JPH04327985A - コンパクトディスク対応またはコンパクトディスク−rom対応の追記型光ディスク - Google Patents

コンパクトディスク対応またはコンパクトディスク−rom対応の追記型光ディスク

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JPH04327985A
JPH04327985A JP3124983A JP12498391A JPH04327985A JP H04327985 A JPH04327985 A JP H04327985A JP 3124983 A JP3124983 A JP 3124983A JP 12498391 A JP12498391 A JP 12498391A JP H04327985 A JPH04327985 A JP H04327985A
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JP
Japan
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och2
substituent
recording
rings
compound
Prior art date
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Pending
Application number
JP3124983A
Other languages
English (en)
Inventor
Shuji Miyazaki
修次 宮崎
Munenori Andou
宗徳 安藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyo Ink SC Holdings Co Ltd
Original Assignee
Toyo Ink Mfg Co Ltd
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Publication date
Application filed by Toyo Ink Mfg Co Ltd filed Critical Toyo Ink Mfg Co Ltd
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  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光による情報
の記録、再生を行う光ディスクに関する。さらに詳しく
はコンパクトディスク(CD)対応またはコンパクトデ
ィスク−ROM(CD−ROM)対応の追記型光ディス
クに関する。
【0002】
【従来技術】集光レーザー光による情報記録媒体の中で
、オーディオ等の音楽再生用としてCD、コンピュータ
用ROMとしCD−ROMが広く普及している。このよ
うなCDまたはCD−ROMは、通常ポリカーボネート
等の透明基板表面にCDフォーマット信号またはCD−
ROM信号を有するピット列を射出成形時に形成し、そ
の上からアルミニウムまたは金等を蒸着あるいはスパッ
タリングにより反射膜として設け、さらに保護層をコー
トして作成する。
【0003】このようにして作成した光ディスクの基板
の裏面から再生レーザー光(780nm半導体レーザー
光)を照射して、ピットの凹凸による反射率の変化から
各信号を読取り、情報を再生するものである。しかし、
このようなCD、CD−ROMは再生専用であり記録が
できないため、追記型光ディスクあるいは書換え可能な
光磁気ディスク等のような編集機能がないという不都合
さがあった。
【0004】一方、編集機能を有する追記型光ディスク
あるいは光磁気ディスクとしては、Te等カルコゲナイ
ト系化合物、希土類金属化合物もしくはシアニン、ナフ
タロシアニン等の有機色素等を記録膜としたものが実用
化されている。しかしながら、これらの光ディスクは、
基板面からの反射率が30〜40%であり、現在のCD
の国際規格であるレッドブックに記載されている基板面
からの反射率70%以上には到達しておらず、現状のま
まCDあるいはCD−ROMの再生装置により信号の再
生を行うことはできないという問題点がある。
【0005】このような問題点を解決するために、シア
ニン等の記録膜の上に金等の反射膜を設けて、基板面反
射率で70%以上を確保して780nmでCDフォーマ
ット信号あるいはCD−ROMフォーマット信号を記録
し、CDまたはCD−ROMの再生装置で情報を読み出
す光ディスクおよび方法(特開昭2−42652号公報
)が提案されている。このような光ディスクにおいては
、現状記録膜に使用されている有機色素はシアニン色素
であった。
【0006】しかしながら、一般にシアニン色素は光安
定性が悪いため、CD、CD−ROMのような単板構成
で直接太陽光あるいは蛍光灯下にさらされるような使用
条件下では、記録の信頼性に問題が生ずる可能性がある
。そのため、シアニン色素に代えて、化学的、物理的安
定性の優れたフタロシアニン色素を記録膜材料に使用す
る試みが検討されている。このフタロシアニン色素の場
合には、吸収バンドが非常にシャープであるため、CD
ドライブのピックアップに搭載される半導体レーザーの
発振波長の許容範囲(780〜800nm程度)で安定
