JPH05211029A - 電子放出素子及びその製造方法 - Google Patents
電子放出素子及びその製造方法Info
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- JPH05211029A JPH05211029A JP1562892A JP1562892A JPH05211029A JP H05211029 A JPH05211029 A JP H05211029A JP 1562892 A JP1562892 A JP 1562892A JP 1562892 A JP1562892 A JP 1562892A JP H05211029 A JPH05211029 A JP H05211029A
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- electron
- film
- electrode
- emitting device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、電子放出素子及びその製造方法に
関し、電子放出を行う針状カソード電極の密度を高くす
ることにより単位面積当りの電子放出量を大きくするこ
とができる電子放出素子及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。 【構成】 Ａｌ表面層を含む金属積層膜のＡｌ膜が陽極
酸化されて微細孔を有するＡｌ陽極酸化膜が形成され、
該Ａｌ陽極酸化膜の微細孔内に電解析出により円柱状電
極が形成されてなるように構成する。
関し、電子放出を行う針状カソード電極の密度を高くす
ることにより単位面積当りの電子放出量を大きくするこ
とができる電子放出素子及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。 【構成】 Ａｌ表面層を含む金属積層膜のＡｌ膜が陽極
酸化されて微細孔を有するＡｌ陽極酸化膜が形成され、
該Ａｌ陽極酸化膜の微細孔内に電解析出により円柱状電
極が形成されてなるように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子放出素子及びその
製造方法に係り、詳しくは、フラットＣＲＴ、高速電子
素子等に適用することができ、特に電子放出を行う針状
カソード電極の密度を高くして単位面積当りの電子放出
量を大きくすることができる電子放出素子及びその製造
方法に関する。
製造方法に係り、詳しくは、フラットＣＲＴ、高速電子
素子等に適用することができ、特に電子放出を行う針状
カソード電極の密度を高くして単位面積当りの電子放出
量を大きくすることができる電子放出素子及びその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電子放出素子については、例えば
特開平２−２５０２３３号公報で報告されたものがあ
り、ここでは、重ね合わせ体を陰極材料層パターンの線
状部分を横切るように切断するだけで、陰極材料がアレ
イ状に分布して露出したアレイ基体が得られ、しかも、
電子引出用窓や引出電極が、各陰極材料の露出面に選択
的に形成しておいたマスクの除去に伴い、その上の金属
層が除去されることにより形成されるため、困難であっ
た斜蒸着と正蒸着の同時制御が不要となり、しかも、電
子引出用窓と陰極の位置合わせが極めて簡単に精度良く
行うことができるという利点を有する。
特開平２−２５０２３３号公報で報告されたものがあ
り、ここでは、重ね合わせ体を陰極材料層パターンの線
状部分を横切るように切断するだけで、陰極材料がアレ
イ状に分布して露出したアレイ基体が得られ、しかも、
電子引出用窓や引出電極が、各陰極材料の露出面に選択
的に形成しておいたマスクの除去に伴い、その上の金属
層が除去されることにより形成されるため、困難であっ
た斜蒸着と正蒸着の同時制御が不要となり、しかも、電
子引出用窓と陰極の位置合わせが極めて簡単に精度良く
行うことができるという利点を有する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の電子放出素子では、導電部を形成する際、フォ
トエッチング法を用いていたため、各電極部の微細化を
行うのが困難であった。また、絶縁基板の積み重ねを行
っているため、絶縁基板間の電極間距離が大きくなって
しまっていた。
た従来の電子放出素子では、導電部を形成する際、フォ
トエッチング法を用いていたため、各電極部の微細化を
行うのが困難であった。また、絶縁基板の積み重ねを行
