JPH04287042A - フォトレジスト用樹脂組成物およびパターンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、新規なフォトレジスト
用樹脂組成物および該樹脂組成物を利用したパターンの
形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、下記一般式化３（式中Ｒ１は、水
素原子またはメチル基を示し、Ｒ２及びＲ３は同一若し
くは異なる基であって、水素原子、炭素数１〜３のアル
キル基またはフェニル基を示す）で表わされる１，３−
ジオキソラン誘導体が、単独で紫外線照射により重合、
架橋して不溶化すること、またＲ２及びＲ３がメチル基
のものはメタクリル酸エステル等との共重合性が良く、
得られる共重合体が紫外線照射により架橋して不溶化す
ることは知られている。

【０００３】

【化３】

【０００４】しかしながら、特開昭６１−２００９８２
号公報において、前記１，３−ジオキソラン誘導体中に
おいて最も安価に製造されるモノマーの一つである（２
，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イル）メ
チルメタクリレートに増感剤を添加せずに紫外光を照射
した場合には、ほとんど架橋体を得ることができない旨
記載されている。該記載に代表されるように、１，３−
ジオキソラン誘導体を汎用樹脂の光架橋性修飾試剤とし
て、汎用樹脂のモノマーと共重合させ、得られる樹脂を
光照射処理して架橋、三次元構造化し、該樹脂の物性を
改善するには、３００ｎｍより短波長側の光を照射する
必要がある。このため、ポリメタクリル酸エステル等前
記波長域で光劣化を伴う樹脂の改質には利用できず、ま
た、前記波長域を長波長側にシフトさせる有色の増感剤
は、着色を嫌う場合には使用できないという問題がある
。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、１，
３−ジオキソラン基を含有する樹脂の架橋反応を、３０
０ｎｍ以上の波長域の光照射により行うことができ、し
かも無色透明且つ耐候性等に優れる架橋体を得ることが
できるフォトレジスト用樹脂組成物を提供することにあ
る。

【０００６】また本発明の目的は、基板に特殊な処理を
施すことなく、基板を痛めずにパタ−ンを形成すること
のできる、パタ−ンの形成方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、（Ａ）
下記一般式化１（式中Ｒ１は、水素原子またはメチル基
を示し、Ｒ２及びＲ３は同一若しくは異なる基であって
、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基またはフェニ
ル基を示す）で表わされる１，３−ジオキソラン誘導体
（以下ジオキソラン１と称す）５〜９０重量％及び反応
性官能基を有するα，β−不飽和化合物及び／又は反応
性官能基を有しないα，β−不飽和化合物９５〜１０重
量％を含有する原料モノマ−成分をラジカル共重合させ
て得られるアクリル樹脂と、（Ｂ）下記一般式化２（式
中Ｒ４及びＲ５は、異なる基であって、水素原子若しく
はヒドロキシル基を示す。更にＲ６は水素原子または炭
素数１〜１２のアルコキシル基を示し、ＸはＰＦ６，Ｓ
ｂＦ６またはＢＦ４を示す）で表わされるスルホニウム
塩（以下スルホニウム塩１と称す）とを必須成分として
含有することを特徴とするフォトレジスト用樹脂組成物
が提供される。

【０００８】

【化４】

【０００９】

【化５】

【００１０】また本発明によれば、基板上にパタ−ンを
形成する方法において、少なくとも該基板上に前記フォ
トレジスト用樹脂組成物を含む樹脂層を形成し、該樹脂
層に光を照射して、露光部を硬化させ、未露光の未硬化
部分を洗浄、除去する工程を行うことを特徴とするパタ
ーンの形成方法が提供される。

【００１１】以下、本発明を更に詳細に説明する。

【００１２】本発明のフォトレジスト用樹脂組成物は、
特定のアクリル樹脂（以下成分（Ａ）と称す）と、特定
のスルホニウム塩（以下成分（Ｂ）と称す）とを必須の
構成成分として含有することを特徴とする。

