의 양으로 존재하는 조성물.
  52. 제39항에 있어서, 전하 이동 과전압을 조절할 수 있는 첨가제가 제49항의 1성분 첨가제와 n, n-디메틸-디티오카밤산-(3-설포프로필)-에스테르, 3-머캅토-프로필 설폰산(나트륨염), 카본산-디티오-0-에틸에스테르-5-에스테르와 3-머캅토-1-프로필 설폰산(칼륨염), 비스설포프로필 디설파이드, 3-(벤즈티아졸릴-5-티오)프로필 설폰산(나트륨염) 및 피리디늄 프로필 설포베타민을 포함하는 그룹으로부터 선택된 제2성분을 포함하는 그룹으로부터 선택된 2성분 첨가제인 조성물.
  53. 제39항에 있어서, 제2성분이 n, n-디메틸-디티오카밤산-(3-설포프로필)-에스테르인 조성물.
  54. 제39항에 있어서, 제2성분이 0.010 내지 3.0ppm의 양으로 존재하는 조성물.
  55. 제39항에 있어서, 전하 이동 과전압을 조절할 수 있는 첨가제가 제49항의 1성분 첨가제, 제52항의 제2성분 및 1-(2-하이드록시에틸)-2-이미다졸리딘티온, 4-머캅토피리딘, 2-머캅토티아졸리딘, 에틸렌 티오우레아, 티오우레아 및 알킬레이트 폴리알킬렌아민을 포함하는 그룹으로부터 선택된 제3성분을 포함하는 3성분 첨가제인 조성물.
  56. 제39항에 있어서, 제3성분이 1-(2-하이드록시에틸)-2-이미다졸리딘티온인 조성물.
  57. 제39항에 있어서, 제3성분이 0.1 내지 3.0ppm의 양으로 존재하는 조성물.
  58. 전해질에 용해된 구리염을 제공하는 단계, 습윤제, 광택제 및 균전제의 첨가제 배합물을 선택하는 단계, 배합물이 욕조에서 150mV 이상의 과전압 변동을 제공할 때까지 배합물의 각각의 성분비를 조절하는 단계 및 첨가제를 욕조에 첨가하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 전기도금조를 제형화하는 방법.
  59. 전해질에 용해된 구리염을 제공하는 단계, 습윤제, 광택제 및 균전제의 첨가제 배합물을 선택하는 단계, 배합물이 욕조에서 150mV 이상의 과전압 변동을 제공할 때까지 배합물의 각각의 성분비를 조절하는 단계 및 첨가제를 욕조에 첨가하는 단계를 포함함을 특징으로 하여 관통구멍의 종횡비가 10대 1이상인 인쇄 회로판에서 관통구멍의 벽을 전기도금하는 방법.
  60. 전해질에 용해된 구리염을 제공하는 단계, 습윤제, 광택제 및 균전제의 첨가제 배합물을 선택하는 단계, 및 배합물이 표면에서 과전압 변동 대 관통구멍에서의 과전압 변동이 1을 초과할 때까지 배합물의 각각의 성분비를 조절하는 단계를 포함함을 특징으로 하여 관통구멍의 종횡비가 10대 1이상인 인쇄 회로판에서 관통구멍의 벽을 전기도금하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04139787A (ja) * 1990-09-28 1992-05-13 Fujitsu Ltd プリント配線板の電解メッキ方法
US5174886A (en) * 1991-02-22 1992-12-29 Mcgean-Rohco, Inc. High-throw acid copper plating using inert electrolyte
US5252196A (en) * 1991-12-05 1993-10-12 Shipley Company Inc. Copper electroplating solutions and processes
DE4338148C2 (de) * 1993-11-04 1997-01-30 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung matter und pickelfreier Kupferschichten mit hoher Bruchdehnung auf Substratoberflächen
US6024857A (en) 1997-10-08 2000-02-15 Novellus Systems, Inc. Electroplating additive for filling sub-micron features
US6007758A (en) * 1998-02-10 1999-12-28 Lucent Technologies Inc. Process for forming device comprising metallized magnetic substrates
US6544399B1 (en) * 1999-01-11 2003-04-08 Applied Materials, Inc. Electrodeposition chemistry for filling apertures with reflective metal
US6248228B1 (en) 1999-03-19 2001-06-19 Technic, Inc. And Specialty Chemical System, Inc. Metal alloy halide electroplating baths
US6562220B2 (en) 1999-03-19 2003-05-13 Technic, Inc. Metal alloy sulfate electroplating baths
US6251253B1 (en) 1999-03-19 2001-06-26 Technic, Inc. Metal alloy sulfate electroplating baths
US6183619B1 (en) 1999-03-19 2001-02-06 Technic, Inc. Metal alloy sulfonic acid electroplating baths
US6179985B1 (en) 1999-03-19 2001-01-30 Technic, Inc. Metal alloy fluoroborate electroplating baths
US6444110B2 (en) * 1999-05-17 2002-09-03 Shipley Company, L.L.C. Electrolytic copper plating method
US20060183328A1 (en) * 1999-05-17 2006-08-17 Barstad Leon R Electrolytic copper plating solutions
JP2001073182A (ja) * 1999-07-15 2001-03-21 Boc Group Inc:The 改良された酸性銅電気メッキ用溶液
DE19937843C1 (de) * 1999-08-13 2001-02-08 Bolta Werke Gmbh Verfahren zur Herstellung einer selbsttragenden Kupferfolie
DE19941605A1 (de) 1999-09-01 2001-03-15 Merck Patent Gmbh Galvanisierungslösung für die galvanische Abscheidung von Kupfer
JP2001089896A (ja) 1999-09-20 2001-04-03 Hitachi Ltd めっき方法,めっき液,半導体装置及びその製造方法
US6605204B1 (en) 1999-10-14 2003-08-12 Atofina Chemicals, Inc. Electroplating of copper from alkanesulfonate electrolytes
US20040045832A1 (en) * 1999-10-14 2004-03-11 Nicholas Martyak Electrolytic copper plating solutions
US20040050706A1 (en) * 2000-10-10 2004-03-18 Masaru Seita Copper electroplating method using insoluble anode
US6660153B2 (en) * 2000-10-20 2003-12-09 Shipley Company, L.L.C. Seed layer repair bath
US6776893B1 (en) 2000-11-20 2004-08-17 Enthone Inc. Electroplating chemistry for the CU filling of submicron features of VLSI/ULSI interconnect
AU2002248343A1 (en) * 2001-01-12 2002-08-19 University Of Rochester Methods and systems for electro-or electroless-plating of metal in high-aspect ratio features
KR100439534B1 (ko) * 2001-03-30 2004-07-09 주식회사 미뉴타텍 전기도금용 레벨링제
AU2003209642A1 (en) 2002-03-04 2003-09-16 Printar Ltd. Digital application of protective soldermask to printed circuit boards
US20040007469A1 (en) * 2002-05-07 2004-01-15 Memgen Corporation Selective electrochemical deposition methods using pyrophosphate copper plating baths containing ammonium salts, citrate salts and/or selenium oxide
KR100389061B1 (ko) * 2002-11-14 2003-06-25 일진소재산업주식회사 전해 동박 제조용 전해액 및 이를 이용한 전해 동박 제조방법
EP1475463B2 (en) * 2002-12-20 2017-03-01 Shipley Company, L.L.C. Reverse pulse plating method
EP1477588A1 (en) * 2003-02-19 2004-11-17 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Copper Electroplating composition for wafers
US20050157475A1 (en) * 2004-01-15 2005-07-21 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Method of making printed circuit board with electroplated conductive through holes and board resulting therefrom
US20050211564A1 (en) * 2004-03-29 2005-09-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and composition to enhance wetting of ECP electrolyte to copper seed
EP1598449B1 (en) * 2004-04-26 2010-08-04 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Improved plating method
TW200613586A (en) * 2004-07-22 2006-05-01 Rohm & Haas Elect Mat Leveler compounds
DE102004041701A1 (de) * 2004-08-28 2006-03-02 Enthone Inc., West Haven Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von Metallen
US20060243599A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Electroplating additive for improved reliability
EP1741804B1 (en) * 2005-07-08 2016-04-27 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Electrolytic copper plating method
US7662981B2 (en) * 2005-07-16 2010-02-16 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Leveler compounds
US7575666B2 (en) * 2006-04-05 2009-08-18 James Watkowski Process for electrolytically plating copper
JP4862508B2 (ja) * 2006-06-12 2012-01-25 日立電線株式会社 導体パターン形成方法
JP4773399B2 (ja) * 2007-05-18 2011-09-14 矢崎総業株式会社 スズまたはスズ合金めっき層の定量分析方法
NL1033973C2 (nl) * 2007-06-12 2008-12-15 Elsyca N V Werkwijze en inrichting voor het deponeren of verwijderen van een laag op een werkstuk, analysemethode en inrichting voor het analyseren van een te verwachten laagdikte, een werkwijze voor het vervaardigen van een database voor een dergelijke analysemethode of inrichting, alsmede een dergelijke database.
US20090056994A1 (en) * 2007-08-31 2009-03-05 Kuhr Werner G Methods of Treating a Surface to Promote Metal Plating and Devices Formed
US20090056991A1 (en) * 2007-08-31 2009-03-05 Kuhr Werner G Methods of Treating a Surface to Promote Binding of Molecule(s) of Interest, Coatings and Devices Formed Therefrom
US7905994B2 (en) 2007-10-03 2011-03-15 Moses Lake Industries, Inc. Substrate holder and electroplating system
US8388824B2 (en) * 2008-11-26 2013-03-05 Enthone Inc. Method and composition for electrodeposition of copper in microelectronics with dipyridyl-based levelers
WO2011149965A2 (en) 2010-05-24 2011-12-01 Enthone Inc. Copper filling of through silicon vias
WO2010115717A1 (en) 2009-04-07 2010-10-14 Basf Se Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling
KR20170034948A (ko) 2009-04-07 2017-03-29 바스프 에스이 무공극 서브미크론 특징부 충전을 위한 억제제를 포함하는 금속 도금용 조성물
WO2010115757A1 (en) 2009-04-07 2010-10-14 Basf Se Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling
US20120018310A1 (en) 2009-04-07 2012-01-26 Basf Se Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling
US8262894B2 (en) * 2009-04-30 2012-09-11 Moses Lake Industries, Inc. High speed copper plating bath
KR101730983B1 (ko) 2010-07-06 2017-04-27 나믹스 코포레이션 인쇄회로기판에서 사용하기 위한 유기 기판에의 접착을 향상시키는 구리 표면의 처리 방법
CN102286761B (zh) * 2011-08-31 2014-03-05 上海应用技术学院 一种印制线路板高分散光亮酸性镀铜添加剂及其制备方法和应用
US8492897B2 (en) 2011-09-14 2013-07-23 International Business Machines Corporation Microstructure modification in copper interconnect structures
JP2014086139A (ja) * 2012-10-19 2014-05-12 Sumitomo Electric Ind Ltd タブリード及びタブリードの製造方法並びに電気化学デバイス
JP6044827B2 (ja) * 2012-10-19 2016-12-14 住友電気工業株式会社 フッ素樹脂被膜を有する金属製品の製造方法
CN102995077B (zh) * 2012-12-28 2014-12-31 武汉吉和昌化工科技有限公司 一种无氰碱性光亮镀铜溶液、其制备方法及其电镀工艺
KR101565673B1 (ko) * 2014-01-02 2015-11-03 삼성전기주식회사 칩 전자부품의 제조방법
CN104499018A (zh) * 2014-11-28 2015-04-08 广东致卓精密金属科技有限公司 一种碱性无氰预镀铜镀液和工艺
CN113186572A (zh) * 2021-04-30 2021-07-30 东莞市环侨金属制品有限公司 一种铑钌合金电镀工艺
WO2023194802A1 (en) * 2022-04-05 2023-10-12 Aveni Electrolyte comprising an accelerator agent for bottom-up copper electroplating

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE565994A (ko) * 1957-04-16
GB1235101A (en) * 1967-05-01 1971-06-09 Albright & Wilson Mfg Ltd Improvements relating to electrodeposition of copper
US3798138A (en) * 1971-07-21 1974-03-19 Lea Ronal Inc Electrodeposition of copper
US3769179A (en) * 1972-01-19 1973-10-30 Kewanee Oil Co Copper plating process for printed circuits
US3770598A (en) * 1972-01-21 1973-11-06 Oxy Metal Finishing Corp Electrodeposition of copper from acid baths
JPS5044930A (ko) * 1973-08-24 1975-04-22
DE3012168A1 (de) * 1980-03-27 1981-10-01 Schering Ag Berlin Und Bergkamen, 1000 Berlin Verfahren zur galvanischen abscheidung von kupferniederschlaegen
US4336114A (en) * 1981-03-26 1982-06-22 Hooker Chemicals & Plastics Corp. Electrodeposition of bright copper
DE3114131A1 (de) * 1981-04-08 1982-11-04 Teldec Telefunken-Decca-Schallplatten Gmbh, 2000 Hamburg Verfahren zur herstellung einer schneidtraegers
US4347108A (en) * 1981-05-29 1982-08-31 Rohco, Inc. Electrodeposition of copper, acidic copper electroplating baths and additives therefor
US4376685A (en) * 1981-06-24 1983-03-15 M&T Chemicals Inc. Acid copper electroplating baths containing brightening and leveling additives
US4384930A (en) * 1981-08-21 1983-05-24 Mcgean-Rohco, Inc. Electroplating baths, additives therefor and methods for the electrodeposition of metals
US4683036A (en) * 1983-06-10 1987-07-28 Kollmorgen Technologies Corporation Method for electroplating non-metallic surfaces
US4555315A (en) * 1984-05-29 1985-11-26 Omi International Corporation High speed copper electroplating process and bath therefor
US4673469A (en) * 1984-06-08 1987-06-16 Mcgean-Rohco, Inc. Method of plating plastics
DE3721985A1 (de) * 1987-06-30 1989-01-12 Schering Ag Waessriges saures bad zur galvanischen abscheidung glaenzender und eingeebneter kupferueberzuege
US4897165A (en) * 1988-08-23 1990-01-30 Shipley Company Inc. Electroplating composition and process for plating through holes in printed circuit boards

Also Published As

Publication number Publication date
EP0440027A3 (en) 1991-11-06
US5051154A (en) 1991-09-24
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