JP3611503B2 - 電子源及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子源及びその製造方法に係り、詳細には、液晶デバイス用のバックライト、各種光源だけでなく、コンピュータ、テレビジョン等のフラットパネルディスプレイに利用可能な冷陰極電子源及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
現在使われているCRT等の電子管では、電子源として熱陰極が用いられている。熱陰極は、熱電子放出により電子を供給する陰極である。熱電子放出は、物質を1500〜2700Kまで加熱して、伝導帯の自由電子に仕事関数以上のエネルギーを与えることで、電子が表面のポテンシャル障壁を超えて放出される機構である。材料としては純金属、酸化物等があるが、現在はBa化合物(5BaO・2Al2O3・CaO等)とW粉末とを混合してプレス焼結した焼結型、又は多孔性WにBa化合物を溶融状態で含覆させた含浸型が主流である。この両者は、電子放出密度が高い他にバリウムアルミネートを用いているため真空排気中のガス放出が少ない、大気暴露しても再活性化が可能という長所がある。
【0003】
電子放出には、熱電子放出以外に電界放出、二次電子放出、光電子放出等がある。冷陰極は、電界放出により電子放出を行う陰極である。電界放出は、物質の表面近傍に強電界(109V/m)を加え、表面のポテンシャル障壁を下げることでトンネル効果により電子放出を行うものである。熱陰極のように加熱を必要としないので冷陰極と呼ばれる。
【0004】
また、その電流−電圧特性はファウラ−ノードハイムの式で近似できる。電子放出部は、絶縁を保ちながら強電界を印加するために、電界集中定数を大きくする構造(針状等)を持たせている。初期の冷陰極はウイスカーのような針状単結晶を電界研磨して用いた二極管構造だったが、近年、集積回路又は薄膜の分野において用いられている微細加工技術により、高電界において電子を放出する電界放出型電子源(フィールドエミッタアレイ)製造技術の進歩は目覚ましく、特に極めて小型な構造を有する電界放出型冷陰極が製造されている。この種の電界放出型冷陰極は、3極管の超小型電子管又は超小型電子銃を構成する主要部品の内、最も基本的な電子放出デバイスである。構造の微細化が進んだことにより、電子源としては熱陰極に比較して高い電流密度を得られる利点がある。
冷陰極を用いたフィールドエミッションディスプレイ(FED)は、自発光型フラットパネルディスプレイヘの応用が期待され、電界放出型電子源の研究、開発が盛んに行われている。
【0005】
図14は、従来のFEDの基本構成を示す断面図である。
図14において、FEDは、電子放出を行うバックプレート18、バックプレート18からの電子ビーム12により蛍光体11を発光させ、像を表示するフェースプレート10、バックプレート18とフェースプレート10間を真空封止するための側壁19、バックプレート18とフェースプレート10間のギャップを維持し、大気圧に対する強度を保つためのスペーサ15より構成される。バックプレート18には、冷陰極13に電界を印加するためのゲート電極14が絶縁体16を介して構成され、通常、冷陰極配線とゲート配線とは、画素のアドレッシングのため、X−Yマトリクスを形成している。さらに、バックプレート18とフェースプレート10間のギャップが大きい場合、電子ビーム集束のための集束電極17が必要となる。FEDは、CRTや真空管と同じ真空デバイスのため、真空封止後の真空維持のため、ゲッタと呼ばれるマイクロポンプが内部に設置される。ゲッタには、蒸発型ゲッタと非蒸発型ゲッタがある。蒸発型ゲッタは、加熱蒸発等により新鮮で活性なゲッタ面を生成し、表面化学吸着により排気を行う。一方、非蒸発型ゲッタは、高温にしたゲッタ面において化学吸着した気体をゲッタ材内部に拡散することによりゲッタ面を活性にし、排気を行う。非蒸発型ゲッタの排気能力は、材料が同じ場合、その容積と表面積により決定され、より大きい容積と表面積を持つものが排気能力が高い。
【0006】
フィールドエミッションは、2〜3%の電界変化に対して放出電流量が2〜3倍に変化するため、FEDに用いる場合、バラスト抵抗層導入等の様々な制限機構を導入する必要がある。
また、貫通孔を有する金属板を積層し、電子ビームの制御電極とすることが熱陰極電子源との組み合わせとして報告されている(米国特許第2558993号)。
【0007】
