JPH04330767A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04330767A JPH04330767A JP40030690A JP40030690A JPH04330767A JP H04330767 A JPH04330767 A JP H04330767A JP 40030690 A JP40030690 A JP 40030690A JP 40030690 A JP40030690 A JP 40030690A JP H04330767 A JPH04330767 A JP H04330767A
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- JP
- Japan
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- gas
- metal layer
- layer
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- Pending
Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は多層配線構造を有する半
導体装置の製造方法に関する。
導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、多層配線を有する半導体装置の製
造には、配線金属としてアルミを使用し、上層配線をス
パッター装置で被着するが、通常、その前処理として硫
酸と純水の混合液により、スルーホール部の下層アルミ
表面の自然酸化膜の除去及びその後スパッター装置内で
のＡｒガスのイオンエッチ（逆スパッター）により表面
層のエッチングをし、つづいてアルミを被着している。
造には、配線金属としてアルミを使用し、上層配線をス
パッター装置で被着するが、通常、その前処理として硫
酸と純水の混合液により、スルーホール部の下層アルミ
表面の自然酸化膜の除去及びその後スパッター装置内で
のＡｒガスのイオンエッチ（逆スパッター）により表面
層のエッチングをし、つづいてアルミを被着している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置の製造方法では、イオンエッチ（Ａｒによる逆スパ
ッター）時に層間絶縁膜のスルーホール部の形状等によ
り、スルーホールの側壁のエッチングされたものが下層
配線アルミ表面に被着し薄い絶縁膜を形成する。この為
、スルーホール部での下層・上層間の接続が完全でなく
、初期的にはアルミ層間の界面に被着している薄い絶縁
膜のピンホール等で接続されていても、半導体装置の通
電使用状態に於いてピンホール部のエレクトロマイグレ
ーションの進行によりこの部分がオープンとなり、半導
体装置の信頼度を減ずるという欠点がある。
装置の製造方法では、イオンエッチ（Ａｒによる逆スパ
ッター）時に層間絶縁膜のスルーホール部の形状等によ
り、スルーホールの側壁のエッチングされたものが下層
配線アルミ表面に被着し薄い絶縁膜を形成する。この為
、スルーホール部での下層・上層間の接続が完全でなく
、初期的にはアルミ層間の界面に被着している薄い絶縁
膜のピンホール等で接続されていても、半導体装置の通
電使用状態に於いてピンホール部のエレクトロマイグレ
ーションの進行によりこの部分がオープンとなり、半導
体装置の信頼度を減ずるという欠点がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造方法
は、上層配線金属の被着前にイオンエッチ、ついでプラ
ズマエッチを実施しその間大気に曝さず、つづいて上層
配線金属層を被着することを特徴とする。
は、上層配線金属の被着前にイオンエッチ、ついでプラ
ズマエッチを実施しその間大気に曝さず、つづいて上層
配線金属層を被着することを特徴とする。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。
。
【０００６】図１は、一実施例の製造工程各段階のスル
ーホール部縦断面図である。
ーホール部縦断面図である。
【０００７】（ａ）は、２層目導体金属のスパッター前
の逆スパッター（Ａｒガスによるイオンエッチ）時の実
施状態を示す。すなわち、Ａｒイオンがスルーホール部
側壁に当ってエッチングされ、その絶縁物が一層目の金
属の表面に付着する。
の逆スパッター（Ａｒガスによるイオンエッチ）時の実
施状態を示す。すなわち、Ａｒイオンがスルーホール部
側壁に当ってエッチングされ、その絶縁物が一層目の金
属の表面に付着する。
【０００８】これによりイオンエッチ後は（ｂ）のよう
になり、この絶縁物の再付着をＣＦ４ガスを導入しプラ
ズマエッチを実施しその後、２層目の導体金属をスパッ
ター方にて形成する。
になり、この絶縁物の再付着をＣＦ４ガスを導入しプラ
ズマエッチを実施しその後、２層目の導体金属をスパッ
ター方にて形成する。
【０００９】これにより（ｃ）で示すように完全なスル
ーホール部の接続が得られる。
ーホール部の接続が得られる。
【００１０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明はＡｒ逆スパ
ッター方及びその後のＣＦ４ガスによるプラズマエッチ
にてスルーホール部の信頼性を上げることが可能となる
。
ッター方及びその後のＣＦ４ガスによるプラズマエッチ
にてスルーホール部の信頼性を上げることが可能となる
。
【図１（ａ）】図１（ａ）は本発明の一実施例による逆
スパッタ時における縦断面図である。
スパッタ時における縦断面図である。
【図２（ｂ）】図１（ｂ）は本発明の一実施例による逆
スパッタ後における縦断面図である。
スパッタ後における縦断面図である。
【図３（ｃ）】図１（ｃ）は本発明の一実施例による２
層目導体付着後における縦断面図である。
層目導体付着後における縦断面図である。
１ １層目導体金属
２ １，２層間絶縁物
３ ２層目導体金属
４ Ａｒイオンの走行状況
Claims (1)
- 【請求項１】 上層配線金属の被着前にイオンエッチ
、ついでプラズマエッチを実施しその間大気に曝さず、
つづいて上層配線金属層を被着することを特徴とする多
層配線構造を有する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40030690A JPH04330767A (ja) | 1990-12-04 | 1990-12-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40030690A JPH04330767A (ja) | 1990-12-04 | 1990-12-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04330767A true JPH04330767A (ja) | 1992-11-18 |
Family
ID=18510218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40030690A Pending JPH04330767A (ja) | 1990-12-04 | 1990-12-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04330767A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5624455A (en) * | 1993-11-26 | 1997-04-29 | Olympus Optical Co., Ltd. | Freely projectable/sinkable valvulotome and freely projectable/sinkable venous valve valvulotome |
-
1990
- 1990-12-04 JP JP40030690A patent/JPH04330767A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5624455A (en) * | 1993-11-26 | 1997-04-29 | Olympus Optical Co., Ltd. | Freely projectable/sinkable valvulotome and freely projectable/sinkable venous valve valvulotome |
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