JPH0434202B2

JPH0434202B2 -

Info

Publication number: JPH0434202B2
Application number: JP58196354A
Authority: JP
Inventors: Junichi Sakai; Fujio Ito; Seiichi Watanabe
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1983-10-20
Filing date: 1983-10-20
Publication date: 1992-06-05
Also published as: JPS6087405A; US4656533A

Description

【発明の詳細な説明】

産業上の利用分野本発明は電子計算機の補助記憶装置に使用する
フロツピーデイスク装置に関するものである。従来例の構成とその問題点第１図は従来のフロツピーデイスク装置のブロ
ツク図、第２図は同装置の信号波形図を示してい
る。以下にこの従来例の構成について第１図、第
２図とともに説明する。第１図において、１はフロツピーデイスク装置
に着脱可能な磁気媒体であ、この磁気媒体１はス
ピンドルモータ２により回転され、磁気ヘツド３
を介して信号の記録、再生が行なわれるものであ
る。この磁気媒体１に信号を記録する場合、書込み
回路４へ書込み信号ｂが入力されて、その出力
（第２図ｃ）が磁気ヘツド３から記録されるもの
である。この磁気媒体１は第２図ｃの電圧により
第２図ｄのように磁化されるものである。なお、
磁気ヘツド３の進行方向に向かつて左右両端には
消去ヘツド（図示せず）が設けられ、再生の際の
誤検出を防止している。この消去ヘツドは磁気ヘ
ツド３より進行方向に向かつて後部に設けられて
いるので、遅延回路６を設けて、書込みゲート信
号ｈを遅延させて消去回路５により消去ヘツドに
出力される。また、上記磁気媒体１の信号を再生する場合、
磁気ヘツド３から信号ｉが検出され、プリアンプ
７で信号増幅され、ローパスフイルタ８でノイズ
成分が除去され（第２図ｅ）、微分増幅回路９に
入力される。この微分増幅回路９で微分された信
号ｆはコンパレータ１０に入力される。このコン
パレータ１０は、入力信号ｆが、電圧0Vを通過
（ゼロクロス）すると、出力信号ｇが変化するも
のである。（「０」→「１」，「１」→「０」）この
信号ｇがタイムドメインフイルタ１１に入力され
ると、この信号ｇが変化したとき（「０」→
「１」，「１」→「０」）に、１パルス出力し、信号
ｂと同一の出力信号ｊが出力され、外部へ出力さ
れるものである。ところで、現在市販されているフロツピーデイ
スク装置には、表１のように通常密度用と高密度
ようとがあり、各々異なつた規格を有している。

【表】しかしながら、上記従来例においては、磁気媒
体が高密度用になつた場合、従来のフロツピーデ
イスク装置を高密度用に別に設計、組立てられた
装置に変更しなければならず、操作時間、コスト
上問題があつた。発明の目的本発明は、上記従来例の欠点を除去するもので
あり、同一装置で複数の磁気密度で記録された磁
気媒体を再生できるフロツピーデイスク装置を提
供するものである。発明の構成本発明は、上記目的を達成するために、回転駆
動手段、書込み手段および読出し手段のそれぞれ
へ、磁気密度に応じた切替信号を印加することに
よつて、回転速度、書込み電流値、その他特性を
切替え、同一装置により複数の磁気密度で記録さ
れた磁気媒体を再生できる効果を有するものであ
る。実施例の説明以下に本発明の一実施例の構成について、図面
とともに説明する。第３図は本発明の一実施例に
よるフロツピーデイスク装置のブロツク図、第４
図は通常密度用および高密度用の信号波形図であ
る。第３図において、１２ａはフロツピーデイスク
装置に着脱可能な通常密度の磁気媒体であり、こ
の磁気媒体１２ａは、たとえば保磁力300エルス
テツド、磁性層の厚み2.5ミクロンである。１２
ｂはフロツピーデイスク装置に着脱可能な高密度
の磁気媒体であり、この磁気媒体１２ｂは、たと
えば保磁力600エルステツド、磁性層の厚み1.5ミ
クロンである。１３はスピンドルモータであり、このスピンド
ルモータ１３はモータ駆動回路１３ａへ切替信号
−DDMが入力されることによつて、たとえば毎
分300回転もしくは、360回転に切替え可能であ
る。１４は高密度、通常密度の両方の磁気媒体に
記録、再生可能な磁気ヘツドである。１５は書込
み回路であり、この書込み回路１５は書込みゲー
ト信号ｈに制御された書込みデータ信号ｂを切替
信号−LSにより、高密度用または通常密度用の
書込み電流Ｃに変換して、磁気ヘツド１４に入力
する。なお、遅延回路１７および消去回路１６
は、従来例と同様に再生の際の誤検出を防止する
ものであるが、切替信号＋LSまたは−LSにより
高密度用と通常密度用の遅延時間を変えるもので
ある。また、上記磁気媒体１２ａ，１２ｂに信号を再
生する場合、磁気ヘツド１４から信号ｉが検出さ
れ、プリアンプ１８で信号増幅され、ローパスフ
イルタ１９でノイズ成分が除去される。このロー
パスフイルタ１９は切替信号＋LSにより、高密
度用または通常密度用の遮断周波（300KHzまた
は400KHz）に切替わり、磁気媒体の内周側での
読出し時の中心周波ズレ（ピークシフト）を補正
している。微分増幅回路２０は切替信号−LSにより高密
度用または通常密度用の共振周波数（350KHzま
たは500KHz）に切替わつて、利得の変化を一定
にし、不要な高域ノイズを除去してジツターを抑
圧するものである。この微分増幅回路２０は入力
信号を微分して出力信号として送出するものであ
る。コンパレータ２１は、従来例と同様に入力信号
ｆが電圧OVを通過（ゼロクロス）する（「０」
→「１」，「１」→「０」）と出力信号ｇが変化す
るものである。この出力信号ｇがタイムドメインフイルタ２２
に入力されると、この信号ｇが変化したとき
（「０」→「１」，「１」→「０」）に１パルス出力
し、信号ｂと同一の信号ｊが出力され、読出しパ
ルス信号ｊとして外部へ出力されるものである。
タイムドメインフイルタ２２は切替信号−LSに
より内蔵している誤動作防止用回路を切替えてい
る。２３は切替信号回路であり、この切替信号回
路２３は、操作者が切替スイツチ２４を＋Ｂ側ま
たはアース側に切替えることによつて３本の出力
信号−DDM，−LS，＋LSを「１」または「０」
に切替えるものである。なお、通常密度用では−
DDMは「０」，−LSは「０」，＋LSは「１」であ
り、高密度では、−DDMは「１」，＋LSは「０」
の信号が送出される。また、−DDMは−LSと同
じ極性の信号を送出しているが、モータ駆動回路
１３ａ用に大電流を駆動できるようになつてい
る。第４図は、通常密度用のデータａ１と書込み信
号ｂ１、および高密度用のデータａ２と書込み信
号ｂ２とを示した信号波形図である。第４図に示
すように通常密度用の書込み信号ｂ１と高密度用
