JPH04264337A - 電子放出素子集積基板 - Google Patents
電子放出素子集積基板Info
- Publication number
- JPH04264337A JPH04264337A JP3026042A JP2604291A JPH04264337A JP H04264337 A JPH04264337 A JP H04264337A JP 3026042 A JP3026042 A JP 3026042A JP 2604291 A JP2604291 A JP 2604291A JP H04264337 A JPH04264337 A JP H04264337A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron
- substrate
- emitting device
- emitting
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 184
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 60
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 44
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 36
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 25
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 4
- 238000009125 cardiac resynchronization therapy Methods 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002941 palladium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
- H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/312—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode having an electric field perpendicular to the surface, e.g. tunnel-effect cathodes of metal-insulator-metal [MIM] type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/316—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode having an electric field parallel to the surface, e.g. thin film cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/312—Cold cathodes having an electric field perpendicular to the surface thereof
- H01J2201/3125—Metal-insulator-Metal [MIM] emission type cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/316—Cold cathodes having an electric field parallel to the surface thereof, e.g. thin film cathodes
- H01J2201/3165—Surface conduction emission type cathodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子放出素子集積基板
に関し、特に画像表示面が平坦な表示デバイスに適用し
て効果的な電子放出素子集積基板に関する。
に関し、特に画像表示面が平坦な表示デバイスに適用し
て効果的な電子放出素子集積基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、平坦な画像表示面を有する表示デ
バイス（フラットＣＲＴ）を構成するのに好適な素子と
して、冷陰極型の電子放出素子が知られている。この種
の電子放出素子としては、例えば特開平１−３１１５３
４号公報に記載されたものがあり、この電子放出素子で
は、一対の電極とこれら電極間に形成された高抵抗の電
子放出部とを有する表面伝導型電子放出素子において、
その電子放出部の電子放出範囲の不必要な広がりを抑え
るため、所定の微粒子からなる電子放出部が電極間の局
所部分にのみ設けられている。
バイス（フラットＣＲＴ）を構成するのに好適な素子と
して、冷陰極型の電子放出素子が知られている。この種
の電子放出素子としては、例えば特開平１−３１１５３
４号公報に記載されたものがあり、この電子放出素子で
は、一対の電極とこれら電極間に形成された高抵抗の電
子放出部とを有する表面伝導型電子放出素子において、
その電子放出部の電子放出範囲の不必要な広がりを抑え
るため、所定の微粒子からなる電子放出部が電極間の局
所部分にのみ設けられている。
【０００３】ところで、このような電子放出素子を用い
たフラットＣＲＴは、まだ市場に広く受け入れられてい
ないが、市場に受け入れられるためには、その表示性能
の向上が要求されるとともに、それ以上にコストの低減
が要求される。したがって、特にフラットＣＲＴの１画
素を多数のカソード（陰極）で構成する（高密度化する
）ことにより個々の電子放出素子の放出電流を各画素中
で平均化し、フラットＣＲＴ全体の輝度の均一化を図る
ことが必要であり、さらに、この電子放出素子を作成す
る際の歩留りを向上させて電子放出素子集積基板のコス
トを低減させる必要がある。
たフラットＣＲＴは、まだ市場に広く受け入れられてい
ないが、市場に受け入れられるためには、その表示性能
の向上が要求されるとともに、それ以上にコストの低減
が要求される。したがって、特にフラットＣＲＴの１画
素を多数のカソード（陰極）で構成する（高密度化する
）ことにより個々の電子放出素子の放出電流を各画素中
で平均化し、フラットＣＲＴ全体の輝度の均一化を図る
ことが必要であり、さらに、この電子放出素子を作成す
る際の歩留りを向上させて電子放出素子集積基板のコス
トを低減させる必要がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の電子放出素子にあっては、電子放出部を形
成する工程が、その電子放出部に対応する部分以外にレ
ジストを塗布してマスクを形成した後、基板全体にパラ
ジウム化合物を含む有機溶剤をスピンコートし、その後
所定条件で焼成を行ってパラジウム微粒子からなる島（
アイランド）構造を有する不連続状態膜を形成し、最後
にレジストを除去するという大変複雑な工程であったた
め、コストの高いものになっていた。また、電極間の局
所部分に電子放出部を形成（フォーミング）するとはい
っても、基板面上に２次元的なフォーミングを行うもの
であるから、配線の関係もあって、電子放出部をより高
密度に集積するには限界があった。このため、電子放出
素子を用いた高画質で低コストな表示デバイスを提供す
ることができなかった。
ような従来の電子放出素子にあっては、電子放出部を形
成する工程が、その電子放出部に対応する部分以外にレ
ジストを塗布してマスクを形成した後、基板全体にパラ
ジウム化合物を含む有機溶剤をスピンコートし、その後
所定条件で焼成を行ってパラジウム微粒子からなる島（
アイランド）構造を有する不連続状態膜を形成し、最後
にレジストを除去するという大変複雑な工程であったた
め、コストの高いものになっていた。また、電極間の局
所部分に電子放出部を形成（フォーミング）するとはい
っても、基板面上に２次元的なフォーミングを行うもの
であるから、配線の関係もあって、電子放出部をより高
密度に集積するには限界があった。このため、電子放出
素子を用いた高画質で低コストな表示デバイスを提供す
ることができなかった。
【０００５】本発明は、このような従来の課題に鑑みて
なされたものであり、微細な複数の孔を有する基板に電
子放出素子を高密度に集積するとともにその電子放出向
率を向上させ、高画質で低コストの表示デバイスを提供
することを目的とする。
なされたものであり、微細な複数の孔を有する基板に電
子放出素子を高密度に集積するとともにその電子放出向
率を向上させ、高画質で低コストの表示デバイスを提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的達成のため、請
求項１記載の発明は、板厚方向に延在する複数の微細孔
を有する基板を備え、該基板の微細孔の孔壁に沿って電
子放出素子を形成したことを特徴とするものであり、請
求項２記載の発明は、前記基板が、陽極酸化処理によっ
て複数の微細孔が形成された膜体からなることを特徴と
するものである。
求項１記載の発明は、板厚方向に延在する複数の微細孔
を有する基板を備え、該基板の微細孔の孔壁に沿って電
子放出素子を形成したことを特徴とするものであり、請
求項２記載の発明は、前記基板が、陽極酸化処理によっ
て複数の微細孔が形成された膜体からなることを特徴と
するものである。
【０００７】また、請求項３記載の発明は、前記電子放
出素子が、メタル・インシュレータ・メタル型のもので
あることを特徴とするものであり、請求項４記載の発明
は、前記電子放出素子が、平面的な電子放出電極と引出
し電極とを有することを特徴とするものであり、請求項
５記載の発明は、前記電子放出素子が、表面伝導型のも
のであることを特徴とするものであり、請求項６記載の
発明は、前記電子放出素子が、微細孔の孔壁に沿う引出
し電極と、該電極に近接する円錐状の電子放出電極とを
有することを特徴とするものであり、請求項７記載の発
明は、前記電子放出素子が、針状の電子放出電極をを有
することを特徴とするものであり、請求項８記載の発明
は、前記基板の微細孔の孔壁に、電子放出電極がパター
ン状に形成されたことを特徴とするものである。
出素子が、メタル・インシュレータ・メタル型のもので
あることを特徴とするものであり、請求項４記載の発明
は、前記電子放出素子が、平面的な電子放出電極と引出
し電極とを有することを特徴とするものであり、請求項
５記載の発明は、前記電子放出素子が、表面伝導型のも
のであることを特徴とするものであり、請求項６記載の
発明は、前記電子放出素子が、微細孔の孔壁に沿う引出
し電極と、該電極に近接する円錐状の電子放出電極とを
有することを特徴とするものであり、請求項７記載の発
明は、前記電子放出素子が、針状の電子放出電極をを有
することを特徴とするものであり、請求項８記載の発明
は、前記基板の微細孔の孔壁に、電子放出電極がパター
ン状に形成されたことを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】請求項１記載の発明では、基板の微細孔の孔壁
に沿って電子放出素子が形成されるから、基板面のほと
んどを配線に使用することができ、高集積化が可能にな
る。請求項２記載の発明では、前記基板が陽極酸化膜で
構成されるから、その微細孔の孔径およびピッチが非常
に小さくなって高集積化が可能になるとともに、基板の
製造コストも安価になる。
に沿って電子放出素子が形成されるから、基板面のほと
んどを配線に使用することができ、高集積化が可能にな
る。請求項２記載の発明では、前記基板が陽極酸化膜で
構成されるから、その微細孔の孔径およびピッチが非常
に小さくなって高集積化が可能になるとともに、基板の
製造コストも安価になる。
【０００９】請求項３記載の発明では、微細孔の孔壁に
沿って形成される前記電子放出素子がメタル・インシュ
レータ・メタル型のものであるから、その電子放出素子
の作成にフォトプロセスを必要としない。請求項４記載
の発明では、前記電子放出素子が平面的な電子放出電極
と引出し電極とを有するから、その構成がきわめて簡単
なものになるとともに、製造コストも安価になる。
沿って形成される前記電子放出素子がメタル・インシュ
レータ・メタル型のものであるから、その電子放出素子
の作成にフォトプロセスを必要としない。請求項４記載
の発明では、前記電子放出素子が平面的な電子放出電極
と引出し電極とを有するから、その構成がきわめて簡単
なものになるとともに、製造コストも安価になる。
