JP4700200B2 - 隔壁リブを用いた3極管カーボンナノチューブ電界放出素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、隔壁リブを用いた3極管カーボンナノチューブ電界放出素子及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
図1は、従来の電界放出素子の構造を概略的に示した断面図である。図1に示されたように、既存の電界放出素子は、基本的に透明な前面基板5及び背面基板1を具備し、これらの間にスペーサ8を挟んで一定の間隔を保たせるような構造をもつ。背面基板1上にはストライプ状の陰極2が形成され、その上に絶縁層3が形成される。また、その上に陰極2と交差する方向のストライプ状にゲート4が形成され、陰極2上の絶縁層3にはホール3'が形成され、このホール3'により露出された陰極2上には電子放出のためのマイクロチップ2'が形成され、ゲート4にはホール3'に対応する開口部4'が形成される。このため、マイクロチップ2'から放出された電子が陽極6の方に向けて放出可能になる。そして、前面基板5の内側の対向面上には陰極2と交差する方向のストライプ状に陽極6が形成され、陽極6上には蛍光体7が塗布される。このため、マイクロチップ2'から放出されて陽極6側に向けて進行する電子が蛍光体7にぶつかり、その結果、光を発する。
【0003】
図2は、従来のメッシュグリッドを採用した電界放出素子の概略的な断面図である。図2に示されたように、従来のメッシュグリッドを採用した電界放出素子は、基本的には図1の電界放出素子と同様に、透明な前面基板15及び背面基板11を具備し、これらの間にスペーサ18を挟んで一定の間隔を保たせるような構造をもつ。背面基板11上にはストライプ状の陰極12と、絶縁層13と、陰極12と交差する方向のストライプ状のゲート14が順次形成される。また、陰極12上の絶縁層13にはホール13'が形成され、このホール13'により露出された陰極12上にはマイクロチップ12'が形成される。ゲート14上にはホール13'に対応する開口部14'が形成され、前面基板15の内側の対向面上には陰極12と交差する方向のストライプ状に陽極16が形成され、陽極16上には蛍光体17が形成される。特に、ゲート14と陽極16との間には、マイクロチップ12'から放出される電子を制御する金属メッシュ構造物19がさらに形成されている。
【0004】
このような3極管電界放出素子を製作するに当たって、光学的エッチング方法を用いずに3極管電界放出素子の製造方法として、メッシュに電極を塗布してゲート電極として用いることが提案されている。しかし、ガラスよりなる内部が高真空を保つ電界放出素子パネルにメッシュ構造物が加えると、機械的なストレスが増大し、その結果、前面基板及び背面基板の封合中にスペーサが歪んだり、真空排気中に大気圧による前面基板及び背面基板の破損が生じたりする。すなわち、従来の電界放出素子は、メッシュ構造物及びスペーサが一体型になっているため、メッシュ構造物の熱膨張やガス流れによる捻じれによりスペーサが水平方向の力を受けることになる。このため、構造的に垂直方向の力には強いものの、水平方向の力には弱いスペーサが元の設計位置から外れたり、あるいは捻じれて垂直の大気圧に耐えられず、壊れてしまう。これは、電界放出素子パネルを製作する上で最も大きな問題となる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記事情に鑑みて成されたものであり、その目的は、メッシュ構造物及びスペーサをパネルの内部に構造的に安定的に固定するため、陰極パターン上にスクリーンプリント法により隔壁を形成し、この隔壁上にメッシュ構造物を載置することによりメッシュ構造物の熱膨張による破損や捻じれが防止できる、隔壁リブ構造物を用いた3極管カーボンナノチューブ電界放出素子及びその製造方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明による隔壁リブ構造物を用いた電界放出素子は、一定の間隔をあけて互いに対向配置された前面基板及び背面基板と、前記背面基板上にストライプ状に形成された陰極と、前記陰極上に一定の高さ及び間隔をもって形成されて前記陰極を一定の間隔に露出せしめる隔壁リブと、前記隔壁リブにより露出された前記陰極上に電子放出用として形成されたカーボンナノチューブと、前記隔壁リブ上に載置されているメッシュ構造物であって、前記カーボンナノチューブから放出される電子を通過させる開口部及び前記隔壁リブ間の隙間に対応する領域には切開部が形成されているメッシュ構造物と、凹凸状の棒状に形成されて前記凹凸の突出部が前記切開部を通じて前記隔壁リブの隙間に嵌合され、前記両基板間の間隔を一定に保つスペーサと、前記前面基板に前記陰極と交差する方向のストライプ状に形成された陽極と、前記陽極上に塗布された蛍光体と、を具備することを特徴とする構成とした。
【0007】
本発明において、好ましくは、前記隔壁リブは10〜100μmの高さをもって前記陰極と陽極との交差点の間に形成され、前記隔壁リブは前記陽極のブラックマトリックスに対応する領域に形成される。 また、好ましくは、前記メッシュ構造物は絶縁体から形成され、その上面に前記陰極と交差する方向のストライプ状のゲートが形成される。
【0008】
また、本発明において、好ましくは、前記メッシュ構造物は導電性物質から形成されて全体が共通電極により結線される。また、前記メッシュ構造物の開口部の大きさは前記陰極と陽極とが交差する地点の交差面積により決定される。また、好ましくは、前記スペーサにおいて、凹凸の陰極側の突出部の幅は、前記隔壁リブの間隔よりも約5〜10μm狭く形成される。
【0009】