の書込み信号ｂ２は出力電圧が同じで周波数が異
なるものである。次に上記実施例の動作について説明する。第３
図において、通常密度の磁気媒体１２ａに信号を
記録，再生させるときには、切替スイツチ２４を
通常密度用に切替えると、スピンドルモータ１３
は毎分300回転となり、書込み回路１５の書込み
電流および消去回路１６の消去電流は通常密度用
になるものである。また通常密度での再生では、
ローパスフイルタ１９の遮断周波数を300KHz、
微分増幅回路２０の共振周波数を350KHz、タイ
ムドメインフイルタ２２お時定数を高密度時より
１／２に切替えるものである。次に、高密度の磁気媒体１２ｂに信号を記録、
再生させるときには切替スイツチ２４を高密度側
に切替えると、スピンドルモータ１３は毎分360
回転となり、書込み回路１５の書込み電流Ｃおよ
び消去回路１６の消去電流は通常密度時のそれぞ
れ２倍、1.4倍となるものである。また、高密度
での再生では、ローパスフイルタ１９の遮断周波
数を400KHz、微分増幅回路２０の共振周波数を
500KHz、タイムドメインフイルタ２２の時定数
を通常密度時より２倍に切替えるものである。このように、通常密度用と高密度用の磁気媒体
１２ａ，１２ｂに信号を記録、再生する場合に
は、切替スイツチ２４を切替えることにより、実
施できるものである。すなわち、表１に示したよ
うに通常密度用の磁気媒体１２ａでは、記憶容量
1Mバイト、データ転送速度250Kbit／ｓ、トラ
ツク数80、磁性層の厚み2.5ミクロンである。ま
た高密度用の磁気媒体１２ｂでは記憶容量1.6M
バイト、データ転送速度500Kbit／ｓ、トラツク
数70、磁性層の厚み1.5ミクロンとなる磁気媒体
１２ａ，１２ｂを切替スイツチ２４を切替えるこ
とにより、ひとつの装置で双方記録、再生できる
ものである。次に本実施例のフロツピーデイスク装置につい
て、第３図のブロツク図の個々のブロツクに対応
する回路を説明する。第５図は、切替信号回路２３の回路図である。
第５図において、３０は−LOW SPEED端子で
あり、この−LOW SPEED端子３０には、操作
者が切替スイツチ２４を切替えたときに「１」ま
たは「０」が印加されるもので、通常密度では
「０」が高密度では「１」が印加される。３１は
内部ドライブセレクト信号＋DS INTが印加され
る端子であり、この端子３１に「０」が印加され
ると、このフロツピーデイスク装置が動作可能と
なり、３１に「１」が加わると不動作となる。３
２はパワーオンリセツト−POR端子であり、こ
の端子は電源が投入されたとき「０」が印加され
る。３３はＤフリツプフロツプであり、このＤフ
リツプフロツプ３３Ｄ入力に「１」の信号があ
り、Ｔ入力が「１→０」になつたときＱ出力が変
化（「０→１」，「１→０」）するものである。３４
は、−LOW SPEED３０が「０」にならない限
り、Ｄ入力が「１」になるよう保持するプルアツ
プ抵抗である。３５はＤフリツプフロツプ３３の
セツトを禁止するプルアツプ抵抗である。３６は
Ｄフリツプフロツプ３３のＱ出力の電流増幅を行
なうバツフアアンプである。３７は、バツフアア
ンプ３６が「０」にならない限り「１」を保持す
るプルアツプ抵抗である。３８は、バツフアアン
プ３６の出力インピーダンスを下げるためのコン
デンサである。３９は第１の出力端子であり、通
常密度のときに「０」になる−LS（ローシグナ
ル）信号である。４０は、Ｄフリツプフロツプ３
３のＱ出力を変換（「０」→「１」，「１」→
「０」）するインバータである。４１はインバータ
４０が「０」にならない限り「１」を保持するプ
ルアツプ抵抗である。４２は、インバータ４０の
出力インピーダンスを下げるためのコンデンサで
ある。４３は第２の出力端子であり、通常密度の
ときに「１」になる＋LS（ローシグナル）信号で
ある。４４はNPN型のスイツチングトラジスタ
である。４５はインバータ４０の出力端子がトラ
ンジスタ４４のベースに接続されたバイアス抵抗
である。４６は第３の出力端子であり、フロツピ
ーデイスクを駆動させるモータを始動、停止させ
るオープンコレクタの−DDM（ダイレクト・ド
ライブ・モータ）信号である。次に、第５図の切替信号回路の動作について説
明する。まず、本装置の電源スイツチを入れると
−POR端子３２が「０」となり、Ｄフリツプフ
ロツプ３３のリセツト端子Ｒが「０」になり、リ
セツトされ、Ｑ出力が「０」となる。操作者が、
本フロツピーデイスク装置の駆動を選択すると、
＋DSINT３１が「０」になり、−LOW SPEED
３０の信号によつてＤフリツプフロツプ３３のＱ
出力の値が変化するものである。すなわち、−
LOW SPEED３０が「０」のとき（通常密度の
とき）はＱ出力が「０」となる。また、−LOW
SPEED３０が「１」のとき（高密度のとき）は
Ｑ出力が「１」となる。Ｑ出力が「０」のときは
第１の出力端子３９は「０」、第２の出力端子４
３は「１」、第３の出力端子４６は「０」になる。
また、Ｑ出力が「１」のときは第１の出力端子３
９は「１」、第２の出力端子４３は「０」、第３の
出力端子４６はハイインピーダンスとなるもので
ある。第６図は、書込回路１５、遅延回路１６、消去
回路１７、磁気ヘツド１４、その他付属回路を示
している。第６図の書込み回路１５は、書込み電流切替回
路１５ａ、安定化電源回路１５ｂ、書込み駆動回
路１５ｃとを有している。第６図の書込み電流切替回路１５ａにおいて、
３９は第１の切替信号−LS端子であり、この−
LS端子３９は第５図の−LS３９に接続されてい
る。５３は抵抗５２を介して端子３９とベースが
接続されているトランジスタである。５５は抵抗
５４を介してトランジスタ５３のコレクタとベー
スが接続されているトランジスタである。このト
ランジスタ５５のエミツタ、ベース間には抵抗５
６が接続され、エミツタ、コレクタ間に抵抗５７
と５８が直列接続されており、エミツタには安定
化電源回路１５ｂからの電圧が印加されている。この書込み電流切替回路１５ａは、通常密度に
おいて−LS端子３９が「０」となるので、トラ
ンジスタ５３と５５は非導通となる。従つて、安
定化電源回路１５ｂの電圧は抵抗５７のみを介し
て電流Ｉとなり、書込み駆動回路１５ｃに出力さ
れるものである。また、高密度において、この書込み電流切替回
路１５ａは、−LS端子３９が「１」となるので、
トランジスタ５３と５５は導通となる。従つて、
安定化電源回路１５ｂの電圧は抵抗５７と並列に
トランジスタ５５のエミツタ、コレクタを介した
抵抗５８を流れる。従つて、書込み駆動回路１５
ｃに出力される電流Ｉは抵抗５７と５８の合成抵
抗値によつて定められるため、抵抗５７のみの抵
抗値によつて定められる電流値より大きい電流が
流れるものである。このように、書込み駆動回路１５ｃに出力され
る電流Ｉは−LS端子３９により定まり、「０」の
とき、すなわち通常密度では小電流が流れ、「１」