っているため、絶縁基板間の電極間距離が大きくなって
しまっていた。
【０００４】このため、針状カソード電極間距離が大き
く（電極の密度が低いため）、単位面積当りの電子放出
量を大きくすることができないという問題があった。そ
こで本発明は、電子放出を行う針状カソード電極の密度
を高くすることにより単位面積当りの電子放出量を大き
くすることができる電子放出素子及びその製造方法を提
供することを目的としている。
く（電極の密度が低いため）、単位面積当りの電子放出
量を大きくすることができないという問題があった。そ
こで本発明は、電子放出を行う針状カソード電極の密度
を高くすることにより単位面積当りの電子放出量を大き
くすることができる電子放出素子及びその製造方法を提
供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
Ａｌ表面層を含む金属積層膜のＡｌ膜が陽極酸化されて
微細孔を有するＡｌ陽極酸化膜が形成され、該Ａｌ陽極
酸化膜の微細孔内に電解析出により円柱状電極が形成さ
れてなることを特徴とするものである。請求項２記載の
発明は、請求項１記載の発明において、前記金属積層膜
は、金属板上にＡｌ薄膜が形成された構造であることを
特徴とするものである。
Ａｌ表面層を含む金属積層膜のＡｌ膜が陽極酸化されて
微細孔を有するＡｌ陽極酸化膜が形成され、該Ａｌ陽極
酸化膜の微細孔内に電解析出により円柱状電極が形成さ
れてなることを特徴とするものである。請求項２記載の
発明は、請求項１記載の発明において、前記金属積層膜
は、金属板上にＡｌ薄膜が形成された構造であることを
特徴とするものである。
【０００６】請求項３記載の発明は、請求項１記載の発
明において、前記金属積層膜は、絶縁基板上にＡｌ薄膜
表面層を含む少なくとも２層以上の金属薄膜層が形成さ
れた構造であることを特徴とするものである。請求項４
記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記Ａｌ
陽極酸化膜表面にゲート電極が形成され、該ゲート電極
開口部のみに円柱状電極が形成され、該円柱状電極近傍
の該Ａｌ陽極酸化膜がエッチングされて少なくとも１個
以上の円柱状電極を１つの電子放出素子とすることを特
徴とするものである。
明において、前記金属積層膜は、絶縁基板上にＡｌ薄膜
表面層を含む少なくとも２層以上の金属薄膜層が形成さ
れた構造であることを特徴とするものである。請求項４
記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記Ａｌ
陽極酸化膜表面にゲート電極が形成され、該ゲート電極
開口部のみに円柱状電極が形成され、該円柱状電極近傍
の該Ａｌ陽極酸化膜がエッチングされて少なくとも１個
以上の円柱状電極を１つの電子放出素子とすることを特
徴とするものである。
【０００７】請求項５記載の発明は、微細孔を有するＡ
ｌ陽極酸化膜上に金属薄膜を形成する工程と、次いで、
該金属薄膜をエッチングして該微細孔が露出された開口
部を有する金属薄膜パターンを形成する工程と、次い
で、電解析出により該開口部内の該微細孔内に円柱状電
極を形成する工程と、次いで、該円柱状電極近傍の該Ａ
ｌ陽極酸化膜をエッチングする工程とを含むことを特徴
とするものである。
ｌ陽極酸化膜上に金属薄膜を形成する工程と、次いで、
該金属薄膜をエッチングして該微細孔が露出された開口
部を有する金属薄膜パターンを形成する工程と、次い
で、電解析出により該開口部内の該微細孔内に円柱状電
極を形成する工程と、次いで、該円柱状電極近傍の該Ａ
ｌ陽極酸化膜をエッチングする工程とを含むことを特徴
とするものである。
【０００８】請求項６記載の発明は、請求項５記載の発
明において、前記円柱状電極近傍の前記Ａｌ陽極酸化膜
のエッチングを該円柱状電極の先端が表面に出る状態で
ストップさせることを特徴とするものである。
明において、前記円柱状電極近傍の前記Ａｌ陽極酸化膜
のエッチングを該円柱状電極の先端が表面に出る状態で
ストップさせることを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】請求項１記載の発明では、Ａｌ表面層を含む金
属積層膜を用いてＡｌ膜を陽極酸化して微細孔を有する
Ａｌ陽極酸化膜を形成した後、他の金属層を電極として
微細孔内に電解析出により円柱状電極を形成して構成し
たため、その金属層を電子放出側カソード電極とするこ
とができ、電子放出素子の製造工程を容易にすることが
できる。そして、Ａｌ陽極酸化膜は１μｍ以下（0.数μ
