JP2521975B2 - 磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気記録再生装置Info
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- JP2521975B2 JP2521975B2 JP62217462A JP21746287A JP2521975B2 JP 2521975 B2 JP2521975 B2 JP 2521975B2 JP 62217462 A JP62217462 A JP 62217462A JP 21746287 A JP21746287 A JP 21746287A JP 2521975 B2 JP2521975 B2 JP 2521975B2
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B5/09—Digital recording
Landscapes
- Digital Magnetic Recording (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 以下の順序で本発明を説明する。
Ａ産業上の利用分野 Ｂ発明の概要 Ｃ従来の技術（第２図〜第５図） Ｄ発明が解決しようとする問題点（第６図、第７図） Ｅ問題点を解決するための手段（第１図） Ｆ作用（第１図） Ｇ実施例（第１図） Ｈ発明の効果 Ａ産業上の利用分野 本発明は磁気記録再生装置に関し、例えばフロツピイ
デイスク装置に適用して好適なものである。
デイスク装置に適用して好適なものである。
Ｂ発明の概要 本発明は、磁気記録再生装置において、消去ヘツドに
流れる電流を書込／読出ヘツドに流れる電流に応じて設
定するようにしたことにより、対称性のある良好な磁化
パターンを得ることができ、その結果ビツト誤り率が一
段と小さいデータを記録媒体に記録再生することができ
る。
流れる電流を書込／読出ヘツドに流れる電流に応じて設
定するようにしたことにより、対称性のある良好な磁化
パターンを得ることができ、その結果ビツト誤り率が一
段と小さいデータを記録媒体に記録再生することができ
る。
Ｃ従来の技術 従来この種のフロツピイデイスク装置においては、第
２図に示すような構成を有する一対の磁気ヘツド１を用
いて、フロツピイデイスクの表面（これを第１面と呼
ぶ）及び裏面（これを第０面と呼ぶ）上に同心円状に形
成された記録トラツクに、角速度一定の関係を維持しな
がらデイジタル情報を書き込み、又は読み出すようなも
のがある。
２図に示すような構成を有する一対の磁気ヘツド１を用
いて、フロツピイデイスクの表面（これを第１面と呼
ぶ）及び裏面（これを第０面と呼ぶ）上に同心円状に形
成された記録トラツクに、角速度一定の関係を維持しな
がらデイジタル情報を書き込み、又は読み出すようなも
のがある。
磁気ヘツド１は書込／読出ヘツド２及び消去ヘツド３
を有し、第３図に示すように、フロツピイデイスクの回
転方向ａに対して書込／読出ヘツド２が先行するように
消去ヘツド３と一体に貼り合わされた構成を有する。
を有し、第３図に示すように、フロツピイデイスクの回
転方向ａに対して書込／読出ヘツド２が先行するように
消去ヘツド３と一体に貼り合わされた構成を有する。
かくして書込電流IWを書込／読出コイル４に供給する
ことにより、第４図（Ａ）に示すように、フロツピイデ
イスク上の記録トラツクTRに、その走行方向ａ又はその
反対方向に磁化された第１及び第２の磁化パターン……
PA1、PA2、PA3、……及び……PB1、PB2……を順次交互
に形成するようになされている。
ことにより、第４図（Ａ）に示すように、フロツピイデ
イスク上の記録トラツクTRに、その走行方向ａ又はその
反対方向に磁化された第１及び第２の磁化パターン……
PA1、PA2、PA3、……及び……PB1、PB2……を順次交互
に形成するようになされている。
かくして読出モード時において記録トラツクTRに記録
された磁化パターン……PA1、PB1、PA2、PB2、PA3……
を書込／読出ヘツド２が走査したとき、第４図（Ｂ）に
示すように、磁化方向が逆転する境界部分SK1、SK2、SK
3、SK4を通過するタイミングで検出パルスＰを発生させ
るようになされている。
された磁化パターン……PA1、PB1、PA2、PB2、PA3……
を書込／読出ヘツド２が走査したとき、第４図（Ｂ）に
示すように、磁化方向が逆転する境界部分SK1、SK2、SK
3、SK4を通過するタイミングで検出パルスＰを発生させ
るようになされている。
ここでフロツピイデイスク上のデータの書込みは例え
ばMFM方式が用いられており、第５図に示すように、デ
ータの最小単位を構成するビツトセルＣに論理「１」デ
ータを書き込むとき、ビツトセルＣのほぼ中央のタイミ
