CN1230455C - 共聚物树脂,其制备方法及用其制成的光阻剂 - Google Patents

共聚物树脂,其制备方法及用其制成的光阻剂 Download PDF

Info

Publication number
CN1230455C
CN1230455C CNB981267424A CN98126742A CN1230455C CN 1230455 C CN1230455 C CN 1230455C CN B981267424 A CNB981267424 A CN B981267424A CN 98126742 A CN98126742 A CN 98126742A CN 1230455 C CN1230455 C CN 1230455C
Authority
CN
China
Prior art keywords
norbornylene
formula
multipolymer
compound
agent composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB981267424A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1223252A (zh
Inventor
郑旼镐
高次元
金亨基
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SK Hynix Inc
Original Assignee
Hyundai Electronics Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hyundai Electronics Industries Co Ltd filed Critical Hyundai Electronics Industries Co Ltd
Publication of CN1223252A publication Critical patent/CN1223252A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1230455C publication Critical patent/CN1230455C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F232/00—Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system
    • C08F232/02—Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system having no condensed rings
    • C08F232/04—Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system having no condensed rings having one carbon-to-carbon double bond
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C69/00—Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
    • C07C69/74—Esters of carboxylic acids having an esterified carboxyl group bound to a carbon atom of a ring other than a six-membered aromatic ring
    • C07C69/753—Esters of carboxylic acids having an esterified carboxyl group bound to a carbon atom of a ring other than a six-membered aromatic ring of polycyclic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F222/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
    • C08F222/04—Anhydrides, e.g. cyclic anhydrides
    • C08F222/06—Maleic anhydride

Abstract

本发明涉及一种作为使用于超短波长光源如氟化氪或氟化氩的光阻剂的共聚物树脂及其制备方法和用其制成的光阻剂。经由引入2，3-二-叔丁基-5-降冰片烯-2，3-二羧酸酯单元至降冰片烯-顺丁烯二酸酐共聚物的结构中，根据本发明的共聚物树脂可经由传统自由基聚合而容易地制备，在193nm波长具有高透明性，提供增加的抗蚀刻性，由于在共聚物树脂中的保护比例增加，而防止尖端损失现象及增加粘合强度，且显示0.13μm的优良解析度。