【００１０】請求項５記載の発明では、微細孔の孔壁に
沿って形成される電子放出素子の前記電子放出素子が表
面伝導型のものであるから、微細孔の孔壁にその電子放
出素子を容易に形成することができる。請求項６記載の
発明では、微細孔の孔壁に沿って形成される前記電子放
出素子が円錐状の電子放出電極と引出し電極とを有する
から、その電子放出素子の作成にフォトプロセスを必要
としない。
沿って形成される電子放出素子の前記電子放出素子が表
面伝導型のものであるから、微細孔の孔壁にその電子放
出素子を容易に形成することができる。請求項６記載の
発明では、微細孔の孔壁に沿って形成される前記電子放
出素子が円錐状の電子放出電極と引出し電極とを有する
から、その電子放出素子の作成にフォトプロセスを必要
としない。
【００１１】請求項７記載の発明では、微細孔の孔壁に
沿って形成される前記電子放出素子の電子放出電極が針
状に構成されるから、電界が集中し易く、放電効率の高
い電子放出素子となる。請求項８記載の発明では、前記
基板の微細孔の孔壁に沿って電子放出電極がパターン状
に形成されるから、その電極の構成がきわめて簡単なも
のになるとともに、製造コストも安価になる。
沿って形成される前記電子放出素子の電子放出電極が針
状に構成されるから、電界が集中し易く、放電効率の高
い電子放出素子となる。請求項８記載の発明では、前記
基板の微細孔の孔壁に沿って電子放出電極がパターン状
に形成されるから、その電極の構成がきわめて簡単なも
のになるとともに、製造コストも安価になる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
図１〜図６は請求項１〜３に係る本発明の第１実施例を
示す図である。第１実施例の電子放出素子集積基板は、
図１〜図３に示すように、絶縁材、例えば酸化アルミニ
ウム（Ａｌ２Ｏ３）からなる陽極酸化膜としての基板１
１と、この基板１１の上下面に設けられた配線層１２、
１３とを有している。配線層１２は、例えば金（Ａｕ）
から形成され、互いに平行に離間する複数の引出し電極
共通ライン１５によって構成されている。配線層１３は
、例えばアルミニウム（Ａｌ）から形成され、配線１２
と直交し互いに平行に離間する複数の電子放出電極共通
ライン１６によって構成されている。また、図３に示す
ように、配線層１２、１３の各共通ライン１５、１６が
互いに一定幅を持って直交することにより、両共通ライ
ン１５、１６は所定の面積で基板１１を挟んで重合して
おり、共通ライン１５、１６の重合する部分及びその間
の基板１１には、その基板１１の板厚方向に延在するよ
う複数の微細孔１７が形成されている。そして、複数の
微細孔１７のそれぞれの孔壁の一部又は全部に、電子を
放出する電子放出素子（後述する）が形成されている。
示す図である。第１実施例の電子放出素子集積基板は、
図１〜図３に示すように、絶縁材、例えば酸化アルミニ
ウム（Ａｌ２Ｏ３）からなる陽極酸化膜としての基板１
１と、この基板１１の上下面に設けられた配線層１２、
１３とを有している。配線層１２は、例えば金（Ａｕ）
から形成され、互いに平行に離間する複数の引出し電極
共通ライン１５によって構成されている。配線層１３は
、例えばアルミニウム（Ａｌ）から形成され、配線１２
と直交し互いに平行に離間する複数の電子放出電極共通
ライン１６によって構成されている。また、図３に示す
ように、配線層１２、１３の各共通ライン１５、１６が
互いに一定幅を持って直交することにより、両共通ライ
ン１５、１６は所定の面積で基板１１を挟んで重合して
おり、共通ライン１５、１６の重合する部分及びその間
の基板１１には、その基板１１の板厚方向に延在するよ
う複数の微細孔１７が形成されている。そして、複数の
微細孔１７のそれぞれの孔壁の一部又は全部に、電子を
放出する電子放出素子（後述する）が形成されている。
【００１３】図４、図５に示すように、微細孔１７に設
けられた個々の電子放出素子２０は、基板１１の貫通孔
１１ａに沿って電子放出電極共通ライン１６から引出し
電極共通ライン１５側に向かって突出した例えばアルミ
ニウム（Ａｌ）よりなる電子放出電極２１と、電子放出
電極２１を覆うように基板１１の図中下面側に形成され
た例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層２２と
、基板１１の貫通孔１１ａに沿って引出し電極共通ライ
ン１５から電子放出電極共通ライン１６側に突出した例
えば金（Ａｕ）よりなる電子引出し電極２３とを有して
おり、電子放出電極２１と電子引出し電極２３との間に
薄い（例えば厚さ１０ｎｍ以下の）絶縁層２２を介在さ
せた電子放出部２５が、電気的に高抵抗な状態となり、
電子を放出するようになっている。なお、各図中におい
て、基板１１、電極２１、２３及び絶縁層２２等の境界
部分やコーナー部分がシャープに図示されているが、実
際はそれぞれがなだらかに変化するものとなる。 また、各電極２１、２３および絶縁層２２は、微細孔１
７の孔壁の周方向の一部に形成されてもよい。
けられた個々の電子放出素子２０は、基板１１の貫通孔
１１ａに沿って電子放出電極共通ライン１６から引出し
電極共通ライン１５側に向かって突出した例えばアルミ
ニウム（Ａｌ）よりなる電子放出電極２１と、電子放出
電極２１を覆うように基板１１の図中下面側に形成され
た例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層２２と
、基板１１の貫通孔１１ａに沿って引出し電極共通ライ
ン１５から電子放出電極共通ライン１６側に突出した例
えば金（Ａｕ）よりなる電子引出し電極２３とを有して
おり、電子放出電極２１と電子引出し電極２３との間に
薄い（例えば厚さ１０ｎｍ以下の）絶縁層２２を介在さ
せた電子放出部２５が、電気的に高抵抗な状態となり、
電子を放出するようになっている。なお、各図中におい
て、基板１１、電極２１、２３及び絶縁層２２等の境界
部分やコーナー部分がシャープに図示されているが、実
際はそれぞれがなだらかに変化するものとなる。 また、各電極２１、２３および絶縁層２２は、微細孔１
７の孔壁の周方向の一部に形成されてもよい。
【００１４】次に、その製造方法を説明する。まず、基
板１１を作成する場合、詳細は図示しないが、アルミニ
ウム板を陽極とする酸性溶液中の電気分解でそのアルミ
ニウム板を陽極酸化し、所定膜厚（膜厚は１〜３００μ
ｍの範囲で制御可能）の陽極酸化膜を形成する。この陽
極酸化処理の一例としては、例えば０．４Ｍ（モル）の
りん酸溶液を使用し、温度２０℃で１６０Ｖの印加電圧
を加える処理があげられ、他の例として、例えば１０％
の硫酸溶液を使用し、温度２０℃で２０Ｖの印加電圧を
加える処理があげられる。
板１１を作成する場合、詳細は図示しないが、アルミニ
ウム板を陽極とする酸性溶液中の電気分解でそのアルミ
ニウム板を陽極酸化し、所定膜厚（膜厚は１〜３００μ
ｍの範囲で制御可能）の陽極酸化膜を形成する。この陽
極酸化処理の一例としては、例えば０．４Ｍ（モル）の
りん酸溶液を使用し、温度２０℃で１６０Ｖの印加電圧
を加える処理があげられ、他の例として、例えば１０％
の硫酸溶液を使用し、温度２０℃で２０Ｖの印加電圧を
加える処理があげられる。
【００１５】次いで、電流回復法により所謂バリヤー層
を薄くした後、前記電気分解の極性を反転して電圧を徐
々に上げると、このとき発生する水素ガスの圧力により
陽極酸化膜がアルミニウム板の下層部（素地）から浮き
上がり、陽極酸化膜をその下層部から分離することが可
能になる。そして、この分離によって各微細孔がその底
部の脱落した孔１１ａとなり、複数の微細孔１１ａを有
する膜体としての基板１１が得られる。次いで、上述の
ように、基板１１をりん酸に浸して微細孔１１ａの孔径
を０．３μｍ程度に広げる。
を薄くした後、前記電気分解の極性を反転して電圧を徐
々に上げると、このとき発生する水素ガスの圧力により
陽極酸化膜がアルミニウム板の下層部（素地）から浮き
上がり、陽極酸化膜をその下層部から分離することが可
能になる。そして、この分離によって各微細孔がその底
部の脱落した孔１１ａとなり、複数の微細孔１１ａを有
する膜体としての基板１１が得られる。次いで、上述の
ように、基板１１をりん酸に浸して微細孔１１ａの孔径
を０．３μｍ程度に広げる。
【００１６】次いで、この基板１１を図６に示すように
角度θだけ傾けた状態で回転させ、基板１１の一面側に
アルミニウム膜である引出し電極共通ライン１５を成膜
するとともに、微細孔１１ａの孔壁の全周に、膜厚０．
０５μｍ程度のアルミニウムの膜を蒸着によって形成し
、電子放出電極２１を形成する。次いで、基板１１をホ
ウ酸中に浸して１０Ｖ以下で陽極酸化を行い、絶縁層２
２を形成する。 次いで、基板１１を図６に示すように傾けた状態で回転
させ（上述のアルミニ膜形成時とは上下面を逆にする）
、基板１１の他面側において微細孔１１ａの孔壁全周に
、膜厚８〜３０ｎｍ程度のＡｕの膜を蒸着によって形成
し、電子引出し電極２３を形成する。なお、前記それぞ
れの蒸着工程において、所定角度θだけ傾けた基板１１
を回転させないようにすれば、微細孔１７の孔壁の周方
向の一部に電子放出電極２１又は電子引出し電極２３を
形成することができる。また、任意の絶縁材からなる絶
縁基板に通常のフォトプロセスを行って微細孔１７を穿
孔し、上述の態様とは異なる基板１１を作成することも
できる。
角度θだけ傾けた状態で回転させ、基板１１の一面側に
アルミニウム膜である引出し電極共通ライン１５を成膜
するとともに、微細孔１１ａの孔壁の全周に、膜厚０．
０５μｍ程度のアルミニウムの膜を蒸着によって形成し
、電子放出電極２１を形成する。次いで、基板１１をホ
ウ酸中に浸して１０Ｖ以下で陽極酸化を行い、絶縁層２
２を形成する。 次いで、基板１１を図６に示すように傾けた状態で回転
させ（上述のアルミニ膜形成時とは上下面を逆にする）
、基板１１の他面側において微細孔１１ａの孔壁全周に
、膜厚８〜３０ｎｍ程度のＡｕの膜を蒸着によって形成
し、電子引出し電極２３を形成する。なお、前記それぞ
れの蒸着工程において、所定角度θだけ傾けた基板１１
を回転させないようにすれば、微細孔１７の孔壁の周方
向の一部に電子放出電極２１又は電子引出し電極２３を
形成することができる。また、任意の絶縁材からなる絶
縁基板に通常のフォトプロセスを行って微細孔１７を穿
孔し、上述の態様とは異なる基板１１を作成することも
できる。
【００１７】このように本実施例においては、基板１１
に形成された複数の微細孔１７の孔壁に沿って電子放出
素子２０が形成されるから、基板面のほとんどを配線に
使用することができ、高集積化が可能になる。また、基
板１１が陽極酸化膜で構成されるから、その微細孔１７
の孔径およびピッチが非常に小さくなって高集積化が可
能になるとともに、その製造コストも安価になる。さら
に、本実施例では、電子放出素子２０の構造が、アルミ
ニウム、酸化アルミニウムおよび金からなるＭＩＭ型（
メタル・インシュレータ・メタル型）のものであるから
、従来のような電子放出部を作成するためのフォトプロ
セス（例えば、電子放出部以外にレジストを塗布してマ
スクキングするようなフォトプロセス）を必要とせず、
製造コストを低減させることができる。
に形成された複数の微細孔１７の孔壁に沿って電子放出
素子２０が形成されるから、基板面のほとんどを配線に
使用することができ、高集積化が可能になる。また、基
板１１が陽極酸化膜で構成されるから、その微細孔１７
の孔径およびピッチが非常に小さくなって高集積化が可
能になるとともに、その製造コストも安価になる。さら
に、本実施例では、電子放出素子２０の構造が、アルミ
ニウム、酸化アルミニウムおよび金からなるＭＩＭ型（
メタル・インシュレータ・メタル型）のものであるから
、従来のような電子放出部を作成するためのフォトプロ
セス（例えば、電子放出部以外にレジストを塗布してマ
スクキングするようなフォトプロセス）を必要とせず、
製造コストを低減させることができる。
【００１８】図７〜図１７は請求項１、２、４に係る本
発明の第２実施例を示す図である。なお、上述例の部材
と同一構成又はそれに相当する構成の部材については同
一符号を付してその構成の具体的説明を省略する。第２
実施例の電子放出素子集積基板は、図７、図８に示すよ
うに、基板１１とその両面側に設けられた２つの配線層
３２、３３（全体を図示しないが、配線層１２、１３と
同様な形状のもの）を有している。前記２つのうち一方
の配線層３２は、例えば金（Ａｕ）又はアルミニウム（
Ａｌ）から形成され、互いに平行に離間する複数の引出
し電極共通ライン３５によって構成されている。また、
前記２つのうち他方の配線層３３は、例えばタングステ