ｍ）のピッチで微細孔を有しているため、孔内に形成さ
れた円柱状電極を高密度で形成することができる。この
ため、単位面積当りの電子放出量を高くすることができ
る他、円柱状電極径が非常に小さいため、針先端加工を
不要とすることができ、製造工程を容易にすることがで
きる。
属積層膜を用いてＡｌ膜を陽極酸化して微細孔を有する
Ａｌ陽極酸化膜を形成した後、他の金属層を電極として
微細孔内に電解析出により円柱状電極を形成して構成し
たため、その金属層を電子放出側カソード電極とするこ
とができ、電子放出素子の製造工程を容易にすることが
できる。そして、Ａｌ陽極酸化膜は１μｍ以下（0.数μ
ｍ）のピッチで微細孔を有しているため、孔内に形成さ
れた円柱状電極を高密度で形成することができる。この
ため、単位面積当りの電子放出量を高くすることができ
る他、円柱状電極径が非常に小さいため、針先端加工を
不要とすることができ、製造工程を容易にすることがで
きる。
【００１０】請求項２記載の発明では、金属積層膜を金
属板上にＡｌ薄膜が形成された構造としており、このよ
うにＡｌを薄膜で形成して構成したため、膜厚管理が容
易な薄いＡｌ陽極酸化膜を得ることができ、孔内に形成
された円柱状電極とＡｌ陽極酸化膜表面との距離を精密
制御することができる。このため、Ａｌ陽極酸化膜上に
ゲート電極を形成した場合の円柱状電極とゲート電極と
の距離、あるいは針状電極とアノード電極との距離を一
定（電解分布を一定）とすることができ、電子放出効率
を一定化することができる。
属板上にＡｌ薄膜が形成された構造としており、このよ
うにＡｌを薄膜で形成して構成したため、膜厚管理が容
易な薄いＡｌ陽極酸化膜を得ることができ、孔内に形成
された円柱状電極とＡｌ陽極酸化膜表面との距離を精密
制御することができる。このため、Ａｌ陽極酸化膜上に
ゲート電極を形成した場合の円柱状電極とゲート電極と
の距離、あるいは針状電極とアノード電極との距離を一
定（電解分布を一定）とすることができ、電子放出効率
を一定化することができる。
【００１１】請求項３記載の発明では、金属積層膜を絶
縁基板上にＡｌ薄膜表面層を含む少なくとも２層以上の
金属薄膜層が形成された構造としており、このように金
属積層膜を絶縁基板上に薄膜形成して構成したため、微
細なブロック状電子放出部を形成することができる。こ
のため、電子放出素子の駆動を容易にすることができ
る。
縁基板上にＡｌ薄膜表面層を含む少なくとも２層以上の
金属薄膜層が形成された構造としており、このように金
属積層膜を絶縁基板上に薄膜形成して構成したため、微
細なブロック状電子放出部を形成することができる。こ
のため、電子放出素子の駆動を容易にすることができ
る。
【００１２】請求項４記載の発明では、前記Ａｌ陽極酸
化膜表面にゲート電極が形成され、該ゲート電極開口部
のみに円柱状電極が形成され、円柱状電極近傍のＡｌ陽
極酸化膜がエッチングされて少なくとも１個以上の円柱
状電極を１つの電子放出素子とする構造としており、こ
のようにエッチングにより円柱状電極先端を突出させて
構成したため、円柱エッジ部での電界分布を強くするこ
とができ、電子放出効率を高くすることができるうえ、
Ａｌ陽極酸化膜上に電子放出部に対応したゲート電極を
効率良く形成することができる。
化膜表面にゲート電極が形成され、該ゲート電極開口部
のみに円柱状電極が形成され、円柱状電極近傍のＡｌ陽
極酸化膜がエッチングされて少なくとも１個以上の円柱
状電極を１つの電子放出素子とする構造としており、こ
のようにエッチングにより円柱状電極先端を突出させて
構成したため、円柱エッジ部での電界分布を強くするこ
とができ、電子放出効率を高くすることができるうえ、
Ａｌ陽極酸化膜上に電子放出部に対応したゲート電極を
効率良く形成することができる。
【００１３】請求項５記載の発明では、上記請求項４記
載の電子放出素子を容易な製造工程で形成することがで
きる。請求項６記載の発明では、円柱状電極先端が突出
した状態でＡｌ陽極酸化膜のエッチングを終了させるよ
うにしたため、硫酸浴等で形成された 0.0数μｍ径の微
細孔を有するＡｌ陽極酸化膜孔内に形成された円柱状電
極（ 0.0数μｍ径) が倒れて隣接円柱状電極と接触する
ことを防ぐことができる。
載の電子放出素子を容易な製造工程で形成することがで
きる。請求項６記載の発明では、円柱状電極先端が突出
した状態でＡｌ陽極酸化膜のエッチングを終了させるよ
うにしたため、硫酸浴等で形成された 0.0数μｍ径の微
細孔を有するＡｌ陽極酸化膜孔内に形成された円柱状電
極（ 0.0数μｍ径) が倒れて隣接円柱状電極と接触する
