JPS6087405A

JPS6087405A - フロツピ−デイスク装置

Info

Publication number: JPS6087405A
Application number: JP58196354A
Authority: JP
Inventors: Junichi Sakai; 酒井　純一; Fujio Ito; 富士雄伊藤; Seiichi Watanabe; 清一渡辺
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1983-10-20
Filing date: 1983-10-20
Publication date: 1985-05-17
Also published as: US4656533A; JPH0434202B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は電子計算機の補助記憶装置に使用するフロッピ
ーディスク装置に関するものである。

従来例の構成とその問題点第１図は従来のフロッピーディスク装置のブロック図、
第２図は同装置の信号波形図を示している。以下にこの
従来例の構成について第１図、第２図とともに説明する
。

第１図において、１はフロッピーディスク装置に着脱可
能な磁気媒体であり、この磁気媒体１はスピンドルモー
タ２により回転され、磁気へノド３を介して信号の記録
、再生が行なわれるものである。

この磁気媒体１に信号を記録する場合、書込み回路４へ
書込み信号すが入力されて、その出力（第２図（Ｃ））
が磁気ヘッド３から記録されるものである。この磁気媒
体１は第２図（Ｃ）の電圧によね第２図（ｄ）のように
磁化されるものである。なお、磁気ヘッド３の進行方向
に向かって左右両端には消去ヘッド（図示せず）が設け
られ、再生の際の誤検出を防止している。この消去ヘッ
ドは磁気ヘッド３より進行方向に向かって後部に設けら
れているので、遅延回路６を設けて、書込みゲート信号
１１を遅延させて消去回路５により消去へノドに出力さ
れる。

また、上記磁気媒体１の信号を再生する場合、磁気ヘッ
ド３から信号１が検出され、プリアンプ７で信号増幅さ
れ、ローパスフィルタ８でノイズ成分が除去され（第２
図（ｅ））、微分増幅回路９に入力される。この微分増
幅回路９で微分された信号ｆはコンパレータ１ｏに入力
される。このコンパレータ１０は、入力信号官が、電圧
０■を通過（ゼロクロス）すると、出力信号ｇが変化す
るものである。（「０」→［Ｊ、［Ｊ→「０」）この信
号ｇがタイムドメインフィルタ１１に入力されると、こ
の信号ｇが変化したとき（「０」→「１」。

「１」→「０」）に、１パルス出力し、信号すと同一の
出力信号Ｊが出力され、外部へ出力されるものである。

ところで、現在市販されているフロッピーディスク装置
には、表１のように通常密度用と高密度用とがあり、各
々異なった規格を有している。

〔表１〕　通常密度と高密度の比較しかしながら、上記従来例においては、磁気媒体が高密
度用になった場合、従来のフロッピーディスク装置を高
密度用に別に設割、組立てられた装置に変更しなければ
ならず、操作時間、コスト上問題があった。

発明の目的本発明は、上記従来例の欠点を除去するものであり、同
一装置で複数の磁気密度で記録された磁気媒体を再生で
きるフロッピーディスク装置を提供するものである。

発明の構成本発明は、上記目的を達成するだめに、回転駆動手段、
書込み手段および読出し手段のそれぞれへ、磁気密度に
応じた切替信号を印加することによって、回転速度、書
込み電流値、その他特性を切替え、同一装置により複数
の磁気密度で記録された磁気媒体を再生できる効果を有
するものである。

実施例の説明以下に本発明の一実施例の構成について、図面とともに
説明する。第３図は本発明の一実施例によるフロッピー
ディスク装置のブロック図、第４図は通常密度用および
高密度用の信号波形図である０第３図において、１２ａはフロッピーディスク装置に着
脱可能な通常密度の磁気媒体であり、この磁気媒体１２
ａは、たとえば保磁力３００エルステツド、磁性層の厚
み２．５ミクロンである。

１２ｂはフロッピーディスク装置に着脱可能な高密度の
磁気媒体であり、この磁気媒体１２ｂは、たとえば保磁
力６００エルステツド、磁性層の厚み１５ミクロンであ
る。

１３はスピンドルモータであり、このスピンドルモータ
１３はモータ駆動回路１３ａへ切替信号−ＤＤＭが入力
されることによって、たとえば毎分３００回転もしくは
、３６０回転に切替え可能である。１４は高密度、通常
密度の両方の磁気媒体に記録、再生可能な磁気ヘッドで
ある。１５は書込み回路であり、この書込み回路１５は
書込みゲート信号りに制御された書込みデータ信号すを
切替信号−ＬＳにより、高密度用または通常密度用の書
込み電流Ｃに変換して、磁気ヘッド１４に入力する。な
お、遅延回路１７および消去回路１６は、従来例と同様
に再生の際の誤検出を防止するものであるが、切替信号
子ＬＳまたは−ＬＳによシ高密度用と通常密度用の遅延
時間を変えるものである。

また、上記磁気媒体１２ａ、１２ｂの信号を再生する場
合、磁気ヘッド１４から信号１が検出され、プリアンプ
１８で信号増幅され、ローパスフィルタ１９でノイズ成
分が除去される。このローパスフィルタ１９は切替信号
＋ＬＳにより、高密度用または通常密度用の遮断周波（
３００Ｋ１−１ｚまだは４００ＫＨｚ）に切替わり、磁
気媒体の内周側での読出し時の中心周波ズレ（ピークシ
フト）を補正している。

微分増幅回路２０は切替信号−ＬＳにより高密度用また
は通常密度用の共振周波数（３５０ＫＩ−Ｉｚまたは５
００　ＫＨｚ　）に切替わって、利得の変化を一定にし
、不要な高域ノイズを除去してジッターを抑圧するもの
である。この微分増幅回路２０は入力信号を微分して出
力信号として送出するものである。

コンパレータ２１は、従来例と同様に入力信号ｆが電圧
Ｏｖを通過（ゼロクロス）する（「０」→［ＪＪｉＪ→
「０」）と出力信号ｇが変化するものである。

この出力信号ｇがタイムドメインフィルタ２２に入力さ
れると、この信号ｇが変化したとき（「０」→ｒｌＪ、
ｒｌＪ→「Ｏ」）に１パルス出力し、信号すと同一の信
号Ｊが出力され、読出しパルス信号ｊとして外部へ出力
されるものである。タイムドメインフィルタ２２は切替
信号〜ＬＳにより内蔵している誤動作防止用回路を切替
えている。

２３は切替信号回路であり、この切替信号回路２３は、
操作者が切替スイッチ２４を＋Ｂ側またはアース側に切
替えることによって３本の出力信号−ＤＤＭ、−ＬＳ、
＋ＬＳを「１」または「０」に切替えるものである。な
お、通常密度用では−ＤＤＭは［ＯＪ、−ＬＳは「０」
、＋Ｔ、Ｓは「１」であり、高密度では、−ＤＤＭはｒ
ｌＪ、＋Ｌ’Ｓは「０」の信号が送出される。また、−
ＤＤＭは−ＬＳと同じ極性の信号を送出しているが、モ
ータ駆動回路１３ａ用に大電流を駆動できるようになっ
ている。

第４図は、通常密度用のデータａ１と書込み信号ｂｌ、
および高密度用のデータａ２と書込み信号ｂ２とを示し
た信号波形図である。第４図に示すように通常密度用の
書込み信号ｂ１と高密度用の書込み信号ｂ２は出力電圧
が同じで周波数が異なるものである。

次に上記実施例の動作について説明する。第３図におい
て、通常密度の磁気媒体１２ａに信号を記録、再生させ
るｔときには、切替スイッチ２４を通常密度用に切替え
ると、スピンドルモータ１３は毎分３００回転となり、
書込み回路１５の書込み電流および消去回路１６の消去
電流は通常密度用になるものである。また通常密度での
再生では、ローパスフィルタ１９の遮断周波数を３００
ＫＨｚ１微分増幅回路２０の共振周波数を３５０ＫＨｚ
、タイムドメインフィルタ２２０時定数を高密度時より
１／２に切替えるものである。