ンから形成され、引出し電極共通ライン３５と直交し互
いに平行に離間する複数の電子放出電極共通ライン３６
によって構成されている。さらに、両配線層の電極共通
ライン３５、３６が互いに一定幅を持って直交すること
により、両電極共通ライン３５、３６は所定の面積で基
板１１を挟んで重合しており、共通ライン３５、３６の
重合する部分及びその間の基板１１には、その基板１１
の板厚方向に延在するよう複数の微細孔３７が形成され
ている。そして、複数の微細孔３７のそれぞれの孔壁の
一部に、平面的に形成され電子を放出する電子放出素子
（後述する）が形成されている。
発明の第２実施例を示す図である。なお、上述例の部材
と同一構成又はそれに相当する構成の部材については同
一符号を付してその構成の具体的説明を省略する。第２
実施例の電子放出素子集積基板は、図７、図８に示すよ
うに、基板１１とその両面側に設けられた２つの配線層
３２、３３（全体を図示しないが、配線層１２、１３と
同様な形状のもの）を有している。前記２つのうち一方
の配線層３２は、例えば金（Ａｕ）又はアルミニウム（
Ａｌ）から形成され、互いに平行に離間する複数の引出
し電極共通ライン３５によって構成されている。また、
前記２つのうち他方の配線層３３は、例えばタングステ
ンから形成され、引出し電極共通ライン３５と直交し互
いに平行に離間する複数の電子放出電極共通ライン３６
によって構成されている。さらに、両配線層の電極共通
ライン３５、３６が互いに一定幅を持って直交すること
により、両電極共通ライン３５、３６は所定の面積で基
板１１を挟んで重合しており、共通ライン３５、３６の
重合する部分及びその間の基板１１には、その基板１１
の板厚方向に延在するよう複数の微細孔３７が形成され
ている。そして、複数の微細孔３７のそれぞれの孔壁の
一部に、平面的に形成され電子を放出する電子放出素子
（後述する）が形成されている。
【００１９】図９、図１０に示すように、微細孔３７の
孔壁に沿って設けられた個々の電子放出素子４０は、基
板１１の貫通孔１１ａに沿って電子放出電極共通ライン
３６から引出し電極共通ライン３５側に向かって突出し
た突出部４１ａを有する例えばタングステンよりなる電
子放出電極４１と、基板１１の貫通孔１１ａに沿って引
出し電極共通ライン３５から電子放出電極共通ライン３
６側に突出して部分的に電子放出口４３ａを形成する例
えば金（Ａｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）よりなる電子
引出し電極４３と、電子放出電極４１および電子引出し
電極４３を保持する例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）から
なる膜状の絶縁層４２と、を有しており、この絶縁層４
２は基板１１の孔壁そのものの一部として形成されてい
る。すなわち、この電子放出素子４０は、図１１に示す
ような公知の平面的電子放出構造を有する電子放出素子
を、図１０に示すように丸めた構造になっており、電子
放出電極４１及び電子引出し電極４３が平面的なこの電
子放出素子４０においては、基板１１に対して垂直に電
子が放出される。なお、電子放出素子４０の電子放出電
極４１と電子引出し電極４３とを、図１２、１３に示す
ようなパターン形状にすることもできる。
孔壁に沿って設けられた個々の電子放出素子４０は、基
板１１の貫通孔１１ａに沿って電子放出電極共通ライン
３６から引出し電極共通ライン３５側に向かって突出し
た突出部４１ａを有する例えばタングステンよりなる電
子放出電極４１と、基板１１の貫通孔１１ａに沿って引
出し電極共通ライン３５から電子放出電極共通ライン３
６側に突出して部分的に電子放出口４３ａを形成する例
えば金（Ａｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）よりなる電子
引出し電極４３と、電子放出電極４１および電子引出し
電極４３を保持する例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）から
なる膜状の絶縁層４２と、を有しており、この絶縁層４
２は基板１１の孔壁そのものの一部として形成されてい
る。すなわち、この電子放出素子４０は、図１１に示す
ような公知の平面的電子放出構造を有する電子放出素子
を、図１０に示すように丸めた構造になっており、電子
放出電極４１及び電子引出し電極４３が平面的なこの電
子放出素子４０においては、基板１１に対して垂直に電
子が放出される。なお、電子放出素子４０の電子放出電
極４１と電子引出し電極４３とを、図１２、１３に示す
ようなパターン形状にすることもできる。
【００２０】次に、その製造方法を説明する。まず、上
述例と同様にして基板１１を作成し、基板１１の微細孔
１１ａの孔径を例えば０．３μｍ程度に広げる。次いで
、この基板１１を、図１４に示すように角度θ１ だけ
傾け、その状態で仕事関数の低い金属（例えば、タング
ステン）を基板１１の一面側から所定のパターンに蒸着
して基板１１の一面側に電子放出電極共通ライン３５を
形成するとともに、各貫通孔１１ａの一部に電子放出電
極４１を形成する。次いで、基板１１を反転させ、図１
５に示すように、基板１１を角度θ２ だけ傾けた状態
で基板１１を所定角度範囲（電子放出口４３ａの部分を
残す範囲）で回動させ、この状態で基板１１の他面側か
ら金又はアルミニウムを蒸着し、基板１１の他面側に電
子放出電極共通ライン３６を形成するとともに、貫通孔
１１ａの他の一部に電子引出し電極４３を形成する。
ここで他の一部とは、貫通孔１１ａの一部に既に成膜
している電子放出電極４１上に電子引出し電極４３の蒸
着金属が接触しないように（ショートが発生しないよう
に）するため、前記一部とは異なる一部であることを意
味しており、その所望位置に電子引出し電極４３を形成
するために、蒸着工程において前記角度θ１ 、θ２
や基板１１の回転方向の位置を注意深く設定する必要が
ある。図１５においては、角度θ２ は図１４の角度θ
１ より大きくなっており（θ２ ＞θ１ ）、この場
合、図９に示すように電子引出し電極４３の突出量（微
細孔３７内における長さ）は電子放出電極４１の突出量
より小さくなる。また、図１６、図１７に示すように、
蒸着工程における傾き角度θ１、θ２ の関係をθ１＞
θ２ とし、両電極４１、４３の突出量の関係を前記と
は反対にすることもでき、このとき基板１１を回転させ
ないで蒸着を行えば例えば図１２、図１３に示す電極パ
ターンとなる。
述例と同様にして基板１１を作成し、基板１１の微細孔
１１ａの孔径を例えば０．３μｍ程度に広げる。次いで
、この基板１１を、図１４に示すように角度θ１ だけ
傾け、その状態で仕事関数の低い金属（例えば、タング
ステン）を基板１１の一面側から所定のパターンに蒸着
して基板１１の一面側に電子放出電極共通ライン３５を
形成するとともに、各貫通孔１１ａの一部に電子放出電
極４１を形成する。次いで、基板１１を反転させ、図１
５に示すように、基板１１を角度θ２ だけ傾けた状態
で基板１１を所定角度範囲（電子放出口４３ａの部分を
残す範囲）で回動させ、この状態で基板１１の他面側か
ら金又はアルミニウムを蒸着し、基板１１の他面側に電
子放出電極共通ライン３６を形成するとともに、貫通孔
１１ａの他の一部に電子引出し電極４３を形成する。
ここで他の一部とは、貫通孔１１ａの一部に既に成膜
している電子放出電極４１上に電子引出し電極４３の蒸
着金属が接触しないように（ショートが発生しないよう
に）するため、前記一部とは異なる一部であることを意
味しており、その所望位置に電子引出し電極４３を形成
するために、蒸着工程において前記角度θ１ 、θ２
や基板１１の回転方向の位置を注意深く設定する必要が
ある。図１５においては、角度θ２ は図１４の角度θ
１ より大きくなっており（θ２ ＞θ１ ）、この場
合、図９に示すように電子引出し電極４３の突出量（微
細孔３７内における長さ）は電子放出電極４１の突出量
より小さくなる。また、図１６、図１７に示すように、
蒸着工程における傾き角度θ１、θ２ の関係をθ１＞
θ２ とし、両電極４１、４３の突出量の関係を前記と
は反対にすることもでき、このとき基板１１を回転させ
ないで蒸着を行えば例えば図１２、図１３に示す電極パ
ターンとなる。
【００２１】このように本実施例においては、基板１１
に形成された複数の微細孔１７の孔壁に沿って電子放出
素子４０が形成され、基板１１が陽極酸化膜で構成され
るから、第１実施例と同様な効果を得ることができる。 さらに、電子放出素子４０が、平面的な電子放出電極４
１及び電子引出し電極４３を丸めたような構造を有する
ものであるから、その構成がきわめて簡単なものになる
とともに、電子放出電極４１と電子引出し電極４３を蒸
着により形成することで、電子放出素子作成時に従来の
ようなフォトプロセスを無くすこともできるので、製造
コストも安価になる。
に形成された複数の微細孔１７の孔壁に沿って電子放出
素子４０が形成され、基板１１が陽極酸化膜で構成され
るから、第１実施例と同様な効果を得ることができる。 さらに、電子放出素子４０が、平面的な電子放出電極４
１及び電子引出し電極４３を丸めたような構造を有する
ものであるから、その構成がきわめて簡単なものになる
とともに、電子放出電極４１と電子引出し電極４３を蒸
着により形成することで、電子放出素子作成時に従来の
ようなフォトプロセスを無くすこともできるので、製造
コストも安価になる。
【００２２】図１８〜図２０は請求項１、５に係る本発
明の第３実施例を示す図である。なお、上述例の部材と
同一構成又はそれに相当する構成の部材については同一
符号を付してその構成の具体的説明を省略する。第３実
施例の電子放出素子集積基板は、図１８、図１９に示す
ように、絶縁材、例えばセラミックスからなる基板５１
と、この基板５１の上下面に設けられた２つの配線層５
２、５３（全体を図示しないが第１実施例の配線層１２
、１３と同様な形状のもの）とを有している。前記２つ
のうち一方の配線層５２は、例えばアルミニウム（Ａｌ
）から形成され、互いに平行に離間する複数の引出し電
極共通ライン５５によって構成されている。また、前記
２つのうち他方の配線層５３は、例えばアルミニウム（
Ａｌ）から形成され、引出し電極共通ライン５５と直交
し互いに平行に離間する複数の電子放出電極共通ライン
５６によって構成されている。さらに、両配線層の電極
共通ライン５５、５６が互いに一定幅を持って直交する
ことにより、両電極共通ライン５５、５６は所定の面積
で基板５１を挟んで重合しており、この範囲において基
板５１と電子放出電極共通ライン５６との間にカーボン
層５８が形成され、電極共通ライン５５、５６の重合す
る部分及びその間の基板５１及びカーボン層５８には、
その基板５１の板厚方向に延在するよう複数の微細孔５
７が形成されている。そして、複数の微細孔５７のそれ
ぞれの孔壁の一部又は全部に、電子を放出する電子放出
素子６０が形成されている。
明の第３実施例を示す図である。なお、上述例の部材と
同一構成又はそれに相当する構成の部材については同一
符号を付してその構成の具体的説明を省略する。第３実
施例の電子放出素子集積基板は、図１８、図１９に示す
ように、絶縁材、例えばセラミックスからなる基板５１
と、この基板５１の上下面に設けられた２つの配線層５
２、５３（全体を図示しないが第１実施例の配線層１２
、１３と同様な形状のもの）とを有している。前記２つ
のうち一方の配線層５２は、例えばアルミニウム（Ａｌ
）から形成され、互いに平行に離間する複数の引出し電
極共通ライン５５によって構成されている。また、前記
２つのうち他方の配線層５３は、例えばアルミニウム（
Ａｌ）から形成され、引出し電極共通ライン５５と直交
し互いに平行に離間する複数の電子放出電極共通ライン
５６によって構成されている。さらに、両配線層の電極
共通ライン５５、５６が互いに一定幅を持って直交する
ことにより、両電極共通ライン５５、５６は所定の面積
で基板５１を挟んで重合しており、この範囲において基
板５１と電子放出電極共通ライン５６との間にカーボン
層５８が形成され、電極共通ライン５５、５６の重合す
る部分及びその間の基板５１及びカーボン層５８には、
その基板５１の板厚方向に延在するよう複数の微細孔５
７が形成されている。そして、複数の微細孔５７のそれ
ぞれの孔壁の一部又は全部に、電子を放出する電子放出
素子６０が形成されている。
【００２３】微細孔５７の孔壁に沿って設けられた個々
の電子放出素子６０は、基板５１の貫通孔５１ａに沿っ
て電子放出電極共通ライン５６から引出し電極共通ライ
ン５５側に向かって突出した例えばアルミニウム（Ａｌ
）からなる電子放出電極６１と、基板５１の貫通孔１１
ａに沿って引出し電極共通ライン５５から電子放出電極
共通ライン５６側に突出した例えばアルミニウム（Ａｌ
）からなる電子引出し電極６３と、カーボン層５８から
電子放出電極６１よりも引出し電極共通ライン５５側に
突出してフォーミング（加熱処理）され、電子引出し電
極６３の突出端部の下層部に入り込んだ伝導層６２と、
を有している。すなわち、この電子放出素子４０は、図
２０に示すような公知の表面伝導型電子放出素子と同様
な構造を有しており、この電子放出素子４０においては
、伝導層６２上で両電極６１、６３が近接した電子放出
部６５において電子が放出される。
の電子放出素子６０は、基板５１の貫通孔５１ａに沿っ
て電子放出電極共通ライン５６から引出し電極共通ライ
ン５５側に向かって突出した例えばアルミニウム（Ａｌ
）からなる電子放出電極６１と、基板５１の貫通孔１１
ａに沿って引出し電極共通ライン５５から電子放出電極
共通ライン５６側に突出した例えばアルミニウム（Ａｌ
）からなる電子引出し電極６３と、カーボン層５８から
電子放出電極６１よりも引出し電極共通ライン５５側に
突出してフォーミング（加熱処理）され、電子引出し電
極６３の突出端部の下層部に入り込んだ伝導層６２と、
を有している。すなわち、この電子放出素子４０は、図
２０に示すような公知の表面伝導型電子放出素子と同様
な構造を有しており、この電子放出素子４０においては
、伝導層６２上で両電極６１、６３が近接した電子放出
部６５において電子が放出される。
【００２４】次に、その製造方法を説明する。まず、セ
ラミックスからなる基板５１を作成する場合、所定寸法
に成形されたセラミックスの板を準備し、この板にレー
ザー加工により所定ピッチ毎に所定孔径の微細な孔５１
ａを穿孔加工する。次いで、この基板５１を、上述例と
同様に所定角度だけ傾け、その状態で基板５１の一面側
からカーボンを蒸着あるいはスパッタリングして、基板
５１の一面側にカーボン層５８及び伝導層６２に対応す
るカーボン層を形成する。次いで、基板５１の傾き角度
を大きくし、カーボン層５８の上にアルミニウム（Ａｌ
）を蒸着（或はスパッタ）して電子放出電極共通ライン
５６を形成するとともに、孔５１ａの一部に電子放出電
極６１を形成する。次いで、基板５１の上下面を反転さ
せ、基板５１を傾けた状態で基板５１の他面側からアル
ミニウム（Ａｌ）を蒸着し、基板５１の他面側に引出し
電極共通ライン５５を形成するとともに、孔５１ａの他
の一部に電子引出し電極６３を形成する。ここで他の一
部とは、貫通孔５１ａの一部に既に成膜している電子放
出電極６１上に電子引出し電極６３の蒸着金属が接触し
ないように（ショートが発生しないように）するため、
前記一部とは異なる一部であることを意味しており、そ
の所望位置に電子引出し電極６３を形成するために、蒸
着工程において前記傾き角度や基板５１の回転方向の位
置を注意深く設定する必要がある。次いで、フォーミン
グ（加熱処理）を行ない伝導層６２を形成すると、電子
放出部６５ができあがる。
ラミックスからなる基板５１を作成する場合、所定寸法
に成形されたセラミックスの板を準備し、この板にレー
ザー加工により所定ピッチ毎に所定孔径の微細な孔５１
ａを穿孔加工する。次いで、この基板５１を、上述例と
同様に所定角度だけ傾け、その状態で基板５１の一面側
からカーボンを蒸着あるいはスパッタリングして、基板
５１の一面側にカーボン層５８及び伝導層６２に対応す
るカーボン層を形成する。次いで、基板５１の傾き角度
を大きくし、カーボン層５８の上にアルミニウム（Ａｌ
）を蒸着（或はスパッタ）して電子放出電極共通ライン
５６を形成するとともに、孔５１ａの一部に電子放出電
極６１を形成する。次いで、基板５１の上下面を反転さ
せ、基板５１を傾けた状態で基板５１の他面側からアル
ミニウム（Ａｌ）を蒸着し、基板５１の他面側に引出し
電極共通ライン５５を形成するとともに、孔５１ａの他
の一部に電子引出し電極６３を形成する。ここで他の一
部とは、貫通孔５１ａの一部に既に成膜している電子放
出電極６１上に電子引出し電極６３の蒸着金属が接触し
ないように（ショートが発生しないように）するため、
前記一部とは異なる一部であることを意味しており、そ
の所望位置に電子引出し電極６３を形成するために、蒸
着工程において前記傾き角度や基板５１の回転方向の位
置を注意深く設定する必要がある。次いで、フォーミン
グ（加熱処理）を行ない伝導層６２を形成すると、電子
放出部６５ができあがる。
【００２５】このように本実施例においては、基板５１
に形成された複数の微細孔５７の孔壁に沿って電子放出
素子６０が形成され、基板面のほとんどを配線に使用す
ることができ、電子放出素子集積基板の高集積化が可能
になる。また、微細孔５７の孔壁に沿って形成される電
子放出素子６０が表面伝導型のものであるから、上述の
ような簡単な成膜工程だけで微細孔５７の孔壁に沿って
その電子放出素子６０を容易に形成することができ、製
造コストも安価になる。
に形成された複数の微細孔５７の孔壁に沿って電子放出
素子６０が形成され、基板面のほとんどを配線に使用す
ることができ、電子放出素子集積基板の高集積化が可能
になる。また、微細孔５７の孔壁に沿って形成される電
子放出素子６０が表面伝導型のものであるから、上述の
ような簡単な成膜工程だけで微細孔５７の孔壁に沿って
その電子放出素子６０を容易に形成することができ、製
造コストも安価になる。
【００２６】図２１〜図２４は請求項１、２、６に係る
本発明の第４実施例を示す図である。なお、上述例の部
材と同一構成又はそれに相当する構成の部材については
同一符号を付してその構成の具体的説明を省略する。第
４実施例の電子放出素子集積基板は、図２１に示すよう
に、陽極酸化膜である基板１１（貫通孔１１ａの拡径処
理はされていなくともよい）と、この基板１１の両面側
に設けられた２つの配線層７２、７３（全体を図示しな
いが第１実施例の配線層１２、１３と同様な形状のもの
）とを有している。配線層７２は、金（Ａｕ）から形成
され、互いに平行に離間する複数の引出し電極共通ライ
ン７５によって構成されている。配線層７３は、例えば
金（Ａｕ）から形成され、配線１２と直交し互いに平行
に離間する複数の電子放出電極共通ライン７６によって
構成されている。また、両配線層の電極共通ライン７５
、７６が互いに一定幅を持って直交することにより、両
共通ライン７５、７６は所定の面積で基板１１を挟んで
重合しており、共通ライン７５、７６の重合する部分及
びその間の基板１１には、その基板１１の板厚方向に延
在するよう複数の微細孔７７が形成されている。そして
、複数の微細孔７７のそれぞれの孔壁の一部又は全部に
、電子を放出する電子放出素子８０が形成されている。
本発明の第４実施例を示す図である。なお、上述例の部
材と同一構成又はそれに相当する構成の部材については
同一符号を付してその構成の具体的説明を省略する。第
４実施例の電子放出素子集積基板は、図２１に示すよう
に、陽極酸化膜である基板１１（貫通孔１１ａの拡径処
理はされていなくともよい）と、この基板１１の両面側
に設けられた２つの配線層７２、７３（全体を図示しな
いが第１実施例の配線層１２、１３と同様な形状のもの
）とを有している。配線層７２は、金（Ａｕ）から形成
され、互いに平行に離間する複数の引出し電極共通ライ
ン７５によって構成されている。配線層７３は、例えば
金（Ａｕ）から形成され、配線１２と直交し互いに平行
に離間する複数の電子放出電極共通ライン７６によって
構成されている。また、両配線層の電極共通ライン７５
、７６が互いに一定幅を持って直交することにより、両
共通ライン７５、７６は所定の面積で基板１１を挟んで
重合しており、共通ライン７５、７６の重合する部分及
びその間の基板１１には、その基板１１の板厚方向に延
在するよう複数の微細孔７７が形成されている。そして
、複数の微細孔７７のそれぞれの孔壁の一部又は全部に
、電子を放出する電子放出素子８０が形成されている。
【００２７】微細孔７７に設けられた個々の電子放出素
子８０は、基板１１の貫通孔１１ａに沿って電子放出電
極共通ライン７６から引出し電極共通ライン７５側に向
かって突出した例えば金（Ａｕ）よりなる円錐状の電子
放出電極８１と、基板１１の貫通孔１１ａに沿って引出
し電極共通ライン７５から電子放出電極共通ライン７６
側に突出して電子放出電極８１に近接する例えば金（Ａ
ｕ）よりなる電子引出し電極８３と、を有している。そ
して、電子放出電極８１と電子引出し電極８３との間に
所定の印加電圧が加わるとき、電界放出（冷陰極放電）
により電子が放出される。
子８０は、基板１１の貫通孔１１ａに沿って電子放出電
極共通ライン７６から引出し電極共通ライン７５側に向
かって突出した例えば金（Ａｕ）よりなる円錐状の電子
放出電極８１と、基板１１の貫通孔１１ａに沿って引出
し電極共通ライン７５から電子放出電極共通ライン７６
側に突出して電子放出電極８１に近接する例えば金（Ａ
ｕ）よりなる電子引出し電極８３と、を有している。そ
して、電子放出電極８１と電子引出し電極８３との間に
所定の印加電圧が加わるとき、電界放出（冷陰極放電）
により電子が放出される。
【００２８】次に、その製造方法を説明する。まず、図
２２（ａ）に示すように、第１実施例と同様にして複数
の貫通孔１１ａを有する基板１１を作成する。この作成
工程は、第１実施例での貫通孔１１ａの孔径拡径処理は
含まない。次いで、図２２（ｂ）に示すように、基板１
１の一面側に金（Ａｕ）をスパッタリングにより膜付け
して電子放出電極共通ライン７６を形成する。次いで、
図２２（ｃ）に示すように、この膜付けした電子放出電
極共通ライン７６を陰極とする電界析出により貫通孔１
１ａ内に金（Ａｕ）を充填する。この電界析出の条件は
、例えば電流密度０．１〜１５Ａ／ｄｍ２ 、浴温４０
〜７０℃、時間１０〜１２０分とすることができる。次
いで、図２３に示すように、基板１１を所定角度θ１１
（例えばθ１１＝１０゜〜４５゜）だけ傾けた状態で基
板１１を回転させ、この状態で基板１１の他面側からイ
オンビームエッチングあるいはイオンビームミリングを
し、図２２（ｄ）に示すような先端が鋭い円錐状の電子
放出電極８１を形成する。なお、このとき、貫通孔１１
ａが形成された基板１１自体がマスクとして機能する。 次いで、図２４に示すように、前記イオンビームエッチ
ングあるいはイオンビームミリング工程での基板１１の
傾きより更に大きな傾き角度θ１２をつけて基板１１を
回転させ、その状態で基板１１の他面側から金（Ａｕ）
を蒸着すると、基板１１の他面側に引出し電極共通ライ
ン７５が形成されるとともに、貫通孔１１ａの一部に電
子引出し電極８３が形成される（図２１参照）。なお、
この蒸着工程で前記イオンビームエッチング工程より基
板１１の傾き角を大きくするのは、貫通孔１１ａ内に既
に形成されている電子放出電極８１に電子引出し電極８
３の蒸着金属が接触しないように（ショートが発生しな
いように）するためである。
２２（ａ）に示すように、第１実施例と同様にして複数
の貫通孔１１ａを有する基板１１を作成する。この作成
工程は、第１実施例での貫通孔１１ａの孔径拡径処理は
含まない。次いで、図２２（ｂ）に示すように、基板１
１の一面側に金（Ａｕ）をスパッタリングにより膜付け
して電子放出電極共通ライン７６を形成する。次いで、
図２２（ｃ）に示すように、この膜付けした電子放出電
極共通ライン７６を陰極とする電界析出により貫通孔１
１ａ内に金（Ａｕ）を充填する。この電界析出の条件は
、例えば電流密度０．１〜１５Ａ／ｄｍ２ 、浴温４０
〜７０℃、時間１０〜１２０分とすることができる。次
いで、図２３に示すように、基板１１を所定角度θ１１
（例えばθ１１＝１０゜〜４５゜）だけ傾けた状態で基
板１１を回転させ、この状態で基板１１の他面側からイ
オンビームエッチングあるいはイオンビームミリングを
し、図２２（ｄ）に示すような先端が鋭い円錐状の電子
放出電極８１を形成する。なお、このとき、貫通孔１１
ａが形成された基板１１自体がマスクとして機能する。 次いで、図２４に示すように、前記イオンビームエッチ
ングあるいはイオンビームミリング工程での基板１１の
傾きより更に大きな傾き角度θ１２をつけて基板１１を
回転させ、その状態で基板１１の他面側から金（Ａｕ）
を蒸着すると、基板１１の他面側に引出し電極共通ライ
ン７５が形成されるとともに、貫通孔１１ａの一部に電
子引出し電極８３が形成される（図２１参照）。なお、
この蒸着工程で前記イオンビームエッチング工程より基
板１１の傾き角を大きくするのは、貫通孔１１ａ内に既
に形成されている電子放出電極８１に電子引出し電極８
３の蒸着金属が接触しないように（ショートが発生しな
いように）するためである。
【００２９】このように本実施例においては、基板１１
に形成された複数の微細孔１７の孔壁に沿って電子引出
し電極８３を有する電子放出素子８０が形成されて多数
の電子放出素子８０が３次元的に配設され、さらに、基
板１１が陽極酸化膜で構成されるから、第１実施例と同
様な効果を得ることができる。さらに、電子放出素子８
０が、円錐状の電子放出電極８１とこれに近接するよう
微細孔７７の孔壁に沿って形成された電子引出し電極８
３とを有するから、その電子放出素子８０の作成に際し
て従来のようなフォトプロセスを無くすことができ、製
造コストが安価になる。
に形成された複数の微細孔１７の孔壁に沿って電子引出
し電極８３を有する電子放出素子８０が形成されて多数
の電子放出素子８０が３次元的に配設され、さらに、基
板１１が陽極酸化膜で構成されるから、第１実施例と同
様な効果を得ることができる。さらに、電子放出素子８
０が、円錐状の電子放出電極８１とこれに近接するよう
微細孔７７の孔壁に沿って形成された電子引出し電極８
３とを有するから、その電子放出素子８０の作成に際し
て従来のようなフォトプロセスを無くすことができ、製
造コストが安価になる。
【００３０】図２５は請求項１〜３及び７に係る本発明
の第５実施例を示す図である。なお、上述例の部材と同
一構成又はそれに相当する構成の部材については同一符
号を付してその構成の具体的説明を省略する。第５実施
例の電子放出素子集積基板は、図２５に示すように、絶
縁材、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）からなる
陽極酸化膜としての基板９１と、この基板９１の上下面
に設けられた２つの配線層９２、９３（全体は図示して
いない）を有している。配線層９２は、例えば金（Ａｕ
）から形成され、引出し電極共通ラインとなっている。 配線層１３は、例えばアルミニウム（Ａｌ）から形成さ
れ、電子放出電極共通ラインとなっている。また、基板
９１には複数の有底の微細孔９７が形成されており、そ
れらの微細孔９７には配線層９３から配線層９２に向か
い突出した針状の電子放出電極１０１ が充填されてい
る。そして、複数の微細孔９７のそれぞれの孔壁の全部
に、電子を放出する電子放出素子１００ が形成されて
いる。
の第５実施例を示す図である。なお、上述例の部材と同
一構成又はそれに相当する構成の部材については同一符
号を付してその構成の具体的説明を省略する。第５実施
例の電子放出素子集積基板は、図２５に示すように、絶
縁材、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）からなる
陽極酸化膜としての基板９１と、この基板９１の上下面
に設けられた２つの配線層９２、９３（全体は図示して
いない）を有している。配線層９２は、例えば金（Ａｕ
）から形成され、引出し電極共通ラインとなっている。 配線層１３は、例えばアルミニウム（Ａｌ）から形成さ
れ、電子放出電極共通ラインとなっている。また、基板
９１には複数の有底の微細孔９７が形成されており、そ
れらの微細孔９７には配線層９３から配線層９２に向か
い突出した針状の電子放出電極１０１ が充填されてい
る。そして、複数の微細孔９７のそれぞれの孔壁の全部
に、電子を放出する電子放出素子１００ が形成されて
いる。
【００３１】電子放出素子１００ は、基板９１の微細
孔９７に沿い配線層９３側から配線層９２側に向かって
突出した例えばアルミニウム（Ａｌ）よりなる針状の電
子放出電極１０１ と、基板９１の微細孔９７の底壁部
９７ａに沿って設けられた例えば金（Ａｕ）よりなる電
子引出し電極１０３とを有しており、両電極１０１、１
０３の間に薄い絶縁層として底壁部９７ａを介在させた
電子放出部が構成されている。すなわち、本実施例の電
子放出素子１００ は、ＭＩＭ型（メタル・インシュレ
ータ・メタル型）の電子放出素子であるとともに、その
各層１０１ 、９１（９７ａ）、１０３ が微細孔９７
の延在方向に隣接するものであり、それによって微細孔
９７の孔壁に沿う電子放出素子１００ が構成されてい
る。なお、陽極酸化膜のような多数の微細孔９７を有す
る絶縁基板９１に、複数の電子放出電極１０１ の群を
選択的に埋め込み、その埋め込み領域の外周部を１つの
微細孔と考えることもできる。
孔９７に沿い配線層９３側から配線層９２側に向かって
突出した例えばアルミニウム（Ａｌ）よりなる針状の電
子放出電極１０１ と、基板９１の微細孔９７の底壁部
９７ａに沿って設けられた例えば金（Ａｕ）よりなる電
子引出し電極１０３とを有しており、両電極１０１、１
０３の間に薄い絶縁層として底壁部９７ａを介在させた
電子放出部が構成されている。すなわち、本実施例の電
子放出素子１００ は、ＭＩＭ型（メタル・インシュレ
ータ・メタル型）の電子放出素子であるとともに、その
各層１０１ 、９１（９７ａ）、１０３ が微細孔９７
の延在方向に隣接するものであり、それによって微細孔
９７の孔壁に沿う電子放出素子１００ が構成されてい
る。なお、陽極酸化膜のような多数の微細孔９７を有す
る絶縁基板９１に、複数の電子放出電極１０１ の群を
選択的に埋め込み、その埋め込み領域の外周部を１つの
微細孔と考えることもできる。
【００３２】次に、その製造方法を説明する。まず、基
板９１を作成する場合、詳細は図示しないが、厚さ１０
〜１００μｍのアルミニウム基板を１０％の硫酸溶液中
で印加電圧２０Ｖにて陽極酸化する。次いで、この基板
を硫酸溶液中に５〜６０分放置して微細孔９７の孔底部
を（特に内側から）薄くすし、この基板をホウ酸中に浸
し１０Ｖ以下で陽極酸化を行って絶縁層としての微細孔
９７の孔底部の膜厚さを１０ｎｍ程度とする。次いで、
微細孔９７の開口側からアルミニウム（Ａｌ）をスパッ
タし、微細孔９７に沿ってアルミニウムからなる針状の
電子放出電極１０１ を形成する。このとき、微細孔９
７の底部がほぼ半球状であることから、電子放出電極１
０１の先端形状が半径５０ｎｍ以下の半球状になり、電
荷の集中し易い形状になる。次いで、基板９１の微細孔
９７の開口部側の面をガラスに接着し、塩酸溶液にて微
細孔９７の孔底部側のアルミニウムを除去した後、孔底
部９７ａに金（Ａｕ）の膜を８〜３０ｎｍの膜厚に成膜
すると、ＭＩＭ型の電子放出素子１００ ができあがる
。
板９１を作成する場合、詳細は図示しないが、厚さ１０
〜１００μｍのアルミニウム基板を１０％の硫酸溶液中
で印加電圧２０Ｖにて陽極酸化する。次いで、この基板
を硫酸溶液中に５〜６０分放置して微細孔９７の孔底部
を（特に内側から）薄くすし、この基板をホウ酸中に浸
し１０Ｖ以下で陽極酸化を行って絶縁層としての微細孔
９７の孔底部の膜厚さを１０ｎｍ程度とする。次いで、
微細孔９７の開口側からアルミニウム（Ａｌ）をスパッ
タし、微細孔９７に沿ってアルミニウムからなる針状の
電子放出電極１０１ を形成する。このとき、微細孔９
７の底部がほぼ半球状であることから、電子放出電極１
０１の先端形状が半径５０ｎｍ以下の半球状になり、電
荷の集中し易い形状になる。次いで、基板９１の微細孔
９７の開口部側の面をガラスに接着し、塩酸溶液にて微
細孔９７の孔底部側のアルミニウムを除去した後、孔底
部９７ａに金（Ａｕ）の膜を８〜３０ｎｍの膜厚に成膜
すると、ＭＩＭ型の電子放出素子１００ ができあがる
。
【００３３】このように、本実施例においては、基板１
１に形成された複数の微細孔９７の孔壁に沿って電子放
出電極１０１が形成され、多数の電子放出素子１００が
３次元的に配設され、さらに、基板１１が陽極酸化膜で
構成されるから、第１実施例と同様な効果を得ることが
できる。さらに、電子放出素子１００の電子放出電極１
０１が針状に構成されるから、電界が集中し易く、放電
効率の高い電子放出素子となる。
１に形成された複数の微細孔９７の孔壁に沿って電子放
出電極１０１が形成され、多数の電子放出素子１００が
３次元的に配設され、さらに、基板１１が陽極酸化膜で
構成されるから、第１実施例と同様な効果を得ることが
できる。さらに、電子放出素子１００の電子放出電極１
０１が針状に構成されるから、電界が集中し易く、放電
効率の高い電子放出素子となる。
【００３４】なお、電子放出電極１０１ は、配線層９
３と同じアルミニウムからなるものとしたが、他の金属
、例えばニッケル（Ｎｉ）によって形成することができ
、その場合配線層９３を金（Ａｕ）等から形成すること
もできる。そして、その場合の製造方法としては、厚さ
１０〜１００μｍのアルミニウム基板を１０％の硫酸溶
液中で印加電圧２０Ｖにて陽極酸化し、次いで、この基
板を硫酸溶液中に５〜６０分放置して微細孔９７の孔底
部を（特に内側から）薄くすし、電界析出により微細孔
９７内にニッケル（Ｎｉ）を充填した後、微細孔９７の
開口側から金（又はアルミニウム）をスパッタして、フ
ォトプロセスにより所定のパターンを形成し、次いで、
基板９１の微細孔開口側の面をガラスに接着し、微細孔
９７の孔底部側のアルミニウム及びその陽極酸化された
アルミナの一部をりん酸溶液で除去し、次いで、新しく
ＣＶＤにより１０ｎｍ程度のアルミナの絶縁膜部（孔底
部９７ａ）を形成し、その絶縁膜上に金（Ａｕ）の膜を
成膜して電子引出し電極１０３ を形成する。また、Ｃ
ＶＤに代えてスパッタを採用し、そのスパッタ膜をほう
酸中で陽極酸化してバリヤー層を形成することもできる
。
３と同じアルミニウムからなるものとしたが、他の金属
、例えばニッケル（Ｎｉ）によって形成することができ
、その場合配線層９３を金（Ａｕ）等から形成すること
もできる。そして、その場合の製造方法としては、厚さ
１０〜１００μｍのアルミニウム基板を１０％の硫酸溶
液中で印加電圧２０Ｖにて陽極酸化し、次いで、この基
板を硫酸溶液中に５〜６０分放置して微細孔９７の孔底
部を（特に内側から）薄くすし、電界析出により微細孔
９７内にニッケル（Ｎｉ）を充填した後、微細孔９７の
開口側から金（又はアルミニウム）をスパッタして、フ
ォトプロセスにより所定のパターンを形成し、次いで、
基板９１の微細孔開口側の面をガラスに接着し、微細孔
９７の孔底部側のアルミニウム及びその陽極酸化された
アルミナの一部をりん酸溶液で除去し、次いで、新しく
ＣＶＤにより１０ｎｍ程度のアルミナの絶縁膜部（孔底
部９７ａ）を形成し、その絶縁膜上に金（Ａｕ）の膜を
成膜して電子引出し電極１０３ を形成する。また、Ｃ
ＶＤに代えてスパッタを採用し、そのスパッタ膜をほう
酸中で陽極酸化してバリヤー層を形成することもできる
。
【００３５】図２６、図２７は請求項１、２、８に係る
本発明の第６実施例を示す図である。なお、上述例の部
材と同一構成又はそれに相当する構成の部材については
同一符号を付してその構成の具体的説明を省略する。第
６実施例の電子放出素子集積基板は、図２６、図２７に
示すように、基板１１とその両面側に設けられた２つの
配線層１１２、１１３（全体を図示しないが、第１実施
例の配線層１２、１３と同様な形状のもの）を有してい
る。配線層１１２ は、例えば金（Ａｕ）又はアルミニ
ウム（Ａｌ）から形成され、互いに平行に離間する複数
の引出し電極共通ライン１１５ によって構成されてい
る。また、配線層１１３ は、例えばタングステンから
形成され、引出し電極共通ライン１１５ と直交し互い
に平行に離間する複数の電子放出電極共通ライン１１６
によって構成されている。さらに、両配線層の電極共
通ライン１１５ 、１１６ が互いに一定幅を持って直
交することにより、両電極共通ライン１１５ 、１１６
は所定の面積で基板１１を挟んで重合しており、電極
共通ライン１１５ 、１１６の重合する部分及びその間
の基板１１には、その基板１１の板厚方向に延在するよ
う複数の微細孔１１７ が形成されている。そして、複
数の微細孔１１７ のそれぞれの孔壁の一部に、平面的
に形成され電子を放出する電子放出素子１２０ が形
成されている。
本発明の第６実施例を示す図である。なお、上述例の部
材と同一構成又はそれに相当する構成の部材については
同一符号を付してその構成の具体的説明を省略する。第
６実施例の電子放出素子集積基板は、図２６、図２７に
示すように、基板１１とその両面側に設けられた２つの
配線層１１２、１１３（全体を図示しないが、第１実施
例の配線層１２、１３と同様な形状のもの）を有してい
る。配線層１１２ は、例えば金（Ａｕ）又はアルミニ
ウム（Ａｌ）から形成され、互いに平行に離間する複数
の引出し電極共通ライン１１５ によって構成されてい
る。また、配線層１１３ は、例えばタングステンから
形成され、引出し電極共通ライン１１５ と直交し互い
に平行に離間する複数の電子放出電極共通ライン１１６
によって構成されている。さらに、両配線層の電極共
通ライン１１５ 、１１６ が互いに一定幅を持って直
交することにより、両電極共通ライン１１５ 、１１６
は所定の面積で基板１１を挟んで重合しており、電極
共通ライン１１５ 、１１６の重合する部分及びその間
の基板１１には、その基板１１の板厚方向に延在するよ
う複数の微細孔１１７ が形成されている。そして、複
数の微細孔１１７ のそれぞれの孔壁の一部に、平面的
に形成され電子を放出する電子放出素子１２０ が形
成されている。
【００３６】微細孔１１７の孔壁に沿って設けられた個
々の電子放出素子１２０は、基板１１の貫通孔１１ａに
沿って電子放出電極共通ライン１１６から引出し電極共
通ライン１１５側に向かって突出するパターン状に形成
された例えばタングステンよりなる電子放出電極１２１
と、基板１１の微細孔１１７の孔壁を形成する引出し電
極共通ライン１１５ の一部としての電子引出し電極１
２３と、を有している。
々の電子放出素子１２０は、基板１１の貫通孔１１ａに
沿って電子放出電極共通ライン１１６から引出し電極共
通ライン１１５側に向かって突出するパターン状に形成
された例えばタングステンよりなる電子放出電極１２１
と、基板１１の微細孔１１７の孔壁を形成する引出し電
極共通ライン１１５ の一部としての電子引出し電極１
２３と、を有している。
【００３７】次に、その製造方法を説明する。まず、上
述例と同様にして基板１１を作成し、基板１１の微細孔
１１ａの孔径を例えば０．３μｍ程度に広げる。次いで
、この基板１１を、図１４に示すように角度θ１だけ傾
け、その状態で仕事関数の低い金属（例えば、タングス
テン）を基板１１の一面側から蒸着して基板１１の一面
側に電子放出電極共通ライン１１６を形成するとともに
、各貫通孔１１ａの一部に電子放出電極１２１を形成す
る。次いで、基板１１を反転させ、基板１１を傾けない
で基板１１の他面側からアルミニウム等の金属をスパッ
タリングし、引出し電極共通ライン１１５を形成した後
、その電極面をドライフィルムレジスト又はマスキング
テープ等で覆い、貫通孔１１ａの孔壁端部に対応する不
要アルミニウムを除去して電子引出し電極１２３を形成
する。
述例と同様にして基板１１を作成し、基板１１の微細孔
１１ａの孔径を例えば０．３μｍ程度に広げる。次いで
、この基板１１を、図１４に示すように角度θ１だけ傾
け、その状態で仕事関数の低い金属（例えば、タングス
テン）を基板１１の一面側から蒸着して基板１１の一面
側に電子放出電極共通ライン１１６を形成するとともに
、各貫通孔１１ａの一部に電子放出電極１２１を形成す
る。次いで、基板１１を反転させ、基板１１を傾けない
で基板１１の他面側からアルミニウム等の金属をスパッ
タリングし、引出し電極共通ライン１１５を形成した後
、その電極面をドライフィルムレジスト又はマスキング
テープ等で覆い、貫通孔１１ａの孔壁端部に対応する不
要アルミニウムを除去して電子引出し電極１２３を形成
する。
【００３８】このように本実施例においては、基板１１
に形成された複数の微細孔１１７の孔壁に沿って電子放
出素子１２０が形成され、基板１１が陽極酸化膜で構成
されるから、上述例と同様な効果を得ることができる。 さらに、電子放出素子１２０は、基板１１の微細孔１１
７の孔壁に沿って電子放出電極１２１がパターン状（所
定形状の膜状）に形成されるから、電極１２１、１２３
の構成がきわめて簡単なものになり、製造コストも安価
になる。
に形成された複数の微細孔１１７の孔壁に沿って電子放
出素子１２０が形成され、基板１１が陽極酸化膜で構成
されるから、上述例と同様な効果を得ることができる。 さらに、電子放出素子１２０は、基板１１の微細孔１１
７の孔壁に沿って電子放出電極１２１がパターン状（所
定形状の膜状）に形成されるから、電極１２１、１２３
の構成がきわめて簡単なものになり、製造コストも安価
になる。
【００３９】図２８は請求項１〜３、６に係る本発明の
第７実施例を示す図である。なお、上述例の部材と同一
構成又はそれに相当する構成の部材については同一符号
を付してその構成の具体的説明を省略する。第７実施例
の電子放出素子集積基板は、図２８に示すように、絶縁
材、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）からなる陽
極酸化膜としての基板１３１と、この基板１３１の上下
面に設けられた２つの配線層１３２、１３３（全体は図
示していない）を有している。配線層１３２は、例えば
金（Ａｕ）から形成され、引出し電極共通ラインとなっ
ている。配線層１３３は、例えばアルミニウム（Ａｌ）
から形成され、電子放出電極共通ラインとなっている。 また、基板１３１及び配線層１３２、１３３には複数の
有底の微細孔１３７が形成されており、複数の微細孔１
３７のそれぞれの孔壁の全部に、電子放出素子１５０
が形成されている。
第７実施例を示す図である。なお、上述例の部材と同一
構成又はそれに相当する構成の部材については同一符号
を付してその構成の具体的説明を省略する。第７実施例
の電子放出素子集積基板は、図２８に示すように、絶縁
材、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）からなる陽
極酸化膜としての基板１３１と、この基板１３１の上下
面に設けられた２つの配線層１３２、１３３（全体は図
示していない）を有している。配線層１３２は、例えば
金（Ａｕ）から形成され、引出し電極共通ラインとなっ
ている。配線層１３３は、例えばアルミニウム（Ａｌ）
から形成され、電子放出電極共通ラインとなっている。 また、基板１３１及び配線層１３２、１３３には複数の
有底の微細孔１３７が形成されており、複数の微細孔１
３７のそれぞれの孔壁の全部に、電子放出素子１５０
が形成されている。
【００４０】この電子放出素子１５０ は、基板１３１
の微細孔１３７の底壁部１３７ａに沿って設けられた例
えばアルミニウム（Ａｌ）からなる電子放出電極１５１
と、基板１３１の微細孔１３７の孔壁に沿い配線層１３
２側から配線層１３３側に向かって突出した金（Ａｕ）
よりなる電子引出し電極１５３とを有しており、両電極
１５１、１５３の間に薄い絶縁層として底壁部１３７ａ
を介在させた電子放出部１５５が構成されている。すな
わち、本実施例の電子放出素子１５０ は、ＭＩＭ型（
メタル・インシュレータ・メタル型）の電子放出素子で
あるとともに、その各層１５１ 、１３１（１３７ａ）
、１５３ が微細孔１３７の延在方向に隣接するもので
あり、それによって微細孔１３７の孔壁に沿う電子放出
素子１５０ が構成されている。
の微細孔１３７の底壁部１３７ａに沿って設けられた例
えばアルミニウム（Ａｌ）からなる電子放出電極１５１
と、基板１３１の微細孔１３７の孔壁に沿い配線層１３
２側から配線層１３３側に向かって突出した金（Ａｕ）
よりなる電子引出し電極１５３とを有しており、両電極
１５１、１５３の間に薄い絶縁層として底壁部１３７ａ
を介在させた電子放出部１５５が構成されている。すな
わち、本実施例の電子放出素子１５０ は、ＭＩＭ型（
メタル・インシュレータ・メタル型）の電子放出素子で
あるとともに、その各層１５１ 、１３１（１３７ａ）
、１５３ が微細孔１３７の延在方向に隣接するもので
あり、それによって微細孔１３７の孔壁に沿う電子放出
素子１５０ が構成されている。
【００４１】次に、その製造方法を説明する。まず、基
板１３１を作成する場合、詳細は図示しないが、厚さ１
０〜１００μｍのアルミニウム基板を１０％の硫酸溶液
中で印加電圧２０Ｖにて陽極酸化する。次いで、この基
板を硫酸溶液中に５〜６０分放置して微細孔１３７の孔
底部を（特に内側から）薄くすし、この基板をホウ酸中
に浸し１０Ｖ以下で陽極酸化を行って絶縁層としての微
細孔１３７の孔底部の膜厚さを１０ｎｍ程度とする。次
いで、微細孔１３７の開口側から金（Ａｕ）をスパッタ
し、微細孔１３７に沿って金からなる電子引出し電極１
５３を形成する。次いで、基板１３１の微細孔１３７の
開口部側の面をガラスに接着し、塩酸溶液にて微細孔１
３７の孔底部側のアルミニウムを除去した後、孔底部１
３７ａにアルミニウム（Ａｌ）の膜を所定の膜厚に成膜
すると、ＭＩＭ型の電子放出素子１５０ ができあがる
。
板１３１を作成する場合、詳細は図示しないが、厚さ１
０〜１００μｍのアルミニウム基板を１０％の硫酸溶液
中で印加電圧２０Ｖにて陽極酸化する。次いで、この基
板を硫酸溶液中に５〜６０分放置して微細孔１３７の孔
底部を（特に内側から）薄くすし、この基板をホウ酸中
に浸し１０Ｖ以下で陽極酸化を行って絶縁層としての微
細孔１３７の孔底部の膜厚さを１０ｎｍ程度とする。次
いで、微細孔１３７の開口側から金（Ａｕ）をスパッタ
し、微細孔１３７に沿って金からなる電子引出し電極１
５３を形成する。次いで、基板１３１の微細孔１３７の
開口部側の面をガラスに接着し、塩酸溶液にて微細孔１
３７の孔底部側のアルミニウムを除去した後、孔底部１
３７ａにアルミニウム（Ａｌ）の膜を所定の膜厚に成膜
すると、ＭＩＭ型の電子放出素子１５０ ができあがる
。
【００４２】このように、本実施例においては、基板１
１に形成された複数の微細孔１３７の孔壁に沿って電子
放出電極１０１が形成され、多数の電子放出素子１５０
が３次元的に配設され、さらに、基板１１が陽極酸化膜
で構成されるから、上述例と同様な効果を得ることがで
きる。
１に形成された複数の微細孔１３７の孔壁に沿って電子
放出電極１０１が形成され、多数の電子放出素子１５０
が３次元的に配設され、さらに、基板１１が陽極酸化膜
で構成されるから、上述例と同様な効果を得ることがで
きる。
【００４３】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、基板の微
細孔の孔壁に沿って電子放出素子が形成されるので、基
板面のほとんどを配線に使用することができ、電子放出
素子集積基板の高集積化を実現することができる。請求
項２記載の発明によれば、基板が陽極酸化膜で構成され
るので、その微細孔の孔径およびピッチが非常に小さく
なって大幅な高集積化を達成することができるとともに
、その基板製造コストを低減させることができる。
細孔の孔壁に沿って電子放出素子が形成されるので、基
板面のほとんどを配線に使用することができ、電子放出
素子集積基板の高集積化を実現することができる。請求
項２記載の発明によれば、基板が陽極酸化膜で構成され
るので、その微細孔の孔径およびピッチが非常に小さく
なって大幅な高集積化を達成することができるとともに
、その基板製造コストを低減させることができる。
【００４４】請求項３記載の発明によれば、微細孔の孔
壁に沿って形成される前記電子放出素子がＭ・Ｉ・Ｍ型
のものであるので、その電子放出素子の作成にフォトプ
ロセスを必要とせず、その製造コストを低減させること
ができる。請求項４記載の発明によれば、電子放出素子
が平面的な電子放出電極と引出し電極とを有するので、
その構成をきわめて簡単なものにするとともに、製造コ
ストもより低減させることができる。
壁に沿って形成される前記電子放出素子がＭ・Ｉ・Ｍ型
のものであるので、その電子放出素子の作成にフォトプ
ロセスを必要とせず、その製造コストを低減させること
ができる。請求項４記載の発明によれば、電子放出素子
が平面的な電子放出電極と引出し電極とを有するので、
その構成をきわめて簡単なものにするとともに、製造コ
ストもより低減させることができる。
【００４５】請求項５記載の発明によれば、微細孔の孔
壁に沿って形成される電子放出素子が表面伝導型である
ので、微細孔の孔壁にその電子放出素子を容易に形成す
ることができる。請求項６記載の発明によれば、微細孔
の孔壁に沿って形成される前記電子放出素子孔壁に沿う
引出し電極と該電極に近接する円錐状の電子放出電極と
を有するので、その電子放出素子の作成にフォトプロセ
スを必要とせず、製造コストを低減させることができる
。
壁に沿って形成される電子放出素子が表面伝導型である
ので、微細孔の孔壁にその電子放出素子を容易に形成す
ることができる。請求項６記載の発明によれば、微細孔
の孔壁に沿って形成される前記電子放出素子孔壁に沿う
引出し電極と該電極に近接する円錐状の電子放出電極と
を有するので、その電子放出素子の作成にフォトプロセ
スを必要とせず、製造コストを低減させることができる
。
【００４６】請求項７記載の発明によれば、電子放出素
子の電子放出電極が針状に構成されるので、電界が集中
し易く、放電効率の高い電子放出素子を実現することが
できる。請求項８記載の発明によれば、前記基板の微細
孔の孔壁に沿って電子放出電極をパターン状に形成して
いるので、その電極の構成をきわめて簡単なものにして
製造コストを低減させることができる。
子の電子放出電極が針状に構成されるので、電界が集中
し易く、放電効率の高い電子放出素子を実現することが
できる。請求項８記載の発明によれば、前記基板の微細
孔の孔壁に沿って電子放出電極をパターン状に形成して
いるので、その電極の構成をきわめて簡単なものにして
製造コストを低減させることができる。
【図１】本発明の電子放出素子集積基板の第１実施例の
概略構成を示す斜視図である。
概略構成を示す斜視図である。
【図２】第１実施例の電極共通ラインを示す斜視図であ
る。
る。
【図３】第１実施例の部分拡大斜視図である。
【図４】第１実施例の部分拡大断面図である。
【図５】第１実施例の電子放出素子を示す拡大斜視図で
ある。
ある。
【図６】第１実施例の電子放出素子の電極を形成する工
程の説明図である。
程の説明図である。
【図７】本発明の電子放出素子集積基板の第２実施例を
示す図であり、その電子放出電極側を上面とする要部拡
大斜視図である。
示す図であり、その電子放出電極側を上面とする要部拡
大斜視図である。
【図８】その電子引出し電極側を上面とする第２実施例
の要部拡大斜視図である。
の要部拡大斜視図である。
【図９】第２実施例の微細孔の孔内透視図である。
【図１０】第２実施例の孔壁に設けられる平面的な電子
放出素子の一態様を示す斜視図である。
放出素子の一態様を示す斜視図である。
【図１１】その平面的な電子放出素子の動作原理図であ
る。
る。
【図１２】第２実施例の孔壁に設けられる平面的な電子
放出素子の他の態様を示すその微細孔の孔壁の概略斜視
図である。
放出素子の他の態様を示すその微細孔の孔壁の概略斜視
図である。
【図１３】その孔壁に設けられる平面的な電子放出素子
の電極形状を示す図である。
の電極形状を示す図である。
【図１４】図１０に示す電子放出素子の電子放出電極を
形成する工程の説明図である。
形成する工程の説明図である。
【図１５】図１０に示す電子放出素子の電子引出し電極
を形成する工程の説明図である。
を形成する工程の説明図である。
【図１６】図１２、図１３に示す電子放出素子の電子放
出電極を形成する工程の説明図である。
出電極を形成する工程の説明図である。
【図１７】図１２、図１３に示す電子放出素子の電子引
出し電極を形成する工程の説明図である。
出し電極を形成する工程の説明図である。
【図１８】本発明の電子放出素子集積基板の第３実施例
の要部拡大斜視図である。
の要部拡大斜視図である。
【図１９】第３実施例の電子放出素子の拡大断面図であ
る。
る。
【図２０】その電子放出素子の動作原理図である。
【図２１】本発明の電子放出素子集積基板の第４実施例
の要部拡大断面図である。
の要部拡大断面図である。
【図２２】第４実施例の基板の微細孔内に電子放出電極
を形成するための金属を埋め込むまでの工程説明図であ
る。
を形成するための金属を埋め込むまでの工程説明図であ
る。
【図２３】その埋め込み金属から電子放出電極を形成す
る工程の説明図である。
る工程の説明図である。
【図２４】第４実施例の電子引出し電極を形成する工程
の説明図である。
の説明図である。
【図２５】本発明の電子放出素子集積基板の第５実施例
の要部拡大断面図である。
の要部拡大断面図である。
【図２６】本発明の電子放出素子集積基板の第６実施例
の要部拡大断面図である。
の要部拡大断面図である。
【図２７】第６実施例の電子放出素子集積基板の要部拡
大斜視図である。
大斜視図である。
【図２８】本発明の電子放出素子集積基板の第７実施例
の要部拡大断面図である。
の要部拡大断面図である。
１１、５１、９１、１３１ 基板１７、３７、５
７、９７、１１７、１３７ 微細孔２０、４０、
６０、８０、１００、１２０、１５０ 電子放出
素子２１、１５１ 電子放出電極（メタル層）２
２、１３１ 絶縁層（絶縁層）２３、１５３
電子引出し電極（メタル層）４１ 平面的な
電子放出電極 ４３ 平面的な電子引出し電極 ８１ 円錐状の電子放出電極 ８３ 孔壁に沿う電子引出し電極１０１
針状の電子放出電極
７、９７、１１７、１３７ 微細孔２０、４０、
６０、８０、１００、１２０、１５０ 電子放出
素子２１、１５１ 電子放出電極（メタル層）２
２、１３１ 絶縁層（絶縁層）２３、１５３
電子引出し電極（メタル層）４１ 平面的な
電子放出電極 ４３ 平面的な電子引出し電極 ８１ 円錐状の電子放出電極 ８３ 孔壁に沿う電子引出し電極１０１
針状の電子放出電極
Claims (8)
- 【請求項１】板厚方向に延在する複数の微細孔を有する
基板を備え、該基板の微細孔の孔壁に沿って電子放出素
子を形成したことを特徴とする電子放出素子集積基板。 - 【請求項２】前記基板が、陽極酸化処理によって複数の
微細孔が形成された膜体からなることを特徴とする請求
項１記載の電子放出素子集積基板。 - 【請求項３】前記電子放出素子が、メタル・インシュレ
ータ・メタル型のものであることを特徴とする請求項１
又は２記載の電子放出素子集積基板。 - 【請求項４】前記電子放出素子が、平面的な電子放出電
極と引出し電極とを有することを特徴とする請求項１又
は２記載の電子放出素子集積基板。 - 【請求項５】前記電子放出素子が表面伝導型のものであ
ることを特徴とする請求項１又は２記載の電子放出素子
集積基板。 - 【請求項６】前記電子放出素子が、微細孔の孔壁に沿う
引出し電極と、該電極に近接する円錐状の電子放出電極
と、を有することを特徴とする請求項１又は２記載の電
子放出素子集積基板。 - 【請求項７】前記電子放出素子が、針状の電子放出素子
を有することを特徴とする請求項１又は２記載の電子放
出素子集積基板。 - 【請求項８】前記基板の微細孔の孔壁に、電子放出電極
がパターン状に形成されたことを特徴とする請求項１又
は２記載の電子放出素子集積基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2604291A JP3054205B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 電子放出素子集積基板 |
| US07/837,635 US5315206A (en) | 1991-02-20 | 1992-02-13 | Electron emission elements integrated substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2604291A JP3054205B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 電子放出素子集積基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04264337A true JPH04264337A (ja) | 1992-09-21 |
| JP3054205B2 JP3054205B2 (ja) | 2000-06-19 |
Family
ID=12182645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2604291A Expired - Fee Related JP3054205B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 電子放出素子集積基板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5315206A (ja) |
| JP (1) | JP3054205B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0619594A1 (en) * | 1993-04-05 | 1994-10-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron source and image-forming apparatus |
| JP2001236907A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-08-31 | Samsung Sdi Co Ltd | 隔壁リブを用いた３極管カーボンナノチューブ電界放出素子及びその製造方法 |
| WO2001071758A1 (fr) * | 2000-03-24 | 2001-09-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Source d'electrons et son procede de fabrication, et affichage plat a source d'electrons |
| JP2001357773A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-12-26 | Samsung Sdi Co Ltd | カーボンナノチューブを利用した電界放出アレイ及びその製造方法 |
| JP2011070919A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Toppan Printing Co Ltd | ナノ炭素材料複合基板製造方法、ナノ炭素材料複合基板、電子放出素子、電界電子放出型ランプ |
| JP2011124171A (ja) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | Toppan Printing Co Ltd | 発光装置 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07111868B2 (ja) * | 1993-04-13 | 1995-11-29 | 日本電気株式会社 | 電界放出冷陰極素子 |
| US5545946A (en) * | 1993-12-17 | 1996-08-13 | Motorola | Field emission display with getter in vacuum chamber |
| JP2766174B2 (ja) * | 1993-12-28 | 1998-06-18 | 日本電気株式会社 | 電界放出冷陰極とこれを用いた電子管 |
| US5731228A (en) * | 1994-03-11 | 1998-03-24 | Fujitsu Limited | Method for making micro electron beam source |
| JP3387617B2 (ja) * | 1994-03-29 | 2003-03-17 | キヤノン株式会社 | 電子源 |
| JP3267464B2 (ja) * | 1994-05-20 | 2002-03-18 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置 |
| US5831387A (en) | 1994-05-20 | 1998-11-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus and a method for manufacturing the same |
| GB9416754D0 (en) * | 1994-08-18 | 1994-10-12 | Isis Innovation | Field emitter structures |
| DE19602595A1 (de) * | 1996-01-25 | 1997-07-31 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung von Feldemissionsspitzen |
| DE69621017T2 (de) | 1996-10-04 | 2002-10-31 | St Microelectronics Srl | Herstellungsverfahren einer flachen Feldemissionsanzeige und nach diesem Verfahren hergestellte Anzeige |
| JP3631015B2 (ja) | 1997-11-14 | 2005-03-23 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子及びその製造方法 |
| GB2406435B (en) * | 2000-03-24 | 2005-05-11 | Toshiba Kk | Electron source device, method of manufacturing the same, and flat display apparatus comprising an electron source device |
| JP4830217B2 (ja) * | 2001-06-18 | 2011-12-07 | 日本電気株式会社 | 電界放出型冷陰極およびその製造方法 |
| KR100908712B1 (ko) * | 2003-01-14 | 2009-07-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 특성을 향상시킬 수 있는 에미터 배열 구조를갖는 전계 방출 표시 장치 |
| AU2003207066A1 (en) * | 2003-02-06 | 2004-08-30 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and method for producing the same, magnetic medium substrate being employed therein, and magnetic storage device |
| US7364769B2 (en) * | 2003-05-13 | 2008-04-29 | Ricoh Company, Ltd. | Apparatus and method for formation of a wiring pattern on a substrate, and electronic devices and producing methods thereof |
| JP4191567B2 (ja) * | 2003-09-18 | 2008-12-03 | 株式会社リコー | 導電性接着剤による接続構造体及びその製造方法 |
| DE102019123248A1 (de) * | 2019-08-29 | 2021-03-04 | Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg | Elektronenquelle zum Erzeugen eines Elektronenstrahls |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3735186A (en) * | 1971-03-10 | 1973-05-22 | Philips Corp | Field emission cathode |
| US4253221A (en) * | 1979-06-14 | 1981-03-03 | Georgia Tech Research Institute | Method of producing low voltage field emission cathode structure |
| FR2607623B1 (fr) * | 1986-11-27 | 1995-02-17 | Commissariat Energie Atomique | Source d'electrons polarises de spin, utilisant une cathode emissive a micropointes, application en physique des interactions electrons-matiere ou electrons-particules, physique des plasmas, microscopie electronique |
| JP3007654B2 (ja) * | 1990-05-31 | 2000-02-07 | 株式会社リコー | 電子放出素子の製造方法 |
| FR2663462B1 (fr) * | 1990-06-13 | 1992-09-11 | Commissariat Energie Atomique | Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes. |
-
1991
- 1991-02-20 JP JP2604291A patent/JP3054205B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-02-13 US US07/837,635 patent/US5315206A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0619594A1 (en) * | 1993-04-05 | 1994-10-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron source and image-forming apparatus |
| US5912531A (en) * | 1993-04-05 | 1999-06-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron source and image-forming apparatus |
| US6313571B1 (en) | 1993-04-05 | 2001-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron source and image-forming apparatus |
| US6409566B1 (en) | 1993-04-05 | 2002-06-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing an electron source and image forming apparatus using the same |
| JP2001236907A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-08-31 | Samsung Sdi Co Ltd | 隔壁リブを用いた３極管カーボンナノチューブ電界放出素子及びその製造方法 |
| JP4700200B2 (ja) * | 2000-02-15 | 2011-06-15 | 三星エスディアイ株式会社 | 隔壁リブを用いた３極管カーボンナノチューブ電界放出素子及びその製造方法 |
| GB2366073A (en) * | 2000-03-24 | 2002-02-27 | Toshiba Kk | Electron source method of manufacture thereof and flat display with electron source |
| US6670747B2 (en) | 2000-03-24 | 2003-12-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electron source device, method of manufacturing the same, and flat display apparatus comprising an electron source device |
| GB2366073B (en) * | 2000-03-24 | 2005-03-23 | Toshiba Kk | Electron source, method of manufacture thereof, and flat display with electron source |
| WO2001071758A1 (fr) * | 2000-03-24 | 2001-09-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Source d'electrons et son procede de fabrication, et affichage plat a source d'electrons |
| JP2001357773A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-12-26 | Samsung Sdi Co Ltd | カーボンナノチューブを利用した電界放出アレイ及びその製造方法 |
| JP2011070919A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Toppan Printing Co Ltd | ナノ炭素材料複合基板製造方法、ナノ炭素材料複合基板、電子放出素子、電界電子放出型ランプ |
| JP2011124171A (ja) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | Toppan Printing Co Ltd | 発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5315206A (en) | 1994-05-24 |
| JP3054205B2 (ja) | 2000-06-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04264337A (ja) | 電子放出素子集積基板 | |
| JP3007654B2 (ja) | 電子放出素子の製造方法 | |
| JPH05507579A (ja) | 集積真空超小型電子素子の製造方法及びその構造 | |
| EP1073090A2 (en) | Field emission display device using carbon nanotubes and manufacturing method thereof | |
| US5589728A (en) | Field emission device with lattice vacancy post-supported gate | |
| US5666024A (en) | Low capacitance field emission device with circular microtip array | |
| US5378182A (en) | Self-aligned process for gated field emitters | |
| JPH11329217A (ja) | 電界放出型カソードの製造方法 | |
| US6626720B1 (en) | Method of manufacturing vacuum gap dielectric field emission triode and apparatus | |
| KR100576733B1 (ko) | 일체형 3극구조 전계방출디스플레이 및 그 제조 방법 | |
| JP2737618B2 (ja) | 電界放出形電子源 | |
| JPH09106752A (ja) | 電子放出素子、電子放出素子アレイ、カソード板及びそれらの製造方法並びに平面表示装置 | |
| JPH05211029A (ja) | 電子放出素子及びその製造方法 | |
| JP3597739B2 (ja) | 電界放出型冷陰極及びその製造方法 | |
| JP2001291465A (ja) | 冷陰極及びその製造方法 | |
| JP2000243247A (ja) | 電子放出素子の製造方法 | |
| US6319082B1 (en) | Method of making an electron emission device by anode oxidation | |
| JPH0869749A (ja) | マイクロチップ電子源の製造方法 | |
| JP2001023506A (ja) | 電子放出源およびその製造方法ならびにディスプレイ装置 | |
| JPH07220619A (ja) | 冷陰極電極構造とその製造方法 | |
| US6027632A (en) | Multi-step removal of excess emitter material in fabricating electron-emitting device | |
| JP4217933B2 (ja) | 電子放出源及びその製造方法、並びにその電子放出源を用いたディスプレイ装置 | |
| JPH10221861A (ja) | マイクロエレクトロニクスにおいて使用可能な自己位置合わせ方法ならびにマイクロポイントフラットスクリーンのための焦点合わせ用グリッドの製造への応用 | |
| KR100720669B1 (ko) | 양면 발광이 가능한 스핀트형 3극관 전계방출소자 및 그제조방법 | |
| JP2000348601A (ja) | 電子放出源及びその製造方法、並びにその電子放出源を用いたディスプレイ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |