DE19937843C1 - Verfahren zur Herstellung einer selbsttragenden Kupferfolie - Google Patents
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Abstract
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer selbsttragenden Kupferfolie beschrieben, die aufgrund ihres Gefüges eine kleine Scherfestigkeit besitzt und scharfrandig prägbar ist, wobei auf einer in ein Kupferelektrolytbad eintauchenden und von einem Anodenkorb umgebenen rotierenden Kathodenwalze die Kupferfolie galvanisch abgeschieden und von der Kathodenwalze abgelöst wird. Dabei wird ein Standard-Kupferelektrolytbad mit solchen Zusätzen verwendet, daß sich ein dentritisches Wachstum der Kupferfolie mit einer lamellaren Gefüge-Struktur ergibt. Aus dieser lamellaren Gefüge-Struktur resultiert eine vergrößerte Härte der erfindungsgemäß hergestellten Kupferfolie. Diese vergrößerte Härte geht mit einer erhöhten Sprödigkeit einher, durch welche die Konturschärfe beim Prägen der Kupferfolie wesentlich verbessert wird.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer selbsttragenden Kupferfolie,
die aufgrund ihres Gefüges eine kleine Scherfestigkeit besitzt und scharfrandig prägbar
ist, wobei auf einer in ein Kupferelektrolytbad eintauchenden und von einem
Anodenkorb umgebenen rotierenden Kathodenwalze die Kupferfolie galvanisch
abgeschieden und von der Kathodenwalze abgelöst wird.
Eine Kupferfolie, die aufgrund ihres Gefüges eine kleine Scherfestigkeit besitzt und
scharfrandig strukturierbar, d. h. prägbar ist, ist aus der EP 0 063 347 A1 bekannt. Wie
dieses in einer kleinen Scherfestigkeit resultierende Gefüge der Kupferfolie realisiert
wird, dazu macht diese Druckschrift keine detaillierteren Angaben.
Aus der US-A 5 019 221 ist eine Vorrichtung zur galvanischen Herstellung einer
Kupferfolie auf einer Walzenkathode bekannt, die in ein Kupferelektrolytbad eintaucht.
Die Walzenkathode ist von einem Anodenkorb umgeben. Die mit dieser bekannten
Vorrichtung hergestellte Kupferfolie weist eine relativ geringe Oberflächenrauhigkeit von
maximal 5 bis 6 µm auf. Über das Gefüge der mit dieser Vorrichtung hergestellten
Kupferfolie werden dort keine Ausführungen gemacht.
Die ältere Patentanmeldung 198 57 157 der Anmelderin beschreibt ein Verfahren zur
Herstellung einer selbsttragenden Kupferfolie, die aufgrund ihres Gefüges eine kleine
Scherfestigkeit besitzt und demzufolge scharfrandig strukturierbar, d. h. prägbar ist. Die
Kupferfolie wird auf einer rotierenden Walzenkathode abgeschieden. Von der
Walzenkathode beabstandet ist ein Anodenkorb vorgesehen. Zwischen der
Walzenkathode und dem Anodenkorb wird während der Drehung der Walzenkathode
eine definierte Gleichspannung angelegt, um auf der Walzenkathode die Kupferfolie
abzuscheiden. Zwischen der Walzenkathode und dem Anodenkorb ist außerdem
mindestens eine Zusatzanode vorgesehen, wobei zwischen dieser und der
Walzenkathode eine definierte zweite Gleichspannung angelegt wird, um auf der von
der Walzenkathode abgewandten Außenseite der Kupferfolie eine Blumenkohlstruktur
aus Kupfer festhaftend abzuscheiden. Die mit der Blumenkohlstruktur ausgebildete
Kupferfolie wird mit einer Blackoxide-Beschichtung versehen, wodurch eine
vergleichsweise große Rauhtiefe der Kupferfolie realisiert wird. Aus dieser großen
Rauhtiefe resultiert eine entsprechend große Abzugfestigkeit der auf ein Substrat
aufgeprägten Kupferfolie, ohne daß zur Fixierung der Kupferfolie am Substrat ein Kleber
erforderlich wäre. Zur Gefügestruktur der Kupferfolie macht auch diese ältere
Patentanmeldung keine detaillierteren Ausführungen.
Aus der US 4 692 221 ist ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung von
Metallfolien bekannt, wobei zwischen einer Walzenkathode und einem Anodenkorb eine
erste Zone mit einem ersten Spaltabstand und eine zweite Zone mit einem im Vergleich
zum ersten Spaltabstand kleinen zweiten Spaltabstand festgelegt sind. Hierdurch
ergeben sich an der hergestellten Metallfolie Dendriten.
Das "Handbuch der Galvanotechnik", Band I, Teil 1, Dettner, Elze und Raub, Carl
Hauser Verlag, München 1963, beschreibt auf den Seiten 92 bis 101 Strukturen
elektrolytischer Metallniederschläge, wobei die folgenden Wachstumstypen
unterschieden werden:
- a) Feldorientierter Isolationstyp (FI)
- b) basisorientierter Reproduktionstyp (BR)
- c) Zwillings-Übergangstyp (Z)
- d) feldorientierter Texturtryp (FT)
- e) unorientierter Dispersionstyp (DU).
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung einer
selbsttragenden Kupferfolie der eingangs genannten Art zu schaffen, die sich
ausgezeichnet zum scharfrandigen Prägen, insbesondere Heißprägen, eignet, wobei
das Verfahren einfach und kostengünstig durchführbar ist.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs genannten Art erfindungsgemäß
dadurch gelöst, daß ein Standard-Kupferelektrolytbad mit solchen Zusätzen verwendet
wird, daß sich ein dendritisches Wachstum der Kupferfolie mit einer lamellaren
Gefügestruktur ergibt, wobei als Zusätze für das Standard-Kupferelektrolytbad
50-100 g/l natürliche Kolloide
2-5 mg/l Zitronensäure
1-10 mg/l Polyolefine mit einem Molgewicht von ca. 400,
1-10 mg/l Polyethylenglykol oder Polypropylenglykol
1-10 mg/l Thiosulfate
1-10 mg/l Melamin-Verbindung
1-10 mg/l Phenolsulfonsäure
verwendet werden.
50-100 g/l natürliche Kolloide
2-5 mg/l Zitronensäure
1-10 mg/l Polyolefine mit einem Molgewicht von ca. 400,
1-10 mg/l Polyethylenglykol oder Polypropylenglykol
1-10 mg/l Thiosulfate
1-10 mg/l Melamin-Verbindung
1-10 mg/l Phenolsulfonsäure
verwendet werden.
Durch die Mischung des Standard-Kupferelektrolytbades, das beispielsweise die
folgende Zusammensetzung aufweist:
200-250 g/l Kupfersulfat Cu SO4 × 5H2O
50-80 g/l Schwefelsäure
10-50 mg/l Cl- (zugesetzt in Form von Natriumchlorid)
mit den oben genannten Zusätzen ist es einfach und reproduzierbar möglich, eine selbsttragende Kupferfolie im Dickenbereich zwischen 10 und 100 µm, vorzugsweise zwischen 18 und 100 µm, mit einer lamellaren Gefügestruktur zu realisieren.
50-80 g/l Schwefelsäure
10-50 mg/l Cl- (zugesetzt in Form von Natriumchlorid)
mit den oben genannten Zusätzen ist es einfach und reproduzierbar möglich, eine selbsttragende Kupferfolie im Dickenbereich zwischen 10 und 100 µm, vorzugsweise zwischen 18 und 100 µm, mit einer lamellaren Gefügestruktur zu realisieren.
Während bekanntermaßen hergestellte Kupferfolien eine ausgeprägte feldorientierte
Gefüge-Textur besten, weist die erfindungsgemäß hergestellte selbsttragende
Kupferfolie eine lamellare Gefüge-Struktur auf. Die mit dem erfindungsgemäßen
Verfahren hergestellte selbsttragende Kupferfolie weist im Vergleich zu bekannten
Kupferfolien eine vergrößerte Härte auf, mit welcher eine entsprechend vergrößerte
Sprödigkeit einhergeht. Aus dieser vergrößerten Sprödigkeit resultiert die vorteilhafte,
vergrößerte Konturierschärfe der erfindungsgemäß hergestellten Kupferfolie beim
Prägen auf ein Sulfat. Während bekannte Kupferfolien beispielsweise eine Härte von
169 HV 0,025 besitzen, weisen erfindungsgemäß hergestellte Kupferfolien eine Härte
von 225 HV 0,025 auf.
Das dendritische Wachstum bzw. die lamellare Struktur der erfindungsgemäß
hergestellten Kupferfolie kann noch dadurch weiter verbessert werden, daß die
rotierende Kathodenwalze mit dem mit den Zusätzen versehenen Standard-
Kupferelektrolyt gezielt angeströmt wird. Dem selben Zweck ist es dienlich, wenn das
mit den Zusätzen versehene Standard-Kupferelektrolytbad auf eine Temperatur von 30
bis 45°C erwärmt wird.
Ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäß hergestellten selbsttragenden Kupferfolie
im Vergleich mit einer bekannten Kupferfolie wird nachfolgend anhand von stark
vergrößerten Schliffbildern verdeutlicht.
Fig. 1 zeigt einen Querschliff durch eine erfindungsgemäß hergestellte selbsttragende
Kupferfolie vor einer Ätzbehandlung. Aus dieser Figur ist ersichtlich, daß die eine Dicke
von 30 µm aufweisende, erfindungsgemäß hergestellte Kupferfolie einen sogenannten
unorientierten Dispersionstypus des Gefüges aufweist.
Fig. 2 zeigt die erfindungsgemäß hergestellte Kupferfolie gemäß Fig. 1 nach einer
entsprechenden Ätzbehandlung. Diese Figur verdeutlicht die charakteristische lamellare
Gefüge-Struktur der erfindungsgemäß hergestellten Kupferfolie.
Fig. 3 zeigt in einer der Fig. 1 ähnlichen Schliffbild-Darstellung eine bekannte
Kupferfolie der gleichen Wanddicke, d. h. mit einer Dicke von 30 µm. Diese nach einem
bekannten Verfahren galvanisch hergestellte Kupferfolie weist ein Gefüge mit einer
ausgeprägten feldorientierten Textur auf. Die Fig. 3 zeigt die besagte bekannte
Kupferfolie in einem Schliffbild - ähnlich dem Schliffbild gemäß Fig. 1 - während die
Fig. 4 die Kupferfolie gemäß Fig. 3 nach einer entsprechenden Ätzbehandlung
verdeutlicht, um die ausgeprägte Feldorientierung der Gefügetextur weiter verbessert zu
verdeutlichen.
Claims (3)
1. Verfahren zur Herstellung einer selbsttragenden Kupferfolie, die aufgrund ihres
Gefüges eine kleine Scherfestigkeit besitzt und scharfrandig prägbar ist, wobei
auf einer in ein Kupferelektrolytbad eintauchenden und von einem Anodenkorb
umgebenen rotierenden Kathodenwalze die Kupferfolie galvanisch abgeschieden
und von der Kathodenwalze abgelöst wird,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein Standard-Kupferelektrolytbad mit solchen Zusätzen verwendet wird, daß sich ein dendritisches Wachstum der Kupferfolie mit einer lamellaren Gefüge- Struktur ergibt, wobei als Zusätze für das Standard-Kupferelektrolytbad
50-100 g/l natürliche Kolloide
2-5 mg/l Zitronensäure
1-10 mg/l Polyolefine mit einem Molgewicht von ca. 400,
1-10 mg/l Polyethylenglykol oder Polypropylenglykol
1-10 mg/l Thiosulfate
1-10 mg/l Melamin-Verbindung
1-10 mg/l Phenolsulfonsäure
verwendet werden.
daß ein Standard-Kupferelektrolytbad mit solchen Zusätzen verwendet wird, daß sich ein dendritisches Wachstum der Kupferfolie mit einer lamellaren Gefüge- Struktur ergibt, wobei als Zusätze für das Standard-Kupferelektrolytbad
50-100 g/l natürliche Kolloide
2-5 mg/l Zitronensäure
1-10 mg/l Polyolefine mit einem Molgewicht von ca. 400,
1-10 mg/l Polyethylenglykol oder Polypropylenglykol
1-10 mg/l Thiosulfate
1-10 mg/l Melamin-Verbindung
1-10 mg/l Phenolsulfonsäure
verwendet werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die rotierende Kathodenwalze mit den mit den Zusätzen versehenen
Standard-Kupferelektrolyt angeströmt wird, wodurch das dendritische Wachstum
der Kupferfolie mit der lamellaren Gefüge-Struktur verbessert wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß das mit den Zusätzen versehene Standard-Kupferelektrolytbad auf eine
Temperatur von 30-45°C erwärmt wird.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE1999137843 DE19937843C1 (de) | 1999-08-13 | 1999-08-13 | Verfahren zur Herstellung einer selbsttragenden Kupferfolie |
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