【００１３】本発明のフォトレジスト用樹脂組成物にお
いて、必須の構成成分として用いる前記成分（Ａ）は、
特定の１，３−ジオキソラン誘導体とα，β−不飽和化
合物とを特定の配合割合にて含有する原料モノマ−成分
をラジカル共重合させて得られる樹脂である。

【００１４】前記特定成分（Ａ）において必須の原料モ
ノマ−成分として用いる前記特定の１，３−ジオキソラ
ン誘導体は、前記一般式化４で表わされるジオキソラン
１であり、この際Ｒ２若しくはＲ３が炭素数１３以上の
アルキル基の場合には、製造が困難である。前記ジオキ
ソラン１としては、具体的には例えば、（２，２−ジメ
チル−１，３−ジオキソラン−４−イル）メチルメタク
リレート、（２−エチル−２−メチル−１，３−ジオキ
ソラン−４−イル）メチルメタクリレート、（２−プロ
ピル−２−メチル−１，３−ジオキソラン−４−イル）
メチルメタクリレート、（２−イソプロピル−２−メチ
ル−１，３−ジオキソラン−４−イル）メチルメタクリ
レート、（２−ブチル−２−メチル−１，３−ジオキソ
ラン−４−イル）メチルメタクリレート、（２−ｓｅｃ
−ブチル−２−メチル−１，３−ジオキソラン−４−イ
ル）メチルメタクリレート、（２−イソブチル−２−メ
チル−１，３−ジオキソラン−４−イル）メチルメタク
リレート、（２−アミル−２−メチル−１，３−ジオキ
ソラン−４−イル）メチルメタクリレート、（２，２−
ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イル）メチルア
クリレート、（２−エチル−２−メチル−１，３−ジオ
キソラン−４−イル）メチルアクリレート、（２−プロ
ピル−２−メチル−１，３−ジオキソラン−４−イル）
メチルアクリレート、（２−イソプロピル−２−メチル
−１，３−ジオキソラン−４−イル）メチルアクリレー
ト、（２−ブチル−２−メチル−１，３−ジオキソラン
−４−イル）メチルアクリレート、（２−ｓｅｃ−ブチ
ル−２−メチル−１，３−ジオキソラン−４−イル）メ
チルアクリレート、（２−イソブチル−２−メチル−１
，３−ジオキソラン−４−イル）メチルアクリレート、
（２−アミル−２−メチル−１，３−ジオキソラン−４
−イル）メチルアクリレート等を好ましく挙げることが
でき、使用に際しては単独若しくは混合物として用いる
ことができる。

【００１５】前記成分（Ａ）において、前記ジオキソラ
ン１と共に必須の原料成分として用いる前記α，β−不
飽和化合物は、反応性官能基を有するα，β−不飽和化
合物及び／又は反応性官能基を有しないα，β−不飽和
化合物であり、具体的には例えば、反応性官能基を有す
るα，β−不飽和化合物としては、ヒドロキシル基、カ
ルボキシル基、アセタール基、ビニルエーテル基、カル
ボニル基、及びエステル基等の官能基を有するα，β−
不飽和化合物等を好ましく挙げることができ、反応性官
能基を有しないα，β−不飽和化合物としては、メチル
（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、
ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メ
タ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、
イソブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メ
タ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレー
ト、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ステア
リル（メタ）アクリレート、スチレン、α−メチルスチ
レン、ｐ−ビニルトルエン、アクリロニトリルなどを好
ましく挙げることができる。また前記α，β−不飽和化
合物の使用に際しては、単独若しくは混合物として用い
ることができる。

【００１６】前記成分（Ａ）における前記ジオキソラン
１とα，β−不飽和化合物との仕込み割合は、ジオキソ
ラン１を５〜９０重量％、α，β−不飽和化合物を９５
〜１０重量％の範囲とする必要がある。前記ジオキソラ
ン１の仕込み量が５重量％未満の場合には、架橋点が不
足して十分に硬化した架橋体を得ることができず、９０
重量％を越えると、得られるアクリル樹脂の有機溶媒に
対する溶解性が悪くなり最終製品であるフォトレジスト
用樹脂組成物の塗布作業性が低下するため前記範囲とす
る必要がある。また前記成分（Ａ）の数平均分子量は、
好ましくは１０００〜１００，０００の範囲が好ましい
。