ことを防ぐことができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。 （第１実施例）図１は本発明の第１実施例に則した電子
放出素子の構造を示す断面図である。図１において、１
はＮｉ等の金属層であり、２は微細孔２ａを有するＡｌ
陽極酸化膜であり、３は微細孔２ａ内に電解析出により
形成された円柱状電極である。
放出素子の構造を示す断面図である。図１において、１
はＮｉ等の金属層であり、２は微細孔２ａを有するＡｌ
陽極酸化膜であり、３は微細孔２ａ内に電解析出により
形成された円柱状電極である。
【００１５】次に、その電子放出素子の製造方法を説明
する。まず、Ｎｉ金属層１上にＡｌをスパッタしてＡｌ
層を形成した後、Ａｌ層を陽極酸化して微細孔２ａを有
するＡｌ陽極酸化膜２を形成する。そして、金属層１を
電極とし、電解析出により微細孔２ａ内に円柱状電極３
を形成することにより、図１に示すようなＮｉ金属層１
をカソード電極として円柱状電極３から電子を放出させ
ることができる電子放出素子を得ることができる。
する。まず、Ｎｉ金属層１上にＡｌをスパッタしてＡｌ
層を形成した後、Ａｌ層を陽極酸化して微細孔２ａを有
するＡｌ陽極酸化膜２を形成する。そして、金属層１を
電極とし、電解析出により微細孔２ａ内に円柱状電極３
を形成することにより、図１に示すようなＮｉ金属層１
をカソード電極として円柱状電極３から電子を放出させ
ることができる電子放出素子を得ることができる。
【００１６】このように、本実施例では、Ａｌ表面層を
含む金属積層膜を用いてＡｌ膜を陽極酸化して微細孔２
ａを有するＡｌ陽極酸化膜２を形成した後、他の金属層
１を電極として微細孔２ａ内に電解析出により円柱状電
極３を形成して構成したため、その金属層１を電子放出
側カソード電極とすることができ、電子放出素子の製造
工程を容易にすることができる。そして、Ａｌ陽極酸化
膜２は１μｍ以下（0.数μｍ）のピッチで微細孔２ａを
有しているため、孔２ａ内に形成された円柱状電極３を
高密度で形成することができる。このため、単位面積当
りの電子放出量を高くすることができる他、円柱状電極
径が非常に小さいため、針先端加工も不要とすることが
でき、製造工程を容易にすることができる。
含む金属積層膜を用いてＡｌ膜を陽極酸化して微細孔２
ａを有するＡｌ陽極酸化膜２を形成した後、他の金属層
１を電極として微細孔２ａ内に電解析出により円柱状電
極３を形成して構成したため、その金属層１を電子放出
側カソード電極とすることができ、電子放出素子の製造
工程を容易にすることができる。そして、Ａｌ陽極酸化
膜２は１μｍ以下（0.数μｍ）のピッチで微細孔２ａを
有しているため、孔２ａ内に形成された円柱状電極３を
高密度で形成することができる。このため、単位面積当
りの電子放出量を高くすることができる他、円柱状電極
径が非常に小さいため、針先端加工も不要とすることが
でき、製造工程を容易にすることができる。
【００１７】また、本実施例では、金属積層膜を金属層
１上にＡｌ薄膜が形成された構造としており、このよう
にＡｌを薄膜で形成して構成したため、膜厚管理が容易
な薄いＡｌ陽極酸化膜２を得ることができ、孔２ａ内に
形成された円柱状電極３とＡｌ陽極酸化膜２表面との距
離を精密制御することができる。このため、Ａｌ陽極酸
化膜２上にゲート電極を形成した場合の円柱状電極３と
ゲート電極との距離、あるいは針状電極とアノード電極
との距離を一定（電解分布を一定）とすることができ、
電子放出効率を一定化することができる。 （第２実施例）図２は本発明の第２実施例に則した電子
放出素子の構造を示す断面図であり、図２（ｂ）は図２
（ａ）のＡ部分の拡大図である。図２において、図１と
同一符号は同一または相当部分を示し、４はガラス基板
であり、５はガラス基板４上に形成されたＡｕ等からな
る金属層である。
１上にＡｌ薄膜が形成された構造としており、このよう
にＡｌを薄膜で形成して構成したため、膜厚管理が容易
な薄いＡｌ陽極酸化膜２を得ることができ、孔２ａ内に
形成された円柱状電極３とＡｌ陽極酸化膜２表面との距
離を精密制御することができる。このため、Ａｌ陽極酸
化膜２上にゲート電極を形成した場合の円柱状電極３と
ゲート電極との距離、あるいは針状電極とアノード電極
との距離を一定（電解分布を一定）とすることができ、
電子放出効率を一定化することができる。 （第２実施例）図２は本発明の第２実施例に則した電子
放出素子の構造を示す断面図であり、図２（ｂ）は図２
（ａ）のＡ部分の拡大図である。図２において、図１と
同一符号は同一または相当部分を示し、４はガラス基板
であり、５はガラス基板４上に形成されたＡｕ等からな
る金属層である。
【００１８】次に、その電子放出素子の製造方法を説明
する。まず、ガラス基板４上にＡｕ金属層５及びＡｌ薄
膜を形成し、両薄膜をブロックパターン状にパターニン
グした後、Ａｌ薄膜を陽極酸化して微細孔２ａを有する
Ａｌ陽極酸化膜２を形成する。そして、Ａｕ金属層５を
電極とし、電解析出により微細孔２ａ内に円柱状電極３
を形成することにより図２（ａ）、（ｂ）に示すような
電子放出素子を得ることができる。ここでは、ブロック
状に形成された電子放出部がＡｕ金属層５をカソード電
極として形成されており、Ａｕ金属層５電極の電位をＯ
Ｎ、ＯＦＦすることによりカソード電極側での電子放出
制御を行うことができる。
する。まず、ガラス基板４上にＡｕ金属層５及びＡｌ薄
膜を形成し、両薄膜をブロックパターン状にパターニン
グした後、Ａｌ薄膜を陽極酸化して微細孔２ａを有する
Ａｌ陽極酸化膜２を形成する。そして、Ａｕ金属層５を
電極とし、電解析出により微細孔２ａ内に円柱状電極３
を形成することにより図２（ａ）、（ｂ）に示すような
電子放出素子を得ることができる。ここでは、ブロック
状に形成された電子放出部がＡｕ金属層５をカソード電
極として形成されており、Ａｕ金属層５電極の電位をＯ
Ｎ、ＯＦＦすることによりカソード電極側での電子放出
制御を行うことができる。
【００１９】本実施例では、金属積層膜を絶縁ガラス基
板４上にＡｌ薄膜表面層を含む金属薄膜層が形成された
構造としており、このように金属積層膜を絶縁ガラス基
板４上に薄膜形成して構成したため、微細なブロック状
電子放出部を形成することができる。このため、電子放
出素子の駆動を容易にすることができる。 （第３実施例）図３は本発明の第３実施例に則した電子
放出素子の製造方法を説明する図であり、図３（ｅ）は
図３（ｆ）のＢ部分の拡大図である。図３において、図
１、２と同一符号は同一または相当部分を示し、２ｂは
Ａｌ薄膜であり、６、７は各々ゲート電極となる金属薄
膜パターン、レジストマスクであり、８は金属薄膜パタ
ーン６に形成された開口部である。
板４上にＡｌ薄膜表面層を含む金属薄膜層が形成された
構造としており、このように金属積層膜を絶縁ガラス基
板４上に薄膜形成して構成したため、微細なブロック状
電子放出部を形成することができる。このため、電子放
出素子の駆動を容易にすることができる。 （第３実施例）図３は本発明の第３実施例に則した電子
放出素子の製造方法を説明する図であり、図３（ｅ）は
図３（ｆ）のＢ部分の拡大図である。図３において、図
１、２と同一符号は同一または相当部分を示し、２ｂは
Ａｌ薄膜であり、６、７は各々ゲート電極となる金属薄
膜パターン、レジストマスクであり、８は金属薄膜パタ
ーン６に形成された開口部である。
【００２０】次に、その電子放出素子の製造方法を説明
する。まず、図３（ａ）に示すように、ガラス基板４上
にＡｕ金属層５及びＡｌ薄膜２ｂを形成した後、図３
（ｂ）に示すように、Ａｌ薄膜２ｂを陽極酸化して微細
孔２ａを有するＡｌ陽極酸化膜２を形成する。次に、図
３（ｃ）に示すように、Ａｌ陽極酸化膜２上にゲート電
極となる金属薄膜を形成し、金属薄膜上にレジストマス
ク７を形成した後、このレジストマスク７を用い、金属
薄膜をエッチングして微細孔２ａが露出された開口部８
を有する金属薄膜パターン６を形成する。
する。まず、図３（ａ）に示すように、ガラス基板４上
にＡｕ金属層５及びＡｌ薄膜２ｂを形成した後、図３
（ｂ）に示すように、Ａｌ薄膜２ｂを陽極酸化して微細
孔２ａを有するＡｌ陽極酸化膜２を形成する。次に、図
３（ｃ）に示すように、Ａｌ陽極酸化膜２上にゲート電
極となる金属薄膜を形成し、金属薄膜上にレジストマス
ク７を形成した後、このレジストマスク７を用い、金属
薄膜をエッチングして微細孔２ａが露出された開口部８
を有する金属薄膜パターン６を形成する。
【００２１】次いで、金属層５を電極とし、電解析出に
より開口部８内の微細孔２ａ内に円柱状電極３を形成す
る。そして、円柱状電極３近傍のＡｌ陽極酸化膜２をエ
ッチングした後、レジストマスク７を剥離することによ
り、図３（ｄ）、（ｅ）に示すような電子放出素子を得
ることができる。
より開口部８内の微細孔２ａ内に円柱状電極３を形成す
る。そして、円柱状電極３近傍のＡｌ陽極酸化膜２をエ
ッチングした後、レジストマスク７を剥離することによ
り、図３（ｄ）、（ｅ）に示すような電子放出素子を得
ることができる。
【００２２】本実施例では、Ａｌ陽極酸化膜２表面にゲ
ート電極となる金属薄膜パターン６を形成し、この金属
薄膜パターン６開口部８のみに円柱状電極３が形成さ
れ、この円柱状電極３近傍のＡｌ陽極酸化膜２部分をエ
ッチングし、円柱状電極を１つの電子放出素子とする構
造としており、このようにエッチングにより円柱状電極
３先端を突出させて構成したため、円柱エッジ部での電
解分布を強くすることができ、電子放出効率を高くする
ことができるうえ、Ａｌ陽極酸化膜２上に電子放出部に
対応したゲート電極を効率良く形成することができる。 （第４実施例）図４は本発明の第４実施例に則した電子
放出素子の構造を示す断面図である。図４において、図
３と同一符号は同一または相当部分を示す。
ート電極となる金属薄膜パターン６を形成し、この金属
薄膜パターン６開口部８のみに円柱状電極３が形成さ
れ、この円柱状電極３近傍のＡｌ陽極酸化膜２部分をエ
ッチングし、円柱状電極を１つの電子放出素子とする構
造としており、このようにエッチングにより円柱状電極
３先端を突出させて構成したため、円柱エッジ部での電
解分布を強くすることができ、電子放出効率を高くする
ことができるうえ、Ａｌ陽極酸化膜２上に電子放出部に
対応したゲート電極を効率良く形成することができる。 （第４実施例）図４は本発明の第４実施例に則した電子
放出素子の構造を示す断面図である。図４において、図
３と同一符号は同一または相当部分を示す。
【００２３】図３の第３実施例では、円柱状電極３近傍
のＡｌ陽極酸化膜２を全て除去して構成する場合につい
て説明したが、本実施例では、円柱状電極３先端が突出
した状態でＡｌ陽極酸化膜２のエッチングを終了させる
ようにして、円柱状電極３補強用にＡｌ陽極酸化膜２を
残して構成している。このため、硫酸浴等で形成された
0.0数μｍ径の微細孔２ａを有するＡｌ陽極酸化膜２孔
２ａ内に形成された円柱状電極３（ 0.0数μｍ径）が倒
れて隣接円柱状電極３と接触することを防ぐことができ
る。
のＡｌ陽極酸化膜２を全て除去して構成する場合につい
て説明したが、本実施例では、円柱状電極３先端が突出
した状態でＡｌ陽極酸化膜２のエッチングを終了させる
ようにして、円柱状電極３補強用にＡｌ陽極酸化膜２を
残して構成している。このため、硫酸浴等で形成された
0.0数μｍ径の微細孔２ａを有するＡｌ陽極酸化膜２孔
２ａ内に形成された円柱状電極３（ 0.0数μｍ径）が倒
れて隣接円柱状電極３と接触することを防ぐことができ
る。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、電子放出を行う針状カ
ソード電極の密度を高くすることにより単価面積当りの
電子放出量を大きくすることができるという効果があ
る。
ソード電極の密度を高くすることにより単価面積当りの
電子放出量を大きくすることができるという効果があ
る。
【図１】本発明の第１実施例に則した電子放出素子の構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
【図２】本発明の第２実施例に則した電子放出素子の構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
【図３】本発明の第３実施例に則した電子放出素子の製
造方法を説明する図である。
造方法を説明する図である。
【図４】本発明の第４実施例に則した電子放出素子の構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
１ 金属層 ２ Ａｌ陽極酸化膜 ２ａ 微細孔 ２ｂ Ａｌ薄膜 ３ 円柱状電極 ４ ガラス基板 ５ 金属層 ６ 金属薄膜パターン ７ レジストマスク ８ 開口部
Claims (6)
- 【請求項１】Ａｌ表面層を含む金属積層膜のＡｌ膜が陽
極酸化されて微細孔を有するＡｌ陽極酸化膜が形成さ
れ、該Ａｌ陽極酸化膜の微細孔内に電解析出により円柱
状電極が形成されてなることを特徴とする電子放出素
子。 - 【請求項２】前記金属積層膜は、金属板上にＡｌ薄膜が
形成された構造であることを特徴とする請求項１記載の
電子放出素子。 - 【請求項３】前記金属積層膜は、絶縁基板上にＡｌ薄膜
表面層を含む少なくとも２層以上の金属薄膜層が形成さ
れた構造であることを特徴とする請求項１記載の電子放
出素子。 - 【請求項４】前記Ａｌ陽極酸化膜表面にゲート電極が形
成され、該ゲート電極開口部のみに円柱状電極が形成さ
れ、該円柱状電極近傍の該Ａｌ陽極酸化膜がエッチング
されて少なくとも１個以上の円柱状電極を１つの電子放
出素子とすることを特徴とする請求項１記載の電子放出
素子。 - 【請求項５】微細孔を有するＡｌ陽極酸化膜上に金属薄
膜を形成する工程と、 次いで、該金属薄膜をエッチングして該微細孔が露出さ
れた開口部を有する金属薄膜パターンを形成する工程
と、 次いで、電解析出により該開口部内の該微細孔内に円柱
状電極を形成する工程と、 次いで、該円柱状電極近傍の該Ａｌ陽極酸化膜をエッチ
ングする工程とを含むことを特徴とする電子放出素子の
製造方法。 - 【請求項６】前記円柱状電極近傍のＡｌ陽極酸化膜のエ
ッチングを該円柱状電極の先端が表面に出る状態でスト
ップさせることを特徴とする請求項５記載の電子放出素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1562892A JPH05211029A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 電子放出素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1562892A JPH05211029A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 電子放出素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05211029A true JPH05211029A (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=11893983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1562892A Pending JPH05211029A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 電子放出素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05211029A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0923104A2 (en) * | 1997-11-14 | 1999-06-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting device and production method thereof |
| US6624589B2 (en) | 2000-05-30 | 2003-09-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emitting device, electron source, and image forming apparatus |
| US7034444B2 (en) | 2000-09-01 | 2006-04-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting device, electron source and image-forming apparatus, and method for manufacturing electron emitting device |
| JP2006326723A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Canon Inc | ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体 |
| JP2006326724A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Canon Inc | ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体 |
| JP2009523315A (ja) * | 2005-12-22 | 2009-06-18 | インテル コーポレイション | ナノ構造をベースとしたパッケージの相互接続 |
| JP2009181757A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Takamatsu Mekki:Kk | 電子銃の製造方法及び電子銃 |
| WO2010095661A1 (ja) * | 2009-02-17 | 2010-08-26 | 富士フイルム株式会社 | 金属部材 |
| WO2014076939A1 (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-22 | 株式会社クラレ | エレクトロルミネセンス素子とその製造方法 |
-
1992
- 1992-01-31 JP JP1562892A patent/JPH05211029A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0923104A2 (en) * | 1997-11-14 | 1999-06-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting device and production method thereof |
| EP0923104A3 (en) * | 1997-11-14 | 1999-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting device and production method thereof |
| US6472814B1 (en) | 1997-11-14 | 2002-10-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting device provided with pores that have carbon deposited therein |
| US6624589B2 (en) | 2000-05-30 | 2003-09-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emitting device, electron source, and image forming apparatus |
| US6933664B2 (en) | 2000-05-30 | 2005-08-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emitting device, electron source, and image forming apparatus |
| US7034444B2 (en) | 2000-09-01 | 2006-04-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting device, electron source and image-forming apparatus, and method for manufacturing electron emitting device |
| JP2006326723A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Canon Inc | ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体 |
| JP2006326724A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Canon Inc | ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体 |
| JP4681938B2 (ja) * | 2005-05-24 | 2011-05-11 | キヤノン株式会社 | ナノ構造体の製造方法 |
| JP4681939B2 (ja) * | 2005-05-24 | 2011-05-11 | キヤノン株式会社 | ナノ構造体の製造方法 |
| JP2009523315A (ja) * | 2005-12-22 | 2009-06-18 | インテル コーポレイション | ナノ構造をベースとしたパッケージの相互接続 |
| JP2009181757A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Takamatsu Mekki:Kk | 電子銃の製造方法及び電子銃 |
| WO2010095661A1 (ja) * | 2009-02-17 | 2010-08-26 | 富士フイルム株式会社 | 金属部材 |
| CN102317010A (zh) * | 2009-02-17 | 2012-01-11 | 富士胶片株式会社 | 金属构件 |
| WO2014076939A1 (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-22 | 株式会社クラレ | エレクトロルミネセンス素子とその製造方法 |
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