また、前記目的を達成するために、本発明による隔壁リブ構造物を用いた電界放出素子の製造方法は、一定の間隔をあけて互いに対向配置された前面基板及び背面基板と、前記背面基板上にストライプ状に形成された陰極と、前記陰極上に一定の高さ及び間隔をもって形成され、前記陰極を一定の間隔に露出せしめる隔壁リブと、前記隔壁リブにより露出された前記陰極上に電子放出用として形成されたカーボンナノチューブと、前記隔壁リブ上に載置されているメッシュ構造物であって、前記カーボンナノチューブから放出される電子を通過させる開口部及び前記隔壁リブ間の隙間に対応する領域には切開部が形成されているメッシュ構造物と、凹凸状の棒状に形成されて前記凹凸の突出部が前記切開部を通じて前記隔壁リブの隙間に嵌合され、前記両基板間の間隔を一定に保つスペーサと、前記前面基板に前記陰極と交差する方向のストライプ状に形成された陽極と、前記陽極上に塗布された蛍光体と、を具備する隔壁リブを用いたカーボンナノチューブ電界放出素子の製造方法において、(a)前記ストライプ状の陰極が形成された背面基板上に隔壁リブを形成する段階と、(b)前記隔壁リブ間の陰極上にカーボンナノチューブを蒸着して電子放出源を形成する段階と、(c)前記メッシュ構造物を製作して前記隔壁リブ上に載置する段階と、(d)前記スペーサを製作して前記メッシュ構造物の切開部を通じて前記隔壁リブ間の隙間に嵌め込む段階と、(e)前記蛍光体の塗布された陽極が配置された前面基板を前記陽極が精度良く整列されるように前記スペーサ上に載置し、封合工程を施す段階と、を含むことを特徴とする。
【0010】
本発明において、好ましくは、前記(a)段階において、前記隔壁リブは10〜100μmの高さをもって形成される。また、好ましくは、前記(b)段階は、スクリーンプリント法、化学気相蒸着法、電気泳動法及び陽極酸化アルミナシート陰極法のうちいずれか一つの方法により行われる。また、好ましくは、前記(c)段階において、前記メッシュ構造物は絶縁体から形成され、前記メッシュ構造物の上面に前記陰極と交差する方向のストライプ状のゲートを形成する段階をさらに含む。あるいは、好ましくは、前記メッシュ構造物は導電性物質から形成され、前記(c)段階において、前記メッシュ構造物の開口部の大きさは前記陰極と陽極とが交差する地点の交差面積により決定される。また、好ましくは、前記(d)段階において、前記スペーサの凹凸の陰極側の突出部の幅は、前記隔壁リブの間隔よりも約5〜10μm狭く形成され、前記隔壁リブ、メッシュ構造物の開口部及び切開部、スペーサの凹凸の突出部の規格がマッチングされるように形成して前記前面基板、メッシュ構造物及びスペーサが自動整列により組立てられるようにする。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面に基づき、本発明による隔壁リブ構造物を用いた電界放出素子及びその製造方法について詳細に説明する。
図3ないし図5を参照すると、本発明による隔壁リブ構造物を用いた3極管カーボンナノチューブ電界放出素子は、基本的には透明な前面基板150及び背面基板110を具備し、これらの間にスペーサ180を挟んで一定の間隔を保たせるような構造をもつ。背面基板110上にはストライプ状の陰極120が形成され、この陰極120上に抵抗層125が形成され、この抵抗層125上に一定の間隔に電子を放出せしめるためのカーボンナノチューブ121及びメッシュ構造物190を載置するための隔壁リブ構造物130が形成される。メッシュ構造物190上には陰極120と交差する方向のストライプ状にゲート140が形成される。カーボンナノチューブ121に対応する領域上のストライプ状のゲート140が形成されたメッシュ構造物190にはドット状の開口部145が形成されて、カーボンナノチューブ121から放出された電子を陽極160側に放出せしめる。また、メッシュ構造物190のゲート140ラインが形成された領域以外の領域には、図4に示されたように、スペーサ180の突出部が挿入される切開部195が形成される。また、前面基板150の内側の対向面上には陰極120と交差する方向のストライプ状に陽極160が形成され、陽極160上には蛍光体層170が形成される。
【0012】
このような構造は、メッシュ構造物190を背面基板110から一定距離あけて支持し、図4に示されたように、スペーサ180の水平移動を制御すべき隔壁リブ130を背面基板110に厚膜工程を用いて塗布する点、メッシュ構造物190を隔壁リブ130上にほかの接着剤なしに載置する点及びメッシュ構造物190の切開部195を介して挿入されたスペーサ180の突出部を隔壁リブ130間に嵌め込んで水平移動を無くす点にその特徴がある。
【0013】
図5は、メッシュ構造物の構造を示した斜視図である。メッシュ構造物190は非導電性絶縁体から形成され、その上にストライプ状の帯状にゲート140ラインが形成され、ドット状の開口部145の大きさは、陰極120と陽極160とが交差する地点のドットの大きさに基づき決定される。また、図5に示されたように、メッシュ構造物190には、スペーサ180の凹凸が嵌合される切開部195が別設される。スペーサ180は、電界放出素子スペーサの製作に一般に用いられる物質が用いられ、その構造は、図4に示されたように、上段及び下段に凹凸が形成されている。陰極120側の凹凸の形状は、メッシュ構造物190の切開部195を通過した後に隔壁リブ130にちょうど嵌合されるように製作される。このとき、隔壁リブ130間の距離から僅かな公差(約5〜10μm)をおいて僅かな水平移動を認めることにより、封合や排気中のストレスを低減できる。陽極160側の凹凸の形状は、蛍光体170を妨げない既存の電界放出素子スペーサと同様にする。図5のA-A′線に沿って切り取った部分の断面が、図3中の部材番号140及び190にて表示されている。図6は、陰極120と、カーボンナノチューブ121と、隔壁リブ130とが形成された背面基板110上に、スペーサ180及びメッシュ構造物190が結合されたことを示した斜視図である。このような構造の結合体に、陽極及び蛍光体が形成された前面基板を結合させると、本発明による電界放出素子が完成される。以下、その製造方法について説明する。
【0014】