Description

共聚物树脂，其制备方法及用其制成的光阻剂
本发明涉及一种作为使用于超短波光源如氟化氪或氟化氩的光阻剂的共聚物树脂，其制备方法，及用其制成的光阻剂。更精确地说，本发明涉及一种光阻剂树脂，其中2，3-叔丁基-5-降冰片烯-2，3-二羧酸酯单元已被引入一作为光阻的降冰片烯-顺丁烯二酸酐共聚结构中，其可用于使用被应用于1G或4G DRAM的预期光源的氟化氪(248nm)或氟化氩(193nm)光源的光刻方法中，本发明还涉及该光阻剂树脂的制备方法及包含该相同树脂的光阻剂。
一般而言，抗蚀刻性，具有在193nm波长下低光源吸收的粘合性为使用氟化氩的共聚物树脂所必需。且该共聚物树脂应藉由使用2.38重量％四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液而被显影。然而，欲合成可满足所有这些性质的共聚物树脂非常困难。直到现在，许多研究已集中在原冰片形式树脂当作树脂的研究上，以增加在193nm波长的透明性及增加抗蚀刻性。因此，贝尔实验室(Bell Lab.)尝试引入脂环族单元至共聚物树脂的主链以增强抗蚀刻性。例如，所建议的为该共聚物树脂其中的主链具有原冰片烷，丙烯酸酯及顺丁烯二酸酐取代基，如化学式I所示：
[式I]
该式I共聚物树脂，其中顺丁烯二酸酐部分(A部分)已被用来聚合脂环烯烃单元。然而，该顺丁烯二酸酐部分为非常容易溶在2.38％TMAH水溶液中，即使其未被曝光，因此，尖端损失现象(图案尖端被形成圆形)发生于实际光阻剂制作图案中。因此，式I共聚物树脂不能被用作氟化氩的树脂。
因此，为了防止此种溶解，具有叔丁基取代基的y部分应该高度增加。然而，y部分的增加会造成z部分的减少。z部分的相对减少，其可增加敏感度及与基质的粘合性，所导致的缺点为在实际制作图案中光阻剂从晶片中被除去，因而该图案无法形成。
本发明人已进行大量的研究以克服现有技术中所存在的上述缺陷，因此，他们发现的事实为，通过引入具有两个保护基团的2，3-二-叔丁基-5-降冰片烯-2，3-二羧酸酯单元至降冰片烯-顺丁烯二酸酐共聚物结构中，具有在193nm波长有高透明性及高抗蚀刻性的共聚物树脂可经由传统自由基聚合作用而被容易地制备，由于保护比例的增加，可提供防止尖端损失现象及增加粘合强度，在制作图案实验中显示0.13μm的优良解析度，且完成本发明。
本发明的目的为提供一种包括2，3-二-叔丁基-5-降冰片烯-2，3-二羧酸酯单元的共聚物树脂。
本发明的另一目的为提供一种制备包括2，3-二-叔丁基-5-降冰片烯-2，3-二羧酸酯单元的共聚物树脂的方法。
本发明的又一目的为提供一种包括前述降冰片烯-顺丁烯二酸酐共聚物树脂的光阻剂。
本发明的再一目的为提供一种经由使用包括前述共聚物树脂的光阻剂制造的半导体元件。
本发明涉及一种作为光阻剂的包括2，3-二-叔丁基-5-降冰片烯-2，3-二羧酸酯单元的共聚物树脂，其为下列化学式III所示：
[式III]
Figure C9812674200091
根据本发明的共聚物树脂较佳为包括如化学式IV至VII所示的降冰片烯-顺丁烯二酸酐共聚物树脂。
(1)聚[2，3-二-叔丁基-5-降冰片烯-2，3-二羧酸酯/2-羟基乙基-5-降冰片烯-2-二羧酸酯/顺丁烯二酸酐/5-降冰片烯-2-羧酸]共聚物树脂(分子量：3,000-100,000)。
[式IV]
其中，该x∶y∶z的比例为(0.001-99％)∶(0-99％)∶(0-99％)。
(2)聚[2，3-二-叔丁基-5-降冰片烯-2，3-二羧酸酯/2-羟基乙基-5-降冰片烯-2-二羧酸酯/顺丁烯二酸酐/单-甲基-顺-5-降冰片烯-内向-2，3-二羧酸]共聚物树脂(分子量：3,000-100,000)。
[式V]
Figure C9812674200101
其中，该x∶y∶z的比例为(0.001-99％)∶(0-99％)∶(0-99％)。