のとき、すなわち高密度では大電流が流れる。安定化電源回路１５ｂにおいて、５９は＋12V
端子であり、この＋12V端子５９は抵抗６１を介
してトランジスタ６０のベースに、抵抗６２を介
してトランジスタ６０のコレクタに接続されてい
る。トランジスタ６０のエミツタはアースに接続
されており、このトランジスタ６０のコレクタ
は、トランジスタ６４のベースと、ツエナーダイ
オード６３のカソードに接続されている。このツ
エナーダイオード６３のアノードはアースに接続
されている。トランジスタ６４のコレクタは、＋
12V端子５９と接続され、トランジスタ６４のエ
ミツタはトランジスタ５５のエミツタに接続され
ている。この安定化電源回路１５ｂは、トランジスタ６
０のベースが「０」のとき、トランジスタ６４の
エミツタから電圧が出力されるものである。すな
わち、トランジスタ６０のベースが「０」のとき
は、トランジスタ６０は非導通となり、＋12Vは
抵抗６２を介してツエナーダイオード６３に流れ
る。ツエナーダイオード６３のツエナー電圧がト
ランジスタ６４のベースに印加することによつ
て、安定化された電圧が、トランジスタ６４のエ
ミツタから送出される。一方、書込みのデータ（第３図ｂは）は
WRITE DATE端子６５にパルス波形として入
力される。６７はインバータであり、このインバ
ータ６７の入力はWRITE DATA端子６５から
信号がないときに、抵抗６６が通して＋5V、す
なわち「１」の状態になつているものである。６
８はＤフリツプフロツプであり、このＤフリツプ
フロツプ６８のＴ端子は、インバータ６７の出力
端子に接続され、Ｄ端子はＱ出力端子に接続され
ており、またＲ端子はORゲート７１の出力端子
に接続されている。 ORゲート７１の一方の入力端子はバツフアア
ンプ７０を介してWRITE GATE６９に接続さ
れ、他方の入力端子はバツフアアンプ７３を介し
てDS INT３１に接続されている。上記Ｄフリツプフロツプ６８は、Ｑ出力の反転
情報ＱがＤ入力になるため、Ｔ入力が「１」から
「０」になつたとき、Ｑ出力が反転する。すなわ
ち、このＤフリツプフロツプ６８は、Ｔ入力を２
分周するものである。７６はインバータであた、このインバータ７６
の出力は抵抗７７を介してトランジスタ７９を駆
動するものである。このトランジスタ７９は、抵
抗７８により安定化された電圧（トランジスタ６
４の出力）がベースに接続され、またトランジス
タ７９のエミツタには上記の書込み電流Ｉが供給
され、コレクタは抵抗８０を介してアースに接続
されている。８１はインバータであり、このインバータ８１
の出力は抵抗８２を介してトランジスタ８４を駆
動するものである。このトランジスタ８４は抵抗
８３を介してトランジスタ６４のエミツタに接続
されている。トランジスタ８４のエミツタには上
記の書込み電流Ｉが接続され、コレクタは抵抗８
５を介してアースに接続されている。トランジスタ７９のコレクタは、トランジスタ
８４のコレクタ間には抵抗８６が接続されてい
る。トランジスタ７９のコレクタは、ダイオード
８７を介して第１の磁気ヘツド１００の書込み読
出しコイル１０１に接続されている。またトラン
ジスタ７９のコレクタはダイオード８８を介して
第２の磁気ヘツド１０５の書込み読出しコイル１
０６にも接続されている。トランジスタ８４のコレクタは、ダイオード８
９を介して第１の磁気ヘツド１００の書込み読出
しコイル１０２に接続されている。また、トラン
ジスタ８４のコレクタはダイオード９０を介して
第２の磁気ヘツド１０５の書込み読出しコイル１
０７にも接続されている。７５はパワーオンリセツト−POR端子であり、
この−POR端子７５には電源投入直後に一時期
のみ「０」が印加される。７４はNANDゲート
であり、このNANDゲート７４の一方の入力に
は−POR７５が入力され、他方の入力にはバツ
フアアンプ７３を介して内部ドライブセレクト
DSINT端子３１が入力される。NANDゲート７
４の出力は、トランジスタ６０のベースに接続さ
れている。次に、第６図の遅延回路１６および消去回路１
７について説明する。第６図において、１１０は消去可能を示す−
ESW（イレーサブレ信号）である。４３は通常密
度用を駆動させるときに「１」になる第２の切替
端子（＋LS端子）である。１１３は5Vに接続さ
れた抵抗１１２とコンデンサ１１８の時定数によ
り出力電圧の出力時間が定められるワンシヨツト
マルチICであり、このIC１１３はバツフア１１
１を介した−ESW１１０が「０」になつたとき
に出力を開始するものである。ただし、通常密度
では＋LS４３が「１」になるので、抵抗１１５
を介したトランジスタ１１６が導通し、コンデン
サ１１７がアースに接続される。この状態では、
コンデンサ１１８と１１７が並列接続になるため
IC１１３の出力時間を長くする働きがあるもの
である。なお、このIC１１３の出力はNANDゲ
ート１１９およびNORゲート１２５へ出力する
ものである。このNANDゲート１１９は、IC１１３の出力
と−POR７５を入力し、出力は抵抗１２０を介
してトランジスタ１２２のベースに接続されてい
る。このトランジスタ１２２はベースへ抵抗１２
１を介して5Vが印加され、コレクタには抵抗１
２４を介してアースへ接続されている。抵抗１２
４にはアノード側がアースに接続されたダイオー
ド１２３が並列に接続されている。トランジスタ
１２２のコレクタには、ダイオード１２６，１２
７のアノードが接続されており、このダイオード
１２６のカソードは第１の磁気ヘツド１００の消
去コイル１０３に接続され、またダイオード１２
７のカソードは第２の磁気ヘツド１０５の消去コ
イル１０８に接続されている。この消去コイル１
０３にはノイズ除去用にコンデンサ１０４が並列
に接続され、同様に消去コイル１０８にはノイズ
除去用にコンデンサ１０９が接続されている。
ANDゲート１３８または１４０の出力が「０」
になつたとき、トランジスタ１２２のコレクタか
ら電流が供給され、接続された消去コイル１０３
または１０８が消去動作を開始する。次に、消去回路１７について説明する。３９は
通常密度用で「０」の信号になる−LSである。
１２９はトランジスタ１３０のベースバイアス抵
抗である。トランジスタ１３０はエミツタがアー
スに、コレクタがバイアス抵抗１３１に接続され
ている。＋5Vはトランジスタ１３２のエミツタに
接続され、抵抗１３３を介してベースへ、抵抗１
３４および１３５を介してコレクタに接続されて
いる。なお、抵抗１３４と１３５の中点からトラ
ンジスタ１２２のエミツタ接続されている。この消去回路１７は−LS１２８が「０」のと
き、すなわち通常密度用のときにはトランジスタ
１３０が導通しないので、トランジスタ１３２も
導通せず、＋5Vは抵抗１３４のみを経由してトラ
ンジスタ１２２のエミツタに供給されるものであ
る。一方、−LS１２８が「１」のとき、すなわち
高密度用のときには、トランジスタ１３０が導通
してトランジスタ１３２も導通し、＋5Vは抵抗１