セラミック基板の積層としては、プラズマディスプレイのリブ形成に用いることが報告されている(特開平3−45565号公報参照)。
FEDに用いられる電界放出型電子源の材料としては、様々のものが知られており、近年、電子放出材料として、カーボンナノチューブ(CNT)が注目されている。
【0008】
カーボンナノチューブは、1991年、飯島らにより発見(S.Iijima,Nature,354,56.1991)された。このカーボンナノチューブは、円筒状に巻いたグラファイト層が入れ子状になったもので、その先端径が約10nm程度であり、耐酸化性、耐イオン衝撃性が強い点で電子源アレイとしては非常に優れた特徴を有する材料と考えられている。実際、カーボンナノチューブからの電界放出実験が、1995年にR.E.Smalleyら(A.G.Rinzler,Science,269,1550,1995)とW.A.de Heerら(W.A.de Heer,Science,270,1179,1995)の研究グループから報告されている。これらの電界放出実験に用いられたカーボンナノチューブは、金属薄板上にキャスティングされたものだった。
【0009】
カーボンナノチューブは、高アスペクト比を有する構造を持つので、その軸方向が電界の方向に配向した場合の方がより高効率の電子放出を期待できる。
配向させたカーボンナノチューブを用いた電子放出素子としては、陽極酸化膜の細孔に選択成長した3極管構造のものが知られており、画素内の各々の電子源の特性バラツキを低減し、画素当たりの電流強度の安定性を改善されている(特開平10−12124号公報参照)。
その他に、真空下でSiC結晶上に配向したカーボンナノチューブを形成することも報告されている(特開平10−265208号公報参照)。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のFEDは、バックプレート形成のため、バラスト抵抗、陰極配線、ゲート配線、絶縁層を順次成膜していく工程となり、真空装置を用いた成膜では、工程が複雑なものになってしまう。また、FEDの場合、画面サイズが大きくなっても、バックプレートとフェースプレート間のギャップは変わらないため、大画面化した場合、真空維持のためのゲッタを側壁付近や四隅に配置するだけでは、真空維持が困難になる。
プラズマディスプレイのリブ形成も形状造り込みのためであり、電気配線、真空維持という面では考慮されていない。
【0011】
また、金属板の積層では、各電極間距離を近接させることが絶縁維持のため困難であり、冷陰極の引出電極としてX−Yマトリクスを形成することも困難である。
また、従来の陽極酸化膜細孔を用いたカーボンナノチューブ冷陰極電子源においては、カーボンナノチューブ生成条件が高温であるため基板のAlへのダメージが問題となる。一方、SiC結晶上にカーボンナノチューブを配向させることは、カーボンナノチューブ形成、パターン化を真空装置内で行うため特別な装置を必要とし、また、カーボンナノチューブの密度が高いため、カーボンナノチューブの形状因子による電界集中の度合いが小さくなることが考えられ、低電圧で電子放出を行うカーボンナノチューブのメリットを利用できない。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであって、真空排気及び真空維持が容易で、かつ低電圧で高い放出電流密度が可能な冷陰極電子源を用いたデバイスを安価に提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子源は、カーボンナノチューブを分散させた物質を平板上にあけたスルーホールに吸引又は圧入して、前記物質中のカーボンナノチューブを前記スルーホール方向に配向してなるエミッタ部と、少なくともカソード電極、前記エミッタ部を設けた第1の層と、制御電極を設けた第2の層とがシート状に積層され、その上部にスペーサを配置し、前記第1の層及び第2の層が焼成され、更に該スペーサを上部に配して一体化形成されたことを特徴とする。
【0013】
このように、構成部品を複数の未焼成セラミックシートに設け、積層焼成して一体化することにより、真空成膜装置、印刷機等による多層成膜を使用せずに、積層構造形成を可能にする。
また、前記第1の層に複数の貫通孔を形成し、該第1の層の背面にゲッタ室を設けることで、真空維持及びゲート配線との絶縁を容易にすることを可能にする。
また、好ましい具体的な態様としては、前記エミッタ部が、10V/μm以下の電界強度で電子放出を行う材料により構成されるものであってもよく、また、前記エミッタ部が、カーボンナノチューブを用いて構成されるものであってもよい。
【0014】
本発明の電子源の製造方法は、カーボンナノチューブを分散させた物質を平板上にあけたスルーホールに吸引して、前記物質中のカーボンナノチューブを前記スルーホール方向に配向してなることを特徴とする。あるいは、本発明の電子源の製造方法は、カーボンナノチューブを分散させた物質を平板上にあけたスルーホールに圧入して、前記物質中のカーボンナノチューブを前記スルーホール方向に配向してなることを特徴とする。
【0015】
このように、カーボンナノチューブを分散させた物質をスルーホールに吸引あるいは圧入することにより、配向工程、配向処理を別途必要とせず、カーボンナノチューブの配向を行うことを可能とする。
また、好ましい具体的な態様としては、前記スルーホールの先端部にテーパーを設けたものであってもよく、また、カーボンナノチューブを分散させた物質が高抵抗材料であってもよい。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。
第1の実施の形態
図1は、本発明の第1の実施の形態の冷陰極電子源の導電ペースト塗布時のメタルマスクの配置を示す平面図であり、図1(b)はその全体構成を示す図、図1(a)はその要部拡大図である。
【0017】
図1において、21は未焼結低温焼成セラミックシート(グリーンシート、例えば87cmx50cm、厚さ100μm)であり、グリーンシート21にパンチャー(多軸高速孔空け加工機)によりφ25μmスルーホール20(貫通孔)を形成する。孔ピッチは、例えば、62.5μm、1画素当たりの孔数は36個(サブピクセル12当たり12個)、全画素数は、131万個(1280個×1024個)である。ピクセル当たりのスルーホールの数は、1個でもよく、必要電流密度及びピクセルサイズにより選択することができる。また、スルーホール形成には、パンチャー以外にレーザ加工、放電加工、マイクロ波加工等を用いてもよい。また、図1(b)に示すように、スルーホール20を形成したグリーンシート21には、メタルマスク22が取り付けられており、この上から次に説明する導電ペーストを塗布する。
導電ペーストは電子放出材料を含み、例えば、φ20nm、長さ5μmのカーボンナノチューブ、銀微粒子、エチルセルロース(有機バインダー)をテレビネオール(希釈剤)に分散させてなるものである。
【0018】
図2は、導電ペーストの充填及びカーボンナノチューブの配向プロセスを示す断面図である。
真空排気の様子を図2に拡大して示す。図2に明らかなように、裏面からの真空排気により、グリーンシート21のスルーホール20中に導電ペースト30が吸引され充填される。その際、導電ペースト30中のカーボンナノチューブ31がスルーホール方向に配向して充填され、かつその先端はスルーホール20外に露出する。
冷陰極アレイにおいて、スルーホール20より露出するカーボンナノチューブ31がエミッタとして機能することとなる。
【0019】
図3は、積層構成例を示す斜視図である。
図3において、前述のグリーンシート21(第1の層)にエミッタ部40が形成され、裏面にはエミッタ配線41が形成されている。本実施の形態では、省いているが、エミッタ部とエミッタ配線との間に、バラスト抵抗層を形成してもよい。
その上にゲート電極とのギャップを維持するため、孔42を空けたギャップ調整用グリーンシート43を積層し、さらに、裏面にゲート電極44、表面に集束電極45を形成した電極基板用グリーンシート46(第2の層)を積層する。電極基板用グリーンシート46には、スペーサ48はめ込み用の溝47が形成され、溝47には、接合及びギャップ調整用の接合剤を塗布してある。
【0020】
図4は、図3のA−B断面図、図5は、図3のC−D断面図であり、図3のA−B断面及びC−D断面でのスペーサ接合時の状況をそれぞれ示す。
これらの図に示すように、スペーサ48接合時には接合剤50の一部51がスルーホール20から逃げることにより、ギャップのずれが解消される。断面図積層構成は、この構成に限定されることはなく、エミッタ面をグリーンシート21表面より下げることで、ギャップ調整用グリーンシート43を省くこともできる。ゲート電極44、集束電極45もその名称に機能は限定されず、遮蔽等の用途に用いてもよい。
【0021】
図6は、積層構成例を示す断面図である。
これら3つのグリーンシート21,43,46を、図6に示す順番で積層し、800℃で焼成を行い、積層一体基板を形成した。