(3)聚[2，3-二-叔丁基-5-降冰片烯-2，3-二羧酸酯/2-羟基丙基-5-降冰片烯-2-羧酸酯/顺丁烯二酸酐/5-降冰片烯-2-二羧酸]共聚物树脂(分子量：4,000-100,000)。
[式VI]
其中，该x的摩尔％为0.001-99％，更佳为0.5-99％。y及z的％各自独立为0.1-99％。
(4)聚[2，3-二-叔丁基-5-降冰片烯-2，3-二羧酸酯/2-羟基丙基-5-降冰片烯-2-羧酸酯/顺丁烯二酸酐/单-甲基-顺-5-降冰片烯-内向-2，3-二羧酸]共聚物树脂(分子量：4,000-100,000)。
[式.VII]
Figure C9812674200111
其中，该x∶y∶z的比例为(0.001-99％)∶(0-99％)∶(0-99％)。
根据本发明的式IV共聚物树脂可经由在传统的聚合引发剂存在下，将2，2-二-叔丁基-5-降冰片烯-2，3-二羧酸酯，2-羟基乙基-5-降冰片烯-2-羧酸酯，顺丁烯二酸酐及5-降冰片烯-2-羧酸进行反应而制备，如下面列举的反应流程I：
[流程I]
Figure C9812674200112
              ↓自由基聚合作用
                   [式IV]
根据本发明的式V共聚物树脂可经由在传统的聚合引发剂存在下，将2，2-二-叔丁基-5-降冰片烯-2，3-二羧酸酯，2-羟基乙基-5-降冰片烯-内向-2，3-二羧酸，顺丁烯二酸酐及单-甲基-顺-5-降冰片烯-内向-2，3-二羧酸进行反应而制备，如下面列举的反应流程II：
[流程II]
Figure C9812674200121
                ↓自由基聚合作用
                     [式V]
根据本发明的式VI共聚物树脂可经由在传统的聚合引发剂存在下，将2，2-二-叔丁基-5-降冰片烯-2，3-二羧酸酯，2-羟基丙基-5-降冰片烯-2-羧酸酯，顺丁烯二酸酐及5-降冰片烯-2-羧酸进行反应而制备，如下面列举的反应流程III：
[流程III]
               ↓自由基聚合作用
                    [式VI]
根据本发明的式VII共聚物树脂可经由在传统的聚合引发剂存在下，将2，2-二-叔丁基-5-降冰片烯-2，3-二羧酸酯，2-羟基丙基-5-降冰片烯-2-羧酸酯，顺丁烯二酸酐及单-甲基-顺-5-降冰片烯-内向-2，3-二羧酸进行反应而制备，如下面列举的反应流程IV：
[流程IV]
Figure C9812674200131
               ↓自由基聚合作用
                   [式VII]
根据本发明的共聚物树脂(式IV至VII)可经由传统的聚合作用方法，例如，本体聚合或溶液聚合而被制备。使用于本发明的聚合引发剂包括过氧化苯甲酰、2，2’-偶氮基双异丁腈(AIBN)、过氧化乙酰、过氧化十二酰、过乙酸叔丁酯、过氧化二叔丁酰或其类似物。环己酮、甲基乙基酮、苯、甲苯、二噁烷及/或二甲基甲醯胺可被个别地使用，或以混合物使用以作为溶剂。
在根据本发明制备共聚物树脂的方法中，一般聚合条件包括自由基聚合温度及压力可视反应物的性质而控制，但其较佳为在60℃至200℃之间，氮气或氩气下进行聚合反应4至24小时。
根据本发明的共聚物树脂可根据光阻剂组合物的传统方法，即在有机溶剂的存在下藉由混合传统的无机酸发生剂及在光阻剂溶剂存在下而被制备。光阻剂可被使用于正微-影像的形成。在半导体元件的形成光阻剂图案方法中，根据本发明所使用的共聚物树脂的量视所使用的有机溶剂或无机酸发生剂，及微影技术的条件而定，但传统上，其按用于光阻剂制备的有机溶剂计为约10至30重量％。
藉由使用根据本发明的共聚物树脂而形成半导体元件的光阻剂图案的方法被详述于此及下述。
根据本发明的共聚物树脂以10至30重量％浓度溶解于环己酮。鎓盐或有机磺酸(0.1至10％共聚物树脂重量)作为无机酸发生剂，被加入共聚物树脂中。该混合物透过超微过滤器过滤以制备光阻剂溶液。该使用于方法中的无机酸发生剂包括三苯基三倍酸锍、二丁基萘基三倍酸锍、2，6-二甲基磺酸酯、双(芳基磺醯基)-重氮甲烷、磺酸肟、2，1-二偶氮萘醌-4-磺酸酯、或其类似物。
作为方法中的有机溶剂，代替前述的环己酮，可使用3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、丙二醇甲基醚乙酸酯、或其类似物。其较佳为使用200至1000重量％的溶剂，其按用于制备方法中的光阻剂树脂计。
然后，该光阻剂溶液被旋转涂覆在硅晶片上以形成一薄膜，其然后在80-150℃的烘箱内或加热板上被预烘烤1-5分钟，藉由使用远紫外线曝光器或准分子镭射曝光器在光源下曝光，且在100-200℃下后加热1秒至5分钟。该曝光晶片被浸入2.38％TMAH水溶液中1-1.5分钟以获得正光阻剂图案。
该曝光光源可使用氟化氩、氟化氪、电子束、EUV(极紫外线)、离子束、或其类似光源。其较佳为该照射的曝光光能量为0.1-10mJ/cm2。
依照下列作为列举说明本发明的实施例可获得对本发明的较佳了解，但其并非因而构成为限制本发明。
制备实施例I
2，3-二-叔丁基-降冰片烯-2，3-二羧酸酯的合成
在反应器内，装入环戊二烯(22克)及四氢呋喃溶剂(150克)，且该混合物被均质地搅拌。加入1，4-二-叔丁基反丁烯二酸酯(70克)至反应混合物中，该生成的混合物在温度20℃至80℃之间约进行反应10小时。当该反应完成时，经由使用旋转蒸发器去除溶剂，且该残余物在减压下蒸馏以获得72克(产率：74％)的2，3-二-叔丁基-5-降冰片烯-2，3-二羧酸酯。
制备实施例II
2-羟基乙基-5-降冰片烯-2-羧酸酯的合成
在反应器内，装入环戊二烯(66克)及丙烯酸(86克)，且该混合物被溶解于四氢呋喃溶剂(500克)中。该生成的混合物在温度30℃反应约24小时。然后，经由使用旋转蒸发器去除溶剂，且该残余物在减压下蒸馏以获得148克(产率：72％)的2-羟基乙基-5-降冰片烯-2-羧酸酯。
制备实施例III
2-羟基丙基-5-降冰片烯-2-羧酸酯的合成
重复制备实施例II所描述的相同步骤，但使用3-羟基丙基丙烯酸酯(152克)取代2-羟基乙基丙烯酸酯以获得156克(产率：74％)的3-羟基丙基-5-降冰片烯-2-羧酸酯。
制备实施例IV
5-降冰片烯-2-羧酸的合成
在反应器内，装入环戊二烯(66克)及丙烯酸(86克)，且该混合物被溶解于四氢呋喃溶剂(500克)中。该生成的混合物在温度30℃反应约24小时。然后，经由使用旋转蒸发器去除溶剂，且该残余物在减压下蒸馏以获得110克(产率：71％)的5-降冰片烯-2-羧酸。
制备实施例V
单-甲基-顺-5-降冰片烯-内向-2，3-二羧酸酯的合成
在反应器内，装入环戊二烯(66克)及四氢呋喃溶剂(500克)，且该混合物被均质地搅拌。加入顺丁烯二酸酐(98克)至反应混合物中，且该生成的混合物在0℃搅拌约12小时。然后，该混合物被过滤且除去沉淀物。加入10％氢氧化钠水溶液至该生成的混合物中以进行水解反应。该反应物经由使用10％硫酸溶液中和。当该反应完成时，该生成物透过过滤器过滤及干燥以获得150克(产率：86％)的单-甲基-顺-5-降冰片烯-内向-2，3-二羧酸酯。
实施例I
聚[2，3-二-叔丁基-5-降冰片烯-2，3-二羧酸酯/2-羟基乙基-5-降冰片烯-2-羧酸酯/顺丁烯二酸酐/5-降冰片烯-2-羧酸]共聚物树脂(式IV)的合成
在四氢呋喃或甲苯中，溶解顺丁烯二酸酐，根据制备实施例I所制备的2，3-二-叔丁基-降冰片烯-2，3-二羧酸酯(0.5-0.9摩尔)，根据制备实施例II所制备的2-羟基乙基-5-降冰片烯-2-羧酸酯(0.05-0.8摩尔)，及根据制备实施例IV所制备的5-降冰片烯-2-羧酸酯(0.01-0.5摩尔)。然后，2，2′-偶氮基双异丁腈(AIBN)(0.5-10克)，作为聚合引发剂被加入其中，且该反应在温度65℃至70℃之间氮气或氩气下进行4-24小时。因此获得的粗产物用乙醚或己烷进行沉淀，且干燥该沉淀物以获得58克的具有分子量3,000-100,000的标题共聚物树脂(式IV)(产率：80％)。因此制备的共聚物树脂具有对氟化氩光源高透明性，增加的抗蚀刻性及优良的粘合性，且经由2.38％TMAH水溶液显影及能够大量生产。
实施例II
聚[2，3-二-叔丁基-5-降冰片烯-2，3-二羧酸酯/2-羟基乙基-5-降冰片烯-2-二羧酸酯/顺丁烯二酸酐/单-甲基-顺-5-降冰片烯-内向-2，3-二羧酸酯]共聚物树脂(式V)的合成
重复实施例I所描述的相同步骤，但使用根据制备实施例V所制备的单-甲基-顺-5-降冰片烯-内向-2，3-二羧酸酯(10克)取代5-降冰片烯-2-羧酸，以获得62克的具有分子量3,000-100,000的标题共聚物树脂(式V)(产率：81％)。因此制备的共聚物树脂具有与实施例I共聚物树脂的相同性质。而且，经由引入单-甲基-顺-5-降冰片烯-内向-2，3-二羧酸酯单元至共聚物树脂中，解决了令人不快气味的问题。
实施例III
聚[2，3-二-叔丁基-5-降冰片烯-2，3-二羧酸酯/3-羟基丙基-5-降冰片烯-2-羧酸酯/顺丁烯二酸酐/5-降冰片烯-2-羧酸]共聚物树脂(式VI)的合成
重复实施例I所描述的相同步骤，但使用根据制备实施例III所制备的3-羟基丙基-5-降冰片烯-2-羧酸酯(20克)取代2-羟基乙基-5-降冰片烯-2-羧酸酯，以获得60克的具有分子量4,000-100,000的标题共聚物树脂(式VI)(产率：79％)。在因此制备的共聚物树脂的具有亲水性基团(-OH)链的碳数，经由引入3-羟基丙基-5-降冰片烯-2-羧酸酯而增加至3个，因此，该共聚物树脂具有增加的链柔韧性及优良的粘合性。
实施例IV
聚[2，3-二-叔丁基-5-降冰片烯-2，3-二羧酸酯/3-羟基丙基-5-降冰片烯-2-羧酸酯/顺丁烯二酸酐/单-甲基-顺-5-降冰片烯-内向-2，3-羧酸酯]共聚物树脂(式VII)的合成
重复实施例I所描述的相同步骤，但使用根据制备实施例V所制备的单-甲基-顺-5-降冰片烯-内向-2，3-二羧酸酯(10克)取代5-降冰片烯-2-羧酸，以获得62克的具有分子量3,000-100,000的标题共聚物树脂(式V)(产率：80％)。因此制备的共聚物树脂具有与实施例III共聚物树脂的相同性质，然而解决了单体的令人不快气味的问题。因此，该共聚物树脂可被大量生产。
实施例V
光阻剂的合成及图案的形成
一种根据实施例I至IV所制备的共聚物树脂(式IV至VII)(10克)被溶解于3-甲氧基甲基丙酸酯溶剂(40克)中，且三苯基三倍酸锍或二丁基萘基三倍酸锍(约0.2-1克)作为无机酸发生剂被加入其中。在搅拌后，该混合物被过滤以产生光阻剂溶液。然后，该光阻剂溶液被旋转涂覆在晶片的表面上以制备薄膜，且该晶片在70-150℃的烘箱内或加热板上被慢烘烤1-5分钟。在藉由使用曝光器在250nm波长的光源下曝光后，其在90-160℃下后烘烤。在此例中，前述的慢烘烤及后烘烤可在70℃至200℃温度之间进行。
然后，该曝光后的晶片浸在具有0.01-5重量％浓度的作为显影溶液的TMAH水溶液中1.5分钟，以获得超徽光阻剂图案(解析度：0.13μm)。
经由引入2，3-二-叔丁基-5-降冰片烯-2，3-二羧酸酯单元至降冰片烯-顺丁烯二酸酐共聚物的结构中，根据本发明的共聚物树脂可经由传统自由基聚合作用而容易地制备，在193nm波长具有高透明性，提供增加的抗蚀刻性，由于在共聚物树脂中的保护比例增加而防止尖端损失现象及增加粘合强度，且显示0.13μm的优良解析度。
在参考前述说明后，本发明的许多修改及变动皆为可能。因此，其必须了解在所附的权利要求书的范围内，除了特别描述的方式外，本发明可以其他的方法实施。

