JPH0429320A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0429320A JPH0429320A JP13666490A JP13666490A JPH0429320A JP H0429320 A JPH0429320 A JP H0429320A JP 13666490 A JP13666490 A JP 13666490A JP 13666490 A JP13666490 A JP 13666490A JP H0429320 A JPH0429320 A JP H0429320A
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- JP
- Japan
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- wiring
- vdd
- semiconductor device
- power supply
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- Pending
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/4813—Connecting within a semiconductor or solid-state body, i.e. fly wire, bridge wire
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は半導体装置の電源ノイズ°の低減に関するも
のである。
のである。
［従来の技術］
第３図は従来の半導体装置の電源配線を示す平面図で、
図において、Ｖ８Ｂ（１）、ｖｐｐ （２ａ） （２ｈ
）はＡ１配線で、パターンニングされており、ＶＤＤ
（２ａ ）（２ｂ）はフンタクトホール（４ａ）、 （
４ｂ）を介しｐｏｌｙ−ｐｉ（３）に接続されている。
図において、Ｖ８Ｂ（１）、ｖｐｐ （２ａ） （２ｈ
）はＡ１配線で、パターンニングされており、ＶＤＤ
（２ａ ）（２ｂ）はフンタクトホール（４ａ）、 （
４ｂ）を介しｐｏｌｙ−ｐｉ（３）に接続されている。
次に動作について説明する。１１．１配線ＶＢＳ（１）
は外部Ｖｓｓ端子に接続されておりその電位を内部回路
に伝えるように配線されている。同様に外部ＶＤＤ端子
より内部回路に電圧を供給するものがＡＩ配線ＶＤＤ
（２ｓ ） （２ｈ）である。ここでＶＤＤ （２ａ）
は外部ＶＤＤよりＡ１配線によって途中の内部回路に電
圧を供給しつつ、コンタクトホール（４８）を介しｐｏ
ｌｖ−ｓｉ （３）に接続され、再びコンタクトホール
（４ｂ）を介してＡｌ配線ＶＤＤ （２ｂ）に接続され
ている。Ａ１配線ＶＤＤ （２ｂ）はＶＤＤ （２ａ）
と同様に内部回路に電圧を供給すべく半導体装置内部の
電源として配線されている。
は外部Ｖｓｓ端子に接続されておりその電位を内部回路
に伝えるように配線されている。同様に外部ＶＤＤ端子
より内部回路に電圧を供給するものがＡＩ配線ＶＤＤ
（２ｓ ） （２ｈ）である。ここでＶＤＤ （２ａ）
は外部ＶＤＤよりＡ１配線によって途中の内部回路に電
圧を供給しつつ、コンタクトホール（４８）を介しｐｏ
ｌｖ−ｓｉ （３）に接続され、再びコンタクトホール
（４ｂ）を介してＡｌ配線ＶＤＤ （２ｂ）に接続され
ている。Ａ１配線ＶＤＤ （２ｂ）はＶＤＤ （２ａ）
と同様に内部回路に電圧を供給すべく半導体装置内部の
電源として配線されている。
このように半導体装置では一般に、Ａｌ配線のパターン
ニングによる電源配線が一般的である。これはＡＩの比
低抗が小さく、電源のＺＯを小さくするのに好都合であ
り、電源ノイズを低減することにより半導体装置の安定
動作に貢献する。しかし、電源は複数あり、交差する場
合にはとちらかをｐｏｌｙ−ｓｉ、拡散層等で橋渡しす
ることとなる。
ニングによる電源配線が一般的である。これはＡＩの比
低抗が小さく、電源のＺＯを小さくするのに好都合であ
り、電源ノイズを低減することにより半導体装置の安定
動作に貢献する。しかし、電源は複数あり、交差する場
合にはとちらかをｐｏｌｙ−ｓｉ、拡散層等で橋渡しす
ることとなる。
［発明が解決しようとする課題］
従来の半導体装置は以上のように構成されていたので、
電源ラインが交差する場合、一方をｐｏｌｙ−ｓｉ、拡
散層等、Ａｌ配線に比べ抵抗の高い材料で橋渡しする必
要があり、高速動作を必要とする半導体装置や消費電力
の大きな半導体装置では、電源ラインのＺＯの増加によ