３４と１３５の並列接続を経由してトランジスタ
１２２のエミツタに供給されるものである。１３６は、フロツピーデイスクの第１の磁気ヘ
ツド１００を駆動のときに「１」、第２の磁気ヘ
ツド１０５駆動のときに「０」となる−SIDE
SELECTである。１３７は入力が−SIDE
SELECT１３６に、出力がANDゲート１３８と
１４１に接続されているインバータである。
ANDゲート１３９と１４０の入力には−SIDE
SELECT１３６が直接接続されている。ANDゲ
ート１３８〜１４１のもうひつとの入力には、
NORゲート１２５の出力がそれぞれに接続され
ている。 ANDゲート１３８〜１４１とNORゲート１２
５、−SIDE SELECT１３６との関係は次の通り
である。 (1) NORゲート１２５＝「０」、SIDE SELECT
１３６＝「０」のとき。インバータ１３７の出力が「１」なので、 ANDゲート１３８，１４０，１４１の出力
＝「１」ANDゲート１３９の出力＝「０」 (2) NORゲート１２５＝「０」、−SIDE SELECT
１３６＝「１」のとき。インバータ１３７の出力が「０」なので、 ANDゲート１３９，１４０，１４１の出力
＝「１」ANDゲート１３８の出力＝「０」 (3) NORゲート１２５＝「１」、−SIDE SELECT
１３６＝「０」のとき。インバータ１３７の出力が「０」なので、 NANDゲート１３８，１３９，１４０の出
力＝「１」NANDゲート１４１の出力＝「０」 (4) NORゲート１２５＝「１」、−SIDE SELECT
１３６＝「０」のとき。インバータ１３７の出力が「１」なので、 NANDゲート１３８，１３９，１４１の出
力＝「１」NANDゲート１４０の出力＝「０」となるものである。これらNANDゲート１３８〜１４１の出力の
働きは次のとおりである。 (1) NANDゲート１３８が「０」のとき。磁気ヘツド１４の第１の磁気ヘツド１００のコ
イル１０１〜１０３の中点が0Vとなり、消去コ
イル１０３が動作するので、第１の磁気ヘツド１
００の書込みが可能となる。 (2) NANDゲート１３９が「０」のとき。磁気ヘツド１４のサイド１１０５のコイル１
０６〜１０８の中点が0Vとなり、消去コイル１
０８が動作するので、第２の磁気ヘツド１０５の
書き込みが可能となる。 (3) NANDゲート１４０が「０」のとき。磁気ヘツド１４の第１の磁気ヘツド１００のコ
イル１０１〜１０３の中点が6Vとなり、消去コ
イル１０３が動作しなくなる。これは抵抗１４４
と、１４２の値を同一にしたため、中点の電圧が
6Vとなり、消去コイル１０３に電流が流れなく
なるためである。このとき、第１の磁気ヘツド１
００の読み出しが可能となる。 (4) NANDゲート１４１が「０」のとき。磁気ヘツド１４の第２の磁気ヘツド１０５のコ
イル１０６〜１０８の中点が6Vとなり、消去コ
イル１０８が動作しなくなる。これは、抵抗１４
５と、１４３の値を同一にしたため、中点の電圧
が6Vとなり、消去コイル１０３に電流が流れな
くなるためである。このとき、第２の磁気ヘツド
１０５の読み出しが可能となる。次に、磁気ヘツド１４について説明する。磁気
セツド１４は第１の磁気ヘツド１００と第２の磁
気ヘツド１０５とを有している。これは、フロツ
ピーデイスク１２ａ，１２ｂの表面および裏面に
対応するものである。第１の磁気ヘツド１００には書込み、読み出し
コイル１０１，１０２および消去コイル１０３と
コンデンサ１０４とがある。３個のコイルとも、
一端は共通の制御線で制御され、他端は消去コイ
ル１０３では５ボルト、書込み、読み出しコイル
１０１，１０２では12ボルトが印加される。書込
み時には制御線が０ボルト（NANDゲート１３
８が「０」、１４０が「１」）となり書込み、読み
出しコイル１０１，１０２および消去コイル１０
３とも駆動するものである。また、読み出し時に
は制御線が６ボルト（NANDゲート１４０が
「０」、１３８が「１」）となるため、消去コイル
１０３は駆動せず、書込み、読み出しコイル１０
１，１０２のみ駆動する。同様に、第２の磁気ヘツド１０５には書込み、
読み出しコイル１０６、１０７および消去コイル
１０８とコンデンサ１０９とがある。３個のコイ
ルとも、一端は共通の制御線で制御され、他端は
消去コイル１０８では５ボルト、書込み、読み出
しコイル１０６，１０７では12ボルトが印加され
る。書込み時には制御線が０ボルト（NANDゲ
ート１３９が「０」、１４１が「１」）となり、書
込み、読み出しコイル１０６，１０７、消去コイ
ル１０８とも駆動するものである。また、読み出
し時には制御線が６ボルト（NANDゲート１４
１が「０」、１３９が「１」）となるため、消去コ
イル１０８が駆動せず、書込み、読み出しコイル
１０６，１０７のみ駆動する。次に、第６図の書込回路１５、遅延回路１６、
消去回路１７、磁気ヘツド１４の動作について説
明する。第６図において、書込みデータ（第２図ｂ）は
WRITE DATA端子６５に印加される。書込み
可能であれば、書込みゲート信号（第３図ｈ）が
WRITE GATE６９に印加され、Ｄフリツプフ
ロツプ６８のリセツトを解除し、書込みデータ
（第２図ｂ）を２分周する。また、書込み可能のときは、DS INT３１およ
び−POR７５が「１」になつているので、トラ
ンジスタ６０は非導通となつており、＋12V端子
５９に印加された＋12Vは安定化電源回路１５ｂ
で安定化され、書込み切替回路１５ａに印加され
る。この書込み切替回路１５ａには、−LS端子３９
へ、通常密度で「０」、高密度「１」の信号がき
ており、この−LS端子３９の信号により書込み
電流Ｉは通常密度では抵抗５７のみを流れる小電
流が、高密度で抵抗５７と５８の双方を流れる大
電流が流れ、書込み駆動回路１５ｃへ印加され
る。一方、Ｄフリツプフロツプ６８から出力された
書込みデータは、トランジスタ７９，８４により
書込み電流Ｉを制御し、ダイオード８７〜９０を
介して書込み、読出しコイル１０１，１０に，１
０６，１０７へ印加される。フロツピーデイスク
１２ａ，１２ｂへの書込みは、NANDゲート１
３８，１３９で制御され、第１の磁気ヘツド１０
０または第２の磁気ヘツド１０５のいずれか一方
のみが駆動される。次に、遅延回路１６、消去回路１７の動作を説
明する。遅延回路１６では、消去可能の信号（−
ESW110）をワンシヨツトマルチIC１１３で遅延
させている。このIC１１３の遅延時間は通常密
度と高密度で異なり、＋CS端子４３により切替え
られる。この遅延回路１６の出力はNORゲート
１２５を介してNANDゲート１３８〜１４１へ
印加される。また、消去電流はトランジスタ１２２からダイ
オード１２６，１２７を介して消去コイル１０
３，１０８に印加される。この消去電流は−LS
端子３９により切替えられ、通常密度では抵抗１
３４のみを介して小電流が、高密度では抵抗１３
４と１３５の双方を流れる大電流が消去コイル１
０３，１０８に印加されるものである。また、こ
の消去電流は書込み電流と同様にNANDゲート