Claims (17)

1.一种包括下列成分的共聚物：
(i)式III所示单体
[式III]
(ii)顺丁烯二酸酐；
(iii)选自2-羟基乙基-5-降冰片烯-2-羧酸酯及2-羟基丙基-5-降冰片烯-2-羧酸酯的化合物或化合物混合物；以及
(iv)选自5-降冰片烯-2-羧酸及单-甲基-顺-5-降冰片烯-内向-2，3-二羧酸的化合物或化合物混合物。
2.根据权利要求1的共聚物，其中该共聚物为选择自下列式IV至VII所示化合物的其中一种：
[式IV]
Figure C981267420002C2
[式V]
[式VI]
Figure C981267420003C2
[式VII]
Figure C981267420003C3
其中，x∶y∶z的摩尔比例为(0.001-99％)∶(0-99％)∶(0-99％)；并且y和z必定存在。
3.根据权利要求2的共聚物，其中该共聚物的分子量为3,000至100,000。
4.一种制备作为光阻剂的共聚物的方法，其包括在传统聚合引发剂存在下，反应下列成分的聚合步骤：(i)下式III所示单体，(ii)顺丁烯二酸酐，(iii)选自2-羟基乙基-5-降冰片烯-2-羧酸酯及2-羟基丙基-5-降冰片烯-2-羧酸酯的化合物或化合物混合物，以及(iv)选自5-降冰片烯-2-羧酸及单-甲基-顺-5-降冰片烯-内向-2，3-二羧酸的化合物或化合物混合物
[式III]
Figure C981267420004C1
5.根据权利要求4的制备作为光阻剂的共聚物的方法，其中该聚合引发剂为选择自苯醯化过氧、2，2’-偶氮基双异丁腈、过氧化乙酰，过氧化月桂酰、叔丁基乙酸酯及过氧化二叔丁酰中的化合物或化合物混合物。
6.根据权利要求4的制备作为光阻剂的共聚物的方法，其中该聚合作用溶剂为选择自环己酮、甲基乙基酮、苯、甲苯、二噁烷及二甲基甲醯胺中的溶剂或溶剂混合物。
7.一种光阻剂组合物，其包括权利要求1的共聚物，有机溶剂及无机酸发生剂。
8.根据权利要求7的光阻剂组合物，其中该共聚物是选择自下列式IV至VII所示化合物的其中一种：
[式IV]
[式V]
[式VI]
Figure C981267420005C3
[式VII]
Figure C981267420005C4
其中，x∶y∶z的摩尔比例为(0.001-99％)∶(0-99％)∶(0-99％)；并且y和z必定存在。
9.根据权利要求7的光阻剂组合物，其中该无机酸发生剂为三苯基三倍酸锍或二丁基萘基三倍酸锍。
10.根据权利要求7的光阻剂组合物，其中该有机溶剂是选自3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、环己酮或丙二醇甲基醚乙酸酯。
11.根据权利要求7的光阻剂组合物，该使用的有机溶剂按共聚物为200至1000重量％。
12.根据权利要求7的光阻剂组合物，该使用的无机酸发生剂按共聚物计为0.1至10重量％。
13.一种根据权利要求7的光阻剂组合物用于形成光阻图案方法的用途，其所述方法包括步骤：
(a)涂覆如权利要求7所述的光阻剂组合物至晶片的表面且形成光阻剂薄膜；
(b)曝光该光阻剂薄膜；
(c)显影该光阻剂薄膜。
14.根据权利要求13的光阻剂组合物的用途，其中所述的方法包括在步骤(b)预和/或后烘烤的步骤。
15.根据权利要求14的光阻剂组合物的用途，其中所述的烘烤方法是在70℃至200℃温度之间进行。
16.根据权利要求13的光阻剂组合物的用途，其中所述的步骤(b)是使用氟化氩，氟化氪，DUV，电子束或x-射线的光源进行。
17.一种根据权利要求7所述的光阻剂组合物用于制造半导体元件的用途。
CNB981267424A 1997-12-31 1998-12-31 共聚物树脂,其制备方法及用其制成的光阻剂 Expired - Fee Related CN1230455C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970081343A KR100334387B1 (ko) 1997-12-31 1997-12-31 공중합체수지와그제조방법및이수지를이용한포토레지스트
KR81343/97 1997-12-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1223252A CN1223252A (zh) 1999-07-21
CN1230455C true CN1230455C (zh) 2005-12-07