先ず、図7(A)(B)に示されたように、ストライプ状の陰極120及び抵抗層125が形成された背面基板110に、図8(A)(B)に示されたように、厚膜工程を用いて約20〜40μmの隔壁リブ130を印刷した後に、焼成工程を施す。隔壁リブ130は抵抗層125上に形成され、隔壁リブ130の間隔は表示パネルの解像度によって陰極と陽極との交差点に該当する領域に形成される。
【0015】
次に、図9(A)(B)に示されたように、隔壁リブ130間の抵抗層125上にカーボンナノチューブ121を蒸着して電子放出源を形成し、全ての電子放出特性の向上のための作業を終える。このようなカーボンナノチューブの蒸着方法としては、スクリーンプリント法、化学気相蒸着法、電気泳動法及び陽極酸化アルミナシート陰極法など、各種の方法がある。このようなカーボンナノチューブの蒸着方法については、図12ないし図15に基づき後述する。
【0016】
次に、図10(A)(B)に示されたように、ストライプ状のゲート140が形成されているメッシュ構造物190を隔壁リブ上に載置する。このとき、メッシュ構造物190のゲートラインは、陰極ラインと直交せしめ、後でアドレッシング可能にする。次に、図10A及び図10Cに示されたように、スペーサ180をメッシュ構造物190の切開部195を介して隔壁リブ130の間に挟み込む。これらの過程により、背面基板の陰極120ラインと、メッシュ構造物190及びスペーサ180間の整列が自動でなされる。したがって、メッシュ構造物190と陰極120ラインとの精度良い整列は不要である。メッシュ構造物190の切開部195の大きさは、陰極と陽極とが交差する地点の大きさに基づき決定される。また、好ましくは、メッシュ構造物190にスペーサ180の凹凸が嵌合される切開部195は、前もって別途に形成しておく。
【0017】
次に、図11(A)(B)に示されたように、蛍光体170の塗布された陽極160が精度良く整列されるように、前面基板150をスペーサ180上に載置し、クリップを使って固定した状態で封合工程を施す。これにより、素子が完成される。
【0018】
一方、カーボンナノチューブの蒸着法について詳述すると、以下の通りである。
1.スクリーンプリント法は、図12に示されたように、隔壁リブが形成された基板上の抵抗層上にカーボンナノチューブが含まれたペーストをスクリーンプリントした後に、焼成する方法である。
2.化学気相蒸着(CVD)法は、図13(A)に示されたように、隔壁リブの形成された基板の抵抗層上にシード層をレーザー干渉リソグラフィ法により形成した後、図13(B)に示されたように、カーボンナノチューブをシード層上に成長させる方法である。
3.電気泳動法は、図14(A)に示されたように、隔壁リブの形成された基板の抵抗層上に電極を形成した後、図14(B)に示されたように、これをカーボンナノチューブが含まれたコロイド溶液中に入れ、電極に電圧を印加してカーボンナノチューブを付着する方法である。
4.陽極酸化アルミナシート陰極法は、図15(A)に示されたように、陽極酸化された多孔質のアルミナシートを用い、図15(B)に示されたように、熱化学気相蒸着法により蒸着を行ってカーボンナノチューブを成長させて背面電極を形成した後に、図15(C)に示されたように、陽極アルミナシートを隔壁リブの間に物理的に挟み込んで隔壁リブの間の抵抗層上に挿入する。
【0019】
【発明の効果】
以上述べたように、隔壁リブを用いた3極管カーボンナノチューブ電界放出素子は、メッシュ構造物及びスペーサをパネルの内部に構造的に安定的に固定するために、陰極ライン上にスクリーンプリント法により隔壁を形成し、この隔壁上にメッシュ構造物を載置した後に、スペーサをメッシュ構造物の切開部を通じて隔壁リブの間に挟み込むことにより、隔壁により支持される構造をもつ。これにより、隔壁リブによりスペーサの位置移動が抑えられるので、画面の歪みが防止できる。そのほかにも、下記のような長所がある。
第一に、メッシュ構造物の熱膨張係数によるスペーサの反りを抑えて、垂直方向の力に有効に対応できる。
第二に、メッシュ構造物及びスペーサが陰極及び陽極の構造を考慮して製作されるので、相対的にメッシュ構造物及びスペーサの陰極及び陽極に対する整列が不要である。
第三に、CVD法、スクリーンプリント法、電気泳動法、陽極酸化アルミナシート法など、各種の方法により製作されるカーボンナノチューブを背面基板に適用できる。
第四に、メッシュ構造物の電極締結方法、隔壁リブ形成方法、カーボンナノチューブ形成方法など、既に定立されている技術を実際の素子に適用できる。
第五に、ガスの流れに影響しないようにスペーサを配置できる。
第六に、相対的に既存の3極管以上の効果を発揮できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の電界放出素子の構造を概略的に示した断面図である。
【図2】従来のメッシュグリッドを採用した電界放出素子の概略的な断面図である。
【図3】本発明による隔壁リブ構造物を用いた電界放出素子の垂直断面図である。
【図4】図3のスペーサ構造を詳細に示した斜視図である。
【図5】図3のメッシュ構造物の構造を詳細に示した斜視図である。
【図6】図3の電界放出素子において、背面基板にメッシュ構造物及びスペーサを結合した形状を示した切開斜視図である。
【図7】(A)(B)図3の電界放出素子を製作する方法を工程段階別に示した平面図及び断面図である。
【図8】(A)(B)図3の電界放出素子を製作する方法を工程段階別に示した平面図及び断面図である。
【図9】(A)(B)図3の電界放出素子を製作する方法を工程段階別に示した平面図及び断面図である。
【図10】(A)(B)(C)図3の電界放出素子を製作する方法を工程段階別に示した平面図及び断面図である。
【図11】(A)(B)図3の電界放出素子を製作する方法を工程段階別に示した平面図及び断面図である。
【図12】図3の電界放出素子において、カーボンナノチューブを蒸着する方法を説明するための図である。
【図13】(A)(B)図3の電界放出素子において、カーボンナノチューブを蒸着する方法を説明するための図である。