１３８，１３９により制御され、第１の磁気ヘツ
ド１００または第２の磁気ヘツド１０５のいずれ
か一方のみが駆動される。なお、読出し時にはWRITE GATE端子６９
および−ESW端子１１０の両方が「１」となり、
NORゲート１２５を「１」にしてNANADゲー
ト１３８，１３９を閉じ、NANDゲート１４０，
１４１を開く。このとき、制御線（各コイル１０
１〜１０３，１０６〜１０８）を０ボルトから６
ボルトに向上させて、５ボルトの印加している消
去コイル１０３，１０８の動作を停止させるもの
である。従つて、読出し時には書込み、読出しコ
イル１０１，１０２，１０６，１０７のいずれか
２個が駆動され、READ１１５１端子および
READ２１５０端子から読出されるものであ
る。次に、読出し回路群について第６図、第７図ａ
〜ｃ、第８図を用いて説明する。第６図において、１４６は磁気コイル１０７に
接続されたダイオード、１４７は磁気コイル１０
２に接続されたダイオード、１４８は磁気コイル
１０６に接続されたダイオード、１４９は磁気コ
イル１０１に接続されたダイオードである。ダイ
オード１４６と１４７のアノードは共通に
READ２端子１５０から第７図のローパスフイ
ルタ１８のREAD２に接続されるものである。
一方、ダイオード１４８と１４９のアノードは共
通にREAD１端子１５１が第７図のプリアンプ
１９のREAD１端子１５１に接続されるもので
ある。第７図ａは、プリアンプ１８およびローパスフ
イルタ１９を示した回路図である。第７図におい
て、１５０はREAD１の入力端子、１５１は
READ２の入力端子である。１５２，１５３は、
＋12Vに接続されたバイアス抵抗であり、このバ
イアス抵抗１５２，１５３はそれぞれREAD１
１５０およびREAD２１５１がダイオード
１４６〜１４９を介して磁気ヘツドコイル１０
１，１０２，１０６，１０７をバイアスするもの
である。１５４は、READ１１５０とREAD
２１５１間の入力インピーダンスを決める抵抗
である。ローパスフイルタ１９は、＋PC ON端子１５
６、＋LS端子４３およびプリアンプ１５５の出力
を入力とし、LPF＋１８９とLPF−１９０から
出力されるものである。＋PC ON端子（プリコン
ペON）１５６はバツフアアンプ１５７を介して
ダイオード１７０および１７１の中点に接続され
ている。この＋PC ON端子１５６は、回転中の
フロツピーデイスクの現在位置（トラツク数）を
計数するトラツクカウンタ（図示せず）に接続さ
れ、０〜43トラツクで「０」、44〜76トラツクで
「１」が印加されるものである。このPC ON端子
１５６と＋LS４３により、高密度で内側トラツ
ク（44〜76トラツク）のとき、ローパスフイルタ
１９の遮断周波数を高められるものである。＋LS端子（通常密度）４３は通常密度のとき
「１」となり、抵抗１６０を介してトランジスタ
１６１を導通させるものである。＋12Vは、抵抗
１７６を介してダイオード１６４のアノード、ダ
イオード１７０のアノードおよびコンデンサ１７
７に接続されている。また、＋12Vは抵抗１８１
を介してダイオード１６７のアノード、ダイオー
ド１７１のアノードおよびコンデンサ１７２に接
続されている。 READ１ａ１５８の出力は一方ではコイル１
６８を介してコンデンサ１７２およびトランジス
タ１７４のベースに接続され、他方は抵抗１６２
を介してトランジスタ１６３のベースに接続され
ている。このトランジスタ１６３のエミツタは、
ダイオード１６４のカソードに接続され、コレク
タはアースに接続されている。また、トランジス
タ１７４のエミツタは抵抗１７５を介して＋12V
が接続され、コレクタはアースへ、ベースは抵抗
１７３を介してアースへ接続されている。また、READ２ａ１５９の出力は一方ではコ
イル１６９を介してコンデンサ１７７およびトラ
ンジスタ１７９のベースに接続され、他方は抵抗
１６５を介してトランジスタ１６６のベースに接
続されている。このトランジスタ１６６のエミツ
タはダイオード１６７のカソードに接続され、コ
レクタはアースに接続されている。また、トラン
ジスタ１７９のエミツタは抵抗１８０を介して、
＋12Vが接続されコレクタはアースへ、ベースは
抵抗１７８を介してアースへ接続されている。トランジスタ１７４のエミツタはコイル１８２
を介してコンデンサ１８４，１８７、抵抗１８５
に接続されている。この抵抗１８５の他方はアー
ス、コンデンサ１８７の他方は、LPE＋の端子
１８９に接続されている。また、トランジスタ１
７９のエミツタはコイル１８３を介して、上記コ
ンデンサ１８４の他方、抵抗１８６およびコンデ
ンサ１８８に接続されている。この抵抗１８６の
他方はアースへ、コンデンサ１８８の他方は
LPF−の端子１９０に接続されている。第７図ｂは通常密度におけるローパスフイルタ
１９のフイルタ回路である。第７図ｂにおいて、
入力はREAD１ａ１５８，２ａ１５９であり、
コイル１６８，１６９を介して出力される。この
出力は、トランジスタ１７４，１７９のベースで
ある。この出力１７４のベースと１７９のベース
の間にはコンデンサ１７２と１７７の直列回路、
および抵抗１７３と１７８の直列回路が接続され
ている。この第７図ｂは、＋LS４３端子が「１」の場合
であるからトランジスタ１６１が導通し、ダイオ
ード１７０，１７１をアースに接続されているも
のである。第７図ｃは高密度におけるローパスフイルタ１
９のフイルタ回路である。第７図ｃにおいて、入
力はREADla１５８，２ａ１５９であり、コイル
１６８，１６９を介して出力される。この出力は
トランジスタ１７４，１７９のベースである。ま
た、入力のREAD１ａ１５８はコンデンサ１７
７を介して出力の１７９のベースに接続されてい
る。READ２ａ１５９はコンデンサ１７２を介
して出力の１７４のベースに接続されている。こ
の出力１７４のベースと１７９のベースの間に
は、抵抗１７３と１７８の直列回路が接続されて
いる。このように、ローパスフイルタ１９は、通常密
度では第７図ｂのようなフイルタで定められる遮
断周波数の特性を持つものであり、高密度では第
７図ｃのようなフイルタで定められる遮断周波数
の特性を持つものである。次に、第７図ａのプリアンプ１８およびローパ
スフイルタ１９の動作を説明する。一般に、フロツピーデイスク装置は表面、裏面
を同時に再生することはないので、読み出し回路
は、一系統分だけあればよい。従つて第６図のよ
うに、第１の磁気ヘツド１００と第２の磁気ヘツ
ド１０５を１系統にまとめて、再生するものであ
る。このようにして、磁気ヘツドのコイル１０１，
１０２，１０６，１０７から読み出された情報
は、ダイオード１４６〜１４９を介してオペアン
プ１５５に増幅されて出力される。オペアンプ１５５の出力はREAD１ａ側では、
コイル１６８とコンデンサ１７２のローパスフイ
ルタを通り、トランジスタ１７４に入力される。
またREAD２ａ側では、コイル１６９とコンデ