ングで立ち上がるデータパルス……D1、D2、D3……を書
込／読出ヘツド２に供給する。このビツトセルＣをデー
タビツトという。
ばMFM方式が用いられており、第５図に示すように、デ
ータの最小単位を構成するビツトセルＣに論理「１」デ
ータを書き込むとき、ビツトセルＣのほぼ中央のタイミ
ングで立ち上がるデータパルス……D1、D2、D3……を書
込／読出ヘツド２に供給する。このビツトセルＣをデー
タビツトという。
これに対してビツトセルＣに論理「０」データを書き
込むときにはデータパルスを供給せず、かつ論理「０」
データを書き込むべきビツトセルＣが２つ以上連続した
ときビツトセルＣの開始時点のタイミングでクロツクパ
ルス……K1、K2、K3……を書込／読出ヘツド２に供給す
る。このビツトセルをクロツクビツトと呼ぶ。
込むときにはデータパルスを供給せず、かつ論理「０」
データを書き込むべきビツトセルＣが２つ以上連続した
ときビツトセルＣの開始時点のタイミングでクロツクパ
ルス……K1、K2、K3……を書込／読出ヘツド２に供給す
る。このビツトセルをクロツクビツトと呼ぶ。
このようにすれば、フロツピイデイスクからは第５図
（Ａ）に示すように、記録されているデイジタル情報を
クロツクパルス及びデータパルスを検出パルスＰ（第４
図（Ｂ））として検出することができる。このパルス列
はデータウインドウDW（第５図（Ｂ））を通過するよう
に処理され、これによりデータウインドウDWが論理
「１」レベルに立ち上がつている期間の間にデータパル
ス……D1、D2、D3……が生じたときこれを再生データDP
として得るようになされている。
（Ａ）に示すように、記録されているデイジタル情報を
クロツクパルス及びデータパルスを検出パルスＰ（第４
図（Ｂ））として検出することができる。このパルス列
はデータウインドウDW（第５図（Ｂ））を通過するよう
に処理され、これによりデータウインドウDWが論理
「１」レベルに立ち上がつている期間の間にデータパル
ス……D1、D2、D3……が生じたときこれを再生データDP
として得るようになされている。
データパルス……D1、D2、D3……を検出するためにデ
ータウインドウDWのパルスは各ビツトセルＣのほぼ中央
のタイミングにおいて、データパルス……D1、D2、D3…
…より僅かに長い時間の間周期的に立ち上がるように、
再生装置において形成される。
ータウインドウDWのパルスは各ビツトセルＣのほぼ中央
のタイミングにおいて、データパルス……D1、D2、D3…
…より僅かに長い時間の間周期的に立ち上がるように、
再生装置において形成される。
書込モード時磁気ヘツド１（第２図）の書込／読出ヘ
ツド２は第２図に示すように、書込／読出コイル４の中
間端子CMからＡヘツドコイル部4Aの端子HAに書込電流IW
を通すことによりギャツブGA2に磁化パターン……PA1、
PA2、PA3……（第４図（Ａ））を磁化する磁束MAを発生
し、また中間端子CMからＢヘツドコイル部4Bの端子HBに
書込電流IWを通すことによりギャツブGA2に磁化パター
ン……PB1、PB2……（第４図（Ｂ））を磁化する逆方向
の磁束MBを発生する。
ツド２は第２図に示すように、書込／読出コイル４の中
間端子CMからＡヘツドコイル部4Aの端子HAに書込電流IW
を通すことによりギャツブGA2に磁化パターン……PA1、
PA2、PA3……（第４図（Ａ））を磁化する磁束MAを発生
し、また中間端子CMからＢヘツドコイル部4Bの端子HBに
書込電流IWを通すことによりギャツブGA2に磁化パター
ン……PB1、PB2……（第４図（Ｂ））を磁化する逆方向
の磁束MBを発生する。
これに対して消去ヘツド３は、第３図に示すように、
書込／読出ヘツド２の後行位置において書込／読出ヘツ
ド２の記録パターンPT2の両側縁部を跨るように設けら
れた一対のヘツド部3A及び3Bを有し、消去コイル５に消
去電流IEが供給されることにより記録パターンPT2の両
側縁部及びその外側部分上に消去パターンPT3A及びPT3B
を重ね書き消去するようになされている。
書込／読出ヘツド２の後行位置において書込／読出ヘツ
ド２の記録パターンPT2の両側縁部を跨るように設けら
れた一対のヘツド部3A及び3Bを有し、消去コイル５に消
去電流IEが供給されることにより記録パターンPT2の両
側縁部及びその外側部分上に消去パターンPT3A及びPT3B
を重ね書き消去するようになされている。
かくして記録パターンPT2のうち、消去パターンPT3A
及びPT3Bによつて消去されることなく残つた記録トラツ
クTRの両側縁から外側には記録情報がなくなることによ
り、読出モード時書込／読出ヘツド２によつて記録トラ
ツクTRからデータを読み出した際に、不要なノイズや、
クロストークをピツクアツプしないようにし得る。
及びPT3Bによつて消去されることなく残つた記録トラツ