【図14】(A)(B)図3の電界放出素子において、カーボンナノチューブを蒸着する方法を説明するための図である。
【図15】(A)(B)(C)図3の電界放出素子において、カーボンナノチューブを蒸着する方法を説明するための図である。
【発明の属する技術分野】
本発明は、隔壁リブを用いた3極管カーボンナノチューブ電界放出素子及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
図1は、従来の電界放出素子の構造を概略的に示した断面図である。図1に示されたように、既存の電界放出素子は、基本的に透明な前面基板5及び背面基板1を具備し、これらの間にスペーサ8を挟んで一定の間隔を保たせるような構造をもつ。背面基板1上にはストライプ状の陰極2が形成され、その上に絶縁層3が形成される。また、その上に陰極2と交差する方向のストライプ状にゲート4が形成され、陰極2上の絶縁層3にはホール3'が形成され、このホール3'により露出された陰極2上には電子放出のためのマイクロチップ2'が形成され、ゲート4にはホール3'に対応する開口部4'が形成される。このため、マイクロチップ2'から放出された電子が陽極6の方に向けて放出可能になる。そして、前面基板5の内側の対向面上には陰極2と交差する方向のストライプ状に陽極6が形成され、陽極6上には蛍光体7が塗布される。このため、マイクロチップ2'から放出されて陽極6側に向けて進行する電子が蛍光体7にぶつかり、その結果、光を発する。
【0003】
図2は、従来のメッシュグリッドを採用した電界放出素子の概略的な断面図である。図2に示されたように、従来のメッシュグリッドを採用した電界放出素子は、基本的には図1の電界放出素子と同様に、透明な前面基板15及び背面基板11を具備し、これらの間にスペーサ18を挟んで一定の間隔を保たせるような構造をもつ。背面基板11上にはストライプ状の陰極12と、絶縁層13と、陰極12と交差する方向のストライプ状のゲート14が順次形成される。また、陰極12上の絶縁層13にはホール13'が形成され、このホール13'により露出された陰極12上にはマイクロチップ12'が形成される。ゲート14上にはホール13'に対応する開口部14'が形成され、前面基板15の内側の対向面上には陰極12と交差する方向のストライプ状に陽極16が形成され、陽極16上には蛍光体17が形成される。特に、ゲート14と陽極16との間には、マイクロチップ12'から放出される電子を制御する金属メッシュ構造物19がさらに形成されている。
【0004】
このような3極管電界放出素子を製作するに当たって、光学的エッチング方法を用いずに3極管電界放出素子の製造方法として、メッシュに電極を塗布してゲート電極として用いることが提案されている。しかし、ガラスよりなる内部が高真空を保つ電界放出素子パネルにメッシュ構造物が加えると、機械的なストレスが増大し、その結果、前面基板及び背面基板の封合中にスペーサが歪んだり、真空排気中に大気圧による前面基板及び背面基板の破損が生じたりする。すなわち、従来の電界放出素子は、メッシュ構造物及びスペーサが一体型になっているため、メッシュ構造物の熱膨張やガス流れによる捻じれによりスペーサが水平方向の力を受けることになる。このため、構造的に垂直方向の力には強いものの、水平方向の力には弱いスペーサが元の設計位置から外れたり、あるいは捻じれて垂直の大気圧に耐えられず、壊れてしまう。これは、電界放出素子パネルを製作する上で最も大きな問題となる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記事情に鑑みて成されたものであり、その目的は、メッシュ構造物及びスペーサをパネルの内部に構造的に安定的に固定するため、陰極パターン上にスクリーンプリント法により隔壁を形成し、この隔壁上にメッシュ構造物を載置することによりメッシュ構造物の熱膨張による破損や捻じれが防止できる、隔壁リブ構造物を用いた3極管カーボンナノチューブ電界放出素子及びその製造方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明による隔壁リブ構造物を用いた電界放出素子は、一定の間隔をあけて互いに対向配置された前面基板及び背面基板と、前記背面基板上にストライプ状に形成された陰極と、前記陰極上に一定の高さ及び間隔をもって形成されて前記陰極を一定の間隔に露出せしめる隔壁リブと、前記隔壁リブにより露出された前記陰極上に電子放出用として形成されたカーボンナノチューブと、前記隔壁リブ上に載置されているメッシュ構造物であって、前記カーボンナノチューブから放出される電子を通過させる開口部及び前記隔壁リブ間の隙間に対応する領域には切開部が形成されているメッシュ構造物と、凹凸状の棒状に形成されて前記凹凸の突出部が前記切開部を通じて前記隔壁リブの隙間に嵌合され、前記両基板間の間隔を一定に保つスペーサと、前記前面基板に前記陰極と交差する方向のストライプ状に形成された陽極と、前記陽極上に塗布された蛍光体と、を具備することを特徴とする構成とした。
【0007】
本発明において、好ましくは、前記隔壁リブは10〜100μmの高さをもって前記陰極と陽極との交差点の間に形成され、前記隔壁リブは前記陽極のブラックマトリックスに対応する領域に形成される。 また、好ましくは、前記メッシュ構造物は絶縁体から形成され、その上面に前記陰極と交差する方向のストライプ状のゲートが形成される。
【0008】
また、本発明において、好ましくは、前記メッシュ構造物は導電性物質から形成されて全体が共通電極により結線される。また、前記メッシュ構造物の開口部の大きさは前記陰極と陽極とが交差する地点の交差面積により決定される。また、好ましくは、前記スペーサにおいて、凹凸の陰極側の突出部の幅は、前記隔壁リブの間隔よりも約5〜10μm狭く形成される。
【0009】