ンサ１７７のローパスフイルタを通り、トランジ
スタ１７９に入力される。ローパスフイルタ回路１９のREAD１ａ端子
１５８およびREAD２ａ端子１５９は、オペア
ンプ１５５の出力がそれぞれ接続されている。通
常密度では＋LS端子４３が「１」になつている
ため、トランジスタ１６１は導通して、＋12Vは
抵抗１７６、ダイオード１７０、トランジスタ１
６１を介してアースに流れる。また＋12Vは、抵
抗１８１、ダイオード１７０、トランジスタ１６
１も介してアースに流れるものである。このと
き、ダイオード１６４とトランジスタ１６３、お
よびダイオード１６７とトランジスタ１６６は逆
バイアスとなるため動作しない。従つて、通常密
度の場合にはREAD１ａ１５８とREAD２ａ１
５９から、トランジスタ１７４のベースとトラン
ジスタ１７９のベース間の回路は第７図ｂに示し
た回路図と等価になるものである。次に、高密度では＋LS端子４３が「０」とな
りトランジスタ１６１は非導通となるものであ
る。＋PC ON端子１５６は、フロツピーデイスク
１２ｂの０〜43トラツクのときに「０」のため、
バツフアアンプ１５７の出力も「０」となるの
で、第７図ｂの回路図がそのまま適用できるもの
である。また、フロツピーデイスク１２ｂの44〜
76トラツクのときには＋PC ON１５６は「１」
となるため、＋12Vは抵抗１７６を通つた後、ダ
イオード１７０を導通できないため、ダイオード
１６４、トランジスタ１６３を導通するものであ
る。同様に＋12Vは抵抗１８１を通つた後、ダイ
オード１７１を導通できないため、ダイオード１
６７、トランジスタ１６６を導通するものであ
る。従つて、高密度の場合にはREAD１ａ１５
８とREAD２ａ１５９から、トランジスタ１７
４のベースとトランジスタ１７９のベース間の回
路は第７図ｃに示した回路図と等価になるもので
ある。その後、コイル１８２，１８３、コンデンサ１
８４で、周波数特性を補正されてLPF＋端子１
８９とLPF−端子１９０から出力されるもので
ある。次に、微分増幅回路２０について、第８図を用
いて説明する。第８図において、３９は通常密度で「０」、高
密度で「１」が入力される−LSである。２０１，
２０２，２０４はトランジスタ２０３のバイアス
抵抗である。２０５はFET（電解効果トランジス
タ）２０６のバイアス抵抗である。FET２０６
のソース、ドレイン間にはコンデンサ２０７およ
び２０８が直列に接続されている。コンデンサ２
０８の両端には抵抗２０９が並列に接続されてお
り、抵抗２１０、半固定抵抗２１３、コイル２１
１の直列回路も並列に接続されている。この半固
定抵抗２１３の可動部分は抵抗２１２を介してア
ースに接続されている。一方、LPF＋１８９はトランジスタ１９１の
ベースに、LPF−１９０はトランジスタ１９４
のベースにそれぞれ接続されている。トランジス
タ１９１のコレクタはコンパレータ２１と、抵抗
１９２を介して＋12Vに接続され、エミツタは定
電流源１９３に接続されている。トランジスタ１
９４のコレクタは、コンパレータ２１と、抵抗１
９５を介して＋12Vに接続され、エミツタは定電
流源１９６に接続されている。このトランジスタ
１９１のエミツタと半固定抵抗２１３の一方の端
子と接続され、トランジスタ１９４のエミツタと
半固定抵抗２１３の他方の端子に接続されてい
る。次に、コンパレータ２１とタイムドメインフイ
ルタ２２について、第８図を用いて説明する。第８図において、−LS３９の信号はバイアス抵
抗２２６を介してトランジスタ２２７のベースに
入力される。トランジスタ２２７のエミツタはア
ースに接続され、コレクタは抵抗２２８を介して
トランジスタ２２９のベースに接続される。この
トランジスタ２２９のベース、エミツタ間にはバ
イアス抵抗２３０が接続され、コレクタ、エミツ
タ間には抵抗２２９と２３２の直列回路が接続さ
れている。抵抗２２９と２３２の中点はワンシヨ
ツトマルチ２２１に接続され、この中点とワンシ
ヨツトマルチ２２１の他の点との間にコンデンサ
２３３が接続されている。また、トランジスタ２
２９のエミツタには抵抗２３４を介して＋12Vが
接続され、ツエナーダイオード２３５を介してア
ースと接続されている。このトランジスタ２２９
のエミツタは、抵抗２３６を介してワンシヨツト
マルチ２２３に接続されている。このワンシヨツ
トマルチ２２３の一端子と他の端子の間にはコン
デンサ２３７が接続されている。コンパレータ２１は、２つの入力電圧を比較し
その差を出力するものであり、パルス発生器２２
０および、Ｄフリツプフロツプ２２２のＤ端子に
接続されている。パル発生器２２０は、コンパレ
ータ２１の出力電圧を入力し、出力電圧の極性が
反転したときに、短いパルスを１個発生させるも
のである。ワンシヨツトマルチ２２１は、パルス
発生器２２０の短いパルスによつて定められた時
間の長さの信号を送出するものであり、その時間
の長さは、コンデンサ２３３と抵抗２３２、また
は２３１の時定数によつて定められるものであ
る。２２２はＤフリツプフロツプであり、このＤ
フリツプフロツプ２２２はＤ入力がコンパレータ
２１の出力と、Ｔ入力はワンシヨツトマルチ２２
１の出力に接続され、Ｄ入力が「１」のときに、
Ｔ入力の反転に伴ないＱ，出力が反転するもの
である。２２３はワンシヨツトマルチであり、こ
のワンシヨツトマルチ２２３はＤフリツプフロツ
プ２２２のＱ，出力が反転したときに定められ
た時間の長さの信号を送出するものである。この
時間の長さは、コンデンサ２３７と抵抗２３６の
時定数によつて定められるものである。このワンシヨツトマルチの出力は、ANDゲー
ト２２４に入力され、READ ENABLE２２５
が「１」のときANDゲート２２４からREAD
DATA２２６の端子に出力されるものである。次に、第８図の微分増幅回路２０、コンパレー
タ２１およびタイムドメインフイルタ２２の動作
について説明する。第８図において、ローパスフイルタ１９の出
力、すなわち、LPF＋１８９とLPF−１９０の
信号は、トランジスタ１９１とトランジスタ１９
４に入力され、高密度の場合は両トランジスタ間
に接続されたコイル２１１と、コンデンサ２０
７、またはコンデンサ２０８による微分回路によ
り微分されるものである（第２図ｆ参照）。通常密度の場合は、−LS２００が「０」になる
ので、トランジスタ２０３が非導通となり、
FET２０６が導通となり、微分回路はコンデン
サ２０７と２０８の並列回路とコイル２１１によ
り形成されるものである。通常密度におけるコン
デンサ２０７，２０８とコイル２１１による共振
周波数は、高密度におけるコンデンサ２０８とコ
イル２１１による共振周波数より低くなるもので
ある。その理由は、共振周波数における基本式、：共振周波数＝１／2π√LC Ｌ：インダクタンスＣ：キヤパシタンスにおいて、Ｃの値が高密度より通常密度の方が大
きいためである。このように微分された信号は、コンパレータ２
１に入力され、２つの入力信号の極性が反転した
とき出力が反転される（第２図ｆ）。コンパレータ２１の出力は、パルス発生器２２
０、ワンシヨツトマルチ２２１、Ｄフリツプフロ
ツプ２２２を介してワンシヨツトマルチ２２３に
入力される。このパルス発生器２２０、ワンシヨ
ツトマルチ２２１、Ｄフリツプフロツプ２２２
は、第２図ｆに示された微分増幅回路２０の出力
の中だるみ部分f₁，f₂，f₃が、ノイズにより誤動
作するのを防止しているものである。すなわち、コンパレータ２１の出力は、いった
んパルス発生器２２０に入力され、コンパレータ
２１の出力の極性が変化したとき、短いパルスが
出力される。このパルス発生器２２０の出力ワン
シヨツトマルチ２２１を駆動させる。このワンシ
ヨツトマルチの出力時間は、通常密度用と高密度
用で異なるものである。通常密度用では、−LS３９が「０」となり、ト
ランジスタ２２９を非導通にしているので、ワン
シヨツトマルチのパルス時間幅はコンデンサ２２
３と抵抗２３２で定められる時定数により決めら
れる。また、高密度用では−LS３９が「１」と
なるのでトランジスタ２２９は導通しているの
で、ワンシヨツトのパルス時間幅は、コンデンサ
２２３と抵抗２３２，２３１の合成抵抗で定めら
れる時定数により決められる。このワンシヨツトマルチ２２１のパルス送出終
了時にＤフリツプフロツプ２２２のＴ入力を駆動
させるようしてあるので、もし微分増幅回路２０
の出力の中だるみ（第２図f₁〜f₃）にノイズが混
入してもワンシヨツトマルチ２２１のパルス送出
時間にマスクされるので、Ｄフリツプフロツプ２
２２の誤動作は生じないものである。このＤフリツプフロツプ２２２の出力は、ワン
シヨツトマルチ２２３で波形整形され、読み出し
可能のときは、READ ENABLE２２５が「１」
となり、READ DATA２２６として、外部へ送
出されるものである。次に、モータ駆動回路について第９図を用いて
説明する。第９図のモータ駆動回路は、ダイレクトドライ
ブモータ（D.Dモータ）１３、回転数制御用集積
回路（IC）２４０（μPC1043C相等）、モータ駆
動用集積回路（IC）２４１（TA−7245AP相等）
とその他付属部品とからなつている。２４２は、
通常密度用で「０」、高密度用で「１」になる−
DDMの端子である。２４３はD.Dモータ１３を
駆動するときに「１」になるMOTOR ONの端
子である。２４４は＋12Vである。２４５は、モ
ータの回転軸に垂直に取り付けられたパルス波形
状のプリントパターンのF.Gであり、このF.G.
（周波数発振器）は、モータが回転したときにモ
ータに内蔵してある永久磁石の回転により生ずる
磁束の回転を上記プリントパターンで検出し、誘
起起電圧を発生するものである。２４６は、IC
２４０に内蔵してあるプリアンプであり、このプ
リアンプ２４６はF.G.２４６はF.G.２４５の電圧
でプラス端子に入力し、出力は抵抗２５０を介し
マイナス端子に接続されている。このプリアンプ
２４６のマイナス端子は、コンデンサ２４８と抵
抗２４９の直列回路を介してF.G.２４５の他端に
接続されている。このF.G.２４５の他端はコンデ
ンサ２４７を介してアースに接続されている。抵抗２５０には、抵抗２５２とコンデンサ２５
１の直列回路が並列接続されている。プリアンプ
２４６の出力はコンデンサ２５３を介して、IC
２４０内蔵のシユミツトトリガ２５４のマイナス
端子に入力される。シユミツトトリガ２５４の出
力は抵抗２５５を介してプラス端子に帰還され
る。また、このシユミツトトリガ２５４は入力信
号を、定められたしきい値でパルス状に波形整形
するものであり、その出力はコンデンサ２５６を
介して微分回路２５７に入力される。微分された
信号はタイミング回路２５８に入力される。タイ
ミング回路２５８は、抵抗２６４とコンデンサ２
６５の時定数により、微分された信号の立ち下が
り時間が定められている。タイミング回路２５８の出力はサンプル＆ホー
ルド回路２５９に入力され、のこぎり状波形が形
成される。こののこぎり状波形は、通常密度時に
はコンデンサ２７０および、抵抗２７１と半固定
抵抗２７２とで定められる傾きを有するものであ
る。また、高密度時にはコンデンサ２７０、抵抗
２７１、半固定抵抗２７２の他に抵抗２７３、半
固定抵抗２７４とで定められる傾きを有するもの
である。この通常密度と高密度の切り換えは、−DDM
２４２の信号による。すなわち、通常密度のとき
は、−DDM２４２が「０」となるので抵抗２７
６を介したトランジスタ２７５のベースが「０」
になり、トランジスタ２７５は非導通となり、抵
抗２７３と半固定抵抗２７４は回路上影響がなく
なる。また、高密度のときは−DDM２４２が
「１」となるので、トランジスタ２７５は導通と
なり、半固定抵抗２７４はアースに接続される。
抵抗２７１と半固定抵抗２７２の直列回路と、抵
抗２７３と半固定抵抗２７４の直列回路の合成抵
抗がコンデンサ２７０とで、のこぎり状波形の時
定数を形成するものである。２７８はサンプル＆
ホールド回路２５９のノイズ除去用のコンデンサ
であり、このコンデンサ２７８には電源回路２６
１の発生する電源電圧の半分の電圧が基準電圧と
して印加され、このコンデンサ２７８により、ノ
イズ成分が除去されるものである。２６０は比較及びDCアンプであり、この比較
及びDCアンプ２６０は、サンプル＆ホールド回
路２６０は上記、のこぎり状波形の信号と基準電
圧とを比較して、モータの回路制御の電流を送出
するものである。この比較及びDCアンプ２６０
の出力電圧は、コンデンサ２７９および、抵抗２
８０の直列接続と、コンデンサ２８１との並列回
路を経由して、再び比較及びDCアンプ２６０に
帰還され、モータ制御のための位相補正を行なつ
ているものである。２６１は電源回路であり、この電源回路２６１
はコイル２６２を介した＋12V２４４を入力し、
抵抗２９０、コンデンサ２７０、抵抗２６９およ
び、抵抗２６４に安定化電源電圧を供給している
ものである。２４３はD.D.モータ１３の駆動、停止を制御
するMOTOR ONであり、このMOTOR ON２
４３は、D.D.モータ１３を駆動させるときに
「１」の信号がきて、抵抗２６６を介したトラン
ジスタ２６８を導通させる。２６７，２６９はト
ランジスタ２６８のバイアス抵抗である。トラン
ジスタ２６８が導通すると、比較及びDCアンプ
２６０は「０」の信号を入力し、D.D.モータ１
３の回転を停止させるものである。コイル２６２とコンデンサ２６３とで、ノイズ
除去された＋12V２４４は、抵抗２８２，２７
７、コンデンサ２９２、および電源回路２６１に
供給される。抵抗２８２に供給された＋12V２４
４は、ホール素子H₁２８３、H₂２８４、H₃２８
５おび抵抗２８６を介してアースに接続されるも
のである。ホール素子H₁２８３の２つの検出端子は、コ
ンデンサ２８７を並列に接続し、IC２４１の，
番端子に接続される。ホール素子H₂２８４の
２つの検出端子は、コンデンサ２８８を並列に接