クTRの両側縁から外側には記録情報がなくなることによ
り、読出モード時書込／読出ヘツド２によつて記録トラ
ツクTRからデータを読み出した際に、不要なノイズや、
クロストークをピツクアツプしないようにし得る。
Ｄ発明が解決しようとする問題点 ところで、かかる構成の磁気記録再生装置において
は、書込／読出ヘツド２に対してフロツピイデイスク
（従つて記録トラツクTR）は角速度一定の関係を維持す
るように駆動制御されているのに対して、全ての記録ト
ラツクTRについて単位面積当たりに供給される電流の密
度である電流密度が一定になるような書込電流を供給す
ることにより誤り率ができるだけ小さくなるようにデー
タを記録できるような工夫がなされており、そのため書
込電流IWは、書込／読出ヘツド２が外周側記録トラツク
TRを走査している第１の書込モード時では、内周側記録
トラツクTRを走査している第２の書込モード時の値より
大きくなるように設定される。
は、書込／読出ヘツド２に対してフロツピイデイスク
（従つて記録トラツクTR）は角速度一定の関係を維持す
るように駆動制御されているのに対して、全ての記録ト
ラツクTRについて単位面積当たりに供給される電流の密
度である電流密度が一定になるような書込電流を供給す
ることにより誤り率ができるだけ小さくなるようにデー
タを記録できるような工夫がなされており、そのため書
込電流IWは、書込／読出ヘツド２が外周側記録トラツク
TRを走査している第１の書込モード時では、内周側記録
トラツクTRを走査している第２の書込モード時の値より
大きくなるように設定される。
これに加えて、フロツピイデイスクとして線記録密度
が大きい大容量のものと、線記録密度が小さい小容量の
ものとを互換し得るようにすれば、大容量のフロツピイ
デイスクを使用する際の書込電流IWの値は、小容量のフ
ロツピイデイスクを使用する際の書込電流IWの値より小
さい値に設定する必要がある。
が大きい大容量のものと、線記録密度が小さい小容量の
ものとを互換し得るようにすれば、大容量のフロツピイ
デイスクを使用する際の書込電流IWの値は、小容量のフ
ロツピイデイスクを使用する際の書込電流IWの値より小
さい値に設定する必要がある。
このように書込／読出コイル４に供給する書込電流IW
の値として書込モードに応じて異なる値が設定される
と、記録トラツクTR（第４図（Ａ））に記録される各磁
化パターンの長さが当該各磁化パターンの磁化方向と、
消去ヘツド３による磁化方向との一致、不一致によつて
一様にならなくなり、これにより磁化パターンの境界位
置が記録モードに応じて移動し、その結果記録データを
正しく読み出し得なくなるおそれがある。
の値として書込モードに応じて異なる値が設定される
と、記録トラツクTR（第４図（Ａ））に記録される各磁
化パターンの長さが当該各磁化パターンの磁化方向と、
消去ヘツド３による磁化方向との一致、不一致によつて
一様にならなくなり、これにより磁化パターンの境界位
置が記録モードに応じて移動し、その結果記録データを
正しく読み出し得なくなるおそれがある。
因に消去コイル５に消去電流IEを流したときギヤツブ
GA3に生ずる消去磁束MEは、消去ヘツド３のギヤツブGA3
と書込／読出ヘツド２のギヤツブGA2との間に寸法が近
接しているために、消去漏れ磁束MEWとして書込／読出
ヘツド２に漏れる。そこで消去漏れ磁束MEWは書込磁束M
A又はMBと合成されることにより、磁化方向が一致する
とき書込磁束を強め、逆に磁化方向が互いに逆方向にな
つたとき書込磁束を弱める。
GA3に生ずる消去磁束MEは、消去ヘツド３のギヤツブGA3
と書込／読出ヘツド２のギヤツブGA2との間に寸法が近
接しているために、消去漏れ磁束MEWとして書込／読出
ヘツド２に漏れる。そこで消去漏れ磁束MEWは書込磁束M
A又はMBと合成されることにより、磁化方向が一致する
とき書込磁束を強め、逆に磁化方向が互いに逆方向にな
つたとき書込磁束を弱める。
その結果、書込磁束が消去漏れ磁束MEWによつて強ま
ると記録トラツクTRの磁化パターンが長くなり、逆に弱
まると磁化パターンが短くなる。
ると記録トラツクTRの磁化パターンが長くなり、逆に弱
まると磁化パターンが短くなる。
ここで書込電流IWは種々の書込モード時において変化
しており、これに対して消去電流IEは最大の書込電流IW
を流す書込モード時において記録パターンPT2の両側縁
部を消去することができる電流で固定されている。
しており、これに対して消去電流IEは最大の書込電流IW
を流す書込モード時において記録パターンPT2の両側縁
部を消去することができる電流で固定されている。
特に書込時に最小の書込電流IWを流せば良いのに、こ
れに対して消去電流IEは最大値において固定されている
ために、書込磁束が消去漏れ磁束MEWの影響を大きく受