また、前記目的を達成するために、本発明による隔壁リブ構造物を用いた電界放出素子の製造方法は、一定の間隔をあけて互いに対向配置された前面基板及び背面基板と、前記背面基板上にストライプ状に形成された陰極と、前記陰極上に一定の高さ及び間隔をもって形成され、前記陰極を一定の間隔に露出せしめる隔壁リブと、前記隔壁リブにより露出された前記陰極上に電子放出用として形成されたカーボンナノチューブと、前記隔壁リブ上に載置されているメッシュ構造物であって、前記カーボンナノチューブから放出される電子を通過させる開口部及び前記隔壁リブ間の隙間に対応する領域には切開部が形成されているメッシュ構造物と、凹凸状の棒状に形成されて前記凹凸の突出部が前記切開部を通じて前記隔壁リブの隙間に嵌合され、前記両基板間の間隔を一定に保つスペーサと、前記前面基板に前記陰極と交差する方向のストライプ状に形成された陽極と、前記陽極上に塗布された蛍光体と、を具備する隔壁リブを用いたカーボンナノチューブ電界放出素子の製造方法において、(a)前記ストライプ状の陰極が形成された背面基板上に隔壁リブを形成する段階と、(b)前記隔壁リブ間の陰極上にカーボンナノチューブを蒸着して電子放出源を形成する段階と、(c)前記メッシュ構造物を製作して前記隔壁リブ上に載置する段階と、(d)前記スペーサを製作して前記メッシュ構造物の切開部を通じて前記隔壁リブ間の隙間に嵌め込む段階と、(e)前記蛍光体の塗布された陽極が配置された前面基板を前記陽極が精度良く整列されるように前記スペーサ上に載置し、封合工程を施す段階と、を含むことを特徴とする。
【0010】
本発明において、好ましくは、前記(a)段階において、前記隔壁リブは10〜100μmの高さをもって形成される。また、好ましくは、前記(b)段階は、スクリーンプリント法、化学気相蒸着法、電気泳動法及び陽極酸化アルミナシート陰極法のうちいずれか一つの方法により行われる。また、好ましくは、前記(c)段階において、前記メッシュ構造物は絶縁体から形成され、前記メッシュ構造物の上面に前記陰極と交差する方向のストライプ状のゲートを形成する段階をさらに含む。あるいは、好ましくは、前記メッシュ構造物は導電性物質から形成され、前記(c)段階において、前記メッシュ構造物の開口部の大きさは前記陰極と陽極とが交差する地点の交差面積により決定される。また、好ましくは、前記(d)段階において、前記スペーサの凹凸の陰極側の突出部の幅は、前記隔壁リブの間隔よりも約5〜10μm狭く形成され、前記隔壁リブ、メッシュ構造物の開口部及び切開部、スペーサの凹凸の突出部の規格がマッチングされるように形成して前記前面基板、メッシュ構造物及びスペーサが自動整列により組立てられるようにする。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面に基づき、本発明による隔壁リブ構造物を用いた電界放出素子及びその製造方法について詳細に説明する。
図3ないし図5を参照すると、本発明による隔壁リブ構造物を用いた3極管カーボンナノチューブ電界放出素子は、基本的には透明な前面基板150及び背面基板110を具備し、これらの間にスペーサ180を挟んで一定の間隔を保たせるような構造をもつ。背面基板110上にはストライプ状の陰極120が形成され、この陰極120上に抵抗層125が形成され、この抵抗層125上に一定の間隔に電子を放出せしめるためのカーボンナノチューブ121及びメッシュ構造物190を載置するための隔壁リブ構造物130が形成される。メッシュ構造物190上には陰極120と交差する方向のストライプ状にゲート140が形成される。カーボンナノチューブ121に対応する領域上のストライプ状のゲート140が形成されたメッシュ構造物190にはドット状の開口部145が形成されて、カーボンナノチューブ121から放出された電子を陽極160側に放出せしめる。また、メッシュ構造物190のゲート140ラインが形成された領域以外の領域には、図4に示されたように、スペーサ180の突出部が挿入される切開部195が形成される。また、前面基板150の内側の対向面上には陰極120と交差する方向のストライプ状に陽極160が形成され、陽極160上には蛍光体層170が形成される。
【0012】
このような構造は、メッシュ構造物190を背面基板110から一定距離あけて支持し、図4に示されたように、スペーサ180の水平移動を制御すべき隔壁リブ130を背面基板110に厚膜工程を用いて塗布する点、メッシュ構造物190を隔壁リブ130上にほかの接着剤なしに載置する点及びメッシュ構造物190の切開部195を介して挿入されたスペーサ180の突出部を隔壁リブ130間に嵌め込んで水平移動を無くす点にその特徴がある。
【0013】
図5は、メッシュ構造物の構造を示した斜視図である。メッシュ構造物190は非導電性絶縁体から形成され、その上にストライプ状の帯状にゲート140ラインが形成され、ドット状の開口部145の大きさは、陰極120と陽極160とが交差する地点のドットの大きさに基づき決定される。また、図5に示されたように、メッシュ構造物190には、スペーサ180の凹凸が嵌合される切開部195が別設される。スペーサ180は、電界放出素子スペーサの製作に一般に用いられる物質が用いられ、その構造は、図4に示されたように、上段及び下段に凹凸が形成されている。陰極120側の凹凸の形状は、メッシュ構造物190の切開部195を通過した後に隔壁リブ130にちょうど嵌合されるように製作される。このとき、隔壁リブ130間の距離から僅かな公差(約5〜10μm)をおいて僅かな水平移動を認めることにより、封合や排気中のストレスを低減できる。陽極160側の凹凸の形状は、蛍光体170を妨げない既存の電界放出素子スペーサと同様にする。図5のA-A′線に沿って切り取った部分の断面が、図3中の部材番号140及び190にて表示されている。図6は、陰極120と、カーボンナノチューブ121と、隔壁リブ130とが形成された背面基板110上に、スペーサ180及びメッシュ構造物190が結合されたことを示した斜視図である。このような構造の結合体に、陽極及び蛍光体が形成された前面基板を結合させると、本発明による電界放出素子が完成される。以下、その製造方法について説明する。
【0014】