次に、高密度の磁気媒体１２ｂに信号を記録、再生させ
るときには切替スイッチ２４を高密度側に切替え文ると
、スピンドルモータ１３は毎分３６０回転となり、書込
み回路１５の書込み電流Ｃおよび消去回路１６の消去電
流は通常密度時のそれぞれ２倍、１４倍となるものであ
る。まだ、高密度での再生では、ローパスフィルタ１９
の遮断周波数を４００　ＫＨｚ　、微分増幅回路２０の
共振周波数を５００ＫＨｚ　１　タイムドメインフィル
タ２２０時定数を通常密度時より２倍に切替えるもので
ある。

このように、通常密度用と高密度用の磁気媒体１２ａ、
１２ｂに信号を記録、再生する場合には、切替スイッチ
２４を切替えることにより、実施できるものである。す
なわち、表１に示したように通常密度用の磁気媒体１２
ａでは、記憶容量１Ｍバイト、データ転送速度２５０Ｋ
ｂｉｔ／ｓ、トランク数８０、磁性層の厚み２．５ミク
ロンである。まだ高密度用の磁気媒体１２ｂでは記憶容
量１．６　Ｍバイト、データ転送速度５００Ｋｂｉｔ／
ｓ　ｓ　）ラック数７０、磁性層の厚み１５ミクロンと
なる磁気媒体１２ａ、１２ｂを切替スイッチ２４を切替
えることにより、ひとつの装置で双方記録、再生できる
ものである。

次に本実施例のフロッピーディスク装置について、第３
図のブロック図の個々のブロックに対応する回路を説明
する。

第５図は、切替信号回路２３の回路図である。

第５図において、３０は−ＬＯＷ　Ｓ、ＰＥＥＤ端子で
あり、この−ＬＯＷ　５ＰＥＥＤ端子３０には、操作者
が切替スイッチ２４を切替えたときに「１」または「０
」が印加されるもので、通常密度では「０」が高密度で
は「１」が印加される。３１は内部ドライブセレクト信
号＋ＤＳ　ＩＮＴが印加される端子であシ、この端子３
１に「０」が印加されると、このフロッピーディスク装
置が動作可能となり、３１に「１」が加わると不動作と
なる。３２はパワーオンリセラ）−ＦＯＲ端子であり、
この端子は電源が投入されたとき「０」が印加される。

３３はＤ７リソプフロツプであり、このＤフリップフロ
ップ３３はＤ入力に「１」の信号があシ、Ｔ入力が「１
→０」になったときＱ出力が変化（「０→１ｊ、［→０
」）するものである。３４は、−ＬＯＷ８ＰＥＥＤ３０
が「０」にならない限り、Ｄ入力が「１」になるよう保
持するプルアンプ抵抗である。３５はＤフリップフロッ
プ３３のセットを禁止するプルアップ抵抗である。３６
はＤフリップフロップ３３のＱ出力の電流増幅を行なう
バッファアンプである。３７は、バッファアンプ３６が
「０」にならない限り「１」を保持するプルアップ抵抗
である。

３８は、バッファアンプ３６の出力インピーダンスを下
げるだめのコンデンサである。３９は第１の出力端子で
あり、通常密度のときに１０」になる−ＬＳ（ローシグ
ナル）信号である。４０は、Ｄフリップフロップ３３の
Ｑ出力を変換（「０」→「１」計１」→「０」）するイ
ンバータである０４１はインバータ４０が「０」になら
ない限り「１」を保持するプルアンプ抵抗である。４２
は、インバータ４０の出力インピーダンスを下げるだめ
のコンデンサである。４３は第２の出力端子であり、通
常密度のときに「１」になる＋ＬＳ（ローシグナル）信
号である。４４はＮ　１）　Ｎ型のスイッチングトラン
ジスタである。４５はインバータ４ｏの出力端がトラン
ジスタ４４のベースにＪｊｆ［されたバイアス抵抗であ
る。４６は第３の出力端子であり、フロッピーディスク
を駆動させるモータを始動、停止させるオープンコレク
タの−ＤＤＭ（ダイレクト・ドライブ・モータ）信号で
ある。

次に、第５図の切替信号回路の動作について説明する。

まず２本装置の電源スィッチを入れると−ＦＯＲ端子３
２が「０」となシ、Ｄフリップフロップ３３のリセット
端子１（、が「０」になり、リセットされ、Ｑ出力が「
０」となる。操作者が、本フロッピーディスク装置の駆
動を選択すると、　＋ＤＳＩＮＴ３１がｒｏＪＶｃす？
＞、−ＬＯＷ　ＳＰＢ、ＥＤ３０の信号によってＤフリ
ップフロップ３３のＱ出力の値が変化するものである。

すなわち、−ＬＯＷＳＰＥＥＤ３０が「０」のとき（通
常密度のとき）はＱ出力が「０」となる。また、−ＬＯ
Ｗ　５ＰＥＥＤ３０が「１」のとき（高密度のとき）は
Ｑ出力が「１」となる。Ｑ出力が「０」のときは第１の
出力端子３９は「０」、第２の出力端子４３は「１」、
第３の出力端子４６は「０」になる。また、Ｑ出力が「
１」のときは第１の出力端子３９は「１」、第２の出力
端子４３は「Ｏ」、第３の出力端子４６はノ・インピー
ダンスとなるものである。

第６図は、書込回路１５、遅延回路１６、消去回路１７
、磁気ヘッド１４、その他付属回路を示している。

第６図の書込み回路１５は、書込み電流切替回路１５ａ
１安定化電源回路１５ｂ１書込み駆動回路１５ｃとを有
している。

第６図の書込み電流切替回路１５ａにおいて、３９は第
１の切替信号−ＬＳ端子であシ、この−Ｌ８端子３９は
第５図の−ＬＳ３９に接続されている。５３は抵抗５２
を介して端子３９とベースが接続されているトランジス
タである。５５は抵抗５４を介してトランジスタ５３の
コレクタとベースが接続されているトランジスタである
。このトランジスタ５５のエミッタ、ベース間には抵抗
５６が接続され、エミッタ、コレクタ間には抵抗５７と
５８が直列接続されており、エミッタには安定化電源回
路１５ｂからの電圧が印加されている０この書込み電流切替回路１５ａは、通常密度において−
ＬＳ端子３９が「０」となるので、トランジスタ５３と
５５は非導通となる。従って、安定化電源回路１５ｂの
電圧は抵抗５７のみを介して電流工となり、書込み駆動
回路１５ｃに出力されるものである。

また、高密度において、この書込み電流切替回路１５ａ
は、−ＬＳ端子３９が「１」となるので、トランジスタ
５３と５５は導通となる。従って、安定化電源回路１５
ｂの電圧は抵抗５７と並列にトランジスタ５５のエミッ
タ、コレクタを介した抵抗５８を流れる。従って、書込
み駆動回路１５ｃに出力される電流■は抵抗５７と５８
の合成抵抗値によって定められるため、抵抗５７のみの
抵抗値によって定められる電流値より大きい電流が流れ
るものである。

このように、書込み駆動回路１５ｃに出力される電流Ｉ
は−ＬＳ端子３９により定まり、「０」のとき、すなわ
ち通常密度では小電流が流れ、「１」のとき、すなわち
高密度では大電流が流れる。

安定化電源回路１５ｂにおいて、５９は＋１２Ｖ端子で
あり、この＋１２Ｖ端子５９は抵抗６１を介してトラン
ジスタ６０のベースに、抵抗６２を介してトランジスタ
６０のコレクタに接続されている。トランジスタ６０の
エミッタはアースに接続されており、このトランジスタ
６０のコレクタは、トランジスタ６４のベースと、ツェ
ナーダイオード６３のカソードに接続されている。この
ツェナーダイオード６３のアノードはアースに接続され
ている。トランジスタ６４のコレクタは、＋１２Ｖ端子
５９と接続され、トランジスタ６４のエミッタはトラン
ジスタ５５のエミッタに接続されている。

この安定化電源回路１５ｂは、トランジスタ６００ベー
スが「０」のとき、トランジスタ６４のエミッタから電
圧が出力されるものである。すなわちトランジスタ６０
のベースが「ｏ」のときは、トランジスタ６０は非導通
となり、＋１２Ｖは抵抗６２を介してツェナーダイオー
ド６３に流れる。

ツェナーダイオード６３のツェナー電圧がトランジスタ
６４のベースに印加することによって、安定化された電
圧が、トランジスタ６４のエミッタから送出される。

一方、書込みのデ、−タ（第３図（ｂ））はＷＲＩＴＥ
ＤＡＴＡ端子６５にパルス波形として入力される。

６７はインバータであり、このインバータ６７の入力は
ＷＲＩＴＥ　ＤＡＴＡ端子６５から信号がないときに、
抵抗６６を通して−１−５Ｖ、すなわち「１」の状態に
なっているものである。６８はＤフリップフロップであ
り、このＤフリップ７０ツブ６８のＴ端子は、インバー
タ６７の出力端子に接続され、Ｄ端子ＦｉＱ出力端子に
接続されておシ、またＲ端子はＯＲゲート７１の出力端
子に接続されている。

ＯＲゲート７１の一方の入力端子はバッファアンプ７０
を介してＷＲＩＴＥ　ＧＡＴＥ　６９に接続され、他方
の入力端子はバッファアンプ７３を介してＤＳＩＮＴ３
１に接続されている。

上記Ｄフリップフロップ６８は、Ｑ出力の反転情報Ｑが
Ｄ入力になるため、Ｔ入力が「１」から「０」になった
とき、Ｑ出力が反転する。すなわち、このＤフリップフ
ロップ６８は、Ｔ入力を２分周するものである。

７６はインバータであり、このインバータ７６の出力は
抵抗７７を介してトランジスタ７９を駆動するものであ
る。このトランジスタ７９は、抵抗７８により安定化さ
れた電圧（トランジスタ６４の出力）がベースに接続さ
れ、まだトランジスタ７９のエミッタには上記の書込み
電流■が供給され、コレクタは抵抗８０を介してアース
に接続されている。

８１はインバータであシ、このインバータ８１の出力は
抵抗８２を介してトランジスタ８４を駆動するものであ
る。このトランジスタ８４は抵抗８３を介してトランジ
スタ６４のエミッタに接続されている。トランジスタ８
４のエミッタには上記の書込み電流Ｉが接続され、コレ
クタは抵抗８５を介してアースに接続されている。

トランジスタ７９のコレクタと、トランジスタ８４のコ
レクタ間には抵抗８６が接続されている。

トランジスタ７９のコレクタは、ダイオード８７を介し
て第１の磁気ヘッド１００の書込み読出しコイル１０１
に接続されている。またトランジスタ７９のコレクタは
ダイオード８８を介して第２の磁気ヘッド１０５の書込
み読出しコイル１０６にも接続されている。

トランジスタ８４のコレクタは、ダイオード８９を介し
て第１の磁気ヘッド１００の書込み読出しコイル１０２
に接続されている。また、トランジスタ８４のコレクタ
はダイオード９ｏを介して第２の磁気ヘッド１０５の書
込み読出しコイル１０７にも接続されている。

７５はパワーオンリセット−ＦＯＲ端子であり、この−
ＦＯＲ端子７５には電源投入直後に一時期のみ「０」が
印加される０７４はＮＡＮＤゲートであり、このＮＡＮ
Ｄゲート７４の一方の入力には−Ｆ　ＯＲ７’　５が入
力され、他方の入力にはバッファアンプ７３を介した内
部ドライブセレクトＤＳＩＮＴ端子３１が入力される。

ＮＡＮＤゲート：　７４の出力は、トランジスタ６０の
ベースに接続されている。

次に、第６図の遅延回路１６および消去回路１７につい
て説明する。

第６図において、１１０は消去可能を示す−ＥＳＷ（イ
レーサブル信号）である。４３は通常密度用を駆動させ
るときに「１」に々る第２の切替端子（＋ＬＳ端子）で
ある。１１３は５■に接続された抵抗１１２とコンデン
サ１１８０時定数にょ９出力電圧の出力時間が定められ
るワンショットマルチＩＣであり、この１ｃ１１３はバ
ッファ１１１を介した一ＥＳＷＩＩＯがｒＯＪになった
ときに出力を開始するものである。ただし、通常密度で
は＋ＬＳ４３が「１」になるので、抵抗１１５を介した
トランジスタ１１６が導通し、コンデンサ１１７がアー
スに接続される。この状態では、’：ｊ７デ７ｆ１１８
と１１７が並列接続になるためＩＣ１１３の出力時間を
長くする働きがあるものである。なお、このＩＣＩ　１
３の出力はＮＡＮＤゲート１１９およびＮ　ＯＲゲート
１２５へ出力するものである。

このＮＡＮＤゲート１１９は、ＩＣ１１３の出力と−Ｐ
Ｏ几７５を入力し、出力は抵抗１２０を介してトランジ
スタ１２２のベースに接続されている。このトランジス
タ１２２はベースへ抵抗１２１を介して５■が印加され
、コレクタには抵抗１２４を介してアースへ接続されて
いる。抵抗１２４にはアノード側がアースに接続された
ダイオード１２３が並列に接続されている。トランジス
タ１２２のコレクタには、ダイオード１２６゜１２７Ｃ
＋７／−ドが接続されており、こノタイオード１２６の
カソードは第１の磁気ヘッド１ｏ。

の消去コイル１０３に接続され、またダイオード１２７
のカソードは第２の磁気へノド１０５の消去コイル１０
８に接続されている。この消去コイル１０３にはノイズ
除去用にコンデンサ１０４が並列に接続され、同様に消
去コイル１０８にはノイズ除去用にコンデンサ１０９が
接続されている。

ＡＮＤゲート１３８または１４０の出力が１０」になっ
たとき、トランジスタ１２２のコレクタから電流が供給
され、接続された消去コイル１０３または１０８が消去
動作を開始する。

次に、消去回路１７について説明する。３９は通常密度
用でｒＯＪの信号になる一ＬＳである。

］２９はトランジスタ１３００ベースバイアス抵抗であ
る。トランジスタ１３０はエミッタがアースに、コレク
タがバイアス抵抗１３１に接続されている。＋５■はト
ランジスタ１３２のエミッタに接続され、抵抗１３３を
介してベースへ、抵抗１３４および１３５を介してコレ
クタに接続されている。なお、抵抗１３４と１３５の中
点からトランジスタ１２２のエミッタに接続されている
。

この消去回路１７は−ＬＳ１２８が「０」のとき、すな
わち通常密度用のときにはトランジスタ１３０が導通し
ないので、トランジスタ１３２も導通せず、＋５Ｖは抵
抗１３４のみを経由してトランジスタ１２２のエミッタ
に供給されるものである。

一方、−Ｌ８１２Ｂが「１」のとき、すなわち高密度用
のときには、トランジスタ１３０が導通してトランジス
タ１３２も導通し、＋５■は抵抗１３４と１３５の並列
接続を経由してトランジスタ１２２のエミッタに供給さ
れるものである。

１３６は、フロッピーディスクの第１の磁気ヘッド１０
０を駆動のときに１１」、第２の磁気へノド１０５駆動
のときに「０」となる−８ＩＩ）ＥＳＥＬＥＣＴである
。１３７は入力が−５ＩＤＥ　５ＥＬＥＣＴ１３６に、
出力がＡＮＤゲート１３８と１４１に接続されているイ
ンバータである。ＡＮＤゲート１３９と１４０の入力に
は一８１１８ＥＬＥＣＴ１３６が直接接続されている。

ＡＮＤゲート１３８〜１４１のもうひとつの入力には、
ＮＯＲゲート１２５の出力がそれぞれに接続されている
。

ＡＮＤゲート１３８〜】４１とＮＯＲゲート１２５、−
８ＩＩ　５ＥＬＥＣＴ１３６との関係は次の通りである
。

（１）　ＮＯＲゲート１２５＝ｒＯＪ、５ＩＤＥ　５Ｅ
ＬＥＣＴ’１３６＝ｒＯＪのとき。

インバータ１３７の出力が１１」々ので、ＡＮＤゲート
１３８，１４０，１４１の出力−１１」ＡＮＤゲート１
３９の出力＝「０」（２１ＮＯＲゲート１２５−ｒＯＪ、−８ＩＤＥ　５Ｅ
ＬＥＣＴ１３６−「１」のとき。

インバータ１３７の出力が「０」なので、ＡＮＤゲート
１３９，１４０，１４１の出力−「１」ＡＮＤゲート１
３８の出力＝「０」（３）　ＮＯＲ，ゲート１２５−ｒｌｊ、−８ＩＤＥ　
５ＥＬＢＣＴ１３６−ｒＯＪのとき。

インバータ１３７の出力が「０」なので、ＮＡＮＤゲー
ト１３８，１３９，１４０の出力＝「１］ＮＡＮＤゲー
ト１４１の出力＝１０」（４）　ＮＯＲゲート１２ｓ−［Ｊ、−８ＩＤＥ　５Ｅ
ＬＥＣＴ１３６−「０」のとき。

インバータ１３７の出力が「１」なので、ＮＡＮＤゲー
ト１３８，１３９，１４１の出力＝「１」ＮＡＮＤゲー
ト１４０の出力＝「０」となるものである。

これらＮＡＮＤゲート１３８〜１４１の出力の働きは次
のとおりである。

（１１Ｎ　Ａ　Ｎ　Ｄゲート１３８が「０」のとき。

磁気ヘッド１４の第１の磁気ヘッド１００のコイル１０
１〜１０３の中点がＯｖとなり、消去コイル１０３が動
作するので、第１の磁気ヘッド１００の書込みが可能と
なる。

（２）　Ｎ　Ａ　Ｎ　Ｄゲート１３９が「０」のとき。

磁気ヘッド１４のサイド１１０５のコイル１０６〜１０
８の中点がＯＶとなり、消去コイル１０８が動作するの
で、第２の磁気ヘッド１０５の書き込みが可能となる。

（３）　Ｎ　Ａ　Ｎ　Ｄゲート１４０がｒｏＪのとき。

磁気ヘッド１４の第１の磁気ヘッド１００のコイル１０
１〜１０３の中点が６Ｖとなり、消去コイル１０３が動
作しなくなる。これは抵抗１４４と、１４２の値を同一
にしたため、中点の電圧が６Ｖとなり、消去コイル１０
３に電流が流れなくなるだめである。このとき、第１の
磁気ヘッド１００の読み出しが可能となる。

（４）　ＮＡＮＤゲート１４１が「０」のとき。

磁気ヘッド１４の第２の磁気ヘッド１０５のコイル１０
６〜１０８の中点が６ｖとなり、消去コイル１０８が動
作しなくなる。これは、抵抗１４５と、１４３の値を同
一にしたため、中点の電圧が６ｖとなシ、消去コイル１
０３に電流が流れなくなるためである。このとき、第２
の磁気ヘッド１０５の読み出しが可能となる。

次に、磁気ヘッド１４について説明する。磁気ヘッド１
４は第１の磁気ヘッド１００と第２の磁気ヘッド１０５
とを有している。これは、フロッピーディスク１２ａ、
’１’２ｂの表面および裏面に対応するものである。

第１の磁気ヘッド１００には書込み、読み出しコイル１
０１，１０２および消去コイル１０３とコンデンサ１０
４とがある。３個のコイルとも、一端は共通の制御線で
制御され、他端は消去コイル１０３では５ボルト、書込
み、読み出しコイル１０１．１０２では１２ボルトが印
加される。書込み時には制御線が０ポル）（ＮＡＮＤゲ
ート１３８が「０」、１４０が「１」）となり書込み、
読み出しコイル１０１，１０２および消去コイル１０３
とも駆動するものである。また、読み出し時には制御線
が６ボルト（ＮＡＮＤゲート１４０が「Ｏｊ、　１３８
が「１」）となるだめ、消去コイル１０３は駆動せず、
書込み、読み出しコイル１０１，１０２のみ駆動する。

同様に、第２の磁気ヘッド１０５には書込み、読み出し
コイル１０６，１０７および消去コイル１０８とコンデ
ンサ１０９とがある。３個のコイルとも、一端は共通の
制御線で制御され、他端は消去コイル１０８では５ボル
ト、書込み、読み出しコイル１０６，１０７では１２ボ
ルトが印加される。書込み時には制御線がＯポル）（Ｎ
ＡＮＤゲ−）１３９が「０」、１４１が「１」）となり
、書込み、読み出しコイル１’０６’、１０７、消去コ
イル１０８とも駆動するものである。まだ、読み出し時
には制御線が６ボル）（ＮＡＮＤゲート１４１が「０」
、１３９が「１」）となるため、消去コイル１０８は駆
動せず、書込み、読み出しコイル１０６゜１０７のみ駆
動する。

次に、第６図の書込回路１５、遅延回路１６、消去回路
１７、磁気ヘッド１４の動作について説明する。

第６図において、書込みデータ（第２図（ｂ））はＷＲ
，ＩＴＥ　ＤＡＴＡ端子６５に印加される。書込み可能
であれば、書込みゲート信号（第３図（ｈ））がＷＲＩ
ＴＥ　（）ＡＴＥ６９に印加され、Ｄフリップフロップ
６８のリセットを解除し、書込みデータ（第２図（ｂ）
）を２分周する。

また、書込み可能のときは、ＤＳ　ＩＮＴ３１および−
ＦＯＲ，７５が「１」になっているので、トランジスタ
６０は非導通となっており、＋１２Ｖ端子５９に印加さ
れた＋１２Ｖは安定化電源回路１５ｂで安定化され、書
込み切替回路１５ａに印加される。

この書込み切替回路１５ａには、−ＬＳ端子３９へ、通
常密度で１０」、高密度で「１」の信号がきており、こ
の−ＬＳ端子３９の信号により書込み電流Ｉは通常密度
で抵抗５７のみを流れる小電流が、高密度で抵抗５７と
５８の双方を流れる大電流が流れ、書込み駆動回路１５
ｃへ印加される。

一方、Ｄフリップフロップ６８から出力された書込みデ
ータは、トランジスタ７９．８４により書込み電流■を
制御し、ダイオード８７〜９０を介して書込み、読出し
コイル１０１，１０２，１０６゜１０７へ印加される。

フロッピーディスク１２ａ。

１２ｂへの書込みは、ＮＡＮ’Ｄゲート１３８，１３９
で制御され、第１の磁気へラド１００または第２の磁気
ヘッド１０５のいずれか一方のみが駆動される。

次に、遅延回路１６、消去回路１７の動作を説明する。

遅延回路１６では、消去可能の信号（−ＥＳＷＩ　１０
　）をワンショットマルチＩＣ１１３で遅延させている
。このＩＣ１１３の遅延時間は通常密度と高密度で異な
り、十Ｃ８端子４３によシ切替えられる。この遅延回路
１６の出力はＮＯＲゲート１２５を介してＮＡＮＤゲー
ト１３８〜１４１へ印加される。

また、消去電流はトランジスタ１２２からダイオード１
２６，１２７を介して消去コイル１０３゜１０８に印加
される。この消去電流は−ＬＳ端子３９により切替えら
れ、通常密度では抵抗１３４のみを介した小電流が、高
密度では抵抗１３４と１３５の双方を流れる大電流が消
去コイル１０３゜１０８に印加されるものである。また
、この消去電流は書込み電流と同様にＮＡＮＤゲート１
３８゜１３９により制御され、第１の磁気ヘッド１００
または第２の磁気ヘッド１０５のいずれか一方のみが駆
動される。

なお、読出し時にはＷｌ：ｌ、ＩＴＥ　ＧＡＴＥ端子６
９および−ＥＳＷ端子１１０の両方が１１」となシ、Ｎ
　ＯＲゲート１２５を「１」にしてＮＡＮＤゲート１３
８．１３９を閉じ、ＮＡＮＤゲート１４０，１４１を開
く。このとき、制御線（各コイル１０１〜１０３゜１０
６〜１０８）をＯボルトから６ボルトに向上させて、５
ボルトの印加している消去コイル１０３゜１０８の動作
を停止させるものである。従って、読出し時には書込み
、読出しコイル１０１，１０２゜１０６．１０７のいず
れか２個が駆動され、ＲＥＡＤ１１５１端子およびＲＥ
ＡＤ　２１５０端子から読出されるものである。

次に、読出し回路群について第６図、第７図（ａ）〜（
Ｃ）、第８図を用いて説明する。

第６図において、１４６は磁気コイル１０７に接続され
たダイオード、１４７は磁気コイル１０２に接続された
ダイオード、１４８は磁気コイル１０６に接続されたダ
イオード、１４９は磁気コイル１０１に接続されたダイ
オードである。ダイオード１４６と１４７のアノードは
共通にＲＥＡＤ２ｉ子１５０から第７図のローパスフィ
ルタ１８のＲＥＡＤ２に接続されるものである。一方、
ダイオード１４８と１４９のアノードは共通にｌもＥＡ
ＤＩ端子１５１が第７図のプリアンプ１９のＲＢＡＤＩ
端子１５１に接続されるものである。

第７図（ａ）は、プリアンプ１８およびローノ（スフイ
ルタ１９を示した回路図である。第７図において、１５
０はＲＥＡＤＩの入力端子、１５１はＲＥＡＤ２の入力
端子である。１５２．１５３は、＋１２Ｖに接続された
バイアス抵抗であシ、この）（イアス抵抗１５２，１５
３はそれぞれＲＥＡＤ１１５０およびＲ，ＥＡＤ２１５
１がダイオード１４６〜１４９を介して磁気ヘントコイ
ル１０１，１０２゜１０６．１０７をバイアスするもの
である。１５４は、ＲＥＡＤＩ　１５０とＲＥＡＤ２１
５１間の入力インピーダンスを決める抵抗である０ロー
パスフイルタ１９は、＋ＰＣＯＮ端子１５６゜＋ＬＳ端
子４３およびプリアンプ１５５の出力を入力とし、ＬＰ
Ｆ＋１８９とＬＰＦ−１９０から出力されるものである
。＋ＰＣＯＮ端子（プリコンペ０Ｎ）１５６はバッファ
アンプ１５７を介してダイオード１７０および１７１の
中点に接続されている。この＋ＰＣＯＮ端子１５６は、
回転中のフロッピーディスクの現在位置（トラック数）
を計数するトラックカウンタ（図示せず）に接続され、
０〜４３トランクで「０」、４４〜７６トラソクで「１
」が印加されるものである。このＰＣＯＮ端子１５６と
＋ＬＳ４３によシ、高密度で内側トラック（４４〜７６
トラツク）のとキ、ローノくスフィルタ１９の遮断周波
数を高められるものである。

＋ＬＳ端子（通常密度）４３は通常密度のとき「１」と
なり、抵抗１６０を介してトランジスタ１６１を導通さ
せるものである。＋１２Ｖは、抵抗１７６を介してダイ
オード１６４のアノード、ダイオード１７０のアノード
およびコンデンサ１７７に接続されている。まだ、＋１
２Ｖは抵抗１８１を介してダイオード１６７のアノード
、ダイオード１７１のアノードおよびコンデンサ１７２
に接続されている。

ＲＥＡＤＩａ１５８の出力は一方ではコイル１６８ヲ介
シてコンデンサ１７２およびトランジスタ１７４のベー
スに接続され、他方は抵抗１６２を介してトランジスタ
１６３０ベースに接続されている。このトランジスタ１
６３のエミッタは、ダイオード１６４のカソードに接続
され、コレクタはアースに接続されている。また、トラ
ンジスタ１７４のエミッタは抵抗１７５を介して＋１２
Ｖが接続され、コレクタはアースへ、ベースは抵抗１７
３を介してアースへ接続されている。

また、ＲＥＡＤ２ａ１５９の出力は一方ではコイル１６
９を介してコンデンサ１７７およびトランジスタ１７９
のベースに接続され、他方は抵抗１６５を介してトラン
ジスタ１６６のベースに接続されている。このトランジ
スタ１６６のエミッタはダイオード１６７０カソードに
接続され、コレクタはアースに接続されている。また、
トランジスタ１７９のエミッタは抵抗１８０を介して、
−１−１２Ｖが接続されコレクタはアースへ、ベースは
抵抗１７８を介してアースへ接続されている。

トランジスタ１７４のエミッタはコイル１８２を介して
コンデンサ１８４，１８７、抵抗１８５に接続されてい
る。この抵抗１８５の他方はアースへ、コンデンサ１８
７の他方は、ＬＰＦ＋の端子１８９に接続されている。

また、トランジスタ１７９のエミッタはコイル１８３を
介して、上記コンデンサ１８４の他方、抵抗１８６およ
びコンデンサ１８８に接続されている。この抵抗１８６
の他方はアースへ、コンデンサ１８８の他方はＬＰＦ−
の端子１９０に接続されている。

第７図（ｂｌは通常密度におけるローパスフイ）レタ］
９のフィルタ回路である。第７図（ｂ）において、入力
はＲＥＡＤ］、ａ１５８．２ａ１５９であり、コイル１
６８，１６９を介して出力される。この出力は、トラン
ジスタ１．７４，１７９のベースである。

この出力１７４のベースと１７９のベースの間にはコン
デンサ１７２と１７７の直列回路、および抵抗１７３と
１７８の直列回路が接続されている。

この第７図（ｂ）は、＋Ｌｓ４３端子が１１」の場合で
あるからトランジスタ１６１が導通し、ダイオード１７
０，１７１をアースに接続されているものである。

第７図（Ｃ）は高密度におけるローパスフィルタ１９の
フィルタ回路である。第７図（Ｃ１において、入力はＲ
ＥＡＤ１ａ１５８．２ａ１５９であり、コイル１６８．
１６９を介して出力される。この出力はトランジスタ１
７４，１７９のベースである。また、入力のＲＥＡＤ１
ａ１５８はコンデンサ１７７を介して出力の１７９のベ
ースに接続されている。

ＲＥ４Ｄ２ａ１５９はコンデンサ１７２を介して小結の
１７４のベースに接続されている。この出力１７４０ベ
ースと１７９のベースの間には、抵抗１７３と１７８の
直列回路が接続されている。

このように、ローパスフィルタＩ９は、通常密度では第
７図（ｂ）のようなフィルタで定められる遮断周波数の
特性を持つものであり、高密度では第７図（Ｃ）のよう
なフィルタで定められる遮断用周波数の特性を持つもの
である。

次に、第７図（ａ）のプリアンプ１８およびローパスフ
ィルタ１９の動作を説明する。

一般に、フロッピーディスク装置は表面、裏面を同時に
再生することはないので、読み出し回路は、−系統分だ
けあればよい。従って第６図のように、第１の磁気ヘッ
ド１０Ｍ：第２の磁気ヘッド１０５を１系統にまとめて
、再生するものである。

このようにして、磁気ヘッドのコイル１０１゜１０２．
１０６，１０７から読み出された情報は、ダイオード１
４６〜１４９を介してオペアンプ１５５に増幅されて出
力される。