け、磁化パターンの長さが非対称になる。
れに対して消去電流IEは最大値において固定されている
ために、書込磁束が消去漏れ磁束MEWの影響を大きく受
け、磁化パターンの長さが非対称になる。
このように、各磁化パターンの長さが変化すると、互
いに隣合う磁化方向が逆の一対の磁化パターンの長さが
一致している状態（これを対称状態と呼ぶ）から一致し
ない状態（これを対称性の劣化と呼ぶ）になり、その結
果、磁化パターン……PA1〜PA3……の境界SK1〜SK4の位
置が変化し、これに応じて読出モード時書込／読出ヘツ
ド２からピツクアツプされるクロツクパルスK1〜K3及び
データパルス……D1、D2……の位置が変化する問題が生
ずる。
いに隣合う磁化方向が逆の一対の磁化パターンの長さが
一致している状態（これを対称状態と呼ぶ）から一致し
ない状態（これを対称性の劣化と呼ぶ）になり、その結
果、磁化パターン……PA1〜PA3……の境界SK1〜SK4の位
置が変化し、これに応じて読出モード時書込／読出ヘツ
ド２からピツクアツプされるクロツクパルスK1〜K3及び
データパルス……D1、D2……の位置が変化する問題が生
ずる。
例えば第６図（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）のように、正
常な状態でデータパターン「……1111……」が書き込ま
れているときには、ビツトセルＣの時間が４〔μsec〕
であるのに対してデータパルスD10〜D13のピツチが４
〔μsec〕となつており、ビツトセルＣのほぼ中央部に
おいてデータパルス……D10〜D13……が生じ、かくして
データパルス……D10〜D13……がデータウインドウDW1
（第６図（Ｂ））の立下りの期間を十分なマージンをも
ちながら通ることができることにより、確実にデータパ
ルス……D10X〜D13X……を検出することができ、かくし
てデータパターン「……1111……」を小さいビツト誤り
率で読み出すことができる。
常な状態でデータパターン「……1111……」が書き込ま
れているときには、ビツトセルＣの時間が４〔μsec〕
であるのに対してデータパルスD10〜D13のピツチが４
〔μsec〕となつており、ビツトセルＣのほぼ中央部に
おいてデータパルス……D10〜D13……が生じ、かくして
データパルス……D10〜D13……がデータウインドウDW1
（第６図（Ｂ））の立下りの期間を十分なマージンをも
ちながら通ることができることにより、確実にデータパ
ルス……D10X〜D13X……を検出することができ、かくし
てデータパターン「……1111……」を小さいビツト誤り
率で読み出すことができる。
これに対して第７図（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に示す
ように、データパターン「……1111……」を書き込むと
きに、磁化パターン……PA1、PA2、PA3……と、……PB
1、PB2……との磁化の対称性が劣化すると、データパル
スD20及びD21間のピツチが４＋α〔μsec〕になると共
に、隣のデータパルスD21及びD22間のピツチが４−α
〔μsec〕に変動することになる。これに対してデータ
ウインドウDW1の周期は一定なので、例えばデータパル
ス……D21、D23……がデータウインドウDW1が立下り期
間の中央部からずれて行くことにより、データウインド
ウDW1を通るときのマージンが小さくなつて行き、結局
高いビツト誤り率で読み出す結果になる。
ように、データパターン「……1111……」を書き込むと
きに、磁化パターン……PA1、PA2、PA3……と、……PB
1、PB2……との磁化の対称性が劣化すると、データパル
スD20及びD21間のピツチが４＋α〔μsec〕になると共
に、隣のデータパルスD21及びD22間のピツチが４−α
〔μsec〕に変動することになる。これに対してデータ
ウインドウDW1の周期は一定なので、例えばデータパル
ス……D21、D23……がデータウインドウDW1が立下り期
間の中央部からずれて行くことにより、データウインド
ウDW1を通るときのマージンが小さくなつて行き、結局
高いビツト誤り率で読み出す結果になる。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、書き込
まれた情報を再度読み出すときに正確な情報を得ること
ができるようにした磁気記録再生装置を提案しようとす
るものである。
まれた情報を再度読み出すときに正確な情報を得ること
ができるようにした磁気記録再生装置を提案しようとす
るものである。
Ｅ問題点を解決するための手段 かかる問題の解決するため本発明においては、記録媒
体上の内周部から外周部にかけて、電流密度が略一定と
なるような書込電流を供給して記録情報を書き込むと共
に、当該記録情報を読み出す書込／読出ヘツドと、記録
情報の書き込み時、記録情報が書き込まれた記録パター
ンの両側縁を消去する消去ヘツドと、記録媒体上の消去
ヘツドの位置に応じて、当該消去ヘツドに流れる電流値
を変える消去ヘツド電流設定手段とを備える。
体上の内周部から外周部にかけて、電流密度が略一定と
なるような書込電流を供給して記録情報を書き込むと共
に、当該記録情報を読み出す書込／読出ヘツドと、記録
情報の書き込み時、記録情報が書き込まれた記録パター
ンの両側縁を消去する消去ヘツドと、記録媒体上の消去
ヘツドの位置に応じて、当該消去ヘツドに流れる電流値
を変える消去ヘツド電流設定手段とを備える。
Ｆ作用 記録媒体に記録情報を書き込むときに、書込／読出ヘ
ツドに流れる電流に応じて消去ヘツド電流設定回路によ
り消去ヘツドに流れる電流を設定することができるの
で、書込／読出ヘツドから発生する磁束と消去ヘツドか
ら発生する磁束とを対称的にすることができる。
ツドに流れる電流に応じて消去ヘツド電流設定回路によ
り消去ヘツドに流れる電流を設定することができるの
で、書込／読出ヘツドから発生する磁束と消去ヘツドか
ら発生する磁束とを対称的にすることができる。
Ｇ実施例 以下図面について、本発明の一実施例を詳述する。
第１図において、10は全体として磁気記録再生装置を
示し、制御回路11は、書込／読出ヘツド電流設定回路12
及び消去ヘツド電流設定回路13に対して電流値切換指令
信号SCHを与える。
示し、制御回路11は、書込／読出ヘツド電流設定回路12
及び消去ヘツド電流設定回路13に対して電流値切換指令
信号SCHを与える。
電流値切換指令信号SCHは第１及び第２ビツトの論理
信号SCH1及びSCH2でなり、かくして４つの記録条件に対
応して書込／読出ヘツド電流設定回路12及び消去ヘツド
電流設定回路13における電流設定値を指定できるように
なされている。
信号SCH1及びSCH2でなり、かくして４つの記録条件に対
応して書込／読出ヘツド電流設定回路12及び消去ヘツド
電流設定回路13における電流設定値を指定できるように
なされている。
例えば内周側領域にある記録トラツクに低密度記録す
る第１の記録条件において電流値切換指令信号SCHは論
理「00」になることにより低い電流値（例えば４〔m
A〕）を設定すべきことを指定する。以下同様にして外
周側領域に高密度記録する第２の記録条件、内周側領域
に低密度記録する第３の記録条件は、外周側領域に高密
度記録する第４の記録条件のとき、電流値切換指令信号
SCHはそれぞれ論理「01」、「10」、「11」になること
により、次第に大きくなる電流値（例えば５〔mA〕、８
〔mA〕、10〔mA〕を設定すべきことを指定する。
る第１の記録条件において電流値切換指令信号SCHは論
理「00」になることにより低い電流値（例えば４〔m
A〕）を設定すべきことを指定する。以下同様にして外
周側領域に高密度記録する第２の記録条件、内周側領域
に低密度記録する第３の記録条件は、外周側領域に高密
度記録する第４の記録条件のとき、電流値切換指令信号
SCHはそれぞれ論理「01」、「10」、「11」になること
により、次第に大きくなる電流値（例えば５〔mA〕、８
〔mA〕、10〔mA〕を設定すべきことを指定する。
書込／読出ヘツド電流設定回路12は、３つの並列抵抗
R1、R2、R3をもつ並列抵抗回路RG1を有し、抵抗R2及びR
3に直列にそれぞれ論理信号SCH1及びSCH2によつてオン
オフ制御されるスイツチング用トランジスタQ1及びQ2が
介挿されている。
R1、R2、R3をもつ並列抵抗回路RG1を有し、抵抗R2及びR
3に直列にそれぞれ論理信号SCH1及びSCH2によつてオン
オフ制御されるスイツチング用トランジスタQ1及びQ2が
介挿されている。
かくして、電流値切換指令信号SCHが「00」、「0
1」、「10」、「11」になつたとき、並列抵抗回路RG1に
流れる電流が抵抗R1のみを流れるか、抵抗R1及びR2を流
れるか、抵抗R1及びR3を流れるか、抵抗R1、R2、R3を流
れるかにより、当該並列抵抗回路RG1を流れる電流IWXを
切換制御し、この電流IWXを書込／読出ヘツド駆動回路1
4に供給する。
1」、「10」、「11」になつたとき、並列抵抗回路RG1に
流れる電流が抵抗R1のみを流れるか、抵抗R1及びR2を流
れるか、抵抗R1及びR3を流れるか、抵抗R1、R2、R3を流
れるかにより、当該並列抵抗回路RG1を流れる電流IWXを
切換制御し、この電流IWXを書込／読出ヘツド駆動回路1
4に供給する。
同様にして消去ヘツド電流設定回路13は、並列抵抗R
4、R5及びR6をもつ並列抵抗回路RG2と、抵抗R5及びR6に
直列に介挿されかつ論理信号SCH1及びSCH2によつてオン
オフ制御されるスイツチング用トランジスタQ3及びQ4と
を有し、かくして電流値切換指令信号SCHによつて書込
／読出ヘツド電流設定回路12の電流IWXの値が切換制御
されたとき、これに連動するように並列抵抗回路RG2を
通り、さらにイレーズモードスイツチ回路SWEを通つて
アースに流れる電流IEXを変更制御できるようになされ
ている。
4、R5及びR6をもつ並列抵抗回路RG2と、抵抗R5及びR6に
直列に介挿されかつ論理信号SCH1及びSCH2によつてオン
オフ制御されるスイツチング用トランジスタQ3及びQ4と
を有し、かくして電流値切換指令信号SCHによつて書込
／読出ヘツド電流設定回路12の電流IWXの値が切換制御
されたとき、これに連動するように並列抵抗回路RG2を
通り、さらにイレーズモードスイツチ回路SWEを通つて
アースに流れる電流IEXを変更制御できるようになされ
ている。
書込／読出ヘツド駆動回路14は、書込／読出ヘツド電
流設定回路12より供給される駆動制御電流IWXに応じ
て、駆動電源＋Vaからヘツド切換回路26を介して第１面
すなわち表面側の磁気ヘツド1F及び第０面すなわち裏面
側の磁気ヘツド1Rの書込／読出ヘツド4F及び4Rに流れる
書込電流IW1及びIW2を設定制御するようになされてい
る。
流設定回路12より供給される駆動制御電流IWXに応じ
て、駆動電源＋Vaからヘツド切換回路26を介して第１面
すなわち表面側の磁気ヘツド1F及び第０面すなわち裏面
側の磁気ヘツド1Rの書込／読出ヘツド4F及び4Rに流れる
書込電流IW1及びIW2を設定制御するようになされてい
る。
書込／読出ヘツド駆動回路14は、制御回路11から書込
モード信号SWが与えられて書込モードになつたとき、書
込データDATAINによつて制御されるヘツド選択回路を有
し、書込データDATAINが論理「１」又は「０」のとき磁
気ヘツド4F、4RのＡヘツドコイル部4FA及び4RA又はＢヘ
ツドコイル部4FB及び4RBに書込電流IW1又はIW2を流すよ
うになされている。
モード信号SWが与えられて書込モードになつたとき、書
込データDATAINによつて制御されるヘツド選択回路を有
し、書込データDATAINが論理「１」又は「０」のとき磁
気ヘツド4F、4RのＡヘツドコイル部4FA及び4RA又はＢヘ
ツドコイル部4FB及び4RBに書込電流IW1又はIW2を流すよ
うになされている。
また書込／読出ヘツド駆動回路14は、制御回路11から
読出モード信号SRが与えられて読出モードになつたと
き、書込／読出コイル4F又は4Rのコイル部4FA、4FB又は
4RA、4RBの両端に得られるピツクアツプ電圧VR1又はVR2
に基づいて読出モードDATAOUTを形成して外部に送出す
る。
読出モード信号SRが与えられて読出モードになつたと
き、書込／読出コイル4F又は4Rのコイル部4FA、4FB又は
4RA、4RBの両端に得られるピツクアツプ電圧VR1又はVR2
に基づいて読出モードDATAOUTを形成して外部に送出す
る。
これに対して消去ヘツド電流設定回路13は、書込モー
ド信号SWを受けてイレーズモードスイツチ回路SWEをオ
ン動作させることにより、駆動電源＋Vaから消去コイル
5F又は5R、ダイオード24又は25を通じて消去電流IE1又
はIE2を流す。
ド信号SWを受けてイレーズモードスイツチ回路SWEをオ
ン動作させることにより、駆動電源＋Vaから消去コイル
5F又は5R、ダイオード24又は25を通じて消去電流IE1又
はIE2を流す。
以上の構成において、書込モード時、制御回路11から
送出される書込モード信号SWによつて書込／読出ヘツド
駆動回路14が、入力データDATAINに対応してＡヘツドコ
イル部4FA（又は4RA）、又はＢヘツドコイル部4FB（又
は4RB）を選択することにより、第４図（Ａ）について
上述したように磁化方向が順次反転する磁化パターン…
…PA1、PB1、PA2、PB2、PA3……が第１面（又は第０
面）の記録トラツクTR上に形成される。
送出される書込モード信号SWによつて書込／読出ヘツド
駆動回路14が、入力データDATAINに対応してＡヘツドコ
イル部4FA（又は4RA）、又はＢヘツドコイル部4FB（又
は4RB）を選択することにより、第４図（Ａ）について
上述したように磁化方向が順次反転する磁化パターン…
…PA1、PB1、PA2、PB2、PA3……が第１面（又は第０
面）の記録トラツクTR上に形成される。
これと同時に、消去ヘツド電流設定回路13が消去ヘツ
ドコイル5F（又は5R）に消去電流IE1（又はIE2）を流す
ことにより、第３図について上述したように、書込／読
出ヘツド２によつて形成された記録パターンの両側縁を
消去ヘツド3A及び3Bによつて消去するように動作する。
ドコイル5F（又は5R）に消去電流IE1（又はIE2）を流す
ことにより、第３図について上述したように、書込／読
出ヘツド２によつて形成された記録パターンの両側縁を
消去ヘツド3A及び3Bによつて消去するように動作する。
かくして第３図について上述したようにフロツピイデ
イスクに対するデータの書込み及び読出しにおけるビツ
ト誤り率を一段と低減することができる。
イスクに対するデータの書込み及び読出しにおけるビツ
ト誤り率を一段と低減することができる。
かくするにつき、データを、内周側に低密度で記録
し、又は内周側に高密度で記録し、又は外周側に低密度
で記録し、又は外周側に高密度で記録するような各記録
条件に応じて書込電流IW1（又はIW2）の値を書込／読出
ヘツド電流設定回路12によつて次第に大きくなるように
設定すると同時に、これと連動するように、消去ヘツド
電流設定回路13において消去電流IE1（又はIE2）を次第
に大きくなるように設定する。
し、又は内周側に高密度で記録し、又は外周側に低密度
で記録し、又は外周側に高密度で記録するような各記録
条件に応じて書込電流IW1（又はIW2）の値を書込／読出
ヘツド電流設定回路12によつて次第に大きくなるように
設定すると同時に、これと連動するように、消去ヘツド
電流設定回路13において消去電流IE1（又はIE2）を次第
に大きくなるように設定する。
その結果、書込電流IW1（又はIW2）が小さいとき消去
電流IE1（又はIE2）も小さいので、消去ヘツド３から書
込／読出ヘツド２への消去漏れ磁束MEWが小さくなるこ
とにより、互いに隣合うビツトセルの長さの比率の変化
を実用上十分小さい値に抑制できる。
電流IE1（又はIE2）も小さいので、消去ヘツド３から書
込／読出ヘツド２への消去漏れ磁束MEWが小さくなるこ
とにより、互いに隣合うビツトセルの長さの比率の変化
を実用上十分小さい値に抑制できる。
これに対して書込電流IW1（又はIW2）が大きくなつて
行けばこれに応じて消去電流IE1（又はIE2）を大きくし
て行くようにしたことにより、書込／読出ヘツド２によ
る記録パターンに対する消去ヘツド３による消去を実用
上十分に実現し得る。このとき消去ヘツド３から書込／
読出ヘツド２への消去漏れ磁束MEWが大きくなつて行く
が、これにより互いに隣合うビツトセルの長さ比率に生
ずる変化は、ビツトセルの長さが書込電流IW1（又は
IW2）を大きくした分長くなることにより、実用上十分
に小さい値に抑制できる。
行けばこれに応じて消去電流IE1（又はIE2）を大きくし
て行くようにしたことにより、書込／読出ヘツド２によ
る記録パターンに対する消去ヘツド３による消去を実用
上十分に実現し得る。このとき消去ヘツド３から書込／
読出ヘツド２への消去漏れ磁束MEWが大きくなつて行く
が、これにより互いに隣合うビツトセルの長さ比率に生
ずる変化は、ビツトセルの長さが書込電流IW1（又は
IW2）を大きくした分長くなることにより、実用上十分
に小さい値に抑制できる。
かくして上述の実施例によれば、書込電流を複数の値
に切り換えながらデータの記録再生をするにつき、隣合
うビツトセルの長さの比率の変化を実用上十分に小さい
値に抑制できることにより、第７図について上述したよ
うに、データウインドウDW1に対するデータパルス……D
20〜D23……のマージンがなくなるようなおそれを有効
に回避し得る。
に切り換えながらデータの記録再生をするにつき、隣合
うビツトセルの長さの比率の変化を実用上十分に小さい
値に抑制できることにより、第７図について上述したよ
うに、データウインドウDW1に対するデータパルス……D
20〜D23……のマージンがなくなるようなおそれを有効
に回避し得る。
なお上述の実施例においては、書込電流IW1、IW2及び
消去電流IE1、IE2の切換モードが４つの場合について述
べたが、本発明はこれらに限らず必要に応じて４以上複
数の切換モードをもつ場合にも適用し得る。
消去電流IE1、IE2の切換モードが４つの場合について述
べたが、本発明はこれらに限らず必要に応じて４以上複
数の切換モードをもつ場合にも適用し得る。
さらに上述の実施例においては、消去ヘツド電流設定
回路13ではトランジスタをオンオフ制御することにより
電流を切り換えていたが、本発明はこれに限らず、他の
方式において電流を切り換えるようにしても良い。
回路13ではトランジスタをオンオフ制御することにより
電流を切り換えていたが、本発明はこれに限らず、他の
方式において電流を切り換えるようにしても良い。
Ｈ発明の効果 上述のように本発明によれば、消去ヘツドに供給され
る消去電流を書込電流に応じて切り換えて設定すること
により、消去電流及び書込電流間の差が小さくなり、実
用上十分な対称性をもつ磁化パターンを記録することが
でき、かくしてビツト誤り率を一段と改善し得る磁気記
録再生装置を得ることができる。
る消去電流を書込電流に応じて切り換えて設定すること
により、消去電流及び書込電流間の差が小さくなり、実
用上十分な対称性をもつ磁化パターンを記録することが
でき、かくしてビツト誤り率を一段と改善し得る磁気記
録再生装置を得ることができる。
第１図は本発明による磁気記録再生装置の一実施例を示
すブロツク図、第２図は磁気ヘツドの構成を示す略線
図、第３図は磁気ヘツドによる記録パターンを示す略線
図、第４図は磁化パターンの説明に供する略線図、第５
図〜第７図はデータパルス及びデータウインドウの説明
に供する略線図である。 １、1F、1R……磁気ヘツド、２、4F、4R……書込／読出
ヘツド、３、5F、5R……消去ヘツド、10……磁気記録再
生装置、11……制御回路、12……書込／読出ヘツド電流
設定回路、13……消去ヘツド電流設定回路、IW、IW1、I
W2……書込電流、IE、IE1、IE2……消去電流、MA、MB…
…書込磁束、ME……消去磁束、MEW……消去漏れ磁束、Q
1、Q2、Q3、Q4……トランジスタ、SCH……電流値切換指
令信号。
すブロツク図、第２図は磁気ヘツドの構成を示す略線
図、第３図は磁気ヘツドによる記録パターンを示す略線
図、第４図は磁化パターンの説明に供する略線図、第５
図〜第７図はデータパルス及びデータウインドウの説明
に供する略線図である。 １、1F、1R……磁気ヘツド、２、4F、4R……書込／読出
ヘツド、３、5F、5R……消去ヘツド、10……磁気記録再
生装置、11……制御回路、12……書込／読出ヘツド電流
設定回路、13……消去ヘツド電流設定回路、IW、IW1、I
W2……書込電流、IE、IE1、IE2……消去電流、MA、MB…
…書込磁束、ME……消去磁束、MEW……消去漏れ磁束、Q
1、Q2、Q3、Q4……トランジスタ、SCH……電流値切換指
令信号。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 後藤 哲 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−87405（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】記録媒体上の内周部から外周部にかけて、
電流密度が略一定となるような書込電流を供給して記録
情報を書き込むと共に、当該記録情報を読み出す書込／
読出ヘツドと、 上記記録情報の書き込み時、上記記録情報が書き込まれ
た記録パターンの両側縁を消去する消去ヘツドと、 上記記録媒体上の上記消去ヘツドの位置に応じて、当該
消去ヘツドに流れる電流値を変える消去ヘツド電流設定
手段と を具えることを特徴とする磁気記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62217462A JP2521975B2 (ja) | 1987-08-31 | 1987-08-31 | 磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62217462A JP2521975B2 (ja) | 1987-08-31 | 1987-08-31 | 磁気記録再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6460801A JPS6460801A (en) | 1989-03-07 |
| JP2521975B2 true JP2521975B2 (ja) | 1996-08-07 |
Family
ID=16704610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62217462A Expired - Lifetime JP2521975B2 (ja) | 1987-08-31 | 1987-08-31 | 磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2521975B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1280943C (zh) | 1994-06-17 | 2006-10-18 | 松下电器产业株式会社 | 高频电路器件 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6087405A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フロツピ−デイスク装置 |
-
1987
- 1987-08-31 JP JP62217462A patent/JP2521975B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6460801A (en) | 1989-03-07 |
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