【００１７】本発明において必須の構成成分として用い
る成分（Ａ）を調製するには、前述のモノマー成分を、
通常のラジカル重合開始剤を用い、好ましくは４０〜１
５０℃にて、２〜１２時間、溶液重合、懸濁重合または
乳化重合させる等して容易に得ることができる。

【００１８】本発明において、必修の構成成分として用
いる前記成分（Ｂ）は、前記一般式化５で表わされるス
ルホニウム塩１であり、光照射によって開環重合用触媒
を放出する成分である。前記スルホニウム塩１としては
、具体的に例えば、六フッ化リン酸ベンジルメチル−４
−ヒドロキシフェニルスルホニウム、四フッ化ホウ酸ベ
ンジルメチル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウム、
六フッ化アンチモン酸ベンジルメチル−１−ヒドロキシ
フェニルスルホニウム、六フッ化アンチモン酸ベンジル
メチル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウム、六フッ
化リン酸ベンジルメチル−１−ヒドロキシフェニルスル
ホニウム、四フッ化ホウ酸ベンジルメチル−１−ヒドロ
キシフェニルスルホニウム、六フッ化アンチモン酸−４
−メトキシベンジルメチル−４−ヒドロキシフェニルス
ルホニウム、六フッ化リン酸−４−メトキシベンジルメ
チル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウム、四フッ化
ホウ酸−４−メトキシベンジルメチル−４−ヒドロキシ
フェニルスルホニウム、六フッ化アンチモン酸−４−メ
トキシベンジルメチル−４−ヒドロキシフェニルスルホ
ニウム、六フッ化リン酸−４−メトキシベンジルメチル
−４−ヒドロキシフェニルスルホニウム、四フッ化ホウ
酸−４−メトキシベンジルメチル−４−ヒドロキシフェ
ニルスルホニウムなどを好ましく挙げることができ、六
フッ化アンチモン酸ベンジルメチル−４−ヒドロキシフ
ェニルスルホニウムが、架橋時間が短いため最も好まし
い。なお、使用に際しては単独若しくは混合物として用
いることができる。

【００１９】前記成分（Ｂ）を調製するには、例えばメ
ルカプトフェノ−ルと硫酸ジメチルとをアルカリ性条件
にて、−２０〜＋１００℃にて１〜１０時間反応させて
ヒドロキシフェニルメチルスルフィドを合成し、次いで
前記ヒドロキシフェニルメチルスルフィドにベンジルク
ロライドを２０〜１４０℃にて１〜１０時間反応させる
などしてオニウム化物とする。次いで得られるオニウム
化物を六フッ化アンチモン酸、六フッ化リン酸又は四フ
ッ化ホウ酸の金属塩と反応させるなどして得ることがで
きる。

【００２０】本発明のフォトレジスト用樹脂組成物にお
ける前記成分（Ａ）と前記成分（Ｂ）との配合割合は、
成分（Ａ）中の１，３−ジオキソラン基１モルに対する
、成分（Ｂ）の開環重合用触媒の化学量論比が０．００
０１〜０．１の範囲となるように配合するのが好ましく
、特に０．００１〜０．０５の範囲となるように配合す
るのが好ましい。前記化学量論比が、０．０００１未満
の場合は触媒活性が発現せず、０．１を越えると硬化物
中に残存する成分（Ｂ）により着色するので好ましくな
い。

【００２１】また本発明のフォトレジスト用樹脂組成物
を調製するには、例えば前記成分（Ａ）を好ましくは溶
媒に溶解し、次いで前記成分（Ｂ）を添加し溶解させる
などして容易に得ることができる。この際用いる溶媒と
しては、メチルエチルケトン、アセトン、酢酸エチル等
を好ましく挙げることができる。本発明のフォトレジス
ト用樹脂組成物はそのままで、あるいは必要に応じ、着
色顔料、フィラー、溶剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤な
どを配合して、本来の目的以外に光硬化型の塗料、イン
ク、接着剤、成形品などに用いることも可能である。ま
た使用に際しては、得られる溶液をスピンコ−ト法、デ
ィップコ−ト法等の方法により基板などに塗布すること
により用いることができる。