した光学特性(反射率および吸収)を得ることが困難で
あり、記録感度の波長依存性が大きく、汎用性のある追
記型光ディスクに成りにくいという問題点がある。従っ
て、現状では安定性に優れ、さらに記録特性も良好なC
DまたはCD−ROM対応の追記型光ディスクは提供さ
れていない。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の追記
機能、編集機能を有するCDあるいはCD−ROMの持
つ欠点を解決し、安定性に優れ、さらに記録特性も良好
なCD対応の追記型光ディスクは提供するために、化学
的、物理的安定性の優れたフタロシアニン系色素を記録
膜材料として用いる場合に生ずる記録感度の波長依存性
を防ぎ、良好な再生信号が得られる記録材料について鋭
意検討を行った結果、本発明を得るに至った。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記のような安定性に優
れ、さらに記録特性も良好なCD、またはCD−ROM
対応の追記型光ディスクは以下のようにして実現される
。透明基板/記録膜層/反射膜層からなり、CDフォー
マット信号の記録を行う追記型光ディスクにおいて、記
録膜層が下記一般式[I]で示される化合物であり、こ
の化合物を構成する環A1 〜A4 が、(1)全てベ
ンゼン環であるフタロシアニン系化合物、(2)全てナ
フタレン環であるナフタロシアニン系化合物、(3)3
つのベンゼン環と1つのナフタレン環によりなるフタロ
/ナフタロシアニン化合物、(4)2つのベンゼン環と
2つのナフタレン環よりなるフタロ/ナフタロシアニン
化合物、(5)1つのベンゼン環と3つのナフタレン環
よりなるフタロ/ナフタロシアニン化合物、(1)〜(
5)の5種類の混合体より成ることを特徴とするコンパ
クトディスク対応またはコンパクトディスク−ROM対
応の追記型光ディスク。 一般式[I]
【0009】
【化3】
【0010】[式中、環A1 〜A4 は、それぞれ独
立に置換基(X1 )mを有しもよいベンゼン環あるい
は置換基(X2 )nを有しもよいナフタレン環を表す
。置換基X1 は、−OCH2 CF3 、−OCH2
 CF2 CF2 H−OCH2 (CF3 )2 お
よび−OCH2 (CF2 )4 Hを表す。置換基X
2 は、−OCH2 CF3 、−OCH2 CF2 
CF2 H、−OCH2 (CF3 )2 、−OCH
2 (CF2 )4 H、−tertC5 H11およ
び水素原子を表す。Mは、SiあるいはGeを表す。置
換基Zは、
【0011】
【化4】
【0012】を表す。ここで、R1 、R2 、R3 
およびR4 は、置換基を有してもよいアルキル基、置
換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよい
アルコキシ基または置換基を有してもよいアリーロキシ
基を表す。nおよびmは、1〜2の整数であり、それぞ
れ置換基X1 およびX2 の個数を表す。]
【001
3】記録材料が、本発明のように750nm付近に吸収
を持つフタロシアニン系化合物とより長波長側の800
nm付近に吸収を有するナフタロシアニン系化合物およ
びその中間的な3種のフタロ/ナフタロシアニン化合物
の混合体で構成されることにより、780nm付近での
光学特性の変化がかなりブロードになり、従来のフタロ
シアニン系色素を用いた記録膜に比較して、記録感度の
波長依存性は著しく改善される。
【0014】本発明の具体的な構成について、以下の詳
細に説明する。本発明の記録膜材料は、基本的に5種類
の化合物の混合体を使用している。2つのベンゼン環お
よび2つのナフタレン環より成る化合物の場合には、ベ
ンゼン環とナフタレン環の位置異性体が2種類あるため
、それも考慮すると6種類の混合体より構成されている
【0015】これら5種類の混合比率については特に制
限はない。比率については導入されている置換基による
光学特性(主に吸収波長域)の効果により大きく異なる
。実際に比率を決定する場合には、基板/記録膜/反射
膜の構成で基板面入射の反射率が770nm〜810の
範囲で絶対反射率が70〜80%の範囲になるようにそ
れぞれ吸収波長域が種々に異なる5種類の化合物の混合
比率が決定することが好ましい。一般的には4つすべて
ベンゼン環より成るフタロシアニン系化合物の全体の比
率が60〜90%であり、残りの4種類の化合物が、ほ
ぼ同量比で混合されることが最も好ましい。
【0016】また、このような本発明の記録材料は、前
述の5種類の化合物をそれぞれ合成し単離精製したもの
を、所定量比で混合して得る以外に、合成時に使用され
るインドレニン化合物を1,3−ジイミノイソインドレ
ニン誘導体と1,3−ジイミノベンズ(f)イソインド
レニン誘導体を所定量比で混合したもの使用して反応を
行い、反応生成物を本発明記録材料として用いることも
可能である。
【0017】反応に使用する1,3−ジイミノイソイン
ドレニン誘導体と1,3−ジイミノベンズ(f)イソイ
ンドレニン誘導体の量比はモル比で1/1〜3.99/
0.01の範囲が好ましい。さらに、上記の反応生成物
として得られた混合体を4つすべてベンゼン環より成る
フタロシアニン系化合物単体に添加して得ることもでき
る。
【0018】このような記録膜の成膜方法としてウェッ