また、図3において、エミッタ配線41と、放出電流制御電極のライン44とが、X−Yマトリクスを形成するので、X−Yマトリクス駆動が可能となる。また、各シートの接合面は積層焼成時に極めて密に接合するので、真空排気時のガス放出もない。フラットディスプレイのバックプレートが一体化されるため、その後の工程での取扱い、位置決めも容易になる。
【0022】
以上に説明したように、本実施の形態の冷陰極電子源は、低電界で電子放出が可能となるカーボンナノチューブ等の冷陰極材料を用い、必要な構成部品を各々の未焼性セラミックシート(グリーンシート21,43,46)に設け、それらを積層焼成して一体化した構造としたので、エミッタ配線が真空封止管内に存在しないため、真空維持に有利であり、ゲート配線との絶縁も容易に行うことができ、真空排気及び真空維持が容易な電界放出型電子源アレイを用いたデバイスを安価に実現することができる。
【0023】
また、その製造方法は、平板にスルーホール20をあけ、そのスルーホール20にカーボンナノチューブ31を分散させた導電ペースト30を吸引して充填することにより、カーボンナノチューブ31をスルーホール20方向に容易に配向させて製造するので、カーボンナノチューブを容易に平板のスルーホール方向に配向させることができ、低電圧で、高い放出電流密度が可能な電界放出型電子源アレイを用いたデバイスを安価に実現することができる。
【0024】
さらに、低温焼成セラミック基板でもその積層焼成温度は、800℃〜900℃と高いため、真空排気時の部材内部からのガス放出が低減され、その温度により、カーボンナノチューブ先端のキャップ除去を行うことができるため、先端の閉じたカーボンナノチューブを材料に用いてもそのエミッション特性を向上させる工程を必要としない利点がある。
【0025】
第2の実施の形態
図7は、本発明の第2の実施の形態の冷陰極電子源の積層構成例を示す斜視図、図8は、積層構成例を示す断面図である。図3と同一構成部分には同一符号を付している。
本実施の形態は、ゲッタ室を設ける場合の積層構成例を示すものである。
図7において、マスキングにより、セラミックシート21のスルーホール20ヘの冷陰極材料充填時に未充填部80を設けて、これを排気用スルーホール80(貫通孔)とし、さらに、セラミックシート46にも排気用スルーホール81を形成する。これら3つのグリーンシート21,43,46とゲッタ室90を、図8に示す順番で積層し、800℃で焼成を行い、積層一体基板を形成した。
このように、バックプレートに冷陰極材料未充填の排気用スルーホール80(貫通孔)を複数形成し、バックプレート背面にゲッタ室90を設けることにより、真空排気及び真空維持が容易な電解電子放出型電子源アレイを用いたデバイスを安価に実現することができる。
【0026】
第3の実施の形態
図9は、本発明の第3の実施の形態の冷陰極電子源の導電ペーストの充填及びカーボンナノチューブの配向プロセスを示す断面図である。図2と同一構成部分には同一符号を付している。
本実施の形態は、グリーンシートに形成するスルーホールにテーパーをつけたものである。
すなわち、図9に示すようにグリーンシート21に先端部にテーパーをつけたスルーホール20’を形成する。
これにより、第1の実施の形態と同様にして、裏面からの真空排気してスルーホール20’に導電ペースト30を充填するとき、導電ペースト30中に分散したカーボンナノチューブ31を、よりスルーホール20、の軸中心に向かって配向させることができる。この構成は、放出電流制御電極を引出電極として用いる場合、電界集中係数βが大きくなるので、より低電圧での駆動が可能となる。
【0027】
第4の実施の形態
図10は、本発明の第4の実施の形態の冷陰極電子源の導電ペーストの充填及びカーボンナノチューブの配向プロセスを示す断面図である。
本実施の形態は、スルーホール形成及び導電ペーストに打ち抜きニードルを利用したものである。
第1の実施の形態のグリーンシート21にスルーホールを形成するとき、図10(a),(b)に示すように、押さえ治具111を有する打ち抜き用ニードル112を用いてスルーホール20を形成する。そして、打ち抜き用ニードル112がグリーンシート21を貫通した状態(図10(b)参照)で、カーボンナノチューブ31を分散させた導電ペースト30を塗布する(図10(c)参照)。
【0028】