オペアンプ１５５の出力はＲＥＡＤｌａ（ａｌｌでは、
コイル１６８とコンデンサ１７２のローパスフィルタを
通り、トランジスタ１７４に入力される。

またＲＥＡＤＺａ側では、コイル１６９とコンデンサｌ
’７７のローパスフィルタを通す、トランジスタ１７９
に入力される。

ローパスフィルタ回路工９のＲＥＡＤ１ａ端子１５８お
よびＲＥＡＤ２ａ端子１５９は、オペアンプ１５５の出
力がそれぞれ接続されている。通常密度では＋ＬＳ端子
４３が１１」になっているため、トランジスタ１６１は
導通して、＋１２Ｖは抵抗１７６、ダイオード１７０、
トランジスタ１６１を介してアースに流れる。また＋１
２Ｖは、抵抗１８１１ダイオード１７０．ｈランジスク
１６１も介してアースに流れるものである。このとき、
ダイオード１６４とトランジスタ１６３、およびダイオ
ード１６７とトランジスタ１６６は逆バイアスとなるた
め動作しない。従って、通常密度の場合には、ＲｇＡＤ
１ａ１５８とＲＥＡＤ２ａ１５９から、トランジスタ１
７４のベースとトランジスタ１７９のベース間の回路は
第７図（ｂ）に示した回路図と等価になるものである。

次に、高密度では＋ＬＳ端子４３が「０」となりトラン
ジスタ１６１は非導通となるものである。

＋ＰＣＯＮ端子１５６は、フロッピーディスク１２ｂの
０〜４３トラツクのときに１０」のだめ、バッファアン
プ１５７の出力も「０」となるので、第７図（ｂ）の回
路図がそのまま適用できるものである。また、フロッピ
ーディスク１２ｂの４４〜７６トラノクのときには＋Ｐ
ＣＯＮ１５６は「１」となるため、＋１２Ｖは抵抗１７
６を通った後、ダイオード１７０を導通できないため、
ダイオード１６４、トランジスタ１６３を導通するもの
である。同様に＋１２Ｖは抵抗１８１を通った後、ダイ
オード１７１を導通できないため、ダイオード１６７．
１−ランジスタ１６６を導通するものである。従って、
高密度の場合にはＩ？、ＥｈＤＩａ１５８とＲＩＤＡＤ
　２　ａ　１５９から、トランジスタ１７４のベースと
トランジスタ１７９のベース間の回路は第７図（Ｃ）に
示した回路図と等価になるものである。

その後、コイル１８２，１８３、コンデンサ１８４で、
周波数特性を補正されてＬ　Ｐ　ｐ子端子１８９とＬ　
Ｐ　Ｆ一端子１９０から出力されるものである。

次に、微分増幅回路２０について、第８図を用いて説明
する。

第８図において、３９は通常密度で「０」、高密度で「
１」が入力される一ＬＳである。２０１，２０２゜２０
４は）ランジスタ２０３のバイアス抵抗である。

２０５はＦＥＴ（電解効果トランジスタ）２０６のバイ
アス抵抗である。Ｉｉ”　ＩＬ　Ｔ　２０６のソース、
ドレイン間にはコンデンサ２０７および２０８が直列に
接続されている。コンデンサ２０８の両端には抵抗２０
９が並列に接続されており、抵抗２１０、半固定抵抗２
１３、コイル２１１の直列回路も並列に接続されている
。この半固定抵抗２１３の可。

動部分は抵抗２１２を介してアースに接続されている。

一方、ＬＰＦ＋１８９はトランジスタ１９１のベースに
、ＬＰＦ−１９０はトランジスタ１９４のベースにそれ
ぞれ接続されている。トランジスタ１９１のコレクタは
コンパレータ２１と、抵抗１９２を介して＋１２Ｖに接
続され、エミッタは定電流源１９３に接続されている。

トランジスタ１９４のコレクタは、コンパレータ２１と
、抵抗１９５を介して＋１２Ｖに接続され、エミッタは
定電流源１９６に接続されている。このトランジスタ１
９１のエミッタと半固定抵抗２１３の一方の端子と接続
され、トランジスタ１９４のエミッタと半固定抵抗２１
３の他方の端子に接続されている。

次に、コンパレータ２１とタイムドメインフィルタ２２
について、第８図を用いて説明する。

第８図において、　−ＬＳ３９の信号はバイアス抵抗２
２６を介してトランジスタ２２７のベースに入力される
。トランジスタ２２７のエミッタはアースに接続され、
コレクタは抵抗２２８を介しトランジスタ２２９のベー
スに接続される。このトランジスタ２２９のベース、エ
ミッタ間にはバイアス抵抗２３０が接続され、コレクタ
、エミッタ間には抵抗２２９と２３２の直列回路が接続
されている。抵抗２２９と２３２の中点はワンショット
マルチ２２１に接続され、この中点とワンショットマル
チ２２１の他の点との間にコンデンサ２３３が接続され
ている。また、トランジスタ２２９のエミッタには抵抗
２３４を介して＋１２Ｖが接続され、ツェナーダイオー
ド２３５を介してアースと接続されている。このトラン
ジスタ２２９のエミッタは、抵抗２３６を介してワンシ
ョットマルチ２２３に接続されている。このワンショッ
トマルチ２２３の一端子と他の端子の間にはコンデンサ
２３７が接続されている。

コンパレータ２１は、２つの入力電圧を比較しその差を
出力するものであり、パルス発生器２２０および、Ｄフ
リップフロップ２２２のＤ端子に接続されている。パル
発生器２２０は、コンパレータ２１の出力電圧を入力し
、出力電圧の極性が反転したときに、短いパルスを１個
発生させるものである。ワンショットマルチ２２１は、
パルス発生器２２０の短いパルスによって定められた時
間の長さの信号を送出するものであり、その時間の長さ
は、コンデンサ２３３と抵抗２３２、または２３１の時
定数によって定められるものである。

２２２はＤフリップフロップであり、このＤフリップフ
ロップ２２２はＤ入力がコンパレータ２１の出力と、Ｔ
入力はワンショットマルチ２２１の出力に接続され、Ｄ
入力が１１」のときに、Ｔ入力の反転に伴ないＱ、Ｑ出
力が反転するものである。

２２３はワンショットマルチであり、このワンショット
マルチ２２３はＤフリップフロップ２２２のＱ、Ｑ出力
が反転したときに定められた時間の長さの信号を送出す
るものである。この時間の長さは、コンデンサ２３７と
抵抗２３６の時定数によって定められるものである。

このワンショットマルチの出力は、ＡＮＤゲート２２４
に入力され、凡ＥＡＤ　ＥＮＡＢＬＥ２２５が「ｌ」の
ときＡＮＤゲート２２４からＲＥＡＤ　ＤＡＴＡ２２６
の端子に出力されるものである。

次に、第８図の微分増幅回路２０、コンパレータ２１お
よびタイムドメインフィルタ２２の動作について“８明
する。

第８図において、ローパスフィルタ１９の出力、すなわ
ち、Ｌｌ）Ｆ＋１８９とＬＰＦ−１９０の信号は、トラ
ンジスタ１９１とトランジスタ１９４に入力され、高密
度の場合は両トランジスタ間に接続されたコイル２１１
と、コンデンサ２０７、またはコンデンサ２０８による
微分１路により微分されるものである（第２図（ｆ）参
照）。

通常密度の場合は、−ＬＳ２００が「ｏ」になるので、
トランジスタ２０３が非導通となり、ＦＥＴ２０６が導
通となり、微分回路はコンデンサ２０７と２０８の並列
回路とコイル２１１により形成されるものである。通常
密度におけるコンデンサ２０７，２０８とコイル２１１
による共振周波数は、高密度におけるコンデンサ２０８
とコイル２１１による共振周波数よシ低くなるものであ
る。

その理由は、共振周波数における基本式、において、Ｃ
の値が高密度より通常密度の方が大きいためである。

このように微分された信号は、コンパレータ２１に入力
され、２つの入力信号の極性が反転したとき出力が反転
される（第２図（ｆ））。

コンパレータ２１の出力は、パルス発生器２２０、ワン
ショットマルチ２２１．Ｄフリップフロップ２２２を介
してワンショットマルチ２２３に入力される。このパル
ス発生器２２０、ワンショットマルチ２２１、Ｄフリノ
ブフロッ７’２２２ｔｊ：％第２図（ｆ）に示された微
分増幅回路２０の出力の中だるみ部分（ｆＩ＋　１２’
＋　ｆ３）が、ノイズにより誤動作するのを防止してい
るものである。

すなわち、コンパレータ２１の出力は、いったんパルス
発生器２２０に入力され、コンパレータ２１の出力の極
性が変化したとき、短いパルスが出力される。このパル
ス発生器２２０の出力でワンショットマルチ２２１を駆
動させる。このワンショットマルチの出力時間は、通常
密度用と高密度用で異なるものである。

通常密度用では、−ＬＳ３９が「０」となり、トランジ
スタ２２９を非導通にしているので、ワンショットのパ
ルス時間幅はコンデンサ２２３と抵抗２３２で定められ
る時定数により決められる。

また、高密度用では−１，８３９が「１」となるのでト
ランジスタ２２９は導通しているので、ワンショットの
パルス時間幅は、コンデンサ２２３と抵抗２３２，２３
１の合成抵抗で定められる時定数により決められる。

このワンショットマルチ２２１のパルス送出終了時にＤ
フリップフロップ２２２のＴ人カを駆動させるようにし
であるので、もし微分増幅回路２０の出力の中だるみ（
第２図ｆ＋””ｆ３）にノイズが混入してもワンショッ
トマルチ２２１のパルス送出時間にマスクされるので、
Ｄクリップフロップ２２２の誤動作は生じないものであ
る。

このＤフリップフロップ２２２の出力は、ワンショット
マルチ２２３で波形整形され、読み出し可能のときは、
ＲＥＡＤ　ＥＮＡＢＬＥ、２２５が「１」となシ、ＲＥ
ＡＤ　ＤＡＴＡ２２６として、外部へ送出されるもので
ある。

次に、モータ駆動回路について第９図を用いて説明する
。

第９図のモータ駆動回路は、ダイレクトドライブモータ
（、Ｄ、　Ｄモータ）１３、回転数制御用集積回路（Ｉ
Ｃ）２４０（μＰＣ１０４３Ｃ相等）、モータ駆動用集
積回路（Ｉ　Ｃ）　２４１　（ＴＡ−７２４，５ＡＰ相
等）とその他付属部品とからなっている。２４°２は、
通常密度用で「０」、高密度用で１１」になる−ＤＤＭ
の端子である。２４３はり、Ｄモータ１３を駆動すると
きに１１」になるＭＯＴＯＲＯＮの端子である。２４４
は＋１２Ｖである。２４５は、モータの回転軸に垂直に
取り付けられたパルス波形状のプリントパターンの１”
、Ｇ、であり、とのＦ、　Ｇ。

（周波数発振器）は、モータが回転したときにモータに
内蔵しである永久磁石の回転により生ずる磁束の回転を
上記プリントパターンで検出し、誘起起電圧を発生する
ものである。２４６は、ＩＣ２４０に内蔵しであるプリ
アンプであり、このプリアンプ２４６はＦ、０．２４６
はＦ、、０．２４５の電圧をプラス端子に入力し、出力
は抵抗２５０を介しマイナス端子に接続されている。こ
のプリアンプ２４６のマイナス端子は、コンデンサ２４
８と抵抗２４９の直列回路を介してＦ、６．２４５の他
端に接続されている。このｌ”、０．２４５の他端はコ
ンデンサ２４７を介してアースに接続されている。

抵抗２５０には、抵抗２５２とコンデンサ２５１の直列
回路が並列接続されている。プリアンプ２４６の出力は
コンデンサ２５３を介して、ＩＣ２４０内蔵のシーミツ
トトリガ２５４のマイナス端子に入力される。シュミッ
トトリガ２５４の出力は抵抗２５５を介してプラス端子
に帰還される。

また、このシーミツトトリガ２５４は入力信号を、定め
られたしきい値でパルス状に波形整形するものであり、
その出力はコンデンサ２５６を介して微分回路２５７に
入力される。微分された信号はタイミング回路２５８に
入力される。タイミング回路２５８は、抵抗２６４とコ
ンデンサ２６５の時定数により、微分された信号の立ち
下がシ時間が定められている。

タイミング回路２５８の出力はサンプル＆ホールド回路
２５９に入力され、のこぎり状波形が形成される。この
のこぎり状波形は、通常密度時にはコンデンサ２７０お
よび、抵抗２７１と半固定抵抗２７２とで定められる傾
きを有するものである。また、高密度時にはコンデンサ
２７０、抵抗２７１、半固定抵抗２７２の他に抵抗２７
３、半固定抵抗２７４とで定められる傾きを有するもの
である。

この通常密度と高密度の切り換えは、−ＤＤＭ２４２の
信号による。すなわち、通常密度のときは、−ＤＤＭ２
４２が「０」となるので抵抗２７６を介したトランジス
タ２７５０ベースがｒＯＪになり、トランジスタ２７５
は非導通となり、抵抗２７３と半固定抵抗２７４は回路
上影響がなくなる。まだ、高密度のときは〜ＤＤＭ２４
２が「１」となるので、トランジスタ２７５は導通とな
り、半固定抵抗２７４はアースに接続される。抵抗２７
１と半固定抵抗２７２の直列回路と、抵抗２７３と半固
定抵抗２７４の直列回路の合成抵抗がコンデンサ２７０
とで、のこぎり状波形の時定数を形成するものである０
２７８はサンプル＆ホールド回路２５９のノイズ除去用
のコンデンサであり、このコンデンサ２７８には電源回
路２６１０発生する電源電圧の半分の電圧が基準電圧と
して印加され、このコンデンサ２７８により、ノイズ成
分が除去されるものである。

２６０は比較及びＩ）Ｃアンプであり、この比較及びＤ
Ｃアンプ２６０は、サンプル＆ホールド回路２６０は上
記、のこぎり状波形の信号と基準電圧とを比較して、モ
ータの回転制御の電流を送出するものである。この比較
及びＤＣアンプ２６０の出力電圧は、コンデンサ２７９
および、抵抗２８０の直列接続と、コンデンサ２８１と
の並列回路を経由して、再び比較及びＤＣアンプ２６０
に帰還され、モータ制御のだめの位相補正を行なってい
るものである。

２６１は電源回路であり、この電°源回路２６１はコイ
ル２６２を介した＋１２Ｖ２４４を入力し、抵抗２９０
、コンデンサ２７０、抵抗２６９および、抵抗２６４に
安定化電源電圧を供給しているものである。

２４３はり、　Ｄ、モータ１３の駆動、停止を制御する
ＭＯＴＯＲＯＮであり、このＭＯＴＯＲ０Ｎ２４３は、
Ｄ、Ｄ。モータ１３を駆動させるときに「１」の信号が
きて、抵抗２６６を介したトランジスタ２６８を導通さ
せる。２６７．２６９はトランジスタ２６８のバイアス
抵抗である。トランジスタ２６８が導通すると、比較及
びＩ）Ｃアンプ２６０は「０」の信号を入力し、Ｄ、Ｄ
、モータ１３の回転を停止させるものである。

コイル２６２とコンデンサ２６３とで、ノイズ除去され
た＋１２Ｖ２４４は、抵抗２８２，２７７、コンデンサ
２９２、および電源回路２６１に供給される。抵抗２８
２に供給された＋１２Ｖ２４４は、ホール素子Ｈ，２８
３，ｌＩ２２８４．ｔＩ３２８５および抵抗２８６を介
してアースに接続されるものである。

ホール素子Ｈ，２８３の２つの検出端子は、コンデンサ
２８７を並列に接続し、ＩＣ２４１の■、■番端子に接
続される。ホール素子Ｈ２２８４の２つの検出端子は、
コンデンサ２８８を並列に接続し、ＩＣ２４１の０，０
■番端子に接続される。ホール素子Ｈ３２８’５の２つ
の検出端子は、コンデンサ２８９を並列に接続し、ＩＣ
２４１の■、■番端子に接続される。

このホール素子２８３〜２８５は、コイル３００〜３０
５の付近に配置され、Ｄ、Ｄ、モータ１３に内蔵された
永久磁石のＮ極、Ｓ極の位置を検出するものである。

ＩＣ２４１の■、■、■番端子は、Ｄ、　Ｄ、モータ１
３のコイル３００〜３０５へ３相交流電圧を供給する端
子である。３０６は■、■番端子間に接続されたコンデ
ンサ、３０７は■、■番端子間に接続されたコンデンサ
、３０８は■、■番端子間に接続されたコンデンサであ
り、３相交流電圧の位相補正用に用いられている。［相
］番端子はアース端子、０番端子は＋１２Ｖ端子であり
、この０番端子は、コンデンサ２９２を介してアースに
接続され、ノイズを除去している。

ＩＣ２４１００番端子は、ＩＣ２４０の電源口ＪＩｒ２
６１の出力電圧を抵抗２９０を介して入力し、基準電圧
としている。この０番端子の基準電圧はツェナーダイオ
ード２９１を介して０番端子に接続されている。０番端
子は過電流保護端子であり、この過電流保護端子■は、
Ｄ、Ｄ、モータ１３に過電流が供給されると、０番端子
の電圧が高くなり、抵抗２９４を介してトランジスタ２
９５を導通させて、比較及びＤＣアンプ２６０の出力電
圧をＯＶにする働きを有するものである。なお、２９３
は、アースと■番端子間に接続されたバイアス抵抗、２
９６は比較及びＤＣアンプ２６０のノイズ除去コンデン
サである。

次に、モータ駆動回路の動作について説明する。

停止しているＩ）、Ｄ、モータ１３を駆動させるには、
ＭＯＴＯＲＯＮ、２４３を「１」にすると、トランジス
タ２６８が導通して比較及びＤＣアンプ２６０を「０」
にして、ＩＣ２４１の０番端子に回転開始の電圧を与え
る。すると、ＩＣ２４１の■、■。

０番端子から３相交流電圧がコイル３００〜３０５に供
給され、Ｄ、Ｄ、モータ１３に内蔵された永久磁石との
反作用によ多回転を開始する。この３相交流電圧の位相
および周波数はホール素子２８３〜２８５により、Ｎ極
とＳ極に６分割された永久磁石の回転位置により調整さ
れるものである。

このようにして、Ｄ、　Ｄ、モータ１３の回転が開始さ
れると、Ｆ、Ｇ２４５が永久磁石の回転を検出して、誘
起起電圧を発生させるものである。この誘起起電圧はプ
リアンプ２４６で増幅され、シーミツトトリガ２５４で
パルスに波形整形され、微分回路２５７で微分される。

この微分回路２５７の出力は、抵抗２６４とコンデンサ
２６５で定められる時定数によシ、立ち下がり特性を補
正されサンプル＆ホールド回路２５９に入力される。

このサンプル＆ホールド回路２５９は、通常密度は高密
度により出力する、のこぎり状波形が異なるものである
。通常密度のときは−Ｄ　ＤＭ２４２が「０」となり、
トランジスタ２７５が非導通となって抵抗２７３と半固
定抵抗２７４はサンプル＆ホールド回路に影響が寿ぐな
る。従って、のこぎり状波形は、コンデンサ２７０およ
び抵抗２７１と３戸固定抵抗２７２によって定められる
時定数を有する波形となる。

また、高密度のときは−ＤＤＭ２４２が「１」となり、
トランジスタ２７５が導通となり、のこぎり状波形はコ
ンデンサ２７０および、抵抗２７３、半固定抵抗２７４
と抵抗２７１、半固定抵抗２７２により時定数が定めら
れるものである。

サンプル＆ホールド回路２５９は他に電源電圧の半分の
電圧の基準電圧を作り、上記のこぎり状波形とともに比
較及びＤＣアンプ２６０へ送出される。

比較及びＤＣアンプ２６０は、この基準電圧とのこぎり
状波形とを比較して、Ｄ、　Ｄ、モータ１３の回転数を
検出し、回転数を増加する方向まだは、減少する方向に
出力を送出するものである。この出力をモータ駆動ＩＣ
２４１の０番端子で入力し■、■２■蚤端子から、３相
交流電圧となって１）。

Ｄ、モータ１３に供給される。

なお、Ｄ、Ｄ、モータ１３の回転数は高密度では半固定
抵抗２７４によシ微調し、通常密度では半固定抵抗２７
２により微調される。また、Ｄ、Ｄ。

モータ１３に過電流が供給されたときには、ＩＣ２４１
の０番端子からモータ停止電圧が送出され、比較及びＤ
Ｃアンプ２６０の出力を中止させ、Ｄ。

Ｄ、モータ１３の回転を停止させるものである。

発明の効果本発明は上記のような構成であし、本発明によれば回転
駆動手段、書込み手段および読出し手段のそれぞれへ磁
気密度に応じた切替信号を印加することによって、回転
速度、書込み電流値、その低特性を切替え、同一装置に
より複数の磁気密度で記録された磁気媒体を再生できる
効果を有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のフロッピーディスク装置のブロック図、
第２図は同装置の信号波形図、第３図は本発明の一実施
例による７０ツピーデイスク装置のブロック図、第４図
は通常密度用および高密度用の信号波形図、第５図は切
替信号回路の回路図、第６図は書込み回路と遅延回路と
消去回路の回路回路図、第７図（ｂ）は通常密度におけ
るローノ（スフィルタのフィルタ回路図、第７図（Ｃ）
は高密度におけるローパスフィルタのフィルタ回路図、
第８図は微分増幅回路とコンパレータとタイムドメイン
フィルタの回路図、第９図はモータ駆動回路の回路図で
ある。１　’２　ａ・・・通常密度の磁気媒体、１２ｂ・・・
高密度の磁気媒体、１３・・スピンドルモータ、１４・
・磁気ヘッド、１５・・書込み回路、１６・・・消去回
路、１７・・・遅延回路、１８・・・プリアンプ、１９
・・ローパスフィルタ、２０・・・微分増幅回路、２１
・・・コンパレータ、２２・・・タイムドメインフィル
タ、ｂ・・書込みデータ信号、Ｃ・・書込み電流、ｈ・
・川込みゲート信号、！・・読出し信号、Ｊ・・読出し
ノくルス信号、−ＤＤＭ、−ＬＳ、＋ＬＳ・・・切替信
号。代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図第２図＜ａ、ｒｏｏｉｏ　イ　イ第４図ｂｌ第５図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）切替信号を発生する切替信号発生手段と、上記切
替信号により回転速度が変更され磁気記録媒体を回転駆
動させる回転駆動手段と、上記切替信号により磁気ヘッ
ドへの書込み電流値を変更する書込み手段と、上記切替
信号により磁気ヘッドから読出される読出し信号の特性
が変更される読出し手段とを具備してなるフロッピーデ
ィスク装置。
（２）切替信号により磁気ヘッド中の書込み読出しヘッ
ドへの書込み電流値を変更する書込み回路と、切替信号
により書込み電流に対する遅延時間が変更される遅延回
路と、切替信号により磁気ヘッド中の消去ヘッドへの消
去電流値を変更し、上記遅延回路に遅延されて送出され
る消去回路とで書込み手段を構成した特許請求の範囲第
１項記載のフロッピーディスク装置。
（３）切替信号により磁気へノドからの読出し信号の遮
断周波数を変更するローパスフィルタと、切替信号によ
り共振周波数を変更して上記ロー・くスフィルタの出力
を微分する微分増幅回路と、切替信号によりパルスの時
間幅を変更して上記微分増幅回路の出力をパルス波形に
するタイムドメインフィルタとで読出し手段を構成した
特許請求の範囲第１項記載のフロッピーディスク装置。