先ず、図7(A)(B)に示されたように、ストライプ状の陰極120及び抵抗層125が形成された背面基板110に、図8(A)(B)に示されたように、厚膜工程を用いて約20〜40μmの隔壁リブ130を印刷した後に、焼成工程を施す。隔壁リブ130は抵抗層125上に形成され、隔壁リブ130の間隔は表示パネルの解像度によって陰極と陽極との交差点に該当する領域に形成される。
【0015】
次に、図9(A)(B)に示されたように、隔壁リブ130間の抵抗層125上にカーボンナノチューブ121を蒸着して電子放出源を形成し、全ての電子放出特性の向上のための作業を終える。このようなカーボンナノチューブの蒸着方法としては、スクリーンプリント法、化学気相蒸着法、電気泳動法及び陽極酸化アルミナシート陰極法など、各種の方法がある。このようなカーボンナノチューブの蒸着方法については、図12ないし図15に基づき後述する。
【0016】
次に、図10(A)(B)に示されたように、ストライプ状のゲート140が形成されているメッシュ構造物190を隔壁リブ上に載置する。このとき、メッシュ構造物190のゲートラインは、陰極ラインと直交せしめ、後でアドレッシング可能にする。次に、図10A及び図10Cに示されたように、スペーサ180をメッシュ構造物190の切開部195を介して隔壁リブ130の間に挟み込む。これらの過程により、背面基板の陰極120ラインと、メッシュ構造物190及びスペーサ180間の整列が自動でなされる。したがって、メッシュ構造物190と陰極120ラインとの精度良い整列は不要である。メッシュ構造物190の切開部195の大きさは、陰極と陽極とが交差する地点の大きさに基づき決定される。また、好ましくは、メッシュ構造物190にスペーサ180の凹凸が嵌合される切開部195は、前もって別途に形成しておく。
【0017】
次に、図11(A)(B)に示されたように、蛍光体170の塗布された陽極160が精度良く整列されるように、前面基板150をスペーサ180上に載置し、クリップを使って固定した状態で封合工程を施す。これにより、素子が完成される。
【0018】
一方、カーボンナノチューブの蒸着法について詳述すると、以下の通りである。
1.スクリーンプリント法は、図12に示されたように、隔壁リブが形成された基板上の抵抗層上にカーボンナノチューブが含まれたペーストをスクリーンプリントした後に、焼成する方法である。
2.化学気相蒸着(CVD)法は、図13(A)に示されたように、隔壁リブの形成された基板の抵抗層上にシード層をレーザー干渉リソグラフィ法により形成した後、図13(B)に示されたように、カーボンナノチューブをシード層上に成長させる方法である。
3.電気泳動法は、図14(A)に示されたように、隔壁リブの形成された基板の抵抗層上に電極を形成した後、図14(B)に示されたように、これをカーボンナノチューブが含まれたコロイド溶液中に入れ、電極に電圧を印加してカーボンナノチューブを付着する方法である。
4.陽極酸化アルミナシート陰極法は、図15(A)に示されたように、陽極酸化された多孔質のアルミナシートを用い、図15(B)に示されたように、熱化学気相蒸着法により蒸着を行ってカーボンナノチューブを成長させて背面電極を形成した後に、図15(C)に示されたように、陽極アルミナシートを隔壁リブの間に物理的に挟み込んで隔壁リブの間の抵抗層上に挿入する。
【0019】
【発明の効果】
以上述べたように、隔壁リブを用いた3極管カーボンナノチューブ電界放出素子は、メッシュ構造物及びスペーサをパネルの内部に構造的に安定的に固定するために、陰極ライン上にスクリーンプリント法により隔壁を形成し、この隔壁上にメッシュ構造物を載置した後に、スペーサをメッシュ構造物の切開部を通じて隔壁リブの間に挟み込むことにより、隔壁により支持される構造をもつ。これにより、隔壁リブによりスペーサの位置移動が抑えられるので、画面の歪みが防止できる。そのほかにも、下記のような長所がある。
第一に、メッシュ構造物の熱膨張係数によるスペーサの反りを抑えて、垂直方向の力に有効に対応できる。
第二に、メッシュ構造物及びスペーサが陰極及び陽極の構造を考慮して製作されるので、相対的にメッシュ構造物及びスペーサの陰極及び陽極に対する整列が不要である。
第三に、CVD法、スクリーンプリント法、電気泳動法、陽極酸化アルミナシート法など、各種の方法により製作されるカーボンナノチューブを背面基板に適用できる。
第四に、メッシュ構造物の電極締結方法、隔壁リブ形成方法、カーボンナノチューブ形成方法など、既に定立されている技術を実際の素子に適用できる。
第五に、ガスの流れに影響しないようにスペーサを配置できる。
第六に、相対的に既存の3極管以上の効果を発揮できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の電界放出素子の構造を概略的に示した断面図である。
【図2】従来のメッシュグリッドを採用した電界放出素子の概略的な断面図である。
【図3】本発明による隔壁リブ構造物を用いた電界放出素子の垂直断面図である。
【図4】図3のスペーサ構造を詳細に示した斜視図である。
【図5】図3のメッシュ構造物の構造を詳細に示した斜視図である。
【図6】図3の電界放出素子において、背面基板にメッシュ構造物及びスペーサを結合した形状を示した切開斜視図である。
【図7】(A)(B)図3の電界放出素子を製作する方法を工程段階別に示した平面図及び断面図である。
【図8】(A)(B)図3の電界放出素子を製作する方法を工程段階別に示した平面図及び断面図である。
【図9】(A)(B)図3の電界放出素子を製作する方法を工程段階別に示した平面図及び断面図である。
【図10】(A)(B)(C)図3の電界放出素子を製作する方法を工程段階別に示した平面図及び断面図である。
【図11】(A)(B)図3の電界放出素子を製作する方法を工程段階別に示した平面図及び断面図である。
【図12】図3の電界放出素子において、カーボンナノチューブを蒸着する方法を説明するための図である。
【図13】(A)(B)図3の電界放出素子において、カーボンナノチューブを蒸着する方法を説明するための図である。