【００２２】本発明のフォトレジスト用樹脂組成物を硬
化させる際に照射する光の波長は、３００〜７００ｎｍ
の範囲とするのが好ましく、また照射時間は、成分（Ａ
）中に存在する１，３−ジオキソラン基の化学量論量、
あるいは成分（Ａ）中の１，３−ジオキソラン基に対す
る、成分（Ｂ）の開環重合用触媒の化学量論比によって
異なるが、好ましくは３０分〜３時間である。

【００２３】また本発明のパタ−ンの形成方法は、基板
上に前記フォトレジスト用樹脂組成物を含む樹脂層を形
成し、該樹脂層に光照射を行った際における未露光部分
即ち未硬化部分を、洗浄し、除去する工程を行うことを
特徴とする。

【００２４】本発明のパタ−ン形成方法において使用す
る基板としては、シリコンウエハ−等を好ましく用いる
ことができる。

【００２５】また本発明のパタ−ン形成方法における洗
浄し、除去する工程とは、前記基板上に形成した樹脂層
に光照射を行う際に、光を照射しない部分を設けておき
、光照射終了後、該樹脂層を溶剤を用いて洗浄し、未照
射の部分を除去する工程である。この際用いる溶剤とし
ては、メチルエチルケトン、アセトン、酢酸エチル、キ
シレン等の有機溶剤若しくは酸性水溶液等を好ましく用
いることができる。前記酸性水溶液は、未照射の部分に
残存した１，３−ジオキソラン基に作用してケトンとジ
オールとに分解させ、１分子の１，３−ジオキソラン基
を２分子のヒドロキシル基とすることにより、前記樹脂
層の酸性水溶液に対する溶解性を発現させ、未硬化部分
を溶解させるものである。この際用いる酸性水溶液のｐ
Ｈは、５〜６程度の希酸性水溶液であればよく、酸の濃
度が低濃度であるため基板の耐酸性も通常要求される程
度で十分である。また有機溶剤を用いるときのように基
板に耐溶剤性が要求されないので、基板に特殊な処理を
施さずに使用することができ、前記洗浄する際に用いる
溶剤として、最も好ましく用いることできる。またこの
際用いる酸としては、塩酸、リン酸、硫酸、硝酸、酢酸
等を好ましく挙げることができる。

【００２６】

【発明の効果】本発明のフォトレジスト用樹脂組成物は
、３００ｎｍ以上の光の照射により、１，３−ジオキソ
ラン基が開環して、短時間で架橋し硬化物が得られ、ま
た着色もしないので、種々フォトレジスト用材料として
用いることができる。

【００２７】また本発明のパタ−ンの形成方法は、特定
の樹脂を用いているので、希酸性水溶液等により未硬化
部分を洗浄、除去することができ、基板に特殊な処理を
施す必要がなく、基板を痛めずにパタ−ンの形成をする
ことができる。

【００２８】

【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明はこれらにより何ら限定されるものでは
ない。

【００２９】

【合成例１】温度計、撹拌装置、冷却管の付いた１ｌの
反応容器に２，３−ジヒドロキシプロピルメタクリレー
ト２４０．２ｇ（１．５ｍｏｌ）、アセトン４３５．６
ｇ（７．５ｍｏｌ）、ｐ−トルエンスルホン酸１２．０
ｇ及びｐ−メトキシフェノール２．４ｇを投入し、８０
〜９０℃にて１２時間反応させた。この際、反応の初期
段階に生成する水をＤｅａｎ−Ｓｔａｒｋトラップによ
り捕集した。反応終了後、得られた混合物にジエチルエ
ーテルを５００ｍｌ加え、水及び５重量％水酸化ナトリ
ウム水溶液３００ｍｌで洗浄した。さらに有機層を、ｐ
Ｈが７になるまで水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥させた後、低沸分を減圧下留去した。得られた粗生
成物にｐ−メトキシフェノール６．０ｇと銅粉６．０ｇ
を添加して減圧蒸留を行い、無色液体の（２，２−ジメ
チル−１，３−ジオキソラン−４−イル）メチルメタク
リレート（以下ＤＤＭＭＡと略す）を１０８．８ｇ得た
。（沸点：８５〜９１℃／７ｍｍＨｇ，収率３６％）

【
００３０】

【合成例２】重合用アンプルに、合成例１で得られたＤ
ＤＭＭＡ９４７ｍｇ、メチルメタクリレート（以下ＭＭ
Ａと略す）５３ｍｇ、２，２’−アゾビスイソブチロニ
トリル１７ｍｇ（原料モノマー成分に対して２モル％）
及びジメチルホルムアミド１０ｍｌを仕込み、高真空下
にて凍結脱気を繰り返し行って溶存空気の気泡の発生が
なくなったことを確認したのち減圧下にて溶封し、６０
℃にて１２時間重合を行った。重合終了後、アンプルを
開封し反応混合物を１００ｍｌのメタノールに注入し、
ポリマーを沈殿させた。再沈殿させたポリマーをさらに
メタノールで洗浄し、再びメチルエチルケトンに溶解し
、メタノールを用いて再沈殿させ、減圧下にて乾燥させ
、ＤＤＭＭＡとＭＭＡとの共重合体（以下ＤＤＭＭＡ−
ＭＭＡ１と称す）を得た。また得られたポリマ−の転化
率、組成比及び数平均分子量を求めた。結果を表１に示
す。

【００３１】

【合成例３〜５】ＤＤＭＭＡとＭＭＡとを表１に示す仕
込み比にて仕込んだ以外は、合成例２と同様にして、Ｄ
ＤＭＭＡとＭＭＡとの共重合体をそれぞれ得た（以下合
成例３で得られた共重合体をＤＤＭＭＡ−ＭＭＡ２、合
成例４で得られた共重合体をＤＤＭＭＡ−ＭＭＡ３、合
成例５で得られた共重合体をＤＤＭＭＡ−ＭＭＡ４と称
す）。分析結果を表１に示す。

【００３２】

【表１】

【００３３】

【合成例６】４−メルカプトフェノール１２．６ｇ（０
．１ｍｏｌ）をエタノール１５０ｍｌに溶解した後、３
０℃に加温し、次いで水酸化ナトリウム４．０ｇ（０．
１ｍｏｌ）を加え完全に溶解させた。得られた溶液に、
硫酸ジメチル１２．７ｇ（０．１ｍｏｌ）を加え、同温
にて２時間反応させた。得られた反応混合物を濾過して
生成した塩を除去し、エタノールを留去して４−ヒドロ
キシフェニルメチルスルフィド１３．５ｇを得た（収率
：９６％）。さらに得られた化合物１１．２ｇ（０．０
８ｍｏｌ）を再びエタノール１００ｍｌに溶解し、ベン
ジルクロライド１０．１ｇ（０．０８ｍｏｌ）を添加し
、６０℃で３時間反応させてオニウム化物を得た。次い
でエタノールを留去し、得られた反応混合物を水１５０
ｍｌに溶解させて、六フッ化アンチモン酸ナトリウム２
０．７ｇ（０．０８ｍｏｌ）を含む水２００ｍｌを加え
た。この際析出した結晶を濾別し、得られた結晶をアセ
トンで固液抽出したのち、抽出したアセトンの溶液を無
水硫酸ナトリウムで脱水処理した。さらに過剰のアセト
ンを留去し、アセトンを用いて再結晶して六フッ化アン
チモン酸ベンジルメチル−４−ヒドロキシフェニルスル
ホニウム（以下ＢＳＡと称す）を３１．８ｇ（収率：８
５％）得た。

【００３４】

【実施例１】合成例２で得られたＤＤＭＭＡ−ＭＭＡ１
を０．５ｇ含むメチルエチルケトン溶液に、ＢＳＡを前
記ＤＤＭＭＡ−ＭＭＡ１中の１，３−ジオキソラン基１
モルの化学量論量に対して０．０５モルとなるように添
加して、フォトレジスト用樹脂組成物溶液を得た。次い
で得られた溶液をテフロンのシ−ト上に広げ、３００Ｗ
の高圧水銀ランプを用いて１２０分間光照射を行った。 尚、光照射は、３００ｎｍ以下の波長の光を除くために
パイレックス性ガラスフィルタ−を介して行った。得ら
れた架橋体について、メチルエチルケトン（以下ＭＥＫ
と称す）を用いてのラビング処理及び希酸水溶液処理に
より評価を行った。結果を表２に示す。

【００３５】

【実施例２〜５】ＢＳＡの配合量を１，３−ジオキソラ
ン基１モルの化学量論量に対して０．０１モル（実施例
２）、０．００５モル（実施例３）、０．００１モル（
実施例４）および０．０００５モル（実施例５）に代え
た以外は、実施例１と同様にして評価を行った。結果を
表２に示す。

【００３６】

【実施例６〜１０】ＤＤＭＭＡ−ＭＭＡ１をＤＤＭＭＡ
−ＭＭＡ２に代え、またＢＳＡの配合量を１，３−ジオ
キソラン基１モルの化学量論量に対して０．０５モル（
実施例６）、０．０１モル（実施例７）、０．００５モ
ル（実施例８）、０．００１モル（実施例９）および０
．０００５モル（実施例１０）とした以外は実施例１と
同様にして評価を行った。結果を表２に示す。

【００３７】

【実施例１１〜１５】ＤＤＭＭＡ−ＭＭＡ１をＤＤＭＭ
Ａ−ＭＭＡ３に代え、またＢＳＡの配合量を１，３−ジ
オキソラン基１モルの化学量論量に対して０．０５モル
（実施例１１）、０．０１モル（実施例１２）、０．０
０５モル（実施例１３）、０．００１モル（実施例１４
）および０．０００５モル（実施例１５）とした以外は
実施例１と同様にして評価を行った。結果を表２に示す
。

【００３８】

【実施例１６〜２０】ＤＤＭＭＡ−ＭＭＡ１をＤＤＭＭ
Ａ−ＭＭＡ４に代え、またＢＳＡの配合量を１，３−ジ
オキソラン基１モルの化学量論量に対して０．０５モル
（実施例１６）、０．０１モル（実施例１７）、０．０
０５モル（実施例１８）、０．００１モル（実施例１９
）および０．０００５モル（実施例２０）とした以外は
実施例１と同様にして評価を行った。結果を表２に示す
。

【００３９】

【比較例１〜２０】実施例１〜２０で使用したフォトレ
ジスト用樹脂組成物について、光照射を行わずに評価を
行った。結果を表２に示す。

【００４０】

【表２】

【００４１】

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　（Ａ）下記一般式化１（式中Ｒ１は、
   水素原子またはメチル基を示し、Ｒ２及びＲ３は同一若
   しくは異なる基であって、水素原子、炭素数１〜１２の
   アルキル基またはフェニル基を示す）で表わされる１，
   ３−ジオキソラン誘導体５〜９０重量％及び反応性官能
   基を有するα，β−不飽和化合物及び／又は反応性官能
   基を有しないα，β−不飽和化合物９５〜１０重量％を
   含有する原料モノマ−成分をラジカル共重合させて得ら
   れるアクリル樹脂と、（Ｂ）下記一般式化２（式中Ｒ４
   及びＲ５は、異なる基であって、水素原子若しくはヒド
   ロキシル基を示す。更にＲ６は水素原子または炭素数１
   〜１２のアルコキシル基を示し、ＸはＰＦ６，ＳｂＦ６
   またはＢＦ４を示す）で表わされるスルホニウム塩とを
   必須成分として含有することを特徴とするフォトレジス
   ト用樹脂組成物。 【化１】 【化２】
2. 【請求項２】　　基板上にパタ−ンを形成する方法にお
   いて、少なくとも該基板上に請求項１記載のフォトレジ
   スト用樹脂組成物を含む樹脂層を形成し、該樹脂層に光
   を照射して、露光部を硬化させ、未露光の未硬化部分を
   洗浄、除去する工程を行うことを特徴とするパターンの
   形成方法。