JPH04260352A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH04260352A JPH04260352A JP2177291A JP2177291A JPH04260352A JP H04260352 A JPH04260352 A JP H04260352A JP 2177291 A JP2177291 A JP 2177291A JP 2177291 A JP2177291 A JP 2177291A JP H04260352 A JPH04260352 A JP H04260352A
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- JP
- Japan
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- wiring
- metal layer
- circuit block
- semiconductor integrated
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路装置に関
し、特に半導体集積回路装置における電源配線に関する
。
し、特に半導体集積回路装置における電源配線に関する
。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路においては、そこ
に具備される回路ブロック間の相互干渉による特性劣化
を最小とすることを目的に、これらの回路ブロックを動
作させるための高電位電源及び低電位電源を供給する配
線を外部接続用端子部で回路ブロック毎に分岐し、電源
を供給することが行なわれていた。さらに消費電流が大
きい、回路ブロックに電源を供給するための配線は、そ
の配線のインピーダンスと消費電流により生じる電位降
下が回路ブロックの特性に影響を与えない程度に小さく
なるよう、配線幅を大きくする、すなわち配線のインピ
ーダンスを小さくすることが行なわれていた。
に具備される回路ブロック間の相互干渉による特性劣化
を最小とすることを目的に、これらの回路ブロックを動
作させるための高電位電源及び低電位電源を供給する配
線を外部接続用端子部で回路ブロック毎に分岐し、電源
を供給することが行なわれていた。さらに消費電流が大
きい、回路ブロックに電源を供給するための配線は、そ
の配線のインピーダンスと消費電流により生じる電位降
下が回路ブロックの特性に影響を与えない程度に小さく
なるよう、配線幅を大きくする、すなわち配線のインピ
ーダンスを小さくすることが行なわれていた。
【０００３】このことを図面を用いて詳細に説明する。
【０００４】図３は従来の半導体集積回路装置を説明す
るための説明図であり、半導体基板１上に第１の回路ブ
ロック１６，第２の回路ブロック１７，第３の回路ブロ
ック１８、及び第４の回路ブロック１９が構成されてい
る。これらの回路ブロックを動作させるための高電位電
源は第１の回路ブロック１６へは配線４により、第２の
回路ブロック１７へは配線５により、第３の回路ブロッ
ク１８へは配線６により、第４の回路ブロック１９へは
配線７により供給されている。一方、低電位電源は、第
１の回路ブロック１６へは、配線９により、第２の回路
ブロック１７へは配線１０により、第３の回路ブロック
１８へは配線１１により、第４の回路ブロック１９へは
配線１２により供給されている。さらに、消費電流が大
きい回路ブロック１９に高電位電源を供給するための配
線７及び低電位電源を供給するための配線１２は、その
配線のインピーダンスと消費電流により生じる電位降下
がその回路ブロックの特性に影響を与えない程度に小さ
くなるよう配線幅を大きくしている。例えば配線のイン
ピーダンス７０ｍΩ／□（配線幅と配線長が等しい場合
のインピーダンス），配線長５ｍｍ，消費電流５ｍＡの
場合、配線幅を５０μｍ程度としている。この時の配線
における電位降下は、３５ｍＶである。
るための説明図であり、半導体基板１上に第１の回路ブ
ロック１６，第２の回路ブロック１７，第３の回路ブロ
ック１８、及び第４の回路ブロック１９が構成されてい
る。これらの回路ブロックを動作させるための高電位電
源は第１の回路ブロック１６へは配線４により、第２の
回路ブロック１７へは配線５により、第３の回路ブロッ
ク１８へは配線６により、第４の回路ブロック１９へは
配線７により供給されている。一方、低電位電源は、第
１の回路ブロック１６へは、配線９により、第２の回路
ブロック１７へは配線１０により、第３の回路ブロック
１８へは配線１１により、第４の回路ブロック１９へは
配線１２により供給されている。さらに、消費電流が大
きい回路ブロック１９に高電位電源を供給するための配
線７及び低電位電源を供給するための配線１２は、その
配線のインピーダンスと消費電流により生じる電位降下
がその回路ブロックの特性に影響を与えない程度に小さ
くなるよう配線幅を大きくしている。例えば配線のイン
ピーダンス７０ｍΩ／□（配線幅と配線長が等しい場合
のインピーダンス），配線長５ｍｍ，消費電流５ｍＡの
場合、配線幅を５０μｍ程度としている。この時の配線
における電位降下は、３５ｍＶである。
【０００５】また、この配線には通常アルミニウムのよ
うな金属層が用いられている。
うな金属層が用いられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体集積
回路装置では、半導体チップ内における、電源を供給す
るための配線が占める面積が大きくなり、その結果チッ
プ面積が増大し、コストが高くなるという問題があった
。
回路装置では、半導体チップ内における、電源を供給す
るための配線が占める面積が大きくなり、その結果チッ
プ面積が増大し、コストが高くなるという問題があった
。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、電源を
供給するための配線に、第１の金属層と第２の金属層を
用い、これら第１の金属層と第２の金属層とを重ねて配
置し、相互接続した配線を用いた半導体集積回路装置を
得る。
供給するための配線に、第１の金属層と第２の金属層を
用い、これら第１の金属層と第２の金属層とを重ねて配
置し、相互接続した配線を用いた半導体集積回路装置を
得る。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
【０００９】図１（Ａ）は、本発明の一実施例を説明す
るための説明図である。この図において従来例を示した
図３と同一箇所には同一の符号を記し、その説明は省略
する。図１（Ａ）では消費電流が大きい回路ブロック１
９へは、高電位電源は配線７及び８により供給されてお
り、低電位電源は配線１２及び１３により供給されてい
る。配線８には第１の金属層を用い、配線７には第２の
金属層を用いており、これら配線７及び８は重ねて配置
されかつコンタクト１４ａ及び１４ｂにより相互接続さ
れている。一方、配線１３には第１の金属層を用い配線
１２には第２の金属層を用いておりこれら配線１２及び
１３は重ねて配置されかつコンタクト１５ａ及び１５ｂ
により相互接続されている。という点で図３とは異なる
。図１（Ｂ）は図１（Ａ）におけるＡ−Ａ線断面図であ
る。
るための説明図である。この図において従来例を示した
図３と同一箇所には同一の符号を記し、その説明は省略
する。図１（Ａ）では消費電流が大きい回路ブロック１
９へは、高電位電源は配線７及び８により供給されてお
り、低電位電源は配線１２及び１３により供給されてい
る。配線８には第１の金属層を用い、配線７には第２の
金属層を用いており、これら配線７及び８は重ねて配置
されかつコンタクト１４ａ及び１４ｂにより相互接続さ
れている。一方、配線１３には第１の金属層を用い配線
１２には第２の金属層を用いておりこれら配線１２及び
１３は重ねて配置されかつコンタクト１５ａ及び１５ｂ
により相互接続されている。という点で図３とは異なる
。図１（Ｂ）は図１（Ａ）におけるＡ−Ａ線断面図であ
る。
【００１０】このように電源を供給するための配線に第
１の金属層と第２の金属層を用い、かつこれらを重ねて
配置することにより、配線長と配線幅の比を変えること
なく、いいかえればチップ面積を増加させることなく、
第１の金属層あるいは第２の金属層のどちらか一方のみ
を用いる場合よりも配線のインピーダンスを低減させる
ことができる。
１の金属層と第２の金属層を用い、かつこれらを重ねて
配置することにより、配線長と配線幅の比を変えること
なく、いいかえればチップ面積を増加させることなく、
第１の金属層あるいは第２の金属層のどちらか一方のみ
を用いる場合よりも配線のインピーダンスを低減させる
ことができる。
【００１１】例えば、第１の金属層及び第２の金属層の
インピーダンスを共に７０ｍΩ／□，配線長を共に５ｍ
ｍ，回路の消費電流を５ｍＡとすると、配線幅を２５μ
ｍ程度とすれば配線における電位降下を従来例と同程度
とすることができる。
インピーダンスを共に７０ｍΩ／□，配線長を共に５ｍ
ｍ，回路の消費電流を５ｍＡとすると、配線幅を２５μ
ｍ程度とすれば配線における電位降下を従来例と同程度
とすることができる。
【００１２】次に本発明の他の実施例を図面を参照して
説明する。
説明する。
【００１３】図２（Ａ）はこの本発明の他の実施例を説
明するための説明図である。この図において従来例を示
した図３及び本発明の一実施例を示した図１（Ａ）と同
一の箇所には同一の符号を記しその説明は省略する。図
２（Ａ）では、消費電力が大きい回路ブロック１９へ、
高電位電源を供給するための第１の金属層を用いた配線
８及び第２の金属層を用いた配線７を多数のコンタクト
１４ａ〜１４ｌにより相互接続している。また低電位電
源を供給するための第１の金属層を用いた配線１３及び
第２の金属層を用いた配線１２を多数のコンタクト１５
ａ〜１５ｃにより相互接続しているという点で本発明の
一実施例を示した図１（Ａ）とは異なる。図２（Ｂ）は
図２（Ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図である。
明するための説明図である。この図において従来例を示
した図３及び本発明の一実施例を示した図１（Ａ）と同
一の箇所には同一の符号を記しその説明は省略する。図
２（Ａ）では、消費電力が大きい回路ブロック１９へ、
高電位電源を供給するための第１の金属層を用いた配線
８及び第２の金属層を用いた配線７を多数のコンタクト
１４ａ〜１４ｌにより相互接続している。また低電位電
源を供給するための第１の金属層を用いた配線１３及び
第２の金属層を用いた配線１２を多数のコンタクト１５
ａ〜１５ｃにより相互接続しているという点で本発明の
一実施例を示した図１（Ａ）とは異なる。図２（Ｂ）は
図２（Ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図である。
【００１４】このように電源を供給するための配線に用
いた第１の金属層と第２の金属層を多数のコンタクトに