次に、図10(d)に示すように、打ち抜き用ニードル112をゆっくり引き抜くことで、注射器と同じ原理により導電ペースト30がスルーホール20内に吸引され充填される。その際、導電ペースト30中のカーボンナノチューブ31が、スルーホール方向に配向して充填される(図10(e)参照)。
このように、本実施の形態では、スルーホール20ヘの導電ペーストの充填制御が容易になるため、スルーホール端面からの導電ペーストのはみ出しを防ぐことができる。
【0029】
第5の実施の形態
図11は、本発明の第5の実施の形態の冷陰極電子源の導電ペーストの充填及びカーボンナノチューブの配向プロセスを示す断面図である。図2と同一構成部分には同一符号を付している。
本実施の形態は、導電ペーストの充填に加圧具を利用したものである。
第1の実施の形態と同様にして、グリーンシート21にスルーホール20を形成した後、図11に示すように導電ペースト30を塗布し、グリーンシート2ノ1の表面から加圧具121により加圧を行い、スルーホール20中に導電ペースト30を圧入充填する。これにより導電ペースト30中のカーボンナノチューブ31をスルーホール方向に配向して充填させることができる。
圧入の手段は、本実施の形態に限定されず、ペーストを加圧してノズルから射出する等の手法を用いてもよい。本実施の形態では、スルーホールヘの導電ペーストの充填制御がさらに容易になるため、スルーホール端面からの導電ペーストのはみ出しを防ぐことができる。
【0030】
第6の実施の形態
図12は、本発明の第6の実施の形態の冷陰極電子源のX−Yマトリクス配置の冷陰極電子源の各基板及び組立構造例を示す断面図である。
本実施の形態は、第1の実施の形態において、図3に示すギャップ調整用部材のグリーンシート43を省略できるようにしたものである。
図12に示すように、グリーンシート21にプレス加工により、高さ25μm、幅25μm、ピッチ125μmのストライプ状のリブ131を形成した。これを用い、第1乃至第5の実施の形態と同様にして冷陰極アレイを形成するとともに、第1の実施の形態で説明したグリーンシート46からなる電極基板を形成し、これら2つのグリーンシート21,46を、図12に示す順番で積層し、800℃で焼成を行い、積層一体基板を形成した。
この構成によれば、リブ131がギャップ調整用部材としての機能を果たす。このように本実施の形態では、ギャップ調節用部材43を省くことができる。また、放出電流制御電極44を冷陰極アレイに近接させる場合にも有利である。
【0031】
第7の実施の形態
図13は、本発明の第7の実施の形態の冷陰極電子源のX−Yマトリクス配置の冷陰極電子源の各基板及び組立構造例を示す断面図である。
第1乃至第5の実施の形態と同様にして形成した冷陰極アレイについて、図13に示すように充填された導電ペースト30を25μm深さまで除去した(符号141参照)。そして、第6の実施の形態と同様に電極基板を構成するグリーンシート46を準備し、これら2つのグリーンシート21,46を図13に示す順番で積層し、800℃で焼成を行い、積層一体基板を形成した。
この構成によれば、導電ペースト30を除去する深さでギャップが調整できる。ここでは、突起のないシート同士の接合のため取扱いが容易であり、また、第6の実施の形態と同様に、放出電流制御電極44を冷陰極アレイに近接させる場合にも有利である。
【0032】
第8の実施の形態
第1乃至第5の実施の形態において、銀微粒子を用いた導電ペーストではなく、銀−パラジウム−ガラス系の抵抗ペーストを用い、冷陰極アレイを形成してもよい。抵抗ペーストは、例えば、焼成時の抵抗率が200Ω・cmになるものを用いた。これにより、各スルーホールに抵抗値で1.2MΩの抵抗が並列に挿入されたことになる。このように、各スルーホールにバラスト抵抗が挿入されるため、各スルーホールでの電子放出特性のばらつきを抑制し、面内の電流均一性向上、電子放出部の破壊抑制を行うことができる。また、新たにバラスト抵抗層を形成する必要がなくなり、工程の簡略化を図ることができる。
【0033】
なお、カーボンナノチューブを分散させた導電ペーストを絶縁体として、カーボンナノチューブ表面を導電体で覆ってもよい。これにより、カーボンナノチューブを分散させたペーストの抵抗値を下げることができ、このペーストをそのまま印刷配線の材料に用いることで、工程の簡略化を図ることができる。また、導電性微粒子をペーストに加える必要がなくなるので、より単純な分散系となり、カーボンナノチューブの均一分散を行うことができる。
【0034】
【発明の効果】
以上、詳述したように、本発明によれば、真空装置を用いた抵抗、配線、絶縁層の成膜を必要としないため、複雑な工程、高価な装置を必要とせずに、バックプレートを形成することができる。
また、各層を別個に作成した後、最後に積層焼成すればよいため、スループットを向上させることができる。
また、カーボンナノチューブ等の材料との組み合わせにより、低電圧で、高い放出電流密度が可能な電界放出型電子源アレイを用いたデバイスを安価に提供できる。
【0035】
また、エミッタ配線が真空封止管内に存在しないため、真空維持に有利であり、ゲート配線との絶縁も容易に行うことができる。
また、低温焼成セラミック基板でもその積層焼成温度は、800℃〜900℃と高いため、真空排気時の部材内部からのガス放出が低減される。
また、バックプレートに形成された冷陰極材料未充填の貫通孔により、バックプレート背面から排気を行うことができるため、大画面化に対しても、排気コンダクタンスが低下せず、ゲッタ配置スペースの制限もなくなるため、十分な排気速度を得ることができる。
【0036】
また、本発明の電子源の製造方法によれば、カーボンナノチューブを容易に平板のスルーホール方向に配向させることができる。また、低温焼成セラミック基板でもその積層焼成温度は、800℃〜900℃と高いため、その温度により、カーボンナノチューブ先端のキャップ除去を行うことができるため、先端の閉じたカーボンナノチューブを材料に用いてもそのエミッション特性を向上させる工程を必要としない利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態の冷陰極電子源の導電ペースト塗布時のメタルマスクの配置を示す平面図である。
【図2】本実施の形態の冷陰極電子源の導電ペーストの充填及びカーボンナノチューブの配向プロセスを示す断面図である。
【図3】本実施の形態の冷陰極電子源の積層構成例を示す斜視図である。
【図4】図3のA−B断面図である。
【図5】図3のC−D断面図である。
【図6】本実施の形態の冷陰極電子源の積層構成例を示す断面図である。
【図7】本発明の第2の実施の形態の冷陰極電子源の積層構成例を示す斜視図である。
【図8】本実施の形態の冷陰極電子源の積層構成例を示す断面図である。
【図9】本発明の第3の実施の形態の冷陰極電子源の導電ペーストの充填及びカーボンナノチューブの配向プロセスを示す断面図である。
【図10】本発明の第4の実施の形態の冷陰極電子源の導電ペーストの充填及びカーボンナノチューブの配向プロセスを示す断面図である。
【図11】本発明の第5の実施の形態の冷陰極電子源の導電ペーストの充填及びカーボンナノチューブの配向プロセスを示す断面図である。
【図12】本発明の第6の実施の形態の冷陰極電子源のX−Yマトリクス配置の冷陰極電子源の各基板及び組立構造例を示す断面図である。
【図13】本発明の第7の実施の形態の冷陰極電子源のX−Yマトリクス配置の冷陰極電子源の各基板及び組立構造例を示す断面図である。
【図14】従来のカーボンナノチューブを用いた冷陰極の断面図である。
【符号の説明】
20 スルーホール
20’ テーパー付きスルーホール
21 グリーンシート(第1の層)
22 メタルマスク
30 導電ペースト(カーボンナノチューブを分散させた物質)
31 カーボンナノチューブ
40 エミッタ部
41 エミッタ配線
42 孔
43 ギャップ調節用グリーンシート
44 ゲート電極
45 集束電極
46 電極基板用グリーンシート(第2の層)
47 スペーサはめ込み用溝
48 スペーサ
50 接合剤
80,81 排気用スルーホール
90 ゲッタ室
111 押さえ治具
112 打ち抜き用ニードル
121 加圧具
131 ストライプ状リブ
Claims (3)
- カーボンナノチューブを分散させた物質を平板上にあけたスルーホールに吸引又は圧入して、前記物質中のカーボンナノチューブを前記スルーホール方向に配向してなるエミッタ部と、
少なくともカソード電極、前記エミッタ部を設けた第1の層と、制御電極を設けた第2の層とがシート状に積層され、その上部にスペーサを配置し、前記第1の層及び第2の層が焼成され、更に該スペーサを上部に配して一体化形成されたことを特徴とする電子源。 - 前記第1の層に複数の貫通孔を形成し、該第1の層の背面にゲッタ室を設けることを特徴とする請求項1記載の電子源。
- 前記エミッタ部が、10V/μm以下の電界強度で電子放出を行う材料により構成されることを特徴とする請求項1記載の電子源。
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