【図14】(A)(B)図3の電界放出素子において、カーボンナノチューブを蒸着する方法を説明するための図である。
【図15】(A)(B)(C)図3の電界放出素子において、カーボンナノチューブを蒸着する方法を説明するための図である。
Claims (16)
- 一定の間隔をあけて互いに対向配置された前面基板及び背面基板と、
前記背面基板上にストライプ状に形成された陰極と、
前記陰極上に一定の高さ及び間隔をもって形成されて前記陰極を一定の間隔に露出せしめる隔壁リブと、
前記隔壁リブにより露出された前記陰極上に電子放出用として形成されたカーボンナノチューブと、
前記隔壁リブ上に載置されているメッシュ構造物であって、前記カーボンナノチューブから放出される電子を通過させる開口部及び前記隔壁リブ間の隙間に対応する領域には切開部が形成されているメッシュ構造物と、
凹凸状の棒状に形成されて前記凹凸の突出部が前記切開部を通じて前記隔壁リブ間の隙間に嵌合され、前記両基板間の間隔を一定に保つスペーサと、
前記前面基板に前記陰極と交差する方向のストライプ状に形成された陽極と、
前記陽極上に塗布された蛍光体と、
を具備したことを特徴とする隔壁リブを用いたカーボンナノチューブ電界放出素子。 - 前記隔壁リブは、10〜100μmの高さで形成されたことを特徴とする請求項1に記載の隔壁リブを用いたカーボンナノチューブ電界放出素子。
- 前記隔壁リブは、前記陰極と陽極との交差点の間に形成されたことを特徴とする請求項1に記載の隔壁リブを用いたカーボンナノチューブ電界放出素子。
- 前記隔壁リブは、前記陽極のブラックマトリックスに対応する領域に形成されたことを特徴とする請求項1に記載の隔壁リブを用いたカーボンナノチューブ電界放出素子。
- 前記メッシュ構造物は絶縁体から形成され、その上面に前記陰極と交差する方向のストライプ状のゲートが形成されたことを特徴とする請求項1に記載の隔壁リブを用いたカーボンナノチューブ電界放出素子。
- 前記メッシュ構造物は導電性物質から形成されて、全体が共通電極により結線されたことを特徴とする請求項1に記載の隔壁リブを用いたカーボンナノチューブ電界放出素子。
- 前記メッシュ構造物の開口部の大きさは、前記陰極と陽極とが交差する地点の交差面積により決定されることを特徴とする請求項1に記載の隔壁リブを用いたカーボンナノチューブを用いた電界放出素子。
- 前記スペーサにおいて、凹凸の陰極側の突出部の幅は、前記隔壁リブの間隔よりも約5〜10μm狭く形成されたことを特徴とする請求項1に記載の隔壁リブを用いたカーボンナノチューブ電界放出素子。
- 一定の間隔をあけて互いに対向配置された前面基板及び背面基板と、前記背面基板上にストライプ状に形成された陰極と、前記陰極上に一定の高さ及び間隔をもって形成されて前記陰極を一定の間隔に露出せしめる隔壁リブと、前記隔壁リブにより露出された前記陰極上に電子放出用として形成されたカーボンナノチューブと、
前記隔壁リブ上に載置されているメッシュ構造物であって、前記カーボンナノチューブから放出される電子を通過させる開口部及び前記隔壁リブ間の隙間に対応する領域には切開部が形成されているメッシュ構造物と、凹凸状の棒状に形成されて前記凹凸の突出部が前記切開部を通じて前記隔壁リブ間の隙間に嵌合され、前記両基板間の間隔を一定に保つスペーサと、前記前面基板に前記陰極と交差する方向のストライプ状に形成された陽極と、前記陽極上に塗布された蛍光体と、を具備した隔壁リブを用いたカーボンナノチューブ電界放出素子の製造方法において、
(a)前記ストライプ状の陰極が形成された背面基板上に隔壁リブを形成する段階と、
(b)前記隔壁リブ間の陰極上にカーボンナノチューブを蒸着して電子放出源を形成する段階と、
(c)前記メッシュ構造物を製作して前記隔壁リブ上に載置する段階と、
(d)前記スペーサを製作して前記メッシュ構造物の切開部を通じて前記隔壁リブ間の隙間に嵌め込む段階と、
(e)前記蛍光体の塗布された陽極が配置された前面基板を前記陽極が精度良く整列されるように前記スペーサ上に載置し、封合工程を施す段階と、
を含むことを特徴とする隔壁リブを用いたカーボンナノチューブ電界放出素子の製造方法。 - 前記(a)段階において、前記隔壁リブは、10〜100μmの高さをもって形成することを特徴とする請求項9に記載の隔壁リブを用いたカーボンナノチューブ電界放出素子の製造方法。
- 前記(b)段階は、スクリーンプリント法、化学気相蒸着法、電気泳動法及び陽極酸化アルミナシート陰極法のうちいずれか一つの方法により行われることを特徴とする請求項9に記載の隔壁リブを用いたカーボンナノチューブ電界放出素子の製造方法。
- 前記(c)段階において、前記メッシュ構造物は絶縁体から形成され、前記メッシュ構造物の上面に前記陰極と交差する方向のストライプ状のゲートを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の隔壁リブを用いたカーボンナノチューブ電界放出素子の製造方法。
- 前記(c)段階において、前記メッシュ構造物は、導電性物質から形成されることを特徴とする請求項9に記載の隔壁リブを用いたカーボンナノチューブ電界放出素子の製造方法。
- 前記(c)段階において、前記メッシュ構造物の開口部の大きさは、前記陰極と陽極とが交差する地点の交差面積によって決定されることを特徴とする請求項9に記載の隔壁リブを用いたカーボンナノチューブ電界放出素子の製造方法。
- 前記(d)段階において、前記スペーサの凹凸の陰極側の突出部の幅は、前記隔壁リブの間隔よりも約5〜10μm狭く形成されることを特徴とする請求項9に記載の隔壁リブを用いたカーボンナノチューブ電界放出素子の製造方法。
- 前記隔壁リブ、メッシュ構造物の開口部及び切開部、スペーサで凹凸の突出部の規格がマッチングされるように形成して、前記前面基板、メッシュ構造物及びスペーサが自動整列により組立てられるようにすることを特徴とする請求項9に記載の隔壁リブを用いたカーボンナノチューブ電界放出素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000007116A KR100316780B1 (ko) | 2000-02-15 | 2000-02-15 | 격벽 리브를 이용한 3극관 탄소나노튜브 전계 방출 소자및 그 제작 방법 |