続し、IC２４１の，番端子に接続される。
ホール素子H₃２８５の２つの検出端子は、コン
デンサ２８９を並列に接続し、IC２４１の，
番端子に接続される。このホール素子２８３〜２８５は、コイル３０
０〜３０５の付近に配置され、D.D.モータ１３
に内蔵された永久磁石のＮ極、Ｓ極の位置を検出
するものである。 IC２４１の，，番端子は、D.D.モータ
１３のコイル３００〜３０５へ３相交流電圧を供
給する端子である。３０６は，番端子間に接
続されたコンデンサ、３０７は，番端子間に
接続されたコンデンサ、３０８は，番端子間
に接続されたコンデンサであり、３相交流電圧の
位相補正用に用いられている。番端子はアース
端子、番端子は＋12V端子であり、この番端
子は、コンデンサ２９２を介してアースに接続さ
れ、ノイズを除去している。 IC２４１の番端子は、IC２４０の電源回路
２６１の出力電圧を抵抗２９０を介して入力し、
基準電圧としている。この番端子の基準電圧は
ツエナーダイオード２９１を介して番端子に接
続されている。番端子は過電流保護端子であ
り、この過電流保護端子は、D.D.モータ１３
に過電流が供給されると、番端子の電圧が高く
なり、抵抗２９４を介してトランジスタ２９５を
導通させて、比較及びDCアンプ２６０の出力電
圧を0Vにする働きを有するものである。なお、
２９３は、アースと番端子間に接続されたバイ
アス抵抗、２９６は比較及びDCアンプ２６０の
ノイズ除去コンデンサである。次に、モータ駆動回路の動作について説明す
る。停止しているD.D.モータ１３を駆動させる
には、MOTOR ON２４３を「１」にすると、
トランジスタ２６８が導通して比較及びDCアン
プ２６０を「０」にして、IC２４１の〓番端子
に回転開始の電圧を与える。すると、IC２４１
の，，番端子から３相交流電圧がコイル３
００〜３０５に供給され、D.D.モータ１３に内
蔵された永久磁石との反作用により回転を開始す
る。この３相交流電圧の位相および周波数はホー
ル素子２８３〜２８５により、Ｎ極とＳ極に６分
割された永久磁石の回転位置により調整されるも
のである。このようにして、D.D.モータ１３の回転が開
始されると、F.G２４５が永久磁石の回転を検出
して、誘起起電圧を発生させるものである。この
誘起起電圧はプリアンプ２４６で増幅され、シユ
ミツトトリガ２５４でパルスに波形整形され、微
分回路２５７で微分される。この微分回路２５７
の出力は、抵抗２６４とコンデンサ２６５で定め
られる時定数により、立ち下がり特性を補正され
サンプル＆ホールド回路２５９に入力される。このサンプル＆ホールド回路２５９は、通常密
度は高密度により出力する、のこぎり状波形が異
なるものである。通常密度のときは−DDM２４
２が「０」となり、トランジスタ２７５が非導通
となつて抵抗２７３と半固定抵抗２７４はサンプ
ル＆ホールド回路に影響がなくなる。従つて、の
こぎり状波形は、コンデンサ２７０および抵抗２
７１と半固定抵抗２７２によつて定められる時定
数を有する波形となる。また、高密度のときは−DDM２４２が「１」
となり、トランジスタ２７５が導通となり、のこ
ぎり状波形はコンデンサ２７０および、抵抗２７
３、半固定抵抗２７４と抵抗２７１、半固定抵抗
２７２により時定数が定められるものである。サンプル＆ホールド回路２５９は他に電源電圧
の半分の電圧の基準電圧を作り、上記のこぎり状
波形とともに比較及びDCアンフ２６０へ送出さ
れる。比較及びDCアンプ２６０は、この基準電圧と
のこぎり状波形とを比較して、D.Dモータ１３の
回転数を検出し、回転数を増加する方向または、
減少する方向に出力を送出するものである。この
出力をモータ駆動IC２４１の番端子で入力し
，，番端子から、３相交流電圧となって
D.D.モータ１３に供給される。なお、D.D.モータ１３の回転数は高密度では
半固定抵抗２７４により微調し、通常密度では半
固定抵抗２７２により微調される。また、D.D.
モータ１３に過電流が供給されたときには、IC
２４１の番端子からモータ停止電圧が送出さ
れ、比較及びDCアンプ２６０の出力を中止させ、
D.D.モータ１３の回転を停止させるものである。発明の効果本発明は上記のような構成であり、本発明によ
れば回転駆動手段、書込み手段および読出し手段
のそれぞれへ磁気密度に応じた切替信号を印加す
ることによつて、回転速度、書込み電流値、その
他特性を切替え、同一装置により複数の磁気密度
で記録された磁気媒体を再生できる効果を有する
ものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のフロツピーデイスク装置のブロ
ツク図、第２図は同装置の信号波形図、第３図は
本発明の一実施例によるフロツピーデイスク装置
のブロツク図、第４図は通常密度用および高密度
用の信号波形図、第５図は切替信号回路の回路
図、第６図は書込み回路と遅延回路と消去回路の
回路図、第７図ａはプリアンプとローパスフイル
タの回路図、第７図ｂは通常密度におけるローパ
スフイルタのフイルタ回路図、第７図ｃは高密度
におけるローパスフイルタのフイルタ回路図、第
８図は微分増幅回路とコンパレータとタイムドメ
インフイルタの回路図、第９図はモータ駆動回路
の回路図である。１２ａ……通常密度の磁気媒体、１２ｂ……高
密度の磁気媒体、１３……スピンドルモータ、１
４……磁気ヘツド、１５……書込み回路、１６…
…消去回路、１７……遅延回路、１８……プリア
ンプ、１９……ローパスフイルタ、２０……微分
増幅回路、２１……コンパレータ、２２……タイ
ムドメインフイルタ、ｂ……書込みデータ信号、
ｃ……書込み電流、ｈ……書込みゲート信号、ｉ
……読出し信号、ｊ……読出しパルス信号、−
DDM，−LS，＋LS……切替信号。

Claims

【特許請求の範囲】１切替信号を発生する切替信号発生手段と、上
記切替信号により回転速度が変更され磁気記録媒
体を回転駆動させる回転駆動手段と、上記切替信
号により磁気ヘツドへの書込み電流値を変更する
書込み手段と、上記切替信号により磁気ヘツドか
ら読出される読出し信号の特性が変更される読出
し手段とを具備してなるフロツピーデイスク装
置。２切替信号により磁気ヘツド中の書込み読出し
ヘツドへの書込み電流値を変更する書込み回路
と、切替信号により書込み電流に対する遅延時間
が変更される遅延回路と、切替信号により磁気ヘ
ツド中の消去ヘツドへの消去電流値を変更し、上
記遅延回路に遅延されて送出される消去回路とで
書込み手段を構成した特許請求の範囲第１項記載
のフロツピーデイスク装置。３切替信号により磁気ヘツドからの読出し信号
の遮断周波数を変更するローパスフイルタと、切
替信号により共振周波数を変更して上記ローパス
フイルタの出力を微分する微分増幅回路と、切替
信号によりパルスの時間幅を変更して上記微分増
幅回路の出力をパルス波形にするタイムドメイン
フイルタとで読出し手段を構成した特許請求の範
囲第１項記載のフロツピーデイスク装置。