トプロセス、例えばスピンコート法、ディップ法あるい
はロールコート法)法によって可能である。記録膜材料
(色素およびポリマーもしくはオリゴマー)が汎用の有
機溶剤、例えばアルコール系、ケトン系、セロソルブ系
、ハロゲン化炭化水素系、フロン系溶剤等に可溶な場合
は、生産性等からスピンコート法によって成膜する方法
が望ましい。また、このように塗布により記録膜を成膜
する場合には、必要に応じて高分子バインダーを混合に
成膜性を向上させる方法もある。
【0019】高分子バインダーとしてはアクリル樹脂、
ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド
樹脂、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂等が挙げら
れるがこれに限られるものではない。高分子バインダー
の混合比としては特に制限はないが、色素に対して10
重量%以下が好ましい。
【0020】また、本発明の記録膜の厚さには特に制限
はなく、最適な膜厚も化合物系によって異なるが500
〜3000Åが好ましくさらに1000〜2500Åが
最適膜厚範囲である。反射膜素材としては、金、銀、銅
、白金、アルミニウム、コバルト、スズ等の金属、Mg
O、ZnO、SnO等の金属酸化物、SiN4 、Al
N、TiN等の窒化物等が挙げられるが、絶対反射率が
高く安定性に優れている点から金が最適である。また、
場合によっては有機系の高反射膜を使用することもでき
る。このような反射膜の成膜方法としては、ドライプロ
セス例えば真空蒸着法、スパッタリング法が最も好まし
いがこれに限られるものではない。
【0021】さらに、反射膜の上に化学的劣化(例えば
酸化、吸水等)および物理的劣化(例えば傷、けずれ等
)を防ぐ目的でオーバーコート層を設けてもよい。オー
バーコート材としては、紫外線(UV)硬化型樹脂によ
る方法が一般的であるがこれに限られるものではない。 ディスク形態は、記録後CDあるいはCD−ROMとし
て機能する必要があるため、CDあるいはCD−ROM
の規格(レッドブック)およびレコーダブル−CD(R
−CD)の規格(オレンジブック)に準拠していること
が好ましい。
【0022】また、本発明に用いられるディスク基板と
しては信号の書込や読み出しを行うための光の透過率が
好ましくは85%以上であり、かつ光学異方性の小さい
ものが望ましい。例えば、ガラス、またはアクリル樹脂
、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミ
ド樹脂、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリス
チレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂(ポリ−4−メチ
ルペンテン等)、ポリエーテルスルホン樹脂などの熱可
塑性樹脂やエポキシ樹脂、アリル樹脂等の熱硬化性樹脂
からなる基板が挙げられる。これらの中で、成形のしや
すさ、案内溝等の信号の付与のしやすさなどから熱可塑
性樹脂からなるものが好ましく、さらに光学特性や機械
特性およびコストからみてアクリル樹脂やポリカーボネ
ート樹脂からなるものが特に好ましい。
【0023】また、案内溝などの付与は熱可塑性樹脂を
成形(射出成形、圧縮成形)する際にスタンパーなどを
用いて付与するか、またはフォトポリマー樹脂を用いる
いわゆる2P法による方法が好ましい。
【0024】
【実施例】以下に、実施例により本発明を具体的に説明
するが、本発明は以下の実施例に限られるものではない
【0025】
【実施例1】深さ800Å、ピッチ1.6μmのらせん
状案内溝を有する厚さ1.2mm、外径120mm、内
径15mmのポリカーボネート樹脂基板上に下記に表せ
るインドレニン化合物(a)および(b)をモル比39
/1で反応して得られたSi[OP(=O)Ph2 ]
2 フタロ/ナフタロシアニン化合物(Phはベンゼン
環を表す。)をエトキシエタノールに40mg/mlの
濃度で溶解し0.2μmのメンブランフィルターにより
ろ過をおこなった塗液をスピンコーターを用いて膜厚1
300Åに成膜した。なお、反応して得られたSi[O
P(=O)Ph2 ]2 フタロ/ナフタロシアニン化
合物をマススペクトル分析した結果、分子量が1336
、1388、1410、1432、1454の5つのピ
ークを検出した。これらの分子量は、インドレニン化合
物(a)と(b)が4/0、3/1、2/2、1/3、
0/4で構成されたフタロ/ナフタロシアニン化合物に
相当しており、5種類のフタロ/ナフタロシアニン化合
物の混合物よりなっていた。 (a)
【0026】
【化5】
【0027】(b)
【0028】
【化6】
【0029】次に、このようにして得た塗布膜の上に金
を膜厚800Åで真空蒸着により成膜した。さらに、こ
の上にUV硬化型樹脂により保護層を設けて光ディスク
を作成した。このようにして得られた光ディスクの反射
率を測定したところ、770nm〜800nmの波長域
で反射率が76%〜82%の範囲にあり、安定した光学
特性が得られていた。この光ディスクを用い、波長78
0nmの半導体レーザーを使用して、線速1.3m/s
ecで6.0mWの記録パワーでEFM−CDフォーマ
ット信号を記録したところ記録が可能であった。記録さ
れたピット列は、長さ0.9〜3.3μm、間隔0.9
〜3.3μmであった。次に、この信号をCDプレーヤ
ーにより、線速1.3m/sec、再生レーザーパワー
0.5mWで再生を行ったところ得られた信号は良好で
あり、市販のCDプレーヤーに十分かかるレベルであっ
た。また、波長800nmの半導体レーザーを使用して
同様な記録再生を行った結果、波長780nmの場合と
ほぼ同様な結果が得られた。
【0030】
【実施例2】深さ800Å、ピッチ1.6μmのらせん
状案内溝を有する厚さ1.2mm、外径120mm、内
径15mmのポリオレフィン樹脂基板上に下記に表せる
インドレニン化合物(c)および(d)をモル比1/1
で反応して得られたSi[OP(=O)Ph2 ]2 
フタロ/ナフタロシアニン化合物(Phはベンゼン環を
表す。)を1,1,3,3−テトラフルオロプロパノー
ルに30mg/mlの濃度で溶解し0.2μmのメンブ
ランフィルターによりろ過をおこなった塗液をスピンコ
ーターを用いて膜厚1400Åに成膜した。なお、反応
して得られたSi[OP(=O)Ph2 ]2 フタロ
/ナフタロシアニン化合物をマススペクトル分析した結
果、分子量が1494、1414、1334、1254
、1174の5つのピークを検出した。これらの分子量
は、インドレニン化合物(c)と(d)が4/0、3/
1、2/2、1/3、0/4で構成されたフタロ/ナフ
タロシアニン化合物に相当しており、5種類のフタロ/
ナフタロシアニン化合物の混合物よりなっていた。 (c)
【0031】
【化7】
【0032】(d)
【0033】
【化8】
【0034】次に、このようにして得た塗布膜の上に金
を膜厚800Åで真空蒸着により成膜した。さらに、こ
の上にUV硬化型樹脂により保護層を設けて光ディスク
を作成した。この光ディスクを用い、波長780nmの
半導体レーザーを使用して、線速1.3m/secで5
.5mWの記録パワーでEFM−CDフォーマット信号
を記録したところ記録が可能であった。記録されたピッ
ト列は、長さ0.9〜3.3μm、間隔0.9〜3.3
μmであった。次に、この信号をCDプレーヤーにより
、線速1.3m/sec、再生レーザーパワー0.5m
Wで再生を行ったところ得られた信号は良好であり、市
販のCDプレーヤーに十分かかるレベルであった。また
、波長800nmの半導体レーザーを使用して同様な記
録再生を行った結果、波長780nmの場合とほぼ同様
な結果が得られた。
【0034】
【発明の効果】本発明の構成により光ディスクを作成す
ることにより、770nmから800nmの半導体レー
ザーに対して安定した記録再生特性を示す追記機能編集
機能を有するCDあるいはCD−ROM対応の追記型光
ディスクを提供することができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】透明基板/記録膜層/反射膜層からなり、
    コンパクトディスクフォーマット信号あるいはコンパク
    トディスク−ROMフォーマット信号の記録を行う追記
    型光ディスクにおいて、記録膜層が下記一般式[I]で
    示される化合物であり、この化合物を構成する環A1 
    〜A4 が、(1)全てベンゼン環であるフタロシアニ
    ン系化合物、(2)全てナフタレン環であるナフタロシ
    アニン系化合物、(3)3つのベンゼン環と1つのナフ
    タレン環によりなるフタロ/ナフタロシアニン化合物、
    (4)2つのベンゼン環と2つのナフタレン環よりなる
    フタロ/ナフタロシアニン化合物、(5)1つのベンゼ
    ン環と3つのナフタレン環よりなるフタロ/ナフタロシ
    アニン化合物、(1)〜(5)の5種類の混合体より成
    ることを特徴とするコンパクトディスク対応またはコン
    パクトディスク−ROM対応の追記型光ディスク。 一般式[I] 【化1】 [式中、環A1 〜A4 は、それぞれ独立に置換基(
    X1 )mを有してもよいベンゼン環あるいは置換基(
    X2 )nを有してもよいナフタレン環を表す。置換基
    X1 は、−OCH2 CF3 、−OCH2 CF2
     CF2 H、−OCH2 (CF3 )2 および−
    OCH2 (CF2 )4 Hを表す。置換基X2 は
    、−OCH2 CF3 、−OCH2 CF2 CF2
     H、−OCH2 (CF3 )2 、−OCH2 (
    CF2 )4 H、−tertC5 H11および水素
    原子を表す。Mは、SiあるいはGeを表す。置換基Z
    は、 【化2】 を表す。ここで、R1 、R2 、R3 およびR4 
    は、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有して
    もよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基
    または置換基を有してもよいアリーロキシ基を表す。n
    およびmは、1〜2の整数であり、それぞれ置換基X1
     およびX2 の個数を表す。]
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