る電圧降下やノイズ発生により、正常な動作が出来ない
という問題点があった。
電源ラインが交差する場合、一方をｐｏｌｙ−ｓｉ、拡
散層等、Ａｌ配線に比べ抵抗の高い材料で橋渡しする必
要があり、高速動作を必要とする半導体装置や消費電力
の大きな半導体装置では、電源ラインのＺＯの増加によ
る電圧降下やノイズ発生により、正常な動作が出来ない
という問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、半導体装置内部の電源フィンのＺＯの増加を
抑制し安定動作をする半導体装置を得ることを目的とす
る。
たもので、半導体装置内部の電源フィンのＺＯの増加を
抑制し安定動作をする半導体装置を得ることを目的とす
る。
この発明に係る半導体装置は、半導体装置内部の異なる
電位の電源ラインの交差部の抵抗を下げるために、半導
体装置内にアセンブリによるワイヤリング可能な部分を
設けたものである。
電位の電源ラインの交差部の抵抗を下げるために、半導
体装置内にアセンブリによるワイヤリング可能な部分を
設けたものである。
この発明における半導体装置は、電源フィンの橋渡シ部
分にアセンブリ時のワイヤリングを使用することにより
、橋渡し部分の抵抗を下げ、電源ラインのＺｏを小さく
し半導体装置を安定動作させる。
分にアセンブリ時のワイヤリングを使用することにより
、橋渡し部分の抵抗を下げ、電源ラインのＺｏを小さく
し半導体装置を安定動作させる。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図、第２図はこの発明の一実施例である半導体装置
の電源配線を示す平面図および断面図でＶｅｓ（１）、
ＶＤＤ （２ａ） （２ｈ）はＡ１配線で、パターンニ
ングされておりこのＡ１配線ＶＤＤ （２ｓ） （２ｂ
）はチップ保護膜（６）の開口部（４ａ） （４ｂ）で
ワイヤボンド部（５ａ）（５ｂ）を介しワイヤ（３）に
接続されている。（７）は８１基板を示す。
の電源配線を示す平面図および断面図でＶｅｓ（１）、
ＶＤＤ （２ａ） （２ｈ）はＡ１配線で、パターンニ
ングされておりこのＡ１配線ＶＤＤ （２ｓ） （２ｂ
）はチップ保護膜（６）の開口部（４ａ） （４ｂ）で
ワイヤボンド部（５ａ）（５ｂ）を介しワイヤ（３）に
接続されている。（７）は８１基板を示す。
第２図は第１図のローｎ線における断面図である。
次に動作について説明する。ＡＩ配線Ｖｓｓ（１）は外
＠Ｖ８Ｂ端子に接続されており、その電位を内部回路に
伝えるように配線されている。同様に外部１ＤＤ端子よ
ね内部回路に電圧を供給するものがＡｌ配ｌ５ＶＤＤ
（２ａ）（２ｂ）である。ココでＡ１１ａ ＶＤＤ （
２ａ）は外部ＶＤＤよりＡ１配線によって途中の内部回
路に電圧を供給しつつチップ保護膜開口部（４８）でワ
イヤボンド部（５ａ）を介しワイヤ（３）に接続され、
再びワイヤボンド部（５ｂ）を介しＡ１配線ＶＤＤ （
２ｈ）に接続されている。Ａｌ配線ＶＤＤ （２ｂ）は
ｖＤＤ （２ａ）と同様に内部回路に電圧を供給すべく
半導体装置内部の電源として配線されている。このよう
に半導体装置では比抵抗の小さいＡ１配線を用いること
が一般的であり、電源交差部の橋渡しにＡｕあるいはＡ
１を用ることにより橋渡し部の配線抵抗の増加は無視出
来る。このように構成しているため高速動作を必要とす
る半導体装置や消費電力の大きな半導体装置に用いるこ
とにより電気的特性の低下は免れる。
＠Ｖ８Ｂ端子に接続されており、その電位を内部回路に
伝えるように配線されている。同様に外部１ＤＤ端子よ
ね内部回路に電圧を供給するものがＡｌ配ｌ５ＶＤＤ
（２ａ）（２ｂ）である。ココでＡ１１ａ ＶＤＤ （
２ａ）は外部ＶＤＤよりＡ１配線によって途中の内部回
路に電圧を供給しつつチップ保護膜開口部（４８）でワ
イヤボンド部（５ａ）を介しワイヤ（３）に接続され、
再びワイヤボンド部（５ｂ）を介しＡ１配線ＶＤＤ （
２ｈ）に接続されている。Ａｌ配線ＶＤＤ （２ｂ）は
ｖＤＤ （２ａ）と同様に内部回路に電圧を供給すべく
半導体装置内部の電源として配線されている。このよう
に半導体装置では比抵抗の小さいＡ１配線を用いること
が一般的であり、電源交差部の橋渡しにＡｕあるいはＡ
１を用ることにより橋渡し部の配線抵抗の増加は無視出
来る。このように構成しているため高速動作を必要とす
る半導体装置や消費電力の大きな半導体装置に用いるこ
とにより電気的特性の低下は免れる。
なお、上記実施例では、電源ラインの交差部の橋渡しの
場合について説明したが、半導体装置内部の信号線の接