より相互接続することで配線のインピーダンスをさらに
低減させることができる。
いた第１の金属層と第２の金属層を多数のコンタクトに
より相互接続することで配線のインピーダンスをさらに
低減させることができる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による半導
体集積回路装置は半導体集積回路内の回路ブロックや回
路素子に電源を供給するための配線に第１の金属層と第
２の金属層を用い、第１の金属層と第２の金属層を重ね
て配置し相互接続するということにより、チップ面積を
増加させることなく電源配線のインピーダンスを低減さ
せることができるという効果を有する。尚、本発明の各
実施例では電源配線として回路ブロックへの配線を説明
したが、個別の回路素子への電源配線もその電流に応じ
て２層構造の電源配線とすることができる。
体集積回路装置は半導体集積回路内の回路ブロックや回
路素子に電源を供給するための配線に第１の金属層と第
２の金属層を用い、第１の金属層と第２の金属層を重ね
て配置し相互接続するということにより、チップ面積を
増加させることなく電源配線のインピーダンスを低減さ
せることができるという効果を有する。尚、本発明の各
実施例では電源配線として回路ブロックへの配線を説明
したが、個別の回路素子への電源配線もその電流に応じ
て２層構造の電源配線とすることができる。
【図１】（Ａ）は本発明の一実施例を示す平面図、（Ｂ
）は（Ａ）のＡ−Ａ線に於ける断面図である。
）は（Ａ）のＡ−Ａ線に於ける断面図である。
【図２】（Ａ）は本発明の他の実施例を示す平面図、（
Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線に於ける断面図である。
Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線に於ける断面図である。
【図３】従来例を示す平面図である。
１ 半導体基板
２，３ 外部接続用端子
４〜８ 高電位電源配線
９〜１３ 低電位電源配線
１４ａ〜１４ｌ，１５ａ〜１５ｃ コンタクト１
６ 第１の回路ブロック １７ 第２の回路ブロック １８ 第３の回路ブロック １９ 第４の回路ブロック ２０，２１ 一絶縁膜
６ 第１の回路ブロック １７ 第２の回路ブロック １８ 第３の回路ブロック １９ 第４の回路ブロック ２０，２１ 一絶縁膜
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体集積回路装置における電源を供
給するための配線の少くとも一部は、第１の金属層と第
２の金属層を重ねて配置し該第１の金属層と該第２の金
属層とを相互接続したものとしたことを特徴とする半導
体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2177291A JPH04260352A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2177291A JPH04260352A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04260352A true JPH04260352A (ja) | 1992-09-16 |
Family
ID=12064366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2177291A Pending JPH04260352A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04260352A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006287198A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-10-19 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 半導体回路、電気光学装置の駆動回路および電子機器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0258377A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-27 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
-
1991
- 1991-02-15 JP JP2177291A patent/JPH04260352A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0258377A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-27 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006287198A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-10-19 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 半導体回路、電気光学装置の駆動回路および電子機器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970729 |