Family

ID=19530556

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB981267424A Expired - Fee Related CN1230455C (zh) 1997-12-31 1998-12-31 共聚物树脂,其制备方法及用其制成的光阻剂

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6348296B1 (zh)
JP (1) JP3835506B2 (zh)
KR (1) KR100334387B1 (zh)
CN (1) CN1230455C (zh)
DE (1) DE19860809A1 (zh)
TW (1) TW546538B (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6103845A (en) * 1996-10-11 2000-08-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Chemically amplified resist polymers
US6808859B1 (en) * 1996-12-31 2004-10-26 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. ArF photoresist copolymers
KR19990081722A (ko) * 1998-04-30 1999-11-15 김영환 카르복실기 함유 지환족 유도체 및 그의 제조방법
JP3587743B2 (ja) 1998-08-26 2004-11-10 株式会社ハイニックスセミコンダクター フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、および、半導体素子。
US6569971B2 (en) * 1998-08-27 2003-05-27 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Polymers for photoresist and photoresist compositions using the same
KR100634973B1 (ko) 1999-04-09 2006-10-16 센쥬긴소쿠고교가부시키가이샤 솔더볼 및 솔더볼의 피복방법
KR20010011771A (ko) * 1999-07-30 2001-02-15 김영환 신규의 포토레지스트용 공중합체 및 이를 이용한 포토레지스트조성물
KR20010011765A (ko) * 1999-07-30 2001-02-15 김영환 레지스트 수지 및 이 수지를 이용한 포토레지스트 패턴의 형성방법
KR20010011773A (ko) * 1999-07-30 2001-02-15 김영환 모포린 유도체를 포함하는 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물
KR100682168B1 (ko) * 1999-07-30 2007-02-12 주식회사 하이닉스반도체 신규의 포토레지스트용 공중합체 및 이를 이용한 포토레지스트조성물
KR100301065B1 (ko) * 1999-08-16 2001-09-22 윤종용 백본이 환상 구조를 가지는 감광성 폴리머와 이를 포함하는 레지스트 조성물
KR100557599B1 (ko) * 1999-08-31 2006-03-10 주식회사 하이닉스반도체 광조사에 의해 라디칼을 발생하는 그룹을 포함하는 포토레지스트단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물
KR20010054851A (ko) * 1999-12-08 2001-07-02 윤종용 지환식 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 레지스트조성물과 그 제조방법
TWI295284B (zh) * 2000-04-27 2008-04-01 Shinetsu Chemical Co
US6294309B1 (en) * 2000-06-30 2001-09-25 Everlight Usa, Inc. Positive photoresist composition containing alicyclic dissolution inhibitors
JP4469080B2 (ja) * 2000-12-13 2010-05-26 信越化学工業株式会社 脂環構造を有する新規第三級アルコール化合物
KR20060084256A (ko) 2005-01-19 2006-07-24 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 발광 다이오드 소자의 렌즈 조성물,이를 포함하는 발광 다이오드 소자, 백라이트 유닛 및액정 표시 장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2162458B1 (zh) * 1971-12-06 1976-08-20 Asahi Chemical Ind
US4106943A (en) * 1973-09-27 1978-08-15 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Photosensitive cross-linkable azide containing polymeric composition
KR900700923A (ko) * 1988-02-17 1990-08-17 야마구찌 도시아끼 포토레지스트 조성물
JP3804138B2 (ja) * 1996-02-09 2006-08-02 Ｊｓｒ株式会社 ＡｒＦエキシマレーザー照射用感放射線性樹脂組成物
US6136499A (en) * 1996-03-07 2000-10-24 The B. F. Goodrich Company Photoresist compositions comprising polycyclic polymers with acid labile pendant groups
KR100265597B1 (ko) 1996-12-30 2000-09-15 김영환 Arf 감광막 수지 및 그 제조방법
KR100225956B1 (ko) * 1997-01-10 1999-10-15 김영환 아민을 도입한 에이알에프 감광막 수지

Also Published As

Publication number Publication date
US6348296B1 (en) 2002-02-19
DE19860809A1 (de) 1999-07-22
KR100334387B1 (ko) 2002-11-22
CN1223252A (zh) 1999-07-21
JP3835506B2 (ja) 2006-10-18
KR19990061089A (ko) 1999-07-26
TW546538B (en) 2003-08-11
JPH11279122A (ja) 1999-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1230455C (zh) 共聚物树脂,其制备方法及用其制成的光阻剂
CN1149237C (zh) 共聚物树脂,其制备方法及用其制成的光致抗蚀剂
CN1129166C (zh) 光致抗蚀剂聚合物、组合物及其制备方法
CN1280321C (zh) 光致抗蚀共聚物
CN1141619C (zh) 化学增强的抗蚀组合物
CN1163796C (zh) 用于光致抗蚀剂的交联剂及含该交联剂的光致抗蚀剂组合物
CN1221856C (zh) 聚合物和使用该聚合物形成显微图形的方法
CN1215094C (zh) 有机抗反射涂料及其制备
CN1228359C (zh) 化学增幅型光阻剂组成物的高分子聚合物
CN1152859C (zh) 新型的n-乙烯基内酰胺衍生物和其聚合物
CN1462909A (zh) 化学增幅光阻剂组成物
CN1238344A (zh) 聚合物和使用该聚合物形成显微图形的方法
JP2008197624A (ja) 反射防止膜用組成物、反射防止膜の製造方法、および半導体素子
CN1278529A (zh) 有机抗反射聚合物及其制备方法
CN1303114C (zh) 用于光致抗蚀剂的交联单体，及使用其制备光致抗蚀剂聚合物的方法
CN1124280C (zh) 光阻剂聚合物及用其制成的光阻剂
CN1219802C (zh) 共聚物树脂,其制备方法及使用其制成的光致抗蚀剂
CN1247858A (zh) 光致抗蚀剂单体,其共聚物和使用该共聚物的组合物
CN1162752C (zh) 用于光致抗蚀剂的交联剂及含该交联剂的光致抗蚀剂组合物
CN1320007C (zh) 含硅偶联剂的共聚物成膜树脂及其193nm光刻胶
CN1057847A (zh) 光刻胶和光学应用用的低光密度聚合物和共聚物的制备方法
CN1462747A (zh) 化学增幅型光阻剂组成物的高分子单体
CN1217232C (zh) 包含双键的交联剂单体及含有此单体的光致抗蚀剂共聚物
CN1498361A (zh) 新共聚物及光致抗蚀组合物
CN1185268C (zh) 有机抗反射涂层聚合物、含该聚合物的抗反射涂层组合物及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20051207

Termination date: 20100201