続に使用することも可能である。
場合について説明したが、半導体装置内部の信号線の接
続に使用することも可能である。
例えば半導体装置の表面上に複数（３箇以上）のチップ
保護膜開口部を設けて、その開口部のワイヤリングを選
択することにより、半導体装置の機能をプログラマブル
とすることも可能である。
保護膜開口部を設けて、その開口部のワイヤリングを選
択することにより、半導体装置の機能をプログラマブル
とすることも可能である。
［発明の効果］
以上のようにこの発明によれば、半導体装置表面に設け
たチップ保護膜開口部間でワイヤリングする構成とした
ので、電源ラインのｚＯを小さくすることにより安定動
作が得られ、またワイヤリングを選択することにより、
同一チップを用いて、異なる機能を有する半導体装置を
得ることが出来る。
たチップ保護膜開口部間でワイヤリングする構成とした
ので、電源ラインのｚＯを小さくすることにより安定動
作が得られ、またワイヤリングを選択することにより、
同一チップを用いて、異なる機能を有する半導体装置を
得ることが出来る。
第１図はこの発明の一実施例である半導体装置の電源配
線を示す平面図、第２図は第１図のｎｎ線における断面
図、第３図は従来の半導体装置の電源配線を示す平面図
であるう 図において、（１）はＡ１配線マｓｓ 、 （２ｓ）
（２ｂ）はＡ１配！！Ｉ ＶＤＤ 、（３）はワイヤ、
（４ａ） （４ｈ）はチップ保護膜開口部、（５ｓ）
（５ｂ）はワイヤボンド部、（６）はチップ保護膜、（
７）はＳｉ基板を示す。 なお、図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。 第１図 第２図 ５１基 本文 第３図 １ａＡｂ コ′／７フト
線を示す平面図、第２図は第１図のｎｎ線における断面
図、第３図は従来の半導体装置の電源配線を示す平面図
であるう 図において、（１）はＡ１配線マｓｓ 、 （２ｓ）
（２ｂ）はＡ１配！！Ｉ ＶＤＤ 、（３）はワイヤ、
（４ａ） （４ｈ）はチップ保護膜開口部、（５ｓ）
（５ｂ）はワイヤボンド部、（６）はチップ保護膜、（
７）はＳｉ基板を示す。 なお、図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。 第１図 第２図 ５１基 本文 第３図 １ａＡｂ コ′／７フト
Claims (1)
- 同一半導体装置の表面に複数のチップ保護膜開口部を
備え前記複数のチップ保護膜開口部下部には半導体装置
に使用する金属配線が施され、前記複数のチップ保護膜
開口部間に金属線を配し、この金属線は前記チツプ保護
膜開口部下部の金属配線と電気的に接続されていること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13666490A JPH0429320A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13666490A JPH0429320A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0429320A true JPH0429320A (ja) | 1992-01-31 |
Family
ID=15180612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13666490A Pending JPH0429320A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0429320A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007005447A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Nec Electronics Corp | 半導体集積回路装置 |
-
1990
- 1990-05-24 JP JP13666490A patent/JPH0429320A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007005447A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Nec Electronics Corp | 半導体集積回路装置 |
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