KR00-7116 | 2000-02-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001236907A JP2001236907A (ja) | 2001-08-31 |
JP4700200B2 true JP4700200B2 (ja) | 2011-06-15 |
Family
ID=19646655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001021040A Expired - Fee Related JP4700200B2 (ja) | 2000-02-15 | 2001-01-30 | 隔壁リブを用いた3極管カーボンナノチューブ電界放出素子及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6515415B1 (ja) |
EP (1) | EP1146541B1 (ja) |
JP (1) | JP4700200B2 (ja) |
KR (1) | KR100316780B1 (ja) |
DE (1) | DE60035955T2 (ja) |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3611503B2 (ja) * | 1999-07-21 | 2005-01-19 | シャープ株式会社 | 電子源及びその製造方法 |
KR100314094B1 (ko) * | 1999-08-12 | 2001-11-15 | 김순택 | 전기 영동법을 이용한 카본나노튜브 필드 에미터의 제조 방법 |
KR100343205B1 (ko) * | 2000-04-26 | 2002-07-10 | 김순택 | 카본나노튜브를 이용한 삼극 전계 방출 어레이 및 그 제작방법 |
KR100763890B1 (ko) | 2001-08-06 | 2007-10-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | Cnt를 적용한 전계방출표시소자의 제조방법 |
TW511108B (en) * | 2001-08-13 | 2002-11-21 | Delta Optoelectronics Inc | Carbon nanotube field emission display technology |
US6897603B2 (en) | 2001-08-24 | 2005-05-24 | Si Diamond Technology, Inc. | Catalyst for carbon nanotube growth |
JP2003197131A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Hitachi Ltd | 平面表示装置およびその製造方法 |
US7071603B2 (en) * | 2002-02-20 | 2006-07-04 | Cdream Corporation | Patterned seed layer suitable for electron-emitting device, and associated fabrication method |
US7053538B1 (en) | 2002-02-20 | 2006-05-30 | Cdream Corporation | Sectioned resistor layer for a carbon nanotube electron-emitting device |
TWI220319B (en) * | 2002-03-11 | 2004-08-11 | Solidlite Corp | Nano-wire light emitting device |
US6975063B2 (en) * | 2002-04-12 | 2005-12-13 | Si Diamond Technology, Inc. | Metallization of carbon nanotubes for field emission applications |
JP2003346689A (ja) * | 2002-05-22 | 2003-12-05 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
US6979947B2 (en) | 2002-07-09 | 2005-12-27 | Si Diamond Technology, Inc. | Nanotriode utilizing carbon nanotubes and fibers |
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JP2001236907A (ja) | 2001-08-31 |
EP1146541A3 (en) | 2003-07-16 |
KR20010081497A (ko) | 2001-08-29 |
KR100316780B1 (ko) | 2001-12-12 |
US6515415B1 (en) | 2003-02-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071016 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110131 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110208 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |